JPH09277165A - 半導体ウエハの4軸全自動研磨装置 - Google Patents

半導体ウエハの4軸全自動研磨装置

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JPH09277165A
JPH09277165A JP11715496A JP11715496A JPH09277165A JP H09277165 A JPH09277165 A JP H09277165A JP 11715496 A JP11715496 A JP 11715496A JP 11715496 A JP11715496 A JP 11715496A JP H09277165 A JPH09277165 A JP H09277165A
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】ポリッシングマシーン、ラッピングマシーンの
全自動化を計り、二枚の半導体ウエハを同時に且つ連続
させて研磨加工をし能率化を図る。 【構成】基体と、半導体ウエハを送出移送する送出側移
送手段と、送出側移送手段で送出移送された二枚の半導
体ウエハを乗載させる研磨前仮置台と、研磨前仮置台へ
乗載させた二枚の半導体ウエハを貼着させるチャックを
備えて並設させた一対のスピンドル軸から成る第1の研
磨手段及び第2の研磨手段と、第1の研磨手段と第2の
研磨手段とを相対位置ヘ担持した回転コラムと、第1の
研磨手段及び第2の研磨手段との直下に位置するように
配設された第1の研磨テーブルと第2の研磨テーブル
と、第2の研磨テーブルで研磨加工をした二枚の半導体
ウエハを乗載させる研磨後仮置台と、研磨後仮置台から
半導体ウエハを収納移送する収納側移送手段とを備え、
研磨前仮置台と第2の研磨テーブルとは回転コラムの相
対位置へ配設し、第1の研磨テーブルと研磨後仮置台と
は回転コラムの相対位置へ配設した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハへ自動的
に超高精度の研磨加工を効率良く施すためのポリッシン
グマシーン、ラッピングマシーンの4軸の全自動研磨装
置に関するものである。
【0002】
【従来技術】本発明に係るこの種の半導体ウエハは、コ
ンピュータ等の電子関連機器、所謂OA機器等の集積回
路に使用されており、その開発は日々進歩しており機器
そのものの小型化に伴う極薄化と、歩留まりの観点から
のより超高精度の加工精度と、生産性の観点からより一
層の拡径化が要求されてきている。
【0003】一般的に半導体ウエハは、円柱状のシリコ
ン結晶体を一定の厚さにスライシングし、そのスライシ
ングした半導体ウエハを更に所望の厚さにするために研
削加工を行っている。
【0004】通常、研削加工は研削盤のスピンドル軸の
下端に取着されたカップホイールダイヤモンド砥石によ
って粗研削、仕上研削等に分けて行われているが、昨今
要求される半導体ウエハは超高精度の平坦精度と鏡面加
工であり、従来のようなカップホイールダイヤモンド砥
石で研削するだけでは、半導体ウエハに研削によるダメ
ージが残り今求められる超高精度の平坦精度、鏡面加工
を施すのは不可能と成ってきており、研削加工後に更に
研磨加工を必要としている。
【0005】
【解決しようとする課題】又、従来の全自動研磨装置
は、生産性の観点から比較的大径とした下方定盤と略同
径の上部定盤との間にキャリァ等を介して複数枚の半導
体ウエハを挟圧させて同時にラッピング加工、或いは、
ポリッシング加工の研磨加工を施しているが、昨今の極
薄化、拡径化する半導体ウエハでは加工前後の定盤への
着脱の際、或いは、加工中に破壊してしまうことが屡々
あり、又、加工後の加工精度にバラツキが有り品質の均
一化が計れない等に苦慮している実情である。
【0006】
【課題を解決する手段】本発明は上述の課題に鑑みて成
されたもので、鋭意研鑚の結果、これらの課題を解決す
るもので、基体と、半導体ウエハを送出移送する送出側
移送手段と、送出側移送手段で送出移送された二枚の半
導体ウエハを乗載させる研磨前仮置台と、研磨前仮置台
へ乗載させた二枚の半導体ウエハを貼着させるチャック
を備えて並設させた一対のスピンドル軸から成る第1の
研磨手段及び第2の研磨手段と、第1の研磨手段と第2
の研磨手段とを相対位置ヘ担持した回転コラムと、第1
の研磨手段及び第2の研磨手段との直下に位置するよう
に配設された第1の研磨テーブルと第2の研磨テーブル
と、第2の研磨テーブルで研磨加工をした二枚の半導体
ウエハを乗載させる研磨後仮置台と、研磨後仮置台から
半導体ウエハを収納移送する収納側移送手段とを備える
と共に、研磨前仮置台と第2の研磨テーブルとは回転コ
ラムの相対位置へ配設し、第1の研磨テーブルと研磨後
仮置台とは回転コラムの相対位置へ配設したものであ
る。
【0007】従って、本発明の目的は、ポリッシングマ
シーン、ラッピングマシーンの全自動化を計り、二枚の
半導体ウエハを同時に且つ連続させて研磨加工をし能率
化を図り、昨今要求される超高精度、極薄化、拡径化さ
れた半導体ウエハに充分対処できる全自動研磨装置に創
達し、これを提供する目的である。
【0008】
【作用】本発明の半導体ウエハの全自動研磨装置は、回
転コラムの相対位置に夫々一対のスピンドル軸から成る
第1の研磨手段と第2の研磨手段を担持させており、更
に、回転コラムの相対位置に研磨前仮置台と第2の研磨
テーブル、及び、第1の研磨テーブルと研磨後仮置台と
を夫々配設したため、研磨前仮置台へ乗載させた二枚の
半導体ウエハを同時に第1の研磨手段で貼着して、第1
の研磨テーブルで第1の研磨を加工することができ、続
いて、回転コラムを4/1回転回転させて第2の研磨テ
ーブルで第2の研磨を加工することができ、この時、第
1の研磨テーブルでは次の二枚の半導体ウエハが第1次
研磨加工ができ、二枚宛の半導体ウエハを同時に研磨加
工を施すことと、第1次研磨加工と第2次研磨加工とに
分けて研磨加工することによって研磨加工及び作業性の
効率化が図れ、又、夫々の半導体ウエハはチャックの下
面に貼着されているため極薄化、拡径化されていても破
壊することなく研磨加工できるものである。
【0009】
【発明の実施例】斯る目的を達成した本発明の半導体ウ
エハの全自動研磨装置を以下実施例の図面によって説明
する。
【0010】図1は本発明の4軸全自動研磨装置の実施
例の説明のための概要平面図であり、図2は本発明の4
軸全自動研磨装置の実施例の説明のための概要側面図で
ある。
【0011】本発明は、半導体ウエハWへ自動的に超高
精度の研磨加工を効率良く施すポリッシングマシーン、
ラッピングマシーンの4軸の全自動研磨装置に関するも
のであり、半導体ウエハWに研磨加工を自動的に施すた
めの研磨装置であって、基体1と、該基体1に備えた半
導体ウエハWを単品毎に送出移送する送出側移送手段2
と、該送出側移送手段2で送出移送された二枚の半導体
ウエハW.Wを同時に乗載させるスペースを有した研磨
前仮置台3と、該研磨前仮置台3へ乗載させた二枚の半
導体ウエハWを夫々貼着させるチャック4a.4a.5
a.5aを下端に備えて並設させた夫々一対のスピンド
ル軸4b.4b.5b.5bから成る第1の研磨手段4
及び第2の研磨手段5と、該第1の研磨手段4と第2の
研磨手段5とを相対位置ヘ担持し且つ回転可能に配設さ
れた回転コラム6と、前記第1の研磨手段4及び第2の
研磨手段5との夫々の直下に位置するように配設された
第1次研磨加工をするための第1の研磨テーブル7と第
2次研磨加工をするための第2の研磨テーブル8と、該
第2の研磨テーブル8で研磨加工をした加工後の二枚の
半導体ウエハWを同時に乗載させるスペースを有した研
磨後仮置台9と、該研磨後仮置台9から半導体ウエハW
を単品毎に収納移送する収納側移送手段10とを備える
と共に、前記研磨前仮置台3と前記第2の研磨テーブル
8とは回転コラム6の相対位置へ夫々配設し、前記第1
の研磨テーブル7と前記研磨後仮置台9とは回転コラム
6の相対位置へ夫々配設したものである。
【0012】即ち、本発明は、昨今要求される半導体ウ
エハWの極薄化、拡径化、超高精度の平坦精度、鏡面加
工に充分に対応できる4軸のスピンドル軸4b.5a.
5a.5bを用いた全自動のポリシングマシーン、ラッ
ピングマシーンの全自動研磨装置に関するものである。
【0013】本発明の基体1は当該研磨装置の後述する
各機構を配設するためものであり、全体的には長方形状
を呈しており、高さは作業性を考慮した適宜に設定され
るものである。
【0014】そして、送出側移送手段2は側方へ配設さ
れた駆動源のモーターと、該モーターと機械的に接続さ
れた棒螺子、歯車、ベルト等の伝導機構によって昇降自
在の送出側エレベータ機構(図示しない)と、該送出側
エレベータ機構の上面に備えた送出側カセット載置台2
aと、該送出側カセット載置台2aに載置する研磨前の
多数枚の半導体ウエハWを収納している函状の送出側カ
セット2bと、該送出側カセット2b内の水平に設けた
複数の桟体で形成した棚へ単品毎に収納されている半導
体ウエハWを単品毎に先端に吸着パットを備えたエア又
はオイル等で進退するシリンダを備えた棒状の送出側移
送アーム2c等とを含むものである。
【0015】つまり、前記送出側カセット2bに収納さ
れた半導体ウエハWは、送出側エレベータ機構の昇降
と、移送アーム2cの進退、旋回、枢動と、吸着パット
のバキューム吸着とによって吸着され、単品毎に二枚宛
研磨前仮置台3に乗載されるものである。
【0016】次に、研磨前仮置台3は送出側移送手段2
で送出移送された二枚の半導体ウエハW.Wを同時に乗
載させるスペースを有し、常時、半導体ウエハW.Wが
流出しない程度に純水等の液体の水流を絶えず噴流さ
せ、液体の水流によって半導体ウエハW.Wを夫々リフ
トすると共に研磨加工面を洗浄させているものである。
【0017】そして、第1の研磨手段4及び第2の研磨
手段5は夫々一対のスピンドル軸4b.4b.5b.5
bで成っており、夫々のスピンドル軸4b.4b.5
b.5bは下端へ半導体ウエハWを液体、又は、バキュ
ームによって貼着するチャック4a.4a.5a.5a
を設けると共に、第1の研磨手段4のスピンドル軸4
b.4b及び第2の研磨手段5のスピンドル軸5b.5
bは夫々回転自在且つ昇降自在に回転コラム6に平行し
て担持されるものである。
【0018】更に、前記回転コラム6は第1の研磨手段
4と第2の研磨手段5とを相対位置へ担持しているもの
であり、該回転コラム6は略4/1回転づつ回転、停止
を繰り返すものである。
【0019】次いで、前記回転コラム6の回転によって
旋回される第1の研磨手段4及び第2の研磨手段5との
夫々の直下に位置するように配設された粗研磨加工等の
第1次研磨加工をするための第1の研磨テーブル7と仕
上げ研磨加工等の第2次研磨加工をするための第2の研
磨テーブル8は上面へポリッシング用定盤、ラッピング
用定盤等の研磨用定盤を夫々設けており、夫々のスピン
ドル軸4b.4b.5b.5bの下端に設けられたチャ
ック4a.4a.5a.5aに貼着された夫々の半導体
ウエハW.W.W.Wをスピンドル軸4b.4b.5
b.5bの降下によって、第1の研磨テーブル7及び第
2の研磨テーブル8との間に挟着して、ポリッシング、
又は、ラッピング等の研磨加工を施すものである。
【0020】前記第1の研磨テーブル7及び第2の研磨
テーブル8は、駆動源のモーターにより回転可能に基体
1に立設しているものであり、夫々の研磨テーブル7.
8の軸心は夫々のスピンドル軸4b.4b.5b.5b
の軸心と若干ずらせており、夫々逆方向に回転させて第
1次研磨加工及び第次2研磨加工を施すものである。
【0021】そして、研磨後仮置台9は第2の研磨手段
5によって第2次研磨加工、つまり、同時に仕上げ研磨
加工された二枚の半導体ウエハW.Wを乗載させるスペ
ースを有しているものであり、常時、純水等の液体の水
流を絶えず噴流させ、液体の水流によって半導体ウエハ
W.Wをリフトすると共に洗浄させているものである。
【0022】前記研磨後仮置台9から半導体ウエハWを
単品毎に収納側カセットに収納移送する収納側移送手段
10は研磨後仮置台9から純水等の液体の流路10aを
形成して、半導体ウエハWを水流によって収納側カセッ
ト10bに収納するものでも、前述の送出側移送手段2
を逆に配設し、収納側移送アーム(図示しない)の進退
と吸着パットの吸着とによって収納側カセット10bに
収納するものでも、構わないものである。
【0023】そして、収納側カセット10bは収納側カ
セット載置台10cに載置されており、該収納側カセッ
ト載置台10cを上面に備えた収納側エレベータ機構
(図示しない)の昇降によって収納側カセット10bの
中の棚に半導体ウエハWを単品毎に収納するものであ
る。
【0024】本発明の半導体ウエハWの4軸全自動研磨
装置は研磨前仮置台3と第2の研磨テーブル8とは回転
コラム6の相対位置へ夫々配設し、第1の研磨テーブル
7と研磨後仮置台9とは回転コラム6の相対位置へ夫々
配設したものである。
【0025】次いで、本発明の半導体ウエハWの研磨加
工の行程を説明すると、先ず、半導体ウエハWは送出側
カセット2bへ複数枚収納されており、該送出側カセッ
ト2bは送出側カセット載置台2aに載置され、該送出
側カセット載置台2aと機械的に接続された送出側エレ
ベータ機構の昇降によって送出される位置を調整するも
のである。
【0026】そして、一枚目の半導体ウエハWは送出側
移送手段2の送出側移送アーム2cに備えた吸着パット
の吸着によって持ち上げられ、送出側移送アーム2cの
進退と昇降と旋回によって研磨前仮置台3の上面に移送
され、吸着パットのバキューム吸着を解除することによ
って研磨前仮置台3の上面に乗載させられるもので、続
いて、二枚目の半導体ウエハWを同様に研磨前仮置台3
の上面に乗載させるものである。
【0027】前記研磨前仮置台3は底面より純水等の液
体を絶えず噴流させており、半導体ウエハWは水流によ
ってリフトされると共に洗浄されるものである。
【0028】次に、回転コラム6に担持された一対のス
ピンドル軸4b.4bから成る第1の研磨手段4が降下
して、下端の夫々のチャック4a.4aへ研磨前仮置台
3でリフトされている二枚の半導体ウエハW.Wを貼着
して、第1の研磨手段4は上昇し、回転コラム6が水平
方向に90度回転して停止することによって、半導体ウ
エハW.Wは第1の研磨テーブル7の上方に移送される
ものである。
【0029】そして、二枚の半導体ウエハW.Wは第1
の研磨手段4を降下させることによって、一対のスピン
ドル軸4b.4bの夫々のチャック4a.4aの下面と
第1の研磨テーブル7の上面との間に挟着されて第1次
研磨加工が施されるものである。
【0030】次いで、第1次研磨加工後の二枚の半導体
ウエハW.Wは第1の研磨手段4の上昇と回転コラム6
の更に90度の回転と停止とによって、第2の研磨テー
ブル8の上方に移送され、第1の研磨手段4を降下する
ことによって、第2の研磨テーブル8の上面で第2の研
磨加工が施されるものである。
【0031】更に、第1の研磨手段4の上昇と回転コラ
ム6の更に90度の回転と停止とによって、研磨後仮置
台9の上方に移送され、第1の研磨手段4を降下させ
て、チャック4a.4aをエアを噴射させる等の手段に
より開放することによって、研磨後仮置台9へ二枚の半
導体ウエハW.Wは載置されるものである。
【0032】そして、研磨後仮置台9では純水等の液体
が絶えず噴流しており、二枚の半導体ウエハW.Wは収
納側移送手段10によって収納側カセット10bの中に
内設された複数の桟体の間に収納側エレベータ機構の昇
降により順次収納されるものである。
【0033】前述は最初の二枚の半導体ウエハW.Wに
よる説明であるが、これを連続して自動的に実施するも
ので、回転コラム6の相対位置へ第1の研磨手段4と第
2の研磨手段5を夫々担持させ、回転コラム6の相対位
置へ研磨前仮置台3と第2の研磨テーブル8及び第1の
研磨テーブル7と研磨後仮置台9とを夫々配設している
ので、研磨前仮置台3の二枚の半導体ウエハW.Wを第
1の研磨手段4へ貼着するとき、第2の研磨手段5は第
2の研磨テーブル8の上方に位置しており、他の二枚の
半導体ウエハW.Wに第2次研磨加工を施しているもの
である。
【0034】そして、回転コラム6が90度回転して第
1の研磨手段4が第1の研磨テーブル7で二枚の半導体
ウエハW.Wの第1次研磨加工を施しているとき、第2
の研磨手段5は研磨後仮置台9の上方に位置しており、
研磨後の他の二枚の半導体ウエハW.Wを研磨後仮置台
9にチャック5a.5aを開放して載置しているもので
ある。
【0035】更に、回転コラム6が90度回転して第1
の研磨手段4が第2の研磨テーブル8で二枚の半導体ウ
エハW.Wの第2次研磨加工を施しているとき、第2の
研磨手段5は研磨前仮置台3の上方に位置しており、次
の他の二枚の半導体ウエハW.Wを貼着させているもの
であり、更に、図1の仮想線で図示するように回転コラ
ム6が90度回転して第1の研磨手段4が研磨後仮置台
9の上方に位置して二枚の半導体ウエハW.Wを載置し
ているとき、第2の研磨手段5は次の他の二枚の半導体
ウエハW.Wを第1の研磨テーブル7で第1次加工を施
しているものである。
【0036】本発明は、上述の工程を全自動で且つ規則
的に繰返し、一つの送出側カセット2bに収納されてい
る全ての半導体ウエハWを順次研磨加工を施すことを可
能としたものであり、送出を終えた送出側カセット2b
は未加工の半導体ウエハWが収納された次の送出側カセ
ット2bと取り替えるものであり、収納側カセット10
bも一杯になると空の収納側カセット10bと取り替え
るものである。
【0037】
【発明の効果】本発明は前述の構成により、二枚宛の半
導体ウエハを同時に4軸のスピンドル軸で研磨加工する
ことと、第1次研磨加工と第2次研磨加工とに分けて研
磨加工することによって研磨加工及び作業性の効率化が
図れ、又、夫々の半導体ウエハはチャックの下面に貼着
されているため極薄化、拡径化されていても破壊するこ
となく研磨加工できるものであり、更に、複数枚収納さ
れた送出側カセットの半導体ウエハを送出、洗浄、第1
次研磨加工、第2次研磨加工、洗浄、収納までを全自動
で行なえるものであり、研磨加工面を超高精度に維持で
きる画期的な発明である。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の全自動研磨装置の実施例の説明
のための概要平面図である。
【図2】図2は本発明の全自動研磨装置の実施例の説明
のための概要側面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ 1 基体 2 送出側移送手段 2a 送出側カセット載置台 2b 送出側カセット 2c 送出側移送アーム 3 研磨前仮置台 4 第1の研磨手段 4a チャック 4b スピンドル軸 5 第2の研磨手段 5a チャック 5b スピンドル軸 6 回転コラム 7 第1の研磨テーブル 8 第2の研磨テーブル 9 研磨後仮置台 10 収納側移送手段 10a 水路 10b 収納側カセット 10c 収納側カセット載置台

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハに研磨加工を自動的に施すた
    めの研磨装置であって、基体と、該基体に備えた半導体
    ウエハを単品毎に送出移送する送出側移送手段と、該送
    出側移送手段で送出移送された二枚の半導体ウエハを同
    時に乗載させるスペースを有した研磨前仮置台と、該研
    磨前仮置台へ乗載させた二枚の半導体ウエハを夫々貼着
    させるチャックを下端に備えて並設させた夫々一対のス
    ピンドル軸から成る第1の研磨手段及び第2の研磨手段
    と、該第1の研磨手段と第2の研磨手段とを相対位置ヘ
    担持し且つ回転可能に配設された回転コラムと、前記第
    1の研磨手段及び第2の研磨手段との夫々の直下に位置
    するように配設された第1次研磨加工をするための第1
    の研磨テーブルと第2次研磨加工をするための第2の研
    磨テーブルと、該第2の研磨テーブルで研磨加工をした
    加工後の二枚の半導体ウエハを同時に乗載させるスペー
    スを有した研磨後仮置台と、該研磨後仮置台から半導体
    ウエハを単品毎に収納移送する収納側移送手段とを備え
    ると共に、前記研磨前仮置台と前記第2の研磨テーブル
    とは回転コラムの相対位置へ夫々配設し、前記第1の研
    磨テーブルと前記研磨後仮置台とは回転コラムの相対位
    置へ夫々配設したことを特徴とする半導体ウエハの4軸
    全自動研磨装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0916452A2 (en) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers

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EP0916452A2 (en) * 1997-11-12 1999-05-19 LAM Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers
EP0916452A3 (en) * 1997-11-12 2001-01-31 LAM Research Corporation Method and apparatus for polishing semiconductor wafers

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