JPH0927490A

JPH0927490A - 堆積膜形成方法

Info

Publication number: JPH0927490A
Application number: JP19800095A
Authority: JP
Inventors: Nobumasa Suzuki; 伸昌鈴木
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1995-07-10
Filing date: 1995-07-10
Publication date: 1997-01-28

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、無機シランと有機シランとを用い、
無機シランによる良質膜形成と有機シランによる平坦化
膜形成とを機能分離させることにより、優れた段差被覆
性の堆積膜を形成する堆積膜形成方法を提供することを
目的とするものである。【構成】本発明は上記目的を達成するために、真空気密
可能な反応容器内に、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ以外の原子を含まな
い第一の気体と前記した原子以外の原子を含む第二の気
体とを導入し、プラズマの励起により反応させて反応中
間体を生成し、前記反応容器内に配された基体上に堆積
膜を形成する堆積膜形成方法において、前記第二の気体
として無機シランと有機シランとを用い無機シランによ
る堆積膜と有機シランによる堆積膜とを積層して堆積膜
の形成を行うことを特徴とするものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子や電子回路
等の製造に用いられる堆積膜形成方法、特に、良質かつ
良好な段差被覆性をもつ堆積膜を効率よく形成する方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子や電子回路、特に、超ＬＳＩ
の製造プロセスに於て、ＣＶＤ法は重要な位置を占めて
いる。最終保護用ＳｉＮ膜や層間絶縁用ＳｉＯ₂膜等の
堆積膜形成にはプラズマＣＶＤ法が、層間絶縁用ＳｉＯ
₂膜やＢＰＳＧ膜の形成には常圧ＣＶＤ法が、ゲート電
極やＬＯＣＯＳマスク用Ｓｉ₃Ｎ₄膜等の形成には減圧Ｃ
ＶＤ法が用いられている。素子の微細化に伴って、層間
絶縁用ＳｉＯ₂膜には、段差被覆性に優れたスピンオン
グラス（ＳＯＧ）をプラズマＣＶＤ法又は常圧ＣＶＤ法
によるＳｉＯ₂膜で挟んだ三層構造が用いられてきた
が、これらにはＳＯＧが後熱処理により収縮しクラック
が発生し易いこと、クラック発生を抑えるため数回に分
けて膜形成する必要があり工程数が多いこと、等の問題
がある。また、一工程で段差被覆性に優れたＳｉＯ₂膜
を形成できる、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）など
の有機シランとＯ₃とを原料気体として用いる常圧ＣＶ
Ｄ法が検討されている。しかしながら、常圧ＣＶＤ法で
は反応は熱エネルギーのみに因るので、特に層間絶縁膜
形成に必要な４００℃以下の低温では反応が不十分で水
酸基やエチル基などの揮発性成分が多量に混入し、クラ
ックやＡｌ配線の腐食が発生する場合がある。さらに、
有機シランを原料気体として用いるプラズマＣＶＤ法に
より、４００℃以下の低温で常圧ＣＶＤ法よりも揮発性
成分の少ないＳｉＯ₂膜が形成されている。しかしなが
ら、プラズマＣＶＤ法では有機シランが気相中で分解し
表面泳動しにくい状態で基体に付着するため段差被覆性
があまり良くないという問題がある。このため、これら
の方法の問題点を改善し、段差被覆性と膜質とを両立で
きる方法として有機シランを用いた光アシストプラズマ
ＣＶＤ法が検討されている（例えば、Ｊ．Ｊｐｎ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．１２，１９９
０，ｐｐ．Ｌ２３４１）。この方法は、Ｈ、Ｏ、Ｎ、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ
以外の原子を含まない第一の気体（層間ＳｉＯ₂膜の場
合Ｏ₂）をプラズマにより励起し、励起された第一の気
体（酸素ラジカルなど）とプラズマから隔離された空間
に供給されたＨ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｈｅ、Ｎ
ｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ以外の原子を含む第二の気
体（層間ＳｉＯ₂膜の場合有機シラン）とを反応させて
反応中間体を生成し、プラズマから隔離された空間に設
置された被覆基体上に反応中間体を付着させ、付着した
反応中間体に吸収される可視紫外光を基体表面に照射し
て不純成分や揮発性成分を脱離させて堆積膜を形成する
ものである。これによると、有機シランの気相分解が抑制され表面泳
動し易い状態で基体に付着するため段差被覆性に優れ、
かつ光表面反応による揮発性成分の脱離が促進されるた
め良質な堆積膜が形成できる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来における堆積膜形成方法では、層間絶縁膜とし
て総合的には優れた膜が形成できるが、段差被覆性のみ
を比較するとＳＯＧよりも劣り、膜質のみを比較すると
無機シランを用いた場合よりも劣るという問題を有して
いる。

【０００４】そこで、本発明は上記従来の問題を解決
し、良質かつ良好な段差被覆性をもつ堆積膜を高速に形
成することのできる堆積膜形成方法を提供するものであ
る。

【０００５】

【課題を解決する為の手段】本発明は、上記目的を達成
するために、無機シランと有機シランとを用い、無機シラ
ンによる良質膜形成と有機シランによる平坦化膜形成と
を機能分離させることにより、良質かつ良好な段差被覆
性をもつ堆積膜を高速に形成することを可能にしたもの
である。すなわち、本発明の堆積膜形成方法は、真空気
密可能な反応容器内に、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、
Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ以外の原子を含ま
ない第一の気体と前記した原子以外の原子を含む第二の
気体とを導入し、プラズマの励起により反応させて反応
中間体を生成し、前記反応容器内に配された基体上に堆
積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記第二の気
体として無機シランと有機シランとを用い無機シランに
よる堆積膜と有機シランによる堆積膜とを積層して堆積
膜の形成を行うことを特徴とするものである。前記無機
シランと有機シランは、モノシランとテトラエトキシシ
ランの組み合わせが最適である。また、前記プラズマ
は、マイクロ波プラズマを用い、またそれは、無終端環
状マルチスロット導波管を用いて発生されたものである
ことが好ましい。そして、前記反応中間体は、その反応
中間体に吸収される可視紫外光を前記基体表面に照射し
て不純成分や揮発性成分を脱離させるようにしてもよ
い。本発明における前記無機シランと有機シランとによ
る堆積膜の積層は、同一反応容器において行こなって
も、また、それぞれ別の反応容器、例えばそれを無機シ
ランによる堆積膜形成後、その上層への有機シランによ
る堆積膜の積層を無機シランとは別の反応容器で行うよ
うにしてもよい。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明は、上記のように無機シラ
ンと有機シランとを用い、無機シランによる良質膜形成
と有機シランによる平坦化膜形成とを機能分離させたも
のであるから、無機シランによる堆積膜の上層へ有機シ
ランによる堆積膜を積層することにより、下地は高品質
な無機シランにより腐食の問題を解消でき、また、上層
の段差被覆性は流動性の高い有機シラン系膜で平坦化す
ることができる。以下、これを図面に基づいて説明す
る。図において、１０１は反応室、１０２は被処理基
体、１０３は被処理基体１０２の支持体、１０４は被処
理基体１０２の加熱手段、１１１はプラズマ発生室、１
１３はプラズマ発生手段、１２１は第一の原料気体、１
２２は第二の原料気体、１２３は排気である。まず、支
持体１０３上に基体１０２を設置し、加熱手段１０４を
介して基体１０２を室温から所望の温度に加熱する。次
に、プラズマ発生領域を通して導入する第１の原料気体
１２１と基体１０２近傍に直接導入する第２の原料気体
１２２を流し、排気１２３側に設けられたコンダクタン
スバルブ（不図示）により０．０１Ｔｏｒｒから１．０
Ｔｏｒｒの所望の圧力に保持する。更に、プラズマ発生
手段１１３から電気エネルギーをプラズマ発生室１１１
に供給し、プラズマ発生手段１１３近傍に局在したプラ
ズマを発生させ、所望の膜厚が得られるまで成膜を行
う。まず第一の原料気体１２１としてＯ₂などの酸化性
ガスを、第二の原料気体１２２として無機シランを供給
し、成膜を行なう。その後、第二の原料気体１２２とし
て有機シランを供給し、成膜を行なう。下地が高品質な
無機シラン系膜と接触するので下地の腐蝕などの問題が
無く、段差被覆性は流動性の高い有機シラン系膜で平坦
化するので良好な形状を示す。本発明に用いる有機シラ
ン及び無機シランは、周辺にアルキル基などの有機官能
基を持つものと有機官能基を持たないものなら適用可能
だが、実用的には最も普及しているテトラエトキシシラ
ンとモノシランの組み合わせが最適である。本発明に用
いるプラズマ源は高密度隔離プラズマが得られるものな
ら適用可能で、１−４００ＭＨｚの高周波も使用可能だ
が、０．８−５ＧＨｚのマイクロ波を用いたものが最適
である。またプラズマを隔離し電子密度を向上させるた
めにミラー磁場、発散磁場やマルチカスプ磁場などの磁
界発生手段を用いてもよい。膜質の向上のため、基体に
付着した反応中間体に吸収される可視紫外光を気体表面
に照射して不純成分や揮発性成分を脱離させてもよい。
光源としては、被覆基体上に付着した反応中間体に吸収
される光を放射するものなら適用可能で、Ｈｇランプ、
Ｘｅランプなどが適当である。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。［実施例１］本発明の堆積膜形成方法を隔離プラズマＣ
ＶＤ法による層間ＳｉＯ₂膜形成に応用した実施例１を
図１を用いて説明する。１０１は反応室、１０２はφ
６”Ｓｉ基板、１０３は基板１０２の支持体、１０４は
基板１０２の加熱手段、１１１はプラズマ発生室、１１
２は石英管、１１３はマイクロ波無終端環状マルチスロ
ット導波管、１２１は第一の原料気体、１２２は第二の
原料気体、１２３は排気である。

【０００８】まず、支持体１０３上に０．７μｍ幅の配
線パターンが形成された基板１０２を設置し、加熱手段
１０４を用いて基板１０２を３５０℃に加熱した。次
に、プラズマ発生室１１１を通して導入する第一の原料
気体１２１としてＯ₂を５００ｓｃｃｍ、基板１０２近
傍に直接導入する第二の原料気体１２２としてモノシラ
ンを１００ｓｃｃｍ供給し、排気１２３側に設けられた
コンダクタンスバルブ（不図示）により２０ｍＴｏｒｒ
の所望の圧力に保持した。更に、無終端環状マルチスロ
ット導波管１１３からマイクロ波を１．２ｋＷプラズマ
発生室１１１に供給してプラズマを発生させ、膜厚２０
０ｎｍが得られるまで成膜を行った。次に、第一の原料
気体１２１としてＯ₂を１．０ｓｌｍ、第二の原料気体
１２２としてＴＥＯＳを２００ｓｃｃｍ供給し、圧力１
００ｍＴｏｒｒ、基板温度２００℃，マイクロ波電力
１．０ｋＷの条件で膜厚８００ｎｍが得られるまで成膜
した。その結果、良好な段差被覆性を持ち、かつ膜中不
純物による下地配線の侵食などの少ない層間絶縁膜が形
成された。

【０００９】［実施例２］本発明の堆積膜形成方法を光
アシストプラズマＣＶＤ法による層間ＳｉＯ₂膜形成に
応用した実施例２を図２を用いて説明する。２０１は反
応室、２０２はφ６”Ｓｉ基板、２０３は基板２０２の
支持体、２０４は基板２０２の加熱手段、２１１はプラ
ズマ発生室、２１２は石英管、２１３はマイクロ波無終
端環状マルチスロット導波管、２２１は第一の原料気
体、２２２は第二の原料気体、２２３は排気、２３１は
光源である高圧水銀ランプ、２３２はリフレクタ、２３
３はインテグレータ、２３４は光導入窓である。

【００１０】まず、支持体２０３上に０．７μｍ幅の配
線パターンが形成された基板２０２を設置し、加熱手段
２０４を用いて基板２０２を３５０℃に加熱するととも
に、光源２３１からの光をリフレクタ２３２で反射・焦
光しインテグレータ２３３で拡大・均一化し導入窓２３
４を透して基板２０２上に照射した。次に、プラズマ発
生室２１１を通して導入する第一の原料気体２２１とし
てＯ₂を４８０ｓｃｃｍ、基板２０２近傍に直接導入す
る第二の原料気体２２２としてモノシランを１２０ｓｃ
ｃｍ供給し、排気２２３側に設けられたコンダクタンス
バルブ（不図示）により１５ｍＴｏｒｒに保持した。更
に、無終端環状マルチスロット導波管２１３からマイク
ロ波を１．５ｋＷプラズマ発生室２１１に供給してプラ
ズマを発生させ、膜厚２４０ｎｍが得られるまで成膜を
行った。次に、第一の原料気体２２１としてＯ₂を１．
２ｓｌｍ、第二の原料気体２２２としてＴＥＯＳを２４
０ｓｃｃｍ供給し、圧力１２０ｍＴｏｒｒ、基板温度１
８０℃，マイクロ波電力１．０ｋＷの条件で膜厚８００
ｎｍが得られるまで成膜した。その結果、良好な段差被
覆性を持ち、かつ膜中不純物による下地配線の侵食など
の無い層間絶縁膜が形成された。

【００１１】［実施例３］本発明の堆積膜形成方法をク
ラスタ装置を用いた隔離プラズマＣＶＤ法による層間Ｓ
ｉＯ₂膜形成に応用した実施例３を図３を用いて説明す
る。３０１、３０１’は反応室、３０２はφ６”Ｓｉ基
板、３０３、３０３’は基板３０２の支持体、３０４、
３０４’は基板３０２の加熱手段、３１１、３１１’は
プラズマ発生室、３１２、３１２’は石英管、３１３、
３１３’はマイクロ波無終端環状マルチスロット導波
管、３２１、３２１’は第一の原料気体、３２２、３２
２’は第二の原料気体、３２３、３２３’は排気であ
る。

【００１２】まず、下層形成用反応室３０１内の支持体
３０３上に０．７μｍ幅の配線パターンが形成された基
板３０２を設置し、加熱手段３０４を用いて基板３０２
を３５０℃に加熱した。次に、プラズマ発生室３１１を
通して導入する第一の原料気体３２１としてＯ₂を４８
０ｓｃｃｍ、基板３０２近傍に直接導入する第二の原料
気体３２２としてモノシランを１２０ｓｃｃｍ供給し、
排気３２３側に設けられたコンダクタンスバルブ（不図
示）により２０ｍＴｏｒｒの所望の圧力に保持した。更
に、無終端環状マルチスロット導波管３１３からマイク
ロ波を１．２ｋＷプラズマ発生室３１１に供給してプラ
ズマを発生させ、膜厚２００ｎｍが得られるまで成膜を
行った。次に、前記下層形成用反応室３０１とは別の上
層形成用反応室３０１’の支持体３０３’上に、前記し
た下層形成用反応室３０１内で下層の形成された基板３
０２を移し、加熱手段３０４’を介して基板３０２を２
００℃に加熱した。次に、第一の原料気体３２１’とし
てＯ₂を１．０ｓｌｍ、第二の原料気体３２２’として
ＴＥＯＳを２００ｓｃｃｍ供給し、圧力１００ｍＴｏｒ
ｒに保持した。更に、無終端環状マルチスロット導波管
３１３’からマイクロ波を１．０ｋＷプラズマ発生室３
１１’に供給してプラズマを発生させ、膜厚８００ｎｍ
が得られるまで成膜した。その結果、良好な段差被覆性
を持ち、かつ膜中不純物による下地配線の侵食などの少
ない層間絶縁膜が形成された。

【００１３】［実施例４］本発明の堆積膜形成方法をク
ラスタ装置を用いた光アシストプラズマＣＶＤ法による
保護ＳｉＮ／ＳｉＯ₂膜形成に応用した実施例４を図４
を用いて説明する。４０１、４０１’、４０１”は反応
室、４０２はφ６”Ｓｉ基板、４０３、４０３’、４０
３”は基板４０２の支持体、４０４、４０４’、４０
４”は基板４０２の加熱手段、４１１、４１１’、４１
１”はプラズマ発生室、４１２、４１２’、４１２”は
石英管、４１３、４１３’、４１３”はマイクロ波無終
端環状マルチスロット導波管、４２１、４２１’、４２
１”は第一の原料気体、４２２、４２２’、４２２”は
第二の原料気体、４２３、４２３’、４２３”は排気、
４３１、４３１’、４３１”は光源である高圧水銀ラン
プ、４３２、４３２’、４３２”はリフレクタ、４３
３、４３３’、４３３”はインテグレータ、４３４、４
３４’、４３４”は光導入窓である。

【００１４】まず、下層形成用反応室４０１内の支持体
４０３上に０．７μｍ幅の配線パターンが形成された基
板４０２を設置し、加熱手段４０４を用いて基板４０２
を３５０℃に加熱した。次に、プラズマ発生室４１１を
通して導入する第一の原料気体４２１としてＯ₂を５０
０ｓｃｃｍ、基板４０２近傍に直接導入する第二の原料
気体４２２としてモノシランを１００ｓｃｃｍ供給し、
排気４２３側に設けられたコンダクタンスバルブ（不図
示）により２０ｍＴｏｒｒの所望の圧力に保持した。更
に、無終端環状マルチスロット導波管４１３からマイク
ロ波を１．０ｋＷプラズマ発生室４１１に供給してプラ
ズマを発生させ、膜厚２００ｎｍが得られるまで成膜を
行った。次に、この下層の形成された基板４０２’を、
中間層形成用反応室４０１’内の支持体４０３’上に移
し、加熱手段４０４’を介して基板４０２’を２００℃
に加熱した。次に、第一の原料気体４２１’としてＯ₂
を１．０ｓｌｍ、第二の原料気体４２２’としてＴＥＯ
Ｓを２００ｓｃｃｍ供給し、圧力１２０ｍＴｏｒｒに保
持した。更に、無終端環状マルチスロット導波管４１
３’からマイクロ波を１．０ｋＷプラズマ発生室４１
１’に供給してプラズマを発生させ、膜厚８００ｎｍが
得られるまで成膜した。更に、この中間層形成用反応室
４０１’で成膜を終えた基板４０２’を上層形成用反応
室４０１”内の支持体４０３”上に設置し、加熱手段４
０４”を介して基板４０２’を３００℃に加熱した。次
に、第一の原料気体４２１”としてＮ₂を１．２ｓｌ
ｍ、第二の原料気体４２２”としてＳｉＨ₄を１２０ｓ
ｃｃｍ供給し、圧力１０ｍＴｏｒｒに保持した。更に、
無終端環状マルチスロット導波管４１３”からマイクロ
波を１．５ｋＷプラズマ発生室４１１”に供給してプラ
ズマを発生させ、膜厚５００ｎｍが得られるまで成膜し
た。その結果、良好な段差被覆性を持ち、かつ保護性能
に優れたパッシベーション膜が形成された。

【００１５】［実施例５］本発明の堆積膜形成方法をク
ラスタ装置を用いた光アシストプラズマＣＶＤ法による
４層配線形成に応用した実施例５を図４を用いて説明す
る。４０１、４０１’、４０１”は反応室、４０２はφ
６”Ｓｉ基板、４０３、４０３’、４０３”は基板４０
２の支持体、４０４、４０４’、４０４”は基板４０２
の加熱手段、４１１、４１１’、４１１”はプラズマ発
生室、４１２、４１２’、４１２”は石英管、４１３、
４１３’、４１３”はマイクロ波無終端環状マルチスロ
ット導波管、４２１、４２１’、４２１”は第一の原料
気体、４２２、４２２’、４２２”は第二の原料気体、
４２３、４２３’、４２３”は排気、４３１、４３
１’、４３１”は光源である高圧水銀ランプ、４３２、
４３２’、４３２”はリフレクタ、４３３、４３３’、
４３３”はインテグレータ、４３４、４３４’、４３
４”は光導入窓である。

【００１６】まず、下層形成用反応室４０１内の支持体
４０３上に０．７μｍ幅の配線パターンが形成された基
板４０２を設置し、加熱手段４０４を用いて基板４０２
を３５０℃に加熱した。次に、プラズマ発生室４１１を
通して導入する第一の原料気体４２１としてＯ₂を４８
０ｓｃｃｍ、基板４０２近傍に直接導入する第二の原料
気体４２２としてモノシランを１２０ｓｃｃｍ供給し、
排気４２３側に設けられたコンダクタンスバルブ（不図
示）により２０ｍＴｏｒｒの所望の圧力に保持した。更
に、無終端環状マルチスロット導波管４１３からマイク
ロ波を１．２ｋＷプラズマ発生室４１１に供給してプラ
ズマを発生させ、膜厚２００ｎｍが得られるまで成膜を
行った。次に、上層形成用反応室４０１’内の支持体４
０３’上に前記基板４０２を移し、加熱手段４０４’を
介して基板４０２を２００℃に加熱した。次に、第一の
原料気体４２１’としてＯ₂を１．０ｓｌｍ、第二の原
料気体４２２’としてＴＥＯＳを２００ｓｃｃｍ供給
し、圧力１００ｍＴｏｒｒに保持した。更に、無終端環
状マルチスロット導波管４１３’からマイクロ波を１．
０ｋＷプラズマ発生室４１１’に供給してプラズマを発
生させ、膜厚８００ｎｍが得られるまで成膜した。その
結果、良好な段差被覆性を持ち、かつ膜中不純物による
下地配線の侵食などの無い層間絶縁膜が形成された。

【００１７】得られた層間絶縁膜にフォトリソグラフィ
ープロセスによりコンタクトホールを形成し、更に配線
パターンをスパッタリング−フォトリソグラフィーによ
り形成した。更にその上に、層間絶縁膜と配線パターン
形成を２回くり返した後、実施例４と同様な方法で最終
保護ＳｉＮ膜を形成した。その結果、段差被覆性に優れ
た、配線遅延が少なく劣化のない４層配線が得られた。

【００１８】

【発明の効果】本発明は、以上のように無機シランと有
機シランとを用い、無機シランにより良質膜を形成する
と共に、それと分離して有機シランにより平坦化膜を形
成することができるから、有機シランによる堆積膜を上
層とすることにより、高品質な無機シランによって下地
の腐食を防止し、表層を流動性の高い有機シラン系膜で
平坦化して、優れた段差被覆性をもつ堆積膜を形成する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を実施した隔離プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成を行うための装置の断面図である。

【図２】本発明を実施した光アシストプラズマＣＶＤ法
による堆積膜形成を行うための装置の断面図である。

【図３】本発明を実施した隔離プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成を行うためのクラスタ装置の断面図である。

【図４】本発明を実施した光アシストプラズマＣＶＤ法
による堆積膜形成を行うためのクラスタ装置の断面図で
ある。

【符号の説明】

１反応室２基板３支持体４加熱手段１１プラズマ発生室１２石英管１３プラズマ発生手段２１第一のガス供給手段２２第二のガス供給手段２３排気３１光源３２リフレクタ３３インテグレータ３４光導入窓

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/31 21/31 Ｃ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空気密可能な反応容器内に、Ｈ、Ｏ、
Ｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、
Ｒｎ以外の原子を含まない第一の気体と前記した原子以
外の原子を含む第二の気体とを導入し、プラズマの励起
により反応させて反応中間体を生成し、前記反応容器内
に配された基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法に
おいて、前記第二の気体として無機シランと有機シラン
とを用い無機シランによる堆積膜と有機シランによる堆
積膜とを積層して堆積膜の形成を行うことを特徴とする
堆積膜形成方法。
【請求項２】前記無機シランと有機シランは、それぞ
れモノシランとテトラエトキシシランであることを特徴
とする請求項１に記載の堆積膜形成方法。
【請求項３】前記プラズマは、マイクロ波プラズマで
あることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の堆
積膜形成方法。
【請求項４】前記マイクロ波プラズマは、無終端環状
マルチスロット導波管を用いて発生されたものであるこ
とを特徴とする請求項３に記載の堆積膜形成方法。
【請求項５】前記反応中間体は、その反応中間体に吸
収される可視紫外光を前記基体表面に照射して不純成分
や揮発性成分を脱離させるようにしたことを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の堆積膜形成
方法。
【請求項６】前記無機シランと有機シランとによる堆
積膜の積層が、同一反応容器において行われることを特
徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の堆
積膜形成方法。
【請求項７】前記堆積膜の積層において、無機シラン
による堆積膜形成後、その上層への有機シランによる堆
積膜の積層が無機シランとは別の反応容器において行わ
れることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１
項に記載の堆積膜形成方法。