JPH0462445A - 圧力センサー用気密端子 - Google Patents

圧力センサー用気密端子

Info

Publication number
JPH0462445A
JPH0462445A JP2173928A JP17392890A JPH0462445A JP H0462445 A JPH0462445 A JP H0462445A JP 2173928 A JP2173928 A JP 2173928A JP 17392890 A JP17392890 A JP 17392890A JP H0462445 A JPH0462445 A JP H0462445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
outer ring
plating layer
pressure sensor
metal outer
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2173928A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyuki Hamada
濱田 重行
Hiroshi Maruyama
博 丸山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2173928A priority Critical patent/JPH0462445A/ja
Publication of JPH0462445A publication Critical patent/JPH0462445A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、圧力センサー用気密端子の改良に間する。
[従来の技術] 圧力センサー:こは種々のタイプのものがあるが、その
一つとして第3図に示すような構造の圧力センサーが知
られている。
二の圧力センサーは、金属外環1の中央の開口、例え:
よ通気口2に気体導入用のバイブ3をロウ付けすると共
に、その周りの複数のリート挿通孔4にリート5をそれ
ぞれ挿通し、ガラス6て封着して成るス芭端子を使用し
たものであって、シリコン台座7を金属外環1の通気口
開縁部に電窓に固着すると共:こ、該台座7に圧力検知
用のダイヤフラム8を気密に取り付けて、リート5とワ
イヤーボンディングし、その上からキャップ9を被せ、
金属外環1に気密に固着したものである。
この圧力センサーに使用される気密端子は、第4図に示
すように、その金属外環1の表面がニッケルめっきl1
ilOと、その外側の金めつき1111て二重被覆され
たものであり、しかして、シリコン台座71よ、加熱に
よりシリコン台座7と金めつき111の接合界面に金−
シリコン共晶層(図示せず)を形成させる二とによって
、金属外環1の通気口2の周縁部に気密:こ固着されて
いた。
[発明が解決しようとする二〒Bコ と二ろて、上記のよう:こ金属外環1の表面がニッケル
めつき層10と、金めつき層11とで二重被覆されてい
ると、金めつき層11が極めて薄い場合、或いはシリコ
ン台座7の固着のための加熱時間が長くなった場合には
、シリコン台座7の装着時に金−シリコン共晶層が金め
つき層11の厚み全体にわたって形成され、該共晶層中
のシリコンがニッケルめっき110と反応して、ニッケ
ルめっき層10との界面にニッケルシリサイドを生成す
ることがある。このニッケルシリサイドは極めて脆い絶
縁物であるため、ニッケルめっき層10との界面にその
ような脆いニッケルシリサイドが生成すると、圧力検知
時にシリコン台座7が気体や液体の圧力で金属外環1か
ら剥脱する恐れがあり、また剥脱しない場合でも、シリ
コン台座7と金属外環lとの間に微小隙間を生して、圧
力センサー内外の圧力がリークする恐れがある。
そこで、上記ニッケルめっき層11形収用のニッケルめ
っき液二二次亜燐酸塩を加えて、ニッケルN1−燐P合
金めっきとして、上記ニッケルシリサイドの生成を抑制
する二とも試みられている。
し・かしながら、この場合にはニッケルN1−燐P合金
めっきが硬く、約400℃の温度でニッケルめっき層1
1にクラックが発生して、未だ圧力センサー内外の圧力
がリークする恐れがある点ては上記の場合と同様である
本発明は以上のような問題を解決するためになされたも
ので、その目的は、めっき層から圧力がリークすること
を防止できる圧力センサー用%V端子を提供することに
ある。
口課題を解決するための手段] 前記の問題を解決するため、本発明の圧力センサー用ス
密端子は、中央の開口の周りに複数のリート挿通孔を有
する金属外環の該リート挿通孔に、リートを挿通してカ
ラスで封着し・で成る圧力センサー剛気!端子において
、上記金属外環の表面を、ニッケル・ホロン合金から成
る第1のめつき層と、その外側の金めっき層とを積層形
成し・たことを特徴としている。
口作用] 本発明の圧力セシサー用ス宝端子では、その金属外環の
表面を第1のめつき層とその外側の金めつき層で二重被
覆しであるので、圧力センサーの組立工程においてシリ
コン台座を金属外環の開口周縁部に固着する際、加熱に
よって金−シリコン共晶層が金めつき層の厚み全体にわ
たって形成されても、第1のめっき層に含まれているボ
ロンによってニッケルシリサイドの生成が防止される。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例を詳述する。
第1図は本発明の一実施例に係る圧力センサー用気密端
子の断面図、第2図は同気密端子の要部拡大断爾図であ
る。
第1図に示す圧力センサー用気密端子は、金属外環の下
地めっき層の材質が異なる点を除いて、前述した従来の
気密端子と同様の構造をしている。
即ち、1はコバールや42合金より成る金属外環で、こ
の金属外環1の中央には開口、例えば通電口2が形成さ
れており、二の通気口2の周りにこよ複数(二の実施例
では4つ)のリート挿通孔4が形成されている。この金
属外環1の下面の通気口周縁部には寛体導入用のバイブ
3がロウ付けされており、また金属外環1の外用縁には
キャップ9を固着する段部12が周設されている。そし
て、この金属外環lの各リート挿通孔4にはり一ド5が
それぞれ挿通され、ガラス6て到着されて圧力センサー
用気密端子が構成されている。
この気密端子の特徴は、第2図に示すように、金属外環
1の表面を第1のめっき層13と、その外側の金めつき
層11とて二重被覆した点にある。
該第1のめっき!W13は、金属外環1を保護する下地
めっきりであり、その材質はニッケルNボロンB(はう
緊合金)から成る化学めつきである。そして、該ニッケ
ルN1−ホロンBのめっき眉の組成は、ニッケルNi9
9.5%、ボロンB帆 5%である。
また、第1のめっき層13の厚さは1〜2μm程度であ
る二とか好まし・い。1μn〕より薄くなると金属外環
1の保護か不充分となり、逆:こ2μmより厚くなると
めっき時間が長くなり、消費電力も多くなる等の不都合
を生じるからである。これに対して、金めつき層11は
金−シリコン共晶層を形成してシリコン台座7を気密に
固着するためのものであり、その厚さは1.2μm程度
であることが好ましい。1.2μmより薄くなると、充
分な金−シリコン共晶層の形成が困難となってシリコン
台座7の固着強度や気密性の低下を招く恐れがある。
以上のような構成の圧力センサー用気密端子は、圧力セ
ンサー組立工程において、金属外環1上面の通気口21
!1縁部にシリコン台座7が気密に固着され、該台座7
二こ圧力検知用のダイヤフラム8が気密に取り付けられ
る。そして、このダイヤフラム8の各端子と各リード5
がワイヤーボンディングされ、その上からキャップ9が
被せられ、金属外環1の段部12:こ気密に固着されて
、圧力センサーが経文てられる。二の場合、金属外環1
へのシリコン台座7の固着は、従来と同様に加熱により
該シリコン台座7と金めっき層11との接合界面;こ金
−シリコン共晶N(図示せず)を形成させる二と:こよ
って行われるが、その際、金めつき層11の厚み全体:
こわたって金−シリコン共晶、gか形成されたとし・で
も、下地めっき層が従来のようなニッケルだけによるめ
っき層で:iなく、ニッケルN1−ボロンB合金めっき
から成る第1のめっき113であるから、該共晶層中の
シリコンが第1のめっき1m+13と反応し、て脆いニ
ッケルシリサイドを生成することが抑制される。従って
、本発明の気密端子を用いて組み立てた圧力センサーは
、金属外環1とシリコン台座7の固着強度や気密性か優
れているので、圧力検知時にシリコン台座7か流体圧で
金属外環1から剥脱したり、シリコン台座7と金属外環
1との間に、微小間隙を生して圧力センサー内外の圧力
がリークしたりする恐れか皆無になる。しかも、上記し
またニッケルXボロンB合金めっきから成る第1のめっ
き層13は、400’C程度;こ加熱されたとし、でも
、ボロンBか軟らかさを増進するために、第1のめっき
層13!こクラックか発生し・難くなった。例え;よ、
本件発明者らによる実験ユニよれは、1足来の:<i 
−Pめっきの場合には、クラック発生率が100%であ
ったのが、同条件で本発明の第1のめっきN13の場合
にはクラック発生率が0%に低下した。
なお、上記の第1のめっき層13及び金めつき層11の
形成は、リード5を金属外環1のリード挿通孔4にガラ
ス6て、封着する前に、予めバイブ3をロウ付けした金
属外環1をバレルめっき装置等に入れて、第1のめっき
及び金めフきを順次行うことにより形成してもよく、こ
れとは逆に、先にリード5を金属外環1のリード挿通孔
4二こ封着してからバレルめっき装置等に入れて、第1
のめっき及び金めつきを順次に行うことにより形成して
もよい。
[発明の効果コ 以上の説明から明かなように、本発明の圧力センサー用
寛密端子は、金属外環の表面をニッケル。
ボロン合金からなる第1のめっき層とその外側の金めつ
き層で二重被覆することによって、金属外環の開口周縁
部;こシリコン台座を固着しても脆いニッケルシリサイ
ドの生成を抑制する二とがてきる。従って圧力検知時に
シリコン台座が流体圧て剥脱したり、シリコン台座と金
属外環との間に生した微小間隙を通して圧力センサー内
外の圧力がリークするのを、有効に防止でき、しかも、
第1のめっき層のボロンによって、第1のめっき層が軟
らかくなり、第1のめっき層にクラックが発生すること
を防止でき、圧力センサー用気富端子としての信頼性を
向上させ得る二とができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例;こ係る圧力センサー用電憲
端子の断面図、第2図は同寛主端子の要部拡大断面図で
ある。 第3図は従来の圧力センサーの断面図、第1図;ま同圧
力センサーの要部拡大断面図である。 1・・・金属外環、 2・・開口(通気口)、 4・・・リート挿通孔、 5・・・リート、 6・・・カラス、 7・・・シリコン台座、 1・・・金めつき層、 !3・・・第1のめっき層。 特 許 出 願 人 間西日本電気株式会社 第1図 、9 N2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)中央の開口の周りに複数のリード挿通孔を有する
    金属外環の該リード挿通孔に、リードを挿通してガラス
    で封着して成る圧力センサー用気密端子において、 上記金属外環の表面を、ニッケル・ボロン合金から成る
    第1のめっき層と、その外側の金めっき層とを積層形成
    したことを特徴とする圧力センサー用気密端子。
JP2173928A 1990-06-29 1990-06-29 圧力センサー用気密端子 Pending JPH0462445A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2173928A JPH0462445A (ja) 1990-06-29 1990-06-29 圧力センサー用気密端子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2173928A JPH0462445A (ja) 1990-06-29 1990-06-29 圧力センサー用気密端子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0462445A true JPH0462445A (ja) 1992-02-27

Family

ID=15969674

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2173928A Pending JPH0462445A (ja) 1990-06-29 1990-06-29 圧力センサー用気密端子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0462445A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2409276A (en) * 2003-11-20 2005-06-22 Gen Electric Cylinder pressure transducer and related method
JP2010071912A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Alps Electric Co Ltd Memsセンサ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2409276A (en) * 2003-11-20 2005-06-22 Gen Electric Cylinder pressure transducer and related method
GB2409276B (en) * 2003-11-20 2008-05-28 Gen Electric Cylinder pressure transducer and related method
JP2010071912A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Alps Electric Co Ltd Memsセンサ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4572924A (en) Electronic enclosures having metal parts
JPH0778929A (ja) アルミニウム・クラッド・リードフレーム,その作成方法および同リードフレームを利用する半導体デバイス
JPH0462445A (ja) 圧力センサー用気密端子
JP2003068901A (ja) 電子部品
JPH02248827A (ja) 圧力センサー用気密端子及びその製造方法
JPH01321664A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JP2002198773A (ja) 表面弾性波フィルターのセラミックパッケージのシーリング方法及び装置
JPH04278983A (ja) 表示パネルの封止方法
JPH02248828A (ja) 圧力センサー用気密端子
JPS5793225A (en) Vacuum sealing method of vacuum container for pressure transducer
JPS5863826A (ja) 半導体圧力変換器
JPS588586B2 (ja) 半導体装置の封止方法
EP0214465A1 (en) Plating process for an electronic part
JPS6220358A (ja) 半導体固体撮像装置
JPH0467346B2 (ja)
JPS59217126A (ja) 絶対圧形半導体圧力変換素子
US4605533A (en) Lead frame coated with aluminum as a packaging material in integrated circuits
JP2000298071A (ja) 半導体圧力センサの構造
JP2744501B2 (ja) 気密端子及びその製造方法
JP2005062031A (ja) 静電容量型のサファイヤダイヤフラム圧力センサおよびその製造方法
JPS62259329A (ja) 螢光表示管
JP2506429B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0884042A (ja) パッケージ部材
JP2001068575A (ja) 半導体装置用のシールリングとそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH06258162A (ja) ガラス部品の接合構造