JPH0931027A - ペルフルオロアルキル基を持つ光学活性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子 - Google Patents

ペルフルオロアルキル基を持つ光学活性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子

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JPH0931027A
JPH0931027A JP7208388A JP20838895A JPH0931027A JP H0931027 A JPH0931027 A JP H0931027A JP 7208388 A JP7208388 A JP 7208388A JP 20838895 A JP20838895 A JP 20838895A JP H0931027 A JPH0931027 A JP H0931027A
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JP
Japan
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ethyl
ring
group
liquid crystal
methyl
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Application number
JP7208388A
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English (en)
Inventor
Tadaaki Isozaki
忠昭 磯崎
Yoshihiko Aihara
良彦 相原
Giichi Suzuki
義一 鈴木
Tetsuo Kusumoto
哲生 楠本
Tamejirou Hiyama
爲次郎 檜山
Kenichi Sato
健一 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Shell Sekiyu KK
Sagami Chemical Research Institute
Original Assignee
Showa Shell Sekiyu KK
Sagami Chemical Research Institute
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定な反強誘電相をもち、電界誘起させて強
誘電相にしたときの自発分極が大きい新規液晶化合物、
および反強誘電性液晶組成物に添加した場合にも、自発
分極を小さくせず、反強誘電性を低下させない化合物の
提供。 【解決手段】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 で表わされる光学活性化合物及び該光学活性化合物を含
有することを特徴とする液晶組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ペルフルオロアルキル
基を持つ光学活性化合物、それを含有する液晶組成物お
よびそれを用いた液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、１）低電圧、２）低消
費電力、３）薄型表示、４）目にやさしいなどの優れた
特徴を有するために、現在広く用いられている。その多
くはネマチック液晶を用いた表示素子であるが、応答時
間が数ミリ秒（ｍｓ）から数百ｍｓと遅いため、高速応
答の必要な光シャッター、プリンターヘッド、あるいは
更に時分割駆動の必要なテレビなど動画面への応用には
必ずしも適した表示素子とはいえなかった。
【０００３】また、ミクロ秒（μｓ）オーダーの高速応
答を可能にする応答性の優れた液晶表示方式としては強
誘電性液晶を用いたものが開発されているが、室温付近
での応答性が予想ほどには向上しないことや液晶分子の
配向制御に有効な方法が確率しないなど実用化にむけて
は多くの課題がある。
【０００４】他の表示方法についても模索が行なわれ、
１９８８年に萩原らによって三安定状態を示す液晶化合
物を用いたスイッチング方式が報告され〔Ｊｐｎ．Ｊ．
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２７，Ｌ７２９（１９８
８）〕、これを用いた電気光学装置の特許が特開平２−
１５３３２２として公開されている。この三安定状態の
うち二つは強誘電性液晶の示す二安定状態とまったく同
じで、残る一つは中間的な状態であり、これが最も安定
であることから、この三安定状態を示す液晶化合物が反
強誘電性液晶（Ａｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、その液晶相が反強誘
電相〔主としてＡｎｔｉｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
Ｓｍｅｃｔｉｃ Ｃ*相（ＳｍＣA *相）〕とその後の研
究により命名された〔Ｃｈａｎｄａｎｉら、Ｊｐｎ．
Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，２８，Ｌ１２６５（１９８
９）およびＯｒｉｈａｒａら、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．，２９，Ｌ３３３（１９９０）〕。
【０００５】この反強誘電性液晶を用いた電気光学装置
の特徴としては強誘電性液晶の場合と同様に、１）μｓ
オーダーの高速応答が可能であり、２）高いコントラス
トと広い視野角を持つことができ、３）バイアス電圧を
かければ液晶自体にメモリー性を持たせることができる
だけでなく、三つの安定状態を持つことから、強誘電性
液晶に比べ、４）良好な配向特性があり、５）物理的な
衝撃に強く、６）残像現象が防止できるなどの特性を持
たすことができるなどが挙げられる。
【０００６】このような特徴から、反強誘電性液晶は有
用な化合物ではあるが、以下のような問題点がある。反
強誘電性液晶のみならず、強誘電性液晶やネマチック液
晶においても、液晶化合物を表示素子などに応用する場
合、駆動温度範囲、応答速度、駆動電圧、コントラスト
など諸条件を単一液晶で満たすことは困難であり、通常
十〜数十種類の液晶組成物として調製される。強誘電性
液晶やネマチック液晶ではこれまでに数多くの液晶性化
合物や、添加剤が開発されているが、安定な反強誘電性
を示す液晶性化合物としては下記一般式で示される化合
物（II）
【化２】 （式中、Ｒａは炭素数６〜１２のアルキル基であり、Ｒ
ｂはＣＦ3またはＣＨ3であり、Ｒｃは炭素数４〜８のア
ルキル基であり、＊を付した炭素は不斉炭素であって、
それらの絶対配置はＲまたはＳである。）およびその類
縁体が知られているにすぎない。
【０００７】また、他の化合物を反強誘電性液晶組成物
に添加して、二つの電界誘起の強誘電相での反転に要す
る時間、あるいは反強誘電相から電界誘起の強誘電相へ
転移するのに要する時間が短くなる場合には、おおむね
反強誘電性が低下するために、ヒステリシスが改悪され
てしまう。強誘電性液晶と同様、反強誘電性液晶におい
ても、二つの電界誘起の強誘電相間での反転時間は自発
分極の大きさに依存するので、安定な反強誘電相をも
ち、自発分極の大きな新規液晶化合物、および反強誘電
性液晶組成物に添加したときに自発分極を小さくせず、
かつ反強誘電性を極端に低下させない化合物の提供が強
く要望されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、安定な反強誘電相をもち、電界誘起させて
強誘電相にしたときの自発分極が大きい新規液晶化合
物、および反強誘電性液晶組成物に添加した場合にも、
自発分極を小さくせず、反強誘電性を低下させない化合
物を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（Ｉ）
【化３】 （式中、Ｒ1は置換基を有することもある炭素数１〜１
８のアルキル基であり、Ｒ2はＣＦ3またはＣＨ3であ
り、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−およ
び−ＯＣＯＯ−よりなる群から選ばれた基であり、Ｘ、
ＹおよびＺは単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ
2Ｏ−、−ＯＣＨ2−および−Ｃ≡Ｃ−よりなる群からそ
れぞれ独立して選ばれた基であり、環Ａ、環Ｂ、環Ｃお
よび環Ｄは１個または２個のフッ素で置換されていても
よい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロ
ヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジ
ン−２，５−ジイル基および２，６−ナフチレン基より
なる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｋおよ
びｒは１および０よりなる群から独立して選ばれた整数
であり、ｍは０〜６の整数であり、ｎは２〜１２の整数
であり、＊を付した炭素は不斉炭素であって、その絶対
配置はＲまたはＳである。）で表わされる光学活性化合
物に関する。
【００１０】前記Ｒ1は直鎖状アルキル基であることが
好ましく、さらに炭素数６〜１４のものが好ましい。ｋ
およびｒがともに１の場合、一般式（Ｉ）で表わされる
化合物は４環性になり、液晶相の温度範囲は広がるが、
融点、液晶相の温度や粘性は高くなるので、一般式
（Ｉ）で表わされる化合物が２環性または３環性になる
ように、すなわちｋ＝０であることが好ましい。連結基
ＹおよびＺは少なくともどちらか一方が−ＣＯＯ−であ
ることが好ましい。連結基Ｙが単結合の場合、環Ｂまた
は環Ｃの少なくともどちらか一方が１，４−フェニレン
基であることが好ましく、連結基Ｚが単結合の場合、環
Ｃまたは環Ｄの少なくともどちらか一方が１，４−フェ
ニレン基であることが好ましい。また、ｍ＋ｎは４〜１
０の整数であることが好ましい。
【００１１】本発明はまた、一般式（Ｉ）で表わされる
光学活性化合物を含有する液晶組成物に関する。本発明
の液晶組成物は、一般式（Ｉ）で表わされる光学活性化
合物の少なくとも１種類を構成成分として含有する液晶
組成物であり、特に反強誘電性液晶表示素子用として、
反強誘電性を示すことが好ましい。
【００１２】また、本発明の一般式（Ｉ）で表わされる
光学活性化合物を、ネマチック相を示す液晶材料に少量
添加することによりＴＮ型液晶としていわゆるリバース
ドメインの防止に、あるいはＳＴＮ型液晶としての用途
などに利用できる。さらに、強誘電性液晶表示材料にお
いて、主成分であるキラルスメクチックＣ相を示すホス
ト液晶中に添加するキラルドーパントの一部または全部
として本発明の一般式（Ｉ）で表わされる光学活性化合
物を利用することもできる。
【００１３】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる光学活
性化合物は、例えば以下のようにして製造できる。
【化４】 〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ、環Ａ、環Ｂ、環
Ｃ、環Ｄ、ｋ、ｒ、ｍ、ｎおよび＊は一般式（Ｉ）にお
けるものと同一の内容を表わす。〕
【００１４】すなわち、本発明の一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物は、対応する一般式（III）で表わされるカ
ルボン酸をポリリン酸エチルやジシクロヘキシルカルボ
ジイミド等の脱水縮合剤を用いて一般式（IV）で表わさ
れるアルコールと反応させるか、一般式（III）で表わ
されるカルボン酸を酸ハロゲン化物に変換した後、塩基
存在下、一般式（IV）で表わされるアルコールと反応さ
せることにより製造することができる。ここで、一般式
（III）で表わされるカルボン酸は液晶化合物の合成中
間体としてよく知られており、製造および入手は容易で
ある。
【００１５】一般式（IV）の光学活性アルコールは、ｍ
が０でない場合、例えば以下のようにして製造できる。
【化５】 〔式中、ｍは１〜６の整数であり、Ｒ2、ｎおよび＊は
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、Ｈａｌは臭
素またはヨウ素を表わす。〕
【００１６】一般式（IV）の光学活性アルコールは一般
式（Ｖ）で表わされる含フッ素有機ハロゲン化物をリチ
ウム、マグネシウム、臭化エチルマグネシウムなどを用
いて有機金属化合物としたのち、ヨウ化銅等の銅反応剤
を触媒として市販の一般式（VI）で表わされる光学活性
オキシランと反応させることにより製造することができ
る。
【００１７】また別法として、一般式（IV）の光学活性
アルコールは、下式に示すように
【化６】 〔式中、Ｒ2、ｍおよびｎは一般式（Ｉ）におけると同
じ意味を表わし、ＭはＢｒＭｇ、ＩＭｇまたはＬｉを表
わす。〕一般式（IV′）のラセミ体のアルコールを製造
し、これを酵素や光学異性体分離カラムを用いて光学分
割することによって製造することができる。また、一般
式（IV′）のラセミ体のアルコールを酢酸や安息香酸な
どのエステルに変換した後、酵素や光学異性体分離カラ
ムを用いて光学分割する方法や、一般式（IV′）のラセ
ミ体のアルコールを光学活性なカルボン酸などのエステ
ルに変換した後、再結晶やカラムクロマトグラフィーな
どによって光学分割するなどの方法によっても一般式
（IV）の光学活性アルコールを製造することができる。
【００１８】一般式（Ｉ）で表わされる光学活性化合物
の製造方法としては、この他にも連結基Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚ
および環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの種類に応じて様々な方法があ
げられる。たとえば、一般式（Ｉ）において、Ｚが−Ｃ
ＯＯ−の場合には以下の方法によっても製造することが
できる。すなわち、アルコール（IV′）とカルボン酸
（VII）
【化７】 〔式中、環Ｄは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わ
し、Ｒ3は水酸基の保護基を表わす。〕を脱水縮合剤を
用いて反応させるか、酸ハロゲン化物に変換したのち塩
基存在下反応させ、化合物（VIII）
【化８】 〔式中、環Ｄ、Ｒ2、ｍ、ｎおよび＊は一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わし、Ｒ3は水酸基の保護基を表
わす。〕を製造する。Ｒ3で表わされる水酸基の保護基
としては、ベンジル基等のアリールメチル基、メチル基
等の低級アルキル基、メトキシメチル基等の低級アルコ
キシメチル基、アセチル基等のアシル基、メトキシカル
ボニル基等の低級アルコキシカルボニル基、テロラヒド
ロピラニル基などを例示することができる。
【００１９】この化合物（VIII）を光学異性体分離カラ
ムを用いて光学分割した後に、保護基を除去するか、先
に保護基を除去した後に、光学異性体分離カラムを用い
て光学分割して、化合物（IX）
【化９】 〔式中、環Ｄ、Ｒ2、ｍ、ｎおよび＊は一般式（Ｉ）に
おけると同じ意味を表わす。〕を製造する。
【００２０】この化合物（IX）と一般式（Ｘ）
【化１０】 〔式中、Ｒ1、環Ａ、環Ｂ、環Ｃ、Ｗ、ＸおよびＹは一
般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。〕で表わされ
るカルボン酸をジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱
水縮合剤を用いて反応させるか、あるいはカルボン酸
（Ｘ）を酸ハロゲン化物に変換した後、塩基存在下、光
学活性化合物（IX）と反応させることにより、一般式
（Ｉ）において、Ｚが−ＣＯＯ−の化合物が製造しう
る。ここで一般式（Ｘ）で表わされるカルボン酸誘導体
は液晶化合物の合成中間体としてよく知られており、製
造および入手は容易である。
【００２１】本発明の化合物におけるＲ1の例としては
置換基を有することもあるメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、
ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデ
シル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基およびオクタ
デシル基等が挙げられる。その置換基としてはメチル
基、エチル基およびプロピル基等のアルキル基、メトキ
シ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチ
ルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルキシ基、オク
チルオキシ基、ノニルオキシ基およびデシルオキシ基等
のアルコキシ基、ビニル基、１−プロペニル基および１
−ブテニル基等のアルケニル基、エチニル基および１−
プロピニル基等のアルキニル基、アセトキシ基、エタノ
イルオキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキ
シ基、ペンタノイルオキシ基およびヘキサノイルオキシ
基等のアルカノイル基、フッ素および塩素のハロゲン原
子などが挙げられる。ただし、Ｗが−Ｏ−、−ＯＣＯ−
または−ＯＣＯＯ−の場合には、Ｒ1の１位にアルコキ
シル基、アルカノイル基およびハロゲン基が置換しない
ことが好ましい。
【００２２】本発明における
【化１１】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては以下のものが挙げられる。ここで
【化１２】 で表わされる構造は、
【化１３】 で表わされる構造の中から任意に選ぶことができる。
【００２３】ｋおよびｒが１の
【化１４】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては
【化１５】 などが挙げられる。
【００２４】ｋが０、ｒが１、Ｙが単結合、Ｚが−ＣＯ
Ｏ−の
【化１６】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化１７】 などが挙げられる。
【００２５】ｋが０、ｒが１、Ｙが単結合、Ｚが−ＯＣ
Ｏ−の
【化１８】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化１９】 などが挙げられる。
【００２６】ｋが０、ｒが１、Ｙが−ＣＯＯ−、Ｚが単
結合の
【化２０】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化２１】 などが挙げられる。
【００２７】ｋが０、ｒが１、Ｙが−ＯＣＯ−、Ｚが単
結合の
【化２２】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化２３】 などが挙げられる。
【００２８】ｋが０、ｒが１、Ｙが単結合、Ｚが−ＣＨ
2Ｏ−の
【化２４】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化２５】 などが挙げられる。
【００２９】ｋが０、ｒが１、Ｙが単結合、Ｚが−ＯＣ
Ｈ2−の
【化２６】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化２７】 などが挙げられる。
【００３０】ｋが０、ｒが１、Ｙが−ＣＨ2Ｏ−、Ｚが
単結合の
【化２８】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化２９】 などが挙げられる。
【００３１】ｋが０、ｒが１、Ｙが−ＯＣＨ2−、Ｚが
単結合の
【化３０】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化３１】 などが挙げられる。
【００３２】ｋが０、ｒが１、ＹおよびＺが単結合の
【化３２】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化３３】 などが挙げられる。
【００３３】ｋが０、ｒが１、ＹおよびＺが−ＣＯＯ−
の
【化３４】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化３５】 などが挙げられる。
【００３４】ｋが０、ｒが１、ＹおよびＺのいずれかが
−Ｃ≡Ｃ−の
【化３６】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化３７】 などが挙げられる。
【００３５】ｋおよびｒが０、Ｚが単結合の
【化３８】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化３９】 などが挙げられる。
【００３６】ｋおよびｒが０、Ｚが−ＣＯＯ−の
【化４０】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化４１】 などが挙げられる。
【００３７】ｋおよびｒが０、Ｚが−ＯＣＯ−の
【化４２】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化４３】 などが挙げられる。
【００３８】ｋおよびｒが０、Ｚが−ＣＨ2Ｏ−の
【化４４】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化４５】 などが挙げられる。
【００３９】ｋおよびｒが０、Ｚが−ＯＣＨ2−の
【化４６】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化４７】 などが挙げられる。
【００４０】ｋおよびｒが０、Ｚが−Ｃ≡Ｃ−の
【化４８】 −（環Ａ−Ｘ）ｋ−（環Ｂ−Ｙ）ｒ−環Ｃ−Ｚ−環Ｄ としては、
【化４９】 などが挙げられる。
【００４１】本発明の化合物の代表的な具体的化合物の
構造式とその相転移温度を以下に挙げるが本発明はこれ
に限定されるものではない。（式中、Ｃｒｙは結晶相、
ＳｍＣA *は反強誘電性キラルスメクチックＣ相、ＳｍＡ
はスメクチックＡ相、Ｉｓｏは等方性液体相を表わし、
数字は℃を表わす。）
【化５０】
【化５１】
【００４２】
【実施例】以下に実施例をあげて、本発明を具体的に説
明するが、勿論本発明の主旨、及び適用範囲は、これら
実施例により制限されるものではない。
【００４３】なお、相転移温度の測定は温度調節装置を
備えた偏光顕微鏡にて行った。また、化合物の構造はＮ
ＭＲ，ＩＲ，ＭＳ及び元素分析により確認した。ＩＲに
おける（ＫＢｒ）は錠剤成形による測定を、（ｎｅａ
ｔ）は液膜による測定を表わす。ＮＭＲにおけるＣＤＣ
ｌ3は溶媒を表わし、ｓは１重線、ｄは２重線、ｔは３
重線、ｑｕｉｎｔｅｔは５重線、ｓｅｘｔｅｔは６重
線、ｍは多重線を表わす。ＭＳは電子衝突イオン化法
（７０ｅＶ）で測定した。ただしＣＩと記した場合には
化学イオン化法を用いた。また、Ｍ+は親ピークを表わ
し、（ ）の中の数値はそのピークの相対強度を表わ
す。相転移温度は℃で昇温時の温度を表わす。
【００４４】実施例１ （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチル（Ｉ−１）の合成
【００４５】（１−１）４−メトキシ安息香酸 １−
（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成
【化５２】 前記反応式に示すように臭化エチルマグネシウム〔０．
９５Ｍテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液１．６ｍｌ，
１．５ｍｍｏｌ〕にＴＨＦ（７ｍｌ）を加え、−７８℃
に冷却し、１−ヨウ化ペルフルオロヘキサン（６６８ｍ
ｇ，１．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（２ｍｌ）溶液を加え、
１時間撹拌した。さらにアセトアルデヒド（０．１８ｍ
ｌ，３．０ｍｍｏｌ）を加え、６時間かけて室温まで昇
温した。反応液を１Ｍ塩酸にそそぎ、エーテル抽出後、
無水硫酸ナトリウムで乾燥し、常圧で加熱濃縮した。得
られた残渣は１−ヒドロキシ−１−ペルフルオロ−ヘキ
シル−エタンであった。この残渣に室温でジクロロメタ
ン（２ｍｌ）、塩化４−メトキシベンゾイル（３４１ｍ
ｇ，２．０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．５ｍ
ｌ）を加え、１日撹拌した。反応液を１Ｍ塩酸にそそ
ぎ、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減
圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）で精製して、４
−メトキシ安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エ
チル（２４１ｍｇ，収率３２％）を得た。さらに高速液
体クロマトグラフィー（光学異性体分離カラム、ＣＨＩ
ＲＡＬＣＥＬ ＯＤ，２０ｍｍＩＤ×３００ｍｍ，ヘキ
サン／２−プロパノール＝４００／１）で分割して、
（＋）−４−メトキシ安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチル（９７ｍｇ）および（−）−４−メトキ
シ安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１
１１ｍｇ）を得た。
【００４６】（＋）−４−メトキシ安息香酸 １−（ペ
ルフルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点６１℃ ［α］D 20＋１４．２゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０、２８５０、１７２０、１６１
０、１２８０、１２５０、１２００、１１５０、１１０
０、１０２５、７７０、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５４（ｄ，Ｊ＝７．
８Ｈｚ，３Ｈ）、３．８８（ｓ，３Ｈ）、５．７０（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１７．１ ａｎｄ６．６Ｈｚ，
１Ｈ）、６．９５（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、８．
０１（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４９８（Ｍ+，５６）、１３５（１００） 元素分析：Ｃ16Ｈ11Ｆ13Ｏ3として計算値：Ｃ，３８．
５７；Ｈ，２．２３％． 実測値：Ｃ，３８．３７；Ｈ，２．０５％
【００４７】（−）−４−メトキシ安息香酸 １−（ペ
ルフルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点６１℃ ［α］D 20−１４．４゜（ｃ＝０．５４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９７０、２８５０、１７２０、１６１
０、１２８０、１２５０、１２００、１１５０、１１０
０、１０２５、７７０、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５４（ｄ，Ｊ＝７．
８Ｈｚ，３Ｈ）、３．８８（ｓ，３Ｈ）、５．７０（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１７．１ ａｎｄ６．６Ｈｚ，
１Ｈ）、６．９５（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、８．
０１（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４９８（Ｍ+，１７）、１３５（１００） 元素分析：Ｃ16Ｈ11Ｆ13Ｏ3として計算値：Ｃ，３８．
５７；Ｈ，２．２３％． 実測値：Ｃ，３８．４２；Ｈ，１．９７％
【００４８】（１−２）（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成
【化５３】 前記反応式に示すように（＋）−４−メトキシ安息香酸
１−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１４５ｍｇ，
０．２９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（２ｍｌ）溶液
に、室温で塩化アルミニウム（１９４ｍｇ，１．４６ｍ
ｍｏｌ）およびジメチルスルフィド（０．２１ｍｌ，
２．９ｍｍｏｌ）を加え、一晩撹拌した。反応液を１Ｍ
塩酸にそそぎ、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリウムで
乾燥し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製
して、（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフ
ルオロヘキシル）エチル（１１５ｍｇ，収率８２％）を
得た。
【００４９】（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−
（ペルフルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色針状晶 融点６４℃ ［α］D 20＋１３．０゜（ｃ＝０．２０，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３７００、２９８０、１７０
０、１６１０、１５９５、１２７０、１２４０、１２０
０、１１４５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５４（ｄ，Ｊ＝５．
４Ｈｚ，３Ｈ）、５．４３（ｓ，１Ｈ）、５．６９（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１７．１ ａｎｄ６．５Ｈｚ，
１Ｈ）、６．８８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．
９７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４８４（Ｍ+，１２）、１３８（１８）、
１２１（１００） 高分解能ＭＳ ｍ／ｚ Ｃ15Ｈ9Ｆ13Ｏ3として計算値：４
８４．０３４３ 実測値：４８４．０３１６
【００５０】（１−３）（＋）−４−［４−（４−デシ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−（ペルフルオロヘキシル）エチル（Ｉ−１）の合成
【化５４】 前記反応式に示すように（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１０９ｍ
ｇ，０．２３ｍｍｏｌ）、４−（４−デシルオキシフェ
ニル）安息香酸（８８ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）、ジシ
クロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ，５１ｍｇ，０．
２５ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（１４ｍ
ｇ）をジクロロメタン（３ｍｌ）中、室温で３日間撹拌
した。反応液にエーテルを加え、セライトろ過後、濃縮
した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン／酢酸エチル＝１０／１）で精製して、（＋）−
４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ル（１５４ｍｇ，収率８３％）を得た。さらに再結晶
（ヘキサン１５ｍｌ−エーテル５ｍｌ混合液）により純
品（１３１ｍｇ，収率７１％）を得た。
【００５１】（＋）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフ
ルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 相転移温度Ｃｒｙ １３３ ＳｍＣA * １６
５ Ｉｓｏ ［α］D 20＋８．１゜（ｃ＝０．３２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８６０、１７４０、１６０
５、１２６５、１２４５、１１９５、１１５５、１０７
０、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４３（ｍ，１２Ｈ）、
１．４８（ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、
１．５２（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、４．０２
（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．７４（ｄ ｑｕｉ
ｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，２Ｈ）、
７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３６
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，
２Ｈ）、８．１５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．
２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ８２０（Ｍ+，４）、３３７（１００）、
４３（１８） 元素分析：Ｃ38Ｈ37Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，５５．
６１；Ｈ，４．５４％． 実測値：Ｃ，５５．５５；Ｈ，４．４３％
【００５２】実施例２ （−）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチルの合成
【００５３】（２−１）（−）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成 （＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフルオロ
ヘキシル）エチルの合成〔実施例１（１−２）〕と同様
な条件下、実施例１（１−１）で合成した（−）−４−
メトキシ安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ル（１５０ｍｇ，０．３ｍｍｏｌ）から、（−）−４−
ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エ
チル（１２４ｍｇ，収率８５％）を得た。
【００５４】（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−
（ペルフルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色針状晶 融点６４℃ ［α］D 20−１４．５゜（ｃ＝０．２２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３７００、２９８０、１７０
０、１６１０、１５９５、１２７０、１２４０、１２０
０、１１４５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５４（ｄ，Ｊ＝５．
４Ｈｚ，３Ｈ）、５．４３（ｓ，１Ｈ）、５．６９（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１７．１ ａｎｄ６．５Ｈｚ，
１Ｈ）、６．８８（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．
９７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４８４（Ｍ+，１２）、１３８（１８）、
１２１（１００） 高分解能ＭＳ ｍ／ｚ Ｃ15Ｈ9Ｆ13Ｏ3として計算値：４
８４．０３４３ 実測値：４８４．０３１３
【００５５】（２−２）（−）−４−［４−（４−デシ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成 （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチルの合成〔実施例１（１−３）〕と同様な条件
下、（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフル
オロヘキシル）エチル（１０３ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）
から、（＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニ
ル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチル（２４ｍｇ，収率７１％）を得た。
【００５６】（＋）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフ
ルオロヘキシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 相転移温度Ｃｒｙ １３３ ＳｍＣA * １６
５ Ｉｓｏ ［α］D 20−８．８゜（ｃ＝０．３２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８６０、１７４０、１６０
５、１２６５、１２４５、１１９５、１１５５、１０７
０、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４３（ｍ，１２Ｈ）、
１．４８（ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ）、
１．５２（ｄ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，３Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、４．０２
（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．７４（ｄ ｑｕｉ
ｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，２Ｈ）、
７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３６
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，
２Ｈ）、８．１５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．
２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ８２０（Ｍ+，４）、３３７（１００）、
４３（１８） 元素分析：Ｃ38Ｈ37Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，５５．
６１；Ｈ，４．５４％． 実測値：Ｃ，５５．５９；Ｈ，４．４４％
【００５７】実施例３ （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフ
ルオロブチル）プロピル（Ｉ−２）の合成
【００５８】（３−１）４−メトキシ安息香酸 １−メ
チル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルの合成
【化５５】 前記反応式に示すように１−ヨウ化−２−ペルフルオロ
ブチルエタン（１．４８ｇ，４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（５
ｍｌ）溶液に、０℃で臭化エチルマグネシウム（０．９
５Ｍ ＴＨＦ溶液５ｍｌ，４．８ｍｍｏｌ）を加え、３
０分間撹拌した。さらにアセトアルデヒド（０．４５ｍ
ｌ，８ｍｍｏｌ）を加え、室温で一晩撹拌した。反応液
を１Ｍ塩酸にそそぎ、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥し、常圧で加熱濃縮した。残渣に室温でジク
ロロメタン（５ｍｌ）、塩化４−メトキシベンゾイル
（１．０２ｇ，６ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１．
５ｍｌ）を加え、１日撹拌した。反応液を１Ｍ塩酸にそ
そぎ、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）で精製して、
４−メトキシ安息香酸１−メチル−３−（ペルフルオロ
ブチル）プロピル（１．０５ｇ，収率６１％）を得た。
【００５９】４−メトキシ安息香酸 １−メチル−３−
（ペルフルオロブチル）プロピルの性状と物性 無色油状物質 Ｒf０．３（ヘキサン／酢酸エチル＝５
／１） ＩＲ（ｎｅａｔ）２９７５、１７１０、１６０５、１５
１０、１４５５、１２６０、１２３０、１１６５、１１
３０、８４５、７７０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．３９（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９１−２．３５（ｍ，４Ｈ）、
３．８７（ｓ，３Ｈ）、５．１９（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝
６．３Ｈｚ，１Ｈ）、６．９３（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，
２Ｈ）、７．９８（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、ＭＳ
ｍ／ｚ ４２６（Ｍ+，１０）、１５２（６５）、１３
５（１００） 高分解能ＭＳ ｍ／ｚ Ｃ16Ｈ15Ｆ9Ｏ3として計算値：４
２６．０８７５． 実測値：４２６．０８６９
【００６０】（３−２）４−ヒドロキシ安息香酸 １−
メチル−３−(ペルフルオロブチル)プロピルの合成
【化５６】 前記反応式に示すように４−メトキシ安息香酸 １−メ
チル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（１．０
ｇ，２．４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１０ｍｌ）溶
液に、室温で塩化アルミニウム（１．９ｇ，１４．２ｍ
ｍｏｌ）およびジメチルスルフィド（２．１ｍｌ，２８
ｍｍｏｌ）を加え、２日間撹拌した。反応液を１Ｍ塩酸
にそそぎ、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製し
て、４−ヒドロキシ安息香酸 １−メチル−３−（ペル
フルオロブチル）プロピル（７６０ｍｇ，収率７８％）
を得た。さらに高速液体クロマトグラフィー（光学異性
体分離カラム、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ ＡＤ，２０ｍｍＩ
Ｄ×３００ｍｍ，ヘキサン／２−プロパノール＝２０／
１）で分割して、（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １
−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（１５
６ｍｇ）および（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−
メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（１４３
ｍｇ）を得た。
【００６１】（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−メ
チル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルの性状と物
性 無色油状物質 Ｒf０．５（ヘキサン／酢酸エチル＝２
／１） ［α］D 20＋２６．６゜（ｃ＝１．４２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ｎｅａｔ）３１００−３７００、２９８０、１６
８０、１６１０、１５９５、１２８０、１２３５、１１
６５、１１３０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．３９（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９０−２．３２（ｍ，４Ｈ）、
５．１９（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，３Ｈ） ５．５５（ｓ，１Ｈ）、６．８７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４１２（Ｍ+，４）、１３８（４８）、１
２１（１００） 元素分析：Ｃ15Ｈ13Ｆ9Ｏ3として計算値：Ｃ，４３．７
０；Ｈ，３．１８％． 実測値：Ｃ，４３．７０；Ｈ，３．１７％
【００６２】（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−メ
チル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルの性状と物
性 無色油状物質 Ｒf０．５（ヘキサン／酢酸エチル＝２
／１） ［α］D 20−２９．０゜（ｃ＝１．１６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ｎｅａｔ）３１００−３７００、２９８０、１６
８０、１６１０、１５９５、１２８０、１２３５、１１
６５、１１３０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．３９（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９０−２．３２（ｍ，４Ｈ）、
５．１９（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、
５．５５（ｓ，１Ｈ）、６．８７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４１２（Ｍ+，４）、１３８（４８）、１
２１（１００） 元素分析：Ｃ15Ｈ13Ｆ9Ｏ3として計算値：Ｃ，４３．７
０；Ｈ，３．１８％． 実測値：Ｃ，４３．５８；Ｈ，３．２０％
【００６３】（３−３）（＋）−４−［４−（４−デシ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（Ｉ−
２）の合成
【化５７】 前記反応式に示すように（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル
（１１１ｍｇ，０．２７ｍｍｏｌ）、４−（４−デシル
オキシフェニル）安息香酸（１０５ｍｇ，０．３ｍｍｏ
ｌ）、ＤＣＣ（６１ｍｇ，０．３０ｍｍｏｌ）、４−ジ
メチルアミノピリジン（１７ｍｇ）をジクロロメタン
（３ｍｌ）中、室温で一晩撹拌した。反応液にエーテル
を加え、セライトろ過後、濃縮した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１
０／１）で精製して、（＋）−４−［４−（４−デシル
オキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−
メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（１８０
ｍｇ，収率８９％）を得た。さらに再結晶（ヘキサン１
５ｍｌ−エーテル５ｍｌ混合液）により純品（１６４ｍ
ｇ，収率８１％）を得た。
【００６４】（＋）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
３−（ペルフルオロブチル）プロピルの性状と物性 無色針状晶 相転移温度Ｃｒｙ １１２ ＳｍＣA * １５
９ ＳｍＡ １６１ Ｉｓｏ［α］D 20＋１８．２゜（ｃ＝
０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９１０、２８５０、１７３５、１７２
０、１６０５、１２６５、１２２０、１１６０、１１３
５、１０７５、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４１（ｍ，１２Ｈ）、
１．４２（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，３Ｈ）、１．４８（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、１．９４−
２．１０（ｍ，２Ｈ）、１．１２−２．３３（ｍ，２
Ｈ）、４．０２（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．２
４（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．０１
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ）、７．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）、８．
１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ
＝８．６Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ７４８（Ｍ+，３）、３３７（１００）、 元素分析：Ｃ38Ｈ41Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，６０．９
６；Ｈ，５．５２％． 実測値：Ｃ，６０．７７；Ｈ，５．６７％
【００６５】実施例４ （−）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフ
ルオロブチル）プロピルの合成 （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフ
ルオロブチル）プロピルの合成〔実施例３（３−３）〕
と同様な条件下、実施例３（３−２）で合成した（−）
−４−ヒドロキシ安息香酸 １−メチル−３−（ペルフ
ルオロブチル）プロピル（１１１ｍｇ，０．２７ｍｍｏ
ｌ）から、（−）−４−［４−（４−デシルオキシフェ
ニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３
−（ペルフルオロブチル）プロピル（１６７ｍｇ，収率
８２％）を得た。
【００６６】（−）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
３−（ペルフルオロブチル）プロピルの性状と物性 無色針状晶 相転移温度Ｃｒｙ １１２ ＳｍＣA * １５
９ ＳｍＡ １６１ Ｉｓｏ［α］D 20−１６．９゜（ｃ＝
０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９１０、２８５０、１７３５、１７２
０、１６０５、１２６５、１２２０、１１６０、１１３
５、１０７５、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４１（ｍ，１２Ｈ）、
１．４２（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，３Ｈ）、１．４８（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、１．９４−
２．１０（ｍ，２Ｈ）、１．１２−２．３３（ｍ，２
Ｈ）、４．０２（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．２
４（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．０１
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ）、７．７１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）、８．
１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ
＝８．６Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ７４８（Ｍ+，２）、３３７（１００） 元素分析：Ｃ38Ｈ41Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，６０．９
６；Ｈ，５．５２％． 実測値：Ｃ，６０．６７；Ｈ，５．６５％
【００６７】実施例５ （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフ
ルオロオクチル）エチル（Ｉ−３）の合成
【００６８】（５−１）１−（ペルフルオロオクチル）
−２−プロパノールの合成
【化５８】 前記反応式に示すように、臭化メチルマグネシウム
（１．９４Ｍ ＴＨＦ溶液２．２ｍｌ，４．３ｍｍｏ
ｌ）にＴＨＦ（２２ｍｌ）を加え、さらに、０℃で２−
（ペルフルオロオクチル）アセトアルデヒド（１．０
ｇ，２．１６ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を１
時間かけて滴下し、さらに３時間撹拌した。反応液を飽
和食塩水にそそぎ、セライトろ過した。ろ液をエーテル
抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。
残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン
／酢酸エチル＝２０／１）で精製して、１−（ペルフル
オロオクチル）−２−プロパノール（０．５ｇ，収率４
８％）を得た。
【００６９】１−（ペルフルオロオクチル）−２−プロ
パノールの性状と物性 無色針状晶 融点３８℃ ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、２９８０、１２５
０、１２００、１１５０、９７０、６５５ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．３４（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．８０（ｄ，４．４Ｈｚ，１Ｈ）、
２．１０−２．４２（ｍ，２Ｈ）、４．３２−４．４２
（ｍ，１Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ４７７（Ｍ+−１，ｔｒａｃｅ）、６９
（１３）、４５（１００） 元素分析：Ｃ11Ｈ7Ｆ17Ｏとして計算値：Ｃ，２７．６
３；Ｈ，１．４８％． 実測値：Ｃ，２７．７３；Ｈ，１．４５％
【００７０】（５−２）４−メトキシ安息香酸 １−メ
チル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの合成
【化５９】 前記反応式に示すように１−（ペルフルオロオクチル）
−２−プロパノール（４４０ｍｇ，０．９ｍｍｏｌ）の
ジクロロメタン（３ｍｌ）溶液に、室温で塩化４−メト
キシベンゾイル（２３６ｍｇ，１．４ｍｍｏｌ）、トリ
エチルアミン（１ｍｌ）、４−ジメチルアミノピリジン
（１１２ｍｇ，０．９２ｍｍｏｌ）を加え、４時間撹拌
した。反応液を１Ｍ塩酸にそそぎ、エーテル抽出後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧濃縮した。残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチ
ル＝２０／１）で精製して、４−メトキシ安息香酸 １
−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（５５
３ｍｇ，収率９８％）を得た。さらに高速液体クロマト
グラフィー（光学異性体分離カラム，ＣＨＩＲＡＬＣＥ
Ｌ ＯＤ，２０ｍｍＩＤ×３００ｍｍ，ヘキサン／２−
プロパノール＝３００／１）で分割して、（＋）−４−
メトキシ安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオ
クチル）エチル（２４５ｍｇ）および（−）−４−メト
キシ安息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオクチ
ル）エチル（２５１ｍｇ）を得た。
【００７１】（＋）−４−メトキシ安息香酸 １−メチ
ル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色針状晶 融点７５℃ ［α］D 20＋２１．１゜（ｃ＝０．５５，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３０３０、２９７０、１７１０、１６１
０、１２８０、１２５０、１２２０、１１４５、１１０
０、７７０、６５０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４８（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．２７−２．４４（ｍ，１Ｈ）、
２．５４−２．７２（ｍ，１Ｈ）、３．６７（ｓ，３
Ｈ）、５．５２−５．６１（ｍ，１Ｈ） ６．９３（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．９８
（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ６１２（Ｍ+，１１）、１５２（４１）、
１３５（１００） 元素分析：Ｃ19Ｈ13Ｆ17Ｏ3として計算値：Ｃ，３７．
２７；Ｈ，２．１４％． 実測値：Ｃ，３７．１９；Ｈ，２．０２％
【００７２】（−）−４−メトキシ安息香酸 １−メチ
ル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色針状晶 融点７５℃ ［α］D 20−２０．０゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３０３０、２９７０、１７１０、１６１
０、１２８０、１２５０、１２２０、１１４５、１１０
０、７７０、６５０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４８（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．２７−２．４４（ｍ，１Ｈ）、
２．５４−２．７２（ｍ，１Ｈ）、３．６７（ｓ，３
Ｈ）、５．５２−５．６１（ｍ，１Ｈ） ６．９３（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．９８
（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ６１２（Ｍ+，１１）、１５２（４１）、
１３５（１００） 元素分析：Ｃ19Ｈ13Ｆ17Ｏ3として計算値：Ｃ，３７．
２７；Ｈ，２．１４％． 実測値：Ｃ，３７．１５；Ｈ，１．９６％
【００７３】（５−３）（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル
の合成
【化６０】 前記反応式に示すように（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成〔実施
例１（１−２）〕と同様な条件下、（＋）−４−メトキ
シ安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチ
ル）エチル（２５０ｍｇ，０．４１ｍｍｏｌ）から、
（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−メチル−２−
（ペルフルオロオクチル）エチル（１７４ｍｇ，収率７
１％）を得た。
【００７４】（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−メ
チル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物
性 無色針状晶 融点１１８℃ ［α］D 20＋１９．４゜（ｃ＝０．７０，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、２９８０、１７１
０、１６８０、１６０５、１５９０、１２７０、１２４
０、１２００、１１４０、６５０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４８（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．２７−２．４４（ｍ，１Ｈ）、
２．５４−２．７２（ｍ，１Ｈ）、５．５２−５．６１
（ｍ，１Ｈ）、５．４３（ｓ，１Ｈ）、６．８６（ｄ，
Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ５９８（Ｍ+，４）、１３８（４１）、１
２１（１００） 元素分析：Ｃ18Ｈ11Ｆ17Ｏ3として計算値：Ｃ，３６．
１４；Ｈ，１．８５％． 実測値：Ｃ，３６．３３；Ｈ，１．９０％
【００７５】（５−４）（＋）−４−［４−（４−デシ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル （Ｉ−３）の合成
【化６１】 前記反応式に示すように（＋）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル
（１７２ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）、４−（４−デシル
オキシフェニル）安息香酸（１０２ｍｇ，０．２９ｍｍ
ｏｌ）、ＤＣＣ（５９ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）、４−
ジメチルアミノピリジン（１８ｍｇ）をジクロロエタン
（３ｍｌ）中、室温で２日間撹拌した。反応液にエーテ
ルを加え、セライトろ過後、濃縮した。残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝
５／１）で精製して、（＋）−４−［４−（４−デシル
オキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−
メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（１７０
ｍｇ，収率６３％）を得た。さらに再結晶（ヘキサン２
０ｍｌ−エーテル４０ｍｌ−ジクロロメタン１２ｍｌ混
合液）により純品（１６２ｍｇ，収率６０％）を得た。
【００７６】（＋）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色針状晶 相転移温度Ｃｒｙ １６０ ＳｍＣA * １９
６ ＳｍＡ １９８ Ｉｓｏ［α］D 20＋１４．６゜（ｃ＝
０．３７，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８５０、１７４０、１７１
５、１６０５、１２６５、１２００、１１５０、１０７
５、７６５ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４３（ｍ，１２Ｈ）、
１．４８（ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、
１．５２（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、２．３０−
２．４８（ｍ，１Ｈ）、２．５７−２．７５（ｍ，１
Ｈ）、４．０２（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．５
７−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．７
１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，
２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ９３４（Ｍ+，４）、３３７（１００） 元素分析：Ｃ41Ｈ39Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，５２．
６８；Ｈ，４．２１％． 実測値：Ｃ，５２．７２；Ｈ，４．０４％
【００７７】実施例６ （−）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフ
ルオロオクチル）エチルの合成
【００７８】（６−１）（−）−４−ヒドロキシ安息香
酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル
の合成 （＋）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフルオロ
ヘキシル）エチルの合成〔実施例１（１−２）〕と同様
な条件下、（−）−４−メトキシ安息香酸 １−メチル
−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（２５０ｍｇ，
０．４１ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−ヒドロキシ安息
香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチ
ル（２０９ｍｇ，収率８６％）を得た。
【００７９】（−）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色針状晶 融点１１８℃ ［α］D 20−２０．０゜（ｃ＝０．７４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、２９８０、１７１
０、１６８０、１６０５、１５９０、１２７０、１２４
０、１２００、１１４０、６５０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４８（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．２７−２．４４（ｍ，１Ｈ）、
２．５４−２．７２（ｍ，１Ｈ）、５．５２−５．６１
（ｍ，１Ｈ）、５．４３（ｓ，１Ｈ）、６．８６（ｄ，
Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．９５（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ５９８（Ｍ+，４）、１３８（４１）、１
２１（１００） 元素分析：Ｃ18Ｈ11Ｆ17Ｏ3として計算値：Ｃ，３６．
１４；Ｈ，１．８５％． 実測値：Ｃ，３６．３８；Ｈ，１．８２％
【００８０】（６−２）（−）−４−［４−（４−デシ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの合成 （＋）−４−［４−（４−デシルオキシフェニル）フェ
ニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフ
ルオロオクチル）エチルの合成〔実施例５（５−４）〕
と同様な条件下、（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １
−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（１９
０ｍｇ，０．３２ｍｍｏｌ）から、（−）−４−［４−
（４−デシルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安
息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチ
ル（１５４ｍｇ，収率５２％）を得た。
【００８１】（−）−４−［４−（４−デシルオキシフ
ェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
２−（ペルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色針状晶 相転移温度Ｃｒｙ １６０ ＳｍＣA * １９
６ ＳｍＡ １９８ Ｉｓｏ［α］D 20−１３．３゜（ｃ＝
０．３６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８５０、１７４０、１７１
５、１６０５、１２６５、１２００、１１５０、１０７
５、７６５ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２０−１．４３（ｍ，１２Ｈ）、
１．４８（ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、
１．５２（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，３Ｈ）、１．８２（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、２．３０−
２．４８（ｍ，１Ｈ）、２．５７−２．７５（ｍ，１
Ｈ）、４．０２（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ）、５．５
７−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．０１（ｄ，Ｊ＝８．８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、７．６０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．７
１（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，
２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ ９３４（Ｍ+，４）、３３７（１００） 元素分析：Ｃ41Ｈ39Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，５２．
６８；Ｈ，４．２１％． 実測値：Ｃ，５２．７０；Ｈ，４．０２％
【００８２】実施例７ （−）−４−［４−（４−デカノイルオキシ）フェニル
カルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）
エチル（Ｉ−４）の合成
【００８３】（７−１）（−）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチルの合成
【化６２】 前記反応式に示すように実施例２（２−１）で合成した
（−）−４−ヒドロキシ安息香酸 １−（ペルフルオロ
ヘキシル）エチル（１６７ｍｇ，０．３４ｍｍｏｌ）、
４−ベンジルオキシ安息香酸（８６ｍｇ，０．３８ｍｍ
ｏｌ）、ＤＣＣ（７８ｍｇ，０．３８ｍｍｏｌ）、４−
ジメチルアミノピリジン（８ｍｇ）をジクロロメタン
（２ｍｌ）中、室温で１日撹拌した。反応液にエーテル
を加え、セライトろ過後、濃縮した。残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１
０／１）で精製して、（−）−４−（４−ベンジルオキ
シフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロ
ヘキシル）エチル（１９５ｍｇ，収率８１％）を得た。
【００８４】（−）−４−（４−ベンジルオキシフェニ
ルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１５５℃ ［α］D 20−１０．４゜（ｃ＝０．５０，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９４０、１７３０、１６０５、１２６
５、１２００、１１５０、１０６５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５６（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、５．１７（ｓ，２Ｈ）、５．７３（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，
１Ｈ）、７．０７（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．
３２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，５Ｈ）、７．３４−７．４
８（ｍ，５Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１６（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６９５（Ｍ+） 元素分析：Ｃ29Ｈ19Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，５０．
１６；Ｈ，２．７６％． 実測値：Ｃ，５０．３３；Ｈ，２．５８％
【００８５】（７−２）（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの合成
【化６３】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチル（１７０ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）
の酢酸エチル（１０ｍｌ）溶液に１０％パラジウム−炭
素（２６ｍｇ）を加え、水素雰囲気下、２時間撹拌し
た。反応液をセライトろ過後、濃縮後、残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝
３／１）で精製して、（−）−４−（４−ヒドロキシフ
ェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキ
シル）エチル（１４３ｍｇ，収率９７％）を得た。
【００８６】（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エ
チルの性状と物性 無色針状晶 融点１３７℃ ［α］D 20−１１．４゜（ｃ＝０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、３０００、１７３
０、１７１０、１６０５、１５９０、１５１０、１２７
５、１２００、１１６０、１０８０、７６０、７００ｃ
ｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５６（ｄ，Ｊ＝６．
１Ｈｚ，３Ｈ）、５．６０（ｓ，１Ｈ）、５．７３（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，
１Ｈ）、６．９３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．
３２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ
＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６０５（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ22Ｈ13Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，４３．
７３；Ｈ，２．１７％． 実測値：Ｃ，４３．９５；Ｈ，１．９９％
【００８７】（７−３）（−）−４−［４−（デカノイ
ルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペル
フルオロヘキシル）エチル（Ｉ−４）の合成
【化６４】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチル（１２９ｍｇ，０．２１ｍｍｏｌ）のジ
クロロメタン（２ｍｌ）溶液に、塩化デカノイル（０．
０６７ｍｌ，０．３２ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノ
ピリジン（１３ｍｇ）、トリエチルアミン（０．１ｍ
ｌ）を加え、室温で２時間撹拌した。反応液に１Ｍ塩酸
を加え、エーテル抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥
し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝２０／１）で精製し
て、（−）−４−［（４−（デカノイルオキシ）フェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチル（１４３ｍｇ，収率８８％）を得た。
【００８８】（−）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１１０℃ ［α］D 20−８．９゜（ｃ＝０．５４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９１０、１７６０、１７４０、１６０
０、１２６０、１１９５、１１５５、１０６５、１０１
２、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．５７（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，３Ｈ）、１．７８（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、２．６０
（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、５．７４（ｄ ｑｕｉ
ｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ ６．３Ｈｚ、１
Ｈ）、７．２６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３
０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）７５９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ31Ｆ13Ｏ6として計算値：Ｃ，５０．
６７；Ｈ，４．１２％． 実測値：Ｃ，５０．５２；Ｈ，４．００％
【００８９】実施例８ （＋）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ルの合成
【００９０】（８−１）（＋）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチルの合成 （−）−４−（４−ベンジルオキシフェニルカルボキ
シ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの
合成〔実施例７（７−１）〕と同様な条件下、実施例１
（１−２）で合成した（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸
１−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１５７ｍｇ，
０．３２ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−（４−ベンジル
オキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフル
オロヘキシル）エチル（２０５ｍｇ，収率９１％）を得
た。
【００９１】（＋）−４−（−４−ベンジルオキシフェ
ニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１５５℃ ［α］D 20＋１１．６゜（ｃ＝０．５１，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９４０、１７３０、１６０５、１２６
５、１２００、１１５０、１０６５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５６（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、５．１７（ｓ，２Ｈ）、５．７３（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，
１Ｈ）、７．０７（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．
３２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，５Ｈ）、７．３４−７．４
８（ｍ，５Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１６（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６９５（Ｍ+） 元素分析：Ｃ29Ｈ19Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，５０．
１６；Ｈ，２．７６％． 実測値：Ｃ，５０．３６；Ｈ，２．６７％
【００９２】（８−２）（＋）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの合成 （−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成
〔実施例７（７−２）〕と同様な条件下、（＋）−４−
（４−ベンジルオキシフェニルカルボキシ）安息香酸
１−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１８３ｍｇ，
０．２６ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−（４−ヒドロキ
シフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロ
ヘキシル）エチル（１２６ｍｇ，収率７９％）を得た。
【００９３】（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エ
チルの性状と物性 無色針状晶 融点１３７℃ ［α］D 20−１１．１゜（ｃ＝０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、３０００、１７３
０、１７１０、１６０５、１５９０、１５１０、１２７
５、１２００、１１６０、１０８０、７６０、７００ｃ
ｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５６（ｄ，Ｊ＝６．
１Ｈｚ，３Ｈ）、５．６０（ｓ，１Ｈ）、５．７３（ｄ
ｑｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ６．４Ｈｚ，
１Ｈ）、６．９３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．
３２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ
＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６０５（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ22Ｈ13Ｆ13Ｏ5として計算値：Ｃ，４３．
７３；Ｈ，２．１７％． 実測値：Ｃ，４３．９３；Ｈ，２．０６％
【００９４】（８−３）（＋）−４−［４−（デカノイ
ルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペル
フルオロヘキシル）エチルの合成 （−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ルの合成〔実施例７（７−３）〕と同様な条件下、
（＋）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１１６
ｍｇ，０．１９ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−［４−
（デカノイルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸
１−（ペルフルオロヘキシル）エチル（１０４ｍｇ，収
率６０％）を得た。
【００９５】（＋）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１１０℃ ［α］D 20＋８．８゜（ｃ＝０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９１０、１７６０、１７４０、１６０
０、１２６０、１１９５、１１５５、１０６５、１０１
２、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．５７（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，３Ｈ）、１．７８（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ）、２．６０
（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、５．７４（ｄ ｑｕｉ
ｎｔｅｔ，Ｊ＝１６．９ ａｎｄ ６．３Ｈｚ，１Ｈ） ７．２６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）７５９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ31Ｆ13Ｏ6として計算値：Ｃ，５０．
６７；Ｈ，４．１２％． 実測値：Ｃ，５０．７０；Ｈ，４．０６％
【００９６】実施例９ （−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブ
チル）プロピル（Ｉ−５）の合成
【００９７】（９−１）（−）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−
（ペルフルオロブチル）プロピルの合成
【化６５】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチルの合成〔実施例７（７−１）〕と同
様な条件下、実施例３（３−２）で合成した（−）−４
−ヒドロキシ安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオ
ロブチル）プロピル（２０４ｍｇ，０．５０ｍｍｏｌ）
から、（−）−４−（４−ベンジルオキシフェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブ
チル）プロピル（２８９ｍｇ，収率９４％）を得た。
【００９８】（−）−４−（４−ベンジルオキシフェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフル
オロブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点１３７℃ ［α］D 20−１９．６゜（ｃ＝０．５４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３０００、２９５０、１７２５、１６１
０、１２８０、１２３５、１１３５、１０７５、７６
５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４２（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９３−２．１０（ｍ，２Ｈ）、
２．１０−２．３６（ｍ，２Ｈ）、５．１７（ｓ，２
Ｈ）、５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１
Ｈ）、７．０７（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．３
０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３−７．４８
（ｍ，５Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１６（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６２３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ29Ｈ23Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，５５．９
６；Ｈ，３．７２％． 実測値：Ｃ，５６．１１；Ｈ，３．７２％
【００９９】（９−２）（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−３−（ペ
ルフルオロブチル）プロピルの合成
【化６６】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの合成〔実施例７（７−２）〕と同様な
条件下、（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボ
キシ）安息香酸１−メチル−３−（ペルフルオロブチ
ル）プロピル（２３１ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）から、
（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸１−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピ
ル（１９０ｍｇ，収率９６％）を得た。
【０１００】（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロ
ブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点１１６℃ ［α］D 20−２４．４゜（ｃ＝０．５４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、３０００、１７３
０、１７００、１６０５、１５９０、１５１０、１２８
０、１２００、１１６０、８５０、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４２（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９３−２．３６（ｍ，４Ｈ）、
５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、
５．６２（ｓ，１Ｈ）、６．９３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、
８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）５３３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ22Ｈ17Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，４９．６
７；Ｈ，３．２２％． 実測値：Ｃ，４９．７６；Ｈ，３．００％
【０１０１】（９−３）（−）−４−［４−（デカノイ
ルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル
−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（Ｉ−５）の合
成
【化６７】 前記反応式に示すように（−）−４−［４−（デカノイ
ルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペル
フルオロヘキシル）エチルの合成〔実施例７（７−
３）〕と同様な条件下、（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−３−（ペ
ルフルオロブチル）プロピル（１６０ｍｇ，０．３０ｍ
ｍｏｌ）から、（−）−４−［４−（デカノイルオキ
シ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−
（ペルフルオロブチル）プロピル（２００ｍｇ，収率９
７％）を得た。さらにヘキサンから再結晶して、純品
（１８５ｍｇ，収率９０％）を得た。
【０１０２】（−）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペ
ルフルオロブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点８６℃ ［α］D 20−１８．１゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８５０、１７６０、１７４
０、１７１２、１６００、１２４０、１２００、１１６
０、１１３０、７２０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．４２（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，３Ｈ）、１．７７（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．９４−
２．３３（ｍ，４Ｈ）、２．６０（ｔ，Ｊ＝７５０Ｈ
ｚ，２Ｈ）、５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．２Ｈ
ｚ，１Ｈ）、７．２５（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、
７．３１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１１
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６８７（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ35Ｆ9Ｏ6として計算値：Ｃ，５５．９
８；Ｈ，５．１４％． 実測値：Ｃ，５６．０４；Ｈ，５．１４％
【０１０３】実施例１０ （＋）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブ
チル）プロピルの合成
【０１０４】（１０−１）（＋）−４−（４−ベンジル
オキシフェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３
−（ペルフルオロブチル）プロピルの合成 （−）−４−（４−ベンジルオキシフェニルカルボキ
シ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの
合成〔実施例７（７−１）〕と同様な条件下、実施例３
（３−２）で合成した（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸
１−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル
（２１２ｍｇ，０．５１ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−
（４−ベンジルオキシフェニルカルボキシ］安息香酸
１−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（３
３１ｍｇ，収率１００％）を得た。
【０１０５】（＋）−４−（４−ベンジルオキシフェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフル
オロブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点１３７℃ ［α］D 20＋１９．６゜（ｃ＝０．５４，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３０００、２９５０、１７２５、１６１
０、１２８０、１２３５、１１３５、１０７５、７６
５、７００ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４２（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９３−２．１０（ｍ，２Ｈ）、
２．１０−２．３６（ｍ，２Ｈ）、５．１７（ｓ，２
Ｈ）、５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１
Ｈ）、７．０７（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．３
０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３−７．４８
（ｍ，５Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１６（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６２３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ29Ｈ23Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，５５．９
６；Ｈ，３．７２％． 実測値：Ｃ，５６．０９；Ｈ，３．６３％
【０１０６】（１０−２）（＋）−４−（４−ヒドロキ
シフェニルカルボキシ）安息香酸１−メチル−３−（ペ
ルフルオロブチル）プロピルの合成 （−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成
〔実施例７（７−２）〕と同様な条件下、（＋）−４−
（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−
メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピル（２０５
ｍｇ，０．３３ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−（４−ヒ
ドロキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−
３−（ペルフルオロブチル）プロピル（１６４ｍｇ，収
率９４％）を得た。
【０１０７】（＋）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロ
ブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点１１６℃ ［α］D 20＋２２．３゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、３０００、１７３
０、１７００、１６０５、１５９０、１５１０、１２８
０、１２００、１１６０、８５０、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．４２（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、１．９３−２．３６（ｍ，４Ｈ）、
５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，１Ｈ）、
５．５７（ｓ，１Ｈ）、６．９３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈ
ｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、
８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）５３３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ22Ｈ17Ｆ9Ｏ5として計算値：Ｃ，４９．６
７；Ｈ，３．２２％． 実測値：Ｃ，４９．８５；Ｈ，３．０１％
【０１０８】（１０−３）（＋）−４−［４−（デカノ
イルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチ
ル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルの合成 （−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ルの合成〔実施例７（７−３）〕と同様な条件下、
（＋）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロ
ピル（１５０ｍｇ，０．２８ｍｍｏｌ）から、（＋）−
４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカルボキシ］
安息香酸 １−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プ
ロピル（１８６ｍｇ，収率９７％）を得た。さらにヘキ
サンから再結晶して、純品（１２４ｍｇ，収率６４％）
を得た。
【０１０９】（＋）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペ
ルフルオロブチル）プロピルの性状と物性 無色板状晶 融点８６℃ ［α］D 20＋１６．８゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９２０、２８５０、１７６０、１７４
０、１７１２、１６００、１２４０、１２００、１１６
０、１１３０、７２０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．４２（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，３Ｈ）、１．７７（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、１．９４−
２．３３（ｍ，４Ｈ）、２．６０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈ
ｚ，２Ｈ）、５．２３（ｓｅｘｔｅｔ，Ｊ＝６．２Ｈ
ｚ，１Ｈ）、７．２５（ｄ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、
７．３１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１１
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２４（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）６８７（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ35Ｆ9Ｏ6として計算値：Ｃ，５５．９
８；Ｈ，５．１４％． 実測値：Ｃ，５６．０６；Ｈ，５．１７％
【０１１０】実施例１１ （−）−４［４−（４−デカノイルオキシ）フェニルカ
ルボキシ］安息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオ
クチル）エチル（Ｉ−６）の合成
【０１１１】（ｌｌ−１）（−）−４−（４−ベンジル
オキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−２
−（ペルフルオロオクチル）エチルの合成
【化６８】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ベンジルオ
キシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオ
ロヘキシル）エチルの合成〔実施例７（７−１）〕と同
様な条件下、実施例６（６−１）で合成した（−）−４
−ヒドロキシ安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオ
ロオクチル）エチル（１５１ｍｇ，０．２５ｍｍｏｌ）
から、（−）−４−（４−ベンジルオキシフェニルカル
ボキシ）安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオ
クチル）エチル（１７７ｍｇ，収率８８％）を得た。
【０１１２】（−）−４−（４−ベンジルオキシフェニ
ルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−２−（ペルフル
オロオクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１６６℃ ［α］D 20−１６．１゜（ｃ＝０．５１，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９９０、２９４０、１７２０、１６０
５、１２７５、１２００、１１６０、１０６５、７６５
ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５５（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．３０−２．４７（ｍ，１Ｈ）、
２．５６−２．７５（ｍ，１Ｈ）、５．１７（ｓ，２
Ｈ）、５．５６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．０７
（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．２９（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３−７．４８（ｍ，５
Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１
５（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）８０９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ21Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，４７．
５４；Ｈ，２．６２％． 実測値：Ｃ，４７．６０；Ｈ，２．５４％
【０１１３】（ｌｌ−２）（−）−４−（４−ヒドロキ
シフェニルカルボキシ）安息香酸１−メチル−２−（ペ
ルフルオロオクチル）エチルの合成
【化６９】 前記反応式に示すように（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘ
キシル）エチルの合成〔実施例７（７−２）〕と同様な
条件下、（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボ
キシ）安息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオクチ
ル）エチル（１５７ｍｇ，０．３７ｍｍｏｌ）から、
（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチ
ル（１１７ｍｇ，収率８４％）を得た。
【０１１４】（−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロ
オクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１３９℃ ［α］D 20−１５．８゜（ｃ＝０．３３，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、２９９０、１７３
５、１７１０、１６０５、１２７０、１２００、１１４
５、１０６０、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５１（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．３０−２．４７（ｍ，１Ｈ）、
２．５６−２．７５（ｍ，１Ｈ）、５．５３（ｓ，１
Ｈ）、５．５６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、６．９３
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）７１９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ25Ｈ15Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，４１．
８０；Ｈ，２．１１％． 実測値：Ｃ，４１．６６；Ｈ，１．８７％
【０１１５】（ｌｌ−３）（−）−４−［４−（デカノ
イルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチ
ル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（Ｉ−６）の
合成
【化７０】 前記反応式に示すように（−）−４−［４−（デカノイ
ルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−（ペル
フルオロヘキシル）エチルの合成〔実施例７（７−
３）〕と同様な条件下、（−）−４−（４−ヒドロキシ
フェニルカルボキシ）安息香酸 １−（ペルフルオロオ
クチル）エチル（１１５ｍｇ，０．１６ｍｍｏｌ）か
ら、（−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニル
カルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオ
ロオクチル）エチル（１２６ｍｇ，収率９０％）を得
た。
【０１１６】（−）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペ
ルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１４０℃ ［α］D 20−１４．８゜（ｃ＝０．５２，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９４０、２８７０、１７６０、１７４
０、１７１５、１６０５、１２６５、１２００、１１４
５、１０７０、６６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．５１（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，３Ｈ）、１．７７（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、２．３０−
２．４８（ｍ，１Ｈ）、２．５６−２．７５（ｍ，１
Ｈ）、２．６０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、５．５
６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．２５（ｄ，Ｊ＝８．８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２
３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）８７３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ35Ｈ33Ｆ17Ｏ6として計算値：Ｃ，４８．
１８；Ｈ，３．８１％． 実測値：Ｃ，４８．１４；Ｈ，３．９０％
【０１１７】実施例１２ （＋）−４［４−（４−デカノイルオキシ）フェニルカ
ルボキシ］安息香酸１−メチル−２−（ペルフルオロオ
クチル）エチルの合成
【０１１８】（ｌ２−１）（＋）−４−（４−ベンジル
オキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−２
−（ペルフルオロオクチル）エチルの合成 （−）−４−（４−ベンジルオキシフェニルカルボキ
シ）安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの
合成〔実施例７（７−１）〕と同様な条件下、実施例５
（５−３）で合成した（＋）−４−ヒドロキシ安息香酸
１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル
（２３１ｍｇ，０．３９ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−
（４−ベンジルオキシフェニルカルボキシ）安息香酸
１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（２
６５ｍｇ，収率８５％）を得た。
【０１１９】（＋）−４−（４−ベンジルオキシフェニ
ルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−２−（ペルフル
オロオクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１６６℃ ［α］D 20＋１７．６゜（ｃ＝０．５０，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９９０、２９４０、１７２０、１６０
５、１２７５、１２００、１１６０、１０６５、７６５
ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５５（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．３０−２．４７（ｍ，１Ｈ）、
２．５６−２．７５（ｍ，１Ｈ）、５．１７（ｓ，２
Ｈ）、５．５６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．０７
（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ）、７．２９（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３３−７．４８（ｍ，５
Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１
５（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）８０９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ32Ｈ21Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，４７．
５４；Ｈ，２．６２％． 実測値：Ｃ，４７．６１；Ｈ，２．３８％
【０１２０】（ｌ２−２）（＋）−４−（４−ヒドロキ
シフェニルカルボキシ）安息香酸１−メチル−２−（ペ
ルフルオロオクチル）エチルの合成 （−）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの合成
〔実施例７（７−２）〕と同様な条件下、（＋）−４−
（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−
メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（２７９
ｍｇ，０．３５ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−（４−ヒ
ドロキシフェニルカルボキシ）安息香酸 １−メチル−
２−（ペルフルオロオクチル）エチル（２１５ｍｇ，収
率８６％）を得た。
【０１２１】（＋）−４−（４−ヒドロキシフェニルカ
ルボキシ）安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロ
オクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１３９℃ ［α］D 20＋１７．０゜（ｃ＝０．５３，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）３１００−３６００、２９９０、１７３
５、１７１０、１６０５、１２７０、１２００、１１４
５、１０６０、７６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ １．５１（ｄ，Ｊ＝６．
３Ｈｚ，３Ｈ）、２．３０−２．４７（ｍ，１Ｈ）、
２．５６−２．７５（ｍ，１Ｈ）、５．５３（ｓ，１
Ｈ）、５．５６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、６．９３
（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝
８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．１０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，
２Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）７１９（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ25Ｈ15Ｆ17Ｏ5として計算値：Ｃ，４１．
８０；Ｈ，２．１１％． 実測値：Ｃ，４１．７４；Ｈ，１．８８％
【０１２２】（ｌ２−３）（＋）−４−［４−(デカノ
イルオキシ)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチ
ル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの合成 （−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ルの合成〔実施例７（７−３）〕と同様な条件下、
（＋）−４−（４−ヒドロキシフェニルカルボキシ）安
息香酸 １−（ペルフルオロオクチル）エチル（２０５
ｍｇ，０．２９ｍｍｏｌ）から、（＋）−４−［４−
（デカノイルオキシ）フェニルカルボキシ］安息香酸
１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチル（２
２６ｍｇ，収率９０％）を得た。
【０１２３】（＋）−４−［４−（デカノイルオキシ）
フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペ
ルフルオロオクチル）エチルの性状と物性 無色板状晶 融点１４０℃ ［α］D 20＋１４．６゜（ｃ＝０．５６，ＣＨＣｌ3） ＩＲ（ＫＢｒ）２９４０、２８７０、１７６０、１７４
０、１７１５、１６０５、１２６５、１２００、１１４
５、１０７０、６６０ｃｍ-1 1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ ０．８９（ｔ，Ｊ＝７．
０Ｈｚ，３Ｈ）、１．２２−１．４８（ｍ，１２Ｈ）、
１．５１（ｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，３Ｈ）、１．７７（ｑ
ｕｉｎｔｅｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ）、２．３０−
２．４８（ｍ，１Ｈ）、２．５６−２．７５（ｍ，１
Ｈ）、２．６０（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，２Ｈ）、５．５
６−５．６６（ｍ，１Ｈ）、７．２５（ｄ，Ｊ＝８．８
Ｈｚ，２Ｈ）、７．３０（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２
Ｈ）、８．１２（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ）、８．２
３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，２Ｈ） ＭＳ ｍ／ｚ （ＣＩ）８７３（Ｍ+＋１） 元素分析：Ｃ35Ｈ33Ｆ17Ｏ6として計算値：Ｃ，４８．
１８；Ｈ，３．８１％． 実測値：Ｃ，４８．０６；Ｈ，３．７３％
【０１２４】実施例１３ （＋）−４−［４−(４−デシルオキシフェニル)フェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチル（Ｉ−１）の電気光学特性 ラビング処理したポリイミド配向膜を透明電極板上に有
する厚さ２．０μｍのセルに実施例１で合成した（＋）
−４−［４−(４−デシルオキシフェニル)フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチ
ルを等方相において充填し、液晶薄膜セルを作製した。
作製したセルを１〜２℃／ｍｉｎの温度勾配で徐冷して
液晶相を析出させた。この液晶セルを２枚の偏光板を直
行させた光電子倍増管付き偏光顕微鏡に電圧０Ｖの状態
で暗視野となるように配置した。液晶が反強誘電相であ
るときに、セルに±４０Ｖ、１Ｈｚの三角波電圧を印加
したときの透過光強度を、印加した電圧に対してグラフ
化すると図１のようになる。
【０１２５】反強誘電相の状態からプラス（またはマイ
ナス）側に電圧を印加していく過程で、強誘電相へ転移
する前に、透過光強度が徐々に大きくなる現象が知られ
ている。実際のディスプレイにおいては、閾値電圧より
小さい直流バイアス電圧を印加した状態で、パルス電圧
を印加して駆動することになるので、反強誘電状態にお
ける光漏れはコントラストを低下させる原因となる。こ
の反強誘電状態における光漏れを以下のように定量的に
評価する。無電圧の状態からプラス（またはマイナス）
側に電圧を印加していく過程における相対透過率を印加
電圧に対して二階差分したときの値が２になるときの電
圧を求めた。さらに相対透過率−印加電圧曲線から相当
する電圧における相対透過率を求め、これを鍋底率と定
義する。
【０１２６】本実施例で使用する（＋）−４−［４−
(４−デシルオキシフェニル)フェニルカルボキシ］安息
香酸 １−（ペルフルオロヘキシル）エチルの１５０℃
における鍋底率は２．７、１４０℃では３．９であり、
鍋底率が小さく、光漏れの少ない優れた材料である。
【０１２７】下記の表１は三角波法によって測定した
（＋）−４−［４−(４−デシルオキシフェニル)フェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−（ペルフルオロヘキシ
ル）エチルの自発分極の値である。４−［４−(４−オ
クチルオキシフェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸
１−（トリフルオロメチル）ヘプチル（ＴＦＭＨＰＯ
ＢＣ）およびその類縁体の自発分極が２００ｎＣ／ｃｍ
2程度であることから、（＋）−４−［４−(４−デシル
オキシフェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸１−
（ペルフルオロヘキシル）エチルの自発分極は大きいと
いえる。
【０１２８】
【表１】 温度（℃） 自発分極（ｎＣ／ｃｍ2） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ １６０ ２５０．７ １５５ ２９８．２ １５０ ３０７．３ １４５ ３２９．６ １４０ ３３９．３ １３５ ３５２．８ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１２９】実施例１４ （＋）−４−［４−(４−デシルオキシフェニル)フェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−３−（ペルフル
オロブチル）プロピル（Ｉ−２）の電気光学特性 実施例３で合成した（＋）−４−［４−(４−デシルオ
キシフェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メ
チル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルの電気光学
特性を実施例１３と同様な方法で測定した結果を図２、
図３および表２に示す。
【０１３０】
【表２】 温度（℃） 自発分極（ｎＣ／ｃｍ2） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ １５０ １８８．０ １４５ ２１６．７ １４０ ２２９．４ １３５ ２４６．５ １３０ ２５７．７ １２５ ２７２．８ １１０ ３１８．９ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１３１】（＋）−４−［４−(４−デシルオキシフ
ェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
３−（ペルフルオロブチル）プロピルは低電圧状態での
透過光強度が小さく、（＋）−４−［４−(４−デシル
オキシフェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−
（ペルフルオロヘキシル）エチルに比べ、閾値電圧が低
く、消費電力が小さい材料である。鍋底率は１４０℃に
おいて５．０、１３０℃では７．０であった。また、自
発分極は表２に示すように、ＴＦＭＨＰＯＢＣおよびそ
の類縁体に比べ大きい。
【０１３２】実施例１５ （＋）−４−［４−(４−デシルオキシフェニル)フェニ
ルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフル
オロオクチル）エチル（Ｉ−３）の電気光学特性 実施例５で合成した（＋）−４−［４−(４−デシルオ
キシフェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メ
チル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルの電気光学
特性を実施例１３と同様な方法で測定した結果を図４お
よび表３に示す。
【０１３３】
【表３】 温度（℃） 自発分極（ｎＣ／ｃｍ2） ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━ １９０ ２４２．５ １８５ ２８５．８ １８０ ３１１．４ １７５ ３３１．５ １７０ ３５３．４ １６５ ３８０．１ １６０ ３９１．１ ━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━━
【０１３４】（＋）−４−［４−(４−デシルオキシフ
ェニル)フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル−
３−（ペルフルオロブチル）プロピルは低電圧状態での
透過光強度が小さい材料であるといえる。鍋底率は１７
０℃において４．２、１６０℃では４．３であって、小
さく、また温度依存性の少ない材料と言える。また、自
発分極は表３に示すように、ＴＦＭＨＰＯＢＣおよびそ
の類縁体に比べ大きい。
【０１３５】実施例１６ （−）−４−［４−(４−デカノイルオキシ)フェニルカ
ルボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロ
オクチル）エチル（Ｉ−６）の母体液晶への添加効果 （±）−４−［４−(３−フルオロ−４−ノニルオキシ
フェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １−メチル
ヘプチル（８０ｗｔ％）に、実施例９で得られた（−）
−４−［４−(デカノイルオキシ)フェニルカルボキシ］
安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）
エチル（２０ｗｔ％）を添加した組成物の相系列と実施
例１３と同様な方法で測定した７０℃における電気光学
特性を表４および図５に示す。
【表４】相転移温度 ＳｍＳA * ８５ ＳｍＣ* ８８ Ｓ
ｍＡ １０７ Ｉｓｏ
【０１３６】
【発明の効果】本発明により、広い温度範囲で反強誘
電性を示す新しい液晶化合物を提供することができた。
反強誘電性液晶組成物に本発明の新規液晶化合物を添
加した場合、反強誘電性を安定化したり、あるいは著し
く阻害しない希釈的役割を果たす。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で合成した（＋）−４−［４−(４−
デシルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸
１−（ペルフルオロヘキシル）エチルを厚さ２μｍの
セルに封入した実施例１３の液晶素子に±４０Ｖ、１Ｈ
ｚの三角波電圧を印加したときの透過光強度を、印加し
た電圧に対してグラフ化したものである。（ａ）は１５
０℃、（ｂ）は１４０℃、（ｃ）は１３０℃で測定した
ものである。
【図２】実施例３で合成した（＋）−４−［４−(４−
デシルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸
１−メチル−３−（ペルフルオロブチル）プロピルを
厚さ２μｍのセルに封入した実施例１４の液晶素子に±
４０Ｖ、１Ｈｚの三角波電圧を印加したときの透過光強
度を、印加した電圧に対してグラフ化したものである。
（ａ）は１４６．２℃、（ｂ）は１３６．２℃、（ｃ）
は１２６．２℃で測定したものである。
【図３】図２のつづきであり、（ｄ）は１１６．２℃、
（ｅ）は１０６．２℃で測定したものである。
【図４】実施例５で合成した（＋）−４−［４−(４−
デシルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸
１−メチル−２−（ペルフルオロオクチル）エチルを
厚さ２μｍのセルに封入した実施例１５の液晶素子に１
６０℃において±４０Ｖ、１Ｈｚの三角波電圧を印加し
たときの透過光強度を、印加した電圧に対してグラフ化
したものである。
【図５】（±）−４−［４−(３−フルオロ−４−ノニ
ルオキシフェニル）フェニルカルボキシ］安息香酸 １
−メチルヘプチル（８０ｗｔ％）と実施例９で合成した
（−）−４−［４−（デカノイルオキシ）フェニルカル
ボキシ］安息香酸 １−メチル−２−（ペルフルオロオ
クチル）エチル（２０ｗｔ％）からなる液晶組成物を厚
さ２μｍのセルに封入した実施例１６の液晶素子に、７
０℃において±１０Ｖ、１Ｈｚの三角波電圧を印加した
ときの透過光強度を、印加した電圧に対してグラフ化し
たものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/30 Ｃ０９Ｋ 19/30 19/34 19/34 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｍ 7:00 (72)発明者 鈴木 義一 東京都千代田区霞が関３丁目２番５号 昭 和シェル石油株式会社内 (72)発明者 楠本 哲生 神奈川県相模原市南台１−９−２−102 (72)発明者 檜山 爲次郎 神奈川県相模原市上鶴間４−29−３−101 (72)発明者 佐藤 健一 神奈川県相模原市上溝35−11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、Ｒ1は置換基を有することもある炭素数１〜１
    ８のアルキル基であり、Ｒ2はＣＦ3またはＣＨ3であ
    り、Ｗは単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−およ
    び−ＯＣＯＯ−よりなる群から選ばれた基であり、Ｘ、
    ＹおよびＺは単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ
    2Ｏ−、−ＯＣＨ2−および−Ｃ≡Ｃ−よりなる群からそ
    れぞれ独立して選ばれた基であり、環Ａ、環Ｂ、環Ｃお
    よび環Ｄは１個または２個のフッ素で置換されていても
    よい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロ
    ヘキシレン基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピリジ
    ン−２，５−ジイル基および２，６−ナフチレン基より
    なる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、ｋおよ
    びｒは１および０よりなる群から独立して選ばれた整数
    であり、ｍは０〜６の整数であり、ｎは２〜１２の整数
    であり、＊を付した炭素は不斉炭素であって、その絶対
    配置はＲまたはＳである。）で表わされる光学活性化合
    物。
  2. 【請求項２】 一般式（Ｉ）においてｋが０である請求
    項１記載の光学活性化合物。
  3. 【請求項３】 一般式（Ｉ）において環Ｄが１個または
    ２個のフッ素で置換されてよい１，４−フェニレン基ま
    たは２，６−ナフチレン基である請求項１または２記載
    の光学活性化合物。
  4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）においてＺが−ＣＯＯ−で
    ある請求項１、２または３記載の光学活性化合物。
  5. 【請求項５】 反強誘電性キラルスメクチック相を示す
    請求項１記載の光学活性化合物。
  6. 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の光
    学活性化合物を含有することを特徴とする液晶組成物。
  7. 【請求項７】 反強誘電性キラルスメクチック相を示す
    請求項６記載の液晶組成物。
  8. 【請求項８】 請求項６または請求項７記載の液晶組成
    物を用いたことを特徴とする液晶表示素子。
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