JPH09260905A

JPH09260905A - 伝送線路接続構造

Info

Publication number: JPH09260905A
Application number: JP8069998A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Okumichi; 武宏奥道
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-03-26
Filing date: 1996-03-26
Publication date: 1997-10-03
Anticipated expiration: 2016-03-26
Also published as: JP3301912B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ストリップ線路の接地導体を接続する接続導
体の配列により、マイクロストリップ線路との接続構造
において伝送信号の共振が生じて伝送不良が発生する。【解決手段】マイクロストリップ線路１の信号線３と
ストリップ線路５の信号線７とを接続して成る伝送線路
接続構造において、マイクロストリップ線路１の接地導
体４をストリップ線路５の一方の接地導体８に接続させ
るとともに、ストリップ線路５の他方の接地導体９と一
方の接地導体８とを、マイクロストリップ線路１の信号
線３とストリップ線路５の信号線７との接続部10の両側
で信号の伝送方向に対して垂直な方向に配設した少なく
とも各１個の接続導体11を介して接続する。これにより
共振が生じなくなり、良好な伝送特性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波等の高
周波電気信号の伝送線路における単層線路と多層線路と
の接続構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】高周波半導体素子の収納に用いられる高
周波パッケージにおける高周波電気信号の入出力部など
においては、高周波電気信号の伝送線路であるマイクロ
ストリップ線路（単層線路）とストリップ線路（多層線
路）とを接続するために、マイクロストリップ線路から
ストリップ線路へ、あるいはその逆へ変換して接続する
構造が必要である。

【０００３】このようなマイクロストリップ線路とスト
リップ線路との接続構造としては、マイクロストリップ
線路の接地導体が信号線に対して誘電体を介して対向す
る単一面を成しているのに対し、ストリップ線路の接地
導体が信号線に対して誘電体を介して上下で対向して信
号線を挟み込むような２つの面を成しているため、マイ
クロストリップ線路の単一面の接地導体とストリップ線
路の２つの接地導体のうちの一方とを同一平面で接続
し、ストリップ線路の他方の接地導体は、例えば一方の
接地導体との間に誘電体を貫通するように形成した貫通
穴の内面に金属等の導体を被着させたスルーホール、あ
るいは貫通孔の内部に金属等の導体が充填されたビアホ
ール等を介して電気的に接続される。

【０００４】従来、このようなビアホールは、ストリッ
プ線路の信号線の両側に信号の伝送方向に対して平行な
方向に周期的に多数配置して設けられていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多数の
ビアホール等を信号の伝送方向に対して平行な方向に周
期的に配置した場合、それらビアホール等の配置周期が
信号線を伝送される高周波電気信号の周波数に対して半
波長の整数倍となるときには、ストリップ線路において
ビアホール間の他方の接地導体の電位が定在し、入射波
がこの定在波のために伝搬が妨げられることによって共
振が生じて伝送不良が発生するという問題点があった。

【０００６】また、ストリップ線路の高周波電気信号に
対する伝搬定数が、マイクロストリップ線路における伝
搬とは異なり、ビアホール等の配置の周期に応じて周期
的に変化することとなり、電気長や寄生特性が設計仕様
と合致しなくなって所望の特性が得られなくなるという
問題点もあった。

【０００７】さらに、多数のビアホールを信号の伝送方
向に対して平行な方向に周期的に配置するにはそれらの
ビアホールを精度良く形成する必要があり、また、製造
工程において多数のビアホールを形成することは工数・
時間・コストの面からも好ましくないという問題点もあ
った。

【０００８】本発明者は、上記事情に鑑みて鋭意研究に
努めた結果、マイクロストリップ線路とストリップ線路
とを接続した伝送線路の接続構造において、ストリップ
線路の２つの接地導体の接続箇所を大幅に低減しつつ上
記のような共振による高周波電気信号の伝送不良をなく
すことができる構造を見いだした。

【０００９】本発明は上記知見に基づいて完成されたも
のであり、その目的は、ストリップ線路の２つの接地導
体の接続箇所、すなわちビアホール等の形成数を大幅に
低減することができるとともに、高周波電気信号のビア
ピッチでの定在波による共振の発生を防止して共振によ
る伝送不良を防止し、伝搬定数の周期的な変化をなくし
て良好な伝送特性が得られる伝送線路接続構造を提供す
ることにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の伝送線路接続構
造は、マイクロストリップ線路の信号線とストリップ線
路の信号線とを接続して成る伝送線路接続構造であっ
て、前記マイクロストリップ線路の接地導体を前記スト
リップ線路の一方の接地導体に接続させるとともに、前
記ストリップ線路の他方の接地導体と前記一方の接地導
体とを、前記マイクロストリップ線路の信号線と前記ス
トリップ線路の信号線との接続部の両側で信号の伝送方
向に対して垂直な方向に配設した少なくとも各１個の接
続導体を介して接続したことを特徴とするものである。

【００１１】また、本発明の伝送線路接続構造は、上記
構成の接続構造において前記接続導体のうち前記信号線
の接続部の両側に最も近接した２つの接続導体の長さ
と、その２つの接続導体の間隔との和を、伝送される信
号のうち最高周波数の信号の波長の２分の１以下に設定
したことを特徴とするものである。

【００１２】本発明の伝送線路接続構造によれば、マイ
クロストリップ線路の信号線とストリップ線路の信号線
との接続部において、接続部の両側でそれぞれ信号の伝
送方向に対して垂直な方向に配設した少なくとも各１個
のビアホール等の接続導体を介してストリップ線路の他
方の接地導体と一方の接地導体とを接続したことから、
ストリップ線路の高周波電気信号に対する伝搬定数がビ
アホール等の配置の周期に応じて周期的に変化すること
がなくなり、また、伝送される高周波信号のビアピッチ
での定在波による共振が発生しなくなるので、ストリッ
プ線路の内部における伝送モードが理想的な伝送モード
に近づいて伝送不良をなくすことができ、設計仕様に合
致した所望通りの良好な伝送特性を得ることができるも
のとなる。

【００１３】また、マイクロストリップ線路の一方の接
地導体と共有されたストリップ線路の接地導体は最も接
地状態が安定しているが、接続導体のうち信号線の接続
部の両側に最も近接した２つの接続導体の長さと、その
間の他方の接地導体の間隔との３辺の接地状態は電位変
化が生じやすく、それらの長さと間隔との和が信号の波
長の２分の１程度になる場合には他方の接地導体の信号
線上方に相当する部分が最も電位が高くなって特性イン
ピーダンスのずれが最も大きくなる。これに対し、前記
和が信号の波長の２分の１よりも短かければ共振は生じ
ないことから、本発明の伝送線路接続構造によれば、信
号の伝送方向に対して垂直な方向での共振も生じなくな
るため、接続部からストリップ線路における伝送特性の
悪化を抑制することができ、さらに優れた伝送特性を得
ることができるものとなる。

【００１４】さらに、本発明の伝送線路接続構造によれ
ば、ストリップ線路の２つの接地導体を接続するための
ビアホール等の接続導体を接続部の両側に配置するだけ
で所望の伝送特性が得られるため、それら接続導体の使
用を従来と比較して大幅に低減することができ、製造工
程における工数・時間・コストを大幅に削減できるもの
となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明を詳
細に説明する。

【００１６】図１は本発明の伝送線路接続構造の一実施
例を示す斜視図であり、同図においては中央のストリッ
プ線路の両側にそれぞれ同じ伝送線路接続構造によりマ
イクロストリップ線路を接続した例を示している。ま
た、図２はその信号線と同一平面を示す横断面図、図３
は図１ならびに図２のＡ−Ａ線断面図である。

【００１７】図１〜図３において、１はマイクロストリ
ップ線路であり、誘電体２と、その上面に形成された信
号線３と、その下面に形成された接地導体４とから成
る。５はストリップ線路であり、誘電体２と同様の誘電
体６と、その内部に形成された信号線７と、誘電体６の
下面に形成された一方の接地導体８と、誘電体６の上面
に形成された信号線９とから成り、一方の接地導体８は
マイクロストリップ線路１の接地導体４と同一面上で接
続されている。また、10はマイクロストリップ線路１の
信号線３とストリップ線路５の信号線７との接続部であ
り、この接続部10はストリップ線路５の端部の誘電体６
内部に、マイクロストリップ線路１の信号線３とストリ
ップ線路５の信号線７とのインピーダンス整合のため
に、信号線３からそれより幅の狭い信号線７に向かって
テーパー形状に形成される。そして、11は接続導体であ
り、接続部10の両側で信号の伝送方向に対して垂直な方
向に少なくとも各１個配設されるが、本例では接続部10
の両側にそれぞれ３つずつのビアホールを形成した例を
示している。これら接続導体11によりストリップ線路５
の一方の接地導体８と他方の接地導体９とが電気的に接
続され、他方の接地導体９が接地される。

【００１８】誘電体２および誘電体６としては、例えば
アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等のセラミックやいわゆるガラ
セラ（glass −Ａｌ₂Ｏ₃）、あるいはテフロン（ＰＴ
ＦＥ）・ガラスエポキシ・ポリイミド等の樹脂系材料な
どが用いられる。誘電体２および誘電体６の厚みや幅
は、伝送される高周波電気信号の周波数や特性インピー
ダンスなどにより適宜設定される。

【００１９】マイクロストリップ線路１の信号線３は、
ＣｕやＭｏＭｎ＋Ｃｕ・Ｗ＋Ａｕなどを用いて厚膜印刷
あるいは薄膜形成手段・メッキ処理などの方法により形
成され、その厚みや幅は、例えばマイクロストリップ線
路で比誘電率が９程度のセラミック基板を用いて特性イ
ンピーダンスを50Ωに設計する場合、厚みと幅は同程度
にされる。

【００２０】また、マイクロストリップ線路１の接地導
体４は、上記と同様の材料用いて同様の方法により誘電
体２の下面全面に形成され、その厚みは、例えば厚膜で
あれば約30μｍ程度とされる。

【００２１】一方、ストリップ線路５の誘電体６は上記
誘電体２と同じ材料を用いて同様の方法で形成される
が、このストリップ線路５が例えば高周波パッケージの
入出力部として使用されるため、信号線７を上下から挟
み込むように形成される。ここで、誘電体６の厚みは、
信号線７より下部はマイクロストリップ線路１の誘電体
２の厚みと同じに設定され、信号線７より上部は任意に
設定される。

【００２２】また、ストリップ線路５の信号線７は上記
信号線３と同じ材料を用いて同様の方法により形成さ
れ、その厚みは信号線３と同じに設定されるが、上下を
接地導体８・９により挟んだ誘電体６中に埋設されるこ
とから伝送される高周波電気信号に対する寄生容量が増
加することで特性インピーダンスが低くなるため、信号
線３のインピーダンスと整合させるために、その幅は信
号線３よりも狭く設定される。例えば、本実施例におい
ては幅0.6 ｍｍ程度とされる。

【００２３】ストリップ線路５の一方の接地導体８およ
び他方の接地導体９は、マイクロストリップ線路１の接
地導体４と同じ材料を用いて同様の方法により、それぞ
れ誘電体６の下面および上面の全面に形成される。ま
た、一方の接地導体８の厚みは接地導体４と同じに設定
され、他方の接地導体９の厚みは一般的に一方の接地導
体８と同じに設定される。

【００２４】マイクロストリップ線路１の信号線３とス
トリップ線路５の信号線７との接続部10は、誘電体６の
内部に信号線３および信号線７と同じ材料を用いて同様
の方法で同じ厚みに形成され、前述のように信号線３と
信号線７を接続するテーパー形状に形成される。このテ
ーパーの長さ、すなわち接続部10の長さは、反射波の生
じる度合を小さくする効果が得られるとして一般的に採
用されている範囲内（ほぼ段差状〜２ｍｍ前後）に設定
するとよい。

【００２５】そして、接続導体11は、接続部10の長さの
範囲内で、接続部10の両側で信号の伝送方向に対して垂
直な方向に少なくとも各１個配設される。これにより、
前述のように伝送方向に垂直な方向での共振が抑制され
て伝送不良を防止することができる。また、接続導体11
を信号の伝送方向に対して平行な方向に周期的に配設す
る必要がなくなるので信号線７における伝搬定数の周期
的な変化をなくすことができ、これらにより良好な伝送
特性が得られる伝送線路接続構造となる。

【００２６】この接続導体11としては、接続部10の両側
で信号の伝送方向に対して垂直な方向において一方の接
地導体８と他方の接地導体９とを接続するものであれば
種々の形状や構造のものを用いることができ、例えば、
貫通孔の内側にメッキや導電性ペーストの印刷・焼結な
どの方法により導体金属を被着形成したもの（スルーホ
ール）、あるいは貫通孔の内部に導電性ペーストの印刷
・焼結などの方法により導体金属を充填したビアホー
ル、誘電体６の内部に導体金属から成る導体部材を組み
込んだもの、メタライズ層、前記のスルーホールやビア
ホールの断面形状を円形でなく楕円状、矩形状、多角形
状、板状などの種々の形状としたものなどを用いること
ができる。

【００２７】これらのような接続導体11の配置について
は、接続部10の両側に最も近接した２つの接続導体11の
長さ（図３に示すＬ）と、それら２つの接続導体11の間
隔（図３に示すＷ）との和が、伝送される高周波電気信
号のうち最高の周波数の信号の波長λの２分の１以下に
設定すること、すなわち２Ｌ＋Ｗ≦λ／２に設定するこ
とが好ましく、これにより、前述のように伝送方向に対
して垂直な方向での共振がより効果的に抑制され、伝送
不良を顕著に防止することができる。

【００２８】また、接続部10の両側に最も近接した２つ
の接続導体11の間隔（Ｗ）は、ストリップ線路５の信号
線７の幅の２倍以上に設定することが好ましく、２つの
接続導体11を信号線７に近づけ過ぎると信号線７から見
た容量が増加して接地がとりにくくなる傾向がある。

【００２９】また、接続導体11とストリップ線路５の端
部（マイクロストリップ線路１との接続部10の始まる端
面）との距離は、接続導体11の厚みの２倍以内、接続導
体11がスルーホールあるいはビアホールの場合はその直
径の２倍以内とするのが好ましい。

【００３０】さらに本発明の伝送線路接続構造に対して
は、ストリップ線路５の一方の接地導体８と他方の接地
導体９とを接続する接続導体として、上記構成の接続導
体11とともに、従来の伝送方向に対して平行な方向に周
期的に配列した接続導体を併設してもよい。この場合、
伝搬定数は変化しているが、接続部10が有する共振特性
の共振周波数が高くなるのと信号線７に近い所に接地さ
れた接続導体11が供給されるために接地状態が安定しや
すいことから、ストリップ線路５の伝搬定数の周期的な
変化が低減でき、良好な伝送特性が得られる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の具体例を示す。

【００３２】〔例１〕誘電体として比誘電率が4.3 、厚
みが0.5 ｍｍのガラスエポキシから成る両面銅張基板を
用いて、まず片面をパターニングしてマイクロストリッ
プ線路を作製した。また、同様にしてストリップ線路の
下側を作製し、それに片面銅張基板を重ね合わせ、それ
ら基板に貫通孔を形成して金属棒を挿入した後半田処理
することで両面の接地導体を電気的に接続するビアホー
ルを形成し、ストリップ線路を作製した。なお、接続部
は、マイクロストリップ線路とストリップ線路の下側基
板が同一なので信号線のパターン処理のみにより作製し
た。このようにして、図１〜図３に示した構成の、幅1.
0 ｍｍ×厚み0.025 ｍｍ×長さ2.0 ｍｍの信号線３を有
する幅40ｍｍ×厚み0.5 ｍｍ×長さ2.0 ｍｍのマイクロ
ストリップ線路１と、幅0.6 ｍｍ×厚み0.025 ｍｍ×長
さ20ｍｍの信号線７を有する幅40ｍｍ×厚み1.0 ｍｍ×
長さ20ｍｍのストリップ線路５と、信号線３と信号線７
を接続する接続部10と、接続部10の両側に伝送方向に対
して垂直に配設した４つずつの接続導体（ビアホール）
11から成る、広帯域伝送を目的とした伝送線路変換基板
に対する本発明の伝送線路接続構造Ａを作製した。

【００３３】ここで、ビアホール11は、直径が0.6 ｍ
ｍ、長さＬが1.0 ｍｍ、伝送方向に対して垂直な方向の
配設ピッチが４ｍｍ、接続部10の両側に最も近接した２
つのビアホール11の間隔Ｗが８ｍｍ、ストリップ線路５
の端部からの距離が1.0 ｍｍとなるように設定した。こ
のとき、２Ｌ＋Ｗは10ｍｍであり、伝送される最高の周
波数の信号の波長λの２分の１以下である。

【００３４】上記の伝送線路接続構造Ａについて、45Ｍ
Ｈｚ〜10ＧＨｚの周波数域におけるＳパラメータ（Scat
tering Parameter：散乱パラメータ）として反射特性Ｓ
₁₁および伝送特性Ｓ₂₁を、ベクトルネットワークアナラ
イザを用いて基板固定治具に伝送線路接続構造Ａを固定
し、治具端面での校正を行なって治具から見込んだ特性
として測定した。

【００３５】これらの測定結果を図４に示す。図４
（ａ）は伝送線路接続構造Ａの反射ＳパラメータＳ₁₁の
周波数特性を示すグラフであり、横軸は周波数ｆ〔ＧＨ
ｚ〕を、縦軸はＳ₁₁〔ｄＢ〕を表わし、図中の曲線はｆ
に対するＳ₁₁の変化を示している。また、図４（ｂ）は
同じく伝送ＳパラメータＳ₂₁の周波数特性を示すグラフ
であり、横軸は周波数ｆ〔ＧＨｚ〕を、縦軸はＳ₂₁〔ｄ
Ｂ〕を表わし、図中の曲線はｆに対するＳ₂₁の変化を示
している。これらより分かるように、周波数の高い領域
（８ＧＨｚ以上）におけるビアホール間での共振もわず
かなものであり、伝送周波数域では共振が生じていない
ため伝送されない周波数もなく、伝送特性が極めて良好
である。

【００３６】なお、伝送線路接続構造Ａの作製に際して
接続部10の両側に最も近接した２つのビアホール11の間
隔Ｗを15ｍｍとして２Ｌ＋Ｗが最高周波数のλ／２より
も大きくなるようにしたところ、伝送特性は若干低下し
たものとなったが実用上問題のない良好な特性であっ
た。

【００３７】〔例２〕〔例１〕と同様にして伝送線路接
続構造を作製するのに際し、図２に示した接続導体11に
代えて、図５に示すように、ストリップ線路12において
伝送方向に対して平行な方向に配設した接続導体13を形
成し、比較例の伝送線路接続構造Ｂを得た。図５は図２
と同様の横断面図であり、図２と同様の箇所には同じ符
号を付してある。同図においてストリップ線路12に形成
した接続導体13は、〔例１〕と同様の直径0.6 ｍｍのビ
アホールとし、信号線７を挟んだ距離を38ｍｍ、伝送方
向に対して平行な方向のピッチを４ｍｍ、ストリップ線
路12の側面との距離を1.0 ｍｍとした。

【００３８】この伝送線路接続構造Ｂについて〔例１〕
と同様の測定方法により反射特性Ｓ₁₁および伝送特性Ｓ
₂₁を求めた。その結果を図６に示す。図６（ａ）および
（ｂ）は、それぞれ図４（ａ）および（ｂ）と同様のＳ
₁₁の周波数特性およびＳ₂₁の周波数特性を示すグラフで
ある。

【００３９】これらより分かるように、2.2 ＧＨｚ付近
にはλ／２に相当すると思われる接続部の両側のビアホ
ール間での、また８ＧＨｚ付近には３λ／２に相当する
と思われる接続部の両側のビアホール間での強い共振が
生じており、それにより伝送されない周波数域が存在し
ている。従って、本発明の伝送線路接続構造Ａよりも伝
送特性が劣るものであった。

【００４０】〔例３〕〔例１〕と同様にして伝送線路接
続構造を作製するのに際し、図７に示すように、図２に
示した接続導体11とともに、ストリップ線路14において
〔例２〕と同様の伝送方向に対して平行な方向に配設し
た接続導体13を形成し、本発明の伝送線路接続構造Ｃを
得た。図７は図２および図５と同様の横断面図であり、
図２および図５と同様の箇所には同じ符号を付してあ
る。同図においてストリップ線路14に形成した接続導体
11は〔例１〕と同様のものとし、接続導体13は〔例２〕
と同様のものとした。

【００４１】この伝送線路接続構造Ｃについても〔例
１〕と同様の測定方法により反射特性Ｓ₁₁および伝送特
性Ｓ₂₁を求めた。その結果を図８に示す。図８（ａ）お
よび（ｂ）も、それぞれ図４（ａ）および（ｂ）と同様
のＳ₁₁の周波数特性およびＳ₂₁の周波数特性を示すグラ
フである。

【００４２】これらより分かるように、5.6 ＧＨｚおよ
び4.3 ＧＨｚ付近においてそれぞれ若干の共振が生じて
いるが、伝送線路接続構造Ｂで2.2 ＧＨｚおよび８ＧＨ
ｚにおいて生じていた強い共振ならびにそれによる伝送
されない周波数域は、広帯域伝送を目的とする実用上支
障のないレベルに抑制されている。従って、本発明の伝
送線路接続構造Ｃにおいては、ストリップ線路14の信号
線７の両側に信号の伝送方向に対して平行な方向に周期
的に配設した接地導体13を併設した場合であっても、良
好な伝送特性が得られることが分かる。

【００４３】なお、本発明は以上の具体例に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の
変更・改良を加えることは何ら差し支えない。

【００４４】

【発明の効果】以上のように、本発明の伝送線路接続構
造によれば、マイクロストリップ線路の信号線とストリ
ップ線路の信号線との接続部の両側でそれぞれ信号の伝
送方向に対して垂直な方向に配設した少なくとも各１個
のビアホール等の接続導体を介してストリップ線路の他
方の接地導体と一方の接地導体とを接続したことから、
ストリップ線路の高周波電気信号に対する伝搬定数の周
期的な変化や共振が発生しなくなって伝送不良をなくす
ことができ、設計仕様に合致した所望通りの良好な伝送
特性を得ることができる伝送線路接続構造を提供するこ
とができた。

【００４５】また、本発明の伝送線路接続構造によれ
ば、接続導体のうち信号線の接続部の両側に最も近接し
た２つの接続導体の長さと、その２つの接続導体の間隔
との和を、伝送される信号のうち最高周波数の信号の波
長の２分の１以下に設定することにより、接続部からス
トリップ線路における伝送特性の悪化を効果的に抑制す
ることができ、さらに優れた伝送特性を得ることができ
る伝送線路接続構造を提供することができた。

【００４６】さらに、本発明の伝送線路接続構造によれ
ば、ストリップ線路の２つの接地導体を接続するための
ビアホール等の接続導体を接続部の両側に配置するだけ
で所望の伝送特性が得られるため、それら接続導体の使
用を従来と比較して大幅に低減することができ、製造工
程における工数・時間・コストを大幅に削減できるもの
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の伝送線路接続構造の一実施例を示す斜
視図である。

【図２】図１の信号線と同一平面を示す横断面図であ
る。

【図３】図１ならびに図２のＡ−Ａ線断面図である。

【図４】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の伝送線
路接続構造の一実施例における反射ＳパラメータＳ₁₁お
よび伝送ＳパラメータＳ₂₁の周波数特性を示すグラフで
ある。

【図５】比較例の伝送線路接続構造を示す断面図であ
る。

【図６】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ比較例の伝送線
路接続構造における反射ＳパラメータＳ₁₁および伝送Ｓ
パラメータＳ₂₁の周波数特性を示すグラフである。

【図７】本発明の伝送線路接続構造の他の実施例を示す
断面図である。

【図８】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ本発明の伝送線
路接続構造の他の実施例における反射ＳパラメータＳ₁₁
および伝送ＳパラメータＳ₂₁の周波数特性を示すグラフ
である。

【符号の説明】

１・・・・・マイクロストリップ線路２・・・・・誘電体３・・・・・信号線４・・・・・接地導体５、14・・・ストリップ線路６・・・・・誘電体７・・・・・信号線８・・・・・一方の接地導体９・・・・・他方の接地導体 10・・・・・接続部 11・・・・・接続導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】マイクロストリップ線路の信号線とスト
リップ線路の信号線とを接続して成る伝送線路接続構造
であって、前記マイクロストリップ線路の接地導体を前
記ストリップ線路の一方の接地導体に接続させるととも
に、前記ストリップ線路の他方の接地導体と前記一方の
接地導体とを、前記マイクロストリップ線路の信号線と
前記ストリップ線路の信号線との接続部の両側で信号の
伝送方向に対して垂直な方向に配設した少なくとも各１
個の接続導体を介して接続したことを特徴とする伝送線
路接続構造。
【請求項２】前記接続導体のうち前記信号線の接続部
の両側に最も近接した２つの接続導体の長さと、該２つ
の接続導体の間隔との和を、伝送される信号のうち最高
周波数の信号の波長の２分の１以下に設定したことを特
徴とする請求項１記載の伝送線路接続構造。