JPH09270380A

JPH09270380A - Ｘ線マスクとその製造方法

Info

Publication number: JPH09270380A
Application number: JP7853796A
Authority: JP
Inventors: Sei Araki; 聖荒木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-04-01
Filing date: 1996-04-01
Publication date: 1997-10-14

Abstract

(57)【要約】【課題】高精度な格子パターンのアライメントマーク
を持つＸ線マスクを提供する。【解決手段】アライメントマークはＸ線透過膜２の表
面にエッチングにより形成された平面格子状の凹状部と
凸状部とによって構成されており、その凹状部を埋める
ようにＴａ膜からなるＸ線吸収体３が形成されている。
Ｘ線透過膜２が凸状部と凹状部によって構成され、凹状
部分が可視光反射膜により埋めこまれているため、アラ
イメントマークに照射された可視光は反射回折光を生
じ、また可視光透過膜と可視光反射膜が互いに接し、ま
た表面部が平坦化されているので、パターンが膜自身の
自重や応力分布で傾いたりすることなく、等ピッチでか
つ同一平面上に配列された高精度な格子パターンが形成
でき、位置あわせ誤差の原因とならない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程Ｘ線露光方法に用いるＸ線マスクおよびその製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置、特に大規模集積回路
（ＬＳＩ）装置の高密度化、高速化に伴って素子の微細
化が要求されており、またその製造工程のおける写真蝕
刻工程で使われる光の波長が短いほど微細な素子を形成
することができる。このため、波長が１ｎｍ程度の軟Ｘ
線（以下、Ｘ線と称する）を光源とするＸ線露光方法が
次世代の露光方法として有望視されている。

【０００３】このＸ線露光法に用いられるＸ線マスクに
は、Ｘ線が透過する際に生じる減衰をできるだけ小さく
するために軽元素物質よりなるＸ線透過薄膜を用い、該
Ｘ線を吸収する重金属よりなる半導体基板上に転写パタ
ーンを形成するためのＸ線吸収膜（以下、吸収体パター
ン）を形成するのが通常である。

【０００４】上記のＸ線露光法においてＸ線マスクと半
導体基板とを位置合わせする際の両者間のずれを検出す
る方法としては、Ｘ線マスクに形成された格子状のアラ
イメントマークと半導体基板に形成された格子状のアラ
イメントマークとに可視光（アライメント光）であるレ
ーザー光を同時に照射し、該レーザー項により生じたそ
れぞれの反射回折光を比較する方法がもっとも精度のよ
い位置合わせ方法のひとつとして採用されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、アライメントマークを構成する格子状パ
ターンの形成において、従来のＸ線マスクのアライメン
トマークは非常に薄いＸ線透過膜の平面上に可視光反射
膜が凹凸状に形成されており、可視光反射膜の自重や応
力分布により可視光反射膜がたわんだり、傾いたりし
て、高精度に等ピッチでかつ同一平面上に配列された格
子パターンを形成できず、位置あわせ誤差の原因とな
る。また、従来のＸ線マスクのアライメントマーク構造
ではそのパターン形成において生じるテーパ形状の非対
称性などのばらつきにより、やはり高精度に等ピッチで
かつ同一平面上に配列された格子パターンを形成できず
位置合わせ誤差の原因となった。

【０００６】図７（ａ）は、従来のＸ線マスクを測定面
にたいしてわずかに傾斜をつけてアライメントマーク部
の平面度を測定したものである。

【０００７】格子面高さが平坦であるならば、干渉計で
示される等高線（干渉縞）５は均一なラインとなって示
されるはずだが、可視光反射膜の傾きなどにより、平坦
性が損なわれている。この場合のアライメントマークパ
ターンの断面を見ると図７（ｂ）のように、可視光反射
膜により構成されている格子パターンが可視光反射膜の
自重や応力分布によりたわんだり傾いたりしている。こ
のため、高精度に等ピッチでかつ同一平面上に配列され
た格子パターンを形成できる、位置あわせ誤差の原因と
なっている。

【０００８】本発明は上記問題点に鑑み、その目的は高
精度な格子パターンのアライメントマークを持つＸ線マ
スクを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１〜５の発明は、Ｘ線透過膜の表面に形成
されるアライメントマークの表面を可視光反射膜と可視
光透過膜を交互に配列し、その表面が同一平面上になる
よう構成させることにより、高精度な格子パターンのア
ライメントマークを持つＸ線マスクを提供することであ
る。

【００１０】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、Ｘ線透過膜の表面部が断面凹凸状に交互に形成され
た凸状部と凹状部によって格子パターンを形成し、上記
凹状部が可視光反射膜により埋めこまれ、可視光透過膜
表面と可視光反射膜表面が平坦化することにより、高精
度な格子パターンのアライメントマークを形成するもの
である。

【００１１】また、請求項２の発明は、より安価にＸ線
マスクを提供するために、請求項１の構成に、上記可視
光反射膜はＬＳＩパターンと同じ工程で形成可能なＸ線
吸収体であるという構成を付加するものである。

【００１２】具体的に請求項３の発明が講じた解決手段
は、Ｘ線透過膜の表面に可視光透過膜からなる平面格子
状の可視光透過性格子パターンが形成され、上記可視光
透過性格子パターンの間に可視光反射膜が埋めこまれ、
可視光透過膜表面と可視光反射膜表面が平坦化すること
により、高精度な格子パターンのアライメントマークを
形成するものである。

【００１３】また、請求項４の発明は、より安価にＸ線
マスクを提供するために、請求項１の構成に、上記可視
光反射膜はＬＳＩパターンと同じ工程で形成可能なＸ線
吸収体であるという構成を付加するものである。

【００１４】また、請求項５の発明は、アライメントマ
ーク表面で回折光が生じるよう、該可視光反射膜と可視
光透過膜のコントラストが２以上になるような材料によ
りそれぞれ形成されているという構成を付加するもので
ある。

【００１５】請求項６の発明は、請求項１の発明に係わ
るＸ線マスクの製造方法であって、マスク支持体の表面
におけるアライメントマークを形成する部位にエッチン
グ処理を施すことにより、該マスク支持体の表面に平面
格子状で断面凸凹状の格子パターンを形成する工程と、
上記マスク支持体の表面にＸ線透過膜均一の厚さに形成
する工程と、該Ｘ線透過膜の表面におけるアライメント
マークを形成する部位に可視光反射膜を形成する工程
と、該Ｘ線透過膜の表面部と該可視光反射膜の表面部が
平坦になるよう平坦化処理する工程とを有する構成とす
るものである。

【００１６】請求項７の発明は、請求項３の発明に係わ
るＸ線マスクの製造方法であって、マスク支持体の表面
にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ線透過膜の表面に
少なくともアライメントマークを形成する部位に可視光
透過膜を形成する工程と、該可視光透過膜に対してエッ
チング処理を施すことにより該可視光透過膜からなる平
面格子上の可視光透過性格子パターンを形成することに
より、上記Ｘ線透過膜における上記可視光透過性パター
ンの裏側部分および該可視光透過性パターンにからなる
凸状部と上記Ｘ線透過膜における上記可視光透過性パタ
ーンが形成されていない部分からなる凹状部とによって
構成されるアライメントマークを形成する工程と、該ア
ライメントマークの表面に可視光反射膜を形成する工程
と、上記可視光透過性パターン凸状部表面と可視光反射
膜表面が平坦になるよう平坦化処理する工程とを有する
構成とするものである。

【００１７】請求項８の発明は、請求項３の発明に係わ
るＸ線マスクの製造方法であって、マスク支持体の表面
にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ線透過膜の表面に
少なくともアライメントマークを形成する部位に可視光
反射膜を形成する工程と、該可視光反射膜に対してエッ
チング処理を施すことにより該可視光反射膜からなる平
面格子上の可視光反射性格子パターンを形成することに
より、上記Ｘ線反射膜における上記可視光反射性パター
ンの裏側部分および該可視光反射性パターンからなる凸
状部と上記Ｘ線透過膜における上記可視光反射性パター
ンが形成されていない部分からなる凹状部とによって構
成されるアライメントマークを形成する工程と、該アラ
イメントマークの表面に可視光透過膜を形成する工程
と、上記可視光反射性パターン凸状部表面と可視光透過
膜表面が平坦になるよう平坦化処理する工程とを有する
構成とするものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。

【００１９】（実施の形態１）図１は本発明の実勢の形
態１にかかわるＸ線マスクの断面構造を示している。同
図において、１はＳｉ基板からなる支持体、２は支持体
１の表面に形成されたＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜、３
はＸ線透過膜２の表面に形成されたＴａ膜からなるＸ線
吸収体である。なお、露光領域の支持体１はＸ線を透過
させるために裏面部がエッチングにより除去されてい
る。

【００２０】アライメントマークはＸ線透過膜２の表面
にエッチングにより形成された平面格子状の凹状部と凸
状部とによって構成されており、その凹状部を埋めるよ
うにＴａ膜からなるＸ線吸収体３が形成されている。

【００２１】上記の構成により、Ｘ線透過膜が凸状部と
凹状部によって構成され、凹状部分が可視光反射膜によ
り埋めこまれているため、アライメントマークに照射さ
れた可視光は反射回折光を生じ、また可視光透過膜と可
視光反射膜が互いに接し、また表面部が平坦化されてい
るので、パターンが膜自身の自重や応力分布で傾いたり
することなく、等ピッチでかつ同一平面上に配列された
高精度な格子パターンが形成でき、位置あわせ誤差の原
因とならない。

【００２２】（実施の形態２）実施の形態１におけるＸ
線マスクにおいて、上記可視光反射膜はＬＳＩパターン
と同じ工程で形成可能なＸ線吸収体であるという構成を
付加するものである。

【００２３】上記の構成により、可視光反射膜をＸ線吸
収体で形成したため、可視光反射膜をＬＳＩパターンと
同じ工程で形成することが可能となり、安価にＸ線マス
クを製造することができる。

【００２４】（実施の形態３）図２は実施の形態３にか
かわるＸ線マスクの断面構造Ａを示している。Ｓｉ基板
からなる支持体１の表面にはＳｉＣ膜からなるＸ線透過
膜２が形成されている。実施の形態１と異なりＸ線透過
膜２の表面は平坦であって、該Ｘ線透過膜２の表面にＴ
ａ膜からなる平面格子状の可視光反射膜３が形成されて
いる。その可視光反射膜３の格子パターン凹状部を埋め
るようにＳｉＮ膜からなる可視光透過膜４が形成されて
いる。

【００２５】図３は実施の形態３にかかわるＸ線マスク
の断面構造Ｂを示している。Ｓｉ基板からなる支持体１
の表面にはＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜２が形成されて
いる。実施の形態１と異なりＸ線透過膜２の表面は平坦
であって、該Ｘ線透過膜２の表面にＳｉＯ２膜からなる
平面格子状の可視光透過膜４が形成されている。その可
視光透過膜４の格子パターン凹状部を埋めるようにＴａ
膜からなる可視光透過膜３が形成されている。

【００２６】上記の構成により、Ｘ線透過膜の表面に可
視光透過膜からなる平面格子状の可視光透過性パターン
が形成され、そのパターンの間に可視光反射膜が埋めこ
まれているので、アライメントマークに照射された可視
光は反射回折光を生じ、また可視光透過膜と可視光反射
膜が互いに接し、また表面部が平坦化されているので、
パターンが膜自身の自重や応力分布で傾いたりすること
なく、等ピッチでかつ同一平面上に配列された高精度な
格子パターンが形成でき、位置あわせ誤差の原因となら
ない。

【００２７】以下、図８に基づいて、上記Ｘ線マスクが
高精度な格子パターンのアライメントマークを持つこと
を説明する。図８（ａ）は、上記実勢の形態３のＸ線マ
スクを測定面にたいしてわずかに傾斜をつけてアライメ
ントマーク部の平面度を測定したものである。また図８
（ｂ）は同Ｘ線マスクのアライメントマークパターンの
断面図である。

【００２８】可視光透過膜による格子パターンの凹状部
を埋めるように、可視光反射膜が形成されているので、
自重によるたわみや傾きが、可視光透過膜と可視光反射
膜それぞれでお互いを支えあう形状となり、生じにくく
なっている。また、格子面高さを平坦にしているので、
パターン全体の膜の応力分布を平均化することができ、
局所的な応力分布が生じないよう担っている。このた
め、高精度に等ピッチでかつ同一平面上に配列された格
子パターンを形成でき、干渉計で示される等高線（干渉
縞）５はほぼ均一なラインとなって示される。

【００２９】（実施の形態４）実施の形態３の構成に、
上記可視光反射膜はＬＳＩパターンと同じ工程で形成可
能なＸ線吸収体であるという構成を付加するものであ
る。上記の構成により、可視光反射膜をＸ線吸収体で
形成したため、可視光反射膜をＬＳＩパターンと同じ工
程で形成することが可能となり、安価にＸ線マスクを製
造することができる。

【００３０】（実施の形態５）実施の形態３の構成に、
アライメントマーク表面で回折光が生じるよう、該可視
光反射膜と可視光透過膜のコントラストが２以上になる
ような材料によりそれぞれ形成されているという構成を
付加するものである。

【００３１】上記の構成により、可視光透過膜と可視光
反射膜のコントラストが２以上となるような材料により
形成したため、アライメントマークに照射された可視光
は反射回折光を生じ、かつ適当な材料から可視光反射膜
および可視光透過膜を選択することができる。

【００３２】（実施の形態６）以下、図４に基づいて上
記実施の形態１にかかわるＸ線マスクの製造方法を説明
する。

【００３３】まず図４（ａ）に示すように、裏面にエッ
チング処理が施されていないＳｉ基板からなる支持体１
の表面におけるアライメントマークが形成されるべき部
位に、従来からしられている写真蝕刻法を用いて所定の
深さだけ選択敵意エッチングして、例えば、深さ０．３
μｍ、幅２μｍ、長さ１５０μｍの凹状直線パターンを
２μｍピッチで４０本形成することにより、上記支持体
１の表面にピッチ４μｍの格子パターンを形成する。

【００３４】次の図４（ｂ）に示すように、支持体１の
表面全体にわたって、ＳｉＣ膜２μｍ厚からなるＸ線透
過膜２を形成する。このようにすると、Ｘ線透過膜２に
は、支持体１の格子パターンの凹凸部に倣って同様の格
子パターンが形成される。

【００３５】次に図４（ｃ）に示すように、Ｘ線透過膜
２の表面全体にわたって、Ｘ線吸収体であり、かつ可視
光反射膜でもある厚さ０．７μｍのＴａ膜を形成した
後、該Ｔａ膜に対して電子ビーム露光法およびドライエ
ッチング法を行うことにより、ＬＳＩパターン形成とと
もにＸ線透過膜２の凹状部にＴａ膜が残るように形成す
る。

【００３６】次に図４（ｄ）に示すように、従来から知
られている平坦化技術によりＸ線透過膜２と可視項反射
膜３が表面部で平坦になるようにする。

【００３７】最後に図４（ｅ）に示すように、従来の方
法と同様に、支持体１の裏面におけるＸ線を透過させる
露光領域をエッチングして、支持体１を枠状に形成す
る。

【００３８】上記の構成により、Ｘ線透過膜が凸状部
と凹状部によって構成され、凹状部分が可視光反射膜に
より埋めこまれているため、照射された可視光が反射回
折光を生じるアライメントマークが形成され、上記実施
の形態１のＸ線マスクを簡易に製造することができる。

【００３９】（実施の形態７）以下図５に基づいて実施
の形態３にかかわるＸ線マスクＡの製造方法について説
明する。

【００４０】まず、図５（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
からなる支持体１の表面にＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜
２を形成した後、図５（ｂ）に示すように、該Ｘ線透過
膜２の表面に膜厚０．７μｍのＳｉＮ膜からなる可視光
透過膜４を形成する。その後、写真蝕刻法を施すことに
より、図５（ｃ）に示すような可視光透過膜４からなる
可視光透過性格子パターンを形成する。

【００４１】次に図５（ｄ）に示すように、Ｘ線透過膜
２およびアライメントマーク部の表面全域にわたって膜
厚０．７μｍのＴａ膜を形成した後、該Ｔａ膜に対して
電子ビーム露光法およびドライエッチング法を行うこと
により、図５（ｅ）に示すようにＬＳＩパターン形成と
ともに可視光透過膜４の凹状部にＴａ膜が残るように形
成する。

【００４２】次に図５（ｆ）に示すように、従来から知
られている平坦化技術により可視光透過膜４と可視光反
射膜３が表面部で平坦になるようにする。

【００４３】最後に図５（ｇ）に示すように、従来の方
法と同様に、支持体１の裏面におけるＸ線を透過させる
露光領域をエッチングして、支持体１を枠状に形成す
る。

【００４４】上記の構成により、Ｘ線透過膜の表面に
可視光透過膜からなる平面格子状の可視光透過性パター
ンが形成され、そのパターンの間に可視光反射膜が埋め
こまれているので、照射された可視光が反射回折光を生
じるアライメントマークが形成される。上記実施の形態
３のＸ線マスクを簡易に製造することができる。

【００４５】（実施の形態８）以下図６に基づいて上記
第３の実施の形態にかかわるＸ線マスクＢの製造方法に
ついて説明する。

【００４６】まず、図６（ａ）に示すように、Ｓｉ基板
からなる支持体１の表面にＳｉＣ膜からなるＸ線透過膜
２を形成した後、図６（ｂ）に示すように、該Ｘ線透過
膜２の表面に膜厚０．７μｍのＴａ膜からなる可視光反
射膜３を形成する。その後、写真蝕刻法を施すことによ
り、図６（ｃ）に示すような可視光反射膜３からなる可
視光透過性格子パターンを形成する。

【００４７】次に図６（ｄ）に示すように、可視光反射
膜３およびアライメントマーク部の表面全域にわたって
膜厚０．７μｍのＳｉＮ膜による可視光透過膜４を形成
した後、該Ｔａ膜に対して電子ビーム露光法およびドラ
イエッチング法を行うことにより、図６（ｅ）に示すよ
うに可視光反射膜３の凹状部にＳｉＮ膜４が残るように
形成する。

【００４８】次に図６（ｆ）に示すように、従来から知
られている平坦化技術により可視光透過膜４と可視光反
射膜３が表面部で平坦になるようにする。

【００４９】最後に図６（ｇ）に示すように、従来の方
法と同様に、支持体１の裏面におけるＸ線を透過させる
露光領域をエッチングして、支持体１を枠状に形成す
る。

【００５０】上記の構成により、Ｘ線透過膜の表面に
可視光透過膜からなる平面格子状の可視光透過性パター
ンが形成され、そのパターンの間に可視光反射膜が埋め
こまれているので、照射された可視光が反射回折光を生
じるアライメントマークが形成される。上記実施の形態
３のＸ線マスクを簡易に製造することができる。

【００５１】なお、上記各実施の形態において、Ｘ線透
過膜２としてはＳｉＣ膜を用いているが、これに代えて
ＳｉＮ膜、ダイヤモンド薄膜などを用いていもよい。ま
たアライメントマークの可視光反射性格子パターンおよ
び金属膜として構成されているＸ線吸収体としてはＴａ
膜のかわりにＡｕ膜やＷ膜など他の金属薄膜を用いても
い。

【００５２】

【発明の効果】以上のように、請求項１の発明にかかわ
るＸ線マスクによると、Ｘ線透過膜が凸状部と凹状部
によって構成され、凹状部分が可視光反射膜により埋め
こまれているため、アライメントマークに照射された可
視光は反射回折光を生じ、また可視光透過膜と可視光反
射膜が互いに接し、また表面部が平坦化されているの
で、パターンが膜自身の自重や応力分布で傾いたりする
ことなく、等ピッチでかつ同一平面上に配列された高精
度な格子パターンが形成できる。

【００５３】請求項２の発明に係わるＸ線マスクによる
と、可視光反射膜をＸ線吸収体で形成したため、可視光
反射膜をＬＳＩパターンと同じ工程で形成することが可
能となり、安価にＸ線マスクを製造することができる。

【００５４】請求項３の発明に係わるＸ線マスクによる
と、Ｘ線透過膜の表面に可視光透過膜からなる平面格
子状の可視光透過性パターンが形成され、そのパターン
の間に可視光反射膜が埋めこまれているので、アライメ
ントマークに照射された可視光は反射回折光を生じ、ま
た可視光透過膜と可視光反射膜が互いに接し、また表面
部が平坦化されているので、パターンが膜自身の自重や
応力分布で傾いたりすることなく、等ピッチでかつ同一
平面上に配列された高精度な格子パターンが形成でき
る。

【００５５】請求項４の発明に係わるＸ線マスクによる
と、可視光反射膜をＸ線吸収体で形成したため、可視光
反射膜をＬＳＩパターンと同じ工程で形成することが可
能となり、安価にＸ線マスクを製造することができる。

【００５６】請求項５の発明に係わるＸ線マスクの製造
方法によると、可視光透過膜と可視光反射膜のコントラ
ストが２以上となるような材料により形成したため、ア
ライメントマークに照射された可視光は反射回折光を生
じ、かつ適当な材料から選択できる。

【００５７】したがって、請求項１〜５に係わるＸ線マ
スクによると、高精度な等ピッチでかつ同一平面上に配
列された高精度な格子パターンが形成できるため、位置
あわせ誤差の原因を低減できる。

【００５８】請求項６の発明に係わるＸ線マスクの製造
方法によると、Ｘ線透過膜が凸状部と凹状部によって
構成され、凹状部分が可視光反射膜により埋めこまれて
いるため、照射された可視光が反射回折光を生じるアラ
イメントマークが形成され、上記実施の形態１のＸ線マ
スクを簡易に製造することができる。

【００５９】請求項７の発明にかかわるＸ線マスクの製
造方法によると、Ｘ線透過膜の表面に可視光透過膜か
らなる平面格子状の可視光透過性パターンが形成され、
そのパターンの間に可視光反射膜が埋めこまれているの
で、照射された可視光が反射回折光を生じるアライメン
トマークが形成され、上記実施の形態３のＸ線マスクＡ
を簡易に製造することができる。

【００６０】請求項８の発明にかかわるＸ線マスクの製
造方法によると、Ｘ線透過膜の表面に可視光反射膜から
なる平面格子状の可視光反射性パターンが形成され、そ
のパターンの間に可視光透過膜が埋めこまれているの
で、照射された可視光が反射回折光を生じるアライメン
トマークが形成され、上記実施の形態３のＸ線マスクＢ
を簡易に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実勢の形態１におけるＸ線マスクの断
面構造図

【図２】本発明の実施の形態３におけるＸ線マスクＡの
断面構造図

【図３】本発明の実施の形態３におけるＸ線マスクＢの
断面構造図

【図４】本発明の実施の形態６におけるＸ線マスクの製
造方法の工程を示す断面構造図

【図５】本発明の実施の形態７におけるＸ線マスクの製
造方法の工程を示す断面構造図

【図６】本発明の実施の形態８におけるＸ線マスクの製
造方法の工程を示す断面構造図

【図７】従来のＸ線マスクの干渉計によるアライメント
マーク部での平坦度を示す図およびアライメントマーク
部の断面構造図

【図８】本発明の実施の形態３におけるＸ線マスクの干
渉計によるアライメントマーク部での平坦度を示す図お
よびアライメントマーク部の断面構造図

【符号の説明】

１支持体２Ｘ線透過膜３可視光反射膜４可視光透過膜５干渉計で示されるアライメントマーク部表面での等
高線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マスク支持体の表面に形成されたＸ線透過
膜と、該Ｘ線透過膜の表面に形成されたアライメントマ
ークを備えたＸ線マスクにおいて、上記アライメントマ
ークは上記Ｘ線透過膜の表面部が平面格子状で断面凹凸
状に交互に形成された凸状部と凹状部によって構成され
ており、上記凹状部が可視光反射膜により埋めこまれ、
Ｘ線透過膜表面と可視光反射膜表面が平坦化されている
ことを特徴とするＸ線マスク。
【請求項２】上記アライメントマークの凹状部に埋めこ
まれる可視光反射膜はＸ線吸収体であることを特徴とす
る請求項１に記載のＸ線マスク。
【請求項３】マスク支持体の表面に形成されたＸ線透過
膜と、該Ｘ線透過膜の表面に形成されたアライメントマ
ークを備えたＸ線マスクにおいて、上記Ｘ線透過膜の表
面に可視光透過膜からなる平面格子状の可視光透過性格
子パターンが形成され、上記可視光透過性格子パターン
の間に可視光反射膜が埋めこまれ、可視光透過膜表面と
可視光反射膜表面が平坦化されていることを特徴とする
Ｘ線マスク。
【請求項４】上記可視光透過性格子パターンの間に埋め
こまれる可視光反射膜はＸ線吸収体であることを特徴と
する請求項３記載のＸ線マスク。
【請求項５】上記可視光透過性格子パターンを構成する
該可視光透過膜と上記可視光反射膜のコントラストが２
以上であることを特徴とする請求項３記載のＸ線マス
ク。
【請求項６】マスク支持体の表面におけるアライメント
マークを形成する部位にエッチング処理を施すことによ
り、該マスク支持体の表面に平面格子状で断面凸凹状の
格子パターンを形成する工程と、上記マスク支持体の表
面にＸ線透過膜均一の厚さに形成する工程と、該Ｘ線透
過膜の表面におけるアライメントマークを形成する部位
に可視光反射膜を形成する工程と、該Ｘ線透過膜の表面
部と該可視光反射膜の表面部が平坦になるよう平坦化処
理する工程とを有することを特徴とするＸ線マスクの製
造方法。
【請求項７】マスク支持体の表面にＸ線透過膜を形成す
る工程と、該Ｘ線透過膜の表面に少なくともアライメン
トマークを形成する部位に可視光透過膜を形成する工程
と、該可視光透過膜に対してエッチング処理を施すこと
により該可視光透過膜からなる平面格子上の可視光透過
性格子パターンを形成することにより、上記Ｘ線透過膜
における上記可視光透過性パターンの裏側部分および該
可視光透過性パターンからなる凸状部と上記Ｘ線透過膜
における上記可視光透過性パターンが形成されていない
部分からなる凹状部とによって構成されるアライメント
マークを形成する工程と、該アライメントマークの表面
に可視光反射膜を形成する工程と、上記可視光透過性パ
ターン凸状部表面と可視光反射膜表面が平坦になるよう
平坦化処理する工程とを有することを特徴とするＸ線マ
スクの製造方法。
【請求項８】マスク支持体の表面にＸ線透過膜を形成す
る工程と、該Ｘ線透過膜の表面に少なくともアライメン
トマークを形成する部位に可視光反射膜を形成する工程
と、該可視光反射膜に対してエッチング処理を施すこと
により該可視光反射膜からなる平面格子上の可視光反射
性格子パターンを形成することにより、上記Ｘ線反射膜
における上記可視光反射性パターンの裏側部分および該
可視光反射性パターンからなる凸状部と上記Ｘ線透過膜
における上記可視光反射性パターンが形成されていない
部分からなる凹状部とによって構成されるアライメント
マークを形成する工程と、該アライメントマークの表面
に可視光透過膜を形成する工程と、上記可視光反射性パ
ターン凸状部表面と可視光透過膜表面が平坦になるよう
平坦化処理する工程とを有することを特徴とするＸ線マ
スクの製造方法。