JPH09325288A - マルチビ−ム走査装置 - Google Patents
マルチビ−ム走査装置Info
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- JPH09325288A JPH09325288A JP15925596A JP15925596A JPH09325288A JP H09325288 A JPH09325288 A JP H09325288A JP 15925596 A JP15925596 A JP 15925596A JP 15925596 A JP15925596 A JP 15925596A JP H09325288 A JPH09325288 A JP H09325288A
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- laser
- light
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マルチビ−ムの走査線ピッチを正確に調整し高
品位な画像出力を得る。 【解決手段】走査始端側の非書込位置に設けたビ−ム検
出手段７をセンサアレイ７１と遮光マスク７２で構成す
る。センサアレイ７１は複数のフォトセンサＰＤ１〜Ｐ
Ｄｎが主走査方向に沿って配置され、遮光マスク７２は
先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ傾け
て配置され、複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口
を走査開始側より徐々に狭めるように覆っている。隣接
する２つのレ−ザビ−ムが走査されるときに、遮光マス
ク７２でけられないフォトセンサから出力するパルス信
号と遮光マスク７２でけられてパルス幅が変化したパル
ス信号から２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチ幅
（時間差）算出する。
品位な画像出力を得る。 【解決手段】走査始端側の非書込位置に設けたビ−ム検
出手段７をセンサアレイ７１と遮光マスク７２で構成す
る。センサアレイ７１は複数のフォトセンサＰＤ１〜Ｐ
Ｄｎが主走査方向に沿って配置され、遮光マスク７２は
先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ傾け
て配置され、複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口
を走査開始側より徐々に狭めるように覆っている。隣接
する２つのレ−ザビ−ムが走査されるときに、遮光マス
ク７２でけられないフォトセンサから出力するパルス信
号と遮光マスク７２でけられてパルス幅が変化したパル
ス信号から２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチ幅
（時間差）算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は複数のレ−ザ発光
源から出射するレ−ザビ−ムを用いて光書き込みを行う
マルチビ−ム走査装置、特に複数のレ−ザビ−ムの副走
査方向の走査線ピッチの検出精度の向上に関するもので
ある。
源から出射するレ−ザビ−ムを用いて光書き込みを行う
マルチビ−ム走査装置、特に複数のレ−ザビ−ムの副走
査方向の走査線ピッチの検出精度の向上に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】レ−ザプリンタ，デジタル複写機等の光
書込み系では記録速度を早くするために、例えば、特開
平７−72407号公報や特開平７−228000号公報等に示さ
れたように、複数のレ−ザ発光源から出射するレ−ザビ
−ムにより感光体表面を同時に走査して情報を書き込む
マルチビ−ム走査装置が提案されている。このマルチビ
−ム走査装置は隣接ラインを同時に走査しているため、
記録密度を変更するときに走査線ピッチを変更する必要
がある。また、走査線ピッチのずれは濃度ムラとなり画
像品質を劣化させる原因になるので、高品位な記録を行
うには径時的に走査線ピッチを補正する必要がある。こ
のため記録密度変換やピッチ補正を精度良く行うには記
録面上での走査線ピッチを検出してフィ−ドバックし走
査線ピッチを可変することが不可欠である。このような
走査線ピッチの検出には一般にＣＣＤ等のリニアセンサ
が用いられるが、ＣＣＤ等のリニアセンサはコストが高
く、かつ走査線ピッチに対しビ−ムスポットが十分小さ
くないと各ビ−ムの重なりにより正確に走査線ピッチの
検出ができなくなる。そこで例えば特開平７−228000号
公報に示されているように、光ビ−ム検知領域の主走査
始端側のエッジが相互に非並行な２つのフォトセンサを
主走査方向に沿って配置し、主走査方向に移動する各レ
−ザビ−ムが２つのフォトセンサで検出される時間差に
より副走査方向の走査線ピッチを検出したりしている。
この検出した副走査方向の走査線ピッチがあらかじめ定
められた基準値になるように複数のレ−ザ発光源を有す
る光源部の光軸回りを回転して走査線ピッチを調節して
いる。
書込み系では記録速度を早くするために、例えば、特開
平７−72407号公報や特開平７−228000号公報等に示さ
れたように、複数のレ−ザ発光源から出射するレ−ザビ
−ムにより感光体表面を同時に走査して情報を書き込む
マルチビ−ム走査装置が提案されている。このマルチビ
−ム走査装置は隣接ラインを同時に走査しているため、
記録密度を変更するときに走査線ピッチを変更する必要
がある。また、走査線ピッチのずれは濃度ムラとなり画
像品質を劣化させる原因になるので、高品位な記録を行
うには径時的に走査線ピッチを補正する必要がある。こ
のため記録密度変換やピッチ補正を精度良く行うには記
録面上での走査線ピッチを検出してフィ−ドバックし走
査線ピッチを可変することが不可欠である。このような
走査線ピッチの検出には一般にＣＣＤ等のリニアセンサ
が用いられるが、ＣＣＤ等のリニアセンサはコストが高
く、かつ走査線ピッチに対しビ−ムスポットが十分小さ
くないと各ビ−ムの重なりにより正確に走査線ピッチの
検出ができなくなる。そこで例えば特開平７−228000号
公報に示されているように、光ビ−ム検知領域の主走査
始端側のエッジが相互に非並行な２つのフォトセンサを
主走査方向に沿って配置し、主走査方向に移動する各レ
−ザビ−ムが２つのフォトセンサで検出される時間差に
より副走査方向の走査線ピッチを検出したりしている。
この検出した副走査方向の走査線ピッチがあらかじめ定
められた基準値になるように複数のレ−ザ発光源を有す
る光源部の光軸回りを回転して走査線ピッチを調節して
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように主走査時
間差から走査線ピッチを算出する方法においては、ビ−
ム毎に個別に走査位置の検出を行うことから走査毎のバ
ラツキ、例えば走査始端を傾斜させていることに伴いビ
−ム形状やビ−ム強度分布の差によりフォトセンサの応
答特性が変化する等を考慮すると微小な時間差を検出す
るにはビ−ム毎に複数回計測して平均化する等の措置が
必要になり、走査線ピッチの算出に多くの時間を要する
とともに高分解能なカウンタを用いる必要がある。
間差から走査線ピッチを算出する方法においては、ビ−
ム毎に個別に走査位置の検出を行うことから走査毎のバ
ラツキ、例えば走査始端を傾斜させていることに伴いビ
−ム形状やビ−ム強度分布の差によりフォトセンサの応
答特性が変化する等を考慮すると微小な時間差を検出す
るにはビ−ム毎に複数回計測して平均化する等の措置が
必要になり、走査線ピッチの算出に多くの時間を要する
とともに高分解能なカウンタを用いる必要がある。
【０００４】この発明はかかる短所を改善するためにな
されたものであり、簡単でかつ安価な構成でビ−ム走査
位置を高精度に検出し、走査線ピッチを正確に調整し
て、常に高品位な画像出力を得ることができるマルチビ
−ム走査装置を得ることを目的とするものである。
されたものであり、簡単でかつ安価な構成でビ−ム走査
位置を高精度に検出し、走査線ピッチを正確に調整し
て、常に高品位な画像出力を得ることができるマルチビ
−ム走査装置を得ることを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマルチビ
−ム走査装置は、主走査方向に配置された複数のフォト
センサを有するセンサアレイと、先端部が主走査方向に
対して一定角度傾けて配置され、センサアレイの一部を
覆う遮光マスクとを有するビ−ム検知手段を走査開始側
の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検知手段
を通るときに、遮光マスクで覆われないフォトセンサが
出力するビ−ム検出信号のパルス幅（ｔ0）と、各レ−
ザビ−ムがフォトセンサを通過する際の検出時間差（Ｔ
0）と、各レ−ザビ−ムにより遮光マスクの先端エッジ
があるフォトセンサが出力するビ−ム検出信号のパルス
幅（Δｔ1，Δｔ2）とから複数のレ−ザビ−ムの副走査
方向のピッチを演算することを特徴とする。
−ム走査装置は、主走査方向に配置された複数のフォト
センサを有するセンサアレイと、先端部が主走査方向に
対して一定角度傾けて配置され、センサアレイの一部を
覆う遮光マスクとを有するビ−ム検知手段を走査開始側
の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検知手段
を通るときに、遮光マスクで覆われないフォトセンサが
出力するビ−ム検出信号のパルス幅（ｔ0）と、各レ−
ザビ−ムがフォトセンサを通過する際の検出時間差（Ｔ
0）と、各レ−ザビ−ムにより遮光マスクの先端エッジ
があるフォトセンサが出力するビ−ム検出信号のパルス
幅（Δｔ1，Δｔ2）とから複数のレ−ザビ−ムの副走査
方向のピッチを演算することを特徴とする。
【０００６】この発明に係る第２のマルチビ−ム走査装
置は、主走査方向に配置された複数のフォトセンサを有
するセンサアレイと、先端部が主走査方向に対して一定
角度傾けて配置され、センサアレイの一部を覆う遮光マ
スクとを有するビ−ム検知手段を走査開始側の非書込位
置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検知手段を通るとき
に、最先端のフォトセンサから遮光マスクの先端エッジ
があるフォトセンサまでのビ−ム検出信号の和と、各レ
−ザビ−ムがフォトセンサを通過する際の検出時間差と
から複数のレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算す
ることを特徴とする。
置は、主走査方向に配置された複数のフォトセンサを有
するセンサアレイと、先端部が主走査方向に対して一定
角度傾けて配置され、センサアレイの一部を覆う遮光マ
スクとを有するビ−ム検知手段を走査開始側の非書込位
置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検知手段を通るとき
に、最先端のフォトセンサから遮光マスクの先端エッジ
があるフォトセンサまでのビ−ム検出信号の和と、各レ
−ザビ−ムがフォトセンサを通過する際の検出時間差と
から複数のレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算す
ることを特徴とする。
【０００７】上記複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の間
隔ＰSをセンサアレイのフォトセンサの配列ピッチＰ0よ
り大きくし、複数のレ−ザビ−ムと遮光マスクの先端エ
ッジとの交差位置が互いに隣接するフォトセンサの位置
になるように遮光マスクを配置することが望ましい。
隔ＰSをセンサアレイのフォトセンサの配列ピッチＰ0よ
り大きくし、複数のレ−ザビ−ムと遮光マスクの先端エ
ッジとの交差位置が互いに隣接するフォトセンサの位置
になるように遮光マスクを配置することが望ましい。
【０００８】また、上記遮光マスクの主走査方向に対す
る傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の間
隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(ＰS
／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置すると良い。
る傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の間
隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(ＰS
／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置すると良い。
【０００９】また、この発明に係る他のマルチビ−ム走
査装置は、主走査方向に配置された複数のフォトセンサ
を有し、隣接したフォトセンサの境界の少なくとも１個
所が主走査方向に対して一定角度傾けられ、主走査方向
に対して一定角度傾けられた境界の走査始端側に主走査
方向に対して直交した境界を有するビ−ム検知手段を走
査開始側の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムが直交し
た境界から傾けた境界を通るまでの時間間隔から複数の
レ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算することを特
徴とする。
査装置は、主走査方向に配置された複数のフォトセンサ
を有し、隣接したフォトセンサの境界の少なくとも１個
所が主走査方向に対して一定角度傾けられ、主走査方向
に対して一定角度傾けられた境界の走査始端側に主走査
方向に対して直交した境界を有するビ−ム検知手段を走
査開始側の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムが直交し
た境界から傾けた境界を通るまでの時間間隔から複数の
レ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算することを特
徴とする。
【００１０】上記直交した境界を各レ−ザビ−ムが通る
ときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスを記録
画素密度に応じた一定数Ｓｎだけ分周して、一定数Ｓｎ
個のクロックパルスにより１個の基準パルスを発生し、
発生した基準パルスのパルス幅と各レ−ザビ−ムが直交
した境界から傾けた境界を通るときに発生するパルス信
号のパルス幅及び一定数Ｓｎにより各レ−ザビ−ムが直
交した境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算
し、演算した各レ−ザビ−ムの時間間隔から複数のレ−
ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算すると良い。
ときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスを記録
画素密度に応じた一定数Ｓｎだけ分周して、一定数Ｓｎ
個のクロックパルスにより１個の基準パルスを発生し、
発生した基準パルスのパルス幅と各レ−ザビ−ムが直交
した境界から傾けた境界を通るときに発生するパルス信
号のパルス幅及び一定数Ｓｎにより各レ−ザビ−ムが直
交した境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算
し、演算した各レ−ザビ−ムの時間間隔から複数のレ−
ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算すると良い。
【００１１】さらに、上記センサアレイの特定のフォト
センサが出力する各レ−ザビ−ムのビ−ム検出信号によ
り画像記録開始のタイミングをとると良い。
センサが出力する各レ−ザビ−ムのビ−ム検出信号によ
り画像記録開始のタイミングをとると良い。
【００１２】
【発明の実施の形態】この発明においては、複数の半導
体レ−ザ素子から出射し、走査光学系を介して送られた
レ−ザビ−ムを検出し書込開始位置を定めるため、走査
始端側の非書込位置に設けたビ−ム検出手段をセンサア
レイと遮光マスクで構成する。センサアレイは複数のフ
ォトセンサが主走査方向に沿って配置され、遮光マスク
は先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ傾
けて配置され、複数のフォトセンサの開口を走査開始側
より徐々に狭めるように覆っている。
体レ−ザ素子から出射し、走査光学系を介して送られた
レ−ザビ−ムを検出し書込開始位置を定めるため、走査
始端側の非書込位置に設けたビ−ム検出手段をセンサア
レイと遮光マスクで構成する。センサアレイは複数のフ
ォトセンサが主走査方向に沿って配置され、遮光マスク
は先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ傾
けて配置され、複数のフォトセンサの開口を走査開始側
より徐々に狭めるように覆っている。
【００１３】ビ−ム検出手段のセンサアレイ上を副走査
方向に対して隣接する２つのレ−ザビ−ムが走査される
と、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光マスクの先端エッ
ジが横切っていないフォトセンサからはレ−ザビ−ムの
スポット径に応じた一定幅ｔ0のパルス信号をビ−ム検
出信号として出力し、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光
マスクの先端エッジが横切っているフォトセンサからは
遮光マスクによりレ−ザビ−ムの一部がけられてパルス
幅Δｔ1，Δｔ2と変化したパルス信号がビ−ム検出信号
として出力される。この変化したパルス幅Δｔ1，Δｔ2
のパルス信号の立ち下がりを検出することにより、副走
査方向に対して隣接する２つのレ−ザビ−ムが遮光マス
クの先端エッジと交叉する位置を一意的に定めることが
できる。そして隣接する２つのレ−ザビ−ムと遮光マス
クの先端エッジの交叉する位置を互いに隣接するフォト
センサで検出するように遮光マスクの先端エッジの傾斜
角θを定めておくと、各レ−ザビ−ムが副走査方向の上
方にずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサより後
側のフォトセンサにずれ、各レ−ザビ−ムが副走査方向
の下方にずれれば交叉位置は基準位置のフォトセンサよ
り前側のフォトセンサにずれる。そこで、遮光マスクで
けられてパルス幅が変化したパルス信号をビ−ム検出信
号として出力するフォトセンサを検出することによりビ
−ム走査位置の副走査方向に対する変動を検出すること
ができる。
方向に対して隣接する２つのレ−ザビ−ムが走査される
と、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光マスクの先端エッ
ジが横切っていないフォトセンサからはレ−ザビ−ムの
スポット径に応じた一定幅ｔ0のパルス信号をビ−ム検
出信号として出力し、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光
マスクの先端エッジが横切っているフォトセンサからは
遮光マスクによりレ−ザビ−ムの一部がけられてパルス
幅Δｔ1，Δｔ2と変化したパルス信号がビ−ム検出信号
として出力される。この変化したパルス幅Δｔ1，Δｔ2
のパルス信号の立ち下がりを検出することにより、副走
査方向に対して隣接する２つのレ−ザビ−ムが遮光マス
クの先端エッジと交叉する位置を一意的に定めることが
できる。そして隣接する２つのレ−ザビ−ムと遮光マス
クの先端エッジの交叉する位置を互いに隣接するフォト
センサで検出するように遮光マスクの先端エッジの傾斜
角θを定めておくと、各レ−ザビ−ムが副走査方向の上
方にずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサより後
側のフォトセンサにずれ、各レ−ザビ−ムが副走査方向
の下方にずれれば交叉位置は基準位置のフォトセンサよ
り前側のフォトセンサにずれる。そこで、遮光マスクで
けられてパルス幅が変化したパルス信号をビ−ム検出信
号として出力するフォトセンサを検出することによりビ
−ム走査位置の副走査方向に対する変動を検出すること
ができる。
【００１４】また、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光マ
スクの先端エッジが横切っていないフォトセンサから出
力されたビ−ム検出信号の立上りを基準にして画像記録
開始のタイミングをとって、画像記録開始位置の精度を
高める。
スクの先端エッジが横切っていないフォトセンサから出
力されたビ−ム検出信号の立上りを基準にして画像記録
開始のタイミングをとって、画像記録開始位置の精度を
高める。
【００１５】また、遮光マスクでけられないフォトセン
サから時系列で出力するパルス信号のパルス幅ｔ0と検
出時間差Ｔ0と遮光マスクでけられてパルス幅が変化し
たパルス信号のパルス幅Δｔ1，Δｔ2を検出することに
より、隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッ
チ幅（時間差）Ｔを、Ｔ＝(Ｔ0−ｔ0)＋Δｔ−Δｔ2で
演算する。
サから時系列で出力するパルス信号のパルス幅ｔ0と検
出時間差Ｔ0と遮光マスクでけられてパルス幅が変化し
たパルス信号のパルス幅Δｔ1，Δｔ2を検出することに
より、隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッ
チ幅（時間差）Ｔを、Ｔ＝(Ｔ0−ｔ0)＋Δｔ−Δｔ2で
演算する。
【００１６】この隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査
方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するときに、各レ−
ザビ−ムがビ−ム検知手段を通るときに、最先端のフォ
トセンサから遮光マスクの先端エッジがあるフォトセン
サまでのビ−ム検出信号の和と、各レ−ザビ−ムにより
フォトセンサが出力するビ−ム検出信号のピッチ間隔と
から、簡単にレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチ幅（時
間差）Ｔを演算することもできる。
方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するときに、各レ−
ザビ−ムがビ−ム検知手段を通るときに、最先端のフォ
トセンサから遮光マスクの先端エッジがあるフォトセン
サまでのビ−ム検出信号の和と、各レ−ザビ−ムにより
フォトセンサが出力するビ−ム検出信号のピッチ間隔と
から、簡単にレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチ幅（時
間差）Ｔを演算することもできる。
【００１７】さらに、上記遮光マスクの主走査方向に対
する傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の
間隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(Ｐ
S／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置することによ
り、パルス幅が変化したパルス信号のパルス幅Δｔ1，
Δｔ2を同じにすることができ、簡単な演算でレ−ザビ
−ムの副走査方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するこ
とができる。
する傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の
間隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(Ｐ
S／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置することによ
り、パルス幅が変化したパルス信号のパルス幅Δｔ1，
Δｔ2を同じにすることができ、簡単な演算でレ−ザビ
−ムの副走査方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するこ
とができる。
【００１８】また、主走査方向に配置された複数のフォ
トセンサ、例えば３個のフォトセンサを配置し、第２の
フォトセンサと第３のフォトセンサの境界を主走査方向
に対して一定角度傾け、第１のフォトセンサと第２のフ
ォトセンサの境界を主走査方向に対して直交させてお
き、各レ−ザビ−ムが主走査方向に対して直交させた境
界から主走査方向に対して一定角度傾けた境界を通る時
間間隔を検出し、各レ−ザビ−ムの時間間隔からレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチ幅を演算することにより、
副走査方向のピッチを正確に得ることができる。
トセンサ、例えば３個のフォトセンサを配置し、第２の
フォトセンサと第３のフォトセンサの境界を主走査方向
に対して一定角度傾け、第１のフォトセンサと第２のフ
ォトセンサの境界を主走査方向に対して直交させてお
き、各レ−ザビ−ムが主走査方向に対して直交させた境
界から主走査方向に対して一定角度傾けた境界を通る時
間間隔を検出し、各レ−ザビ−ムの時間間隔からレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチ幅を演算することにより、
副走査方向のピッチを正確に得ることができる。
【００１９】この時間間隔を検出するときに、直交した
境界を各レ−ザビ−ムが通るときのビ−ム検出信号に同
期したクロックパルスを記録画素密度に応じた一定数Ｓ
ｎだけ分周して、一定数Ｓｎ個のクロックパルスにより
１個の基準パルスを発生し、発生した基準パルスのパル
ス幅と各レ−ザビ−ムが直交した境界から傾けた境界を
通るときに発生するパルス信号のパルス幅及び一定数Ｓ
ｎにより、簡単かつ高精度に各レ−ザビ−ムが直交した
境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算するこ
とができる。また、各レ−ザビ−ムが直交した境界を通
るときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスによ
り画像記録開始のタイミングをとる。
境界を各レ−ザビ−ムが通るときのビ−ム検出信号に同
期したクロックパルスを記録画素密度に応じた一定数Ｓ
ｎだけ分周して、一定数Ｓｎ個のクロックパルスにより
１個の基準パルスを発生し、発生した基準パルスのパル
ス幅と各レ−ザビ−ムが直交した境界から傾けた境界を
通るときに発生するパルス信号のパルス幅及び一定数Ｓ
ｎにより、簡単かつ高精度に各レ−ザビ−ムが直交した
境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算するこ
とができる。また、各レ−ザビ−ムが直交した境界を通
るときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスによ
り画像記録開始のタイミングをとる。
【００２０】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の走査光学系を示
す配置図である。図に示すように、マルチビ−ム走査装
置の走査光学系は、２個の半導体レ−ザ素子（以下、Ｌ
Ｄという）１０，１１を有するレ−ザ発光源１からそれ
ぞれ出射しコリメ−タレンズ１２，１３を通ったレ−ザ
ビ−ムはビ−ム合成プリズム１９で合成され、シリンダ
レンズ２からポリゴンミラ−３に照射される。ポリゴン
ミラ−３はポリゴンモ−タにより高速回転して、入射し
たレ−ザビ−ムを反射し、ポリゴンミラ−３で反射した
レ−ザビ−ムはｆθレンズ４とトロイダルレンズ５を通
り、反射ミラ−６で反射して転写記録部の感光体８表面
を繰返し走査して、感光体８表面に画像情報を書き込
む。この感光体８を走査するときに、ＬＤ１０，１１か
ら出射したレ−ザビ−ムを副走査方向に１走査線ピッチ
だけずらして、隣接する２ラインを同時に書き込む。ま
た、ＬＤ１０，１１から出射したレ−ザビ−ムは走査始
端側の非書込位置に設けたビ−ム検出部７にも入射す
る。
す配置図である。図に示すように、マルチビ−ム走査装
置の走査光学系は、２個の半導体レ−ザ素子（以下、Ｌ
Ｄという）１０，１１を有するレ−ザ発光源１からそれ
ぞれ出射しコリメ−タレンズ１２，１３を通ったレ−ザ
ビ−ムはビ−ム合成プリズム１９で合成され、シリンダ
レンズ２からポリゴンミラ−３に照射される。ポリゴン
ミラ−３はポリゴンモ−タにより高速回転して、入射し
たレ−ザビ−ムを反射し、ポリゴンミラ−３で反射した
レ−ザビ−ムはｆθレンズ４とトロイダルレンズ５を通
り、反射ミラ−６で反射して転写記録部の感光体８表面
を繰返し走査して、感光体８表面に画像情報を書き込
む。この感光体８を走査するときに、ＬＤ１０，１１か
ら出射したレ−ザビ−ムを副走査方向に１走査線ピッチ
だけずらして、隣接する２ラインを同時に書き込む。ま
た、ＬＤ１０，１１から出射したレ−ザビ−ムは走査始
端側の非書込位置に設けたビ−ム検出部７にも入射す
る。
【００２１】ビ−ム検出部７は、図２に示すように、セ
ンサアレイ７１と遮光マスク７２とを有する。センサア
レイ７１は複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎが主走査
方向に沿って配置され、遮光マスク７２は先端エッジ部
が主走査方向に対して一定角度θだけ傾けて配置され、
フォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口を走査開始側より徐
々に狭めるように覆っている。センサアレイ７１を構成
するフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎは、それぞれ主走査方
向の大きさが例えば0.15ｍｍ、副走査方向の大きさが0.
8ｍｍに形成され、0.2ｍｍ間隔で12個配列され、約80μ
ｍのスポット径のレ−ザビ−ムの光量が100％入射され
たときに、副走査方向の走査位置に変動があっても入射
したレ−ザビ−ムのスポット径が外れないようになって
いる。この場合、遮光マスク７２の先端エッジ部の傾斜
角θは約17.9度にしてある。
ンサアレイ７１と遮光マスク７２とを有する。センサア
レイ７１は複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎが主走査
方向に沿って配置され、遮光マスク７２は先端エッジ部
が主走査方向に対して一定角度θだけ傾けて配置され、
フォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口を走査開始側より徐
々に狭めるように覆っている。センサアレイ７１を構成
するフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎは、それぞれ主走査方
向の大きさが例えば0.15ｍｍ、副走査方向の大きさが0.
8ｍｍに形成され、0.2ｍｍ間隔で12個配列され、約80μ
ｍのスポット径のレ−ザビ−ムの光量が100％入射され
たときに、副走査方向の走査位置に変動があっても入射
したレ−ザビ−ムのスポット径が外れないようになって
いる。この場合、遮光マスク７２の先端エッジ部の傾斜
角θは約17.9度にしてある。
【００２２】ビ−ム検出部７からのビ−ム検出信号によ
り副走査方向の走査線ピッチを検出して制御する制御部
には、図３のブロック図に示すように、基準クロック信
号を発生する基準クロック発生部２１と位相同期部２２
とパルス幅検出部２３と副走査ピッチ演算部２４と副走
査ピッチ制御部２５と半導体レ−ザ制御部２６を有す
る。位相同期部２２は走査始端側にあるフォトセンサＰ
Ｄ１からのビ−ム検出信号に同期したクロック信号を出
力する。パルス幅検出部２３は、図２と図４の波形図に
示すように、各レ−ザビ−ムのスポット１４ａ，１５ａ
がビ−ム検出部７を通るときに、遮光マスク７２で覆わ
れないフォトセンサＰＤ１が出力するビ−ム検出信号の
パルス幅ｔ0と、各スポット１４ａ，１５ａによりフォ
トセンサＰＤ１が出力するビ−ム検出信号のピッチ間隔
Ｔ0と、各スポット１４ａ，１５ａにより遮光マスク７
２の先端エッジがあるフォトセンサＰＤ２，ＰＤ３が出
力するビ−ム検出信号のバルス幅Δｔ1，Δｔ2とを検出
する。ピッチ演算部２４はパルス幅検出部２３で検出し
たパルス幅ｔ0とビ−ム検出信号のピッチ間隔Ｔ0及び遮
光マスク７２の先端エッジがあるフォトセンサＰＤ２，
ＰＤ３が出力するビ−ム検出信号のバルス幅Δｔ1，Δ
ｔ2からからレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチＰSを演
算する。副走査ピッチ制御部２５はピッチ演算部２４で
演算した副走査方向のピッチＰSが画素密度に応じた基
準走査ピッチになるように副走査ピッチ可変モ−タ２７
を制御する。半導体レ−ザ制御部２６は位相同期部２２
で発生するクロック信号により画像記録タイミングを制
御する。
り副走査方向の走査線ピッチを検出して制御する制御部
には、図３のブロック図に示すように、基準クロック信
号を発生する基準クロック発生部２１と位相同期部２２
とパルス幅検出部２３と副走査ピッチ演算部２４と副走
査ピッチ制御部２５と半導体レ−ザ制御部２６を有す
る。位相同期部２２は走査始端側にあるフォトセンサＰ
Ｄ１からのビ−ム検出信号に同期したクロック信号を出
力する。パルス幅検出部２３は、図２と図４の波形図に
示すように、各レ−ザビ−ムのスポット１４ａ，１５ａ
がビ−ム検出部７を通るときに、遮光マスク７２で覆わ
れないフォトセンサＰＤ１が出力するビ−ム検出信号の
パルス幅ｔ0と、各スポット１４ａ，１５ａによりフォ
トセンサＰＤ１が出力するビ−ム検出信号のピッチ間隔
Ｔ0と、各スポット１４ａ，１５ａにより遮光マスク７
２の先端エッジがあるフォトセンサＰＤ２，ＰＤ３が出
力するビ−ム検出信号のバルス幅Δｔ1，Δｔ2とを検出
する。ピッチ演算部２４はパルス幅検出部２３で検出し
たパルス幅ｔ0とビ−ム検出信号のピッチ間隔Ｔ0及び遮
光マスク７２の先端エッジがあるフォトセンサＰＤ２，
ＰＤ３が出力するビ−ム検出信号のバルス幅Δｔ1，Δ
ｔ2からからレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチＰSを演
算する。副走査ピッチ制御部２５はピッチ演算部２４で
演算した副走査方向のピッチＰSが画素密度に応じた基
準走査ピッチになるように副走査ピッチ可変モ−タ２７
を制御する。半導体レ−ザ制御部２６は位相同期部２２
で発生するクロック信号により画像記録タイミングを制
御する。
【００２３】上記のように構成されたマルチビ−ム走査
装置でレ−ザビ−ムの副走査方向の走査ピッチを検出し
て可変制御するときの動作を説明するにあたり、まずＬ
Ｄ１０，１１から出射したレ−ザビ−ムを副走査方向に
１走査線ピッチだけずらすときの合成処理を図５の分解
斜視図を参照して説明する。図５に示すように、ＬＤ１
０，１１は同一平面上に配列され、ｐ−ｎ接合面に垂直
な方向を同軸Ｘ0，Ｘ1にしている。このＬＤ１０，１１
から出射されたレ−ザビ−ムはコリメ−タレンズ１２、
１３により各々平行光束に変換されアパ−チャ１６、１
７により所定の光束径に整形される。これらのレ−ザビ
−ムのうちＬＤ１１から出射されたレ−ザビ−ム１５は
１／２波長板１８により偏光面を90度回転させてビ−ム
合成プリズム１９に入射される。このレ−ザビ−ム１５
はビ−ム合成プリズム１９の斜面１９ａで内面反射し、
さらに偏光ビ−ムスプリッタ面１９ｂで反射して、ＬＤ
１０から出射された基準となるレ−ザビ−ム１４の光軸
近傍に合成される。このときＬＤ１１とコリメ−トレン
ズ１３とを僅かに偏心させて、レ−ザビ−ム１５をレ−
ザビ−ム１４より主走査方向に所定角度αだけ隔てて出
射するようにし、図２に示すように、記録面上における
レ−ザビ−ム１４のスポット１４ａとレ−ザビ−ム１５
のスポット１５ａを主走査方向に間隔を隔てている。そ
してＬＤ１０とＬＤ１１を光軸回りに回転することによ
り、副走査方向のピッチを調節するようにしている。
装置でレ−ザビ−ムの副走査方向の走査ピッチを検出し
て可変制御するときの動作を説明するにあたり、まずＬ
Ｄ１０，１１から出射したレ−ザビ−ムを副走査方向に
１走査線ピッチだけずらすときの合成処理を図５の分解
斜視図を参照して説明する。図５に示すように、ＬＤ１
０，１１は同一平面上に配列され、ｐ−ｎ接合面に垂直
な方向を同軸Ｘ0，Ｘ1にしている。このＬＤ１０，１１
から出射されたレ−ザビ−ムはコリメ−タレンズ１２、
１３により各々平行光束に変換されアパ−チャ１６、１
７により所定の光束径に整形される。これらのレ−ザビ
−ムのうちＬＤ１１から出射されたレ−ザビ−ム１５は
１／２波長板１８により偏光面を90度回転させてビ−ム
合成プリズム１９に入射される。このレ−ザビ−ム１５
はビ−ム合成プリズム１９の斜面１９ａで内面反射し、
さらに偏光ビ−ムスプリッタ面１９ｂで反射して、ＬＤ
１０から出射された基準となるレ−ザビ−ム１４の光軸
近傍に合成される。このときＬＤ１１とコリメ−トレン
ズ１３とを僅かに偏心させて、レ−ザビ−ム１５をレ−
ザビ−ム１４より主走査方向に所定角度αだけ隔てて出
射するようにし、図２に示すように、記録面上における
レ−ザビ−ム１４のスポット１４ａとレ−ザビ−ム１５
のスポット１５ａを主走査方向に間隔を隔てている。そ
してＬＤ１０とＬＤ１１を光軸回りに回転することによ
り、副走査方向のピッチを調節するようにしている。
【００２４】すなわち、レ−ザ発光源１のＬＤ１０，１
１は、図６に示すように、各々支持体３１，３２に固定
され、基体３３の裏面にコリメ−トレンズ１２，１３と
の光軸を一致させて取り付けられている。コリメ−トレ
ンズ１２，１３は鏡筒に納められ、基体３３の嵌合穴３
３ａ，３３ｂに各々ＬＤ１０，１１との位置を合わせて
取り付けられている。この基体３３は各レ−ザビ−ム１
４，１５の整形用スリットが一体的に形成されたアパ−
チャ１６，１７及びビ−ム合成プリズム１９を裏面より
収容して支持したフランジ部３４と一体化されてレ−ザ
発光源１を構成している。副走査ピッチ可変モ−タ２７
はそのシャフトに圧入され、外周に雄ねじを形成した円
筒部材３５をアクチュエ−タ３６に形成した雌ねじに螺
合し、副走査ピッチ可変モ−タ２７の回転によりアクチ
ュエ−タ３６を矢視方向に平行移動してフランジ部３４
のレバ−３４ａに当り、レ−ザ発光源１を円筒上の突起
３４ｂの外周を基準として回転させる。このようにして
副走査方向のピッチを調節するようにしている。なお、
基板３７にはＬＤ１０とＬＤ１１の駆動回路部を有す
る。
１は、図６に示すように、各々支持体３１，３２に固定
され、基体３３の裏面にコリメ−トレンズ１２，１３と
の光軸を一致させて取り付けられている。コリメ−トレ
ンズ１２，１３は鏡筒に納められ、基体３３の嵌合穴３
３ａ，３３ｂに各々ＬＤ１０，１１との位置を合わせて
取り付けられている。この基体３３は各レ−ザビ−ム１
４，１５の整形用スリットが一体的に形成されたアパ−
チャ１６，１７及びビ−ム合成プリズム１９を裏面より
収容して支持したフランジ部３４と一体化されてレ−ザ
発光源１を構成している。副走査ピッチ可変モ−タ２７
はそのシャフトに圧入され、外周に雄ねじを形成した円
筒部材３５をアクチュエ−タ３６に形成した雌ねじに螺
合し、副走査ピッチ可変モ−タ２７の回転によりアクチ
ュエ−タ３６を矢視方向に平行移動してフランジ部３４
のレバ−３４ａに当り、レ−ザ発光源１を円筒上の突起
３４ｂの外周を基準として回転させる。このようにして
副走査方向のピッチを調節するようにしている。なお、
基板３７にはＬＤ１０とＬＤ１１の駆動回路部を有す
る。
【００２５】次にレ−ザビ−ム１４，１５の副走査方向
のピッチを検出するときの動作を図２と図４の波形図を
参照して説明する。
のピッチを検出するときの動作を図２と図４の波形図を
参照して説明する。
【００２６】ビ−ム検出部７のセンサアレイ７１を構成
するフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口は遮光マスク７
２で走査開始側より徐々に狭められているから、センサ
アレイ７１上をレ−ザビ−ム１４，１５が走査される
と、レ−ザビ−ム１４の走査線上に遮光マスク７２の先
端エッジが横切っていないフォトセンサＰＤ１，ＰＤ２
からは図４に示すように、レ−ザビ−ム１４，１５のス
ポット径１４ａに応じた一定幅ｔ0のパルス信号１４ｂ
をビ−ム検出信号として出力する。また、レ−ザビ−ム
１５の走査線上に遮光マスク７２の先端エッジが横切っ
ていないフォトセンサＰＤ１からは、レ−ザビ−ム１５
のスポット径１５ａに応じた一定幅ｔ0のパルス信号１
５ｂをビ−ム検出信号として出力し、レ−ザビ−ム１５
の走査線上に遮光マスク７２の先端エッジが横切ってい
るフォトセンサＰＤ２からは遮光マスク７２によりレ−
ザビ−ム１５の一部がけられてパルス幅がΔｔ1と変化
したパルス信号１５ｃをビ−ム検出信号として出力す
る。また、レ−ザビ−ム１４が走査線上に遮光マスク７
２の先端エッジが横切っているフォトセンサＰＤ３を通
るときも、レ−ザビ−ム１４の一部がけられてパルス幅
がΔｔ2と変化したパルス信号１４ｃをビ−ム検出信号
として出力する。このようにしてパルス幅Δｔ2のパル
ス信号１４ｃとパルス幅Δｔ1のパルス信号１５ｃの立
ち下がりを検出することにより、レ−ザビ−ム１４，１
５が遮光マスク７２の先端エッジと交叉する位置を一意
的に定めることができる。このレ−ザビ−ム１４，１５
と遮光マスク７２の先端エッジの交叉する位置が、図２
に示すように、互いに隣接するフォトセンサで検出する
ように遮光マスク７２の先端エッジの傾斜角θを定めて
おくと、レ−ザビ−ム１４，１５が副走査方向の上方に
ずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサＰＤ２，Ｐ
Ｄ３より後側のフォトセンサＰＤ３，ＰＤ４にずれ、レ
−ザビ−ム１４，１５が副走査方向の下方にずれれば交
叉位置は基準位置のフォトセンサＰＤ２，ＰＤ３より前
側のフォトセンサＰＤ１，ＰＤ２にずれる。したがっ
て、遮光マスク７２でけられてパルス幅が変化したパル
ス信号１４ｃ，１５ｃをビ−ム検出信号として出力する
フォトセンサを検出することによりビ−ム走査位置の副
走査方向に対する変動を検出することができる。
するフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの開口は遮光マスク７
２で走査開始側より徐々に狭められているから、センサ
アレイ７１上をレ−ザビ−ム１４，１５が走査される
と、レ−ザビ−ム１４の走査線上に遮光マスク７２の先
端エッジが横切っていないフォトセンサＰＤ１，ＰＤ２
からは図４に示すように、レ−ザビ−ム１４，１５のス
ポット径１４ａに応じた一定幅ｔ0のパルス信号１４ｂ
をビ−ム検出信号として出力する。また、レ−ザビ−ム
１５の走査線上に遮光マスク７２の先端エッジが横切っ
ていないフォトセンサＰＤ１からは、レ−ザビ−ム１５
のスポット径１５ａに応じた一定幅ｔ0のパルス信号１
５ｂをビ−ム検出信号として出力し、レ−ザビ−ム１５
の走査線上に遮光マスク７２の先端エッジが横切ってい
るフォトセンサＰＤ２からは遮光マスク７２によりレ−
ザビ−ム１５の一部がけられてパルス幅がΔｔ1と変化
したパルス信号１５ｃをビ−ム検出信号として出力す
る。また、レ−ザビ−ム１４が走査線上に遮光マスク７
２の先端エッジが横切っているフォトセンサＰＤ３を通
るときも、レ−ザビ−ム１４の一部がけられてパルス幅
がΔｔ2と変化したパルス信号１４ｃをビ−ム検出信号
として出力する。このようにしてパルス幅Δｔ2のパル
ス信号１４ｃとパルス幅Δｔ1のパルス信号１５ｃの立
ち下がりを検出することにより、レ−ザビ−ム１４，１
５が遮光マスク７２の先端エッジと交叉する位置を一意
的に定めることができる。このレ−ザビ−ム１４，１５
と遮光マスク７２の先端エッジの交叉する位置が、図２
に示すように、互いに隣接するフォトセンサで検出する
ように遮光マスク７２の先端エッジの傾斜角θを定めて
おくと、レ−ザビ−ム１４，１５が副走査方向の上方に
ずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサＰＤ２，Ｐ
Ｄ３より後側のフォトセンサＰＤ３，ＰＤ４にずれ、レ
−ザビ−ム１４，１５が副走査方向の下方にずれれば交
叉位置は基準位置のフォトセンサＰＤ２，ＰＤ３より前
側のフォトセンサＰＤ１，ＰＤ２にずれる。したがっ
て、遮光マスク７２でけられてパルス幅が変化したパル
ス信号１４ｃ，１５ｃをビ−ム検出信号として出力する
フォトセンサを検出することによりビ−ム走査位置の副
走査方向に対する変動を検出することができる。
【００２７】また、図４に示すように、フォトセンサＰ
Ｄ１とレ−ザビ−ム１４，１５が遮光マスク７２の先端
エッジと交叉するＰＤ２，ＰＤ３とから時系列で出力す
るパルス信号１４ｂ，１５ｂのパルス幅ｔ0とピッチ幅
（時間差）Ｔ0とパルス幅が変化したパルス信号１４
ｃ，１５ｃのパルス幅Δｔ1，Δｔ2を検出することによ
り、レ−ザビ−ム１４，１５の副走査方向のピッチ幅
（時間差）Ｔを、Ｔ＝(Ｔ0−ｔ0)＋Δｔ−Δｔ2で演算
することができる。そこで走査始端側にあるフォトセン
サＰＤ１からレ−ザビ−ム１４によるパルス信号１４ｂ
を出力すると、位相同期部２２は出力されたパルス信号
１４ｂの位相に同期したクロック信号をパルス幅検出部
２３と半導体レ−ザ制御部２６に出力する。またフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３から時系列で検出される
レ−ザビ−ム１４によるパルス信号１４ｂ，１４ｃもパ
ルス幅検出部２３に出力される。パルス幅検出部２３は
パルス信号１４ｂ，１４ｃが送られると位相同期部２２
から送られているクロック信号によりパルス信号１４
ｂ，１４ｃのパルス幅ｔ0，Δｔ2を時間として検出す
る。またフォトセンサＰＤ１からレ−ザビ−ム１５によ
るパルス信号１５ｂを出力すると、位相同期部２２は出
力されたパルス信号１５ｂの位相に同期したクロック信
号もパルス幅検出部２３と半導体レ−ザ制御部２６に出
力する。パルス幅検出部２３はパルス信号１５ｂが送ら
れると、パルス信号１４ｂによるクロック信号によりパ
ルス信号１４ｂとパルス信号１５ｂのピッチ幅Ｔ0を検
出する。また、パルス幅検出部２３はフォトセンサＰＤ
２からパルス信号１５ｃが送られると、パルス信号１５
ｂによるクロック信号によりパルス信号１５ｃのパルス
幅Δｔ1を検出する。副走査ピッチ演算部２４はパルス
幅検出部２３で検出したパルス幅ｔ0とピッチ間隔Ｔ0と
パルス幅Δｔ1，Δｔ2からからレ−ザビ−ム１４，１５
の副走査方向のピッチＰSを演算して副走査ピッチ制御
部２５に送る。副走査ピッチ制御部２５は送られた副走
査方向のピッチＰSが画素密度に応じた基準走査ピッチ
になるように副走査ピッチ可変モ−タ２７を制御する。
また、半導体レ−ザ制御部２６は位相同期部２２で発生
するパルス信号１４ｂとパルス信号１５ｂによるクロッ
ク信号によりレ−ザ発光源１の画像記録タイミングを制
御する。
Ｄ１とレ−ザビ−ム１４，１５が遮光マスク７２の先端
エッジと交叉するＰＤ２，ＰＤ３とから時系列で出力す
るパルス信号１４ｂ，１５ｂのパルス幅ｔ0とピッチ幅
（時間差）Ｔ0とパルス幅が変化したパルス信号１４
ｃ，１５ｃのパルス幅Δｔ1，Δｔ2を検出することによ
り、レ−ザビ−ム１４，１５の副走査方向のピッチ幅
（時間差）Ｔを、Ｔ＝(Ｔ0−ｔ0)＋Δｔ−Δｔ2で演算
することができる。そこで走査始端側にあるフォトセン
サＰＤ１からレ−ザビ−ム１４によるパルス信号１４ｂ
を出力すると、位相同期部２２は出力されたパルス信号
１４ｂの位相に同期したクロック信号をパルス幅検出部
２３と半導体レ−ザ制御部２６に出力する。またフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３から時系列で検出される
レ−ザビ−ム１４によるパルス信号１４ｂ，１４ｃもパ
ルス幅検出部２３に出力される。パルス幅検出部２３は
パルス信号１４ｂ，１４ｃが送られると位相同期部２２
から送られているクロック信号によりパルス信号１４
ｂ，１４ｃのパルス幅ｔ0，Δｔ2を時間として検出す
る。またフォトセンサＰＤ１からレ−ザビ−ム１５によ
るパルス信号１５ｂを出力すると、位相同期部２２は出
力されたパルス信号１５ｂの位相に同期したクロック信
号もパルス幅検出部２３と半導体レ−ザ制御部２６に出
力する。パルス幅検出部２３はパルス信号１５ｂが送ら
れると、パルス信号１４ｂによるクロック信号によりパ
ルス信号１４ｂとパルス信号１５ｂのピッチ幅Ｔ0を検
出する。また、パルス幅検出部２３はフォトセンサＰＤ
２からパルス信号１５ｃが送られると、パルス信号１５
ｂによるクロック信号によりパルス信号１５ｃのパルス
幅Δｔ1を検出する。副走査ピッチ演算部２４はパルス
幅検出部２３で検出したパルス幅ｔ0とピッチ間隔Ｔ0と
パルス幅Δｔ1，Δｔ2からからレ−ザビ−ム１４，１５
の副走査方向のピッチＰSを演算して副走査ピッチ制御
部２５に送る。副走査ピッチ制御部２５は送られた副走
査方向のピッチＰSが画素密度に応じた基準走査ピッチ
になるように副走査ピッチ可変モ−タ２７を制御する。
また、半導体レ−ザ制御部２６は位相同期部２２で発生
するパルス信号１４ｂとパルス信号１５ｂによるクロッ
ク信号によりレ−ザ発光源１の画像記録タイミングを制
御する。
【００２８】このように副走査方向のピッチＰSを検出
するときに、レ−ザビ−ム１４，１５の主走査方向のピ
ッチＰｍをフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの配列ピッチＰ
0の整数ｋ倍にすると、パルス信号１４ｂとパルス信号
１５ｂのピッチ幅Ｔ0は、Ｔ0＝ｋｔ0で表される。そし
て遮光マスク７２の先端エッジの傾斜角θを、tanθ＝
(ＰS／Ｐ0)に設定すると、レ−ザビ−ム１４が遮光マス
ク７２の先端エッジと交叉するフォトセンサＰＤ３の位
置とレ−ザビ−ム１５が遮光マスク７２の先端エッジと
交叉するフォトセンサＰＤ２の位置がフォトセンサＰＤ
１〜ＰＤｎの配列ピッチＰ0だけずれ、パルス幅Δｔ1と
パルス幅Δｔ2が等しくなり、レ−ザビ−ム１４，１５
の副走査方向のピッチ幅ＴはＴ0に等しくなり、設定さ
れた基準パルス幅Ｔ0をパルス信号１４ｃの立ち下がり
に同期させて比較しＴ＝Ｔ0＋Ｔｓとなるように副走査
ピッチ可変モ−タ２７を制御することにより、副走査方
向の走査線ピッチＰSを一定(理想値)に保つことができ
る。ここでＴsはオフセット量で遮光マスク７２の角度
θが上記した関係にないとき所定値を入力すれば良い。
するときに、レ−ザビ−ム１４，１５の主走査方向のピ
ッチＰｍをフォトセンサＰＤ１〜ＰＤｎの配列ピッチＰ
0の整数ｋ倍にすると、パルス信号１４ｂとパルス信号
１５ｂのピッチ幅Ｔ0は、Ｔ0＝ｋｔ0で表される。そし
て遮光マスク７２の先端エッジの傾斜角θを、tanθ＝
(ＰS／Ｐ0)に設定すると、レ−ザビ−ム１４が遮光マス
ク７２の先端エッジと交叉するフォトセンサＰＤ３の位
置とレ−ザビ−ム１５が遮光マスク７２の先端エッジと
交叉するフォトセンサＰＤ２の位置がフォトセンサＰＤ
１〜ＰＤｎの配列ピッチＰ0だけずれ、パルス幅Δｔ1と
パルス幅Δｔ2が等しくなり、レ−ザビ−ム１４，１５
の副走査方向のピッチ幅ＴはＴ0に等しくなり、設定さ
れた基準パルス幅Ｔ0をパルス信号１４ｃの立ち下がり
に同期させて比較しＴ＝Ｔ0＋Ｔｓとなるように副走査
ピッチ可変モ−タ２７を制御することにより、副走査方
向の走査線ピッチＰSを一定(理想値)に保つことができ
る。ここでＴsはオフセット量で遮光マスク７２の角度
θが上記した関係にないとき所定値を入力すれば良い。
【００２９】なお、上記実施例ではピッチ演算部２４は
パルス幅検出部２３で検出したパルス幅ｔ0とピッチ間
隔Ｔ0とパルス幅Δｔ1，Δｔ2からから副走査方向のピ
ッチ幅Ｔを演算してレ−ザビ−ム１４，１５の副走査方
向のピッチＰSを算出する場合について説明したが、図
４（ｅ）に示すように、レ−ザビ−ム１４によりフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３が出力するパルス信号１
４ｂ，１４ｃを加算し、レ−ザビ−ム１５によりフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２が出力するパルス信号１５ｂ，１
５ｃを加算し、各加算したパルス信号の立ち下がりの時
間から副走査方向のピッチ幅Ｔを算出するようにしても
良い。
パルス幅検出部２３で検出したパルス幅ｔ0とピッチ間
隔Ｔ0とパルス幅Δｔ1，Δｔ2からから副走査方向のピ
ッチ幅Ｔを演算してレ−ザビ−ム１４，１５の副走査方
向のピッチＰSを算出する場合について説明したが、図
４（ｅ）に示すように、レ−ザビ−ム１４によりフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３が出力するパルス信号１
４ｂ，１４ｃを加算し、レ−ザビ−ム１５によりフォト
センサＰＤ１，ＰＤ２が出力するパルス信号１５ｂ，１
５ｃを加算し、各加算したパルス信号の立ち下がりの時
間から副走査方向のピッチ幅Ｔを算出するようにしても
良い。
【００３０】また、上記実施例は先端エッジが直線状に
なった遮光マスク７２を用い、先端エッジを主走査方向
に一定角度傾けた場合について説明したが、先端エッジ
が階段状になった遮光マスクを使用しても良い。
なった遮光マスク７２を用い、先端エッジを主走査方向
に一定角度傾けた場合について説明したが、先端エッジ
が階段状になった遮光マスクを使用しても良い。
【００３１】また、上記実施例は複数のフォトセンサＰ
Ｄ１〜ＰＤｎを有するセンサアレイ７１と遮光マスク７
２を有するビ−ム検出部７を使用してレ−ザビ−ム１
４，１５を検出する場合について説明したが、遮光マス
ク７２を使用せずに、複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤ
ｎの境界の少なくとも１個所に主走査方向に対して一定
角度傾けた境界を設けてレ−ザビ−ム１４，１５を検出
するようにしても良い。
Ｄ１〜ＰＤｎを有するセンサアレイ７１と遮光マスク７
２を有するビ−ム検出部７を使用してレ−ザビ−ム１
４，１５を検出する場合について説明したが、遮光マス
ク７２を使用せずに、複数のフォトセンサＰＤ１〜ＰＤ
ｎの境界の少なくとも１個所に主走査方向に対して一定
角度傾けた境界を設けてレ−ザビ−ム１４，１５を検出
するようにしても良い。
【００３２】図７はビ−ム検出部７として複数のフォト
センサＰＤ１〜ＰＤ３を有するセンサアレイ７１ａでレ
−ザビ−ム１４，１５を検出する場合のフォトセンサＰ
Ｄ１〜ＰＤ３の配置を示す。図７に示すように、フォト
センサＰＤ１の始端エッジと、フォトセンサＰＤ１とフ
ォトセンサＰＤ２の境界線及びフォトセンサＰＤ３の終
端エッジは主走査方向と直交して設けられ、フォトセン
サＰＤ２とフォトセンサＰＤ３の境界線は主走査方向に
対して一定角度θ、例えば45度だけ傾いている。各フォ
ットセンサＰＤ１〜ＰＤ３は中心位置が一定間隔Ｄ、例
えば0.6ｍｍ間隔で配置され、境界の幅も一定間隔ｄ、
例えば15μｍとし、例えば約80μｍのレ−ザビ−ム１
４，１５のスポット１４ａ，１５ａの光量が100％入射
され、各境界で隣接するフォットセンサＰＤ１〜ＰＤ３
をまたぐようにしている。
センサＰＤ１〜ＰＤ３を有するセンサアレイ７１ａでレ
−ザビ−ム１４，１５を検出する場合のフォトセンサＰ
Ｄ１〜ＰＤ３の配置を示す。図７に示すように、フォト
センサＰＤ１の始端エッジと、フォトセンサＰＤ１とフ
ォトセンサＰＤ２の境界線及びフォトセンサＰＤ３の終
端エッジは主走査方向と直交して設けられ、フォトセン
サＰＤ２とフォトセンサＰＤ３の境界線は主走査方向に
対して一定角度θ、例えば45度だけ傾いている。各フォ
ットセンサＰＤ１〜ＰＤ３は中心位置が一定間隔Ｄ、例
えば0.6ｍｍ間隔で配置され、境界の幅も一定間隔ｄ、
例えば15μｍとし、例えば約80μｍのレ−ザビ−ム１
４，１５のスポット１４ａ，１５ａの光量が100％入射
され、各境界で隣接するフォットセンサＰＤ１〜ＰＤ３
をまたぐようにしている。
【００３３】このセンサアレイ７１ａからのビ−ム検出
信号により副走査方向の走査線ピッチを検出して制御す
る制御部には、図８のブロック図に示すように、センサ
アレイ７１ａのＰＤ１〜ＰＤ３から出力されるビ−ム検
出信号をレ−ザビ−ム１４，１５毎に加算する加算部２
８と有する。また、パルス幅検出部２３ａには基準パル
ス発生部２９と時間演算部３０を有する。基準パルス発
生部２９は位相同期部２２から出力されるクロック信号
を分周して、所定数Ｓｎのクロック信号により１個のパ
ルス信号Ｐ１を発生する。この所定数Ｓｎは記録画素密
度に応じて変えられるようになっている。時間演算部３
０は基準パルス発生部２９から出力されるパルス信号Ｐ
１と加算部２８から出力されるパルス信号Ｐ２と所定数
Ｓｎからパルス信号Ｐ２の時間間隔を算出する。
信号により副走査方向の走査線ピッチを検出して制御す
る制御部には、図８のブロック図に示すように、センサ
アレイ７１ａのＰＤ１〜ＰＤ３から出力されるビ−ム検
出信号をレ−ザビ−ム１４，１５毎に加算する加算部２
８と有する。また、パルス幅検出部２３ａには基準パル
ス発生部２９と時間演算部３０を有する。基準パルス発
生部２９は位相同期部２２から出力されるクロック信号
を分周して、所定数Ｓｎのクロック信号により１個のパ
ルス信号Ｐ１を発生する。この所定数Ｓｎは記録画素密
度に応じて変えられるようになっている。時間演算部３
０は基準パルス発生部２９から出力されるパルス信号Ｐ
１と加算部２８から出力されるパルス信号Ｐ２と所定数
Ｓｎからパルス信号Ｐ２の時間間隔を算出する。
【００３４】上記のように構成した制御部でフォットセ
ンサＰＤ１〜ＰＤ３からのビ−ム検出信号により副走査
方向の走査線ピッチを検出する場合の動作を図９の波形
図を参照して説明する。
ンサＰＤ１〜ＰＤ３からのビ−ム検出信号により副走査
方向の走査線ピッチを検出する場合の動作を図９の波形
図を参照して説明する。
【００３５】レ−ザビ−ム１４のに、フォトセンサＰＤ
１〜ＰＤ３から出力されるビ−ム検出信号は、図９
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように立上りと立ち下が
りともに完全な矩形波にならずなまっている。このフォ
トセンサＰＤ１〜ＰＤ３のビ−ム検出信号を加算部２８
で加算すると、フォットセンサＰＤ２の出力がフォトセ
ンサＰＤ１，ＰＤ３の出力と極性が逆になっているか
ら、加算部２８からは図９（ｄ）に示すフォトセンサＰ
Ｄ１，ＰＤ２間の第１の境界で立上り、フォトセンサＰ
Ｄ２，ＰＤ３間の第２の境界で立ち下がるパルス信号Ｐ
２を発生する。このパルス信号Ｐ２のパルス幅Ｔ２はレ
−ザビ−ム１４が第１の境界で交叉してから第２の境界
で交叉するまでの時間を示す。すなわちレ−ザビ−ム１
４の第１の境界と第２の境界の交叉位置をあらわす。こ
の加算部２８で発生したパルス信号Ｐ２を位相同期部２
２と時間演算部３０に送る。位相同期部２２はパルス信
号Ｐ２の立上りに同期したクロック信号を発生して基準
パルス発生部２９と半導体レ−ザ制御部２６に送る。基
準パルス発生部２９は位相同期部２２から出力されるク
ロック信号を分周して、所定数Ｓｎのクロック信号によ
り１個の基準パルス信号Ｐ１を発生し時間演算部３０に
送る。時間演算部３０は送られた基準パルス信号Ｐ１の
パルス幅Ｔ１と加算部２８から送られるパルス信号Ｐ２
のパルス幅Ｔ２の差と所定数Ｓｎとからパルス幅Ｔ２の
時間間隔を算出して副走査ピッチ演算部２４に送る。レ
−ザビ−ム１５のスポット１５ａが主走査方向に移動し
フォットセンサＰＤ１〜ＰＤ３を通るときも、上記と同
様な処理をしてレ−ザビ−ム１５が第１の境界で交叉し
てから第２の境界で交叉するまでの時間間隔を時間演算
部３０で算出して副走査ピッチ演算部２４に送る。副走
査ピッチ演算部２４はレ−ザビ−ム１４が第１の境界で
交叉してから第２の境界で交叉するまでの時間間隔とレ
−ザビ−ム１５が第１の境界で交叉してから第２の境界
で交叉するまでの時間間隔との差を算出し、算出した時
間間隔と第２の境界の傾斜角θからレ−ザビ−ム１４と
レ−ザビ−ム１５の副走査方向のピッチＰSを算出す
る。このように基準パルス発生部２９から出力する基準
パルス信号Ｐ１を利用して各レ−ザビ−ム１４，１５が
第１の境界で交叉してから第２の境界で交叉するまでの
時間間隔を算出するから、時間間隔を簡単な構成で精度
良く算出することができる。
１〜ＰＤ３から出力されるビ−ム検出信号は、図９
（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように立上りと立ち下が
りともに完全な矩形波にならずなまっている。このフォ
トセンサＰＤ１〜ＰＤ３のビ−ム検出信号を加算部２８
で加算すると、フォットセンサＰＤ２の出力がフォトセ
ンサＰＤ１，ＰＤ３の出力と極性が逆になっているか
ら、加算部２８からは図９（ｄ）に示すフォトセンサＰ
Ｄ１，ＰＤ２間の第１の境界で立上り、フォトセンサＰ
Ｄ２，ＰＤ３間の第２の境界で立ち下がるパルス信号Ｐ
２を発生する。このパルス信号Ｐ２のパルス幅Ｔ２はレ
−ザビ−ム１４が第１の境界で交叉してから第２の境界
で交叉するまでの時間を示す。すなわちレ−ザビ−ム１
４の第１の境界と第２の境界の交叉位置をあらわす。こ
の加算部２８で発生したパルス信号Ｐ２を位相同期部２
２と時間演算部３０に送る。位相同期部２２はパルス信
号Ｐ２の立上りに同期したクロック信号を発生して基準
パルス発生部２９と半導体レ−ザ制御部２６に送る。基
準パルス発生部２９は位相同期部２２から出力されるク
ロック信号を分周して、所定数Ｓｎのクロック信号によ
り１個の基準パルス信号Ｐ１を発生し時間演算部３０に
送る。時間演算部３０は送られた基準パルス信号Ｐ１の
パルス幅Ｔ１と加算部２８から送られるパルス信号Ｐ２
のパルス幅Ｔ２の差と所定数Ｓｎとからパルス幅Ｔ２の
時間間隔を算出して副走査ピッチ演算部２４に送る。レ
−ザビ−ム１５のスポット１５ａが主走査方向に移動し
フォットセンサＰＤ１〜ＰＤ３を通るときも、上記と同
様な処理をしてレ−ザビ−ム１５が第１の境界で交叉し
てから第２の境界で交叉するまでの時間間隔を時間演算
部３０で算出して副走査ピッチ演算部２４に送る。副走
査ピッチ演算部２４はレ−ザビ−ム１４が第１の境界で
交叉してから第２の境界で交叉するまでの時間間隔とレ
−ザビ−ム１５が第１の境界で交叉してから第２の境界
で交叉するまでの時間間隔との差を算出し、算出した時
間間隔と第２の境界の傾斜角θからレ−ザビ−ム１４と
レ−ザビ−ム１５の副走査方向のピッチＰSを算出す
る。このように基準パルス発生部２９から出力する基準
パルス信号Ｐ１を利用して各レ−ザビ−ム１４，１５が
第１の境界で交叉してから第２の境界で交叉するまでの
時間間隔を算出するから、時間間隔を簡単な構成で精度
良く算出することができる。
【００３６】なお、上記各実施例ではビ−ム合成する光
源方式について説明したが、半導体レ−ザアレイを用い
た光源方式においても同様に適用することができる。
源方式について説明したが、半導体レ−ザアレイを用い
た光源方式においても同様に適用することができる。
【００３７】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、走査始
端側の非書込位置に設けたビ−ム検出手段を、複数のフ
ォトセンサが主走査方向に沿って配置されたセンサアレ
イと先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ
傾けて配置され、複数のフォトセンサの開口を徐々に変
化させるように覆った遮光マスクで構成し、複数のレ−
ザビ−ムがビ−ム検出手段を通るときに、各レ−ザビ−
ムの走査線上に遮光マスクの先端エッジが横切っていな
いフォトセンサからはレ−ザビ−ムのスポット径に応じ
た一定幅のパルス信号をビ−ム検出信号として出力し、
各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光マスクの先端エッジが
横切っているフォトセンサからは遮光マスクによりレ−
ザビ−ムの一部がけられてパルス幅が変化したパルス信
号をビ−ム検出信号として出力するようにしたから、変
化したパルス幅のパルス信号の立ち下がりを検出するこ
とにより、副走査方向に対して隣接する２つのレ−ザビ
−ムが遮光マスクの先端エッジと交叉する位置を一意的
に定めることができ、経時的にビ−ム走査位置が変動し
ても、隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッ
チを精度良く検出することができる。
端側の非書込位置に設けたビ−ム検出手段を、複数のフ
ォトセンサが主走査方向に沿って配置されたセンサアレ
イと先端エッジ部が主走査方向に対して一定角度θだけ
傾けて配置され、複数のフォトセンサの開口を徐々に変
化させるように覆った遮光マスクで構成し、複数のレ−
ザビ−ムがビ−ム検出手段を通るときに、各レ−ザビ−
ムの走査線上に遮光マスクの先端エッジが横切っていな
いフォトセンサからはレ−ザビ−ムのスポット径に応じ
た一定幅のパルス信号をビ−ム検出信号として出力し、
各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光マスクの先端エッジが
横切っているフォトセンサからは遮光マスクによりレ−
ザビ−ムの一部がけられてパルス幅が変化したパルス信
号をビ−ム検出信号として出力するようにしたから、変
化したパルス幅のパルス信号の立ち下がりを検出するこ
とにより、副走査方向に対して隣接する２つのレ−ザビ
−ムが遮光マスクの先端エッジと交叉する位置を一意的
に定めることができ、経時的にビ−ム走査位置が変動し
ても、隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査方向のピッ
チを精度良く検出することができる。
【００３８】また、隣接する２つのレ−ザビ−ムと遮光
マスクの先端エッジの交叉する位置を互いに隣接するフ
ォトセンサで検出するように遮光マスクの先端エッジの
傾斜角θを定めておくと、各レ−ザビ−ムが副走査方向
の上方にずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサよ
り後側のフォトセンサにずれ、各レ−ザビ−ムが副走査
方向の下方にずれれば交叉位置は基準位置のフォトセン
サより前側のフォトセンサにずれるから、遮光マスクで
けられてパルス幅が変化したパルス信号をビ−ム検出信
号として出力するフォトセンサを検出することによりビ
−ム走査位置の副走査方向に対する変動を検出すること
もできる。
マスクの先端エッジの交叉する位置を互いに隣接するフ
ォトセンサで検出するように遮光マスクの先端エッジの
傾斜角θを定めておくと、各レ−ザビ−ムが副走査方向
の上方にずれると交叉位置は基準位置のフォトセンサよ
り後側のフォトセンサにずれ、各レ−ザビ−ムが副走査
方向の下方にずれれば交叉位置は基準位置のフォトセン
サより前側のフォトセンサにずれるから、遮光マスクで
けられてパルス幅が変化したパルス信号をビ−ム検出信
号として出力するフォトセンサを検出することによりビ
−ム走査位置の副走査方向に対する変動を検出すること
もできる。
【００３９】さらに、各レ−ザビ−ムの走査線上に遮光
マスクの先端エッジが横切っていないフォトセンサから
出力されたビ−ム検出信号の立上りを基準にして画像記
録開始のタイミングをとることにより、画像記録開始位
置の精度を高めることができる。
マスクの先端エッジが横切っていないフォトセンサから
出力されたビ−ム検出信号の立上りを基準にして画像記
録開始のタイミングをとることにより、画像記録開始位
置の精度を高めることができる。
【００４０】この隣接する２つのレ−ザビ−ムの副走査
方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するときに、各レ−
ザビ−ムが最先端のフォトセンサから遮光マスクの先端
エッジがあるフォトセンサまで通る間の各フォトセンサ
のビ−ム検出信号の和をとることにより、簡単にレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチを演算することができ、制
御回路が簡素化されるとともに制御時間も短縮すること
ができる。
方向のピッチ幅（時間差）Ｔを演算するときに、各レ−
ザビ−ムが最先端のフォトセンサから遮光マスクの先端
エッジがあるフォトセンサまで通る間の各フォトセンサ
のビ−ム検出信号の和をとることにより、簡単にレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチを演算することができ、制
御回路が簡素化されるとともに制御時間も短縮すること
ができる。
【００４１】さらに、上記遮光マスクの主走査方向に対
する傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の
間隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(Ｐ
S／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置することによ
り、各レ−ザビ−ム毎にパルス幅が変化したパルス信号
のパルス幅を同じにすることができ、簡単な演算でレ−
ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算することができ、
制御回路をより簡素化することができる。
する傾き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の
間隔ＰSとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(Ｐ
S／Ｐ0）になるように遮光マスクを配置することによ
り、各レ−ザビ−ム毎にパルス幅が変化したパルス信号
のパルス幅を同じにすることができ、簡単な演算でレ−
ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算することができ、
制御回路をより簡素化することができる。
【００４２】また、主走査方向に配置された複数のフォ
トセンサ、例えば３個のフォトセンサを配置し、第２の
フォトセンサと第３のフォトセンサの境界を主走査方向
に対して一定角度傾け、第１のフォトセンサと第２のフ
ォトセンサの境界を主走査方向に対して直交させてお
き、各レ−ザビ−ムが主走査方向に対して直交させた境
界から主走査方向に対して一定角度傾けた境界を通る時
間間隔を検出し、各レ−ザビ−ムの時間間隔からレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチ幅を演算することにより、
副走査方向のピッチを正確に得ることができる。
トセンサ、例えば３個のフォトセンサを配置し、第２の
フォトセンサと第３のフォトセンサの境界を主走査方向
に対して一定角度傾け、第１のフォトセンサと第２のフ
ォトセンサの境界を主走査方向に対して直交させてお
き、各レ−ザビ−ムが主走査方向に対して直交させた境
界から主走査方向に対して一定角度傾けた境界を通る時
間間隔を検出し、各レ−ザビ−ムの時間間隔からレ−ザ
ビ−ムの副走査方向のピッチ幅を演算することにより、
副走査方向のピッチを正確に得ることができる。
【００４３】この時間間隔を検出するときに、直交した
境界を各レ−ザビ−ムが通るときのビ−ム検出信号に同
期したクロックパルスを記録画素密度に応じた一定数Ｓ
ｎだけ分周して、一定数Ｓｎ個のクロックパルスにより
１個の基準パルスを発生し、発生した基準パルスのパル
ス幅と各レ−ザビ−ムが直交した境界から傾けた境界を
通るときに発生するパルス信号のパルス幅及び一定数Ｓ
ｎにより、簡単かつ高精度に各レ−ザビ−ムが直交した
境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算するこ
とができる。また、各レ−ザビ−ムが直交した境界を通
るときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスによ
り画像記録開始のタイミングをとることにより、同期検
知センサが不要になるとともに画像記録開始位置の精度
を高めることができる。
境界を各レ−ザビ−ムが通るときのビ−ム検出信号に同
期したクロックパルスを記録画素密度に応じた一定数Ｓ
ｎだけ分周して、一定数Ｓｎ個のクロックパルスにより
１個の基準パルスを発生し、発生した基準パルスのパル
ス幅と各レ−ザビ−ムが直交した境界から傾けた境界を
通るときに発生するパルス信号のパルス幅及び一定数Ｓ
ｎにより、簡単かつ高精度に各レ−ザビ−ムが直交した
境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を演算するこ
とができる。また、各レ−ザビ−ムが直交した境界を通
るときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスによ
り画像記録開始のタイミングをとることにより、同期検
知センサが不要になるとともに画像記録開始位置の精度
を高めることができる。
【図１】この発明の実施例の走査光学系を示す配置図で
ある。
ある。
【図２】上記実施例のビ−ム検出部の構成図である。
【図３】上記実施例の制御部の構成を示すブロック図で
ある。
ある。
【図４】上記実施例の動作を示す波形図である。
【図５】レ−ザ発光源の構成を示す分解斜視図である。
【図６】レ−ザ発光源のピッチ調整機構を示す分解斜視
図である。
図である。
【図７】第２の実施例のビ−ム検出部の構成図である。
【図８】第２の実施例の制御部の構成を示すブロック図
である。
である。
【図９】第２の実施例の動作を示す波形図である。
７ ビ−ム検出部 ７１ センサアレイ ７２ 遮光マスク ＰＤ１〜ＰＤｎ フォトセンサ １０，１１ 半導体レ−ザ素子（ＬＤ） １１ 半導体レ−ザ素子（ＬＤ） ２１ 基準クロック発生部 ２２ 位相同期部 ２３ パルス幅検出部 ２４ 副走査ピッチ演算部 ２５ 副走査ピッチ制御部 ２６ 半導体レ−ザ制御部 ２７ 副走査ピッチ可変モ−タ ２９ 基準パルス発生部 ３０ 時間演算部
Claims (7)
- 【請求項１】 複数のレ−ザ発光源から出射するレ−ザ
ビ−ムで感光体表面を走査して情報を書き込むマルチビ
−ム走査装置において、主走査方向に配置された複数の
フォトセンサを有するセンサアレイと、先端部が主走査
方向に対して一定角度傾けて配置され、センサアレイの
一部を覆う遮光マスクとを有するビ−ム検知手段を走査
開始側の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検
知手段を通るときに、遮光マスクで覆われないフォトセ
ンサが出力するビ−ム検出信号のパルス幅（ｔ0）と、
各レ−ザビ−ムがフォトセンサを通過する際の検出時間
差（Ｔ0）と、各レ−ザビ−ムにより遮光マスクの先端
エッジがあるフォトセンサが出力するビ−ム検出信号の
パルス幅（Δｔ1，Δｔ2）とから複数のレ−ザビ−ムの
副走査方向のピッチを演算することを特徴とするマルチ
ビ−ム走査装置。 - 【請求項２】 複数のレ−ザ発光源から出射するレ−ザ
ビ−ムで感光体表面を走査して情報を書き込むマルチビ
−ム走査装置において、主走査方向に配置された複数の
フォトセンサを有するセンサアレイと、先端部が主走査
方向に対して一定角度傾けて配置され、センサアレイの
一部を覆う遮光マスクとを有するビ−ム検知手段を走査
開始側の非書込位置に設け、各レ−ザビ−ムがビ−ム検
知手段を通るときに、最先端のフォトセンサから遮光マ
スクの先端エッジがあるフォトセンサまでのビ−ム検出
信号の和と、各レ−ザビ−ムがフォトセンサを通過する
際の検出時間差とから複数のレ−ザビ−ムの副走査方向
のピッチを演算することを特徴とするマルチビ−ム走査
装置。 - 【請求項３】 上記複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の
間隔ＰSをセンサアレイのフォトセンサの配列ピッチＰ0
より大きくし、複数のレ−ザビ−ムと遮光マスクの先端
エッジとの交差位置が互いに隣接するフォトセンサの位
置になるように遮光マスクを配置した請求項１又は２記
載のマルチビ−ム走査装置。 - 【請求項４】 上記遮光マスクの主走査方向に対する傾
き角度θを、複数のレ−ザビ−ムの主走査方向の間隔Ｐ
Sとフォトセンサの配列ピッチＰ0からtanθ＝(ＰS／
Ｐ0）になるように遮光マスクを配置した請求項３記載
のマルチビ−ム走査装置。 - 【請求項５】 複数のレ−ザ発光源から出射するレ−ザ
ビ−ムで感光体表面を走査して情報を書き込むマルチビ
−ム走査装置において、主走査方向に配置された複数の
フォトセンサを有し、隣接したフォトセンサの境界の少
なくとも１個所が主走査方向に対して一定角度傾けら
れ、主走査方向に対して一定角度傾けられた境界の走査
始端側に主走査方向に対して直交した境界を有するビ−
ム検知手段を走査開始側の非書込位置に設け、各レ−ザ
ビ−ムが直交した境界から傾けた境界を通るまでの時間
間隔から複数のレ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演
算することを特徴とするマルチビ−ム走査装置。 - 【請求項６】 上記直交した境界を各レ−ザビ−ムが通
るときのビ−ム検出信号に同期したクロックパルスを記
録画素密度に応じた一定数Ｓｎだけ分周して、一定数Ｓ
ｎ個のクロックパルスにより１個の基準パルスを発生
し、発生した基準パルスのパルス幅と各レ−ザビ−ムが
直交した境界から傾けた境界を通るときに発生するパル
ス信号のパルス幅及び一定数Ｓｎにより各レ−ザビ−ム
が直交した境界から傾けた境界を通るときの時間間隔を
演算し、演算した各レ−ザビ−ムの時間間隔から複数の
レ−ザビ−ムの副走査方向のピッチを演算する請求項５
記載のマルチビ−ム走査装置。 - 【請求項７】 上記センサアレイの特定のフォトセンサ
が出力する各レ−ザビ−ムのビ−ム検出信号により画像
記録開始のタイミングをとる請求項１，２又は５記載の
マルチビ−ム走査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15925596A JPH09325288A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | マルチビ−ム走査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15925596A JPH09325288A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | マルチビ−ム走査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09325288A true JPH09325288A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15689765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15925596A Pending JPH09325288A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | マルチビ−ム走査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09325288A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003069004A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出器及び光照射タイミング検出器 |
| US7045773B2 (en) | 2003-07-18 | 2006-05-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus for accurately detecting and correcting position of optical beam in subscanning direction, and the method |
| JP2006171646A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Ricoh Co Ltd | マルチビーム走査装置及びそれを備えた画像形成装置、カラー画像形成装置 |
| US7206014B2 (en) * | 2001-07-24 | 2007-04-17 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-beam pitch adjusting apparatus and image forming apparatus |
| US7333254B2 (en) | 2002-03-15 | 2008-02-19 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus, illuminant apparatus and image forming apparatus |
| US7956318B2 (en) | 2006-09-20 | 2011-06-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning device and optical scanning method having a light deflector, separation optical system and light beam detecting device |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP15925596A patent/JPH09325288A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7206014B2 (en) * | 2001-07-24 | 2007-04-17 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-beam pitch adjusting apparatus and image forming apparatus |
| US7460145B2 (en) | 2001-07-24 | 2008-12-02 | Ricoh Company, Ltd. | Multi-beam pitch adjusting apparatus and image forming apparatus |
| JP2003069004A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体光検出器及び光照射タイミング検出器 |
| US7333254B2 (en) | 2002-03-15 | 2008-02-19 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus, illuminant apparatus and image forming apparatus |
| US7706040B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-27 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus, illuminant apparatus and image forming apparatus |
| US7045773B2 (en) | 2003-07-18 | 2006-05-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning apparatus for accurately detecting and correcting position of optical beam in subscanning direction, and the method |
| JP2006171646A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Ricoh Co Ltd | マルチビーム走査装置及びそれを備えた画像形成装置、カラー画像形成装置 |
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