JPH0927542A - 搬送容器 - Google Patents
搬送容器Info
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- JPH0927542A JPH0927542A JP17696095A JP17696095A JPH0927542A JP H0927542 A JPH0927542 A JP H0927542A JP 17696095 A JP17696095 A JP 17696095A JP 17696095 A JP17696095 A JP 17696095A JP H0927542 A JPH0927542 A JP H0927542A
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- vacuum
- vacuum chamber
- transfer container
- pump
- getter pump
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハ、液晶装置用ガラス板等の電子装
置用基板を高真空状態で保持する搬送容器を小型軽量化
することによって、搬送を容易にすると共にプロセス装
置への結合を簡便にし、取り扱い容易な搬送容器を実現
することにある。 【構成】搬送容器の真空を保持する手段として、真空チ
ャンバ1内に気体をゲッタ材に固定することにより高真
空を維持し得るゲッタポンプ5を組み込んだ構造とし
た。ゲッタポンプ5としては、例えば水素吸蔵合金が使
用でき、予めターボポンプとロータリーポンプとの組み
合わせ等により真空度を10-8Pa程度に排気してから
容器のバルブ3を閉じれば長時間にわたりウェハ2を高
真空の状態で保持することができる。
置用基板を高真空状態で保持する搬送容器を小型軽量化
することによって、搬送を容易にすると共にプロセス装
置への結合を簡便にし、取り扱い容易な搬送容器を実現
することにある。 【構成】搬送容器の真空を保持する手段として、真空チ
ャンバ1内に気体をゲッタ材に固定することにより高真
空を維持し得るゲッタポンプ5を組み込んだ構造とし
た。ゲッタポンプ5としては、例えば水素吸蔵合金が使
用でき、予めターボポンプとロータリーポンプとの組み
合わせ等により真空度を10-8Pa程度に排気してから
容器のバルブ3を閉じれば長時間にわたりウェハ2を高
真空の状態で保持することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、搬送容器に係り、特に
半導体装置や液晶表示装置等の製造プロセスにおいて、
半導体ウェハや液晶表示装置に使用されるガラス板等の
基板を外部環境に暴露させることなく高真空に保持した
状態で搬送するに好適な搬送容器に関する。
半導体装置や液晶表示装置等の製造プロセスにおいて、
半導体ウェハや液晶表示装置に使用されるガラス板等の
基板を外部環境に暴露させることなく高真空に保持した
状態で搬送するに好適な搬送容器に関する。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体の製造プロセスでは、大型
のクリーンルーム内に設置された複数の製造設備間で、
ウエハを搬送してデバイスを作製している。このような
製造プロセスではウエハは、搬送中にクリーンルーム雰
囲気に触れることになるので、ウエハの汚染や酸化を防
ぐことは出来ない。一般的には、10-6Paの真空度に
おいて1秒間で1原子層の汚染が生じるといわれてい
る。従って、大気中では瞬時に酸化や汚染が生じてしま
うが、10-8Paでは100分経過しても1原子層の酸
化に抑制することが可能である。大気中で生じる酸化や
汚染は、たかだか数原子オーダであるが、この程度の微
量であっても半導体の性能を左右する重大な外乱となる
ことがわかってきた。そこで、高真空に保持したままで
ウエハを搬送する真空搬送容器が開発されている。
のクリーンルーム内に設置された複数の製造設備間で、
ウエハを搬送してデバイスを作製している。このような
製造プロセスではウエハは、搬送中にクリーンルーム雰
囲気に触れることになるので、ウエハの汚染や酸化を防
ぐことは出来ない。一般的には、10-6Paの真空度に
おいて1秒間で1原子層の汚染が生じるといわれてい
る。従って、大気中では瞬時に酸化や汚染が生じてしま
うが、10-8Paでは100分経過しても1原子層の酸
化に抑制することが可能である。大気中で生じる酸化や
汚染は、たかだか数原子オーダであるが、この程度の微
量であっても半導体の性能を左右する重大な外乱となる
ことがわかってきた。そこで、高真空に保持したままで
ウエハを搬送する真空搬送容器が開発されている。
【0003】ウエハを搬送することを目的とした真空搬
送容器としては、例えば松井等によって電子材料199
3年、12月号、頁63〜頁67に開示されているよう
に、真空ポンプとしてイオンポンプを備えた搬送容器が
ある。
送容器としては、例えば松井等によって電子材料199
3年、12月号、頁63〜頁67に開示されているよう
に、真空ポンプとしてイオンポンプを備えた搬送容器が
ある。
【0004】この搬送容器ではイオンポンプをバッテリ
バックアップ型とし、さらに液体窒素冷却により、ウエ
ハ搬送中に一切電源供給することなしに5×10-8Pa
を約40分間保持することが出来る。これは、約40分
間1原子層の汚染なくウエハを保持出来る環境に相当す
る。
バックアップ型とし、さらに液体窒素冷却により、ウエ
ハ搬送中に一切電源供給することなしに5×10-8Pa
を約40分間保持することが出来る。これは、約40分
間1原子層の汚染なくウエハを保持出来る環境に相当す
る。
【0005】図3は、この従来の半導体基板の真空搬送
容器を示す構成図である。図示のように、真空チャンバ
31内部でウエハ32はホルダ34に保持されており、
このチャンバ内部の真空度を保つためにイオンポンプ3
5が取り付けられている。イオンポンプ35にはウエハ
搬送中も電力を供給する必要があるので、バッテリ36
とイオンポンプのコントローラ37が備え付けられてい
る。
容器を示す構成図である。図示のように、真空チャンバ
31内部でウエハ32はホルダ34に保持されており、
このチャンバ内部の真空度を保つためにイオンポンプ3
5が取り付けられている。イオンポンプ35にはウエハ
搬送中も電力を供給する必要があるので、バッテリ36
とイオンポンプのコントローラ37が備え付けられてい
る。
【0006】また、チャンバ31の一端には装置と結合
するためのバルブ33を介して不図示のプロセス装置へ
の接続部39が取り付けられている。このシステムで
は、真空チャンバ31、イオンポンプ35、バッテリ3
6とイオンポンプのコントローラ37のために重量が大
きいので、装置全体を台車38に乗せている。この台車
38は、装置との結合時に調整するために上下可動な構
造にする必要がある。このように、小さなウエハ32を
高い真空度で搬送する容器を実現するためには、従来技
術では巨大な装置になってしまうことがわかる。
するためのバルブ33を介して不図示のプロセス装置へ
の接続部39が取り付けられている。このシステムで
は、真空チャンバ31、イオンポンプ35、バッテリ3
6とイオンポンプのコントローラ37のために重量が大
きいので、装置全体を台車38に乗せている。この台車
38は、装置との結合時に調整するために上下可動な構
造にする必要がある。このように、小さなウエハ32を
高い真空度で搬送する容器を実現するためには、従来技
術では巨大な装置になってしまうことがわかる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来装置
の構成では、たかだか4インチのウエハを搬送するため
に大きな真空システムを必要とする。その主なものは高
い真空度を維持するためのポンプであった。装置が大き
いと、搬送のために特別の搬送車が必要になり、これに
よって、更に重量が増大する。重量が増大すると、ウエ
ハを搬送して他の製造装置に結合する際の労力が増し、
使い勝手が極めて悪くなる。更に、半導体ウエハの寸法
は、素子の微細化と共に増大する傾向にある。
の構成では、たかだか4インチのウエハを搬送するため
に大きな真空システムを必要とする。その主なものは高
い真空度を維持するためのポンプであった。装置が大き
いと、搬送のために特別の搬送車が必要になり、これに
よって、更に重量が増大する。重量が増大すると、ウエ
ハを搬送して他の製造装置に結合する際の労力が増し、
使い勝手が極めて悪くなる。更に、半導体ウエハの寸法
は、素子の微細化と共に増大する傾向にある。
【0008】量産現場で用いられている8インチウエ
ハ、今後適用される12インチウエハでは、更に搬送容
器は巨大化し、量産現場で使うためには、その小型化、
軽量化が必須の技術課題であった。したがって、本発明
の目的は、このような従来の問題点を解消することにあ
り、小型化、軽量化を図ると共に、取り扱い容易で維持
管理に優れた改良された搬送容器を提供することにあ
る。
ハ、今後適用される12インチウエハでは、更に搬送容
器は巨大化し、量産現場で使うためには、その小型化、
軽量化が必須の技術課題であった。したがって、本発明
の目的は、このような従来の問題点を解消することにあ
り、小型化、軽量化を図ると共に、取り扱い容易で維持
管理に優れた改良された搬送容器を提供することにあ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者等は、上
記目的を達成するために種々実験検討したところ、半導
体ウェハ等の基板を高真空状態で搬送する手段として、
ゲッタポンプを搬送容器内部に組み込んだ構造の搬送容
器としたところ、比較的単純な構成で極めて有効である
という知見を得た。
記目的を達成するために種々実験検討したところ、半導
体ウェハ等の基板を高真空状態で搬送する手段として、
ゲッタポンプを搬送容器内部に組み込んだ構造の搬送容
器としたところ、比較的単純な構成で極めて有効である
という知見を得た。
【0010】本発明は、かかる知見に基づいてなされた
ものであり、その特徴とするところは、内部に試料基板
を保持するホルダとゲッタポンプとを有し、その一端部
に試料基板出入用の開口部が配設された真空チャンバ
と、この試料基板出入用の開口部を開閉するバルブと、
バルブの外周に接続され、真空チャンバを外部装置に接
続する搬送容器フランジとを具備した搬送容器で構成さ
れるものである。
ものであり、その特徴とするところは、内部に試料基板
を保持するホルダとゲッタポンプとを有し、その一端部
に試料基板出入用の開口部が配設された真空チャンバ
と、この試料基板出入用の開口部を開閉するバルブと、
バルブの外周に接続され、真空チャンバを外部装置に接
続する搬送容器フランジとを具備した搬送容器で構成さ
れるものである。
【0011】さらに好ましくは、ゲッタポンプが配設さ
れた真空チャンバの外壁に、ゲッタポンプと熱伝達手段
で結合された熱交換器を配設し、これにより必要に応じ
てゲッタポンプを冷却したり、加熱したりすることであ
る。
れた真空チャンバの外壁に、ゲッタポンプと熱伝達手段
で結合された熱交換器を配設し、これにより必要に応じ
てゲッタポンプを冷却したり、加熱したりすることであ
る。
【0012】ゲッタポンプは、例えば水素ガスを吸蔵す
る性質を持った合金(水素吸蔵合金)の如く、ガス反応
を伴い、もしくは伴わずに金属等の固体に固定すること
によりポンプ作用を有するものである。通常、室温でも
ある程度のポンプ作用はあるが、固体材料の種類によっ
てはガスを固定する際にゲッタポンプを冷却した方がポ
ンプ能力が向上するもの、逆に加熱した方がよいものな
ど種々のものがある。
る性質を持った合金(水素吸蔵合金)の如く、ガス反応
を伴い、もしくは伴わずに金属等の固体に固定すること
によりポンプ作用を有するものである。通常、室温でも
ある程度のポンプ作用はあるが、固体材料の種類によっ
てはガスを固定する際にゲッタポンプを冷却した方がポ
ンプ能力が向上するもの、逆に加熱した方がよいものな
ど種々のものがある。
【0013】したがって、例えば水素吸蔵合金のように
水素ガスを固定する際に、発熱反応を伴うものの場合に
はポンプ効率を高めるために熱交換器にてゲッタポンプ
を冷却することが望ましい。また、ポンプ能力が飽和し
たときには逆に熱交換器にて加熱して水素ガスを放出さ
せ初期化することができる。このように熱交換器は、必
要に応じて加熱と冷却とを交互に繰り返すことができる
ものが望ましい。なお、ゲッタポンプの初期化処理は、
通常、大気圧下で行なうが、必要に応じ処理効果を高め
るために減圧下で行なってもよい。
水素ガスを固定する際に、発熱反応を伴うものの場合に
はポンプ効率を高めるために熱交換器にてゲッタポンプ
を冷却することが望ましい。また、ポンプ能力が飽和し
たときには逆に熱交換器にて加熱して水素ガスを放出さ
せ初期化することができる。このように熱交換器は、必
要に応じて加熱と冷却とを交互に繰り返すことができる
ものが望ましい。なお、ゲッタポンプの初期化処理は、
通常、大気圧下で行なうが、必要に応じ処理効果を高め
るために減圧下で行なってもよい。
【0014】搬送容器を高真空に保持する具体的な手順
については、実施例の項で詳述するが、例えばターボポ
ンプ、ロータリーポンプ等の周知の真空ポンプを用い
て、予め例えば真空度を10-6Pa以下、好ましくは1
0-8Pa程度の高真空に排気してから、容器のバルブを
閉じるだけで長時間にわたり10-6Pa以下、好ましく
は10-8Pa程度の高真空状態に容器内を維持すること
ができる。
については、実施例の項で詳述するが、例えばターボポ
ンプ、ロータリーポンプ等の周知の真空ポンプを用い
て、予め例えば真空度を10-6Pa以下、好ましくは1
0-8Pa程度の高真空に排気してから、容器のバルブを
閉じるだけで長時間にわたり10-6Pa以下、好ましく
は10-8Pa程度の高真空状態に容器内を維持すること
ができる。
【0015】なお、半導体装置等の製造プロセスにおい
て、プロセス雰囲気を高真空状態に排気した場合、排気
後の残留ガスには一般に軽元素である水素ガスが含まれ
る場合が多い。したがって、高真空状態を維持するため
にゲッタポンプを水素吸蔵合金で構成することにはそれ
なりの有効性がある。
て、プロセス雰囲気を高真空状態に排気した場合、排気
後の残留ガスには一般に軽元素である水素ガスが含まれ
る場合が多い。したがって、高真空状態を維持するため
にゲッタポンプを水素吸蔵合金で構成することにはそれ
なりの有効性がある。
【0016】
【作用】ゲッタポンプは、例えば金属中に多くの水素を
吸蔵する性質を持った合金のことで、真空中でポンプ作
用があることを利用している。これを用いれば、真空保
持中においても電源の供給が一切いらず、また、他の真
空ポンプに比べて格段に軽量小型化が実現出来る。例え
ば半導体基板用搬送容器に組み込むことによって、ウエ
ハよりわずかに大きな外形のの高真空搬送容器とするこ
とが出来るので、例えば、8インチウエハでも重さは1
0Kg以下の軽量にすることが可能であり、これによっ
て装置への結合が極めて容易になるので、量産ラインへ
の適用が出来る。
吸蔵する性質を持った合金のことで、真空中でポンプ作
用があることを利用している。これを用いれば、真空保
持中においても電源の供給が一切いらず、また、他の真
空ポンプに比べて格段に軽量小型化が実現出来る。例え
ば半導体基板用搬送容器に組み込むことによって、ウエ
ハよりわずかに大きな外形のの高真空搬送容器とするこ
とが出来るので、例えば、8インチウエハでも重さは1
0Kg以下の軽量にすることが可能であり、これによっ
て装置への結合が極めて容易になるので、量産ラインへ
の適用が出来る。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1と図2にした
がって説明する。図1は、8インチの半導体基板用に開
発した搬送容器の縦断面図である。真空チャンバ1は、
厚さ1mmのステンレス鋼製で直方体の形状である。真
空チャンバ1の側面はウエハ2が挿入できるように開放
されており、その外側に真空を保持するためのバルブ3
が設置されている。ウエハ2は、ステンレス製のホルダ
4によって支持されている。
がって説明する。図1は、8インチの半導体基板用に開
発した搬送容器の縦断面図である。真空チャンバ1は、
厚さ1mmのステンレス鋼製で直方体の形状である。真
空チャンバ1の側面はウエハ2が挿入できるように開放
されており、その外側に真空を保持するためのバルブ3
が設置されている。ウエハ2は、ステンレス製のホルダ
4によって支持されている。
【0018】バルブ3に対向する真空チャンバ内の側壁
近傍にはゲッタポンプ5が装着されており、そのポンプ
作用によって真空チャンバ内を高真空に保つ。さらにゲ
ッタポンプ5が取り付けられた真空チャンバ1の外壁部
には、ゲッタポンプ5と熱の授受を行なう熱交換器6が
不図示の熱伝達手段を介して取り付けてある。
近傍にはゲッタポンプ5が装着されており、そのポンプ
作用によって真空チャンバ内を高真空に保つ。さらにゲ
ッタポンプ5が取り付けられた真空チャンバ1の外壁部
には、ゲッタポンプ5と熱の授受を行なう熱交換器6が
不図示の熱伝達手段を介して取り付けてある。
【0019】この実施例では、搬送容器の搬送中の重量
を軽減するために熱交換器6は着脱可能な構成としてい
る。この実施例における熱交換器6の役割は、二つあ
る。一つはウエハ1の受渡し時にゲッタポンプ5を冷却
してポンプ効率を高めることである。ウエハ1の受渡し
時には、ガスが発生し圧力低下を招くため、冷却効果に
よってガス吸着量が増大する一般的な特性を利用しポン
プ効果を高めウエハ1の汚染を防ぐことを目的としてい
る。もう一つの効果は、ゲッタポンプでは一定期間使用
すると吸着効果が飽和するので熱を加えて初期化する作
業が必要になるが、これをチャンバ1から取り出さずに
行なうためである。
を軽減するために熱交換器6は着脱可能な構成としてい
る。この実施例における熱交換器6の役割は、二つあ
る。一つはウエハ1の受渡し時にゲッタポンプ5を冷却
してポンプ効率を高めることである。ウエハ1の受渡し
時には、ガスが発生し圧力低下を招くため、冷却効果に
よってガス吸着量が増大する一般的な特性を利用しポン
プ効果を高めウエハ1の汚染を防ぐことを目的としてい
る。もう一つの効果は、ゲッタポンプでは一定期間使用
すると吸着効果が飽和するので熱を加えて初期化する作
業が必要になるが、これをチャンバ1から取り出さずに
行なうためである。
【0020】ゲッタポンプ5としては、この例では水素
吸蔵合金を使用した。水素吸蔵合金としては例えばLa
−Ni、Ti−Fe、Mg−Ni、Fe0.9Ni0.1−T
i、ミッシュメタル等が知られており、これらの合金粉
末を表面積を大きくするように波板状に成形して真空チ
ャンバ内に着脱自在に保持した。なお、ペレット状に成
形したものを通気性良好な多孔性のカプセルに充填して
真空チャンバ内に着脱自在に保持するようにしてもよ
い。
吸蔵合金を使用した。水素吸蔵合金としては例えばLa
−Ni、Ti−Fe、Mg−Ni、Fe0.9Ni0.1−T
i、ミッシュメタル等が知られており、これらの合金粉
末を表面積を大きくするように波板状に成形して真空チ
ャンバ内に着脱自在に保持した。なお、ペレット状に成
形したものを通気性良好な多孔性のカプセルに充填して
真空チャンバ内に着脱自在に保持するようにしてもよ
い。
【0021】図2は、この搬送容器を例えばCVD装置
のごときプロセス装置7のロードロック室8に連結した
状態を示した断面図である。ロードロック室8にはゲー
トバルブ9が取り付けてあり、真空を封止することがで
きる。ゲートバルブ9にはさらに搬送容器連結用の連結
管10が取付けてある。この連結管10はターボポンプ
11とロータリーポンプ12によって真空排気ができる
構成になっている。
のごときプロセス装置7のロードロック室8に連結した
状態を示した断面図である。ロードロック室8にはゲー
トバルブ9が取り付けてあり、真空を封止することがで
きる。ゲートバルブ9にはさらに搬送容器連結用の連結
管10が取付けてある。この連結管10はターボポンプ
11とロータリーポンプ12によって真空排気ができる
構成になっている。
【0022】連結管10の端部のフランジ13は搬送容
器のフランジ14と市販のOリングを介して締め付けら
れ真空を保つ構成になっている。締め付け力の付加には
連結部フランジ13に市販のバネ式のクリップ15を4
個設置し、搬送容器フランジ14に設置した金具16を
牽引することによって行なった。
器のフランジ14と市販のOリングを介して締め付けら
れ真空を保つ構成になっている。締め付け力の付加には
連結部フランジ13に市販のバネ式のクリップ15を4
個設置し、搬送容器フランジ14に設置した金具16を
牽引することによって行なった。
【0023】搬送容器へのウエハ2の受渡しは次のよう
な手順で行なう。実施例で用いたプロセス装置7のロー
ドロック室8は、真空度が10-8Paに排気されてい
る。まず、連結管フランジ13に搬送容器フランジ14
を連結する。この時、搬送容器の熱交換器6に電源を供
給し、ゲッタポンプ5の冷却を開始する。
な手順で行なう。実施例で用いたプロセス装置7のロー
ドロック室8は、真空度が10-8Paに排気されてい
る。まず、連結管フランジ13に搬送容器フランジ14
を連結する。この時、搬送容器の熱交換器6に電源を供
給し、ゲッタポンプ5の冷却を開始する。
【0024】次に連結管10をターボポンプ11とロー
タリーポンプ12を用いて真空排気する。連結管10は
5分で10-8Paに到達するが、この時ゲートバルブ9
と搬送容器のバルブ3を開放し同一真空室とする。圧力
は一度10-7Paまで上昇するが、約1分で10-8Pa
に回復する。
タリーポンプ12を用いて真空排気する。連結管10は
5分で10-8Paに到達するが、この時ゲートバルブ9
と搬送容器のバルブ3を開放し同一真空室とする。圧力
は一度10-7Paまで上昇するが、約1分で10-8Pa
に回復する。
【0025】次に、ウエハ2をロードロック室8から搬
送容器にトランスファロッド17を用いて搬送し、ウエ
ハホルダ4に受け渡される。トランスファロッド17が
退避した後にゲートバルブ9とバルブ3を閉じて、連結
管10をリークする。搬送容器のフランジ14と連結管
フランジ13を分離し、搬送容器を次の不図示のプロセ
ス装置に搬送する。
送容器にトランスファロッド17を用いて搬送し、ウエ
ハホルダ4に受け渡される。トランスファロッド17が
退避した後にゲートバルブ9とバルブ3を閉じて、連結
管10をリークする。搬送容器のフランジ14と連結管
フランジ13を分離し、搬送容器を次の不図示のプロセ
ス装置に搬送する。
【0026】本実施例では上記のようにゲッタポンプと
して水素吸蔵合金を用いた。これは、10-8Pa以下の
圧力では残留ガス成分として水素が多いので、水素に対
して極めて大きなポンプ作用がある水素吸蔵合金の性質
を利用したものである。これによって、搬送中も10-8
Paを保つことができた。以上の構成によって8インチ
用の搬送容器の重量を約10Kgと、従来の1/10以
下の重さに低減することができた。
して水素吸蔵合金を用いた。これは、10-8Pa以下の
圧力では残留ガス成分として水素が多いので、水素に対
して極めて大きなポンプ作用がある水素吸蔵合金の性質
を利用したものである。これによって、搬送中も10-8
Paを保つことができた。以上の構成によって8インチ
用の搬送容器の重量を約10Kgと、従来の1/10以
下の重さに低減することができた。
【0027】本発明では、8インチウエハを1枚だけ搬
送する場合について述べたが、複数枚搬送する場合はウ
エハに一定の間隔を空けて重ねられるホルダをチャンバ
内に組み入れることによって実現できる。チャンバの材
質はステンレスを用いたが、その他Al、W、Ta、T
i等の超高真空用の材質を用いることもできる。またフ
ランジ13、14の連結法はバネ式のクリップを用いた
が、ねじを用いて締め付ける方式に置き換えることもで
きる。
送する場合について述べたが、複数枚搬送する場合はウ
エハに一定の間隔を空けて重ねられるホルダをチャンバ
内に組み入れることによって実現できる。チャンバの材
質はステンレスを用いたが、その他Al、W、Ta、T
i等の超高真空用の材質を用いることもできる。またフ
ランジ13、14の連結法はバネ式のクリップを用いた
が、ねじを用いて締め付ける方式に置き換えることもで
きる。
【0028】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、プロセス処
理基板の真空搬送容器を小型、軽量化することが出来る
ので、搬送が容易になるほか装置への結合が簡便にな
り、半導体装置等の量産現場に適用出来るようになっ
た。
の目的を達成することができた。すなわち、プロセス処
理基板の真空搬送容器を小型、軽量化することが出来る
ので、搬送が容易になるほか装置への結合が簡便にな
り、半導体装置等の量産現場に適用出来るようになっ
た。
【図1】本発明の一実施例を示す搬送容器の断面図。
【図2】同じくプロセス装置に搬送容器を接続してウェ
ハを容器内に搬送する状態を示した断面図。
ハを容器内に搬送する状態を示した断面図。
【図3】従来の搬送容器の一部断面外観図。
1…真空チャンバ、 2…ウエハ、
3…バルブ、 4…ホルダ、
5…ゲツタポンンプ、 6…熱交換
器、7…プロセス装置、 8…ロー
ドロック室、9…ゲートバルブ、
10…連結管、11…ターボポンプ、
12…ロータリーポンプ、13…連結管フランジ、
14…搬送容器フランジ、15…クリッ
プ、 16…金具、17…トラン
スファロッド、 31…真空チャンバ、32
…ウェハ、 33…バルブ、3
4…ホルダ、 35…イオンポ
ンプ、36…バッテリ、 37…
イオンポンプコントローラ、38…台車、
39…プロセス装置への接続部。
3…バルブ、 4…ホルダ、
5…ゲツタポンンプ、 6…熱交換
器、7…プロセス装置、 8…ロー
ドロック室、9…ゲートバルブ、
10…連結管、11…ターボポンプ、
12…ロータリーポンプ、13…連結管フランジ、
14…搬送容器フランジ、15…クリッ
プ、 16…金具、17…トラン
スファロッド、 31…真空チャンバ、32
…ウェハ、 33…バルブ、3
4…ホルダ、 35…イオンポ
ンプ、36…バッテリ、 37…
イオンポンプコントローラ、38…台車、
39…プロセス装置への接続部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻川 浩 広島県広島市安芸区船越南1−6−1 株 式会社日本製鋼所内 (72)発明者 瓜生 修一 広島県広島市安芸区船越南1−6−1 株 式会社日本製鋼所内
Claims (10)
- 【請求項1】少なくとも試料基板とゲッタポンプとを内
蔵した真空チャンバと、その一端に配設された試料基板
の出し入れと気密封止とを可能とするバルブとを具備し
て成る搬送容器。 - 【請求項2】内部に試料基板を保持するホルダとゲッタ
ポンプとを有し、その一端部に試料基板出入用の開口部
が配設された真空チャンバと、この試料基板出入用の開
口部を開閉するバルブと、バルブの外周を取り巻き真空
チャンバに接続された搬送容器フランジとを具備して成
る搬送容器。 - 【請求項3】ゲッタポンプを真空チャンバに着脱自在に
配設して成る請求項1もしくは2記載の搬送容器。 - 【請求項4】ゲッタポンプが配設された真空チャンバの
外壁に、ゲッタポンプと熱伝達手段で結合された熱交換
器を配設して成る請求項1乃至3何れか一つに記載の搬
送容器。 - 【請求項5】熱交換器を着脱自在に真空チャンバの外壁
に配設して成る請求項4記載の搬送容器。 - 【請求項6】ゲッタポンプを水素吸蔵合金で構成して成
る請求項1乃至5何れか一つに記載の搬送容器。 - 【請求項7】容器内の真空圧力を10-6Pa以下の高真
空状態に保持された請求項1乃至6何れか一つに記載の
搬送容器。 - 【請求項8】請求項1乃至6何れか一つに記載の搬送容
器の真空チャンバ内に試料基板を挿入、保持する工程
と、バルブを介して真空チャンバ内を所定の真空度に排
気する工程と、真空チャンバ内を排気した後、バルブを
閉じて容器内を気密封止する工程とを有して成る搬送容
器の高真空保持方法。 - 【請求項9】請求項4もしくは5に記載の搬送容器の真
空チャンバ内に試料基板を挿入、保持する工程と、バル
ブを介して真空チャンバ内を所定の真空度に排気する工
程と、真空チャンバ内を排気した後、バルブを閉じて容
器内を気密封止する工程と、熱交換器によりゲッタポン
プを冷却もしくは加熱してポンプ効率を向上させる工程
とを有して成る搬送容器の高真空保持方法。 - 【請求項10】請求項4もしくは5に記載の搬送容器の
バルブを開放して容器内を少なくとも大気圧に戻す工程
と、熱交換器によりゲッタポンプを冷却もしくは加熱し
て固定された気体を脱気してゲッタポンプを初期化する
工程とを有して成る搬送容器のゲッタポンプ再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17696095A JPH0927542A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 搬送容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17696095A JPH0927542A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 搬送容器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0927542A true JPH0927542A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=16022732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17696095A Pending JPH0927542A (ja) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 搬送容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0927542A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258077A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体収納容器体及び処理システム |
EP1589565A1 (fr) * | 2004-04-21 | 2005-10-26 | Alcatel | Dispositif pour le transport de substrats sous atmosphère controlée |
WO2008099612A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | National Institute Of Information And Communications Technology | 真空運搬システム |
US7735648B2 (en) | 2004-04-21 | 2010-06-15 | Alcatel | Transport pod with protection by the thermophoresis effect |
JP2012084812A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Canon Inc | 処理設備、保守装置、および物品の製造方法 |
JP2014075166A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
TWI447056B (zh) * | 2011-05-11 | 2014-08-01 | Nanya Technology Corp | 貯存晶圓的方法 |
US9978623B2 (en) | 2007-05-09 | 2018-05-22 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
WO2019032252A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Lam Research Corporation | TRANSPORT AND STORAGE UNDER ULTRAVIDE |
-
1995
- 1995-07-13 JP JP17696095A patent/JPH0927542A/ja active Pending
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258077A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体収納容器体及び処理システム |
US7735648B2 (en) | 2004-04-21 | 2010-06-15 | Alcatel | Transport pod with protection by the thermophoresis effect |
EP1589565A1 (fr) * | 2004-04-21 | 2005-10-26 | Alcatel | Dispositif pour le transport de substrats sous atmosphère controlée |
FR2869452A1 (fr) * | 2004-04-21 | 2005-10-28 | Alcatel Sa | Dispositif pour le transport de substrats sous atmosphere controlee |
US7694700B2 (en) | 2004-04-21 | 2010-04-13 | Alcatel | Apparatus for transporting substrates under a controlled atmosphere |
JP4831549B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2011-12-07 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 真空運搬システム |
WO2008099612A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | National Institute Of Information And Communications Technology | 真空運搬システム |
US8328526B2 (en) | 2007-02-16 | 2012-12-11 | National Institute Of Information And Communications Technology | Vacuum conveyance system |
US9978623B2 (en) | 2007-05-09 | 2018-05-22 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
US11201070B2 (en) | 2007-05-17 | 2021-12-14 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
JP2012084812A (ja) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Canon Inc | 処理設備、保守装置、および物品の製造方法 |
TWI447056B (zh) * | 2011-05-11 | 2014-08-01 | Nanya Technology Corp | 貯存晶圓的方法 |
JP2014075166A (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-24 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法及び装置 |
WO2019032252A1 (en) * | 2017-08-11 | 2019-02-14 | Lam Research Corporation | TRANSPORT AND STORAGE UNDER ULTRAVIDE |
KR20200031175A (ko) * | 2017-08-11 | 2020-03-23 | 램 리써치 코포레이션 | 초고진공 이송 및 저장 |
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