JPH09314460A - 研磨装置 - Google Patents
研磨装置Info
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- JPH09314460A JPH09314460A JP15483496A JP15483496A JPH09314460A JP H09314460 A JPH09314460 A JP H09314460A JP 15483496 A JP15483496 A JP 15483496A JP 15483496 A JP15483496 A JP 15483496A JP H09314460 A JPH09314460 A JP H09314460A
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- JP
- Japan
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- polishing
- plate
- polished
- polishing plate
- polishing pad
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨プレートに対して研磨パッドを平坦に貼
り付けると共に、研磨時において発生した熱が研磨プレ
ートに伝わるのを抑制する。 【解決手段】 研磨プレート１の表面にポーラス状セラ
ミックス３を設け、この上に研磨バッド４を貼着するこ
とにより、研磨プレート１と研磨パッド４間に入り込も
うとする気泡は、セラミックス３のポーラス中に逃げて
しまうため、気泡が混在することなく、研磨パッド４は
セラミックス３上に平坦に取り付けられる。
り付けると共に、研磨時において発生した熱が研磨プレ
ートに伝わるのを抑制する。 【解決手段】 研磨プレート１の表面にポーラス状セラ
ミックス３を設け、この上に研磨バッド４を貼着するこ
とにより、研磨プレート１と研磨パッド４間に入り込も
うとする気泡は、セラミックス３のポーラス中に逃げて
しまうため、気泡が混在することなく、研磨パッド４は
セラミックス３上に平坦に取り付けられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェ−ハや
ガラス、金属板などの被研磨基盤を研磨する研磨装置に
関する。
ガラス、金属板などの被研磨基盤を研磨する研磨装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウェ−ハ等の表面を所望の平坦
度になすために、従来から研磨装置によりその表面を研
磨することが行われている。この従来の研磨装置の概略
構成を図４に示す。図に示すように、研磨装置は、鉛直
軸回りに回転可能な研磨プレート２１と、前記研磨プレ
ート２１上に貼着された研磨パッド２２と、鉛直軸回り
に回転可能であって前記研磨パッド２２の上方に配置さ
れた回転円盤２３とから構成され、前記回転円盤２３の
下面にリコンウェ−ハなどの被研磨基盤２４が取り付け
られるようになっている。
度になすために、従来から研磨装置によりその表面を研
磨することが行われている。この従来の研磨装置の概略
構成を図４に示す。図に示すように、研磨装置は、鉛直
軸回りに回転可能な研磨プレート２１と、前記研磨プレ
ート２１上に貼着された研磨パッド２２と、鉛直軸回り
に回転可能であって前記研磨パッド２２の上方に配置さ
れた回転円盤２３とから構成され、前記回転円盤２３の
下面にリコンウェ−ハなどの被研磨基盤２４が取り付け
られるようになっている。
【０００３】このように構成された研磨装置において、
研磨プレート２１と回転円盤２３とをそれぞれ図中矢印
の方向に回転させると共に、回転円盤２３を下方に移動
して被研磨基盤２４を研磨プレート２１に対して加圧せ
しめ、研磨パッド２２により被研磨基盤２４を研磨す
る。そして、被研磨基盤２４の表面が、所定の平坦度に
なるまで研磨を行う。
研磨プレート２１と回転円盤２３とをそれぞれ図中矢印
の方向に回転させると共に、回転円盤２３を下方に移動
して被研磨基盤２４を研磨プレート２１に対して加圧せ
しめ、研磨パッド２２により被研磨基盤２４を研磨す
る。そして、被研磨基盤２４の表面が、所定の平坦度に
なるまで研磨を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の研磨装置において、被研磨基盤を平坦の研磨するた
めには、研磨プレートの表面は平坦でなければならな
い。また、研磨プレートの表面を平坦に形成しても、こ
の研磨プレートの表面には、前述のように研磨パッドが
貼着される。したがって、研磨パッドも研磨プレートに
対して、平坦に貼着されなければならない。しかしなが
ら、前記研磨パッドを研磨プレートに貼着する際、研磨
プレートと研磨パッド間に気泡が入り込んでしまい、研
磨プレートに対して研磨パッドを平坦に貼り付けること
が困難であった。
来の研磨装置において、被研磨基盤を平坦の研磨するた
めには、研磨プレートの表面は平坦でなければならな
い。また、研磨プレートの表面を平坦に形成しても、こ
の研磨プレートの表面には、前述のように研磨パッドが
貼着される。したがって、研磨パッドも研磨プレートに
対して、平坦に貼着されなければならない。しかしなが
ら、前記研磨パッドを研磨プレートに貼着する際、研磨
プレートと研磨パッド間に気泡が入り込んでしまい、研
磨プレートに対して研磨パッドを平坦に貼り付けること
が困難であった。
【０００５】また、研磨パッドは研磨プレートの表面に
直接貼着されているので、被研磨基盤の研磨時に発生し
た熱がそのまま研磨プレートに伝わるため、研磨プレー
トが大きな熱変形を起こす。したがって、研磨プレート
の表面が、変形によって平坦面とならないために、被研
磨基盤の被研磨面を所定の平坦度に研磨することが困難
であった。
直接貼着されているので、被研磨基盤の研磨時に発生し
た熱がそのまま研磨プレートに伝わるため、研磨プレー
トが大きな熱変形を起こす。したがって、研磨プレート
の表面が、変形によって平坦面とならないために、被研
磨基盤の被研磨面を所定の平坦度に研磨することが困難
であった。
【０００６】そこで、本発明は、研磨プレートに対して
研磨パッドを平坦に貼り付けると共に、研磨時において
発生した熱が研磨プレートに伝わるのを抑制して、研磨
プレートの熱変形を低減するようにした研磨装置を提供
することを目的とするものである。
研磨パッドを平坦に貼り付けると共に、研磨時において
発生した熱が研磨プレートに伝わるのを抑制して、研磨
プレートの熱変形を低減するようにした研磨装置を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる技術的課
題を解決するためになされたものであり、かかる研磨装
置は、鉛直軸回りに回転可能な研磨プレートと、前記研
磨プレート上に設けた研磨パッドと、鉛直軸回りに回転
可能であって前記研磨パッドの上方に配置され、被研磨
基盤を下面に接着する回転円盤とを備え、前記研磨プレ
ートと回転円盤を回転させつつ被研磨基盤を研磨パッド
に加圧して被研磨基盤を研磨する研磨装置において、前
記研磨プレートと研磨パッド間にポーラス状のセラミッ
クスを介在させたことを特徴とする。また、本発明にか
かる研磨装置は、研磨プレートの下部に、研磨プレート
と共に回転可能な水冷ジャケットを備えたことを特徴と
する。更に、本発明にかかる研磨装置の回転円盤には、
被研磨基盤を研磨パッドに加圧するプレッシャヘッド
と、前記プレッシャヘッドの下部に装着され被研磨基盤
が接着されるトッププレートとを備えていることを特徴
とする。
題を解決するためになされたものであり、かかる研磨装
置は、鉛直軸回りに回転可能な研磨プレートと、前記研
磨プレート上に設けた研磨パッドと、鉛直軸回りに回転
可能であって前記研磨パッドの上方に配置され、被研磨
基盤を下面に接着する回転円盤とを備え、前記研磨プレ
ートと回転円盤を回転させつつ被研磨基盤を研磨パッド
に加圧して被研磨基盤を研磨する研磨装置において、前
記研磨プレートと研磨パッド間にポーラス状のセラミッ
クスを介在させたことを特徴とする。また、本発明にか
かる研磨装置は、研磨プレートの下部に、研磨プレート
と共に回転可能な水冷ジャケットを備えたことを特徴と
する。更に、本発明にかかる研磨装置の回転円盤には、
被研磨基盤を研磨パッドに加圧するプレッシャヘッド
と、前記プレッシャヘッドの下部に装着され被研磨基盤
が接着されるトッププレートとを備えていることを特徴
とする。
【０００８】このように本発明にかかる研磨装置の研磨
プレートの表面には、ポーラス状のセラミックスが設け
られており、研磨パッドはこのセラミックス上に貼着さ
れる。この貼着の際に、研磨プレートと研磨パッド間に
入り込もうとする気泡は、セラミックスに形成されてい
るポーラス中に逃げてしまうため、研磨プレートと研磨
パッド間に気泡が混在することなく、研磨パッドを容易
かつ平坦にセラミックス上に取り付けることができる。
プレートの表面には、ポーラス状のセラミックスが設け
られており、研磨パッドはこのセラミックス上に貼着さ
れる。この貼着の際に、研磨プレートと研磨パッド間に
入り込もうとする気泡は、セラミックスに形成されてい
るポーラス中に逃げてしまうため、研磨プレートと研磨
パッド間に気泡が混在することなく、研磨パッドを容易
かつ平坦にセラミックス上に取り付けることができる。
【０００９】そして、被研磨基盤を研磨装置の回転円盤
の下面に接着し、前記被研磨基盤と研磨プレートを回転
させつつ被研磨基盤を研磨パッドに加圧して、被研磨基
盤を研磨する。このとき、研磨時に発生する熱は研磨プ
レートと研磨パッド間に介在されたポーラス状のセラミ
ックスを介して研磨プレートに伝わるため、該セラミッ
クスにより十分に冷却され、研磨プレートの熱変形が低
減され、研磨プレートの表面を平坦に保持することがで
きる。
の下面に接着し、前記被研磨基盤と研磨プレートを回転
させつつ被研磨基盤を研磨パッドに加圧して、被研磨基
盤を研磨する。このとき、研磨時に発生する熱は研磨プ
レートと研磨パッド間に介在されたポーラス状のセラミ
ックスを介して研磨プレートに伝わるため、該セラミッ
クスにより十分に冷却され、研磨プレートの熱変形が低
減され、研磨プレートの表面を平坦に保持することがで
きる。
【００１０】以上のように、研磨パッドを容易かつ平坦
に取り付けることができ、また研磨プレートの表面を平
坦に保持することができるため、被研磨基盤の被研磨面
を所定の平坦度に研磨することことができる。
に取り付けることができ、また研磨プレートの表面を平
坦に保持することができるため、被研磨基盤の被研磨面
を所定の平坦度に研磨することことができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。ここで、図１は本発明にかかる実施
形態の概略斜視図であり、図２は図１の側面図である。
図１に示すように、本発明にかかる研磨装置１２は、回
転軸８によって鉛直軸回りに回転可能な研磨プレート１
と、前記研磨プレート１上に設けられポーラス状のセラ
ミックス３と、前記セラミックス３上に貼り付けられた
研磨パッド４と、回転軸９によって鉛直軸回りに回転可
能であって前記研磨パッド４の上方に配置されたプレッ
シャヘッド５と、前記プレッシャヘッド５の下部に嵌着
あるいは押圧される共に、被研磨基盤７を下面に接着す
るディスク状のトッププレート６とを備えている。尚、
プレッシャヘッド５とディスク状のトッププレート６と
は、一体に回転する回転円盤を構成している。また、本
発明にかかる研磨装置１２には、研磨プレート１の下部
に、研磨プレート１と共に回転する水冷ジャケット２を
備えられられている。
基づいて説明する。ここで、図１は本発明にかかる実施
形態の概略斜視図であり、図２は図１の側面図である。
図１に示すように、本発明にかかる研磨装置１２は、回
転軸８によって鉛直軸回りに回転可能な研磨プレート１
と、前記研磨プレート１上に設けられポーラス状のセラ
ミックス３と、前記セラミックス３上に貼り付けられた
研磨パッド４と、回転軸９によって鉛直軸回りに回転可
能であって前記研磨パッド４の上方に配置されたプレッ
シャヘッド５と、前記プレッシャヘッド５の下部に嵌着
あるいは押圧される共に、被研磨基盤７を下面に接着す
るディスク状のトッププレート６とを備えている。尚、
プレッシャヘッド５とディスク状のトッププレート６と
は、一体に回転する回転円盤を構成している。また、本
発明にかかる研磨装置１２には、研磨プレート１の下部
に、研磨プレート１と共に回転する水冷ジャケット２を
備えられられている。
【００１２】ここで、前記研磨プレート１はディスク状
に形成され、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｏ系低熱膨張鋳鉄から構成
されている。この鋳鉄としては、２０〜２００℃の平均
熱膨張係数が２×１０-6〜４×１０-6／℃のものが用い
られる。
に形成され、Ｓｉ−Ｎｉ−Ｃｏ系低熱膨張鋳鉄から構成
されている。この鋳鉄としては、２０〜２００℃の平均
熱膨張係数が２×１０-6〜４×１０-6／℃のものが用い
られる。
【００１３】また、研磨プレート１の下部に設けられた
水冷ジャケット２は、研磨プレート１と図中矢印で示し
たように鉛直軸８を中心にして一体的に回転可能に構成
されている。この水冷ジャケット２の構成材料は、研磨
プレート１と同一材料とし、２０〜２００℃の平均熱膨
張係数は例えば１×１０-7／℃のものが用いられる。そ
して、この水冷ジャケット２の中に水を流すことによっ
て、研磨プレート１を水冷し、熱変形を抑制する。
水冷ジャケット２は、研磨プレート１と図中矢印で示し
たように鉛直軸８を中心にして一体的に回転可能に構成
されている。この水冷ジャケット２の構成材料は、研磨
プレート１と同一材料とし、２０〜２００℃の平均熱膨
張係数は例えば１×１０-7／℃のものが用いられる。そ
して、この水冷ジャケット２の中に水を流すことによっ
て、研磨プレート１を水冷し、熱変形を抑制する。
【００１４】また、研磨プレート１の表面に貼着された
ポーラス状のセラミックスは、ディスク形状に形成さ
れ、その厚さは１０〜１００ｍｍであり、気孔率１０〜
４０％、平均気孔径２０μｍ〜１ｍｍ程度である。また
その組成は、高純度な、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素
等が用いられている。またセラミックス中の気孔は、互
いに連通したいわゆる三次元網目構造となっていると、
研磨パットとの間の気泡が外部に抜けるため好ましい。
ポーラス状のセラミックスは、ディスク形状に形成さ
れ、その厚さは１０〜１００ｍｍであり、気孔率１０〜
４０％、平均気孔径２０μｍ〜１ｍｍ程度である。また
その組成は、高純度な、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素
等が用いられている。またセラミックス中の気孔は、互
いに連通したいわゆる三次元網目構造となっていると、
研磨パットとの間の気泡が外部に抜けるため好ましい。
【００１５】更に、前記セラミックス３の上部表面に貼
着された研磨パッド４は、ポリエステルまたはウレタン
樹脂により構成される。ここで、研磨パッド４の硬さに
ついて説明すると、その硬さが日本ゴム協会規格０１０
１で７０より小さいと、シリコンウェ−ハを良好に保持
できなくなって十分な平坦度が得られず、また寿命も短
くなる。逆に９５より大きいと、削りかすが溜まり、ス
クラッチなどの外観上の問題が生じる。したがって、７
０乃至９５の硬度をもつ研磨布が望ましい。また、この
研磨パッド４の厚さは１〜４ｍｍが望ましい。１ｍｍよ
り厚いと、シリコンウェ−ハの沈み込み生じて平坦度が
悪化し、４ｍｍよりも薄いと、研磨プレート１およびセ
ラミックス３の表面の微小凹凸の影響を受けやすく研磨
粉により直接傷が付いてしまう。
着された研磨パッド４は、ポリエステルまたはウレタン
樹脂により構成される。ここで、研磨パッド４の硬さに
ついて説明すると、その硬さが日本ゴム協会規格０１０
１で７０より小さいと、シリコンウェ−ハを良好に保持
できなくなって十分な平坦度が得られず、また寿命も短
くなる。逆に９５より大きいと、削りかすが溜まり、ス
クラッチなどの外観上の問題が生じる。したがって、７
０乃至９５の硬度をもつ研磨布が望ましい。また、この
研磨パッド４の厚さは１〜４ｍｍが望ましい。１ｍｍよ
り厚いと、シリコンウェ−ハの沈み込み生じて平坦度が
悪化し、４ｍｍよりも薄いと、研磨プレート１およびセ
ラミックス３の表面の微小凹凸の影響を受けやすく研磨
粉により直接傷が付いてしまう。
【００１６】尚、研磨プレート１上にセラミックス３を
貼着し、さらにセラミックス３上に研磨パッド４を貼着
するための接着剤としては、適切な接着強度が得られる
ため、アクリル系接着剤を用いるのが望ましい。
貼着し、さらにセラミックス３上に研磨パッド４を貼着
するための接着剤としては、適切な接着強度が得られる
ため、アクリル系接着剤を用いるのが望ましい。
【００１７】また、研磨プレート１の上方に設けられた
ディスク状のプレッシャヘッド５は、鉛直回転軸９を中
心にして回転可能に構成されている。尚、図１では、プ
レッシャヘッド５は１つのみ代表的に示しているが、一
般的には、同様のヘッドが４つ等間隔に研磨プレート１
の周辺に沿って設けられている。
ディスク状のプレッシャヘッド５は、鉛直回転軸９を中
心にして回転可能に構成されている。尚、図１では、プ
レッシャヘッド５は１つのみ代表的に示しているが、一
般的には、同様のヘッドが４つ等間隔に研磨プレート１
の周辺に沿って設けられている。
【００１８】また、前記プレッシャヘッド５の下部に
は、ディスク状のトッププレート６が嵌着あるいは押圧
され、プレッシャヘッド５と共に回転円盤を構成してい
る。このトッププレート６は低熱膨張材、例えばアルミ
ナセラミックスまたは炭化ケイ素セラミックスで構成さ
れている。そして、２０〜２００℃における平均熱膨張
係数は４×１０-6〜７×１０-6／℃ものが用いられてい
る。
は、ディスク状のトッププレート６が嵌着あるいは押圧
され、プレッシャヘッド５と共に回転円盤を構成してい
る。このトッププレート６は低熱膨張材、例えばアルミ
ナセラミックスまたは炭化ケイ素セラミックスで構成さ
れている。そして、２０〜２００℃における平均熱膨張
係数は４×１０-6〜７×１０-6／℃ものが用いられてい
る。
【００１９】前記トッププレート６の下部には、被研磨
基盤としてのシリコンウェ−ハ７が接着剤により接着さ
れている。尚、この１つのトッププレート６に対して４
枚のシリコンウェ−ハ７が接着されている。前記接着剤
としては、研磨プレート１上にセラミックス３を貼着
し、さらにセラミックス３上に研磨パッド４を貼着する
接着剤と同様に、適切な接着強度が得られるため、アク
リル系接着剤を用いるのが望ましい。
基盤としてのシリコンウェ−ハ７が接着剤により接着さ
れている。尚、この１つのトッププレート６に対して４
枚のシリコンウェ−ハ７が接着されている。前記接着剤
としては、研磨プレート１上にセラミックス３を貼着
し、さらにセラミックス３上に研磨パッド４を貼着する
接着剤と同様に、適切な接着強度が得られるため、アク
リル系接着剤を用いるのが望ましい。
【００２０】また、研磨プレート１の上方に鉛直軸８と
同軸線上には、研磨液供給パイプ１０が設けられ、研磨
パッド４の表面に研磨液１１が滴下されるように構成さ
れている。この研磨液１１は、メカノケミカル作用によ
り加工ダメージの少ない良質の表面を得ることのできる
コロイダルシリカを用いるのが望ましい。
同軸線上には、研磨液供給パイプ１０が設けられ、研磨
パッド４の表面に研磨液１１が滴下されるように構成さ
れている。この研磨液１１は、メカノケミカル作用によ
り加工ダメージの少ない良質の表面を得ることのできる
コロイダルシリカを用いるのが望ましい。
【００２１】次に、研磨プレート１上に固着されたポー
ラス状セラミックス３の表面に、研磨パッド４を貼着す
る工程について、図１、２基づいて説明する。尚、図２
中、水冷ジャケット２は省略されている。まず、研磨プ
レート１の表面にアクリル系接着剤を用いて、ポーラス
状セラミックス３を貼着する。次に、セラミックス３の
上面に前述のアクリル系接着剤を用いて、研磨パッド４
を貼り付ける。この貼着工程においては研磨パッド４と
セラミックス３との間に気泡が混入しやすいが、セラミ
ックス３に形成されているポーラスの中に気泡が逃げる
ため、研磨パッド４をセラミックス３上に平坦に貼着す
ることができる。その結果、研磨プレート１に対する研
磨パッド４の平坦度精度が向上する。また、貼着後の気
泡抜き作業を不要となるので、研磨パッド４を短時間
に、かつ容易に貼付けることができる。
ラス状セラミックス３の表面に、研磨パッド４を貼着す
る工程について、図１、２基づいて説明する。尚、図２
中、水冷ジャケット２は省略されている。まず、研磨プ
レート１の表面にアクリル系接着剤を用いて、ポーラス
状セラミックス３を貼着する。次に、セラミックス３の
上面に前述のアクリル系接着剤を用いて、研磨パッド４
を貼り付ける。この貼着工程においては研磨パッド４と
セラミックス３との間に気泡が混入しやすいが、セラミ
ックス３に形成されているポーラスの中に気泡が逃げる
ため、研磨パッド４をセラミックス３上に平坦に貼着す
ることができる。その結果、研磨プレート１に対する研
磨パッド４の平坦度精度が向上する。また、貼着後の気
泡抜き作業を不要となるので、研磨パッド４を短時間
に、かつ容易に貼付けることができる。
【００２２】そして、このセラミックス３上に貼着した
研磨パッド４に対してスポット光を横から照射し目視す
ると、ほぼ完全に気泡が存在しない状態で貼着されてい
ることが確認できた。
研磨パッド４に対してスポット光を横から照射し目視す
ると、ほぼ完全に気泡が存在しない状態で貼着されてい
ることが確認できた。
【００２３】以上のように構成された研磨装置の動作に
ついて説明する。まず、研磨液供給パイプ１０より研磨
パッド４の表面に研磨液１１を滴下しつつ、研磨プレー
ト１とプレッシャヘッド５を図中矢印の方向に回転さ
せ、かつプレッシャヘッド５とトッププレート６を下方
の研磨パッド４に対して加圧することによりシリコンウ
ェ−ハ７を研磨する。この研磨工程における前記研磨液
１１の供給量は、使い捨て方式の場合には１００〜１０
００ｍｌ／ｍｉｎ、さらに望ましくは２００〜３００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、リサイクル方式の場合には５〜１５１／ｍ
ｉｎ、さらに望ましくは１０１／ｍｉｎとするのが望ま
しい。また、研磨プレート１の回転速度は３０〜８０ｒ
ｐｍが望ましく、プレッシャヘッド５の回転速度は３０
〜８０ｒｐｍが望ましい。さらに研磨温度は３０〜５０
℃に設定するのが望ましい。
ついて説明する。まず、研磨液供給パイプ１０より研磨
パッド４の表面に研磨液１１を滴下しつつ、研磨プレー
ト１とプレッシャヘッド５を図中矢印の方向に回転さ
せ、かつプレッシャヘッド５とトッププレート６を下方
の研磨パッド４に対して加圧することによりシリコンウ
ェ−ハ７を研磨する。この研磨工程における前記研磨液
１１の供給量は、使い捨て方式の場合には１００〜１０
００ｍｌ／ｍｉｎ、さらに望ましくは２００〜３００ｍ
ｌ／ｍｉｎ、リサイクル方式の場合には５〜１５１／ｍ
ｉｎ、さらに望ましくは１０１／ｍｉｎとするのが望ま
しい。また、研磨プレート１の回転速度は３０〜８０ｒ
ｐｍが望ましく、プレッシャヘッド５の回転速度は３０
〜８０ｒｐｍが望ましい。さらに研磨温度は３０〜５０
℃に設定するのが望ましい。
【００２４】そして、かかる研磨工程において発生した
熱は、研磨プレート１と研磨パッド４との間に介在され
たポーラス状セラミックス３を介して研磨プレート１に
伝わり、セラミックス３中において十分に冷却される。
その結果、研磨プレート１の温度上昇は抑制され、温度
上昇による熱変形が低減される。
熱は、研磨プレート１と研磨パッド４との間に介在され
たポーラス状セラミックス３を介して研磨プレート１に
伝わり、セラミックス３中において十分に冷却される。
その結果、研磨プレート１の温度上昇は抑制され、温度
上昇による熱変形が低減される。
【００２５】次に、図３に、研磨工程における研磨時間
に対する研磨プレート１の温度を測定した結果を示す。
この図の点線は、研磨プレート１に直接研磨布４を貼着
した図４に示す従来の研磨装置の特性図であり、実線は
図１に示す研磨プレート１と研磨布４間にポーラス状セ
ラミックス３を介在させた本発明の実施形態にかかる研
磨装置の特性図である。ここで、ポーラス状セラミック
ス３は、厚さ２０ｍｍの高純度アルミナが用いられ、気
孔率２５％、平均気孔径３０μｍで閉気孔の少ない構造
のものが用いられている。また、ウエハは８インチ径の
ものを用い、加工圧力約１５０ｇ／ｃｍ2 で３０分間研
磨を行った。この図から明らかなように、本発明の実施
形態は従来に比して温度上昇を抑制していることがわか
る。これにより、研磨プレートの熱変形を抑制でき、前
記研磨プレートの表面の平坦を保持することができるた
め、シリコンウェ−ハ７の被研磨面を所定の平坦度に研
磨することことができる。
に対する研磨プレート１の温度を測定した結果を示す。
この図の点線は、研磨プレート１に直接研磨布４を貼着
した図４に示す従来の研磨装置の特性図であり、実線は
図１に示す研磨プレート１と研磨布４間にポーラス状セ
ラミックス３を介在させた本発明の実施形態にかかる研
磨装置の特性図である。ここで、ポーラス状セラミック
ス３は、厚さ２０ｍｍの高純度アルミナが用いられ、気
孔率２５％、平均気孔径３０μｍで閉気孔の少ない構造
のものが用いられている。また、ウエハは８インチ径の
ものを用い、加工圧力約１５０ｇ／ｃｍ2 で３０分間研
磨を行った。この図から明らかなように、本発明の実施
形態は従来に比して温度上昇を抑制していることがわか
る。これにより、研磨プレートの熱変形を抑制でき、前
記研磨プレートの表面の平坦を保持することができるた
め、シリコンウェ−ハ７の被研磨面を所定の平坦度に研
磨することことができる。
【００２６】尚、図１の実施形態において、水冷ジャケ
ット２は省略してもよい。つまり、低熱膨張鋳鉄は黄銅
や一般鋳鉄に比して熱伝導率が低いので、水冷ジャケッ
ト２を省略することは可能である。しかし、かかる場合
には研磨プレート１の機械的強度を高めることが好まし
く、例えば研磨プレート１を充分に厚くしたり、内部を
えぐりリブを入れるなどの手段を施す必要がある。そし
て、例えば１０〜４０℃の研磨液１１を５〜１５１／ｍ
ｉｎの流量で研磨布４に供給し、研磨液１１によって研
磨プレート１本体を温調する必要がある。
ット２は省略してもよい。つまり、低熱膨張鋳鉄は黄銅
や一般鋳鉄に比して熱伝導率が低いので、水冷ジャケッ
ト２を省略することは可能である。しかし、かかる場合
には研磨プレート１の機械的強度を高めることが好まし
く、例えば研磨プレート１を充分に厚くしたり、内部を
えぐりリブを入れるなどの手段を施す必要がある。そし
て、例えば１０〜４０℃の研磨液１１を５〜１５１／ｍ
ｉｎの流量で研磨布４に供給し、研磨液１１によって研
磨プレート１本体を温調する必要がある。
【００２７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、研磨プ
レートに対して研磨パッドを容易、かつ平坦に貼り付け
ることができると共に、研磨時において発生した熱によ
る研磨プレートの熱変形を低減できるので、被研磨基盤
の平坦精度を向上させることができる。
レートに対して研磨パッドを容易、かつ平坦に貼り付け
ることができると共に、研磨時において発生した熱によ
る研磨プレートの熱変形を低減できるので、被研磨基盤
の平坦精度を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例にかかる研磨装置を示す図であ
る。
る。
【図２】図１の要部を示す図である。
【図３】本発明と従来の研磨装置による研磨プレートの
温度特性を示す図である。
温度特性を示す図である。
【図４】従来の研磨装置を示す図である。
１ 研磨プレート ２ 水冷ジャケット ３ ポーラス状セラミックス ４ 研磨パッド ５ プレッシャヘッド ６ トッププレート ７ シリコンウェ−ハ（被研磨基盤） ８，９ 鉛直回転軸 １０ 研磨液供給パイプ １１ 研磨液 １２ 研磨装置
Claims (3)
- 【請求項１】 鉛直軸回りに回転可能な研磨プレート
と、前記研磨プレート上に設けられた研磨パッドと、鉛
直軸回りに回転可能であって前記研磨パッドの上方に配
置され、被研磨基盤を下面に接着する回転円盤とを備
え、前記研磨プレートと回転円盤を回転させつつ被研磨
基盤を研磨パッドに加圧して被研磨基盤を研磨する研磨
装置において、 前記研磨プレートと研磨パッド間にポーラス状のセラミ
ックスを介在させたことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】 前記研磨プレートの下部に、前記研磨プ
レートと共に回転可能な水冷ジャケットを備えたことを
特徴とする請求項１に記載された研磨装置。 - 【請求項３】 前記回転円盤は、被研磨基盤を研磨パッ
ドに加圧するプレッシャヘッドと、前記プレッシャヘッ
ドの下部に装着され被研磨基盤が接着されるトッププレ
ートとを備えたことを特徴とする請求項１または請求項
２に記載された研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483496A JPH09314460A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15483496A JPH09314460A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09314460A true JPH09314460A (ja) | 1997-12-09 |
Family
ID=15592909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15483496A Pending JPH09314460A (ja) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | 研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09314460A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014002206A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nippon Bousin Industry Co Ltd | 定盤及び層状定盤 |
| JP2018202562A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨テーブル及びこれを備える研磨装置 |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP15483496A patent/JPH09314460A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014002206A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Nippon Bousin Industry Co Ltd | 定盤及び層状定盤 |
| JP2018202562A (ja) * | 2017-06-06 | 2018-12-27 | 株式会社荏原製作所 | 研磨テーブル及びこれを備える研磨装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041029 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050307 |