JPH09304930A - 感光性樹脂組成物とそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】現像残りのない高精度で強靱なレリーフパター
ンを現像により容易に形成することができる感光性樹脂
組成物の提供。 【解決手段】一般式〔１〕 【化５】 〔式中Ａ¹は炭素数４以上の４価の芳香族，脂肪族炭化
水素，環式炭化水素、Ｒ¹，Ｒ²は炭素数２０以下の飽和
脂肪族カルボン酸基から選ばれ、互いに同じでもよ
い。〕で表される繰り返し単位を含み、それのポリスチ
レン換算分子量が１,０００〜１,０００,０００である
樹脂成分１００重量部と、電磁波の照射により酸を発生
する光酸発生剤１〜１００重量部を含む感光性樹脂組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な感光性樹脂
組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】感光性樹脂組成物は、露光した部分の極
性が変化して溶解性に差の出る極性変化型と、露光によ
り架橋反応が進み露光部分が不溶化する架橋型に分類さ
れる。

【０００３】極性変化型は現像液組成によってポジ型と
ネガ型があるが、架橋型は原理上ネガ型として利用可能
である。また、架橋型は、その現像液による露光部の膨
潤が起こるために高解像度の微細加工を行なう上で不利
である。さらに、環境汚染防止の観点や作業環境改善の
観点から、従来の塩素系溶剤や有機溶剤を中心とする現
像液を用いる感光性樹脂組成物に代わる、水系溶剤で現
像可能な感光性樹脂組成物の開発が強く望まれていた。

【０００４】従来、有機感光性樹脂としては、耐熱性に
優れたポリイミド系樹脂が広く検討されている。

【０００５】例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミ
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換した後、そのポリイミド膜上にフォトレジスト
のレリーフパターンを形成し、ヒドラジン系エッチング
剤によりポリイミドを選択的にエッチングしたレリーフ
パターンをポリイミドに転写させている。

【０００６】しかし、上記工程におけるポリイミドのパ
ターン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程
が含まれるため、プロセス上煩雑である。

【０００７】また、レリーフパターンをレジストを介し
て転写することによる寸法精度の低下が起こる。従っ
て、微細加工工程の簡略化や高精度化を図るため、直接
光で微細加工可能な耐熱材料の開発が望まれていた。

【０００８】上記目的のための材料として、ポリアミド
酸と重クロム酸塩からなる感光性耐熱材料（特公昭４９
−１７３７４号公報）、ピロメリット酸誘導体から誘導
される感光性ポリアミド酸（特開昭４９−１１２２４１
号公報）、ポリアミド酸と不飽和アミンから成る感光性
耐熱材料（特開昭５４−１４５７９４号公報）、ポリア
ミド酸と飽和エポキシを反応させて成る感光性耐熱材料
（特開昭５５−４５７４６号公報）など種々の材料が提
案された。

【０００９】しかし、上記の感光材料はいずれも架橋反
応を用いたネガ型である。架橋反応を用いた感光材料
は、現像液による露光部の膨潤が起こるために高解像度
の微細加工を行なう上で不利となる。また、プロセス上
ポジ型の感光材料が必要となる場合があり、極性変化型
の感光性材料が望まれていた。

【００１０】上記ポジ型の感光性耐熱材料としては、特
公平１−５９５７１号公報、特開昭６２−２２９２４２
号公報、特公平４−２０４７３８号公報等が提案されて
いる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ポジ型感光性耐熱材料は感度が低い点で問題があった。
また、感光基がポリイミド前駆体に強固な共有結合で付
加されているために、イミド化過程で脱離しにくく、そ
のために膜特性に悪影響を与えるなどの問題があった。

【００１２】さらにまた、上記感光性樹脂組成物は現像
した際にパターン底部における現像残りが著しいと云う
問題があった。

【００１３】本発明の目的は、上記課題を解決し得るポ
ジ型の感光性樹脂組成物の提供にある。

【００１４】また、本発明の目的は、上記ポジ型の感光
性樹脂組成物を用いたパターン形成方法の提供にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。

【００１６】（１） 一般式〔１〕

【００１７】

【化３】

【００１８】〔式中Ａ¹は炭素数４以上の４価の芳香
族，脂肪族炭化水素，環式炭化水素、Ｒ¹，Ｒ²は炭素数
２０以下の飽和脂肪族カルボン酸基から選ばれ、互いに
同じでもよい。〕で表される繰り返し単位を含み、それ
のポリスチレン換算分子量が１,０００〜１,０００,０
００である樹脂成分１００重量部と電磁波の照射により
酸を発生する光酸発生剤１〜１００重量部を含む感光性
樹脂組成物。

【００１９】（２） 前記感光性樹脂組成物を塗布し、
乾燥する工程、遮光マスクを介して電磁波を照射する工
程、これを現像する工程を含むパターン形成方法。

【００２０】

【発明の実施の形態】前記式〔１〕で示される樹脂組成
物の原料のテトラカルボン酸誘導体としては、酸無水
物、酸塩化物などがある。また、ジアミンと酸の誘導体
が挙げられる。

【００２１】上記ジアミンとしては、ｐ−フェニレンジ
アミン、ｍ−フェニレンジアミン、２,５−ジアミノト
ルエン、２,５−ジアミノキシレン、ジアミノデュレン
（２,３,５,６−tetramethyl−ｐ−phenylenediamin
e）、２,５−ジアミノベンゾトリフルオライド、２,５
−ジアミノアニソール、２,５−ジアミノアセトフェノ
ン、２,５−ジアミノベンゾフェノン、２,５−ジアミノ
ジフェニル、２,５−ジアミノフロオロベンゼン、ベン
ジジン、ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、３,３',５,５'
−テトラメチルベンジジン、３,３'−ジメトキシベンジ
ジン、３,３'−ジ(トリフルオロメチル)ベンジジン、
３,３'−ジアセチルベンジジン、３,３'−ジフルオロベ
ンジジン、オクタフルオロベンジジン、４,４''−ジア
ミノターフェニル、４,４''−ジアミノクオータフェニ
ルなどがある。これらのジイソシアナート化合物も同様
に使用できる。

【００２２】また、４,４'−ジアミノジフェニルメタ
ン、１,２−ビス(アニリノ)エタン、４,４'−ジアミノ
ジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルホン、
２,２−ビス(ｐ−アミノフェニル)プロパン、２,２−ビ
ス(ｐ−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、３,
３'−ジメチル−４,４'−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３,３'−ジメチル−４,４'−ジアミノジフェニルメ
タン、ジアミノトルエン、ジアミノベンゾトリフルオラ
イド、１,４−ビス(ｐ−アミノフェノキシ)ベンゼン、
４,４'−ビス(ｐ−アミノフェノキシ)ビフェニル、２,
２−ビス〔４−(ｐ−アミノフェノキシ)フェニル〕プロ
パン、ジアミノアントラキノン、４,４'−ビス(３−ア
ミノフェノキシフェニル)ジフェニルスルホン、１,３−
ビス(アニリノ)ヘキサフルオロプロパン、１,４−ビス
(アニリノ)オクタフルオロプロパン、１,５−ビス(アニ
リノ)デカフルオロペンタン、１,７−ビス(アニリノ)テ
トラデカフルオロヘプタンがある。

【００２３】更に、一般式〔２〕または〔３〕

【００２４】

【化４】

【００２５】（Ｒ⁵，Ｒ⁷は２価の有機基、Ｒ⁴，Ｒ⁶は１
価の有機基、ｐ，ｑは１より大きい整数）で示されるジ
アミノシロキサンがある。

【００２６】また、２,２−ビス〔４−(ｐ−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビ
ス〔４−(３−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフル
オロプロパン、２,２−ビス〔４−(２−アミノフェノキ
シ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス
〔４−(４−アミノフェノキシ)−３,５'−ジメチルフェ
ニル〕ヘキサフルオロプロパン、２,２−ビス〔４−(４
−アミノフェノキシ)−３,５'−トリフルオロメチルフ
ェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ｐ−ビス(４−アミ
ノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、４,
４'−ビス(４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノ
キシ)ビフェニル、４,４'−ビス(４−アミノ−３−トリ
フルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、４,４'−ビス
(４−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフ
ェニルスルホン、４,４'−ビス(３−アミノ−５−トリ
フルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスルホン、２,２
−ビス〔４−(４−アミノ−３−トリフルオロメチルフ
ェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、あるい
はこれらのイソシアナート化合物がある。

【００２７】前記の酸としては、ピロメリット酸、メチ
ルピロメリット酸、ジメチルピロメリット酸、ジ(トリ
フルオロメチル)ピロメリット酸、３,３',４,４'−ビフ
ェニルテトラカルボン酸、５,５'−ジメチル−３,３',
４,４'−ビフェニルテトラカルボン酸、ｐ−(３,４−ジ
カルボキシフェニル)ベンゼン、または、これらの酸無
水物、酸塩化物、エステルが挙げられる。

【００２８】また、２,３,３',４'−テトラカルボキシ
ジフェニル、３,３',４,４'−テトラカルボキシジフェ
ニルエーテル、２,３,４,４'−テトラカルボキシジフェ
ニルエーテル、３,３',４,４'−テトラカルボキシベン
ゾフェノン、２,３,３',４−テトラカルボキシベンゾフ
ェノン、２,３,６,７−テトラカルボキシナフタレン、
１,４,５,７−テトラカルボキシナフタレン、１,２,５,
６−テトラカルボキシナフタレン、３,３',４,４'−テ
トラカルボキシジフェニルメタン、２,２−ビス(３,４
−ジカルボキシフェニル)プロパン、２,２−ビス(３,４
−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、３,
３',４,４'−テトラカルボキシジフェニルスルホン、
３,４,９,１０−テトラカルボキシペリレン、２,２−ビ
ス〔４−(３,４−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕
プロパン、２,２−ビス〔４−(３,４−ジカルボキシフ
ェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプロパン、ブタン
テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸な
どがある。

【００２９】また、２,２−ビス(３−アミノ−４−ヒド
ロキシフェニル)−１,１,１,３,３,３−ヘキサフルオロ
プロパン、３,３'−ジヒドロキシベンジジン、２,２'−
ジアミノビスフェノールＡ、２,４−ジアミノフェノー
ル、２,４−ジアミノトリオール、３,４−ジアミノ安息
香酸、１,５−ジヒドロキシナフタレン−ビス−フタル
酸無水物など構造中に水酸基やカルボン酸基を有するモ
ノマーを用いると樹脂組成物の水溶性を高めることがで
きる。

【００３０】次に、本発明が用いる光酸発生剤として
は、ジアゾニウム塩、ジアゾキノンスルホン酸アミド、
ジアゾキノンスルホン酸エステル、ジアゾキノンスルホ
ン酸塩、ニトロベンジルエステル、オニウム塩、ハロゲ
ン化物、ハロゲン化イソシアヌレート、ハロゲン化トリ
アジン、ビスアリールスルホニルジアゾメタン、ジスル
ホンなどの化合物が挙げられる。

【００３１】これら化合物の合成法については、フォト
ポリマー・テクノロジー（日刊工業新聞社、ＩＳＢＮ
４−５２６−０２４５７−０）並びにその引用文献に記
載されており、当業者であれば容易に合成することが可
能である。

【００３２】これらの化合物はいずれも光照射により分
解し酸を発生する。特に、ジアゾキノンスルホン酸誘導
体は、未露光部の水溶性を抑制すると云う作用，効果を
有し、レリーフパターンの形成に極めて好都合である。

【００３３】さらに、ジアゾキノンスルホンアミド誘導
体は、露光部と未露光部の間の溶解速度の比が大きく、
パターン精度を大幅に改善できる。

【００３４】本発明において、電磁波とは波長が１０μ
ｍ〜１ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜９００ｎｍの光が望ま
しい。

【００３５】次に、前記一般式〔１〕で表される樹脂の
合成法の一例を次に示す。

【００３６】ハロゲン化カルボン酸のカルボン酸部分を
ジヒドロピランで保護し（ａ）、これをアルカリ金属炭
酸塩（炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム）
の存在下でポリアミド酸のＮ−メチルピロリドン溶液と
混合し、室温で反応させる。得られた反応液を酸性とす
ることによって一般式〔１〕で表される樹脂を得る。

【００３７】この際、樹脂中のエステル基の量は上記
（ａ）の量を調節することによって容易に変化させるこ
とができる。

【００３８】合成された樹脂と光酸発生剤を混合するこ
とにより、本発明の感光性樹脂組成物は容易に得られ
る。

【００３９】また、本発明の感光性樹脂組成物に、その
特性を損なわない範囲で他の樹脂組成物を添加して用い
ることも可能である。特に、ポリアミド酸、ポリアミド
酸エステル、ポリイソイミド等のポリイミド前駆体を添
加することによって、耐熱性，機械特性が優れた膜を得
ることができる。

【００４０】本発明において感度向上のための三重項増
感剤との併用、各種アミン化合物からなる密着向上剤、
界面活性剤等との併用も可能であることは云うまでもな
い。

【００４１】上記レリーフパタンの精度は、光酸発生剤
の添加による樹脂組成物の溶解性低下と、光照射による
酸発生による樹脂組成物の溶解性向上とが影響するため
に、光酸発生剤の配合量が重要となる。

【００４２】上記について検討した結果、光酸発生剤の
配合量は、前記式〔１〕で示す樹脂成分１００重量部に
対し１〜１００重量部ま用いられる。好ましくは１０〜
７０重量部の場合にはイミド化後の膜特性（引っ張り強
さ、表面平滑性）に優れたレリーフパターンを得ること
ができる。なお、１重量部未満ではレリーフパターンが
形成できず、１００重量部を超えると得られた膜が脆く
なる。

【００４３】また、本発明の樹脂組成物においては、前
記式〔１〕におけるＲ¹，Ｒ²がパターンの形状を決める
上で重要である。

【００４４】Ｒ¹，Ｒ²がともに水素の場合は、露光部と
未露光部の間での溶解速度の差が出ずパターン形成がで
きない。従って、Ｒ¹，Ｒ²は脂肪族カルボン酸基である
ことが重要である。また、脂肪族カルボン酸基の炭素数
が２０を超えると得られる膜が脆くなるので問題であ
る。

【００４５】本発明のポジ型感光性ポリイミドは、半導
体素子の層間絶縁膜、パッシベーション膜、多層プリン
ト板の絶縁膜などに用いることができる。

【００４６】本発明の感光性樹脂組成物を用いた電子装
置の一例として、樹脂封止型半導体装置の製造法を示
す。

【００４７】図１（ａ）に示すような５０μｍ角のボン
ディングパッド１を形成したＬＳＩチップ２をチップキ
ャリアテープ３上に搭載後、図１（ｂ）に示すように本
発明の感光性樹脂４を回転塗布した。膜厚は６.０μｍ
になるように回転数を調整した。

【００４８】次に、図１（ｃ）に示すように、８０℃／
１０分の予備乾燥後、フォトマスクを介して紫外線を３
００ｍＪ／ｃｍ²照射し、さらにアルカリ現像液（東京
応化製ＮＭＤ３）で約９０秒現像し、５０μｍ角のスル
ーホール９を形成した。

【００４９】さらに、図１（ｄ）に示すように、ＬＳＩ
チップ２上のスルーホール９を施したボンディングパッ
ド１とリードフレーム７をボンディングワイヤ６で接続
し、全体をエポキシ樹脂の封止剤８で封止して樹脂封止
型半導体装置を作製した。

【００５０】本発明のポジ型感光性樹脂を用いると、ボ
ンディングパッド部での現像残りが発生しないためにボ
ンディングワイヤと信頼性の高い接続が達成される。

【００５１】

【実施例】本発明を実施例に基づき詳細に説明する。

【００５２】〔実施例１〕３,３',４,４'−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）２.９４ｇとｐ
−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）１.０８ｇをＮ−メチ
ル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）３６ｇ中、室温で８時間
反応させた（Ａ液）。

【００５３】ヨウ化プロピオン酸８.０ｇをテトラヒド
ロフラン２０ｇに溶解した溶液に、３,４−ジヒドロ−
２Ｈ−ピラン７.０ｇをテトラヒドロフラン３０ｇに溶
解した溶液を滴下し、５０℃で１２時間撹拌し反応させ
る。この反応溶液を４０℃，５ｍｍＨｇの条件で５時間
蒸留した残留分をＮ−メチルピロリドン２０ｇに溶解さ
せた（Ｂ液）。

【００５４】Ａ液に無水炭酸カリウム３.５ｇを溶解
し、さらにＢ液を加え室温で２４時間反応させる。この
反応液を水中に投入し不溶分を濾過し、水洗後乾燥させ
る（Ｃ）。

【００５５】上記Ｃの１ｇと２,３,４,４'−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン０.５ｇおよび１,２−ナフトキノ
ン−２−ジアジド−５−スルホン酸の３置換エステル化
合物４ｇをＮＭＰに溶解して感光性樹脂組成物を得た。

【００５６】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布し、１００℃で乾燥し、遮光
マスクを介して高圧水銀灯で露光した（照射量５００ｍ
Ｊ／ｃｍ²）。膜厚６μｍのこのフィルムを、２.３８％
アンモニウムハイドロオキサイド水溶液中で現像したと
ころ、未露光部をほとんど侵触することなく、しかも露
光部と未露光部の境界付近露光部側にも現像残りが無
く、高コントラストのパターンが得られた。

【００５７】さらに３００℃で１時間熱処理し、解像度
＜５μｍ，３％重量減少温度＞４００℃の強靱なレリー
フパターンを得ることができた。

【００５８】〔実施例２〕２,３,４,４'−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの１,２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホン酸の３置換エステル化合物を４,４'
−ビス（１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−ス
ルホニルアミノ）ジフェニルエーテルに代え、実施例１
と同様の検討を行った（照射量３００ｍＪ／ｃｍ²，膜
厚６μｍ）。

【００５９】やはり露光部にほとんど侵触がなく、しか
も露光部と未露光部の境界付近露光部側にも現像残りが
無い、高コントラストのパターンが得られた。

【００６０】さらに３００℃で１時間熱処理し、解像度
＜５μｍ，３％重量減少温度＞４００℃の強靱なレリー
フパターンを得ることができた。

【００６１】〔実施例３〕ＢＰＤＡ３.１ｇを３,３',
４,４'−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
（ＯＤＰＡ）に代え、ＰＤＡを２.０ｇのオキシジアニ
リン（ＯＤＡ）に代えて、実施例２と同様の検討を行っ
た（照射量５００ｍＪ／ｃｍ²，膜厚１０μｍ）。

【００６２】その結果、実施例２と同様に露光部をほと
んど侵触することなく、しかも露光部と未露光部の境界
付近露光部側にも現像残りが無い、高コントラストのパ
ターンを得た。

【００６３】さらに３００℃で１時間熱処理し、解像度
＜５μｍ，３％重量減少温度＞４００℃の強靱なレリー
フパターンを得ることができた。

【００６４】〔実施例４〕実施例３で用いた４,４'−ビ
ス(１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニ
ルアミノ)ジフェニルエーテルを、４−(１,２−ナフト
キノン−２−ジアジド−５−スルホニルアミノ)−１−
(１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スルホニル
オキシ)ベンゼンに変えて実施例３と同様の検討を行っ
た。

【００６５】その結果、実施例３と同様露光部と未露光
部の境界付近露光部側に現像残りの無い、高コントラス
トのパターンが得られた。

【００６６】さらに３００℃で１時間熱処理し、解像度
＜５μｍ，３％重量減少温度＞４００℃の強靱なレリー
フパターンを得ることができた。

【００６７】〔比較例１〕ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物（ＢＴＤＡ）１２.３ｇと、メタノール１
２.０ｇ（１６２ミリモル）の混合溶液を還流下１時間
撹拌する。過剰量のブタノールを減圧留去する。

【００６８】ベンゼン５０ｍｌを添加後、塩化チオニル
１１.０ｇ（４６.０ミリモル）を室温で滴下する。反応
液を還流下１時間撹拌し、過剰量の塩化チオニルを減圧
留去することにより、対応するベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジブチルジクロリド（ＢＴＤＢｕＣｌ）固体を
得た。

【００６９】得られたＢＴＤＢｕＣｌのＮ−メチル−２
−ピロリドン（ＮＭＰ）溶液（５０ｍｌ）に、ジアミノ
ジフェニルエーテル（ＤＤＥ）３.０６ｇ（１５.３ミリ
モル）、３,５−ジアミノ安息香酸３.５０ｇ（２３.０
ミリモル）のＮＭＰ溶液（４０ｍｌ）の反応溶液を５℃
以下に保ちながら滴下し、室温で３０分撹拌する。

【００７０】濾過後、濾液を水（３ｌ）に滴下すること
によりベンゾフェノンテトラカルボン酸ジブチル骨格を
有するポリアミド酸エステル固体を得た。この固体１ｇ
と４−(１,２−ナフトキノン−２−ジアジド−５−スル
ホニルアミノ)−１−(１,２−ナフトキノン−２−ジア
ジド−５−スルホニルオキシ)ベンゼン０.５ｇを，ＮＭ
Ｐ４ｇに溶解し、実施例１と同様の検討を行った。

【００７１】露光部と未露光部の境界付近露光部側に幅
約１０ミクロンの現像残りが生じた。

【００７２】

【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、高精度で
強靱なレリーフパターンを現像により容易に形成するこ
とができ、半導体素子の層間絶縁膜、パッシベーション
膜、多層プリント板の絶縁性レリーフパターンとして優
れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】感光性樹脂組成物を用いた樹脂封止型半導体装
置の形成工程の模式断面図である。

【符号の説明】

１…ボンディングパッド、２…ＬＳＩチップ、３…チッ
プキャリアテープ、４…感光性樹脂、５…ポリイミド、
６…ボンディングワイヤ、７…リードフレーム、８…封
止剤、９…スルーホール。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前川 康成 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 ラメス ランクラーデ ジュラルディン 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式〔１〕 【化１】 〔式中Ａ¹は炭素数４以上の４価の芳香族，脂肪族炭化
   水素，環式炭化水素、Ｒ¹，Ｒ²は炭素数２０以下の飽和
   脂肪族カルボン酸基から選ばれ、互いに同じでもよ
   い。〕で表される繰り返し単位を含み、それのポリスチ
   レン換算分子量が１,０００〜１,０００,０００である
   樹脂成分１００重量部と電磁波の照射により酸を発生す
   る光酸発生剤１〜１００重量部を含むことを特徴とする
   感光性樹脂組成物。
2. 【請求項２】 前記光酸発生剤が、ジアゾキノン化合物
   である請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. 【請求項３】 前記ジアゾキノン化合物がジアゾキノン
   スルホンアミド化合物である請求項２に記載の感光性樹
   脂組成物。
4. 【請求項４】 一般式〔１〕 【化２】 〔式中Ａ¹は炭素数４以上の４価の芳香族，脂肪族炭化
   水素，環式炭化水素、Ｒ¹，Ｒ²は炭素数２０以下の飽和
   脂肪族カルボン酸基から選ばれ、互いに同じでもよ
   い。〕で表される繰り返し単位を含み、それのポリスチ
   レン換算分子量が１,０００〜１,０００,０００である
   樹脂成分１００重量部と電磁波の照射により酸を発生す
   る光酸発生剤１〜１００重量部を含む感光性樹脂組成物
   を塗布し、乾燥する工程、遮光マスクを介して電磁波を
   照射する工程、これを現像する工程を含むことを特徴と
   するパターン形成方法。