JPH09321095A - バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法 - Google Patents

バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法

Info

Publication number
JPH09321095A
JPH09321095A JP8129660A JP12966096A JPH09321095A JP H09321095 A JPH09321095 A JP H09321095A JP 8129660 A JP8129660 A JP 8129660A JP 12966096 A JP12966096 A JP 12966096A JP H09321095 A JPH09321095 A JP H09321095A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
output
value
bump
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8129660A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3318669B2 (ja
Inventor
Tomotoshi Satou
知稔 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP12966096A priority Critical patent/JP3318669B2/ja
Publication of JPH09321095A publication Critical patent/JPH09321095A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3318669B2 publication Critical patent/JP3318669B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19043—Component type being a resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ボンディング不良を確実に検出するとともに、
キャピラリ詰まりを未然に防止できるようにする。 【解決手段】トーチ電源１の出力電圧値と判定基準電圧
値とを比較回路２で比較し、比較回路２からの出力が与
えられときに、直前のボンディングがミスボンディング
であるとしてＲＳフリップフロップ３にそれを保持する
ように構成している。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等に形
成される突起状の接続電極であるバンプの形成に関し、
さらに詳しくは、電気トーチによりワイヤ先端を溶融し
て形成されたボールを、半導体素子に押し付けてバンプ
を形成するボールボンディング方式によるバンプの形成
に関し、特には、そのボンディング不良の検出方法、検
出装置およびボンディング装置の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子上に、突起状の接続電極であ
るバンプを形成する技術として、図１４に示されるボー
ルボンディング方式がある。
【０００３】このボールボンディング方式は、同図
（Ａ）に示されるように、キャピラリ２３から若干ワイ
ヤ２４の先端を突出させた状態で、タングステンなど高
融点材料からなるトーチ電極２５を、ワイヤ２４の真下
に配置し、図示しない高電圧発生回路であるトーチ電源
の出力電圧によって、同図（Ｂ）に示されるように、ワ
イヤ先端とトーチ電極２５との間で高電圧を印加して放
電させ、この放電エネルギーによってワイヤ先端を溶融
させてボール状２８とし、トーチ電極２５を退避させた
後に、キャピラリ２３をボンディング対象であるＩＣ２
６のパッドに押し付けて圧接し、ワイヤ２４を把持して
キャピラリ２３を引き上げることにより、ワイヤの途中
が破断されてバンプ２７が形成されるものである。
【０００４】従来のボンディング装置は、放電時に流れ
るトーチ電源の電流値をモニタしてワイヤ先端にボール
が形成できたか否かを判定し、ボールが形成できたと判
定され続ける限り、次のボンディング対象に進むように
構成されている。
【０００５】すなわち、針状のワイヤの先端が、ボール
状になるときに流れる電流の値は、大体決まっているの
で、ある所定値を設定し、その設定値より高い電流が流
れたか否かでワイヤ先端がボール状に形成されたか否か
を判定するのである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ワイヤ先端にボールが形成できたか否かを判定する従来
例では、次のボンディングを行える状態にあるか否かの
判定を行っているだけであって、それまでのボンディン
グが正しく行えたか否かについての確実な判定にはなら
ない場合がある。
【０００７】すなわち、ボール状にしたワイヤが、ボン
ディング対象であるＩＣ２６のパッドに圧着せず、図１
５に示されるように、引き上げたキャピラリ２３のワイ
ヤ２４の先端にくっついたまま戻ってくる現象（以下
「ミスボンディング」という）が発生しても、次のトー
チ電極の放電によるボール形成工程で設定値以上の電流
値を検出すれば、不良なしと判定されてしまい、ミスボ
ンディングは、見逃されることになり、このため、従来
では、ミスボンディングのチェックが後で必要になると
いう難点がある。なお、このミスボンディングは、圧接
力の不足などのボンディング条件の不良、あるいは、汚
れなどのボンディング対象の不良によって、ボール状の
ワイヤをボンディング対象に圧接した部分の接合強度が
十分でない場合に発生する。
【０００８】また、このミスボンディングは、単発で発
生して次のボンディングで自動的に復旧する場合も多い
が、ミスボンディングが連続して発生した場合、すなわ
ち、連続するボンディング対象へのボンディングが、す
べてミスボンディングになり続けた場合には、ワイヤ先
端は、徐々に酸化されてセラミックスであるキャピラリ
に付着し易くなり、キャピラリ詰まりを生じることにな
るが、従来では、このようなミスボンディングの連続発
生に起因するキャピラリ詰まりという事態を未然に防止
できないという難点がある。
【０００９】Ａｕワイヤなど酸化されにくいワイヤを用
いてバンプ形成を行う場合は、放電開始電圧が安定して
いるので、正常にボンディング行われたワイヤ先端に放
電する場合と、ミスボンディングの後のボール状のワイ
ヤ先端に放電する場合との放電開始電圧の差が大きく、
したがって、トーチ電源の出力電圧を適当に設定すれ
ば、ミスボンディングが発生した後には、放電を行えな
いようにすることも可能である。
【００１０】しかしながら、半田や銅などの酸化されや
すい材料のワイヤを用いてバンプ形成を行う場合には、
酸化の状態のバラツキによる放電開始電圧のバラツキ
や、酸化膜バリアを破って放電させるに高い電圧上昇率
が必要になるなどの点で、トーチ電源の出力電圧を、Ａ
ｕワイヤの場合にように設定するのが困難であり、した
がって、ミスボンディングが発生した後の放電を停止さ
せるのは困難であり、ミスボンディングを検出しない限
り、ボンディングは継続して行われることになる。
【００１１】本発明は、上述の点に鑑みてなされたもの
であって、ボールボンディング方式によるバンプの形成
において、ミスボンディングといったボンディング不良
を確実に検出できるようにするとともに、ミスボンディ
ングの連続発生に起因するキャピラリ詰まりを未然に防
止できるようにすることを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために、次のような点に着目して創案されたも
のである。
【００１３】すなわち、ボールボンディング方式による
バンプの形成において、正常にボンディングが行われた
場合には、次のボンディングのためのボール形成は、前
回のボンディング後に切断された先鋭なワイヤ先端に放
電することになるが、ミスボンディングが発生した場合
には、次のボンディングのためのボール形成は、正常な
場合と異なり、ミスボンディングしたボール状のワイヤ
先端に放電することになる。
【００１４】このように放電するワイヤ先端の形状が異
なるために、放電開始電圧も異なることになり、切断さ
れた先鋭なワイヤ先端では、電界が強くなって放電開始
電圧の絶対値は小さくなるが、ミスボンディングした後
のボール状のワイヤ先端では、電界が弱くなるので放電
開始電圧の絶対値は大きくなる。
【００１５】したがって、トーチ電源の出力電圧をモニ
タして、放電開始電圧を測定することで正常なワイヤ先
端に対して放電したのか、あるいは、ミスボンディング
した後のボール状のワイヤ先端に放電したのかを判定で
き、このとき、ミスボンディングした後のボール状のワ
イヤ先端に放電したのであれば、その直前のボンディン
グが不良であったと判定できることになる。
【００１６】そこで、本発明のバンプ形成におけるボン
ディング不良検出方法は、ワイヤ先端とトーチ電極との
間に高電圧を印加することによって前記ワイヤ先端を溶
融して形成したボールを、ボンディング対象に圧接して
バンプを形成するボールボンディング方式のバンプの形
成において、前記高電圧を印加するトーチ電源の出力電
圧の絶対値が、予め定めた値を越えるか否かに基づい
て、ボンディング不良を検出するものである。
【００１７】また、本発明のボンディング不良検出装置
は、ワイヤ先端とトーチ電極との間に高電圧を印加する
ことによって前記ワイヤ先端を溶融して形成したボール
を、ボンディング対象に圧接してバンプを形成するボー
ルボンディング方式のバンプの形成におけるボンディン
グ不良の検出装置であって、前記高電圧を印加するトー
チ電源の出力電圧値と判定基準値とを比較する比較回路
を備え、前記比較回路の出力によってボンディング不良
を検出するものである。
【００１８】このボンディング不良検出装置は、比較回
路の出力を保持する保持回路を備える構成としてもよ
く、あるいは、比較回路の出力によってボンディング不
良が検出された直前のボンディング位置の情報を、記憶
する記憶回路を備える構成としてもよい。
【００１９】さらに、ボンディング不良検出装置は、前
記比較回路として、出力電圧値に代えて、トーチ電源の
出力開始から放電電流が流れ始めるまでの時間の計測値
と、判定基準値とを比較する構成としてよい。
【００２０】また、本発明のボンディング装置の制御方
法は、ワイヤ先端とトーチ電極との間に高電圧を印加す
ることによって前記ワイヤ先端を溶融して形成したボー
ルを、ボンディング対象に圧接してバンプを形成するボ
ールボンディング方式のバンプの形成におけるボンディ
ング装置の制御方法であって、前記高電圧を印加するト
ーチ電源の出力電圧の直近の指定回数の平均値または合
計値に基づいて、それ以降のボンディングを停止させる
か否かを制御するものである。
【００２１】本発明のボンディング不良検出方法によれ
ば、高電圧を印加するトーチ電源の出力電圧の絶対値
が、予め定めた値を越えるか否かに基づいて、ボンディ
ング不良を検出するので、正常にボンディングが行われ
た後の先鋭なワイヤ先端への放電は、トーチ電源の出力
電圧の絶対値が小さくなって前記予め定めた値を越える
ことがなく、また、ミスボンディングが発生した後のボ
ール状のワイヤ先端への放電は、トーチ電源の出力電圧
の絶対値が大きくなって前記予め定めた値を越えること
になり、ミスボンディング、すなわち、ボンディング不
良を確実に検出できることになる。
【００２２】また、本発明のボンディング不良検出装置
によれば、高電圧を印加するトーチ電源の出力電圧値
と、判定基準値とを比較する比較回路を備え、前記比較
回路の出力によってボンディング不良を検出するので、
本発明方法と同様に、ボンディング不良を確実に検出で
きることになる。
【００２３】また、本発明のボンディング不良検出装置
によれば、比較回路の出力を保持する保持回路を備えて
いるので、ボンディング不良が生じた場合には、それが
保持回路に保持されるので、ボンディング不良が生じた
時に直ちにボンディング装置を停止させる必要がなく、
例えば、１ラインの工程終了後に、保持回路のデータに
基づいて、ボンディング不良の箇所を特定してボンディ
ングをやり直すことができ、さらに、ボンディング不良
が検出された直前のボンディング位置の情報を、記憶す
る記憶回路を備えているので、ボンディング不良の箇所
の特定が容易となる。なお、ボンディング装置を直ちに
停止させる必要がないので、ボンディング装置を停止さ
せた場合に生じる虞れのあるキャピラリ詰まりの発生を
防止することができ、処理の低下をもたらすことがな
い。
【００２４】また、本発明のボンディング不良検出装置
によれば、比較回路として、トーチ電源の出力電圧値に
代えて、トーチ電源の出力開始から放電電流が流れ始め
るまでの時間の計測値と、判定基準値とを比較する構成
としているので、回路構成を簡素化できる。
【００２５】また、本発明のボンディング装置の制御方
法によれば、トーチ電源の出力電圧の直近の指定回数の
平均値または合計値に基づいて、それ以降のボンディン
グを停止させるか否かを制御するので、ミスボンディン
グが連続した場合には、前記平均値または合計値に基づ
いてそれを検出し、ボンディング装置を停止させること
ができ、ミスボンディングの連続発生に起因するキャピ
ラリ詰まりを防止することができる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、図面によって本発明の実施
の形態について、詳細に説明する。
【００２７】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１に係るボンディング不良検出装置の要部のブロッ
ク図である。
【００２８】この実施の形態のボンディング不良検出装
置は、上述の図１４に示されるように、キャピラリ２３
から半田のワイヤ２４の先端を突出させた状態で、トー
チ電極２５をワイヤ２４の真下に配置し、トーチ電源１
の出力電圧によって、ワイヤ先端とトーチ電極２５との
間で高電圧を印加して放電させ、この放電エネルギーに
よってワイヤ先端を溶融させてボール状とし、キャピラ
リ２３をボンディング対象であるＩＣ２６のパッドに押
し付けて圧接し、ワイヤ２４を把持してキャピラリ２３
を引き上げることにより、バンプ２７が形成されるボー
ルボンディング方式のバンプの形成におけるボンディン
グ不良を検出するものである。
【００２９】このボンディング不良検出装置は、ミスボ
ンディングを検出するものであり、ワイヤ先端とトーチ
電極２５との間に高電圧を印加するトーチ電源１の出力
電圧値と、判定基準電圧値とを比較する比較回路２と、
この比較回路２の出力を保持する保持回路としてのＲＳ
フリップフロップ３とを備えている。
【００３０】ここで、このボンディング不良検出装置に
よるミスボンディングの検出原理を説明する。
【００３１】図２（Ａ），（Ｂ）は、トーチ電源１の出
力電圧および出力電流の波形図であり、図３は、正常な
ワイヤ先端またはミスボンディング後のワイヤ先端に放
電したときのトーチ電源１の出力電圧の最高値である放
電開始電圧の分布を示したものであり、実線が正常なワ
イヤ先端に放電した場合を示し、破線がミスボンディン
グ後のワイヤ先端に放電した場合をそれぞれ示してい
る。なお、ワイヤとしては半田を用いた場合を示してお
り、また、トーチ電源１の出力電圧は、ＧＮＤ（接地＝
ワイヤ先端）に対して負電圧であるが、説明では絶対値
として以下大小を論じる。
【００３２】図２において、Ｖ１は放電開始電圧、Ｖ２
は放電維持電圧、Ｔ１は放電持続期間を示しており、こ
の図２に示されるように、放電開始電圧Ｖ１は、トーチ
電源１の出力電圧の最高値であることがわかる。
【００３３】また、図３に示されているように、破線で
示されるミスボンディングの後の放電開始電圧と、実線
で示される正常な場合の放電開始電圧とは、両者の分布
を最もよく分離する電圧値、例えば、１.２ｋＶ程度で
分ければ、９９％以上の確率で正常のボンディング後の
先鋭なワイヤ先端への放電であるか、あるいは、ミスボ
ンディング後のボール状のワイヤ先端への放電であるか
を判定できることになる。
【００３４】したがって、トーチ電源１の出力電圧の最
高値が、予め定めた判定基準電圧値を越えるか否かによ
って、一つ前のボンディングの良否判定を行うことが可
能となる。実際には、放電開始電圧が高い方が不良、す
なわちミスボンディング後であるので、モニタしている
トーチ電源１の出力電圧が、判定基準電圧値を越えた時
点で不良と判定できる。
【００３５】そこで、この実施の形態のボンディング不
良検出装置では、上述のように、トーチ電源１の出力電
圧値と、判定基準電圧値とを比較する電圧比較器からな
る比較回路２と、この比較回路２の出力を保持する保持
回路としてのＲＳフリップフロップ３とを備えている。
【００３６】トーチ電源１の出力電圧は２〜３ｋＶと高
く、また、出力インピーダンスも１０4Ωオーダと高い
ので、この実施の形態では、図１に示されるように、出
力電圧を抵抗Ｒ１，Ｒ２で抵抗分割してモニタしてお
り、抵抗Ｒ１，Ｒ２は、トーチ電源１の出力インピーダ
ンスより十分大きくすることが必要である。抵抗分割し
たトーチ電源１の出力電圧値と、抵抗分割分だけ補正し
た判定基準電圧値（抵抗Ｒ３、Ｒ４で電源電圧を分圧し
たもの）とを比較回路２で比較し、比較回路２からハイ
レベルの出力が得られたならば、ミスボンディングがあ
ったと判定される。
【００３７】このボンディング不良検出装置では、ミス
ボンディングの有無を判定するだけなので、比較回路２
の出力でＲＳフリップフロップ３をセットして不良があ
ったことのみを記憶する。
【００３８】図４は、このボンディング不良検出装置の
動作説明に供するタイミングチャートであり、同図
（Ａ）はＧＮＤ基準でのトーチ電源１の出力電圧、同図
（Ｂ）は比較回路２の出力、同図（Ｃ）はＲＳフリップ
フロップ３の出力をそれぞれ示している。
【００３９】前回のボンディングが正常に行われたとき
には、その次のボンディングの放電開始電圧Ｖ１ａは、
ミスボンディングの判定基準電圧値Ｌ１を越えないの
で、比較回路２の出力はローレベルのままであるが、前
回のボンディングがミスボンディングであったときに
は、その次のボンディングの放電開始電圧Ｖ１ｂは、ミ
スボンディングの判定基準電圧値Ｌ１を越えることにな
り、比較回路２は、ミスボンディングに対応したハイレ
ベルの出力をＲＳフリップフロップ３のセット端子に与
え、ＲＳフリップフロップ３がセットされてその状態に
保持されることになる。
【００４０】このようにして前回のボンディングが、ミ
スボンディングであったときには、ＲＳフリップフロッ
プ３がセットされることになる。
【００４１】なお、ＲＳフリップフロップ３は、例え
ば、図示しないボンディング装置の制御用コンピュータ
にミスボンディングがあったことを示すデータとして入
力された後に、前記制御コンピュータからのリセット信
号によってリセットされ、ボンディングは継続して行わ
れ、例えば、１ラインのボンディングの終了後に、ミス
ボンディングが発生した箇所のボンディングがやり直さ
れる。
【００４２】このようにしてミスボンディングを確実に
検出することができ、特に、半田や銅などの酸化され易
いワイヤを用いるバンプ形成に有効である。
【００４３】また、キャピラリ詰まりが生じないような
単発のミスボンディングの発生では、ボンディング装置
を停止させないので、処理の低下をきたすこともない。
【００４４】（実施の形態２）図５は、本発明の実施の
形態２に係るボンディング不良検出装置の要部のブロッ
ク図であり、上述の実施の形態１に対応する部分には、
同一の参照符号を付す。
【００４５】この実施の形態のボンディング不良検出装
置は、上述の実施の形態と同様に、トーチ電源１の出力
電圧値と予め定めた判定基準電圧値とを比較する比較回
路２を備えるとともに、この比較回路２の出力をクロッ
クとして計数してその計数値をアドレスとして出力する
カウンタ４と、ボンディング位置などを示すボンディン
グ情報を１回分遅らせて出力する遅延フリップフロップ
５と、比較回路２の出力が書き込みクロックとして与え
られてミスボンディングの度に、カウンタ４の出力で指
定されたアドレスに、遅延フリップフロップ５からのボ
ンディング情報を書き込むメモリ６とを備えている。
【００４６】この実施の形態では、比較回路２からのミ
スボンディングに対応した出力が与えられると、その出
力を計数するカウンタ４の出力によって指定されたメモ
リ６のアドレスに、遅延フリップフロップ５によって１
回のボンディング分遅延されたボンディング位置の情
報、すなわち、ミスボンディングが発生した前回のボン
ディング位置の情報が、書き込まれることになり、ミス
ボンディングが発生する度に、ミスボンディングが発生
したボンディング位置の情報が、順次アドレスをずらし
てメモリ６に書き込まれることになり、複数のミスボン
ディングが発生しても別々に記憶できるようにしてい
る。
【００４７】なお、遅延フリップフロップ５では、トー
チ電源１への出力要求信号で１回のボンディングのタイ
ミングを遅らせるようにしており、この出力要求信号、
ボンディング情報は、ボンディング装置の制御用コンピ
ュータから与えられる。
【００４８】図６は、このボンディング不良検出装置の
動作説明に供するタイミングチャートであり、同図
（Ａ）はトーチ電源１の出力電圧、同図（Ｂ）は比較回
路２の出力、同図（Ｃ）は遅延フリップフロップ５の出
力、同図（Ｄ）はカウンタ４の出力をそれぞれ示してい
る。
【００４９】この図６においては、２回のボンディング
Ｂ２，Ｂ３の状態を示しており、ボンディングＢ２の一
つ前の図示しないボンディングＢ１は正常にボンディン
グが行われ、ボンディングＢ２がミスボンディングであ
った場合を示している。
【００５０】ボンディングＢ２における放電開始電圧
は、前回のボンディングＢ１が正常であるので、判定基
準電圧値を越えることがなく、したがって、比較回路２
の出力が与えられず、メモリ６にボンディング情報が記
憶されることがない。次のボンディングＢ３における放
電開始電圧は、前回のボンディングＢ２がミスボンディ
ングであるので、判定基準電圧値を越えることになり、
比較回路２からは、ミスボンディングを示すローレベル
の出力が与えられることになり、カウンタ４で指定され
たメモリ６のアドレスに、遅延フリップフロップ５で遅
延された前回のボンディング情報、すなわち、ボンディ
ングＢ２のボンディング位置などを示すボンディング情
報が書き込まれることになる。また、比較回路２の出力
によって、カウンタ４の計数値がカウントアップされて
次回のアドレスが指定されることになる。
【００５１】なお、この実施の形態では、例えば、１ラ
インのボンディングの終了後に、ボンディング装置の制
御用コンピュータは、遅延フリップフロップ５、カウン
タ４およびメモリ６の出力制御端子にコントロール信号
を与えて、記憶したミスボンディングの情報を読み出し
できるようにしており、この情報によって、容易にミス
ボンディングの箇所を特定してボンディングをやり直す
ことが可能である。
【００５２】（実施の形態３）図７は、本発明の実施の
形態３に係るボンディング不良検出装置の要部のブロッ
ク図であり、上述の実施の形態１に対応する部分には、
同一の参照符号を付す。
【００５３】この実施の形態のボンディング不良検出装
置では、トーチ電源１の出力電圧を、抵抗Ｒ１，Ｒ２で
抵抗分割してピークホールド回路７で最高電圧値である
放電開始電圧を取り出し、反転アンプ８で正の値にし
て、Ａ／Ｄコンバータ９でディジタル値に変換し、この
ディジタル値とスイッチ１０に設定されたディジタルの
判定基準値とを比較回路１１で比較するように構成して
おり、前回のボンディングがミスボンディングであった
ときには、実施の形態１と同様に、比較回路１１からハ
イレベルの出力が得られるようになっている。
【００５４】図８は、このボンディング不良検出装置の
動作説明に供するタイミングチャートであり、同図
（Ａ）はトーチ電源１の出力電圧、同図（Ｂ）はピーク
ホールド回路７の出力、同図（Ｃ）は反転アンプ８の出
力、同図（Ｄ）はＡ／Ｄコンバータ９の出力をそれぞれ
示している。
【００５５】ピークホールド回路７は、トーチ電源１の
出力電圧の最大値、すなわち、放電開始電圧を保持し、
反転アンプ８で極性を反転させてＡ／Ｄコンバータ９で
ディジタル値に変換するものである。なお、Ｔ２は変換
時間である。
【００５６】この実施の形態では、Ａ／Ｄコンバータ９
の出力、すなわち、放電開始電圧のディジタル値が、図
示しないボンディング装置の制御用コンピュータに与え
られており、ミスボンディングが連続した場合には、キ
ャピラリ詰まりが生じる虞れがあるので、ボンディング
装置を停止させるようにしている。
【００５７】このボンディング装置の制御用コンピュー
タは、直近の指定回数の放電開始電圧の合計値を、予め
定めた判定基準値と比較し、合計値が判定基準値を越え
たときには、ミスボンディングが連続したと判断してそ
れ以降のボンディングを停止させるものである。
【００５８】ここで、制御用コンピュータにおけるボン
ディング停止のための処理について説明する。
【００５９】今、過去ｘ回の放電があり、その放電開始
電圧をＶi（ｉ＝１，２，３，…ｘ）とし、ｉ回目から
の放電開始電圧の合計をａi＝Ｖi＋Ｖi+1＋…＋Ｖxとす
る。
【００６０】直近のＮ回の合計電圧値のみに着目するた
めに、ａ1，ａ2，…ａx-Nについては不要なデータであ
る。
【００６１】 ａx-N+1＝Ｖx-N+1＋Ｖx-N+2＋…＋Ｖx ：これが直近のＮ回前からの放電開始 電圧の合計値であり、判定に用いる 値である。
【００６２】 ａX-N+2＝ Ｖx-N+2＋…＋Ｖx ：これらは、今回の判定では関係な ： ： いが、今後のために蓄積する。
【００６３】 ａx ＝ Ｖx ｘ＋１回目では、 ａx-N+1＝Ｖx-N+1＋Ｖx-N+2＋Ｖx-N+3＋…＋Ｖx＋Ｖx+1 ：これは不要なデー タである。
【００６４】 ａX-N+2＝ Ｖx-N+2＋Ｖx-N+3＋…＋Ｖx＋Ｖx+1 ：今度はこれが、Ｎ 回前からの放電開 始電電圧の合計値 であり、判定に用 いる値である。
【００６５】 ａX-N+3＝ Ｖx-N+3＋…＋Ｖx＋Ｖx+1：これらは、今回の ： ： 判定に関係ないが ： ： 、今後のために蓄 積する。
【００６６】 ａx ＝ Ｖx＋Ｖx+1 ａx+1＝ Ｖx+1 ここで、ｘ＋１回目について考える。ボンディング装置
の制御用コンピュータのメモリを効率的に利用するとと
もに、演算処理を簡単にするために、ｘ＋１回目に不要
となった要素ａx-N+1を、新たな要素ａx+1に流用するに
は、％記号を剰余を表すとすると、（ｘ−Ｎ＋１）をＮ
で割った余りである（ｘ−Ｎ＋１）％Ｎは、（ｘ＋１）
をＮで割った余りである（ｘ＋１）％Ｎに等しい。
【００６７】すなわち、（ｘ−Ｎ＋１）％Ｎ＝（ｘ＋
１）％Ｎ 何故なら、Ｎの剰余においては、Ｎを加えて引いても値
が同じだからである。
【００６８】そこで、（ｘ−Ｎ＋１）％Ｎ＝（ｘ＋１）
％Ｎを利用して、ａの（ｘ＋１）％Ｎの要素、すなわ
ち、今、不要になった要素をクリアしておいて、ａ0…
ａN-1の全部の要素に対して、Ｖx+1を加算して、ａの
（Ｘ＋２）％Ｎの要素について判定すればよい。
【００６９】具体的な例について説明すると、例えば、
Ｘ＝１０、Ｎ＝３とすると、Ｘ回目の放電が終了した時
点では、 ａ8＝Ｖ8＋Ｖ9＋Ｖ10 ａ9＝ Ｖ9＋Ｖ10 ａ10＝ Ｖ10 のデータを蓄積し、ａ8のデータを判定用のデータとす
る。
【００７０】次に、Ｘ＋１回目の放電が終了した時点で
は、 ａ8＝Ｖ8＋Ｖ9＋Ｖ10＋Ｖ11 ａ9＝ Ｖ9＋Ｖ10＋Ｖ11 ａ10＝ Ｖ10＋Ｖ11 ａ11＝ Ｖ11 となるが、上述のように、不要となったデータａ8をａ
11に流用するために、下記のように不要となったデータ
ａ8をクリアし、全部の要素にＶ11を加算し、（Ｘ＋
２）％Ｎ＝（１０＋２）％３＝０の要素、すなわち剰余
が０である要素ａ9のデータを判定用のデータとするの
である。
【００７１】ａ11＝ Ｖ11 ａ9＝ Ｖ9＋Ｖ10＋Ｖ11 ａ10＝ Ｖ10＋Ｖ11 以下、同様に、Ｘ＋２回目の放電が終了した時点では、 ａ11＝ Ｖ11＋Ｖ12 ａ12＝ Ｖ12 ａ10＝ Ｖ10＋Ｖ11＋Ｖ12 とし、ａ10を判定用のデータとするのである。
【００７２】このようにして放電の回数が増える度に、
不要となったデータを新たなデータに流用することによ
り、メモリを効率的に利用できるとともに、演算処理が
簡単となる。
【００７３】この実施の形態では、直近の３回の放電開
始電圧の合計値が、予め定めた判定基準値、例えば、３
ｋＶを越えたときには、ミスボンディングが連続的に発
生したとして、ボンディング装置を停止させるようにし
ている。
【００７４】この実施の形態では、トーチ電源１の放電
開始電圧の合計値を用いているので、単にミスボンディ
ングが連続した回数を計数してボンディングを停止させ
る構成に比べて、ワイヤの酸化がより進む前にボンディ
ング装置を停止させることができる。すなわち、単にミ
スボンディングの連続回数を計数する方式では、ミスボ
ンディングであっても、放電開始電圧が非常に大きい場
合や比較的小さい場合も区別しないことになり、放電開
始電圧が非常に大きい場合のワイヤの酸化が考慮されな
いことになるのに対して、放電開始電圧の合計値あるい
は平均値では、放電開始電圧が非常に大きい場合には、
早めにボンディング装置を停止させることができる。
【００７５】なお、本発明の他の実施の形態として、ミ
スボンディングの連続回数を計数し、予め定めた回数に
達したときに、ボンディング装置を停止させるようにし
てもよい。
【００７６】（実施の形態４）図９は、本発明の実施の
形態４に係るボンディング不良検出装置の要部のブロッ
ク図であり、上述の実施の形態１に対応する部分には、
同一の参照符号を付す。
【００７７】上述の各実施の形態では、トーチ電源１の
出力電圧を直接モニタしてミスボンディングの判定を行
ったけれども、この実施の形態では、トーチ電源１の出
力電圧の立ち上がりが一定である、したがって、トーチ
電源１の出力開始から放電開始までの時間が、放電開始
電圧に比例することに着目し、トーチ電源１の出力開始
から放電開始までの時間を計測し、この計測時間が、予
め定めた判定基準値を越えたときに、ミスボンディング
であると判定するものである。
【００７８】このため、この実施の形態のボンディング
不良検出装置は、トーチ電源１への出力要求信号によっ
てセットされるとともに、放電電流が流れ始めたことに
よる微小抵抗Ｒ５での電圧降下を検出する反転アンプ１
２の出力によってリセットされるＲＳフリップフロップ
１３と、このＲＳフリップフロップ１３の出力がハイレ
ベルの期間、すなわち、トーチ電源１の出力開始から放
電開始までの期間を、一定周波数の基準クロックを計数
することにより、計測するカウンタ１４と、このカウン
タ１４のディジタルの計測値を、予め定めたディジタル
の判定基準値が設定されたスイッチ１５の出力と比較す
る比較回路１６とを備えており、カウンタ１４の計測値
は、上述の実施の形態３と同様に、ボンディング装置の
制御用コンピュータに与えられるようになっている。
【００７９】図１０は、このボンディング不良検出装置
の動作説明に供するタイミングチャートであり、同図
（Ａ）はトーチ電源１の出力電圧、同図（Ｂ）はトーチ
電源１への出力要求信号、同図（Ｃ）は放電電流検出の
タイミング、同図（Ｄ）はＲＳフリップフロップ１３の
出力、同図（Ｅ）は基準クロック、同図（Ｆ）はカウン
タ１４の出力をそれぞれ示している。
【００８０】この実施の形態では、ＲＳフリップフロッ
プ１３の出力がハイレベルの期間に亘って基準クロック
をカウンタ１４で計測し、放電開始電圧に対応したこの
カウンタ１４の計測値が、スイッチ１５に設定された判
定基準値を越えたときには、比較回路１６は、第１の実
施の形態と同様に、ミスボンディングであることを示す
ハイレベルの出力を与える。なお、カウンタ１４は、次
回のトーチ電源１の出力要求がある前に、リセットされ
る。
【００８１】また、カウンタの計測値は、上述の第３の
実施の形態と同様に、ボンディング装置の制御用コンピ
ュータに与えられ、制御用のコンピュータは、直近の指
定回数の放電開始電圧に対応する計測値の合計値が、予
め定めた判定基準値を越えたときには、ミスボンディン
グが連続したとしてボンディングを停止させる。なお、
放電電圧値を合計することはカウンタ１４をリセットせ
ずにカウントを続けることで可能であり、ハードウエア
ロジックで構成する場合、加算回路を省略できることに
なる。
【００８２】この実施の形態では、上述の各実施の形態
とは異なり、トーチ電源１の出力電圧を直接モニタする
のではなく、トーチ電源１への出力要求から放電開始ま
での時間を計測するので、構成が簡素化される。
【００８３】（実施の形態５）図１１は、本発明の実施
の形態５に係るボンディング不良検出装置の要部のブロ
ック図であり、上述の実施の形態４に対応する部分に
は、同一の参照符号を付す。
【００８４】上述の実施の形態４では、放電電流を微小
抵抗Ｒ５での電圧降下によって検出したけれども、この
実施の形態では、放電電流をカレントトランス１７によ
る誘導電圧でアンプ２２を介して検出するようにしてお
り、これによって、トーチ電源１の高圧回路からボンデ
ィング不良の検出回路を分離している。
【００８５】その他の構成および動作は、上述の実施の
形態４と同様であるので、その説明を省略する。
【００８６】（実施の形態６）図１２は、本発明の実施
の形態６に係るボンディング不良検出装置の要部のブロ
ック図であり、上述の実施の形態４に対応する部分に
は、同一の参照符号を付す。
【００８７】この実施の形態では、放電開始電圧がピー
クであることを利用して微分回路１８とゼロクロス回路
１９とで放電開始を検出し、また、トーチ電源１の出力
開始は、負側に出力がでることから前記微分回路１８の
出力が負になることで検出するものであり、この実施の
形態では、トーチ電源１の出力電圧を微分する微分回路
１８と、この微分回路１８の出力が与えられるゼロクロ
ス回路１９と、微分回路１８の出力が与えられる反転ア
ンプ２０とを備えており、トーチ電源１の出力開始に対
応する反転アンプ２０の出力がＲＳフリップフロップ２
１のセット端子に与えられるとともに、放電開始に対応
するゼロクロス回路１９の出力がＲＳフリップフロップ
２１のリセット端子に与えられるように構成されてお
り、このＲＳフリップフロップ２１以降の構成は、上述
の実施の形態４と同様である。
【００８８】図１３は、このボンディング不良検出装置
の動作説明に供するタイミングチャートであり、同図
（Ａ）はトーチ電源１の出力電圧、同図（Ｂ）は微分回
路１８の出力、同図（Ｃ）は反転アンプ２０の出力、同
図（Ｄ）はゼロクロス回路１９の出力、同図（Ｅ）はＲ
Ｓフリップフロップ２１の出力をそれぞれ示している。
【００８９】トーチ電源１の出力開始に対応する反転ア
ンプ２０の出力でＲＳフリップフロップ２１をセット
し、放電開始のタイミングｔに対応するゼロクロス回路
１９の出力によってＲＳフリップフロップ２１をリセッ
トし、ＲＳフリップフロップ２１の出力がハイレベルの
期間の基準クロックをカウンタ１４によって計測する。
その他の構成および動作は、上述の実施の形態４と同様
である。
【００９０】この実施の形態によれば、トーチ電源１の
出力要求信号を使用せずに回路を構成できる。
【００９１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ボールバ
ンプ形成におけるミスボンディングを確実に検出できる
ことになり、ミスボンディングが発生した箇所のボンデ
ィングのやり直しを容易に行うことができ、特に、半田
や銅などの酸化されやすいワイヤを用いてバンプを形成
する場合に有効である。また、ミスボンディングの位置
を記憶しておくことにより、単発のミスボンディングの
発生のような場合には、ボンディング装置を直ちに停止
させることなく、例えば１ラインのボンディングの終了
後にボンディングのやり直しを行うことができ、ミスボ
ンディングの発生の度にボンディング装置を停止させる
のに比べて、ボールバンプ形成を効率的に行うことが可
能になる。
【００９２】また、ミスボンディングが連続発生した場
合には、キャピラリ詰まりに至る前にボンディング装置
を停止させることができ、キャピラリ詰まりを未然に防
止できることになる。
【００９３】なお、Ａｕワイヤを用いたボールバンプ形
成においても、トーチ電源の出力を高めに設定して、ミ
スボンディングが起こっても装置が停止しないようにし
て、本発明を用いることにより、装置停止にともなう処
理の低下を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態１に係るボンディング不良
検出装置の要部のブロック図である。
【図２】トーチ電源の出力電圧および出力電流の波形図
である。
【図３】正常なワイヤ先端またはミスボンディング後の
ワイヤ先端に放電したときの放電開始電圧の分布を示す
図である。
【図４】図１の動作説明に供するタイミングチャートで
ある。
【図５】本発明の実施の形態２に係るボンディング不良
検出装置の要部のブロック図である。
【図６】図５の動作説明に供するタイミングチャートで
ある。
【図７】本発明の実施の形態３に係るボンディング不良
検出装置の要部のブロック図である。
【図８】図７の動作説明に供するタイミングチャートで
ある。
【図９】本発明の実施の形態４に係るボンディング不良
検出装置の要部のブロック図である。
【図１０】図９の動作説明に供するタイミングチャート
である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係るボンディング不
良検出装置の要部のブロック図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係るボンディング不
良検出装置の要部のブロック図である。
【図１３】図１２の動作説明に供するタイミングチャー
トである。
【図１４】ボールボンディング方式によるバンプの形成
を示す図である。
【図１５】ミスボンディングを示す図である。
【符号の説明】
１ トーチ電源 ２，１１，１６ 比較回路 ３，１３，２１ ＲＳフリップフ
ロップ ４，１４ カウンタ ６ メモリ １０，１５ スイッチ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤ先端とトーチ電極との間に高電圧
    を印加することによって前記ワイヤ先端を溶融して形成
    したボールを、ボンディング対象に圧接してバンプを形
    成するボールボンディング方式のバンプの形成におい
    て、 前記高電圧を印加するトーチ電源の出力電圧の絶対値
    が、予め定めた値を越えるか否かに基づいて、ボンディ
    ング不良を検出することを特徴とするバンプ形成におけ
    るボンディング不良検出方法。
  2. 【請求項２】 ワイヤ先端とトーチ電極との間に高電圧
    を印加することによって前記ワイヤ先端を溶融して形成
    したボールを、ボンディング対象に圧接してバンプを形
    成するボールボンディング方式のバンプの形成における
    ボンディング不良の検出装置であって、 前記高電圧を印加するトーチ電源の出力電圧値と判定基
    準値とを比較する比較回路を備え、前記比較回路の出力
    によってボンディング不良を検出することを特徴とする
    ボンディング不良検出装置。
  3. 【請求項３】 前記比較回路の出力を保持する保持回路
    を備える請求項２記載のボンディング不良検出装置。
  4. 【請求項４】 ボンディング不良が検出された直前のボ
    ンディング位置の情報を、記憶する記憶回路を備える請
    求項２または３記載のボンディング不良検出装置。
  5. 【請求項５】 前記比較回路は、前記出力電圧値に代え
    て、トーチ電源の出力開始から放電電流が流れ始めるま
    での時間の計測値と、判定基準値とを比較するものであ
    る請求項２記載のボンディング不良検出装置。
  6. 【請求項６】 ワイヤ先端とトーチ電極との間に高電圧
    を印加することによって前記ワイヤ先端を溶融して形成
    したボールを、ボンディング対象に圧接してバンプを形
    成するボールボンディング方式のバンプの形成における
    ボンディング装置の制御方法であって、 前記高電圧を印加するトーチ電源の出力電圧の直近の指
    定回数の平均値または合計値に基づいて、それ以降のボ
    ンディングを停止させるか否かを制御することを特徴と
    するボンディング装置の制御方法。
JP12966096A 1996-05-24 1996-05-24 バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法 Expired - Fee Related JP3318669B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12966096A JP3318669B2 (ja) 1996-05-24 1996-05-24 バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12966096A JP3318669B2 (ja) 1996-05-24 1996-05-24 バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09321095A true JPH09321095A (ja) 1997-12-12
JP3318669B2 JP3318669B2 (ja) 2002-08-26

Family

ID=15015005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12966096A Expired - Fee Related JP3318669B2 (ja) 1996-05-24 1996-05-24 バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3318669B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108032012A (zh) * 2017-12-14 2018-05-15 深圳市瑞凌实业股份有限公司 拉丝枪自动识别电路、识别方法及电焊机系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108032012A (zh) * 2017-12-14 2018-05-15 深圳市瑞凌实业股份有限公司 拉丝枪自动识别电路、识别方法及电焊机系统
CN108032012B (zh) * 2017-12-14 2024-04-23 深圳市瑞凌实业股份有限公司 拉丝枪自动识别电路、识别方法及电焊机系统

Also Published As

Publication number Publication date
JP3318669B2 (ja) 2002-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0442287A2 (en) A direct current power supply device
US6807507B2 (en) Electrical over stress (EOS) monitor
JPH07106365A (ja) ワイヤボンダのワイヤ尾部長さを監視する装置および方法
US4697142A (en) Printed circuit conductor test system
JP3318669B2 (ja) バンプ形成におけるボンディング不良検出方法、ボンディング不良検出装置およびボンディング装置の制御方法
KR101897081B1 (ko) 방전 검사 장치, 와이어 본딩 장치 및 방전 검사 방법
JP2000329834A (ja) バッテリー劣化検出方法とその装置
JP2006186087A (ja) ボンディング装置
JP2000306940A (ja) バンプボンディングにおける不着検査方法及び装置
US4707579A (en) Real-time tail length monitor for wire bonding flame-off apparatus
US9684027B2 (en) Measuring apparatus
JPS61159326A (ja) 放電加工に於ける低レベル放電を検出して制御する方法と装置
JP3338848B2 (ja) バンプ形成におけるボンディング不良検出方法およびボンディング装置の制御方法
JP3175654B2 (ja) コンデンサの測定端子接触検出方法
JPH05312896A (ja) Ｓｃｒの導電測定方法及び測定装置
US6660956B1 (en) Method of and apparatus for monitoring a ball forming process
JPH0317376B2 (ja)
JPH0436347B2 (ja)
JPH039947Y2 (ja)
JP3878530B2 (ja) ワイヤボンディング方法及び装置
JP3037548B2 (ja) ディジタル伝送回線の通信電流測定装置
JPH06134351A (ja) 静電塗装装置の電流異常検出装置
JPS63136640A (ja) ワイヤボンデイング用のボ−ル形成装置
JPH10187287A (ja) 遅延接続スイッチ
JPH0964116A (ja) ワイヤボンディング装置におけるボンディング不着検出方法及びボンディング不着検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees