JPH09281517A - 透明導電膜および液晶表示装置 - Google Patents
透明導電膜および液晶表示装置Info
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- JPH09281517A JPH09281517A JP9506096A JP9506096A JPH09281517A JP H09281517 A JPH09281517 A JP H09281517A JP 9506096 A JP9506096 A JP 9506096A JP 9506096 A JP9506096 A JP 9506096A JP H09281517 A JPH09281517 A JP H09281517A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶パネル適用時の透過率向上および配線抵抗
低減。 【解決手段】ガラス基板から最近および最遠の金属膜の
厚さを他の金属膜の厚さより小とする。
低減。 【解決手段】ガラス基板から最近および最遠の金属膜の
厚さを他の金属膜の厚さより小とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の透明
電極配線に用いる透明導電膜に関する。
電極配線に用いる透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリクス駆動型の液晶表示装置
は、上下の基板上に設けられた透明導電膜からなる透明
電極配線の間に配向膜を介して液晶を挟持し、透明電極
配線から電圧を印加して液晶の向きを制御し画面を表示
している。透明電極配線にはＳｎ酸化物を添加したＩｎ
酸化物（Indium−Tin−Oxides ：以下ＩＴＯ）からなる
シート抵抗５〜２０Ω／□の透明導電膜が用いられてい
る。また、より低抵抗の透明導電膜として、銀などの金
属膜をＩＴＯ膜で挟んだ３層膜を液晶表示装置に用いた
例が報告されている。
は、上下の基板上に設けられた透明導電膜からなる透明
電極配線の間に配向膜を介して液晶を挟持し、透明電極
配線から電圧を印加して液晶の向きを制御し画面を表示
している。透明電極配線にはＳｎ酸化物を添加したＩｎ
酸化物（Indium−Tin−Oxides ：以下ＩＴＯ）からなる
シート抵抗５〜２０Ω／□の透明導電膜が用いられてい
る。また、より低抵抗の透明導電膜として、銀などの金
属膜をＩＴＯ膜で挟んだ３層膜を液晶表示装置に用いた
例が報告されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】単純マトリクス駆動型
の液晶表示装置では画面の大型化，高速応答化の要求が
高まっている。しかし、配線抵抗によるクロストークや
配線遅延が問題となる。このため透明電極配線の低抵抗
化が求められている。しかし、ＩＴＯ単膜で低抵抗化す
る場合膜を厚くする必要があり、透過率が低下する問題
があった。また従来の多層透明導電膜を液晶表示装置に
適用した場合、金属膜による反射およびパネル透過率の
減少が問題であった。さらに、従来の多層透明導電膜で
は、大型，高速応答液晶表示装置用として望まれる２Ω
／□以下のシート抵抗の膜を得るために金属膜の膜厚を
増加させると透過率が減少する問題があった。本発明の
目的は、液晶表示装置の透明電極配線に適用したときに
低反射で高いパネル透過率が得られる、大型，高速応答
液晶表示装置に要求される低抵抗な透明導電膜を得るこ
とにある。
の液晶表示装置では画面の大型化，高速応答化の要求が
高まっている。しかし、配線抵抗によるクロストークや
配線遅延が問題となる。このため透明電極配線の低抵抗
化が求められている。しかし、ＩＴＯ単膜で低抵抗化す
る場合膜を厚くする必要があり、透過率が低下する問題
があった。また従来の多層透明導電膜を液晶表示装置に
適用した場合、金属膜による反射およびパネル透過率の
減少が問題であった。さらに、従来の多層透明導電膜で
は、大型，高速応答液晶表示装置用として望まれる２Ω
／□以下のシート抵抗の膜を得るために金属膜の膜厚を
増加させると透過率が減少する問題があった。本発明の
目的は、液晶表示装置の透明電極配線に適用したときに
低反射で高いパネル透過率が得られる、大型，高速応答
液晶表示装置に要求される低抵抗な透明導電膜を得るこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】発明者は多層透明導電膜
を透明電極配線に適用した場合のパネル透過率の減少に
ついて検討した結果、従来の３層構成の多層透明導電膜
はその等価的な屈折率がほぼ１で大気の屈折率に近く、
大気と接する状態での透過率が最適化されており、高屈
折率の配向膜および液晶に接したことで反射が増加した
ことが透過率減少の原因であることを知見した。また、
金属膜厚を厚くした場合の透過率の減少について検討し
た結果、従来の３層構成の多層透明導電膜はその等価的
な屈折率が金属膜の膜厚増加とともに減少する傾向があ
り、大気および液晶との屈折率差が増加して反射が増大
したためであることを知見した。本発明は以上の知見を
もとになされたもので、ＩＴＯ膜とＡｇを主成分とする
金属膜を積層した透明導電膜において、複数の金属膜を
有し、ガラス基板から最も近い金属膜と、最も遠い金属
膜の両方またはいずれかの膜厚が積層されたその他の金
属膜の膜厚より小であること、また上記いずれかの透明
導電膜を単純マトリクス駆動型の液晶表示装置の透明電
極配線に用いることを特徴としている。
を透明電極配線に適用した場合のパネル透過率の減少に
ついて検討した結果、従来の３層構成の多層透明導電膜
はその等価的な屈折率がほぼ１で大気の屈折率に近く、
大気と接する状態での透過率が最適化されており、高屈
折率の配向膜および液晶に接したことで反射が増加した
ことが透過率減少の原因であることを知見した。また、
金属膜厚を厚くした場合の透過率の減少について検討し
た結果、従来の３層構成の多層透明導電膜はその等価的
な屈折率が金属膜の膜厚増加とともに減少する傾向があ
り、大気および液晶との屈折率差が増加して反射が増大
したためであることを知見した。本発明は以上の知見を
もとになされたもので、ＩＴＯ膜とＡｇを主成分とする
金属膜を積層した透明導電膜において、複数の金属膜を
有し、ガラス基板から最も近い金属膜と、最も遠い金属
膜の両方またはいずれかの膜厚が積層されたその他の金
属膜の膜厚より小であること、また上記いずれかの透明
導電膜を単純マトリクス駆動型の液晶表示装置の透明電
極配線に用いることを特徴としている。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、上記構成をとる理由を実施
例を用いて説明する。
例を用いて説明する。
【０００６】図１は本発明による透明導電膜の実施例で
ある。ガラス基板１上に上下により薄いＡｇ膜を有する
ＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎ
ｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎｍ）／Ａｇ
（９ｎｍ）／ＩＴＯ(４０ｎｍ)７層膜をガラス基板上に
形成した。この多層膜は等価的な屈折率がほぼ１である
ＩＴＯ（膜厚４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ
（４５ｎｍ）３層構造１１の上下に、より薄いＡｇ膜４
および５を有し、この３層膜１１と液晶およびガラス基
板の屈折率約１.５の中間の等価的な屈折率約１.２を有
するＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（４
０ｎｍ）３層構造１２および１３が積層された構成を有
する。この厚さの小なる金属膜４を含むＩＴＯ／Ａｇ／
ＩＴＯ構造１２が、３層構造１１と液晶との中間の等価
的な屈折率を持ち、液晶に接した場合の界面での反射を
抑制する役割を果たす。これにより液晶に接した時の透
過率が向上する。また同様により薄いＡｇ膜５を持つＩ
ＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造１３は、液晶とほぼ同じ屈折率
を持つガラス基板とより厚いＡｇ膜３を持つ３層構造１
１との中間の等価的な屈折率を持ち、ガラスとの界面で
の反射を抑制して透過率を向上する。また、複数枚の金
属膜を有するため、より低抵抗の膜が得られる。膜の堆
積はスパッタ法により室温で行った。Ａｇターゲットを
用いたＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｇ膜を堆積
した。またＩＴＯターゲットを用いＡｒと酸素の混合ガ
スによるＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてＩＴＯ膜
を堆積した。ＳｎＯ2 を１ｗｔ％添加したＩＴＯターゲ
ットを用い、スパッタ時の酸素分圧を３.０×１０-4Tor
r とした。ＳｎＯ2 量の少ないターゲットを用い、高い
酸素分圧でスパッタしてキャリア数を減少しＩＴＯ膜の
光吸収および屈折率低下を抑制した。さらに、膜堆積後
透過率を向上するため２５０℃で熱処理した。比較のた
めＩＴＯ（４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４
５ｎｍ）３層膜も堆積した。７層膜のシート抵抗は１.
３Ω／□ となり３層膜のシート抵抗３Ω／□に対し、
より低抵抗の膜が得られた。図２に液晶を模擬した屈折
率１.５ のオイルに接する状態で測定した７層膜および
３層膜の透過率を示す。液晶に接した状態で本発明の７
層構成の透明導電膜の透過率１５は、従来の３層構成の
透明導電膜の透過率１６に比べ改善された。
ある。ガラス基板１上に上下により薄いＡｇ膜を有する
ＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎ
ｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎｍ）／Ａｇ
（９ｎｍ）／ＩＴＯ(４０ｎｍ)７層膜をガラス基板上に
形成した。この多層膜は等価的な屈折率がほぼ１である
ＩＴＯ（膜厚４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ
（４５ｎｍ）３層構造１１の上下に、より薄いＡｇ膜４
および５を有し、この３層膜１１と液晶およびガラス基
板の屈折率約１.５の中間の等価的な屈折率約１.２を有
するＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（４
０ｎｍ）３層構造１２および１３が積層された構成を有
する。この厚さの小なる金属膜４を含むＩＴＯ／Ａｇ／
ＩＴＯ構造１２が、３層構造１１と液晶との中間の等価
的な屈折率を持ち、液晶に接した場合の界面での反射を
抑制する役割を果たす。これにより液晶に接した時の透
過率が向上する。また同様により薄いＡｇ膜５を持つＩ
ＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造１３は、液晶とほぼ同じ屈折率
を持つガラス基板とより厚いＡｇ膜３を持つ３層構造１
１との中間の等価的な屈折率を持ち、ガラスとの界面で
の反射を抑制して透過率を向上する。また、複数枚の金
属膜を有するため、より低抵抗の膜が得られる。膜の堆
積はスパッタ法により室温で行った。Ａｇターゲットを
用いたＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｇ膜を堆積
した。またＩＴＯターゲットを用いＡｒと酸素の混合ガ
スによるＤＣマグネトロンスパッタ法を用いてＩＴＯ膜
を堆積した。ＳｎＯ2 を１ｗｔ％添加したＩＴＯターゲ
ットを用い、スパッタ時の酸素分圧を３.０×１０-4Tor
r とした。ＳｎＯ2 量の少ないターゲットを用い、高い
酸素分圧でスパッタしてキャリア数を減少しＩＴＯ膜の
光吸収および屈折率低下を抑制した。さらに、膜堆積後
透過率を向上するため２５０℃で熱処理した。比較のた
めＩＴＯ（４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４
５ｎｍ）３層膜も堆積した。７層膜のシート抵抗は１.
３Ω／□ となり３層膜のシート抵抗３Ω／□に対し、
より低抵抗の膜が得られた。図２に液晶を模擬した屈折
率１.５ のオイルに接する状態で測定した７層膜および
３層膜の透過率を示す。液晶に接した状態で本発明の７
層構成の透明導電膜の透過率１５は、従来の３層構成の
透明導電膜の透過率１６に比べ改善された。
【０００７】図３は本発明による透明導電膜の例であ
る。フッ化カルシウム（１００ｎｍ）からなる低屈折率
膜３０をガラス基板１上に蒸着により形成し、その上に
ガラス基板から最も離れた金属膜の膜厚が他の金属膜の
膜厚より小であるＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ(９ｎｍ)／
ＩＴＯ(８５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＩＴＯ(４５ｎｍ)
５層膜を順次積層した。この多層膜は等価的な屈折率が
ほぼ１であるＩＴＯ（膜厚４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎ
ｍ）／ＩＴＯ（４５ｎｍ）３層構造１１の上下に、より
薄いＡｇ膜４を有し、この３層膜１１と液晶およびガラ
ス基板の屈折率約１.５の中間の等価的な屈折率約１.２
を有するＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ
(４０ｎｍ)３層構造１２および屈折率１.３ を持つフッ
化カルシウム膜３０が積層された構成を有する。この厚
さの小なる金属膜４を含むＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造１
２が、３層構造１１と液晶との中間の等価的な屈折率を
持ち、液晶に接した場合の界面での反射を抑制する役割
を果たす。これにより液晶に接した時の透過率が向上す
る。また同様に低屈折率膜３０は、液晶とほぼ同じ屈折
率を持つガラス基板とより厚いＡｇ膜３を持つ３層構造
１１との中間の等価的な屈折率を持ち、ガラスとの界面
での反射を抑制して透過率を向上する。この６層構成の
透明導電膜のシート抵抗は１.９Ω／□ となり３層膜の
シート抵抗３Ω／□に対し、より低抵抗の膜が得られ
た。図４に液晶を模擬した屈折率１.５のオイルに接す
る状態で測定した６層膜および３層膜の透過率を示す。
液晶に接した状態で本発明の６層構成の透明導電膜の透
過率３１は、従来の３層構成の透明導電膜の透過率１６
に比べ改善された。
る。フッ化カルシウム（１００ｎｍ）からなる低屈折率
膜３０をガラス基板１上に蒸着により形成し、その上に
ガラス基板から最も離れた金属膜の膜厚が他の金属膜の
膜厚より小であるＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ(９ｎｍ)／
ＩＴＯ(８５ｎｍ)／Ａｇ(１２ｎｍ)／ＩＴＯ(４５ｎｍ)
５層膜を順次積層した。この多層膜は等価的な屈折率が
ほぼ１であるＩＴＯ（膜厚４５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎ
ｍ）／ＩＴＯ（４５ｎｍ）３層構造１１の上下に、より
薄いＡｇ膜４を有し、この３層膜１１と液晶およびガラ
ス基板の屈折率約１.５の中間の等価的な屈折率約１.２
を有するＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ
(４０ｎｍ)３層構造１２および屈折率１.３ を持つフッ
化カルシウム膜３０が積層された構成を有する。この厚
さの小なる金属膜４を含むＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造１
２が、３層構造１１と液晶との中間の等価的な屈折率を
持ち、液晶に接した場合の界面での反射を抑制する役割
を果たす。これにより液晶に接した時の透過率が向上す
る。また同様に低屈折率膜３０は、液晶とほぼ同じ屈折
率を持つガラス基板とより厚いＡｇ膜３を持つ３層構造
１１との中間の等価的な屈折率を持ち、ガラスとの界面
での反射を抑制して透過率を向上する。この６層構成の
透明導電膜のシート抵抗は１.９Ω／□ となり３層膜の
シート抵抗３Ω／□に対し、より低抵抗の膜が得られ
た。図４に液晶を模擬した屈折率１.５のオイルに接す
る状態で測定した６層膜および３層膜の透過率を示す。
液晶に接した状態で本発明の６層構成の透明導電膜の透
過率３１は、従来の３層構成の透明導電膜の透過率１６
に比べ改善された。
【０００８】図５は本発明による単純マトリクス型パネ
ルの実施例である。液晶とほぼ等しい屈折率１.５ を有
する配向膜２２を隔てて液晶２３に接する上下の基板の
透明電極配線２１に、ガラス基板から最も近い金属膜と
最も遠い金属膜の膜厚がその他の金属膜の膜厚より小で
あるＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（８
５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎｍ）／Ａ
ｇ(９ｎｍ)／ＩＴＯ（４０ｎｍ）７層膜を用いた。本発
明の透明導電膜は液晶およびほぼ同じ屈折率を持つ配向
膜と接した場合の透過率が高く、また低抵抗であるた
め、透明電極配線に用いることにより、パネル透過率が
向上し、配線抵抗を低減できる。従来のＩＴＯ（４５ｎ
ｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４５ｎｍ）３層膜を
透明電極配線に用いたパネルに比べ、本発明によるパネ
ルはパネル透過率が３０％増加し、また配線抵抗の低減
によりクロストークが５０％減少した。
ルの実施例である。液晶とほぼ等しい屈折率１.５ を有
する配向膜２２を隔てて液晶２３に接する上下の基板の
透明電極配線２１に、ガラス基板から最も近い金属膜と
最も遠い金属膜の膜厚がその他の金属膜の膜厚より小で
あるＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ａｇ（９ｎｍ）／ＩＴＯ（８
５ｎｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（８５ｎｍ）／Ａ
ｇ(９ｎｍ)／ＩＴＯ（４０ｎｍ）７層膜を用いた。本発
明の透明導電膜は液晶およびほぼ同じ屈折率を持つ配向
膜と接した場合の透過率が高く、また低抵抗であるた
め、透明電極配線に用いることにより、パネル透過率が
向上し、配線抵抗を低減できる。従来のＩＴＯ（４５ｎ
ｍ）／Ａｇ（１２ｎｍ）／ＩＴＯ（４５ｎｍ）３層膜を
透明電極配線に用いたパネルに比べ、本発明によるパネ
ルはパネル透過率が３０％増加し、また配線抵抗の低減
によりクロストークが５０％減少した。
【０００９】
【発明の効果】本発明を用いることにより、極めて低抵
抗な透明導電膜配線を備えた高透過率のパネルが得ら
れ、クロストークおよび配線遅延が低減でき液晶表示装
置の大型化，高速応答化が可能となる。
抗な透明導電膜配線を備えた高透過率のパネルが得ら
れ、クロストークおよび配線遅延が低減でき液晶表示装
置の大型化，高速応答化が可能となる。
【図１】多層透明導電膜の説明図。
【図２】透明導電膜の液晶に接した状態の透過率の説明
図。
図。
【図３】多層透明導電膜の説明図。
【図４】透明導電膜の液晶に接した状態の透過率の説明
図。
図。
【図５】液晶表示装置の説明図。
１…ガラス基板、２…ＩＴＯ膜、３，４，５…Ａｇ膜、
１１，１２，１３…ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造。
１１，１２，１３…ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯ構造。
Claims (2)
- 【請求項１】Ｉｎ酸化物を主成分とする透明導電膜とＡ
ｇを主成分とする金属膜が積層された透明導電膜におい
て、複数の金属膜を有し、ガラス基板から最も近い金属
膜と最も遠い金属膜の両方またはいずれかの膜厚が積層
されたその他の金属膜の膜厚より小であることを特徴と
する透明導電膜。 - 【請求項２】上下の基板上に設けられた透明導電膜から
なる透明電極配線の間に液晶を挟持し、上下の透明電極
配線により印加される電圧により液晶を駆動する単純マ
トリクス駆動型の液晶表示装置において、透明電極配線
が請求項１の上記透明導電膜からなる液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9506096A JPH09281517A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 透明導電膜および液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9506096A JPH09281517A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 透明導電膜および液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09281517A true JPH09281517A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14127495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9506096A Pending JPH09281517A (ja) | 1996-04-17 | 1996-04-17 | 透明導電膜および液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09281517A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004139991A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Lg Electron Inc | 有機ｅｌ素子 |
| EP1548852A2 (en) | 2003-12-22 | 2005-06-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Top-emitting nitride-based light emitting device and method of manufacturing the same |
| KR100646974B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
| US9075276B2 (en) | 2011-07-22 | 2015-07-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and electronic apparatus with a pixel that transmits light with peak transmittances in the wavelength ranges of red, green, and blue |
| WO2017170767A1 (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | 日東電工株式会社 | 液晶調光部材、光透過性導電フィルム、および液晶調光素子 |
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| KR20180124872A (ko) * | 2016-04-01 | 2018-11-21 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 액정 조광 부재, 광 투과성 도전 필름, 및 액정 조광 소자 |
-
1996
- 1996-04-17 JP JP9506096A patent/JPH09281517A/ja active Pending
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| CN100411199C (zh) * | 2003-12-22 | 2008-08-13 | 三星电子株式会社 | 上发射氮化物基发光装置及其制造方法 |
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