JPH09285126A - 半導体整流装置のスナバ回路 - Google Patents

半導体整流装置のスナバ回路

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JPH09285126A
JPH09285126A JP9575696A JP9575696A JPH09285126A JP H09285126 A JPH09285126 A JP H09285126A JP 9575696 A JP9575696 A JP 9575696A JP 9575696 A JP9575696 A JP 9575696A JP H09285126 A JPH09285126 A JP H09285126A
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JP
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snubber
circuit
capacitor
filter
voltage
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JP9575696A
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Makoto Tanitsu
誠 谷津
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】スナバ回路での損失を増加させずに、整流回路
に使用する整流用半導体素子の耐圧を低下できるように
することにある。 【解決手段】2つのスナバダイオードの直列回路をフィ
ルタコンデンサに並列に接続し、両スナバダイオード同
士の結合点と整流回路の直流出力側とフィルタリアクト
ルの結合点との間にスナバコンデンサを接続する。交流
電源の極性反転でスナバコンデンサ放電後の再充電の際
に、当該スナバコンデンサと前記フィルタコンデンサと
は、一方のスナバダイオードを介して直列接続となるか
ら、スナバコンデンサ両端電圧は、交流電源電圧波高値
の2倍から直流出力電圧を減算した値に低下する。ある
いは前記2つのスナバダイオードの直列回路に更にスナ
バ抵抗を直列接続した回路を前記フィルタコンデンサに
並列に接続すれば、スナバコンデンサ放電後の再充電の
際はこのスナバ抵抗が漏れインダクタンスとの共振を減
衰させるので、スナバコンデンサ両端電圧はより一層低
下する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子を使
って交流を直流に変換する半導体整流装置のスナバ回路
に関する。
【0002】
【従来の技術】交流を直流に変換する整流回路に使用す
る半導体素子として、サイリスタやトランジスタなども
使用可能であるが、ダイオードは構造が簡単で制御回路
も不要であるから低価格の整流回路が得られる。よっ
て、ダイオードを使って整流回路を構成した場合の例を
以下で説明する。
【0003】図5は単相フルブリッジ整流回路に従来の
スナバ回路を適用した場合の従来例を示した回路図であ
る。4つの整流ダイオード2U,2V,2Xおよび2Y
をフルブリッジ接続してフルブリッジ整流回路2を構成
し、その交流入力側に交流電源1を接続し、直流出力側
に直流負荷6を接続するが、フルブリッジ整流回路2が
出力する直流電力を平滑するために、フィルタリアクト
ル4とフィルタコンデンサ5とでなるLCフィルタを、
フルブリッジ整流回路2と直流負荷6との間に設置す
る。よってフィルタコンデンサ5の両端が直流電力の出
力点となり、ここに直流負荷6が接続される。
【0004】交流電源1の極性が変化するのに対応して
フルブリッジ整流回路2を構成している整流ダイオード
2Uと2Y,または整流ダイオード2Vと2Xが交互に
導通することにより、当該フルブリッジ整流回路2は交
流電力を直流電力に変換する。一方、交流電源1とフル
ブリッジ整流回路2とを接続する配線には漏れインダク
タンス17が存在するから、交流電源1の極性反転に対
応して前記各整流ダイオードが転流する際に発生するリ
カバリー電流により、前記の漏れインダクタンス17に
蓄えられていたエネルギーがサージ電圧となって、前記
各整流ダイオード2U〜2Yを破壊する恐れがある。そ
こでフルブリッジ整流回路2の直流出力側と前記LCフ
ィルタとの間にスナバコンデンサ3で構成したスナバ回
路を接続して、漏れインダクタンス17に蓄えられた前
記エネルギーをこれに吸収させることにより前記スイッ
チングサージ電圧を緩和して、各整流ダイオードを保護
している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで図5の従来例
に図示の回路構成では、漏れインダクタンス17とスナ
バコンデンサ3との共振により、スナバコンデンサ3の
両端電圧VDCは少なくとも交流電源1の電圧波高値V1
の2倍またはこれ以上の値になる。よってフルブリッジ
整流回路2を構成する各整流ダイオードは、この高いサ
ージ電圧に耐えることができるように、高耐圧の整流ダ
イオードを使用すま必要がある。高耐圧整流ダイオード
は大形・高価であり、整流装置全体が大形化してしまう
不都合がある。
【0006】そこでこの発明の目的は、スナバ回路での
損失を増加させずに、整流回路に使用する整流用半導体
素子の耐圧を低下できるようにすることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めにこの発明の半導体整流装置のスナバ回路は、半導体
素子のフルブリッジ接続でなる整流回路に交流電源を接
続し、その直流出力側にはフィルタリアクトルとフィル
タコンデンサとでなるLCフィルタを接続している半導
体整流装置において、第1の発明は、2つのスナバダイ
オードを直列接続した回路を前記フィルタコンデンサに
並列に接続し、当該両スナバダイオード同士の結合点
と、前記整流回路の直流出力端子と前記フィルタリアク
トルの結合点との間にスナバコンデンサを接続する構成
である。交流電源の極性が反転して前記のスナバコンデ
ンサが放電した後に再充電する際に、当該スナバコンデ
ンサと前記フィルタコンデンサとは、前記両スナバダイ
オードのうちの一方を介して直列接続での充電になるの
で、本発明により設けたスナバコンデンサの両端電圧
は、前述した交流電源電圧波高値の2倍値(または2倍
以上の値)から直流出力電圧(即ちフィルタコンデンサ
電圧)を差し引いた値となる。
【0008】第2の発明は、2つのスナバダイオードと
スナバ抵抗とを直列接続した回路を前記フィルタコンデ
ンサに並列に接続し、これら両スナバダイオード同士の
結合点と、前記整流回路の直流出力端子と前記フィルタ
リアクトルの結合点との間にスナバコンデンサを接続す
る構成である。交流電源の極性が反転して前記のスナバ
コンデンサ放電後の再充電の際には、当該スナバコンデ
ンサと前記フィルタコンデンサとは、両スナバダイオー
ドの内の一方と前記スナバ抵抗とを介して直列接続での
充電になるので、このスナバ抵抗が漏れインダクタンス
との共振を減衰させるので、本発明により設けたスナバ
コンデンサの両端電圧は、前述した第1の発明の場合よ
りも更に低下する。
【0009】
【発明の実施の形態】第1の発明は、2つのスナバダイ
オードの直列回路を、フルブリッジ整流回路の直流出力
電力平滑用のLCフィルタを構成しているフィルタコン
デンサに並列に接続し、前記LCフィルタを構成してい
るフィルタリアクトルとフルブリッジ整流回路との結合
点と前記両スナバダイオード同士の結合点とを、スナバ
コンデンサを介して接続する構成のスナバ回路を設ける
ことにより、交流電源の極性が反転したときに、当該ス
ナバコンデンサは前記フィルタコンデンサと直列の状態
での充電とすることで、スナバコンデンサの両端電圧を
従来よりも低下させ、整流ダイオードの耐圧を低減させ
る。
【0010】第2の発明は、2つのスナバダイオードと
スナバ抵抗との直列回路を、フルブリッジ整流回路の直
流出力電力平滑用のLCフィルタを構成しているフィル
タコンデンサに並列に接続し、前記LCフィルタを構成
しているフィルタリアクトルとフルブリッジ整流回路と
の結合点と前記両スナバダイオード同士の結合点とを、
スナバコンデンサを介して接続する構成のスナバ回路を
設けることにより、交流電源の極性が反転したときに、
当該スナバコンデンサは前記フィルタコンデンサと直列
の状態での充電となる。このとき前記スナバ抵抗も直列
に挿入されるので漏れインダクタンスとの共振が抑制さ
れ、スナバコンデンサの両端電圧は前記第1の発明より
も更に低下し、整流ダイオードの耐圧をより一層低減で
きる。
【0011】
【実施例】図1は本発明の第1実施例を表した回路図で
あって請求項1に対応するが、図1の第1実施例回路に
図示の交流電源1,フルブリッジ整流回路2とこれを構
成する4つの整流ダイオード2U〜2Y,フィルタリア
クトル4,フィルタコンデンサ5および直流負荷6の名
称・用途・機能は、図5で既述の従来例回路の場合と同
じであるから、これらの説明は省略する。
【0012】本発明では2つのスナバダイオード11,
12とスナバコンデンサ13とでなるスナバ回路10を
フルブリッジ整流回路2とLCフィルタとの間に挿入す
るのであるが、このときスナバダイオード11とスナバ
ダイオード12とは直列に接続してフィルタコンデンサ
5に並列に接続し、スナバダイオード11とスナバダイ
オード12の結合点とフルブリッジ整流回路2とフィル
タリアクトル4の結合点との間にスナバコンデンサ13
を挿入する。
【0013】このような回路構成にすると、交流電源1
の極性が反転するべくその電圧が低下して零になると、
スナバコンデンサ13に蓄えられていた電荷は、スナバ
コンデンサ13→フィルタリアクトル4→フィルタコン
デンサ5→スナバダイオード12→スナバコンデンサ1
3の経路で放電するので、スナバコンデンサ13の電荷
は損失なしでフィルタコンデンサ5へ移される。次いで
交流電源1の極性が反転して電圧が上昇すると、交流電
源1→漏れインダクタンス17→整流ダイオード2U
(または整流ダイオード2V)→スナバコンデンサ13
→スナバダイオード11→フィルタコンデンサ5→整流
ダイオード2Y(または整流ダイオード2X)→交流電
源1の経路での充電となる。このとき漏れインダクタン
ス17とスナバコンデンサ13とフィルタコンデンサ5
との直列回路が交流電源1に接続され、直列共振回路を
形成するが、この直列共振回路への印加電圧は、交流電
源1の電圧波高値V1 から直流出力電圧,即ちスナバコ
ンデンサ3の両端電圧VDCを差し引いた値となる。よっ
て、フルブリッジ整流回路2を構成する整流ダイオード
に印加される最大電圧VMAX は下記の数式1で表され
る。但し、整流ダイオードが理想的なダイオードでない
場合は、リカバリー電流による増加分が加算されるの
で、数式1で得られる値よりも大きくなる。
【0014】
【数1】 VMAX =2・(V1 −VDC)+VDC=2・V1 −VDC 即ち、フルブリッジ整流回路2を構成する整流ダイオー
ドの最大電圧を電圧波高値V1 の2倍よりも低くするこ
とができる。図2は本発明の第2実施例を表した回路図
であって前述の第1実施例回路と同様に請求項1に対応
する。この第2実施例回路では、フィルタリアクトル4
をフルブリッジ整流回路2の負極側に接続している。こ
れに対応して、スナバ回路20を構成しているスナバダ
イオード21とスナバダイオード22の直列回路は、そ
の極性を逆にしてフィルタコンデンサ5に並列接続して
いることと、スナバコンデンサ23の一端が負極側に接
続されているのが、前述した図1の第1実施例回路とは
異なっているが、スナバ回路20の機能は図1の第1実
施例回路に図示しているスナバ回路10と同じであるか
ら、これの動作説明は省略する。
【0015】図3は本発明の第3実施例を表した回路図
であって請求項2に対応するが、図3の第3実施例回路
に図示の交流電源1,フルブリッジ整流回路2とこれを
構成する4つの整流ダイオード2U〜2Y,フィルタリ
アクトル4,フィルタコンデンサ5および直流負荷6の
名称・用途・機能は、図5で既述の従来例回路の場合と
同じであるから、これらの説明は省略する。
【0016】本発明では2つのスナバダイオード31,
32,スナバコンデンサ33およびスナバ抵抗34とで
なるスナバ回路30をフルブリッジ整流回路2とLCフ
ィルタとの間に挿入するのであるが、このときスナバダ
イオード31とスナバダイオード32とスナバ抵抗34
とは直列に接続してフィルタコンデンサ5に並列に接続
し、スナバダイオード31とスナバダイオード32の結
合点とフルブリッジ整流回路2とフィルタリアクトル4
の結合点との間にスナバコンデンサ33を挿入する。
【0017】この回路構成で交流電源1の極性が反転す
るべく電圧が零になると、スナバコンデンサ33に蓄え
られていた電荷は第1実施例回路の場合と同様に、損失
なしでフィルタコンデンサ5へ移される。次いで交流電
源1の極性が反転して電圧が上昇すると、交流電源1→
漏れインダクタンス17→整流ダイオード2U(または
整流ダイオード2V)→スナバコンデンサ33→スナバ
ダイオード31→スナバ抵抗34→フィルタコンデンサ
5→整流ダイオード2Y(または整流ダイオード2X)
→交流電源1の経路での充電となる。このとき漏れイン
ダクタンス17とスナバコンデンサ33とフィルタコン
デンサ5とで形成される直列共振回路にはスナバ抵抗3
4が挿入されるので減衰振動となる。従って、フルブリ
ッジ整流回路2を構成する整流ダイオードに印加される
最大電圧VMAX は前述した数式1で得られる値よりも更
に低下する。但し、整流ダイオードが理想的なダイオー
ドでない場合は、リカバリー電流による増加分が加算さ
れるので、スナバ抵抗34の抵抗値を適切に選定する必
要がある。
【0018】図4は本発明の第4実施例を表した回路図
であって前述の第3実施例回路と同様に請求項2に対応
する。この第4実施例回路では、フィルタリアクトル4
をフルブリッジ整流回路2の負極側に接続している。こ
れに対応して、スナバ回路40を構成しているスナバダ
イオード41とスナバダイオード42とスナバ抵抗44
との直列回路は、その極性を逆にしてフィルタコンデン
サ5に並列接続していることと、スナバコンデンサ43
の一端が負極側に接続されているのが、前述した図3の
第3実施例回路とは異なっているが、スナバ回路40の
機能は図3の第3実施例回路に図示しているスナバ回路
30と同じであるから、これの動作説明は省略する。
【0019】
【発明の効果】従来は回路の漏れインダクタンスとスナ
バコンデンサとが直列共振してスナバコンデンサの両端
電圧が高くなるので、整流回路を構成する整流ダイオー
ドの耐圧も高くしなければならなかったが、第1または
第2の発明によれば、漏れインダクタンスはスナバコン
デンサとフィルタコンデンサの直列回路との直列共振回
路になるので、スナバコンデンサの両端電圧はフィルタ
コンデンサの電圧分(即ち直流出力電圧分)だけ従来よ
りも低下できるので、整流回路を構成する整流ダイオー
ドの耐圧を低くできる。その結果、装置を小形にでき且
つ低価格にできる効果も得られる。
【0020】更に、第3または第4の発明では、漏れイ
ンダクタンスとスナバコンデンサとフィルタコンデンサ
の直列回路に、更にスナバ抵抗が直列に挿入された構成
の直列共振回路になるので、スナバ抵抗の作用で減衰振
動になることから、スナバコンデンサの両端電圧は第1
または第2の発明の場合よりも低下する。よって整流回
路を構成する整流ダイオードの耐圧をより一層低減でき
るから、装置のさらなる小形化と低価格化が実現できる
効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を表した回路図
【図2】本発明の第2実施例を表した回路図
【図3】本発明の第3実施例を表した回路図
【図4】本発明の第4実施例を表した回路図
【図5】単相フルブリッジ整流回路に従来のスナバ回路
を適用した場合の従来例を示した回路図
【符号の説明】
1 交流電源 2 フルブリッジ整流回路 2U,2V,2X,2Y 整流ダイオード 3 スナバコンデンサ 4 フィルタリアクトル 5 フィルタコンデンサ 6 直流負荷 10,20,30,40 スナバ回路 11,12,21,22 スナバダイオード 31,32,41,42 スナバダイオード 13,23,33,43 スナバコンデンサ 34,44 スナバ抵抗

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体素子のフルブリッジ接続でなる整流
    回路に交流電源を接続し、その直流出力側にはフィルタ
    リアクトルとフィルタコンデンサとでなるLCフィルタ
    を接続している半導体整流装置において、 2つのスナバダイオードを直列接続した回路を前記フィ
    ルタコンデンサに並列に接続し、当該両スナバダイオー
    ド同士の結合点と、前記整流回路の直流出力端子と前記
    フィルタリアクトルの結合点との間にスナバコンデンサ
    を接続することを特徴とする半導体整流装置のスナバ回
    路。
  2. 【請求項2】半導体素子のフルブリッジ接続でなる整流
    回路に交流電源を接続し、その直流出力側にはフィルタ
    リアクトルとフィルタコンデンサとでなるLCフィルタ
    を接続している半導体整流装置において、 2つのスナバダイオードとスナバ抵抗とを直列接続した
    回路を前記フィルタコンデンサに並列に接続し、当該両
    スナバダイオード同士の結合点と、前記整流回路の直流
    出力端子と前記フィルタリアクトルの結合点との間にス
    ナバコンデンサを接続することを特徴とする半導体整流
    装置のスナバ回路。
JP9575696A 1996-04-18 1996-04-18 半導体整流装置のスナバ回路 Withdrawn JPH09285126A (ja)

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