JPH09292298A - 圧力センサの製造方法 - Google Patents
圧力センサの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス台座と圧力導入管との半田付け性を改
良しそれぞれを確実に接合して、気密不良を生じること
のない圧力センサの製造方法を提供する。 【解決手段】 流体を圧力を持って導入する貫通孔１１
の軸に対する一方直交面１２を有する圧力導入管１と、
圧力センサチップ６からの電気信号を伝達する端子２と
をめっきするめっき工程と、めっきする金属の融点より
も低い温度で溶融する低融点ガラス３でもって、ベース
４の内部に圧力導入管１と端子２とを気密封止する気密
封止工程と、軸孔５１の軸と直交した一面がメタライズ
されて他面が圧力センサチップ６と接合されたガラス台
座５の一面を、圧力導入管１の一方直交面１２に互いの
軸を合わせて半田でもって接合する接合工程と、圧力セ
ンサチップ６に設けられた電極と端子２とをワイヤでも
って電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を有
する構成にしてある。
良しそれぞれを確実に接合して、気密不良を生じること
のない圧力センサの製造方法を提供する。 【解決手段】 流体を圧力を持って導入する貫通孔１１
の軸に対する一方直交面１２を有する圧力導入管１と、
圧力センサチップ６からの電気信号を伝達する端子２と
をめっきするめっき工程と、めっきする金属の融点より
も低い温度で溶融する低融点ガラス３でもって、ベース
４の内部に圧力導入管１と端子２とを気密封止する気密
封止工程と、軸孔５１の軸と直交した一面がメタライズ
されて他面が圧力センサチップ６と接合されたガラス台
座５の一面を、圧力導入管１の一方直交面１２に互いの
軸を合わせて半田でもって接合する接合工程と、圧力セ
ンサチップ６に設けられた電極と端子２とをワイヤでも
って電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を有
する構成にしてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサチップ
が圧力による抵抗変化を電気信号に変換して、流体の圧
力を測定する圧力センサの製造方法に関するものであ
る。
が圧力による抵抗変化を電気信号に変換して、流体の圧
力を測定する圧力センサの製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の圧力センサの製造方法と
して、次に述べる従来例がある。先ず、測定対象である
流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸に対する一方直
交面を有する金属製の圧力導入管と、圧力センサチップ
からの電気信号を伝達する端子とを、Ａｕよりも高い温
度で溶融するホウケイ酸ガラス又はソーダバリウムガラ
ス等のガラスでもって固着し気密封止する。
して、次に述べる従来例がある。先ず、測定対象である
流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸に対する一方直
交面を有する金属製の圧力導入管と、圧力センサチップ
からの電気信号を伝達する端子とを、Ａｕよりも高い温
度で溶融するホウケイ酸ガラス又はソーダバリウムガラ
ス等のガラスでもって固着し気密封止する。
【０００３】次いで、圧力導入管と端子とをＡｕでめっ
きし、軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面がメタラ
イズされて他面が圧力センサチップと接合されたガラス
台座の一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの軸を合
わせて半田でもって接合する。その後、圧力センサチッ
プに設けられた電極と端子とをＡｕからなるワイヤでも
ってワイヤボンディングして電気的に接続している。
きし、軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面がメタラ
イズされて他面が圧力センサチップと接合されたガラス
台座の一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの軸を合
わせて半田でもって接合する。その後、圧力センサチッ
プに設けられた電極と端子とをＡｕからなるワイヤでも
ってワイヤボンディングして電気的に接続している。
【０００４】さらに詳しくは、低コスト化を図るため
に、ワイヤにＡｕではなくＡｌを使用すると、端子にお
けるワイヤボンディング部がＡｕめっきとＡｌワイヤと
で形成されることになって、摂氏約１５０度以上の高温
中で使用すると、ＡｕとＡｌの界面が電気抵抗の高い金
属間化合物を形成して脆くなっていた。
に、ワイヤにＡｕではなくＡｌを使用すると、端子にお
けるワイヤボンディング部がＡｕめっきとＡｌワイヤと
で形成されることになって、摂氏約１５０度以上の高温
中で使用すると、ＡｕとＡｌの界面が電気抵抗の高い金
属間化合物を形成して脆くなっていた。
【０００５】次に、別の従来例を図４に基づいて説明す
る。先ず、測定対象である流体を圧力を持って導入する
貫通孔Ａ１の軸に対する一方直交面Ａ２を有する金属製
の圧力導入管Ａが、その一方直交面Ａ２及び外周面をＡ
ｕでもってめっきされる。その圧力導入管Ａと、圧力セ
ンサチップＢからの電気信号を伝達する端子Ｃとを樹脂
で一体成形して、基台Ｄを形成するとともに、圧力導入
管Ａと端子Ｃとを形成された基台Ｄに固着する。次い
で、軸孔の軸と直交した一面がメタライズされて他面が
圧力センサチップＢと接合されたガラス台座を、圧力導
入管Ａの一方直交面Ａ２に、互いの軸を合わせて半田Ｅ
でもって接合する。
る。先ず、測定対象である流体を圧力を持って導入する
貫通孔Ａ１の軸に対する一方直交面Ａ２を有する金属製
の圧力導入管Ａが、その一方直交面Ａ２及び外周面をＡ
ｕでもってめっきされる。その圧力導入管Ａと、圧力セ
ンサチップＢからの電気信号を伝達する端子Ｃとを樹脂
で一体成形して、基台Ｄを形成するとともに、圧力導入
管Ａと端子Ｃとを形成された基台Ｄに固着する。次い
で、軸孔の軸と直交した一面がメタライズされて他面が
圧力センサチップＢと接合されたガラス台座を、圧力導
入管Ａの一方直交面Ａ２に、互いの軸を合わせて半田Ｅ
でもって接合する。
【０００６】さらに詳しくは、圧力導入管Ａをめっきす
る金属として、Ａｕの他にＮｉ，Ｓｎ又はＡｇが、半田
ＥとしてＳｎＰｂ合金がそれぞれ使用される。
る金属として、Ａｕの他にＮｉ，Ｓｎ又はＡｇが、半田
ＥとしてＳｎＰｂ合金がそれぞれ使用される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した圧力センサの
製造方法における従来例では、ガラス台座のメタライズ
された一面と、圧力導入管ＡのＡｕでめっきされた一方
直交面Ａ２とが、互いの軸を合わせて半田Ｅでもって接
合された圧力センサを製造できる。
製造方法における従来例では、ガラス台座のメタライズ
された一面と、圧力導入管ＡのＡｕでめっきされた一方
直交面Ａ２とが、互いの軸を合わせて半田Ｅでもって接
合された圧力センサを製造できる。
【０００８】しかしながら、圧力導入管Ａの一方直交面
Ａ２をＡｕからなる金属でめっきすると、一方直交面Ａ
２は凹凸を形成して平滑面にならない。したがって、図
４に示すように、半田Ｅが貫通孔Ａ１の軸に対して同心
円状に拡散せず、ガラス台座の一面と圧力導入管Ａの一
方直交面Ａ２との間に空隙を形成して、気密不良を生じ
る場合があった。
Ａ２をＡｕからなる金属でめっきすると、一方直交面Ａ
２は凹凸を形成して平滑面にならない。したがって、図
４に示すように、半田Ｅが貫通孔Ａ１の軸に対して同心
円状に拡散せず、ガラス台座の一面と圧力導入管Ａの一
方直交面Ａ２との間に空隙を形成して、気密不良を生じ
る場合があった。
【０００９】また、従来例では、気密封止するガラス
が、圧力導入管及び端子をめっきするＡｕの融点よりも
高い温度で溶融するから、めっきした後で気密封止する
と、めっきを形成したＡｕが溶融する。したがって、圧
力導入管及び端子をガラスでもって気密封止した後でそ
れぞれをめっきする必要があり、このため圧力導入管及
び端子がそれぞれ同一の金属で、つまりＡｕでめっきさ
れることになって、ガラス台座と圧力導入管との半田付
け性、及びワイヤと端子とのワイヤボンディング性を同
時に満足することが困難であった。
が、圧力導入管及び端子をめっきするＡｕの融点よりも
高い温度で溶融するから、めっきした後で気密封止する
と、めっきを形成したＡｕが溶融する。したがって、圧
力導入管及び端子をガラスでもって気密封止した後でそ
れぞれをめっきする必要があり、このため圧力導入管及
び端子がそれぞれ同一の金属で、つまりＡｕでめっきさ
れることになって、ガラス台座と圧力導入管との半田付
け性、及びワイヤと端子とのワイヤボンディング性を同
時に満足することが困難であった。
【００１０】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、ガラス台座の一面と圧力
導入管の一方直交面との半田付け性を改良しそれぞれを
確実に接合して、気密不良を生じることのない圧力セン
サの製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、ガラス台座の一面と圧力
導入管の一方直交面との半田付け性を改良しそれぞれを
確実に接合して、気密不良を生じることのない圧力セン
サの製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載の圧力センサの製造方法は、測定
対象である流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸に対
する一方直交面を有する金属製の圧力導入管と、圧力を
電気信号に変換する圧力センサチップからのその電気信
号を伝達する端子とを金属でめっきするめっき工程と、
次いで、めっきする金属の融点よりも低い温度で溶融す
る低融点ガラスでもって、金属製のベースの内部に圧力
導入管の外周面と端子とを気密封止する気密封止工程
と、次いで、軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面が
メタライズされて他面が圧力センサチップと接合された
ガラス台座の一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの
軸を合わせて半田でもって接合する接合工程と、次い
で、圧力センサチップに設けられた電極と端子とをワイ
ヤでもって電気的に接続するワイヤボンディング工程と
を有する構成にしてある。
ために、請求項１記載の圧力センサの製造方法は、測定
対象である流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸に対
する一方直交面を有する金属製の圧力導入管と、圧力を
電気信号に変換する圧力センサチップからのその電気信
号を伝達する端子とを金属でめっきするめっき工程と、
次いで、めっきする金属の融点よりも低い温度で溶融す
る低融点ガラスでもって、金属製のベースの内部に圧力
導入管の外周面と端子とを気密封止する気密封止工程
と、次いで、軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面が
メタライズされて他面が圧力センサチップと接合された
ガラス台座の一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの
軸を合わせて半田でもって接合する接合工程と、次い
で、圧力センサチップに設けられた電極と端子とをワイ
ヤでもって電気的に接続するワイヤボンディング工程と
を有する構成にしてある。
【００１２】請求項２記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＮｉでめっきする構成にしてある。
請求項１記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＮｉでめっきする構成にしてある。
【００１３】請求項３記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＮｉでめっきし気密封止した後で、
Ａｌからなる前記電極と前記端子とをＡｌからなるワイ
ヤでもってワイヤボンディングする構成にしてある。
請求項２記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＮｉでめっきし気密封止した後で、
Ａｌからなる前記電極と前記端子とをＡｌからなるワイ
ヤでもってワイヤボンディングする構成にしてある。
【００１４】請求項４記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＡｕでめっきし気密封止した後で、
Ａｕからなる前記電極と前記端子とをＡｕからなるワイ
ヤでもってワイヤボンディングする構成にしてある。
請求項１記載の製造方法において、前記圧力導入管をＡ
ｕＣｏで前記端子をＡｕでめっきし気密封止した後で、
Ａｕからなる前記電極と前記端子とをＡｕからなるワイ
ヤでもってワイヤボンディングする構成にしてある。
【００１５】請求項５記載の圧力センサの製造方法は、
測定対象である流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸
に対する一方直交面を有する金属製の圧力導入管が、少
なくともその一方直交面をＡｕＣｏ合金からなる金属で
めっきされるめっき工程と、軸孔を設けその軸孔の軸と
直交した一面がメタライズされて他面が圧力センサチッ
プと接合されたガラス台座の一面を、圧力導入管の一方
直交面に互いの軸を合わせて半田でもって接合する接合
工程と、を有する構成にしてある。
測定対象である流体を圧力を持って導入する貫通孔の軸
に対する一方直交面を有する金属製の圧力導入管が、少
なくともその一方直交面をＡｕＣｏ合金からなる金属で
めっきされるめっき工程と、軸孔を設けその軸孔の軸と
直交した一面がメタライズされて他面が圧力センサチッ
プと接合されたガラス台座の一面を、圧力導入管の一方
直交面に互いの軸を合わせて半田でもって接合する接合
工程と、を有する構成にしてある。
【００１６】請求項６記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２乃至５記載の製造方法において、前記圧力導入
管は前記一方直交面の反対側端部が、パイプ状で流体を
導入する流体導入チューブと接続されるものであって、
前記圧力導入管は外周面が前記ＡｕＣｏ合金でめっきさ
れた構成にしてある。
請求項２乃至５記載の製造方法において、前記圧力導入
管は前記一方直交面の反対側端部が、パイプ状で流体を
導入する流体導入チューブと接続されるものであって、
前記圧力導入管は外周面が前記ＡｕＣｏ合金でめっきさ
れた構成にしてある。
【００１７】請求項７記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２乃至６記載の製造方法において、前記ＡｕＣｏ
合金は、Ｃｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％
で、残部がＡｕである構成にしてある。
請求項２乃至６記載の製造方法において、前記ＡｕＣｏ
合金は、Ｃｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％
で、残部がＡｕである構成にしてある。
【００１８】請求項８記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１又は５記載の製造方法において、前記半田はＳ
ｎＳｂ合金からなる構成にしてある。
請求項１又は５記載の製造方法において、前記半田はＳ
ｎＳｂ合金からなる構成にしてある。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態を図１に基
づいて以下に説明する。先ず、部材及びその機能につい
て説明する。
づいて以下に説明する。先ず、部材及びその機能につい
て説明する。
【００２０】１は圧力導入管で、コバール又はＦｅＮｉ
合金等の金属により、円筒状に形成され、測定対象であ
る流体を圧力を持って導入する貫通孔１１が設けられ、
その貫通孔１１の軸に対する一方直交面１２を有して、
一方直交面１２及び外周面がＡｕＣｏ合金にてめっきさ
れている。
合金等の金属により、円筒状に形成され、測定対象であ
る流体を圧力を持って導入する貫通孔１１が設けられ、
その貫通孔１１の軸に対する一方直交面１２を有して、
一方直交面１２及び外周面がＡｕＣｏ合金にてめっきさ
れている。
【００２１】２は端子で、コバール又はＦｅＮｉ合金等
の金属により、長尺状に形成され、Ｎｉの金属にてめっ
きされている。
の金属により、長尺状に形成され、Ｎｉの金属にてめっ
きされている。
【００２２】３は低融点ガラスで、ＰｂＯ系のガラスに
より、圧力導入管１をめっきしている金属であるＡｕＣ
ｏ合金、及び端子２をめっきしている金属であるＮｉの
それぞれの金属の融点よりも低い温度で溶融して、圧力
導入管１の一方直交面１２側の外周面と端子２の略中央
部とを固着し気密封止している。
より、圧力導入管１をめっきしている金属であるＡｕＣ
ｏ合金、及び端子２をめっきしている金属であるＮｉの
それぞれの金属の融点よりも低い温度で溶融して、圧力
導入管１の一方直交面１２側の外周面と端子２の略中央
部とを固着し気密封止している。
【００２３】４はベースで、金属により、円筒状に形成
され、圧力導入管１と端子２とを内部に配し、低融点ガ
ラス３でもって固着され気密封止されている。
され、圧力導入管１と端子２とを内部に配し、低融点ガ
ラス３でもって固着され気密封止されている。
【００２４】５はガラス台座で、パイレックスガラス等
のガラスにより、略四角形に形成され、軸孔５１が設け
られ、その軸孔５１の軸と直交した一面が蒸着又はスパ
ッタ等でもって金属でメタライズされている。このメタ
ライズ面が、圧力導入管１の貫通孔１１の軸と軸孔５１
の軸との互いの軸を合わせて、圧力導入管１の一方直交
面１２に半田でもって接合されている。
のガラスにより、略四角形に形成され、軸孔５１が設け
られ、その軸孔５１の軸と直交した一面が蒸着又はスパ
ッタ等でもって金属でメタライズされている。このメタ
ライズ面が、圧力導入管１の貫通孔１１の軸と軸孔５１
の軸との互いの軸を合わせて、圧力導入管１の一方直交
面１２に半田でもって接合されている。
【００２５】６は圧力センサチップで、シリコン半導体
により、シリコンダイヤフラム６１上にピエゾ抵抗（図
示せず）を配することによって歪みゲージが形成され、
ガラス台座５の軸孔５１がシリコンダイヤフラム６１に
位置するよう、ガラス台座５の他面に陽極接合されてい
る。ここで、陽極接合とは、約摂氏４００度で直流の高
電圧を印加して接合する方法である。さらに電極（図示
せず）が設けられ、その電極と端子２とがＡｌからなる
ワイヤでもってワイヤボンディングされ電気的に接続さ
れて、流体の圧力を変換した電気信号を端子２に伝達す
る。
により、シリコンダイヤフラム６１上にピエゾ抵抗（図
示せず）を配することによって歪みゲージが形成され、
ガラス台座５の軸孔５１がシリコンダイヤフラム６１に
位置するよう、ガラス台座５の他面に陽極接合されてい
る。ここで、陽極接合とは、約摂氏４００度で直流の高
電圧を印加して接合する方法である。さらに電極（図示
せず）が設けられ、その電極と端子２とがＡｌからなる
ワイヤでもってワイヤボンディングされ電気的に接続さ
れて、流体の圧力を変換した電気信号を端子２に伝達す
る。
【００２６】このものの製造方法を説明する。先ず、め
っき工程において、圧力導入管１の一方直交面１２及び
外周面をＡｕＣｏ合金にて、端子２をワイヤボンディン
グ性の良好なＮｉにてめっきする。ここで、めっきされ
た一方直交面１２は凹凸が少なく平滑に形成されるの
で、半田と濡れ性がよく半田付け性が良好となる。
っき工程において、圧力導入管１の一方直交面１２及び
外周面をＡｕＣｏ合金にて、端子２をワイヤボンディン
グ性の良好なＮｉにてめっきする。ここで、めっきされ
た一方直交面１２は凹凸が少なく平滑に形成されるの
で、半田と濡れ性がよく半田付け性が良好となる。
【００２７】次いで、気密封止工程において、ＡｕＣｏ
合金及びＮｉのそれぞれの金属の融点よりも低い温度で
溶融する、すなわち摂氏４５０乃至６００度で溶融す
る、低融点ガラス３でもって、圧力導入管１の一方直交
面１２側の外周面と端子２の略中央部とを、ベース４の
内部にそれぞれを固着し気密封止する。
合金及びＮｉのそれぞれの金属の融点よりも低い温度で
溶融する、すなわち摂氏４５０乃至６００度で溶融す
る、低融点ガラス３でもって、圧力導入管１の一方直交
面１２側の外周面と端子２の略中央部とを、ベース４の
内部にそれぞれを固着し気密封止する。
【００２８】次いで、接合工程において、軸孔５１の軸
と直交した一面がメタライズ層でメタライズされて他面
が圧力センサチップ６と陽極接合されたガラス台座５
を、貫通孔１１及び軸孔５１の互いの軸を合わせて、圧
力導入管１の一方直交面１２にＳｎＰｂ合金からなる半
田でもって接合する。このとき、一方直交面１２はＡｕ
Ｃｏ合金でめっきされているので平滑面を形成して、ガ
ラス台座５の一面との間に空隙を形成することなく、密
着して接合される。
と直交した一面がメタライズ層でメタライズされて他面
が圧力センサチップ６と陽極接合されたガラス台座５
を、貫通孔１１及び軸孔５１の互いの軸を合わせて、圧
力導入管１の一方直交面１２にＳｎＰｂ合金からなる半
田でもって接合する。このとき、一方直交面１２はＡｕ
Ｃｏ合金でめっきされているので平滑面を形成して、ガ
ラス台座５の一面との間に空隙を形成することなく、密
着して接合される。
【００２９】次いで、ワイヤボンディング工程におい
て、圧力センサチップ６に設けられたＡｌ電極と端子２
の一端面とを、Ａｌのワイヤを使用しワイヤボンディン
グして、圧力センサチップ６と端子２とを電気的に接続
する。このとき、端子２がＮｉでめっきされているの
で、ワイヤボンディング性が良好であって、かつ、ワイ
ヤボンディング部はめっきされたＮｉとＡｌとで形成さ
れることになって、そのＮｉとＡｌの界面で従来のよう
な電気抵抗が高く脆い金属間化合物を発生することがな
い。
て、圧力センサチップ６に設けられたＡｌ電極と端子２
の一端面とを、Ａｌのワイヤを使用しワイヤボンディン
グして、圧力センサチップ６と端子２とを電気的に接続
する。このとき、端子２がＮｉでめっきされているの
で、ワイヤボンディング性が良好であって、かつ、ワイ
ヤボンディング部はめっきされたＮｉとＡｌとで形成さ
れることになって、そのＮｉとＡｌの界面で従来のよう
な電気抵抗が高く脆い金属間化合物を発生することがな
い。
【００３０】次いで、金属キャン７が覆設されベース４
とシールされて、内部空間７１中の空気を排気し内部空
間７１を真空にして、シリコンダイヤフラム６１の一面
を真空側に位置する。
とシールされて、内部空間７１中の空気を排気し内部空
間７１を真空にして、シリコンダイヤフラム６１の一面
を真空側に位置する。
【００３１】このものの動作を説明する。貫通孔１１及
び軸孔５１の互いの軸を合わせて、ガラス台座５が圧力
導入管１の一方直交面１２に接合されているので、貫通
孔１１と軸孔５１とが連通していることになる。この状
態で、気体又は液体の流体が、圧力を持って圧力導入管
１の貫通孔１１に導入される。このとき、圧力センサチ
ップ６が、ガラス台座５の軸孔５１を遮蔽するようガラ
ス台座５と接合されて、圧力導入管１の一方直交面１２
がガラス台座５の一面と半田でもって接合されているか
ら、流体は漏れることなくその圧力を圧力センサチップ
６に負荷する。
び軸孔５１の互いの軸を合わせて、ガラス台座５が圧力
導入管１の一方直交面１２に接合されているので、貫通
孔１１と軸孔５１とが連通していることになる。この状
態で、気体又は液体の流体が、圧力を持って圧力導入管
１の貫通孔１１に導入される。このとき、圧力センサチ
ップ６が、ガラス台座５の軸孔５１を遮蔽するようガラ
ス台座５と接合されて、圧力導入管１の一方直交面１２
がガラス台座５の一面と半田でもって接合されているか
ら、流体は漏れることなくその圧力を圧力センサチップ
６に負荷する。
【００３２】圧力が圧力センサチップ６に負荷される
と、圧力センサチップ６に形成されたシリコンダイヤフ
ラム６１が、流体の圧力と真空との差に比例して撓む。
そして、シリコンダイヤフラム６１上に形成されたピエ
ゾ抵抗の抵抗値が撓みの大きさに比例して変化し、この
抵抗値を電気信号として端子２に出力する。そして、シ
リコンダイヤフラム６１の一面が真空であるので、流体
の圧力を絶対圧力として測定する。
と、圧力センサチップ６に形成されたシリコンダイヤフ
ラム６１が、流体の圧力と真空との差に比例して撓む。
そして、シリコンダイヤフラム６１上に形成されたピエ
ゾ抵抗の抵抗値が撓みの大きさに比例して変化し、この
抵抗値を電気信号として端子２に出力する。そして、シ
リコンダイヤフラム６１の一面が真空であるので、流体
の圧力を絶対圧力として測定する。
【００３３】かかる第１実施形態の圧力センサの製造方
法にあっては、上記したように、めっきされる金属の融
点よりも低い温度で溶融する低融点ガラス３でもって、
圧力導入管１の外周面と端子２の略中央部とをめっき金
属が溶融することなく気密封止するから、圧力導入管１
の一方直交面１２と端子２とをそれぞれ異なる金属でめ
っきした後気密封止して、ガラス台座５との半田付け性
が良好な金属を圧力導入管１に、ワイヤとのワイヤボン
ディング性が良好な金属を端子２にめっきして、一方直
交面１２とガラス台座５との半田付け性及びワイヤと端
子２とのワイヤボンディング性のいずれもが良好となっ
て、それぞれ気密性及び接触信頼性の高い圧力センサを
容易にかつ確実に量産できる。
法にあっては、上記したように、めっきされる金属の融
点よりも低い温度で溶融する低融点ガラス３でもって、
圧力導入管１の外周面と端子２の略中央部とをめっき金
属が溶融することなく気密封止するから、圧力導入管１
の一方直交面１２と端子２とをそれぞれ異なる金属でめ
っきした後気密封止して、ガラス台座５との半田付け性
が良好な金属を圧力導入管１に、ワイヤとのワイヤボン
ディング性が良好な金属を端子２にめっきして、一方直
交面１２とガラス台座５との半田付け性及びワイヤと端
子２とのワイヤボンディング性のいずれもが良好となっ
て、それぞれ気密性及び接触信頼性の高い圧力センサを
容易にかつ確実に量産できる。
【００３４】また、圧力導入管１をＡｕＣｏで端子２を
安価なＮｉでめっきするから、圧力導入管１及び端子２
をいずれも高価なＡｕでめっきとした従来と異なって、
コストの安い圧力センサを量産できる。
安価なＮｉでめっきするから、圧力導入管１及び端子２
をいずれも高価なＡｕでめっきとした従来と異なって、
コストの安い圧力センサを量産できる。
【００３５】また、圧力導入管１をＡｕＣｏで端子２を
Ｎｉでめっきし気密封止した後で、Ａｌの電極と端子２
とをＡｌのワイヤでもってワイヤボンディングするか
ら、電極部がＡｌ電極とＡｌワイヤ及び端子２のワイヤ
ボンディング部がＮｉめっきとＡｌワイヤでそれぞれが
形成されることになって、電気抵抗が高く脆い金属間化
合物を形成せず、摂氏約１５０度以上の高温中でも接触
抵抗が増大せずワイヤの断線がない圧力センサを量産で
きる。
Ｎｉでめっきし気密封止した後で、Ａｌの電極と端子２
とをＡｌのワイヤでもってワイヤボンディングするか
ら、電極部がＡｌ電極とＡｌワイヤ及び端子２のワイヤ
ボンディング部がＮｉめっきとＡｌワイヤでそれぞれが
形成されることになって、電気抵抗が高く脆い金属間化
合物を形成せず、摂氏約１５０度以上の高温中でも接触
抵抗が増大せずワイヤの断線がない圧力センサを量産で
きる。
【００３６】なお、第１実施形態では、圧力導入管１を
ＡｕＣｏで端子２をＮｉでめっきし気密封止した後で、
Ａｌからなる電極と端子２とをＡｌからなるワイヤでも
ってワイヤボンディングしたが、端子２をＡｕでめっき
しＡｕからなる電極と端子２とをＡｕからなるワイヤで
もってワイヤボンディングしてもよく、限定されない。
ＡｕＣｏで端子２をＮｉでめっきし気密封止した後で、
Ａｌからなる電極と端子２とをＡｌからなるワイヤでも
ってワイヤボンディングしたが、端子２をＡｕでめっき
しＡｕからなる電極と端子２とをＡｕからなるワイヤで
もってワイヤボンディングしてもよく、限定されない。
【００３７】本発明の第２実施形態を図２乃び図３に基
づいて以下に説明する。なお、第２実施形態では第１実
施形態と異なる製造方法について述べることとし、第１
実施形態と実質的に同一機能を有する部材については、
同一符号を付して説明を省略する。
づいて以下に説明する。なお、第２実施形態では第１実
施形態と異なる製造方法について述べることとし、第１
実施形態と実質的に同一機能を有する部材については、
同一符号を付して説明を省略する。
【００３８】８は基台で、耐熱性を有した液晶ポリマー
等の絶縁性の樹脂により、底部を有して略角筒状に形成
され、底部から筒内部の反対側へ導出するよう圧力導入
管１の一方直交面１２側を固着するとともに、端子２を
開口端部に露出した状態で一方直交面１２に沿って配設
している。
等の絶縁性の樹脂により、底部を有して略角筒状に形成
され、底部から筒内部の反対側へ導出するよう圧力導入
管１の一方直交面１２側を固着するとともに、端子２を
開口端部に露出した状態で一方直交面１２に沿って配設
している。
【００３９】このものの製造方法について説明する。先
ず、金属製の圧力導入管１は、一方直交面１２及び外周
面１３がＮｉ１ａでめっきされた後、ＡｕＣｏ合金１ｂ
でもってめっきされる。ここで、従来のＡｕめっきでは
なくＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされるので、一方直交面
１２は従来と比較して凹凸のない平滑状に形成される。
ＡｕＣｏ合金１ｂはＡｕと比較して硬く硬質であり、Ｃ
ｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％で残部がＡ
ｕであって、硬質度及び平滑度におけるバランスが良い
適正組成範囲に選択され、その適正組成範囲を外れると
めっき面の凹凸が大きくなり、面粗度が劣化する。
ず、金属製の圧力導入管１は、一方直交面１２及び外周
面１３がＮｉ１ａでめっきされた後、ＡｕＣｏ合金１ｂ
でもってめっきされる。ここで、従来のＡｕめっきでは
なくＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされるので、一方直交面
１２は従来と比較して凹凸のない平滑状に形成される。
ＡｕＣｏ合金１ｂはＡｕと比較して硬く硬質であり、Ｃ
ｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％で残部がＡ
ｕであって、硬質度及び平滑度におけるバランスが良い
適正組成範囲に選択され、その適正組成範囲を外れると
めっき面の凹凸が大きくなり、面粗度が劣化する。
【００４０】次いで、圧力導入管１と、一方直交面１２
に沿って配設された端子２とを樹脂でもって一体成形し
て基台８を形成するとともに、圧力導入管１と端子２と
をその基台８に固着する。このとき、一方直交面１２は
硬質のＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされているので、傷が
つきにくい。
に沿って配設された端子２とを樹脂でもって一体成形し
て基台８を形成するとともに、圧力導入管１と端子２と
をその基台８に固着する。このとき、一方直交面１２は
硬質のＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされているので、傷が
つきにくい。
【００４１】次いで、軸孔５１の軸と直交した一面がメ
タライズ層５２でメタライズされたガラス台座５を、圧
力導入管１の一方直交面１２に互いの軸を合わせた状態
で、圧力導入管１とガラス台座５との間にリング状の半
田９を配設し、それぞれを互いにダイボンダを用いて接
合する。このとき、図３に示すように、一方直交面１２
はＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされ平滑状に形成されてい
るので、半田９が圧力導入管１の貫通孔１１の軸に対し
て略同心円状に拡散し、ガラス台座５の一面との間に空
隙を形成することなく、一面と密着して接合される。ま
た、半田９はＳｎＳｂ合金からなり重量比で８．５ｗｔ
％のＳｂを含有し、そのＳｎＳｂ合金はＳｎＰｂ半田が
約１８０度の融点であるのに対し、約２４０度の融点を
持ち高温耐熱性に優れる。
タライズ層５２でメタライズされたガラス台座５を、圧
力導入管１の一方直交面１２に互いの軸を合わせた状態
で、圧力導入管１とガラス台座５との間にリング状の半
田９を配設し、それぞれを互いにダイボンダを用いて接
合する。このとき、図３に示すように、一方直交面１２
はＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされ平滑状に形成されてい
るので、半田９が圧力導入管１の貫通孔１１の軸に対し
て略同心円状に拡散し、ガラス台座５の一面との間に空
隙を形成することなく、一面と密着して接合される。ま
た、半田９はＳｎＳｂ合金からなり重量比で８．５ｗｔ
％のＳｂを含有し、そのＳｎＳｂ合金はＳｎＰｂ半田が
約１８０度の融点であるのに対し、約２４０度の融点を
持ち高温耐熱性に優れる。
【００４２】このものの動作を説明する。圧力導入管１
は一方直交面１２の反対側端部が、パイプ状で気体又は
液体の流体を導入する流体導入チューブ１０のパイプ内
部に挿入されて、流体導入チューブ１０と接続される。
ここで、貫通孔１１及び軸孔５１の互いの軸を合わせ
て、ガラス台座５が圧力導入管１の一方直交面１２に接
合されているので、貫通孔１１と軸孔５１とが連通する
ことになる。この状態で、流体が流体導入チューブ１０
を介して圧力を持って圧力導入管１の貫通孔１１に導入
される。
は一方直交面１２の反対側端部が、パイプ状で気体又は
液体の流体を導入する流体導入チューブ１０のパイプ内
部に挿入されて、流体導入チューブ１０と接続される。
ここで、貫通孔１１及び軸孔５１の互いの軸を合わせ
て、ガラス台座５が圧力導入管１の一方直交面１２に接
合されているので、貫通孔１１と軸孔５１とが連通する
ことになる。この状態で、流体が流体導入チューブ１０
を介して圧力を持って圧力導入管１の貫通孔１１に導入
される。
【００４３】このとき、圧力センサチップ６が、ガラス
台座５の軸孔５１を遮蔽するようガラス台座５と接合さ
れて、圧力導入管１の一方直交面１２がＡｕＣｏ合金１
ｂでめっきされて、ガラス台座５の一面とＳｎＳｂ合金
からなる半田でもって空隙なく強固に接合されているの
で、流体は漏れることなくその圧力を圧力センサチップ
６に負荷する。さらに、半田はＳｎＳｂ合金であるの
で、測定する流体が高温であっても溶融又は軟化するこ
とがない。
台座５の軸孔５１を遮蔽するようガラス台座５と接合さ
れて、圧力導入管１の一方直交面１２がＡｕＣｏ合金１
ｂでめっきされて、ガラス台座５の一面とＳｎＳｂ合金
からなる半田でもって空隙なく強固に接合されているの
で、流体は漏れることなくその圧力を圧力センサチップ
６に負荷する。さらに、半田はＳｎＳｂ合金であるの
で、測定する流体が高温であっても溶融又は軟化するこ
とがない。
【００４４】圧力が圧力センサチップ６に負荷される
と、圧力センサチップ６に形成されたシリコンダイヤフ
ラム６１が、流体の圧力と大気圧との差に比例して撓
む。そして、シリコンダイヤフラム６１上に形成された
ピエゾ抵抗（図示せず）の抵抗値が撓みの大きさに比例
して変化し、この抵抗値を電気信号として端子２に出力
する。シリコンダイヤフラム６１の一面側が大気圧であ
るので、流体の圧力を大気圧との差圧として測定する。
と、圧力センサチップ６に形成されたシリコンダイヤフ
ラム６１が、流体の圧力と大気圧との差に比例して撓
む。そして、シリコンダイヤフラム６１上に形成された
ピエゾ抵抗（図示せず）の抵抗値が撓みの大きさに比例
して変化し、この抵抗値を電気信号として端子２に出力
する。シリコンダイヤフラム６１の一面側が大気圧であ
るので、流体の圧力を大気圧との差圧として測定する。
【００４５】かかる第２実施形態の圧力センサの製造方
法にあっては、上記したように、圧力導入管１の一方直
交面１２をＡｕＣｏ合金１ｂからなる金属でめっきし、
その一方直交面１２とメタライズされたガラス台座５の
一面とを、互いの軸を合わせて接合するから、一方直交
面１２が従来のＡｕめっきと比較して凹凸のない平滑状
に形成され、放射状に拡散した半田９で被覆されその半
田９との濡れ性が良くなって、一方直交面１２とガラス
台座５の一面とが空隙を形成することなく密着して接合
されて、気密性の高い圧力センサを容易にかつ確実に量
産できる。
法にあっては、上記したように、圧力導入管１の一方直
交面１２をＡｕＣｏ合金１ｂからなる金属でめっきし、
その一方直交面１２とメタライズされたガラス台座５の
一面とを、互いの軸を合わせて接合するから、一方直交
面１２が従来のＡｕめっきと比較して凹凸のない平滑状
に形成され、放射状に拡散した半田９で被覆されその半
田９との濡れ性が良くなって、一方直交面１２とガラス
台座５の一面とが空隙を形成することなく密着して接合
されて、気密性の高い圧力センサを容易にかつ確実に量
産できる。
【００４６】また、圧力導入管１が流体を導入する流体
導入チューブ１０と接続されるものであれば、圧力導入
管１の外周面１３がＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされたか
ら、ＡｕＣｏ合金１ｂが硬く硬質であって傷がつきにく
いので、一方直交面１２の反対側端部が流体導入チュー
ブ１０のパイプ内部に挿入されたとき、外周面１３への
傷の発生を防止して、圧力導入管１と流体導入チューブ
１０との接続部での流体の漏洩を阻止した圧力センサを
量産できる。
導入チューブ１０と接続されるものであれば、圧力導入
管１の外周面１３がＡｕＣｏ合金１ｂでめっきされたか
ら、ＡｕＣｏ合金１ｂが硬く硬質であって傷がつきにく
いので、一方直交面１２の反対側端部が流体導入チュー
ブ１０のパイプ内部に挿入されたとき、外周面１３への
傷の発生を防止して、圧力導入管１と流体導入チューブ
１０との接続部での流体の漏洩を阻止した圧力センサを
量産できる。
【００４７】また、ＡｕＣｏ合金１ｂのＣｏ含有量が重
量比で０．１乃至０．３ｗｔ％で、残部がＡｕであって
適正組成範囲に選択されたから、平滑度と硬質度とのバ
ランスが良くなって、圧力導入管１とガラス台座５及び
流体導入チューブ１０とのそれぞれの接続部からの流体
の漏洩を防止して、さらに気密性の高い圧力センサを量
産できる。
量比で０．１乃至０．３ｗｔ％で、残部がＡｕであって
適正組成範囲に選択されたから、平滑度と硬質度とのバ
ランスが良くなって、圧力導入管１とガラス台座５及び
流体導入チューブ１０とのそれぞれの接続部からの流体
の漏洩を防止して、さらに気密性の高い圧力センサを量
産できる。
【００４８】また、半田９がＳｎＳｂ合金からなるか
ら、ＳｎＰｂ合金と比較して融点が高く耐熱性が良くな
って、ＳｎＳｂ合金の融点近くの高温まで使用し得る高
耐熱性の圧力センサを量産できる。
ら、ＳｎＰｂ合金と比較して融点が高く耐熱性が良くな
って、ＳｎＳｂ合金の融点近くの高温まで使用し得る高
耐熱性の圧力センサを量産できる。
【００４９】
【発明の効果】請求項１記載の圧力センサの製造方法
は、めっきされる金属の融点よりも低い温度で溶融する
低融点ガラスでもって、圧力導入管の外周面と端子とを
めっき金属が溶融することなく気密封止するから、圧力
導入管１の一方直交面と端子とをそれぞれ異なる金属で
めっきした後気密封止して、ガラス台座との半田付け性
が良好な金属を圧力導入管に、ワイヤとのワイヤボンデ
ィング性が良好な金属を端子にめっきして、一方直交面
とガラス台座との半田付け性及びワイヤと端子とのワイ
ヤボンディング性のいずれもが良好となって、それぞれ
気密性及び接触信頼性の高い圧力センサを容易にかつ確
実に量産できる。
は、めっきされる金属の融点よりも低い温度で溶融する
低融点ガラスでもって、圧力導入管の外周面と端子とを
めっき金属が溶融することなく気密封止するから、圧力
導入管１の一方直交面と端子とをそれぞれ異なる金属で
めっきした後気密封止して、ガラス台座との半田付け性
が良好な金属を圧力導入管に、ワイヤとのワイヤボンデ
ィング性が良好な金属を端子にめっきして、一方直交面
とガラス台座との半田付け性及びワイヤと端子とのワイ
ヤボンディング性のいずれもが良好となって、それぞれ
気密性及び接触信頼性の高い圧力センサを容易にかつ確
実に量産できる。
【００５０】請求項２記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子を安価なＮｉでめっきするから、圧力導
入管及び端子をいずれも高価なＡｕでめっきとした従来
と異なって、コストの安い圧力センサを量産できる。
請求項１記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子を安価なＮｉでめっきするから、圧力導
入管及び端子をいずれも高価なＡｕでめっきとした従来
と異なって、コストの安い圧力センサを量産できる。
【００５１】請求項３記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子をＮｉでめっきし気密封止した後で、Ａ
ｌからなる電極と端子とをＡｌからなるワイヤでもって
ワイヤボンディングするから、電極部がＡｌ電極とＡｌ
ワイヤ、及び端子のワイヤボンディング部がＮｉめっき
とＡｌワイヤでそれぞれが形成されることになって、電
気抵抗が高く脆い金属間化合物を形成せず、摂氏約１５
０度以上の高温中でも接触抵抗が増大せずワイヤの断線
がない圧力センサを量産できる。
請求項２記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子をＮｉでめっきし気密封止した後で、Ａ
ｌからなる電極と端子とをＡｌからなるワイヤでもって
ワイヤボンディングするから、電極部がＡｌ電極とＡｌ
ワイヤ、及び端子のワイヤボンディング部がＮｉめっき
とＡｌワイヤでそれぞれが形成されることになって、電
気抵抗が高く脆い金属間化合物を形成せず、摂氏約１５
０度以上の高温中でも接触抵抗が増大せずワイヤの断線
がない圧力センサを量産できる。
【００５２】請求項４記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子をＡｕでめっきし気密封止した後で、Ａ
ｕからなる電極と端子とをＡｕからなるワイヤでもって
ワイヤボンディングするから、電極部がＡｕ電極とＡｕ
ワイヤ、及び端子のワイヤボンディング部がＡｕめっき
とＡｕワイヤでそれぞれが形成されることになって、電
気抵抗が高く脆い金属間化合物を形成せず、摂氏約１５
０度以上の高温中でも接触抵抗が増大せずワイヤの断線
がない圧力センサを量産できる。
請求項１記載の製造方法の効果に加えて、圧力導入管を
ＡｕＣｏで端子をＡｕでめっきし気密封止した後で、Ａ
ｕからなる電極と端子とをＡｕからなるワイヤでもって
ワイヤボンディングするから、電極部がＡｕ電極とＡｕ
ワイヤ、及び端子のワイヤボンディング部がＡｕめっき
とＡｕワイヤでそれぞれが形成されることになって、電
気抵抗が高く脆い金属間化合物を形成せず、摂氏約１５
０度以上の高温中でも接触抵抗が増大せずワイヤの断線
がない圧力センサを量産できる。
【００５３】請求項５記載の圧力センサの製造方法は、
圧力導入管の少なくとも一方直交面をＡｕＣｏ合金から
なる金属でめっきし、その一方直交面とメタライズされ
たガラス台座の一面とを、互いの軸を合わせて接合する
から、一方直交面が従来のＡｕめっきと比較して凹凸の
ない平滑状に形成され、放射状に拡散した半田で被覆さ
れその半田との濡れ性が良くなって、一方直交面とガラ
ス台座の一面とが空隙を形成することなく密着して接合
されて、気密性の高い圧力センサを容易にかつ確実に量
産できる。
圧力導入管の少なくとも一方直交面をＡｕＣｏ合金から
なる金属でめっきし、その一方直交面とメタライズされ
たガラス台座の一面とを、互いの軸を合わせて接合する
から、一方直交面が従来のＡｕめっきと比較して凹凸の
ない平滑状に形成され、放射状に拡散した半田で被覆さ
れその半田との濡れ性が良くなって、一方直交面とガラ
ス台座の一面とが空隙を形成することなく密着して接合
されて、気密性の高い圧力センサを容易にかつ確実に量
産できる。
【００５４】請求項６記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２乃至５記載の製造方法の効果に加えて、圧力導
入管が流体を導入する流体導入チューブと接続されるも
のであれば、圧力導入管の外周面がＡｕＣｏ合金でめっ
きされたから、ＡｕＣｏ合金が硬く硬質であって傷がつ
きにくいので、一方直交面の反対側端部が流体導入チュ
ーブのパイプ内部に挿入されたとき、外周面への傷の発
生を防止して、圧力導入管と流体導入チューブとの接続
部での流体の漏洩を阻止した圧力センサを量産できる。
請求項２乃至５記載の製造方法の効果に加えて、圧力導
入管が流体を導入する流体導入チューブと接続されるも
のであれば、圧力導入管の外周面がＡｕＣｏ合金でめっ
きされたから、ＡｕＣｏ合金が硬く硬質であって傷がつ
きにくいので、一方直交面の反対側端部が流体導入チュ
ーブのパイプ内部に挿入されたとき、外周面への傷の発
生を防止して、圧力導入管と流体導入チューブとの接続
部での流体の漏洩を阻止した圧力センサを量産できる。
【００５５】請求項７記載の圧力センサの製造方法は、
請求項２乃至６記載の製造方法の効果に加えて、ＡｕＣ
ｏ合金のＣｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％
で、残部がＡｕであって適正組成範囲に選択されたか
ら、平滑度と硬質度とのバランスが良くなって、圧力導
入管とガラス台座及び流体導入チューブとのそれぞれの
接続部からの流体の漏洩を防止して、さらに気密性の高
い圧力センサを量産できる。
請求項２乃至６記載の製造方法の効果に加えて、ＡｕＣ
ｏ合金のＣｏ含有量が重量比で０．１乃至０．３ｗｔ％
で、残部がＡｕであって適正組成範囲に選択されたか
ら、平滑度と硬質度とのバランスが良くなって、圧力導
入管とガラス台座及び流体導入チューブとのそれぞれの
接続部からの流体の漏洩を防止して、さらに気密性の高
い圧力センサを量産できる。
【００５６】請求項８記載の圧力センサの製造方法は、
請求項１又は５記載の製造方法の効果に加えて、半田が
ＳｎＳｂ合金からなるから、ＳｎＰｂ合金と比較して融
点が高く耐熱性が良くなって、ＳｎＳｂ合金の融点近く
の高温まで使用し得る高耐熱性の圧力センサを量産でき
る。
請求項１又は５記載の製造方法の効果に加えて、半田が
ＳｎＳｂ合金からなるから、ＳｎＰｂ合金と比較して融
点が高く耐熱性が良くなって、ＳｎＳｂ合金の融点近く
の高温まで使用し得る高耐熱性の圧力センサを量産でき
る。
【図１】本発明の第１実施形態を示す正断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態を示す正断面図である。
【図３】同上の平面図である。
【図４】従来例を示す平面図である。
１ 圧力導入管 １ｂ ＡｕＣｏ合金 １１ 貫通孔 １２ 一方直交面 １３ 外周面 ２ 端子 ３ 低融点ガラス ４ ベース ５ ガラス台座 ５１ 軸孔 ６ 圧力センサチップ ９ 半田 １０ 流体導入チューブ
Claims (8)
- 【請求項１】 測定対象である流体を圧力を持って導入
する貫通孔の軸に対する一方直交面を有する金属製の圧
力導入管と、圧力を電気信号に変換する圧力センサチッ
プからのその電気信号を伝達する端子とを金属でめっき
するめっき工程と、 めっきする金属の融点よりも低い温度で溶融する低融点
ガラスでもって、金属製のベースの内部に圧力導入管の
外周面と端子とを気密封止する気密封止工程と、 軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面がメタライズさ
れて他面が圧力センサチップと接合されたガラス台座の
一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの軸を合わせて
半田でもって接合する接合工程と、 圧力センサチップに設けられた電極と端子とをワイヤで
もって電気的に接続するワイヤボンディング工程と、を
有することを特徴とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項２】 前記圧力導入管をＡｕＣｏ合金で前記端
子をＮｉでめっきすることを特徴とする請求項１記載の
圧力センサの製造方法。 - 【請求項３】 前記圧力導入管をＡｕＣｏ合金で前記端
子をＮｉでめっきし気密封止した後で、Ａｌからなる前
記電極と前記端子とをＡｌからなるワイヤでもってワイ
ヤボンディングすることを特徴とする請求項２記載の圧
力センサの製造方法。 - 【請求項４】 前記圧力導入管をＡｕＣｏ合金で前記端
子をＡｕでめっきし気密封止した後で、Ａｕからなる前
記電極と前記端子とをＡｕからなるワイヤでもってワイ
ヤボンディングすることを特徴とする請求項１記載の圧
力センサの製造方法。 - 【請求項５】 測定対象である流体を圧力を持って導入
する貫通孔の軸に対する一方直交面を有する金属製の圧
力導入管が、少なくともその一方直交面をＡｕＣｏ合金
からなる金属でめっきするめっき工程と、 軸孔を設けその軸孔の軸と直交した一面がメタライズさ
れて他面が圧力センサチップと接合されたガラス台座の
一面を、圧力導入管の一方直交面に互いの軸を合わせて
半田でもって接合する接合工程と、を有することを特徴
とする圧力センサの製造方法。 - 【請求項６】 前記圧力導入管は前記一方直交面の反対
側端部が、パイプ状で流体を導入する流体導入チューブ
と接続されるものであって、前記圧力導入管は外周面が
前記ＡｕＣｏ合金でめっきされてなることを特徴とする
請求項２乃至５記載の圧力センサの製造方法。 - 【請求項７】 前記ＡｕＣｏ合金は、Ｃｏ含有量が重量
比で０．１乃至０．３ｗｔ％で、残部がＡｕであること
を特徴とする請求項２乃至６記載の圧力センサの製造方
法。 - 【請求項８】 前記半田はＳｎＳｂ合金からなることを
特徴とする請求項１又は５記載の圧力センサの製造方
法。
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| JP8-42886 | 1996-02-29 | ||
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|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| WO2004059722A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Denso Corporation | 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法 |
| JP2012519852A (ja) * | 2009-03-03 | 2012-08-30 | エススリーシー， インコーポレイテッド | 高温用媒体適合電気絶縁圧力センサ |
| US8643127B2 (en) | 2008-08-21 | 2014-02-04 | S3C, Inc. | Sensor device packaging |
| US10544040B2 (en) * | 2017-05-05 | 2020-01-28 | Dunan Microstaq, Inc. | Method and structure for preventing solder flow into a MEMS pressure port during MEMS die attachment |
| JPWO2018221089A1 (ja) * | 2017-05-30 | 2020-04-02 | オリエンタル鍍金株式会社 | Ｐｃｂ端子の製造方法及びｐｃｂ端子 |
| JPWO2018221087A1 (ja) * | 2017-05-30 | 2020-05-28 | オリエンタル鍍金株式会社 | Ｐｃｂ端子 |
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-
1996
- 1996-12-25 JP JP34478196A patent/JP3555366B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004059722A1 (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-15 | Denso Corporation | 半導体式センサおよび半導体装置のめっき方法 |
| US8643127B2 (en) | 2008-08-21 | 2014-02-04 | S3C, Inc. | Sensor device packaging |
| JP2012519852A (ja) * | 2009-03-03 | 2012-08-30 | エススリーシー， インコーポレイテッド | 高温用媒体適合電気絶縁圧力センサ |
| US8627559B2 (en) | 2009-03-03 | 2014-01-14 | S3C, Inc. | Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications |
| US10544040B2 (en) * | 2017-05-05 | 2020-01-28 | Dunan Microstaq, Inc. | Method and structure for preventing solder flow into a MEMS pressure port during MEMS die attachment |
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| Publication number | Publication date |
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