JPH09262927A - 反射板 - Google Patents
反射板Info
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- JPH09262927A JPH09262927A JP8074194A JP7419496A JPH09262927A JP H09262927 A JPH09262927 A JP H09262927A JP 8074194 A JP8074194 A JP 8074194A JP 7419496 A JP7419496 A JP 7419496A JP H09262927 A JPH09262927 A JP H09262927A
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- film
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- polymer film
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 透明高分子フィルム１０、高酸素濃度雰
囲気下におけるスパッタリングにより成膜した比抵抗が
１×１０-2Ω・ｃｍ以上の、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層２０、銀薄膜層３０、接着層４０、支
持体５０からなる反射板。 【効果】 本発明の反射板を用いることにより、銀を用
いた反射体の高温環境下における安定性を向上させるこ
とができる。
囲気下におけるスパッタリングにより成膜した比抵抗が
１×１０-2Ω・ｃｍ以上の、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層２０、銀薄膜層３０、接着層４０、支
持体５０からなる反射板。 【効果】 本発明の反射板を用いることにより、銀を用
いた反射体の高温環境下における安定性を向上させるこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主としてインジウ
ムとスズからなる酸化物層によって安定化させた銀を用
いた反射板に関し、さらに詳しくは高温環境においても
反射率の低下が少ない銀を用いた、複写機に好適に使用
できる反射板に関する。
ムとスズからなる酸化物層によって安定化させた銀を用
いた反射板に関し、さらに詳しくは高温環境においても
反射率の低下が少ない銀を用いた、複写機に好適に使用
できる反射板に関する。
【０００２】
【従来の技術】銀は、可視光領域における反射率が最も
高い金属であり、反射用部材として優れた性能を有する
と考えられる。反射体材料としては他にアルミニウムが
挙げられるが、実用的には反射率９０％が最も高い値で
ある。従って、銀を反射体として使用するにおいて９０
％以上が実用性能の目安になる。しかしながら、銀自体
は不安定な金属である為、大気中に暴露した状態で１５
０℃以上の高温下に長時間放置すると、表面の反射率が
低下することが知られている。そこで、銀の不変色化と
して様々な合金化が図られているが、反射率が本来銀の
持つ値よりも低下する為、反射材としての価値が十分活
かせないものであった。
高い金属であり、反射用部材として優れた性能を有する
と考えられる。反射体材料としては他にアルミニウムが
挙げられるが、実用的には反射率９０％が最も高い値で
ある。従って、銀を反射体として使用するにおいて９０
％以上が実用性能の目安になる。しかしながら、銀自体
は不安定な金属である為、大気中に暴露した状態で１５
０℃以上の高温下に長時間放置すると、表面の反射率が
低下することが知られている。そこで、銀の不変色化と
して様々な合金化が図られているが、反射率が本来銀の
持つ値よりも低下する為、反射材としての価値が十分活
かせないものであった。
【０００３】
【課題を解決するための手段】そこで、銀を用いた反射
体の高温環境における安定性を向上させ、高温環境下で
５００時間以上の長期にわたって高い反射率を維持する
方法を鋭意研究したところ、高酸素濃度雰囲気下でスパ
ッタリング法により形成した、非晶質の、主としてイン
ジウムとスズからなる酸化物層、つまり非晶質ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）薄膜層を、透明高分子フィルムと
銀薄膜層の間に用いることにより、銀を用いた反射体の
耐熱安定性を著しく向上させること、また該反射体を金
属板にラミネートすることにより、複写機等に好適に使
用できる反射板が得られることを見いだし、本発明に到
達した。
体の高温環境における安定性を向上させ、高温環境下で
５００時間以上の長期にわたって高い反射率を維持する
方法を鋭意研究したところ、高酸素濃度雰囲気下でスパ
ッタリング法により形成した、非晶質の、主としてイン
ジウムとスズからなる酸化物層、つまり非晶質ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）薄膜層を、透明高分子フィルムと
銀薄膜層の間に用いることにより、銀を用いた反射体の
耐熱安定性を著しく向上させること、また該反射体を金
属板にラミネートすることにより、複写機等に好適に使
用できる反射板が得られることを見いだし、本発明に到
達した。
【０００４】すなわち、本発明は、上記の問題を解決す
るためになされたものであって、（１） 少なくとも、
透明高分子フィルム（Ａ）、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層（Ｂ）、銀薄膜層（Ｃ）、接着層
（Ｄ）、支持体（Ｅ）からなる構成ＡＢＣＤＥの透明高
分子フィルム側を反射面とする反射板にして、１５０℃
の温度において５００時間大気中で加熱を行った後にお
いても高分子フィルム側から測定した反射率が９０％以
上である反射板、（２） 主としてインジウムとスズか
らなる酸化物層（Ｂ）が、高酸素濃度雰囲気下でスパッ
タリング法により形成された比抵抗１×１０-2Ω・cm以
上かつ非晶質の薄膜層である（１）記載の反射板、
（３） 透明高分子フィルム（Ａ）が、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、
ポリカーボネート、またはポリアリレートである（１）
又は（２）記載の反射板，（４） 接着層（Ｄ）が、熱
硬化型接着剤である（１）〜（３）のいずれかに記載の
反射板に関するものである。
るためになされたものであって、（１） 少なくとも、
透明高分子フィルム（Ａ）、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層（Ｂ）、銀薄膜層（Ｃ）、接着層
（Ｄ）、支持体（Ｅ）からなる構成ＡＢＣＤＥの透明高
分子フィルム側を反射面とする反射板にして、１５０℃
の温度において５００時間大気中で加熱を行った後にお
いても高分子フィルム側から測定した反射率が９０％以
上である反射板、（２） 主としてインジウムとスズか
らなる酸化物層（Ｂ）が、高酸素濃度雰囲気下でスパッ
タリング法により形成された比抵抗１×１０-2Ω・cm以
上かつ非晶質の薄膜層である（１）記載の反射板、
（３） 透明高分子フィルム（Ａ）が、ポリエーテルサ
ルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、
ポリカーボネート、またはポリアリレートである（１）
又は（２）記載の反射板，（４） 接着層（Ｄ）が、熱
硬化型接着剤である（１）〜（３）のいずれかに記載の
反射板に関するものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は図１に示すように、透明
高分子フィルム１０の上に、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層２０、そして該酸化物層の上の銀薄膜
層３０、接着層４０、支持体５０からなる反射板であ
る。
高分子フィルム１０の上に、主としてインジウムとスズ
からなる酸化物層２０、そして該酸化物層の上の銀薄膜
層３０、接着層４０、支持体５０からなる反射板であ
る。
【０００６】本発明において銀薄膜を形成するための基
板となる透明高分子フィルムは、透明で１５０℃以上の
連続使用に耐えるものであれば特に限定するものではな
く、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエテールケ
トン、フルオロエチレンプロピレン等のフッ素系フィル
ム、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート系
フィルム等の高分子フィルムを用いることができる。そ
の際、銀薄膜を形成する前に、基板表面を、化学洗浄処
理、表面粗面化処理、グロー放電処理、コロナ放電処理
等を行うことが密着性等を向上させるのに当業者には容
易に理解できるであろう。
板となる透明高分子フィルムは、透明で１５０℃以上の
連続使用に耐えるものであれば特に限定するものではな
く、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルエテールケ
トン、フルオロエチレンプロピレン等のフッ素系フィル
ム、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアリレート系
フィルム等の高分子フィルムを用いることができる。そ
の際、銀薄膜を形成する前に、基板表面を、化学洗浄処
理、表面粗面化処理、グロー放電処理、コロナ放電処理
等を行うことが密着性等を向上させるのに当業者には容
易に理解できるであろう。
【０００７】上記高分子フィルムの厚みには限定的な値
はないが、２５〜１００μｍ程度が好ましく用いられ
る。使用する高分子フィルムの光学特性は、波長５５０
ｎｍの光線透過率が８０％以上であることが好ましい。
より好ましくは、波長５００〜７００ｎｍの範囲の光に
対して光線透過率が８０％以上であり、更に好ましくは
波長３５０〜７５０ｎｍの範囲の光に対して光線透過率
が８０％以上である。光線透過率が８０％よりもあまり
低いと、反射体とした時の反射率が９０％を下回り、反
射体としての性能上好ましくない。
はないが、２５〜１００μｍ程度が好ましく用いられ
る。使用する高分子フィルムの光学特性は、波長５５０
ｎｍの光線透過率が８０％以上であることが好ましい。
より好ましくは、波長５００〜７００ｎｍの範囲の光に
対して光線透過率が８０％以上であり、更に好ましくは
波長３５０〜７５０ｎｍの範囲の光に対して光線透過率
が８０％以上である。光線透過率が８０％よりもあまり
低いと、反射体とした時の反射率が９０％を下回り、反
射体としての性能上好ましくない。
【０００８】本発明においては、上記高分子フィルム上
に主としてインジウムとスズからなる酸化物層を形成す
る。主としてインジウムとスズからなる酸化物（Indium
TinOxide：ＩＴＯ）は、透明導電膜の一種である。導
電性、透明性が特に優れ、更に電極のパターンをエッチ
ングにより形成することが容易である等の特長を持つこ
とから広く利用されている。ＩＴＯ膜の比抵抗は、通
常、５×１０-5〜１×１０-3Ω・cm程度、透過率は８０
〜９０％である。
に主としてインジウムとスズからなる酸化物層を形成す
る。主としてインジウムとスズからなる酸化物（Indium
TinOxide：ＩＴＯ）は、透明導電膜の一種である。導
電性、透明性が特に優れ、更に電極のパターンをエッチ
ングにより形成することが容易である等の特長を持つこ
とから広く利用されている。ＩＴＯ膜の比抵抗は、通
常、５×１０-5〜１×１０-3Ω・cm程度、透過率は８０
〜９０％である。
【０００９】ＩＴＯ層の膜厚は、１ｎｍ〜２００ｎｍが
好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであ
る。１ｎｍよりあまり薄いと、透明高分子フィルムと銀
薄膜との密着性を十分に向上することができない。一
方、膜厚が２００ｎｍよりあまり厚いと、ＩＴＯ薄膜層
の光の吸収により反射体としての反射率が低下するとと
もに、透明高分子フィルムに対する密着性が低下するの
で好ましくない。なお、光学計算により膜厚を最適化す
ることも好ましい。
好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍであ
る。１ｎｍよりあまり薄いと、透明高分子フィルムと銀
薄膜との密着性を十分に向上することができない。一
方、膜厚が２００ｎｍよりあまり厚いと、ＩＴＯ薄膜層
の光の吸収により反射体としての反射率が低下するとと
もに、透明高分子フィルムに対する密着性が低下するの
で好ましくない。なお、光学計算により膜厚を最適化す
ることも好ましい。
【００１０】ＩＴＯ膜の成膜方法としては真空蒸着法、
スパッタリング法、イオンプレーティング法といった従
来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。なか
でもスパッタリング法は、膜中の酸素含有量の制御が容
易に行えるため好適に使用できる。通常は、ＩＴＯ膜は
スパッタリングガスにアルゴン、反応性ガスに酸素を用
いた反応性スパッタリング法により形成する。ＩＴＯ膜
の電気抵抗率が最小となるアルゴン・酸素分圧比が存在
し、一般的にＩＴＯ膜を形成する際にはアルゴン・酸素
分圧比をその比抵抗が最小となるような値に制御して行
い、低抵抗のＩＴＯ膜を得ている。しかしながら、本発
明者らは従来の電気抵抗率が最小となるアルゴン・酸素
分圧比において形成したＩＴＯ膜は、酸素欠陥等の構造
欠陥を多く含み、化学的にも物理的にも不安定で、脆い
膜であることを見いだした。耐環境性に優れるには、Ｉ
ＴＯ膜が構造欠陥の少ない、安定な非晶質である必要が
ある。
スパッタリング法、イオンプレーティング法といった従
来公知の物理的気相成長法のいずれも採用できる。なか
でもスパッタリング法は、膜中の酸素含有量の制御が容
易に行えるため好適に使用できる。通常は、ＩＴＯ膜は
スパッタリングガスにアルゴン、反応性ガスに酸素を用
いた反応性スパッタリング法により形成する。ＩＴＯ膜
の電気抵抗率が最小となるアルゴン・酸素分圧比が存在
し、一般的にＩＴＯ膜を形成する際にはアルゴン・酸素
分圧比をその比抵抗が最小となるような値に制御して行
い、低抵抗のＩＴＯ膜を得ている。しかしながら、本発
明者らは従来の電気抵抗率が最小となるアルゴン・酸素
分圧比において形成したＩＴＯ膜は、酸素欠陥等の構造
欠陥を多く含み、化学的にも物理的にも不安定で、脆い
膜であることを見いだした。耐環境性に優れるには、Ｉ
ＴＯ膜が構造欠陥の少ない、安定な非晶質である必要が
ある。
【００１１】本発明者らはこのようなＩＴＯ膜を得るに
は、スパッタリング法においてスパッタガスであるアル
ゴン・酸素の分圧比を、比抵抗が最小となるアルゴン・
酸素分圧比よりも酸素を多くし、比抵抗１×１０-2Ω・
cm以上のＩＴＯ膜を形成することが好ましいことを見い
だした。酸素分圧を比抵抗が最小となる値よりも多くす
ることによって酸素欠陥等の構造欠陥の少ない安定な非
晶質構造のＩＴＯ膜が得られるのである。
は、スパッタリング法においてスパッタガスであるアル
ゴン・酸素の分圧比を、比抵抗が最小となるアルゴン・
酸素分圧比よりも酸素を多くし、比抵抗１×１０-2Ω・
cm以上のＩＴＯ膜を形成することが好ましいことを見い
だした。酸素分圧を比抵抗が最小となる値よりも多くす
ることによって酸素欠陥等の構造欠陥の少ない安定な非
晶質構造のＩＴＯ膜が得られるのである。
【００１２】スパッタリング法においては、ターゲット
にインジウム・スズ合金、あるいはインジウム・スズ酸
化物を、スパッタガスにアルゴン等の不活性ガスを用
い、反応性ガスに酸素を用い、通常圧力０．１〜２０ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜中の基体温度２０〜１５０℃の条件下
で、直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロン
スパッタ法が利用できる。
にインジウム・スズ合金、あるいはインジウム・スズ酸
化物を、スパッタガスにアルゴン等の不活性ガスを用
い、反応性ガスに酸素を用い、通常圧力０．１〜２０ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜中の基体温度２０〜１５０℃の条件下
で、直流（ＤＣ）あるいは高周波（ＲＦ）マグネトロン
スパッタ法が利用できる。
【００１３】透明非晶質ＩＴＯ薄膜の組成は、電気特性
や透過性に影響するが、通常インジウムに対するスズ含
有量が３〜５０重量％程度、またインジウム１原子に対
する酸素原子数は１．３〜１．８倍程度である。
や透過性に影響するが、通常インジウムに対するスズ含
有量が３〜５０重量％程度、またインジウム１原子に対
する酸素原子数は１．３〜１．８倍程度である。
【００１４】上記の方法により形成した透明導電層の原
子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘導結合プ
ラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）等により測定できる。また、これらの膜厚は、オー
ジェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡による
断面観察等により測定できる。また、ＩＴＯ膜の結晶性
はＸ線回折法（ＸＲＤ）や電子線回折法によって判定で
きる。
子組成は、オージェ電子分光法（ＡＥＳ）、誘導結合プ
ラズマ法（ＩＣＰ）、ラザフォード後方散乱法（ＲＢ
Ｓ）等により測定できる。また、これらの膜厚は、オー
ジェ電子分光の深さ方向観察、透過型電子顕微鏡による
断面観察等により測定できる。また、ＩＴＯ膜の結晶性
はＸ線回折法（ＸＲＤ）や電子線回折法によって判定で
きる。
【００１５】本発明で言うところの非晶質のＩＴＯ膜と
は、θ−２θ法によるＸ線回折パターンにおいて、結晶
質であることを示す２θ＝３０°〜３１°のＩｎ2 Ｏ3
（２２２）ピーク、及び２θ＝３５°〜３６°のＩｎ2
Ｏ3 （４００）ピークを示さないものである。
は、θ−２θ法によるＸ線回折パターンにおいて、結晶
質であることを示す２θ＝３０°〜３１°のＩｎ2 Ｏ3
（２２２）ピーク、及び２θ＝３５°〜３６°のＩｎ2
Ｏ3 （４００）ピークを示さないものである。
【００１６】なお、非晶質ＩＴＯ薄膜層と銀薄膜層の間
に膜厚が０．１〜５ｎｍ程度のＴｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｖ、Ｚ
ｎ等の微量金属層を用いることは、銀薄膜層の光劣化を
抑制する上で好ましい態様である。
に膜厚が０．１〜５ｎｍ程度のＴｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｖ、Ｚ
ｎ等の微量金属層を用いることは、銀薄膜層の光劣化を
抑制する上で好ましい態様である。
【００１７】本発明で言うところの銀薄膜層とは、例え
ば、真空蒸着法やスパッタリング法等真空を用いて成膜
するものであることが好ましい。真空蒸着法では、銀を
ルツボの中で、抵抗加熱や電子ビーム加熱で溶融させ、
蒸気圧を上げて、所望する基板上に薄膜を形成する。ス
パッタリング法には、高周波スパッタリング法、直流ス
パッタリング法、高周波マグネトロンスパッタリング
法、直流マグネトロンスパッタリング法、電子サイクロ
トロン共鳴スパッタリング法等がある。スパッタリング
法では、固体の銀のターゲットを通常はアルゴンガスを
１〜１０ｍＴｏｒｒ程度真空容器内に導入してをスパッ
タガスとして用いるが、クリプトンやネオンを使用して
もかまわない。ターゲットの銀の純度は特に限定するわ
けではないが、９９．９％以上が好ましく、更に好まし
くは９９．９９％以上である。
ば、真空蒸着法やスパッタリング法等真空を用いて成膜
するものであることが好ましい。真空蒸着法では、銀を
ルツボの中で、抵抗加熱や電子ビーム加熱で溶融させ、
蒸気圧を上げて、所望する基板上に薄膜を形成する。ス
パッタリング法には、高周波スパッタリング法、直流ス
パッタリング法、高周波マグネトロンスパッタリング
法、直流マグネトロンスパッタリング法、電子サイクロ
トロン共鳴スパッタリング法等がある。スパッタリング
法では、固体の銀のターゲットを通常はアルゴンガスを
１〜１０ｍＴｏｒｒ程度真空容器内に導入してをスパッ
タガスとして用いるが、クリプトンやネオンを使用して
もかまわない。ターゲットの銀の純度は特に限定するわ
けではないが、９９．９％以上が好ましく、更に好まし
くは９９．９９％以上である。
【００１８】銀薄膜層の厚さは、７０ｎｍ〜３００ｎｍ
が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍで
ある。７０ｎｍよりあまり薄いと、銀の膜厚が十分でな
いために、透過する光が存在し、反射率が低下する。一
方、膜厚を３００ｎｍを越えてあまり厚くしても反射率
は上昇せず飽和傾向を示す上に、銀層の高分子フィルム
に対する密着性が低下するので好ましくない。
が好ましく、より好ましくは１００ｎｍ〜２００ｎｍで
ある。７０ｎｍよりあまり薄いと、銀の膜厚が十分でな
いために、透過する光が存在し、反射率が低下する。一
方、膜厚を３００ｎｍを越えてあまり厚くしても反射率
は上昇せず飽和傾向を示す上に、銀層の高分子フィルム
に対する密着性が低下するので好ましくない。
【００１９】銀薄膜層を形成した後、さらに銀薄膜層の
保護やフィルムの滑り性の向上の目的のため、インコネ
ル、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブ
デン、タングステン等の単金属もしくは合金の金属層を
１０ｎｍ〜３０ｎｍ積層することが有効であることは、
当業者が理解しているところである。
保護やフィルムの滑り性の向上の目的のため、インコネ
ル、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブ
デン、タングステン等の単金属もしくは合金の金属層を
１０ｎｍ〜３０ｎｍ積層することが有効であることは、
当業者が理解しているところである。
【００２０】上記金属層の膜厚の測定には、触針粗さ
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子法等があるが、水晶振動子法では成膜中に膜厚測定が
可能なので、所望の膜厚を得るのに適している。また、
前もって成膜の条件を定めておき、試料基材上に成膜を
行い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、成膜時間に
より膜を制御する方法もある。
計、繰り返し反射干渉計、マイクロバランス、水晶振動
子法等があるが、水晶振動子法では成膜中に膜厚測定が
可能なので、所望の膜厚を得るのに適している。また、
前もって成膜の条件を定めておき、試料基材上に成膜を
行い、成膜時間と膜厚の関係を調べた上で、成膜時間に
より膜を制御する方法もある。
【００２１】本発明で用いられる接着剤（粘着剤も含
む）としては、熱硬化型接着剤が適切で、ポリエステル
系接着剤、アクリル系接着剤、メラミン系接着剤、シリ
コン系接着剤、フェノール系接着剤、エポキシ系接着剤
等の単体、または混合物があげられるが、必ずしもこれ
らの種類に限定されるわけではなく、実用上の接着強度
があればいずれも使用できる。接着９０℃以上で加熱
後、１８０度ピール強度を測定して１００ｇ／ｃｍあれ
ば十分であり、好ましくは５００ｇ／ｃｍであり、より
好ましくは１０００ｇ／ｃｍである。１００ｇ／ｃｍに
達しない場合には、反射体として曲率半径１〜５ｍｍ程
度に曲げた時に、透明高分子フィルム側が支持体である
金属板より浮き上がる等の事態を引き起こす。
む）としては、熱硬化型接着剤が適切で、ポリエステル
系接着剤、アクリル系接着剤、メラミン系接着剤、シリ
コン系接着剤、フェノール系接着剤、エポキシ系接着剤
等の単体、または混合物があげられるが、必ずしもこれ
らの種類に限定されるわけではなく、実用上の接着強度
があればいずれも使用できる。接着９０℃以上で加熱
後、１８０度ピール強度を測定して１００ｇ／ｃｍあれ
ば十分であり、好ましくは５００ｇ／ｃｍであり、より
好ましくは１０００ｇ／ｃｍである。１００ｇ／ｃｍに
達しない場合には、反射体として曲率半径１〜５ｍｍ程
度に曲げた時に、透明高分子フィルム側が支持体である
金属板より浮き上がる等の事態を引き起こす。
【００２２】接着剤層の厚みは、０．５μｍ〜５０μ
ｍ、好ましくは、１μｍ〜２０μｍである。接着剤の塗
布方法としては、バーコート法、ロールコート法、メイ
ヤーバーコート法、リバースコート法、グラビアコート
法、ダイコート法等があげられるが、これらは使用する
接着剤の種類、粘度、塗布量、塗布速度、得られる面状
態等を考慮して選定される。接着剤の硬化に要する温
度、時間等は接着剤により異なるが、８０℃〜３００
℃、０．１秒〜２時間で、好ましくは１００℃〜２５０
℃、０．１秒〜１０分である。
ｍ、好ましくは、１μｍ〜２０μｍである。接着剤の塗
布方法としては、バーコート法、ロールコート法、メイ
ヤーバーコート法、リバースコート法、グラビアコート
法、ダイコート法等があげられるが、これらは使用する
接着剤の種類、粘度、塗布量、塗布速度、得られる面状
態等を考慮して選定される。接着剤の硬化に要する温
度、時間等は接着剤により異なるが、８０℃〜３００
℃、０．１秒〜２時間で、好ましくは１００℃〜２５０
℃、０．１秒〜１０分である。
【００２３】支持体には、アルミニウム、アルミ合金、
ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等の金属板があげられ
る。これらの金属にはそれぞれ長所があり次の様に使い
分けることができる。アルミニウムは軽量かつ加工性に
優れ、また、熱伝導率が高くそれにかかる熱を効果的に
大気に逃がすことができるため、ランプ発光によって反
射板が加熱されるコピー機に好適に利用できる。アルミ
合金は軽量かつ機械的強度が強いため、好適に利用でき
る。ステンレス鋼は機械的強度が高度にあり、また、耐
蝕性に優れているため好適に利用できる。鋼亜鉛合金す
なわち黄銅または真鍮は、機械的強度の強いことに加
え、はんだ付けが容易なため、好適に利用できる。支持
板の厚みは、０．１〜１ｍｍが好ましい。
ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等の金属板があげられ
る。これらの金属にはそれぞれ長所があり次の様に使い
分けることができる。アルミニウムは軽量かつ加工性に
優れ、また、熱伝導率が高くそれにかかる熱を効果的に
大気に逃がすことができるため、ランプ発光によって反
射板が加熱されるコピー機に好適に利用できる。アルミ
合金は軽量かつ機械的強度が強いため、好適に利用でき
る。ステンレス鋼は機械的強度が高度にあり、また、耐
蝕性に優れているため好適に利用できる。鋼亜鉛合金す
なわち黄銅または真鍮は、機械的強度の強いことに加
え、はんだ付けが容易なため、好適に利用できる。支持
板の厚みは、０．１〜１ｍｍが好ましい。
【００２４】１５０℃の加熱試験は、通常の電気炉で行
うことができるものであって、雰囲気は大気中である。
ここでいう大気中と言うのは、反射体が使用される通常
の生活環境の範躊に入るものであり、特殊な環境を特定
するものではない。
うことができるものであって、雰囲気は大気中である。
ここでいう大気中と言うのは、反射体が使用される通常
の生活環境の範躊に入るものであり、特殊な環境を特定
するものではない。
【００２５】本発明で言う反射板の反射率は、積分球を
用いた反射率、即ち、正反射と拡散反射の和を示すもの
である。反射率は、例えば、日立の分光光度計Ｕ３４０
０に積分球ユニットを装着したもので測定できる。
用いた反射率、即ち、正反射と拡散反射の和を示すもの
である。反射率は、例えば、日立の分光光度計Ｕ３４０
０に積分球ユニットを装着したもので測定できる。
【００２６】
【実施例】以下実施例を用いて本発明について説明す
る。尚、実施例及び比較例中の反射率、比抵抗、及び結
晶性は以下の方法で評価した。 １）反射率 反射率は、日立自動自記分光光度計（Ｕ−３４００）に
１５０φ積分球を設置し測定した。金属面でない側、つ
まり、高分子フィルム側からの反射率すなわち、鏡面反
射率＋拡散反射率を測定した。 ２）比抵抗 比抵抗ｒ［Ω・ｃｍ］は、シート抵抗Ｒ［Ω／□］と膜
厚ｔ［ｃｍ］の積、ｒ＝Ｒ×ｔにより求めた。シート抵
抗値は４端子法で、膜厚は触針粗さ計にて求めた。 ３）結晶性 結晶性は、θ−２θ法によるＸ線パターンをとり、２θ
＝３０゜〜３１゜のＩｎ2 Ｏ3 （２２２）ピーク、及び
２θ＝３５゜〜３６゜のＩｎ2 Ｏ3 （４００）ピークの
有無により判定した。
る。尚、実施例及び比較例中の反射率、比抵抗、及び結
晶性は以下の方法で評価した。 １）反射率 反射率は、日立自動自記分光光度計（Ｕ−３４００）に
１５０φ積分球を設置し測定した。金属面でない側、つ
まり、高分子フィルム側からの反射率すなわち、鏡面反
射率＋拡散反射率を測定した。 ２）比抵抗 比抵抗ｒ［Ω・ｃｍ］は、シート抵抗Ｒ［Ω／□］と膜
厚ｔ［ｃｍ］の積、ｒ＝Ｒ×ｔにより求めた。シート抵
抗値は４端子法で、膜厚は触針粗さ計にて求めた。 ３）結晶性 結晶性は、θ−２θ法によるＸ線パターンをとり、２θ
＝３０゜〜３１゜のＩｎ2 Ｏ3 （２２２）ピーク、及び
２θ＝３５゜〜３６゜のＩｎ2 Ｏ3 （４００）ピークの
有無により判定した。
【００２７】（実施例１）ポリエーテルサルフォンフィ
ルム（三井東圧ＴＡＬＰＡ１０００：厚さ５０μｍ）に
ＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化インジウムと酸化
スズ（組成比Ｉｎ 2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝８０：２０WT％）
の焼結体をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴン
をスパッタガスとして、純度９９．５％の酸素を反応性
ガスとしてＩＴＯを膜厚７０ｎｍになるように形成し
た。このとき全圧２６６ｍＰａに対して酸素分圧を１
３．３ｍＰａ（酸素濃度５％）とし高酸素濃度雰囲気と
した。そのフィルムをスパッタ装置から取り出し、ＩＴ
Ｏ薄膜の比抵抗を求めたところ４．５×１０-2Ω・ｃｍ
であった。また、Ｘ線回折法にて結晶性を調べたところ
非晶質であった。上記操作をやり直してＩＴＯをポリプ
ロピレンフィルム上に成膜し、今度は真空装置から取り
出すことなく、純度９９．９％の銀をターゲットとし、
純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、さら
に銀を１５０ｎｍ厚積層した。バーコート法にてエポキ
シ樹脂接着剤を塗布し、厚さ０．２ｍｍのアルミニウム
板とラミネートして反射板が得られた。
ルム（三井東圧ＴＡＬＰＡ１０００：厚さ５０μｍ）に
ＤＣマグネトロンスパッタ法で、酸化インジウムと酸化
スズ（組成比Ｉｎ 2 Ｏ3 ：ＳｎＯ2 ＝８０：２０WT％）
の焼結体をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴン
をスパッタガスとして、純度９９．５％の酸素を反応性
ガスとしてＩＴＯを膜厚７０ｎｍになるように形成し
た。このとき全圧２６６ｍＰａに対して酸素分圧を１
３．３ｍＰａ（酸素濃度５％）とし高酸素濃度雰囲気と
した。そのフィルムをスパッタ装置から取り出し、ＩＴ
Ｏ薄膜の比抵抗を求めたところ４．５×１０-2Ω・ｃｍ
であった。また、Ｘ線回折法にて結晶性を調べたところ
非晶質であった。上記操作をやり直してＩＴＯをポリプ
ロピレンフィルム上に成膜し、今度は真空装置から取り
出すことなく、純度９９．９％の銀をターゲットとし、
純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとして、さら
に銀を１５０ｎｍ厚積層した。バーコート法にてエポキ
シ樹脂接着剤を塗布し、厚さ０．２ｍｍのアルミニウム
板とラミネートして反射板が得られた。
【００２８】（実施例２）フィルムにポリエーテルエー
テルケトン（三井東圧ＴＡＬＰＡ２０００：厚さ５０μ
ｍ）を使用し、酸素分圧を２１．３ｍＰａ（酸素濃度８
％）とする以外は実施例１と同じ方法で反射板を作製し
た。ＩＴＯ薄膜の比抵抗は８．９Ω・ｃｍであり、また
非晶質であった。
テルケトン（三井東圧ＴＡＬＰＡ２０００：厚さ５０μ
ｍ）を使用し、酸素分圧を２１．３ｍＰａ（酸素濃度８
％）とする以外は実施例１と同じ方法で反射板を作製し
た。ＩＴＯ薄膜の比抵抗は８．９Ω・ｃｍであり、また
非晶質であった。
【００２９】（比較例１）ポリエーテルサルフォン（三
井東圧ＴＡＬＰＡ１０００：厚さ５０μｍ）にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲッ
トとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとし
て、銀を１５０ｎｍ厚積層した。バーコート法にてエポ
キシ樹脂接着剤を塗布し、厚さ０．２ｍｍのアルミニウ
ム板とラミネートして反射板が得られた。
井東圧ＴＡＬＰＡ１０００：厚さ５０μｍ）にＤＣマグ
ネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲッ
トとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとし
て、銀を１５０ｎｍ厚積層した。バーコート法にてエポ
キシ樹脂接着剤を塗布し、厚さ０．２ｍｍのアルミニウ
ム板とラミネートして反射板が得られた。
【００３０】（比較例２）フィルムにポリエーテルエー
テルケトン（三井東圧ＴＡＬＰＡ２０００：厚さ５０μ
ｍ）を使用する以外は比較例１と同じ方法で反射板を作
製した。
テルケトン（三井東圧ＴＡＬＰＡ２０００：厚さ５０μ
ｍ）を使用する以外は比較例１と同じ方法で反射板を作
製した。
【００３１】上記、実施例１、２で作製した試料と、比
較例１、２で作製した試料を、１５０℃に設定した電気
炉に設置し、５００時間保持後取り出し、反射率の測定
を行い、加熱前後での反射率の測定を行った。その結果
を表１に示す。また、実施例１、２で作製した試料と、
比較例１、２で作製した試料を、１５０℃に加熱した台
に置き、１００Ｗのハロゲンランプを薄膜から１０ｃｍ
離したところに設置し、光照射と加熱を同時に行い銀薄
膜の安定性を反射率を測定することにより加熱前および
５００時間後の反射率を評価した。その結果を表２に示
す。なお、示した値は表１、表２共に波長５５０ｎｍに
於ける反射率である。
較例１、２で作製した試料を、１５０℃に設定した電気
炉に設置し、５００時間保持後取り出し、反射率の測定
を行い、加熱前後での反射率の測定を行った。その結果
を表１に示す。また、実施例１、２で作製した試料と、
比較例１、２で作製した試料を、１５０℃に加熱した台
に置き、１００Ｗのハロゲンランプを薄膜から１０ｃｍ
離したところに設置し、光照射と加熱を同時に行い銀薄
膜の安定性を反射率を測定することにより加熱前および
５００時間後の反射率を評価した。その結果を表２に示
す。なお、示した値は表１、表２共に波長５５０ｎｍに
於ける反射率である。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】透明高分子フィルム（Ａ）、銀薄膜層
（Ｃ）の間に、好ましくは高酸素濃度雰囲気下において
スパッタリングにより成膜した、比抵抗が１×１０-2Ω
・ｃｍ以上の非晶質の主としてインジウムとスズからな
る酸化物層（Ｂ）を用いて、かつ接着層に熱硬化型接着
剤を用い、金属板にラミネートすることにより、高温環
境下においても安定な反射板を得ることができた。これ
により、該反射板を１５０℃の温度において５００時間
大気中で加熱を行った後も、９０％以上の反射率を保ち
複写機に好適に使用できる反射板を提供できる。
（Ｃ）の間に、好ましくは高酸素濃度雰囲気下において
スパッタリングにより成膜した、比抵抗が１×１０-2Ω
・ｃｍ以上の非晶質の主としてインジウムとスズからな
る酸化物層（Ｂ）を用いて、かつ接着層に熱硬化型接着
剤を用い、金属板にラミネートすることにより、高温環
境下においても安定な反射板を得ることができた。これ
により、該反射板を１５０℃の温度において５００時間
大気中で加熱を行った後も、９０％以上の反射率を保ち
複写機に好適に使用できる反射板を提供できる。
【図１】本発明の反射板の一例を示す断面図
１０ 透明高分子フィルム ２０ 主としてインジウムとスズからなる酸化物層 ３０ 銀薄膜層 ４０ 接着層 ５０ 支持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｄ (72)発明者 川本 悟志 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 福田 伸 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 福田 信弘 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも、透明高分子フィルム
（Ａ）、主としてインジウムとスズからなる酸化物層
（Ｂ）、銀薄膜層（Ｃ）、接着層（Ｄ）、支持体（Ｅ）
からなる構成ＡＢＣＤＥの透明高分子フィルム側を反射
面とする反射板にして、１５０℃の温度において５００
時間大気中で加熱を行った後においても高分子フィルム
側から測定した反射率が９０％以上である反射板。 - 【請求項２】 主としてインジウムとスズからなる酸化
物層（Ｂ）が、高酸素濃度雰囲気下でスパッタリング法
により形成された比抵抗１×１０-2Ω・cm以上かつ非晶
質の薄膜層である請求項１記載の反射板。 - 【請求項３】 透明高分子フィルム（Ａ）が、ポリエー
テルサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイ
ミド、ポリカーボネート、またはポリアリレートである
請求項１又は請求項２に記載の反射板。 - 【請求項４】 接着層（Ｄ）が、熱硬化型接着剤である
請求項１〜３のいずれかに記載の反射板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07419496A JP3544780B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 反射板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07419496A JP3544780B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 反射板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09262927A true JPH09262927A (ja) | 1997-10-07 |
| JP3544780B2 JP3544780B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=13540137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07419496A Expired - Fee Related JP3544780B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 反射板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3544780B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100389478C (zh) * | 2002-07-18 | 2008-05-21 | 佳能株式会社 | 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法 |
| US8367200B2 (en) | 2007-01-11 | 2013-02-05 | Kobe Steel, Ltd. | Reflecting film excellent in cohesion resistance and sulfur resistance |
| WO2013181894A1 (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 天津天星电子有限公司 | 复合反射板 |
| US8864342B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-10-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device and display device having the same |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP07419496A patent/JP3544780B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100389478C (zh) * | 2002-07-18 | 2008-05-21 | 佳能株式会社 | 叠层体形成方法以及光电器件的制造方法 |
| US8367200B2 (en) | 2007-01-11 | 2013-02-05 | Kobe Steel, Ltd. | Reflecting film excellent in cohesion resistance and sulfur resistance |
| US8864342B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-10-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device and display device having the same |
| WO2013181894A1 (zh) * | 2012-06-05 | 2013-12-12 | 天津天星电子有限公司 | 复合反射板 |
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|---|---|
| JP3544780B2 (ja) | 2004-07-21 |
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