JPH09324171A - 摩擦低減物品 - Google Patents
摩擦低減物品Info
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- JPH09324171A JPH09324171A JP14549096A JP14549096A JPH09324171A JP H09324171 A JPH09324171 A JP H09324171A JP 14549096 A JP14549096 A JP 14549096A JP 14549096 A JP14549096 A JP 14549096A JP H09324171 A JPH09324171 A JP H09324171A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な潤滑性を有する摩擦低減膜が被覆され
た摩擦低減物品、特に、摩擦の極めて小さい複写機原稿
台用ガラスを提供することにある。 【解決手段】 シリコンアルコキシドの加水分解物と、
ポリジメチルシロキサンまたは／および変性ポリジメチ
ルシロキサンとの混合溶液を基材上に塗布し加熱してな
る摩擦低減物品である。
た摩擦低減物品、特に、摩擦の極めて小さい複写機原稿
台用ガラスを提供することにある。 【解決手段】 シリコンアルコキシドの加水分解物と、
ポリジメチルシロキサンまたは／および変性ポリジメチ
ルシロキサンとの混合溶液を基材上に塗布し加熱してな
る摩擦低減物品である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、摩擦低減物品、特
に原稿自動供給機能付き複写機の原稿供給中に原稿つま
りが生じないよう摩擦抵抗が十分に低減された原稿台用
ガラスに関する。
に原稿自動供給機能付き複写機の原稿供給中に原稿つま
りが生じないよう摩擦抵抗が十分に低減された原稿台用
ガラスに関する。
【０００２】
【従来の技術】原稿自動供給機能を有する複写機の原稿
台用ガラスには、通常酸化錫膜等の透明導電膜を設けた
板ガラスが、原稿紙との機械的摩擦で発生する静電気を
防止するため使用される。さらに、この機械的摩擦を低
減するため、特開昭６２−２９３２３６にはポリフルオ
ロアルキル基を含有する化合物を被覆した複写機原稿台
用ガラスが、そして特開昭６３−２３３０２７には珪素
にイソシアネート基を結合させた化合物を被覆した複写
機原稿台用ガラスがそれぞれ記載されている。しかし、
これらの摩擦低減膜では、十分な摩擦低減効果が得られ
ず、原稿自動供給機能付き複写機の原稿供給中に原稿つ
まりが生じる一つの原因となっていた。
台用ガラスには、通常酸化錫膜等の透明導電膜を設けた
板ガラスが、原稿紙との機械的摩擦で発生する静電気を
防止するため使用される。さらに、この機械的摩擦を低
減するため、特開昭６２−２９３２３６にはポリフルオ
ロアルキル基を含有する化合物を被覆した複写機原稿台
用ガラスが、そして特開昭６３−２３３０２７には珪素
にイソシアネート基を結合させた化合物を被覆した複写
機原稿台用ガラスがそれぞれ記載されている。しかし、
これらの摩擦低減膜では、十分な摩擦低減効果が得られ
ず、原稿自動供給機能付き複写機の原稿供給中に原稿つ
まりが生じる一つの原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決して、良好な潤滑性を有する摩擦低減膜が被覆さ
れた摩擦低減物品、特に、摩擦の極めて小さい複写機原
稿台用ガラスを提供することにある。
を解決して、良好な潤滑性を有する摩擦低減膜が被覆さ
れた摩擦低減物品、特に、摩擦の極めて小さい複写機原
稿台用ガラスを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、摩擦を低減しようとする基材表面を特定の珪素
含有高分子被膜で被覆することにより該基材表面の凹凸
を覆い隠し、滑らかな塗膜面を形成すると同時に該珪素
含有高分子中に添加された潤滑剤分子が塗膜面の外表面
に並び良好な潤滑層をワンコートで得られる組成物を設
計し、その組成物の塗工方法について鋭意研究の結果本
発明に至った。
発明は、摩擦を低減しようとする基材表面を特定の珪素
含有高分子被膜で被覆することにより該基材表面の凹凸
を覆い隠し、滑らかな塗膜面を形成すると同時に該珪素
含有高分子中に添加された潤滑剤分子が塗膜面の外表面
に並び良好な潤滑層をワンコートで得られる組成物を設
計し、その組成物の塗工方法について鋭意研究の結果本
発明に至った。
【０００５】すなわち、本発明は（１）シリコンアルコ
キシドの加水分解物と、（２）ポリジメチルシロキサン
または／および変性ポリジメチルシロキサンとの混合溶
液を基材上に塗布し加熱してなる摩擦低減物品である。
キシドの加水分解物と、（２）ポリジメチルシロキサン
または／および変性ポリジメチルシロキサンとの混合溶
液を基材上に塗布し加熱してなる摩擦低減物品である。
【０００６】本発明の摩擦低減物品は以下の手順で調製
される。まず、シリコンアルコキシドの加水分解物を次
のように調製する。１種または２種以上のシリコンアル
コキシドを容器に測り取り、溶剤を加え、加水分解のた
めの水と酸触媒を添加して、加温しながら還流し、加水
分解を行う。環流に代えて溶剤の気化消失を防ぐ他の手
段例えば密封容器内で反応させるようにしてもよい。こ
こで、シリコンアルコキシドとは下記（１）式に示す化
合物を言う。
される。まず、シリコンアルコキシドの加水分解物を次
のように調製する。１種または２種以上のシリコンアル
コキシドを容器に測り取り、溶剤を加え、加水分解のた
めの水と酸触媒を添加して、加温しながら還流し、加水
分解を行う。環流に代えて溶剤の気化消失を防ぐ他の手
段例えば密封容器内で反応させるようにしてもよい。こ
こで、シリコンアルコキシドとは下記（１）式に示す化
合物を言う。
【０００７】
【化１】 Ｒk−Ｓｉ−（ＯＲ’）4-k （１） 但し、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基、ビニル
基、アクリロキシル基、メタクリロキシル基、ヒドロキ
シアルキルメタクリロキシル基、またはグリシジロキシ
ル基（エポキシ基）を表し、ＯＲ’はメトキシ基、エト
キシ基、またはイソプロポキシ基を表す。ｋは０または
１である。
基、アクリロキシル基、メタクリロキシル基、ヒドロキ
シアルキルメタクリロキシル基、またはグリシジロキシ
ル基（エポキシ基）を表し、ＯＲ’はメトキシ基、エト
キシ基、またはイソプロポキシ基を表す。ｋは０または
１である。
【０００８】このような薬剤としては、テトラメトキシ
シラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキ
シシラン、メタクリロキシトリエトキシシラン、グリシ
ジロキシエチルトリエトキシシランなどが例示できる。
これらの中でテトラアルコキシシラン、特にテトラエト
キシシランが最も入手し易いのでよく使われる。
シラン、テトラエトキシシラン、メチルトリエトキシシ
ラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリエトキ
シシラン、メタクリロキシトリエトキシシラン、グリシ
ジロキシエチルトリエトキシシランなどが例示できる。
これらの中でテトラアルコキシシラン、特にテトラエト
キシシランが最も入手し易いのでよく使われる。
【０００９】シリコンアルコキシドとしてテトラアルコ
キシシランを単独使用することにより緻密な高硬度の膜
が得られる。膜の硬度が高くなると製造時の加熱工程で
膜にクラックが生じ易くなるので、クラック発生を防止
するために、テトラアルコキシシランとメチルトリアル
コキシシシランを混合使用して膜に可撓性を持たせるこ
とが有効である。また使用時の膜の磨耗による耐久性の
劣化を防止し、かつ、下地の導電膜の表面粗度の影響を
受ける摩擦低減膜の表面粗度をより小さくするために、
膜の厚みは大きいほど良い。しかし厚膜化すると上記加
熱時のクラックが更に発生し易くなるので、上記混合使
用が好ましい。テトラエトキシシランとメチルトリエト
キシシランの好ましい混合比（重量比）は９５：５〜５
０：５０、より好ましくは８０：２０〜６０：４０であ
る。その他に、シリコンアルコキシドへのコロイダルシ
リカの添加も、同様に膜に可撓性を持たせるので、クラ
ック発生防止および厚膜化のために有効な手段であり、
好ましいコロイダルシリカの添加量はシリコンアルコキ
シドに対して２〜２０重量％である。
キシシランを単独使用することにより緻密な高硬度の膜
が得られる。膜の硬度が高くなると製造時の加熱工程で
膜にクラックが生じ易くなるので、クラック発生を防止
するために、テトラアルコキシシランとメチルトリアル
コキシシシランを混合使用して膜に可撓性を持たせるこ
とが有効である。また使用時の膜の磨耗による耐久性の
劣化を防止し、かつ、下地の導電膜の表面粗度の影響を
受ける摩擦低減膜の表面粗度をより小さくするために、
膜の厚みは大きいほど良い。しかし厚膜化すると上記加
熱時のクラックが更に発生し易くなるので、上記混合使
用が好ましい。テトラエトキシシランとメチルトリエト
キシシランの好ましい混合比（重量比）は９５：５〜５
０：５０、より好ましくは８０：２０〜６０：４０であ
る。その他に、シリコンアルコキシドへのコロイダルシ
リカの添加も、同様に膜に可撓性を持たせるので、クラ
ック発生防止および厚膜化のために有効な手段であり、
好ましいコロイダルシリカの添加量はシリコンアルコキ
シドに対して２〜２０重量％である。
【００１０】上記の溶剤としてはシリコンアルコキシド
および水のいずれとも相溶性のあるメタノール、エタノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、エチレン
グリコールなどのポリオール類、アセトン、メチルエチ
ルケトンなどのケトン類、エチルセロソルブなどのセロ
ソルブ類、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
のうちから１種または２種以上を選択して使用でき、使
用量としてはシリコンアルコキシド１モルに対し３モル
から４０モルが望ましい。これは、３モル以上では加水
分解速度が大きくなり過ぎて反応制御が難しく、４０モ
ル以上では逆に反応終了に時間がかかりすぎるためであ
る。
および水のいずれとも相溶性のあるメタノール、エタノ
ール、イソプロパノールなどのアルコール類、エチレン
グリコールなどのポリオール類、アセトン、メチルエチ
ルケトンなどのケトン類、エチルセロソルブなどのセロ
ソルブ類、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド
のうちから１種または２種以上を選択して使用でき、使
用量としてはシリコンアルコキシド１モルに対し３モル
から４０モルが望ましい。これは、３モル以上では加水
分解速度が大きくなり過ぎて反応制御が難しく、４０モ
ル以上では逆に反応終了に時間がかかりすぎるためであ
る。
【００１１】また、酸触媒としては塩酸、硝酸などの鉱
酸、酢酸、酪酸などの有機酸を使用することができ、添
加量はシリコンアルコキシド１モルに対し０．００１モ
ルから０．３モルが望ましい。加水分解のための水はシ
リコンアルコキシド１モルに対し、１〜１０モル、望ま
しくは２〜８モル添加される。
酸、酢酸、酪酸などの有機酸を使用することができ、添
加量はシリコンアルコキシド１モルに対し０．００１モ
ルから０．３モルが望ましい。加水分解のための水はシ
リコンアルコキシド１モルに対し、１〜１０モル、望ま
しくは２〜８モル添加される。
【００１２】還流温度は室温から８０℃の範囲で、溶
剤、水分、触媒量に応じて選択される。場合によって
は、還流中に減圧し、発生する水分やアルコールをトラ
ップして系を濃縮しても構わない。還流時間は還流温度
によって異なるが、３０分〜８時間の範囲内である。
剤、水分、触媒量に応じて選択される。場合によって
は、還流中に減圧し、発生する水分やアルコールをトラ
ップして系を濃縮しても構わない。還流時間は還流温度
によって異なるが、３０分〜８時間の範囲内である。
【００１３】上記環流により加水分解を終了した溶液
は、そのままあるいは溶剤により希釈される。その後、
基材表面粗度あるいは後述する湿式法によるコーティン
グ方法に応じて、不揮発分の重量が３％から１５％とな
るように調製される。
は、そのままあるいは溶剤により希釈される。その後、
基材表面粗度あるいは後述する湿式法によるコーティン
グ方法に応じて、不揮発分の重量が３％から１５％とな
るように調製される。
【００１４】潤滑剤成分はコーティング直前に、加水分
解を終了した上記溶液に添加しよく混合する。潤滑剤成
分であるポリジメチルシロキサンまたは変性ポリジメチ
ルシロキサンの添加量はシリコンアルコキシドに対して
０．１乃至１．２モル％とすることが好ましい。これ
は、０．１モル％未満では潤滑性が不十分となり易く、
１．２モル％より高くなると表面に余剰潤滑剤が滴状に
浮きだし易くなり、外観が悪くなるためである。
解を終了した上記溶液に添加しよく混合する。潤滑剤成
分であるポリジメチルシロキサンまたは変性ポリジメチ
ルシロキサンの添加量はシリコンアルコキシドに対して
０．１乃至１．２モル％とすることが好ましい。これ
は、０．１モル％未満では潤滑性が不十分となり易く、
１．２モル％より高くなると表面に余剰潤滑剤が滴状に
浮きだし易くなり、外観が悪くなるためである。
【００１５】潤滑剤成分として使用されるポリジメチル
シロキサンとは下記（２）式に示すものであり、変性ポ
リジメチルシロキサンとは、ポリジメチルシロキサンの
両末端、片末端、または側鎖のメチル基を他の官能基で
置換したものであり、以下に下記（３）式、（４）式、
および（５）式で表される変性ポリジメチルシロキサン
を例示する。ポリジメチルシロキサンまたは変性ポリジ
メチルシロキサンは単独で使用してもよく、またこれら
を２種以上混合して使用してもよい。
シロキサンとは下記（２）式に示すものであり、変性ポ
リジメチルシロキサンとは、ポリジメチルシロキサンの
両末端、片末端、または側鎖のメチル基を他の官能基で
置換したものであり、以下に下記（３）式、（４）式、
および（５）式で表される変性ポリジメチルシロキサン
を例示する。ポリジメチルシロキサンまたは変性ポリジ
メチルシロキサンは単独で使用してもよく、またこれら
を２種以上混合して使用してもよい。
【００１６】
【化２】 （ただし、ｎは整数である。）
【００１７】
【化３】 （ただし、ｎは整数を表し、Ｒ1 はそれぞれ単独に水酸
基、カルボキシアルキル基、そのアルキルエステル、ア
ミノアルキル基、ジアミノアルキル基、ヒドロキシアル
キル基またはジヒドロキシアルキル基を表す）
基、カルボキシアルキル基、そのアルキルエステル、ア
ミノアルキル基、ジアミノアルキル基、ヒドロキシアル
キル基またはジヒドロキシアルキル基を表す）
【００１８】
【化４】 （ただし、ｎは整数を表し、Ｒ2 は水酸基、カルボキシ
アルキル基、そのアルキルエステル、アミノアルキル
基、ジアミノアルキル基、ヒドロキシアルキル基または
ジヒドロキシアルキル基を表す）
アルキル基、そのアルキルエステル、アミノアルキル
基、ジアミノアルキル基、ヒドロキシアルキル基または
ジヒドロキシアルキル基を表す）
【００１９】
【化５】 （ただし、ｍはゼロまたは整数を表し、ｎは整数を表
し、Ｒ3 はアミノアルキル基、ジアミノアルキル基、カ
ルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、またはジ
ヒドロキシアルキル基を表す）
し、Ｒ3 はアミノアルキル基、ジアミノアルキル基、カ
ルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、またはジ
ヒドロキシアルキル基を表す）
【００２０】このような潤滑剤成分の例としては、ポリ
ジメチルシロキサン（チッソ製ＰＳ０４０）、片末端シ
ラノール変性ポリジメチルシロキサン、両末端シラノー
ル変性ポリジメチルシロキサン（分子量３２００、チッ
ソ製ＰＳ３４０．５およびＰＳ−３４１）、側鎖アミノ
変性ポリジメチルシロキサン（信越シリコーン製 ＫＦ
−８５９、ＫＦ−８６５）、側鎖カルビノール変性ポリ
シロキサン（東レシリコーン製 ＳＦ８４２８）、側鎖
カルボキシ変性ポリジメチルシロキサン（信越シリコー
ン、Ｘ−２２−３７１０）、両末端カルボキシル変性ポ
リジメチルシロキサン（東レシリコーン製、ＢＹ１６−
７５０）などが挙げられる。
ジメチルシロキサン（チッソ製ＰＳ０４０）、片末端シ
ラノール変性ポリジメチルシロキサン、両末端シラノー
ル変性ポリジメチルシロキサン（分子量３２００、チッ
ソ製ＰＳ３４０．５およびＰＳ−３４１）、側鎖アミノ
変性ポリジメチルシロキサン（信越シリコーン製 ＫＦ
−８５９、ＫＦ−８６５）、側鎖カルビノール変性ポリ
シロキサン（東レシリコーン製 ＳＦ８４２８）、側鎖
カルボキシ変性ポリジメチルシロキサン（信越シリコー
ン、Ｘ−２２−３７１０）、両末端カルボキシル変性ポ
リジメチルシロキサン（東レシリコーン製、ＢＹ１６−
７５０）などが挙げられる。
【００２１】これら潤滑剤成分の分子量は、粘度範囲で
表して、動粘度で５０ｃＳｔから１５００ｃＳｔの範囲
内になるようなものが望ましく、通常は１０００〜８０
００である。これは５０ｃＳｔ未満では潤滑性能が不十
分であり、１５００ｃＳｔより大きくなると作業性が不
良になるとともに被膜の厚みが不均一となって外観が悪
くなるためである。
表して、動粘度で５０ｃＳｔから１５００ｃＳｔの範囲
内になるようなものが望ましく、通常は１０００〜８０
００である。これは５０ｃＳｔ未満では潤滑性能が不十
分であり、１５００ｃＳｔより大きくなると作業性が不
良になるとともに被膜の厚みが不均一となって外観が悪
くなるためである。
【００２２】このようにして得た混合溶液をガラス板、
例えば酸化錫導電膜を表面に形成したソーダ石灰珪酸塩
ガラス板、その他の基材の表面に塗布（コーティング）
する。コーティング方法は、スピンコータ、ロールコー
タ、カーテンコータなどのコーティング装置を用いる方
法のほか、流し塗り法、浸漬引き上げ法、各種印刷法な
どを用いることができる。
例えば酸化錫導電膜を表面に形成したソーダ石灰珪酸塩
ガラス板、その他の基材の表面に塗布（コーティング）
する。コーティング方法は、スピンコータ、ロールコー
タ、カーテンコータなどのコーティング装置を用いる方
法のほか、流し塗り法、浸漬引き上げ法、各種印刷法な
どを用いることができる。
【００２３】風乾後のコーティング膜は、電気乾燥機そ
の他の加熱機を用いて１５０℃から２９０℃望ましくは
２００℃から２９０℃で加熱される。これは、加熱温度
が１５０℃よりも低いとシリカ膜の脱水縮合が進まず十
分な硬度が得られない、２９０℃よりも高いと潤滑性成
分が分解するためである。塗布厚みは、加熱後の膜の厚
みが１００〜２０００オングストロームの範囲になるよ
うに調節される。厚みがあまり小さいと耐久性が低く、
逆に大きすぎると膜にクラックが生じやすくなる。
の他の加熱機を用いて１５０℃から２９０℃望ましくは
２００℃から２９０℃で加熱される。これは、加熱温度
が１５０℃よりも低いとシリカ膜の脱水縮合が進まず十
分な硬度が得られない、２９０℃よりも高いと潤滑性成
分が分解するためである。塗布厚みは、加熱後の膜の厚
みが１００〜２０００オングストロームの範囲になるよ
うに調節される。厚みがあまり小さいと耐久性が低く、
逆に大きすぎると膜にクラックが生じやすくなる。
【００２４】これらの手順により、ポリジメチルシロキ
サン含有シリカ膜からなる摩擦低減膜を有する摩擦低減
物品、特に導電膜付きガラス膜面に摩擦低減膜を設け
た、紙つまり等の起こりにくい複写機用天板ガラスが得
られる。
サン含有シリカ膜からなる摩擦低減膜を有する摩擦低減
物品、特に導電膜付きガラス膜面に摩擦低減膜を設け
た、紙つまり等の起こりにくい複写機用天板ガラスが得
られる。
【００２５】本発明によって、ガラス板のような基材表
面の摩擦係数が低く、かつ帯電防止性を損なわない摩擦
低減物品が得られる。特に酸化錫膜等の透明導電膜を設
けた複写機用天板ガラスでは、一般に透明導電膜の表面
粗度が高くなって、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測
定で表面粗度Ｒａは２ｎｍを越える。このような導電膜
面に対して摩擦低減膜を設けることにより摩擦低減膜の
表面粗度は２ｎｍ未満となり、摩擦係数の減少に寄与す
る。
面の摩擦係数が低く、かつ帯電防止性を損なわない摩擦
低減物品が得られる。特に酸化錫膜等の透明導電膜を設
けた複写機用天板ガラスでは、一般に透明導電膜の表面
粗度が高くなって、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による測
定で表面粗度Ｒａは２ｎｍを越える。このような導電膜
面に対して摩擦低減膜を設けることにより摩擦低減膜の
表面粗度は２ｎｍ未満となり、摩擦係数の減少に寄与す
る。
【００２６】摩擦低減膜はシリカを主成分とするのでそ
の表面導電率は著しく小さいが、シリコンアルコキシド
から湿式法により作製されたシリカ質の摩擦低減膜は細
孔をもつ多孔質であり、摩擦低減膜の表面に発生した荷
電粒子はこの細孔を通じて導電膜に移動するため、帯電
防止機能が失われることはない。従って、紙つまり等の
起こりにくい摩擦低減膜を有する原稿自動供給機能付き
複写機用天板ガラスが提供される。
の表面導電率は著しく小さいが、シリコンアルコキシド
から湿式法により作製されたシリカ質の摩擦低減膜は細
孔をもつ多孔質であり、摩擦低減膜の表面に発生した荷
電粒子はこの細孔を通じて導電膜に移動するため、帯電
防止機能が失われることはない。従って、紙つまり等の
起こりにくい摩擦低減膜を有する原稿自動供給機能付き
複写機用天板ガラスが提供される。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を説明す
る。複写機原稿台用ガラスは、ガラス板上に導電膜、お
よびポリジメチルシロキサン含有シリカ膜がその順に積
層されてなるものである。そしてポリジメチルシロキサ
ン含有シリカ膜の外側表面層はポリジメチルシロキサン
を高い濃度で含む層である。導電膜は帯電防止を目的と
するものであり、例えば酸化錫、酸化インジウム、錫ド
ープインジウム（ＩＴＯ）等の被膜をスパッタリング
法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等によって形成した
ものである。
る。複写機原稿台用ガラスは、ガラス板上に導電膜、お
よびポリジメチルシロキサン含有シリカ膜がその順に積
層されてなるものである。そしてポリジメチルシロキサ
ン含有シリカ膜の外側表面層はポリジメチルシロキサン
を高い濃度で含む層である。導電膜は帯電防止を目的と
するものであり、例えば酸化錫、酸化インジウム、錫ド
ープインジウム（ＩＴＯ）等の被膜をスパッタリング
法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等によって形成した
ものである。
【００２８】実施例１ ＣＶＤ法により酸化錫導電膜を表面に形成した３０ｃｍ
×４５ｃｍ、厚み５ｍｍのソーダ石灰珪酸塩ガラス板を
用意した。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により導電膜の表
面粗度を測定したところ、Ｒａ値が約６ｎｍであった。
×４５ｃｍ、厚み５ｍｍのソーダ石灰珪酸塩ガラス板を
用意した。原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により導電膜の表
面粗度を測定したところ、Ｒａ値が約６ｎｍであった。
【００２９】テトラエトキシシラン１モルに対し、酢酸
０．１モル、純水１１モル、エタノール３６モルを加え
て、環流により５０℃で２時間攪拌した。室温下で約３
０時間静置した後、これに両末端シラノール変性ジメチ
ルポリシロキサン（チッソ製ＰＳ３４０．５、分子量３
２００）をテトラエトキシシラン１モルに対して０．０
０１２モル加えてよく攪拌後、この溶液を直ちにスピン
コート法により前記の酸化錫導電膜付きガラスの膜面上
にコーティングし、風乾後２５０℃で１００分間熱処理
した。厚みが約５００オングストロームのポリジメチル
シロキサン含有シリカ膜を形成した。ＡＦＭによるシリ
カ膜のＲａ値は約１ｎｍであり、シリカ膜の表面凹凸が
導電膜の表面凹凸よりも小さくなっていた。またポリジ
メチルシロキサン含有シリカ膜の外側表面ではポリジメ
チルシロキサンの濃度が高くなっていることが確かめら
れた。また帯電防止性は保たれていた。
０．１モル、純水１１モル、エタノール３６モルを加え
て、環流により５０℃で２時間攪拌した。室温下で約３
０時間静置した後、これに両末端シラノール変性ジメチ
ルポリシロキサン（チッソ製ＰＳ３４０．５、分子量３
２００）をテトラエトキシシラン１モルに対して０．０
０１２モル加えてよく攪拌後、この溶液を直ちにスピン
コート法により前記の酸化錫導電膜付きガラスの膜面上
にコーティングし、風乾後２５０℃で１００分間熱処理
した。厚みが約５００オングストロームのポリジメチル
シロキサン含有シリカ膜を形成した。ＡＦＭによるシリ
カ膜のＲａ値は約１ｎｍであり、シリカ膜の表面凹凸が
導電膜の表面凹凸よりも小さくなっていた。またポリジ
メチルシロキサン含有シリカ膜の外側表面ではポリジメ
チルシロキサンの濃度が高くなっていることが確かめら
れた。また帯電防止性は保たれていた。
【００３０】実施例２ 両末端シラノール変性ジメチルポリシロキサンの添加量
を０．００３モルとした以外は実施例１と同じ操作法に
より酸化錫膜上に厚みが約５００オングストロームのポ
リジメチルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
を０．００３モルとした以外は実施例１と同じ操作法に
より酸化錫膜上に厚みが約５００オングストロームのポ
リジメチルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
【００３１】実施例３ 両末端シラノール変性ジメチルポリシロキサンの添加量
を０．００６モルとした以外は実施例１と同じ操作法に
より酸化錫膜上に約５００オングストロームのポリジメ
チルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
を０．００６モルとした以外は実施例１と同じ操作法に
より酸化錫膜上に約５００オングストロームのポリジメ
チルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
【００３２】実施例１〜３で得られた酸化錫膜上のシリ
カ膜を目視により外観検査し、さらに、紙と膜面の動摩
擦係数を測定した。この測定には新東科学製の表面測定
機「ＨＥＩＤＯＮ−１４」を用い、摩擦測定用圧子に２
０ｍｍ×１００ｍｍの大きさのコピー用紙を取り付けて
平面圧子とし（ただし、実際の接触部分は２０ｍｍ×１
９ｍｍの大きさである）、この圧子に１００ｇの垂直荷
重を掛けて走査速度５０ｍｍ／分で測定した。この結果
を表−１に示す。因に未処理の導電膜の摩擦係数は０．
６であった。
カ膜を目視により外観検査し、さらに、紙と膜面の動摩
擦係数を測定した。この測定には新東科学製の表面測定
機「ＨＥＩＤＯＮ−１４」を用い、摩擦測定用圧子に２
０ｍｍ×１００ｍｍの大きさのコピー用紙を取り付けて
平面圧子とし（ただし、実際の接触部分は２０ｍｍ×１
９ｍｍの大きさである）、この圧子に１００ｇの垂直荷
重を掛けて走査速度５０ｍｍ／分で測定した。この結果
を表−１に示す。因に未処理の導電膜の摩擦係数は０．
６であった。
【００３３】
【表１】 表−１ ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝ ホ゜リシ゛メチルシロキサン添加量(モル) 外観 摩擦係数 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 実施例１ ０．００１２ 良好 ０．１ 実施例２ ０．００３ 良好 ０．１ 実施例３ ０．００６ 良好 ０．１ ＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝＝
【００３４】実施例４ 膜厚を１０００オングストロームとした以外は実施例１
と同じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサ
ン含有シリカ膜を形成した。
と同じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサ
ン含有シリカ膜を形成した。
【００３５】この膜の動摩擦係数を実施例１〜３と同様
な方法により測定したところ、摩擦係数が０．１以下で
あった。
な方法により測定したところ、摩擦係数が０．１以下で
あった。
【００３６】実施例５ コーティング装置としてロールコータを用いた以外は実
施例１と同じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシ
ロキサン含有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも
実施例１と差がなかった。
施例１と同じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシ
ロキサン含有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも
実施例１と差がなかった。
【００３７】実施例６ 酸触媒として酢酸に代えて塩酸をテトラエトキシシラン
１モルに対し０．０１モル添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも実施例１と
差がなかった。
１モルに対し０．０１モル添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも実施例１と
差がなかった。
【００３８】実施例７ 酸触媒として酢酸に代えて硝酸をテトラエトキシシラン
１モルに対し０．０１モル添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも実施例１と
差がなかった。
１モルに対し０．０１モル添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観、摩擦係数とも実施例１と
差がなかった。
【００３９】実施例８ 実施例１において調製したコーティング液にさらにエタ
ノールをテトラエトキシシラン１モルに対し１６７モル
を加え、コーティング方法を流し塗り法として酸化錫膜
上にポリジメチルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
外観、摩擦係数とも実施例１と差がなかった。
ノールをテトラエトキシシラン１モルに対し１６７モル
を加え、コーティング方法を流し塗り法として酸化錫膜
上にポリジメチルシロキサン含有シリカ膜を形成した。
外観、摩擦係数とも実施例１と差がなかった。
【００４０】実施例９ 潤滑剤成分としてカルビノール変性ポリシロキサン（東
レシリコーン製 ＳＦ８４２８）をテトラエトキシシラ
ン１ｇに対して０．０４ｇ添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観良好、摩擦係数は０．０８
と実施例１よりも低かった。
レシリコーン製 ＳＦ８４２８）をテトラエトキシシラ
ン１ｇに対して０．０４ｇ添加した以外は実施例１と同
じ操作法により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含
有シリカ膜を形成した。外観良好、摩擦係数は０．０８
と実施例１よりも低かった。
【００４１】実施例１０ 潤滑剤成分としてアミノ変性ポリシロキサン（信越シリ
コーン製 ＫＦ８５９）をテトラエトキシシラン１ｇに
対して０．０４ｇ添加した以外は実施例１と同じ操作法
により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含有シリカ
膜を形成した。外観良好、摩擦係数は０．０５と実施例
１よりも低かった。
コーン製 ＫＦ８５９）をテトラエトキシシラン１ｇに
対して０．０４ｇ添加した以外は実施例１と同じ操作法
により酸化錫膜上にポリジメチルシロキサン含有シリカ
膜を形成した。外観良好、摩擦係数は０．０５と実施例
１よりも低かった。
【００４２】比較例 シリコンアルコキシドを使用せずに、潤滑剤成分として
両末端シラノール変性ジメチルポリシロキサン（チッソ
製 ＰＳ３４０．５）のみを使用し、これをエタノール
で５００倍（重量比）に希釈して潤滑層形成溶液を調製
した。そして、この溶液をベンコットクリーンルーム用
ワイピングクロスに含ませて酸化錫膜上にむらなく塗布
し、同じワイピングクロスを巻いたスポンジブロックで
仕上げの空拭きを行って厚みが約５０オングストローム
の潤滑層を形成した。外観は良好であったが、摩擦係数
は０．５２と非常に高かった。潤滑層の厚みが小さいの
でその表面凹凸は導電膜の表面凹凸よりもそれ程小さく
ならず、従って殆ど摩擦低減効果がなかった。
両末端シラノール変性ジメチルポリシロキサン（チッソ
製 ＰＳ３４０．５）のみを使用し、これをエタノール
で５００倍（重量比）に希釈して潤滑層形成溶液を調製
した。そして、この溶液をベンコットクリーンルーム用
ワイピングクロスに含ませて酸化錫膜上にむらなく塗布
し、同じワイピングクロスを巻いたスポンジブロックで
仕上げの空拭きを行って厚みが約５０オングストローム
の潤滑層を形成した。外観は良好であったが、摩擦係数
は０．５２と非常に高かった。潤滑層の厚みが小さいの
でその表面凹凸は導電膜の表面凹凸よりもそれ程小さく
ならず、従って殆ど摩擦低減効果がなかった。
【００４３】
【発明の効果】本発明により、表面の摩擦抵抗が大きく
て原稿の滑りがわるい導電膜付複写機原稿台ガラスの摩
擦係数を帯電防止性能を損なうことなく低減できるた
め、従来同目的に使用できなかった、表面粗度の高い透
明導電膜付きガラスであっても良好な潤滑性が得られ、
摩擦の極めて小さい複写機原稿台ガラスを提供できる。
て原稿の滑りがわるい導電膜付複写機原稿台ガラスの摩
擦係数を帯電防止性能を損なうことなく低減できるた
め、従来同目的に使用できなかった、表面粗度の高い透
明導電膜付きガラスであっても良好な潤滑性が得られ、
摩擦の極めて小さい複写機原稿台ガラスを提供できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 達也 大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本 板硝子株式会社内 (72)発明者 滝川 章雄 大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本 板硝子株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコンアルコキシドの加水分解物と、
ポリジメチルシロキサンまたは／および変性ポリジメチ
ルシロキサンとの混合溶液を基材上に塗布し加熱してな
る摩擦低減物品。 - 【請求項２】 前記混合溶液中に前記ポリジメチルシロ
キサンまたは／および変性ポリジメチルシロキサンが前
記シリコンアルコキシドに対して０．１〜１．２モル％
含有されている請求項１記載の摩擦低減物品。 - 【請求項３】 前記シリコンアルコキシドが下記（１）
式に示すシリコンアルコキシドである請求項１記載の摩
擦低減物品。 【化１】Ｒk−Ｓｉ−（ＯＲ’）4-k （１） （但し、Ｒはメチル基、エチル基、プロピル基、ビニル
基、アクリロキシル基、メタクリロキシル基、またはヒ
ドロキシメチルメタクリロキシル基を表し、ＯＲ’はメ
トキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、またはグリ
シジロキシル基を表す。ｋは０または１である。） - 【請求項４】 前記ポリジメチルシロキサンが下記
（２）式で表される請求項１記載の摩擦低減物品。 【化２】 （但し、ｎは正の整数である。） - 【請求項５】 前記変性ポリジメチルシロキサンが下記
（３）式で表される請求項１記載の摩擦低減物品。 【化３】 （ただし、Ｒ1 はそれぞれ単独に水酸基、カルボキシア
ルキル基、そのアルキルエステル、アミノアルキル基、
ジアミノアルキル基、ヒドロキシアルキル基またはジヒ
ドロキシアルキル基を表し、ｎは正の整数である。） - 【請求項６】 前記性ポリジメチルシロキサンが下記
（４）式で表される請求項１記載の摩擦低減物品。 【化４】 （ただし、Ｒ2 は水酸基、カルボキシアルキル基、その
アルキルエステル、アミノアルキル基、ジアミノアルキ
ル基、ヒドロキシアルキル基またはジヒドロキシアルキ
ル基を表し、ｎは正の整数である。） - 【請求項７】 前記変性ポリジメチルシロキサンが下記
（５）式で表される請求項１記載の摩擦低減物品。 【化５】 （ただし、Ｒ3 はアミノアルキル基、ジアミノアルキル
基、カルボキシアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ジ
ヒドロキシアルキル基を表し、ｍはゼロまたは整数を表
し、ｎは整数を表す。） - 【請求項８】 前記基材は導電膜が被覆された透明ガラ
ス板である、複写機原稿台用ガラスに適した請求項１記
載の摩擦低減物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14549096A JP3928191B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 摩擦が低減された複写機原稿台用ガラスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14549096A JP3928191B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 摩擦が低減された複写機原稿台用ガラスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09324171A true JPH09324171A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3928191B2 JP3928191B2 (ja) | 2007-06-13 |
Family
ID=15386477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14549096A Expired - Fee Related JP3928191B2 (ja) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 摩擦が低減された複写機原稿台用ガラスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3928191B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044755A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Novo Nordisk A/S | Medical article with coated surfaces exhibiting low friction and low protein adsorption |
| WO1999044754A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Novo Nordisk A/S | Coating system providing low friction |
| KR100396369B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2003-09-02 | 주식회사 엘지화학 | 내스크래치성이 우수한 도전막 피복 조성물 및 이를이용한 도전막의 제조방법 |
| KR100453919B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2004-10-20 | 주식회사 엘지화학 | 고내열성 착색 및 대전방지 특성을 갖는 피복 조성물 |
| WO2006080188A1 (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガラス部材、読み取りガラス、それを用いた読取装置及び画像形成装置 |
| JP2014055227A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Taihokohzai:Kk | 表面処理組成物 |
| WO2018044687A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating compositions and coatings for adjusting friction |
| WO2022196336A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
-
1996
- 1996-06-07 JP JP14549096A patent/JP3928191B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999044755A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Novo Nordisk A/S | Medical article with coated surfaces exhibiting low friction and low protein adsorption |
| WO1999044754A1 (en) * | 1998-03-06 | 1999-09-10 | Novo Nordisk A/S | Coating system providing low friction |
| KR100396369B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2003-09-02 | 주식회사 엘지화학 | 내스크래치성이 우수한 도전막 피복 조성물 및 이를이용한 도전막의 제조방법 |
| KR100453919B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2004-10-20 | 주식회사 엘지화학 | 고내열성 착색 및 대전방지 특성을 갖는 피복 조성물 |
| WO2006080188A1 (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ガラス部材、読み取りガラス、それを用いた読取装置及び画像形成装置 |
| JP5082842B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2012-11-28 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | ガラス部材、読み取りガラス、それを用いた読取装置及び画像形成装置 |
| JP2014055227A (ja) * | 2012-09-12 | 2014-03-27 | Taihokohzai:Kk | 表面処理組成物 |
| WO2018044687A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating compositions and coatings for adjusting friction |
| CN109642116A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-16 | Ppg工业俄亥俄公司 | 涂料组合物及用于调整摩擦的涂料 |
| US10308771B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-06-04 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Coating compositions and coatings for adjusting friction |
| TWI705989B (zh) * | 2016-08-31 | 2020-10-01 | 美商片片堅俄亥俄州工業公司 | 塗料組合物及用於調整摩擦之塗料 |
| CN109642116B (zh) * | 2016-08-31 | 2021-01-29 | Ppg工业俄亥俄公司 | 涂料组合物及用于调整摩擦的涂料 |
| WO2022196336A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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|---|---|
| JP3928191B2 (ja) | 2007-06-13 |
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