JPH09263003A

JPH09263003A - 画像記録装置

Info

Publication number: JPH09263003A
Application number: JP8074019A
Authority: JP
Inventors: Akira Ishii; 昭石井; Koichiro Shinohara; 浩一郎篠原; Kenji Ogi; 健嗣小木
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1996-03-28
Filing date: 1996-03-28
Publication date: 1997-10-07

Abstract

(57)【要約】【課題】エッジの描画精度、及び副走査方向の線幅の
記録精度を向上させること。【解決手段】装置の解像度より高い解像度の高密度画
像情報に所定の演算処理を施して光源１、及び光源から
出射された光ビームを副走査方向に変位させる光ビーム
変位手段を制御するようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ビームを走査して
感光体を露光することにより画像記録を行う画像記録装
置に関し、特に、エッジの描画精度、及び副走査方向の
線幅の記録精度を向上させ、高精細な画像記録を行える
ようにした画像記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディジタル複写機やレーザプリンタ等、
光ビームを用いて画像記録を行う画像記録装置として、
画像情報に応じて変調された光ビームを光偏向器、例え
ば、ポリゴンミラーにより反射偏向し、感光体等の被走
査面上を走査して画像情報を記録するものが一般的に知
られている。

【０００３】ところで、このような画像記録装置では、
被走査面上における光ビームの走査線が主走査の周期で
離散化するため、線画の副走査方向へのエッジ精度が走
査線間隔単位になってしまい、斜め線のぎざつき（ジャ
ギー）の発生や、細線の再現性の低下等、副走査方向の
描画精度の低下が問題になっている。このため、印刷や
デスクトップパプリッシング分野で要求される高精度の
文字、線画画像を提供することが困難な状況になってい
る。

【０００４】一方、副走査方向の描画精度を向上させる
には、ポリゴンミラーを高速回転させて主走査を高速に
行えば実現できるが、ポリゴンミラーの高速回転には機
械的駆動に限界があり、高速、高解像の両立が困難であ
った。

【０００５】このような問題を解決する、従来の画像形
成装置として、例えば、特開平５−１６０９７５号公報
によって提案されているものがある。

【０００６】この画像形成装置は、画像情報に応じて変
調された光ビームを出射するレーザ光源と、感光体ドラ
ム上に光ビームを走査させるポリゴンミラーと、光ビー
ムの方向を変更させる音響光学変調器と、画像情報から
得られる記録画素の濃度情報と記録画素の周辺画素の濃
度情報に基づいて記録画素の記録位置を、標準記録位置
に対して左右或いは上下、又は左右及び上下に移動させ
て記録画素の露光を行うようにレーザ光源、及び音響光
学変調器を制御する制御部を備えて構成されている。

【０００７】この画像形成装置において、図１７に示す
ように、記録画素Ｐ₁の露光像を形成するとき、制御部
が画像情報から得られる周辺画素Ｐ₂の濃度情報に基づ
いて記録画素Ｐ₁を変位させる方向性を判定して、レー
ザ光源、及び音響光学変調器を制御する。これにより判
定した方向（図示では下方向）に記録画素Ｐ₁の露光位
置を微小距離だけ変位させる。このため、図１８に示す
ように、斜めの線画を形成する場合、そのジャギーを低
減することことができ、その結果、画質の向上を図るこ
とができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の画像形
成装置によると、記録画素の変位によって画像のエッジ
を描画しているため、エッジの描画精度を画素単位でし
か高めることができず、記録精度の向上に限界がある。
また、複数の主走査ラインで構成される線画を描こうと
した場合、図１７の手法によると、周辺画素から記録画
素を変位させる方向性を判定することができないため、
記録画素の露光位置の変更処理が行えず、所望の線幅の
線画を記録することができないという問題がある。例え
ば、１．５ライン分の幅の線画を記録しようとした場
合、１ラインの幅か、或いは２ラインの幅の線画の記録
に限定されることになる。

【０００９】従って、本発明の目的はエッジの描画精度
を高め、且つ、副走査方向の線幅の記録精度を向上させ
ることができる画像記録装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点に鑑
み、エッジの描画精度を高め、且つ、副走査方向の線幅
の記録精度を向上させるため、画像情報に応じて変調さ
れた光ビームを出射する光源と、光ビームを主走査方向
に走査する走査手段と、光ビームを副走査方向に変位さ
せる光ビーム変位手段と、副走査方向に移動しながら光
ビームの露光を受けて静電潜像を形成する感光体と、走
査手段による主走査方向の速度と感光体の副走査方向の
速度によって定まる標準解像度より高い高解像度の高密
度画像情報を入力して高密度画像情報に所定の演算処理
を施し、この演算処理によって得られた画像情報に基づ
いて光源に光ビームの出射を行わせ、変位手段に光ビー
ムの変位を行わせる制御手段を備えた画像記録装置を提
供するものである。

【００１１】上記制御手段は、高密度画像情報を標準解
像度の標準画像情報に対応させたとき、標準画像情報の
１画素に対応する高密度画像情報の領域の記録率に応じ
て光源を制御して出射される光ビームの発光量を増減さ
せる構成が好ましい。

【００１２】上記制御手段は、高密度画像情報として標
準画像情報の１画素に対応する領域を微画素で構成した
微画素データを入力して、副走査方向に連続する複数の
微画素の記録画素率に応じて光源を制御して光ビームの
発光量を増減させ、微画素の記録画素の副走査方向の中
心位置に応じて光ビーム変位手段を制御して光ビームの
変位量を増減させる構成が好ましい。

【００１３】上記制御手段は、高密度画像情報として標
準画像情報の各画素に対応してＮ行×Ｍ列（Ｎ、Ｍは共
に正の整数）から成る微画素を有する微画素データを入
力して、光ビームの前記主走査方向への走査において微
画素の１列からＭ列に向かい、各列の記録画素率に応じ
て光源の光ビームの発光量を調整し、各列の記録画素の
副走査方向における中心に光ビームが照射されるように
光ビーム変位手段に光ビームの副走査方向への変位を行
わせる構成が好ましい。

【００１４】上記制御手段は、標準画素の１画素に対応
する主走査方向と平行な輪郭の画像を記録する場合、光
ビームの感光体上の主走査方向への走査において微画素
の１列からＭ列に向かい光源の光ビームの発光量を一定
にし、光ビーム変位手段の光ビームの変位量を一定にす
る構成が好ましい。

【００１５】上記制御手段は、画像情報の１画素に対応
する主走査方向、及び前記副走査方向と所定の角度を有
する輪郭の画像を記録する場合、光ビームの感光体上の
主走査方向への走査において微画素の１列からＭ列に向
かい光源の光ビームの発光量を増減させ、光ビーム変位
手段の変位量を増減させる構成が好ましい。

【００１６】また、本発明は上記目的を実現するため、
画像情報に応じて変調された光ビームを出射する光源
と、光ビームを主走査方向に走査する走査手段と、光ビ
ームを副走査方向に変位させる光ビーム変位手段と、副
走査方向に移動しながら光ビームの露光を受けて静電潜
像を形成する感光体と、走査手段による主走査方向の速
度と感光体の副走査方向の速度によって定まる標準解像
度より高い高解像度の高密度画像情報を発生する画像情
報発生手段と、高密度画像情報に所定の演算処理を施し
て得られた画像情報に基づいて光源に光ビームの出射を
行わせ、変位手段に光ビームの変位を行わせる制御手段
を備えた画像記録装置を提供するものである。

【００１７】上記制御手段は、高密度画像情報を標準解
像度の画像情報に対応させたとき、標準画像情報の１画
素、或いは複数の画素に対応する高密度画像情報の領域
の記録率に応じて光源を制御して出射される光ビームの
発光量を増減させる構成が好ましい。

【００１８】上記画像情報発生手段は、上記領域を高解
像度の微画素で構成した高密度画像情報を発生し、上記
制御手段は、副走査方向に連続する複数の微画素の記録
画素率に応じて光源を制御して光ビームの発光量を増減
させ、微画素の記録画素の副走査方向の中心位置に応じ
て光ビーム変位手段を制御して光ビームの変位量を増減
させる構成が好ましい。

【００１９】上記画像情報発生手段は、標準画像情報の
各画素に対応してＮ行×Ｍ列（Ｎ、Ｍは共に正の整数）
から成る微画素を有する高密度画像情報を発生し、上記
制御手段は、光ビームの主走査方向への走査において微
画素の１列からＭ列に向かい、各列の記録画素率に応じ
て光源の光ビームの発光量を調整し、各列の記録画素の
副走査方向における中心に光ビームが照射されるように
光ビーム変位手段に光ビームの副走査方向への変位を行
わせる構成であることが好ましい。

【００２０】上記制御手段は、標準画素の１画素に対応
する主走査方向と平行な輪郭の画像を記録する場合、光
ビームの感光体上の主走査方向への走査において微画素
の１列からＭ列に向かい光源の光ビームの発光量を一定
にし、光ビーム変位手段の光ビームの変位量を一定にす
る構成であることが好ましい。

【００２１】上記制御手段は、画像情報の１画素に対応
する主走査方向、及び副走査方向と所定の角度を有する
輪郭の画像を記録する場合、光ビームの感光体上の主走
査方向への走査において微画素の１列からＭ列に向かい
光源の光ビームの発光量を増減させ、光ビーム変位手段
の変位量を増減させる構成であることが好ましい。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の画像記録装置を添
付図面を参照しながら詳細に説明する。

【００２３】図１には、本発明の第１の実施の形態にお
ける画像記録装置の構成が示されている。この画像記録
装置は、画像データに応じて変調された光ビームを出射
する半導体レーザ１と、半導体レーザ１から出射された
拡散する光ビームを平行ビームにするコリメートレンズ
２と、コリメートレンズ２を通過した平行ビームを副走
査方向に変位させる電気光学偏向器３と、平行ビームを
副走査方向に集束させるシリンドリカルレンズ４と、シ
リンドリカルレンズ４を通過した光ビームを所定の方向
へ反射する反射ミラー５と、反射ミラー５から入射した
光ビームを反射偏向するポリゴンミラー６と、ポリゴン
ミラー６によって反射偏向した偏向ビームを主走査方向
に集束させて所定の主走査ライン上を等速度で走査させ
るｆθレンズ７と、ポリゴンミラー６の偏向ビームを副
走査方向に集束させて所定の主走査ライン上に合焦させ
るシリンドリカルレンズ８と、所定の主走査ラインに露
光ラインを一致して配置されることにより光ビームの走
査によって静電潜像が形成される感光体ドラム９と、外
部のクライアント装置等からページ記述言語で記述され
た画像情報を入力して、この記録装置の解像度（本実施
の形態では４００ｄｐｉ）より高い解像度（本実施の形
態では１６００ｄｐｉ）の画像データ（以下、微画素デ
ータという）を発生し、これに基づいて半導体レーザ
１、及び電気光学偏向器３を制御する画像記録制御部１
０を備えて構成されている。

【００２４】画像記録制御部１０は、図２に示すよう
に、イーサ・ネット１２からページ記述言語（以下、Ｐ
ＤＬ：ＰａｇｅＤｉｓｃｒｉｐｔｉｏｎＬａｎｇｕ
ａｇｅという）で記述された画像情報を入力して、４０
０ｄｐｉの１画素の情報（以下、標準画像情報という）
を４行４列の１６個の微画素で構成した微画素データを
発生する画像情報処理部１１と、画像情報処理部１１か
ら微画素データを入力すると共に、標準画像情報の１画
素単位の処理クロックＰＣＬＫ、主走査の同期信号Ｌｉ
ｎｅＳｙｎｃ、及びページの同期信号ＰａｇｅＳｙ
ｎｃを入力して、微画素データの１列から４列の各列４
個の微画素の画像パターンに応じたレーザ駆動信号、レ
ーザパワー変調信号、及び変位信号を出力する画像デー
タ処理部１３と、レーザ駆動信号、及びレーザパワー変
調信号に基づいて半導体レーザ１を駆動するレーザ駆動
回路１４と、変位信号に基づいて電気光学偏向器３を駆
動する電気光学素子駆動回路１５を有している。

【００２５】図３には、電気光学偏向器３が示されてい
る。電気光学偏向器３は、グラウンド電極１６Ａ、Ｌｉ
ＮｂＯ₃やＰＬＺＴ等より成る電気光学素子１６Ｂ、及
びプリズム電極１６Ｃを貼り合わせて構成され、電気光
学素子駆動回路１５から出力される駆動信号に基づく電
圧をプリズム電極１６Ｃに印加すると、プリズム電極１
６Ｃの下側に電界が発生することにより、電界が発生し
ていない電気光学素子１６Ｂの領域との境界で屈折率差
が生じ、そこを通過する光ビームの角度が変化する。こ
のため、半導体レーザ１から出射された光ビームが副走
査方向に変位するようになっている。

【００２６】図４には、画像情報処理部１１が示されて
おり、複数のクライアント装置１７Ａ、１７Ｂや、図示
されないサーバ装置、又は図示されない他の印刷装置等
とイーサ・ネット１２を介して接続されている。イーサ
・ネット１２はクライアント装置１７Ａ、１７Ｂ、及び
他の装置のアプリケーションに応じて複数のプロトコル
で動作する。画像情報処理部１１はイーサ・ネット１２
に接続された通信制御部１８と、通信制御部１８が入力
したＰＤＬに基づいて、標準画像情報の各１画素に対応
して４×４＝１６個の微画素を有した微画素データを発
生する主制御部１９と、主制御部１９から得た微画素デ
ータを一時保存するバッファメモリ２０と、図示しない
プリンタ制御部と通信をしながら同期をとってバッファ
メモリ２０に一時保存された微画素データを画像データ
処理部１３に出力させる出力制御部２１と、これら通信
制御部１８、主制御部１９、バッファメモリ２０、及び
出力制御部２１等を制御するオペレーションシステム
や、デバイスドライバ、アプリケーションソフトウェア
等がインストールされ、且つ、バッファメモリ２０の容
量が不足した場合のデータの一時退避場所として利用さ
れる磁気ディスク装置２２を備えて構成されている。

【００２７】通信制御部１８は、イーサ・ネット１２の
ＣＳＭＡ／ＣＤ（ＣａｒｒｉｅｒＳｅｎｓｅＭｕｌｔ
ｉｐｌｅＡｃｃｅｓｓ／ＣｏｌｌｉｓｉｏｎＤｅｔ
ｅｃｔ）の通信制御を行うように構成されている。

【００２８】図５には、主制御部１９が示されている。
主制御部１９は、通信制御部１８で入力した情報の複数
のプロトコルを解析し、ＰＤＬで記述されたスキャン画
像情報やコード情報が混在する画像情報をＰＤＬコマン
ド／データ解析部２４に転送する通信プロトコル解析／
制御部２３と、転送されてきたＰＤＬ（例えば、ポスト
スクリプト：米国Ａｄｏｂｅ社商標、インタプレス：米
国Ｘｅｒｏｘ社商標等）の画像情報を解析して中間的な
コードデータに変換すると共に、そのコードデータが輪
郭や位置等の形状情報の場合には、それをイメージ展開
部２７に、また、データが文字・線画情報を含んでいる
場合には、それを文字／線画展開部２５にそれぞれ出力
すると同時に、色に関するヘッダ情報を色処理部２６に
出力するＰＤＬコマンド／データ解析部２４と、文字・
線画情報を含んでいるコードデータを展開してイメージ
展開部２７に出力する文字／線画展開部２５と、ヘッダ
情報に基づいて画像記録装置に依存した色情報や階調情
報を生成する色処理部２６と、ＰＤＬコマンド／データ
解析部２４で解析されたコードデータと、画像記録装置
の解像度や特性に基づき、拡大・縮小、圧縮・伸張、フ
ィルタリング、回転・鏡像、色処理等の処理を施し、バ
ッファメモリ２０の各色の領域に随時書き込むイメージ
展開部２７を有して構成されている。

【００２９】図６は、バッファメモリ２０から出力され
る微画素データを示し、記録装置の解像度の標準画像情
報の各画素（Ｍ、Ｎ）、（Ｍ＋１、Ｎ）、（Ｍ＋２、
Ｎ）・・・（Ｍ＋２、Ｎ＋２）に対応する４×４＝１６
の微画素Ｄ１５、Ｄ１４、・・Ｄ０より構成されてい
る。これらの微画素Ｄ１５、Ｄ１４、・・Ｄ０はＡ列
（Ｄ１５〜Ｄ１２）、Ｂ列（Ｄ１１〜Ｄ８）、Ｃ列（Ｄ
７〜Ｄ４）、及びＤ列（Ｄ３〜Ｄ０）の４列に分けら
れ、各列は画像パターンに基づいて０_H〜Ｆ_H（１６進
数）の階調で定義される。例えば、（Ｍ＋１、Ｎ）の画
素について説明すると、Ａ列は０００１＝１_Hの階調を
有し、Ｂ列及びＣ列は０１１１＝７_Hの階調を有し、Ｄ
列は０００１＝１_Hの階調を有する。

【００３０】図７には、画像データ処理部１３が示され
ている。画像データ処理部１３は、標準画像情報の１画
素単位の処理クロックＰＣＬＫ、主走査の同期信号Ｌｉ
ｎｅＳｙｎｃ、及びページの同期信号ＰａｇｅＳｙｎ
ｃを入力し、リード／ライトクロックＲＣＫ、ＷＣＫ、
リード／ライトリセット信号ＲＳＴＲ、ＲＳＴＷ、出力
イネーブル信号ＯＥ３〜ＯＥ０、及びＰＣＬＫの４倍の
周期の周波数の基準クロックＰＣＬＫ×４を出力するタ
イミング発生回路２８と、リード／ライトクロックＲＣ
Ｋ、ＷＣＫ、リード／ライトリセット信号ＲＳＴＲ、Ｒ
ＳＴＷ、及び出力イネーブル信号ＯＥ３〜ＯＥ０を入力
し、微画素データＤ１５、Ｄ１４、・・Ｄ０を４ビット
ずつ記憶し、所定のタイミングで各４ビットの微画素デ
ータＤ１５〜Ｄ１２、Ｄ１１〜Ｄ８、Ｄ７〜Ｄ４、Ｄ３
〜Ｄ０をＡ列から順次出力するラインメモリ２９Ａ〜２
９Ｄと、ラインメモリ２９Ａ〜２９Ｄから順次出力され
る各４ビットの微画素データＤ１５〜Ｄ１２、Ｄ１１〜
Ｄ８、Ｄ７〜Ｄ４、Ｄ３〜Ｄ０を順次ラッチして、微画
素データＤ１５、Ｄ１４、・・Ｄ０を主走査方向に分割
したＡ列からＤ列の分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０と
して出力するラッチ回路３０と、分割微画素データＳＤ
３〜ＳＤ０を入力して、分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ
０の記録画素（或いは着色画素）の副走査方向の中心位
置に応じた変位信号を出力する変位信号発生回路３１
と、分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０の記録画素の有無
に応じてレーザ駆動信号を出力するオア回路３２と、オ
ア回路３２から出力されたレーザ駆動信号をクロックＰ
ＣＬＫ×４の半周期分だけ遅延させるフリップフロップ
３３と、分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０をＤ／Ａ変換
して、分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０の記録画素の割
合（記録画素率）に応じたレーザパワー変調信号を出力
するＤ／Ａ変換器３４を有して構成されている。

【００３１】図８には、変位信号発生回路３１が示され
ている。変位信号発生回路３１は、分割微画素データＳ
Ｄ３〜ＳＤ０のうちＳＤ３、ＳＤ２のデータを反転する
インバータ３５Ａ、３５Ｂと、分割微画素データＳＤ３
〜ＳＤ０をラッチするラッチ回路３６と、ラッチ回路３
６から出力される各微画素データＳＤ３〜ＳＤ０に基づ
いて変位信号を生成する電流加算回路３７を有して構成
されている。

【００３２】電流加算回路３７は、５Ｖの電圧を印加す
る電源３８と、電源３８にそれぞれ接続され、分割微画
素データＳＤ３、ＳＤ２のレベルに応じてオン、オフす
るトランジスタＴｒ３、Ｔｒ２と、アース電位にそれぞ
れ接続され、分割微画素データＳＤ１、ＳＤ０のレベル
に応じてオン、オフするトランジスタＴｒ１、Ｔｒ０
と、値が等しい抵抗Ｒ６、Ｒ７の分圧値２．５Ｖに接続
された正入力と値が等しい抵抗Ｒ１〜Ｒ４を介してトラ
ンジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ４のエミッタに
接続され、トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ
４の出力電流を加算して入力し、且つ、帰還抵抗Ｒ５に
接続された負入力を有した演算増幅器３９から構成され
ている。この電流加算回路３６に入力する分割微画素デ
ータＳＤ３〜ＳＤ０のレベルと演算増幅器３９から出力
される変位信号の関係は表１のようになる。表１におい
て、空白はＯＦＦを示す。

【表１】

【００３３】以下、上記した画像記録装置の動作を図９
のタイミングチャートを参照しながら説明する。

【００３４】まず、画像情報処理部１１が複数のクライ
アント装置１７Ａ、１７Ｂ、或いは他の装置からイーサ
・ネット１２を介してＰＤＬで記述された画像情報を受
け取ると、４００ｄｐｉの各画素に対応して図６に示す
ような４×４＝１６個の微画素で構成した微画素データ
を発生して画像データ処理部１３に出力する。

【００３５】画像データ処理部１３では、ラインメモリ
２９Ａ〜２９Ｄがタイミング発生回路２８から出力され
るライトクロックＷＣＫに基づいて所定のタイミングで
微画素データＤ１５、Ｄ１４、・・Ｄ０を４ビットずつ
記憶する。この後、ラインメモリ２９Ａ〜２９Ｄは、タ
イミング発生回路２８から出力されるリードクロックＲ
ＣＫに基づいて所定のタイミングで微画素データＤ１
５、Ｄ１４、・・Ｄ０を４ビットずつ読み出し、タイミ
ング発生回路２８から出力される出力イネーブル信号Ｏ
Ｅ３〜ＯＥ０に基づいて微画素データＤ１５〜Ｄ１２、
Ｄ１１〜Ｄ８、Ｄ７〜Ｄ４、Ｄ３〜Ｄ０を４ビットずつ
順次出力する。出力イネーブル信号ＯＥ３〜ＯＥ０は、
図９に示すように、基準クロックＰＣＬＫ×４の周期間
隔で位相が異なっており、微画素データＤ１５〜Ｄ１
２、Ｄ１１〜Ｄ８、Ｄ７〜Ｄ４、Ｄ３〜Ｄ０は基準クロ
ックＰＣＬＫ×４の周期だけずれたタイミングで順次出
力される。

【００３６】この微画素データＤ１５〜Ｄ１２、Ｄ１１
〜Ｄ８、Ｄ７〜Ｄ４、Ｄ３〜Ｄ０はラッチ回路３０で順
次ラッチされると、ラッチ回路３０は基準クロックＰＣ
ＬＫ×４の各立ち上がり時にＡ列からＤ列の分割微画素
データＳＤ３〜ＳＤ０を変位信号発生回路３１、オア回
路３２、及びＤ／Ａ変換器３４にそれぞれ出力する。

【００３７】変位信号発生回路３１では、分割微画素デ
ータＳＤ３〜ＳＤ０のうちＳＤ３、ＳＤ２はレベルがイ
ンバータ３５Ａ、３５Ｂによって反転された後、また、
ＳＤ１、ＳＤ０はそのままラッチ回路３６にラッチされ
る。ラッチ回路３６は基準クロックＰＣＬＫ×４の立ち
下がり時にＡ列からＤ列の分割微画素データＤＳ３〜Ｓ
Ｄ０を電流加算回路３９に出力する。電流加算回路３９
では、各分割微画素データＤＳ３〜ＳＤ０の階調に応じ
てトランジスタＴｒ０〜Ｔｒ３が、表１に示したように
スイッチングし、演算増幅器３９からトランジスタＴｒ
０〜Ｔｒ３の出力電流を加算した加算電流に応じた電圧
の変位信号が出力される。ここで、図１０に示したよう
に、図６における（Ｍ＋２、Ｎ＋１）の領域では、Ａ列
の分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０はＦ_Hの階調を有し
ているので、トランジスタＴｒ０〜Ｔｒ３は全てオフに
なり、演算増幅器３９から２．５Ｖの変位信号が出力さ
れ、Ｂ列の分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０は７_Hの階
調を有しているので、トランジスタＴｒ３がオンに、ト
ランジスタＴｒ２〜Ｔｒ０がオフになり、演算増幅器３
９から１．６Ｖの変位信号が出力され、Ｃ列の分割微画
素データＳＤ３〜ＳＤ０は２_Hの階調を有しているの
で、トランジスタＴｒ３、Ｔｒ２、Ｔｒ０がオンに、ト
ランジスタＴｒ１がオフになり、演算増幅器３９から
１．６Ｖの変位信号が出力され、Ｄ列の分割微画素デー
タＳＤ３〜ＳＤ０は０_Hの階調を有しているので、トラ
ンジスタＴｒ０〜Ｔｒ３は全てオンになり、演算増幅器
３９から２．５Ｖの変位信号が出力される。

【００３８】一方、オア回路３２では、分割微画素デー
タＳＤ３〜ＳＤ０のうち少なくとも１つのレベルが
「１」の場合、半導体レーザをオンさせるレーザ駆動信
号を出力する。ここで、図１０に示したように、図６に
おける（Ｍ＋２、Ｎ＋１）の領域では、Ａ列からＣ列の
分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０は少なくとも１つのレ
ベルが「１」であり、Ｄ列の分割微画素データＳＤ３〜
ＳＤ０だけが全てレベルが「０」であるので、Ａ列から
Ｃ列の分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０を入力している
間は半導体レーザ１をオンさせるレーザ駆動信号を出力
し、Ｄ列の分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０を入力した
時だけ半導体レーザ１をオフさせるレーザ駆動信号を出
力する。このレーザ駆動信号はフリップフロップ３３に
よって基準クロックＰＣＬＫ×４の半周期分だけ遅延さ
せられて出力される。

【００３９】また、Ｄ／Ａ変換器３４では、Ａ列からＤ
列の各４ビットの分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０をＤ
／Ａ変換して、各分割微画素データＳＤ３〜ＳＤ０の記
録画素率に応じたレーザパワー変調信号を出力する。こ
こで、図１０に示したように、図６における（Ｍ＋２、
Ｎ＋１）の領域では、Ａ列からＤ列の分割微画素データ
ＳＤ３〜ＳＤ０にかけて半導体レーザ１のレーザパワー
が減少するレーザパワー変調信号を出力する。

【００４０】このようにして変位信号発生回路３１、フ
リップフロップ３３、及びＤ／Ａ変換器３４からそれぞ
れ変位信号、レーザ駆動信号、及びレーザパワー変調信
号が出力されると、レーザ駆動信号、レーザパワー変調
信号に基づいてレーザ駆動回路１４が半導体レーザ１か
ら光ビームを出射させ、変位信号に基づいて電気光学素
子駆動回路１５が電気光学偏向器１６に変位信号に応じ
た電圧を印加して光ビームを副走査方向に変位させる。
ここで、図１０で示したように、図６における（Ｍ＋
２、Ｎ＋１）の領域のデータに基づいて記録を行う場合
には、微画素データのＡ列のＤ列にかけて前述したよう
な変位信号、レーザ駆動信号、及びレーザパワー変調信
号が出力されるため、図１１に示すように、Ａ列からＣ
列にかけて光ビームの中心を副走査方向の中央から下方
に移動するように電気光学偏向器３が駆動され、且つ、
Ａ列からＣ列にかけて光ビームの発光量を順次減少する
ように半導体レーザ１が駆動される。

【００４１】また、図６の（Ｍ＋１、Ｎ＋２）の領域の
画像記録は、図１２に示すような微画素データＤ１５、
Ｄ１４、・・Ｄ０に基づいて行われ、画像データ処理部
１３から図１３の(a) に示すレーザ駆動信号、図１３の
(b) に示すレーザパワー変調信号、図１３の(c) に示す
変位信号が出力される。このため、図１４に示すよう
に、Ｃ列からＤ列にかけて光ビームの中心が副走査方向
の最上位置から下方に移動するように電気光学偏向器３
が駆動され、Ｃ列から光ビームが出射されると共にＣ列
からＤ列にかけて光ビームの発光量が１ステップ増加す
るように半導体レーザ１が駆動される。

【００４２】更に、図６の（Ｍ、Ｎ＋１）の領域の画像
記録は、図１５に示すような微画素データＤ１５、Ｄ１
４、・・Ｄ０に基づいて行われ、図１６に示すように、
Ａ列からＤ列にかけて光ビームの中心が中央からピッチ
Ｐ＝Ｒ／８の位置を維持するように電気光学偏向器３が
駆動され、Ａ列からＤ列にかけて光ビームの発光量が３
／４となるように半導体レーザ１が駆動される。

【００４３】このように上記実施の形態では、画像記録
装置の１画素を１６個の微画素に分割した微画素データ
に基づいて画像の輪郭を描画するように半導体レーザ１
の発光タイミングと発光量、及び電気光学偏向器３の光
ビームの副走査方向への変位量を制御するようにしたた
め、エッジの描画精度、及び副走査方向の線幅の記録精
度を向上させることができる。

【００４４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明の画像記録装
置によると、装置の解像度より高い解像度の高密度画像
情報に所定の演算処理を施して光源、及び光源から出射
された光ビームを副走査方向に変位させる光ビーム変位
手段を制御するようにしたため、エッジの描画精度、及
び副走査方向の線幅の記録精度を向上させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す説明図。

【図２】第１の実施の形態に係る画像記録制御部を示す
ブロック図。

【図３】第１の実施の形態に係る電気光学偏向器を示す
説明図。

【図４】第１の実施の形態に係る画像情報処理部を示す
ブロック図。

【図５】第１の実施の形態に係る主制御部を示すブロッ
ク図。

【図６】第１の実施の形態に係る標準画素と微画素デー
タの関係を示す説明図。

【図７】第１の実施の形態に係る画像データ処理部を示
す説明図。

【図８】第１の実施の形態に係る変位信号発生回路を示
す回路図。

【図９】第１の実施の形態に係るデータ処理のタイミン
グチャート。

【図１０】第１の実施の形態に係る微画素データを示す
説明図。

【図１１】図１０における記録状態を示す説明図。

【図１２】第１の実施の形態に係る微画素データを示す
説明図。

【図１３】図１２におけるレーザ駆動信号、レーザパワ
ー変調信号、変位信号を示す波形図。

【図１４】図１２における記録状態を示す説明図。

【図１５】第１の実施の形態に係る微画素データを示す
説明図。

【図１６】図１５における記録状態を示す説明図。

【図１７】従来の画像形成装置の画像形成方法を示す説
明図。

【図１８】従来の画像形成装置の画像形成方法を示す説
明図。

【符号の説明】

１半導体レーザ２コリメータレンズ３電気光学素子４シリンドリカルレンズ５反射ミラー６ポリゴンミラー７ｆθレンズ８シリンドリカルレンズ９感光体ドラム１０画像記録制御部１１画像情報処理部１２イーサ・ネット１３画像データ処理部１４レーザ駆動回路１５電気光学素子駆動回路１６Ａグラウンド電極１６Ｂ電気光学素子１６Ｃプリズム電極１７Ａ、１７Ｂクライアント装置１８通信制御部１９主制御部２０バッファメモリ２１出力部制御部２２磁気ディスク装置２３通信プロトコル解析／制御部２４ＰＤＬコマンド／データ解析部２５文字／線画展開部２６色処理部２７イメージ展開部２８タイミング発生回路２９Ａ〜２９Ｄラインメモリ３０ラッチ回路３１変位信号発生回路３２オア回路３３フリップフロップ３４Ｄ／Ａ変換器３５Ａ、３５Ｂインバータ３６ラッチ回路３７電流加算回路３８電源３９演算増幅器Ｔｒ０〜Ｔｒ３トランジスタＲ１〜Ｒ７抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】画像情報に応じて変調された光ビームを
出射する光源と、前記光ビームを主走査方向に走査する走査手段と、前記光ビームを副走査方向に変位させる光ビーム変位手
段と、副走査方向に移動しながら前記光ビームの露光を受けて
静電潜像を形成する感光体と、前記走査手段による主走査方向の速度と前記感光体の副
走査方向の速度によって定まる標準解像度より高い高解
像度の高密度画像情報を入力して前記高密度画像情報に
所定の演算処理を施し、この演算処理によって得られた
画像情報に基づいて前記光源に前記光ビームの出射を行
わせ、前記変位手段に前記光ビームの変位を行わせる制
御手段を備えていることを特徴とする画像記録装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記高密度画像情報を
前記標準解像度の標準画像情報に対応させたとき、前記
標準画像情報の１画素に対応する前記高密度画像情報の
領域の記録率に応じて前記光源を制御して出射される光
ビームの発光量を増減させる構成の請求項１の画像記録
装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記高密度画像情報と
して前記標準画像情報の１画素に対応する領域を微画素
で構成した微画素データを入力して、前記副走査方向に
連続する複数の前記微画素の記録画素率に応じて前記光
源を制御して前記光ビームの発光量を増減させ、前記微
画素の記録画素の前記副走査方向の中心位置に応じて前
記光ビーム変位手段を制御して前記光ビームの変位量を
増減させる構成の請求項１の画像記録装置。
【請求項４】前記制御手段は、前記高密度画像情報と
して前記標準画像情報の各画素に対応してＮ行×Ｍ列
（Ｎ、Ｍは共に正の整数）から成る微画素を有する微画
素データを入力して、前記光ビームの前記主走査方向へ
の走査において前記微画素の１列からＭ列に向かい、各
列の記録画素率に応じて前記光源の前記光ビームの発光
量を調整し、前記各列の記録画素の前記副走査方向にお
ける中心に前記光ビームが照射されるように前記光ビー
ム変位手段に前記光ビームの前記副走査方向への変位を
行わせる構成の請求項１の画像記録装置。
【請求項５】前記制御手段は、前記標準画素の１画素
に対応する前記主走査方向と平行な輪郭の画像を記録す
る場合、前記光ビームの前記感光体上の前記主走査方向
への走査において前記微画素の１列からＭ列に向かい前
記光源の前記光ビームの発光量を一定にし、前記光ビー
ム変位手段の前記光ビームの変位量を一定にする構成の
請求項４の画像記録装置。
【請求項６】前記制御手段は、前記画像情報の１画素
に対応する前記主走査方向、及び前記副走査方向と所定
の角度を有する輪郭の画像を記録する場合、前記光ビー
ムの前記感光体上の前記主走査方向への走査において前
記微画素の１列からＭ列に向かい前記光源の前記光ビー
ムの発光量を増減させ、前記光ビーム変位手段の変位量
を増減させる構成の請求項４の画像記録装置。
【請求項７】画像情報に応じて変調された光ビームを
出射する光源と、前記光ビームを主走査方向に走査する走査手段と、前記光ビームを副走査方向に変位させる光ビーム変位手
段と、副走査方向に移動しながら前記光ビームの露光を受けて
静電潜像を形成する感光体と、前記走査手段による主走査方向の速度と前記感光体の副
走査方向の速度によって定まる標準解像度より高い高解
像度の高密度画像情報を発生する画像情報発生手段と、前記高密度画像情報に所定の演算処理を施して得られた
画像情報に基づいて前記光源に前記光ビームの出射を行
わせ、前記変位手段に前記光ビームの変位を行わせる制
御手段を備えていることを特徴とする画像記録装置。
【請求項８】前記制御手段は、前記高密度画像情報を
前記標準解像度の標準画像情報に対応させたとき、前記
標準画像情報の１画素に対応する前記高密度画像情報の
領域の記録率に応じて前記光源を制御して出射される光
ビームの発光量を増減させる構成の請求項１の画像記録
装置。
【請求項９】前記画像情報発生手段は、前記領域を前
記高解像度の微画素で構成した前記高密度画像情報を発
生し、前記制御手段は、前記副走査方向に連続する複数の前記
微画素の記録画素率に応じて前記光源を制御して前記光
ビームの発光量を増減させ、前記微画素の記録画素の前
記副走査方向の中心位置に応じて前記光ビーム変位手段
を制御して前記光ビームの変位量を増減させる構成の請
求項１の画像記録装置。
【請求項１０】前記画像情報発生手段は、前記標準画
像情報の各画素に対応してＮ行×Ｍ列（Ｎ、Ｍは共に正
の整数）から成る微画素を有する前記高密度画像情報を
発生し、前記制御手段は、前記光ビームの前記主走査方向への走
査において前記微画素の１列からＭ列に向かい、各列の
記録画素率に応じて前記光源の前記光ビームの発光量を
調整し、前記各列の記録画素の前記副走査方向における
中心に前記光ビームが照射されるように前記光ビーム変
位手段に前記光ビームの前記副走査方向への変位を行わ
せる構成の請求項１の画像記録装置。
【請求項１１】前記制御手段は、前記標準画素の１画
素に対応する前記主走査方向と平行な輪郭の画像を記録
する場合、前記光ビームの前記感光体上の前記主走査方
向への走査において前記微画素の１列からＭ列に向かい
前記光源の前記光ビームの発光量を一定にし、前記光ビ
ーム変位手段の前記光ビームの変位量を一定にする構成
の請求項１０の画像記録装置。
【請求項１２】前記制御手段は、前記画像情報の１画
素に対応する前記主走査方向、及び前記副走査方向と所
定の角度を有する輪郭の画像を記録する場合、前記光ビ
ームの前記感光体上の前記主走査方向への走査において
前記微画素の１列からＭ列に向かい前記光源の前記光ビ
ームの発光量を増減させ、前記光ビーム変位手段の変位
量を増減させる構成の請求項１０の画像記録装置。