JPH09260223A - Anode lead welding device of sintering type capacitor - Google Patents

Anode lead welding device of sintering type capacitor

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JPH09260223A
JPH09260223A JP8068506A JP6850696A JPH09260223A JP H09260223 A JPH09260223 A JP H09260223A JP 8068506 A JP8068506 A JP 8068506A JP 6850696 A JP6850696 A JP 6850696A JP H09260223 A JPH09260223 A JP H09260223A
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JP
Japan
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lead frame
frame
capacitor
anode
lead
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Application number
JP8068506A
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Japanese (ja)
Inventor
Kosuke Nakamura
浩介 中村
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Lincstech Circuit Co Ltd
Original Assignee
Hitachi AIC Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi AIC Inc filed Critical Hitachi AIC Inc
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Publication of JPH09260223A publication Critical patent/JPH09260223A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To use the title device capable of being used in common to capacitor elements of various sizes and reduce the influence of heat during welding. SOLUTION: A lead frame 13 is mounted on a frame guide 40 and a tantalum line 3 of a capacitor element 8 is subjected to laser welding to an anode connection side end part of the lead frame 13. In the frame guide 40, movement can be adjusted freely up and down and the movement of the lead frame 13 in vertical and horizontal directions is regulated, and sucked and held by a patch 57. An area near a laser welding part of the frame guide 40 is formed of a material of high heat conduction rate. The lead frame 13 has a bent part 13b which is bent toward above an anode side connection end part and the tantalum line 3 is welded to an upper end of the bent part 13b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、焼結型コンデンサ
の陽極リード溶接装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anode lead welding apparatus for sintered capacitors.

【0002】[0002]

【従来の技術】焼結型コンデンサとしては、タンタルの
焼結体を陽極金属として用いたタンタル固体電解コンデ
ンサが一般的に広く使用されている。このタンタル固体
電解コンデンサ1は、図6に示すように陽極リード用タ
ンタル線(以下、タンタル線という)3を設けた弁作用
金属からなる多孔質のタンタル焼結体2を備え、その表
面全体に誘電体層4を形成し、さらにその上に二酸化マ
ンガン層5およびカーボン層6を介して陰極層7を形成
することによりコンデンサ素子8としている。また、タ
ンタル焼結体2から突出するタンタル線3の外端部と陰
極層7には陽極端子としての陽極リード9と陰極端子と
しての陰極リード10が接合され、これら両リード9,
10の一部を除く全体をエポキシ樹脂11によるモール
ドによって外装している。
2. Description of the Related Art As a sintered type capacitor, a tantalum solid electrolytic capacitor using a sintered body of tantalum as an anode metal is generally widely used. This tantalum solid electrolytic capacitor 1 is provided with a porous tantalum sintered body 2 made of a valve metal having an anode lead tantalum wire (hereinafter referred to as tantalum wire) 3 as shown in FIG. The dielectric layer 4 is formed, and the cathode layer 7 is further formed on the dielectric layer 4 with the manganese dioxide layer 5 and the carbon layer 6 interposed therebetween to form the capacitor element 8. Further, an anode lead 9 as an anode terminal and a cathode lead 10 as a cathode terminal are bonded to the outer end portion of the tantalum wire 3 protruding from the tantalum sintered body 2 and the cathode layer 7.
The entire part except a part of 10 is covered with a mold made of epoxy resin 11.

【0003】弁作用を有する金属としては、タンタル、
アルミニウム、ニオブ等の金属を用いることができる。
タンタルの場合は、微粉末を焼結し陽極となるタンタル
線3をタンタル多孔体に付けたペレットの形態で用いら
れる。陰極層7は、銀ペーストを塗布して焼成すること
により形成される。陽極リード9は、抵抗溶接法によっ
てタンタル線3に接続され、陰極リード10は、導電性
ペースト12を介して陰極層7に接続される。
As a metal having a valve action, tantalum,
Metals such as aluminum and niobium can be used.
In the case of tantalum, it is used in the form of pellets in which fine powder is sintered and tantalum wire 3 serving as an anode is attached to a tantalum porous body. The cathode layer 7 is formed by applying a silver paste and baking it. The anode lead 9 is connected to the tantalum wire 3 by a resistance welding method, and the cathode lead 10 is connected to the cathode layer 7 via the conductive paste 12.

【0004】このようなタンタル固体電解コンデンサ1
を製造するには、先ずタンタル線3を設けたタンタル微
粉末(粒径約30μm)を圧縮成形し、所定の温度(1
700°C前後)を加え真空中で焼結することにより多
孔質のタンタル焼結体2を作製する。次に、タンタル焼
結体2の表面に陽極酸化によって誘電体層4を形成す
る。この陽極酸化は、図7に示すように予めタンタル線
3の外端部をステンレスやアルミニウムなどの金属から
なる帯状板15に溶接して吊り下げ、タンタル焼結体2
を硝酸、燐酸、酢酸、蓚酸などの酸溶液からなる電解液
16中に浸漬し、帯状板15を陽極、電解液16を陰極
として数V〜数十Vの電圧を印加することによって行
う。
Such a tantalum solid electrolytic capacitor 1
In order to manufacture, the tantalum fine powder provided with the tantalum wire 3 (particle size: about 30 μm) is compression-molded, and the tantalum fine powder is heated to a predetermined temperature (1
A porous tantalum sintered body 2 is produced by adding (about 700 ° C.) and sintering in a vacuum. Next, the dielectric layer 4 is formed on the surface of the tantalum sintered body 2 by anodic oxidation. As shown in FIG. 7, this anodic oxidation is performed by previously welding the outer end portion of the tantalum wire 3 to a strip plate 15 made of a metal such as stainless steel or aluminum and suspending the tantalum wire 3 to obtain the tantalum sintered body 2.
Is immersed in an electrolytic solution 16 made of an acid solution of nitric acid, phosphoric acid, acetic acid, oxalic acid, etc., and a voltage of several V to several tens of V is applied by using the strip plate 15 as an anode and the electrolytic solution 16 as a cathode.

【0005】次に、誘電体膜4が形成されたタンタル焼
結体2に硝酸マンガン液を含浸、付着させた後、200
〜350°Cで加熱して誘電体膜4の上に二酸化マンガ
ンを析出させ、硝酸マンガン液の含浸、付着、熱分解操
作を数回または十数回繰り返すことにより固体電解質層
である二酸化マンガン層5を形成する。
Next, the tantalum sintered body 2 having the dielectric film 4 formed thereon is impregnated with manganese nitrate solution and adhered thereto, and then 200
Manganese dioxide layer which is a solid electrolyte layer by heating at ~ 350 ° C to deposit manganese dioxide on the dielectric film 4 and repeating manganese nitrate solution impregnation, adhesion and thermal decomposition operations several times or ten or more times. 5 is formed.

【0006】次に、カーボンペーストを塗布して乾燥し
カーボン層6を形成する。さらにその上に導電性銀ペー
ストを塗布して乾燥し陰極層7を形成することによりコ
ンデンサ素子8を作製する。その後、図8に示すように
タンタル線3を切断装置17によって切断してコンデン
サ素子8を帯状板15から1個ずつ切り離す。次に、タ
ンタル線3と陰極層7を陽極リード9と陰極リード10
の素材である図6に二点鎖線で示すリードフレーム13
にそれぞれ接続し、コンデンサ素子8全体をトランスフ
ァモールド法により熱硬化性の合成樹脂11でモールド
する。このとき、製品の外形寸法を小さくするためにタ
ンタル線3の突出端部は、1mm以下程度に切り詰めら
れる。そして、合成樹脂11の外部に突出しているリー
ドフレーム13を切り離して陽極リード9と陰極リード
10を形成するとともにこれら両リード9,10の突出
端部を所定形状に折り曲げると、図6に示す焼結型コン
デンサ1が完成する。
Next, a carbon paste is applied and dried to form a carbon layer 6. Further, a conductive silver paste is applied on it and dried to form a cathode layer 7, whereby a capacitor element 8 is manufactured. Thereafter, as shown in FIG. 8, the tantalum wire 3 is cut by the cutting device 17 to separate the capacitor elements 8 from the strip plate 15 one by one. Next, the tantalum wire 3 and the cathode layer 7 are connected to the anode lead 9 and the cathode lead 10.
6 which is a material of the lead frame 13 shown by a chain double-dashed line in FIG.
, And the entire capacitor element 8 is molded with a thermosetting synthetic resin 11 by a transfer molding method. At this time, the protruding end portion of the tantalum wire 3 is cut down to about 1 mm or less in order to reduce the external dimensions of the product. Then, the lead frame 13 protruding to the outside of the synthetic resin 11 is separated to form the anode lead 9 and the cathode lead 10, and the projecting end portions of these both leads 9 and 10 are bent into a predetermined shape. The type capacitor 1 is completed.

【0007】なお、図8において、18は帯状板15を
支持するガイドレール、19はコンデンサ素子8を吸引
保持するチャックである。また、タンタル線3の切断、
リードフレーム13の折り曲げ、接合、分離、陽極リー
ド9,陰極リード10の折り曲げ等の作業は、一台の陽
極リード溶接装置によって連続的に行われる。
In FIG. 8, reference numeral 18 is a guide rail that supports the strip plate 15, and 19 is a chuck that holds the capacitor element 8 by suction. Also, cutting the tantalum wire 3,
Operations such as bending, joining, separation of the lead frame 13 and bending of the anode lead 9 and the cathode lead 10 are continuously performed by one anode lead welding device.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記した通り、焼結型
コンデンサ1を製造する場合、タンタル線3の切断、リ
ードフレーム13の折り曲げ、接合、分離、陽極リード
9,陰極リード10の折り曲げ作業等を一台の陽極リー
ド溶接装置によって連続的に行っている。ただし、この
溶接装置は、一般に各サイズ毎の専用機になっており、
各種サイズの製品に対して共通に使用できないという問
題があった。その理由は、各種サイズの製品毎に溶接位
置、高さ、リードフレームの幅等が異なり、フレームガ
イド、プレス機械の交換、調整作業等に時間を要するか
らである。そのため、装置の台数が増加するばかりか、
各装置の稼動率にばらつきが生じる。
As described above, when manufacturing the sintered capacitor 1, the tantalum wire 3 is cut, the lead frame 13 is bent, joined, separated, and the anode lead 9 and the cathode lead 10 are bent. Is continuously performed by one anode lead welding device. However, this welding device is generally a dedicated machine for each size,
There is a problem that it cannot be commonly used for products of various sizes. The reason is that the welding position, height, width of the lead frame, etc. are different for each product of various sizes, and it takes time to replace the frame guide, the press machine, and the adjustment work. Therefore, not only the number of devices increases,
The operating rate of each device varies.

【0009】また、タンタル線3をリードフレーム13
に抵抗溶接する場合は、リードフレーム13の陰極側接
続端部13aを下方にL字状に折り曲げ、溶接時にその
上にコンデンサ素子8を載置する必要があるので、リー
ドフレーム13をフレームガイドに沿って搬送する際、
安定性が悪いため搬送トラブルが発生し易く、装置の稼
動率が低い。また、リードフレーム13にタンタル線3
を抵抗溶接するときには熱を利用するが、高熱がタンタ
ル線3を通ってタンタル焼結体2に伝わると、誘電体膜
4が損傷してコンデンサの漏れ電流が大きくなる。
Further, the tantalum wire 3 is attached to the lead frame 13
When resistance welding is performed on the lead frame 13, it is necessary to bend the cathode-side connecting end portion 13a of the lead frame 13 downward into an L-shape and place the capacitor element 8 thereon during welding. When carrying along
Due to poor stability, transport problems are likely to occur and the operating rate of the device is low. Also, the tantalum wire 3 is attached to the lead frame 13.
When resistance welding is performed, heat is used, but when high heat is transmitted to the tantalum sintered body 2 through the tantalum wire 3, the dielectric film 4 is damaged and the leakage current of the capacitor increases.

【0010】そこで、リードフレーム13の形状、フレ
ームガイド、溶接方法等について種々の検討を行なった
結果、フレームガイドを上下方向に移動調整可能に設け
ると、各種サイズの製品に対して適用でき、汎用性の高
い装置とすることができることを突き止めた。また、タ
ンタル線の溶接に際しては、リードフレーム13の陰極
側接続端部13aを下方に折り曲げ加工する代わりに陽
極側接続端部を上方に折り曲げると、レーザー溶接を採
用することができ、またリードフレームを安定した状態
で搬送することができることが判明した。また、高熱伝
導率の材質でフレームガイドを製作し、溶接時の熱をリ
ードフレームを介してフレームガイドに逃がすようにす
ると、溶接点をタンタル焼結体に近づけても熱的影響が
少なく、コンデンサの漏れ電流を小さくできることが判
った。さらに、リードフレームをフレームガイドに吸着
させると、熱的影響のばらつきが小さくなることも判っ
た。さらに、数種のサイズのコンデンサに対して共通に
用いるためには、リードフレーム用プレス機械の金型も
交換が必要となる。これに対しては金型をダイセット方
式とし、ワンタッチで交換可能とすればよい。
Therefore, as a result of various studies on the shape of the lead frame 13, the frame guide, the welding method, etc., if the frame guide is provided so as to be vertically movable, it can be applied to products of various sizes, and can be used for general purposes. It has been found that the device can be made highly flexible. Further, when welding the tantalum wire, laser welding can be adopted by bending the anode-side connecting end 13a upward instead of bending the cathode-side connecting end 13a of the leadframe 13 downward. It has been found that can be transported in a stable state. Also, if the frame guide is made of a material with high thermal conductivity and the heat during welding is released to the frame guide via the lead frame, the thermal effect is small even if the welding point is close to the tantalum sintered body, and the capacitor It was found that the leakage current of can be reduced. Further, it was also found that when the lead frame is attracted to the frame guide, variations in thermal influence are reduced. Further, in order to commonly use the capacitors of several sizes, it is necessary to replace the die of the lead frame press machine. On the other hand, the die may be a die-set type and can be replaced with one touch.

【0011】本発明は上記した従来の問題点に鑑みてな
されたもので、その目的とするところは、各種サイズの
コンデンサ素子に対して共通に使用することができ、ま
たリードフレームを安定した状態で搬送し、溶接時の熱
による影響を低減することができるようにした焼結型コ
ンデンサの陽極リード溶接装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is that it can be commonly used for capacitor elements of various sizes and that the lead frame is in a stable state. An object of the present invention is to provide an anode lead welding device for a sintered capacitor, which is transported by the method of (1) and can reduce the influence of heat during welding.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る焼結型コンデンサの陽極リード溶接装置
は、帯状板からタンタル線を切断してコンデンサ素子を
前記帯状板から順次分離し、このコンデンサ素子を溶接
位置に搬送し、前記タンタル線をリードフレームの陽極
側接続端部に溶接する焼結型コンデンサの陽極リード溶
接装置において、前記リードフレームの陽極側接続端部
に上方に向かって折り曲げられた折曲部を設け、このリ
ードフレームを高さ調整可能なフレームガイド上に設置
して吸引保持し、前記コンデンサ素子をリードフレーム
上に載せてタンタル線を前記折曲部にレーザー溶接する
ことを特徴とする。また、本発明は、フレームガイドの
少なくとも溶接部近傍を相対的に熱伝導率が高い材質で
形成したことを特徴とする。また、本発明は、フレーム
ガイドの上面に開口する吸引用穴を設け、この吸引用穴
を真空装置に接続したことを特徴とする。さらに、本発
明は、フレームガイド上にリードフレームの幅方向の移
動を規制する当板を設けたことを特徴とする。
In order to achieve the above object, an anode lead welding apparatus for a sintered type capacitor according to the present invention cuts a tantalum wire from a strip plate to sequentially separate the capacitor elements from the strip plate. In an anode lead welding apparatus for a sintered capacitor, which conveys the capacitor element to a welding position and welds the tantalum wire to the anode side connecting end of the lead frame, the anode lead connecting device of the lead frame is directed upward. The lead frame is installed on a frame guide whose height can be adjusted and held by suction, and the capacitor element is placed on the lead frame and the tantalum wire is laser welded to the bent part. It is characterized by doing. Further, the present invention is characterized in that at least the vicinity of the welded portion of the frame guide is formed of a material having a relatively high thermal conductivity. Further, the present invention is characterized in that a suction hole opened on the upper surface of the frame guide is provided, and the suction hole is connected to a vacuum device. Furthermore, the present invention is characterized in that a contact plate for restricting movement of the lead frame in the width direction is provided on the frame guide.

【0013】本発明において、フレームガイドは高さ調
整されることにより大きさが異なる各種サイズのコンデ
ンサ素子のタンタル線の溶接を可能にする。タンタル線
はリードフレームの陽極側接続端部に設けた折曲部にレ
ーザー溶接される。リードフレームの折曲部は、タンタ
ル線の溶接時に陰極層が接続されるリードフレームの陰
極側接続端部の折り曲げ加工を不要にする。フレームガ
イドはリードフレームを吸引保持し、溶接時の熱を逃が
す。当板はリードフレームの上下および幅方向の移動を
規制する。
In the present invention, the height of the frame guide is adjusted to enable welding of tantalum wires of various sizes of capacitor elements. The tantalum wire is laser-welded to the bent portion provided on the anode side connection end of the lead frame. The bent portion of the lead frame makes it unnecessary to bend the cathode-side connecting end portion of the lead frame to which the cathode layer is connected when welding the tantalum wire. The frame guide holds the lead frame by suction and releases heat during welding. This plate regulates the vertical and widthwise movement of the lead frame.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態に基づ
いて詳細に説明する。図1は本発明に係る陽極リード溶
接装置によって製造された焼結コンデンサの断面図、図
2は同陽極リード接続装置の外観斜視図、図3(a),
(b)はタンタル線の溶接時の状態を示す平面図および
正面図、図4はフレームガイドの斜視図、図5は同フレ
ームガイドの断面図である。なお、従来技術の欄で説明
した構成部材等と同一のものについては同一符号をもっ
て示し、その説明を省略する。図1において、タンタル
線3は、陽極リード9の接続側端部にこれと直交するよ
うにレーザー溶接されている。このため、陽極リード9
の接続側端部には、タンタル線3に対して直交するよう
に下方に向かって折り曲げられた折曲部9aが設けられ
ている。一方、陰極リード10は、陰極層7と平行で合
成樹脂11内に位置する直線部10Aと、合成樹脂11
から突出しその外側面に沿って折り曲げられたL字状の
折曲部10Bとで構成されている。その他の構成は、図
6に示した従来の焼結型コンデンサ1と同一である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments. FIG. 1 is a sectional view of a sintered capacitor manufactured by the anode lead welding apparatus according to the present invention, FIG. 2 is an external perspective view of the anode lead connecting apparatus, FIG.
(B) is a plan view and a front view showing a state of welding the tantalum wire, FIG. 4 is a perspective view of the frame guide, and FIG. 5 is a sectional view of the frame guide. In addition, the same components as those described in the section of the prior art are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. In FIG. 1, the tantalum wire 3 is laser-welded to the connection side end of the anode lead 9 so as to be orthogonal to this. Therefore, the anode lead 9
A bent portion 9a that is bent downward so as to be orthogonal to the tantalum wire 3 is provided at the connection side end portion of the. On the other hand, the cathode lead 10 includes a straight portion 10A located in the synthetic resin 11 in parallel with the cathode layer 7 and a synthetic resin 11
And an L-shaped bent portion 10B that is protruded from and bent along the outer side surface thereof. Other configurations are the same as those of the conventional sintered capacitor 1 shown in FIG.

【0015】次に、上記した焼結型コンデンサの製造方
法および陽極リード溶接装置について詳述する。先ず、
通常の方法によってコンデンサ素子8を作製する。すな
わち、タンタル線3を設けたタンタル微粉末を圧縮成形
し、所定温度で焼結することにより多孔質のタンタル焼
結体2を作製する。タンタル焼結体2に設けたタンタル
線3の突出端部を帯状板15(図7参照)の側端部に溶
接する。陽極酸化法によってタンタル焼結体2の表面に
誘電体層4を形成する。誘電体層4の上に陰極層7を形
成してコンデンサ素子8を作製する。
Next, the method for manufacturing the above-mentioned sintered capacitor and the anode lead welding apparatus will be described in detail. First,
The capacitor element 8 is manufactured by a usual method. That is, the tantalum fine powder provided with the tantalum wire 3 is compression-molded and sintered at a predetermined temperature to produce the porous tantalum sintered body 2. The protruding end of the tantalum wire 3 provided on the tantalum sintered body 2 is welded to the side end of the strip plate 15 (see FIG. 7). The dielectric layer 4 is formed on the surface of the tantalum sintered body 2 by the anodic oxidation method. A cathode layer 7 is formed on the dielectric layer 4 to produce a capacitor element 8.

【0016】このようにして作製された帯状板付きのコ
ンデンサ素子8を図2に示す陽極リード接続装置30の
ストッカ31に供給する。ストッカ31内の帯状板15
は、1つずつ帯状板搬送部32に搬送され、切断部33
において図7に示した切断装置17によりタンタル線3
を切断することによりコンデンサ素子8を帯状板15か
ら一つずつ分離する。分離されたコンデンサ素子8は、
ペレットチャック搬送機構34によって吸引保持され溶
接位置41に搬送されると、リードフレーム13上に載
置される。
The capacitor element 8 with the strip-shaped plate thus manufactured is supplied to the stocker 31 of the anode lead connecting device 30 shown in FIG. Strip plate 15 in stocker 31
Are conveyed one by one to the strip-shaped plate conveying unit 32, and the cutting unit 33
At the cutting device 17 shown in FIG.
The capacitor elements 8 are separated from the strip plate 15 one by one by cutting. The separated capacitor element 8 is
When it is sucked and held by the pellet chuck transport mechanism 34 and transported to the welding position 41, it is placed on the lead frame 13.

【0017】リードフレーム13は帯状体からなり、ア
ンコイラー35から繰り出されるとプレス機械36によ
って所要の形状に折り曲げ加工される。この折り曲げ加
工は、リードフレーム13の陽極側接続端部を折り曲げ
るもので、これにより図3、図5に示すように上方に略
直角に折り曲げられた折曲部13bが設けられる。プレ
ス機械36は、金型をダイセット方式とし、幅、板厚が
異なる各種のリードフレーム13に対して共通に使用で
きるように交換可能にしている。
The lead frame 13 is made of a strip, and when it is fed from the uncoiler 35, it is bent by a press machine 36 into a desired shape. This bending process is to bend the anode side connection end of the lead frame 13, and as a result, as shown in FIGS. 3 and 5, a bent portion 13b bent upward at a substantially right angle is provided. The press machine 36 uses a die set die, and is exchangeable so that it can be commonly used for various lead frames 13 having different widths and plate thicknesses.

【0018】次に、ポッティング部37においてリード
フレーム13の陰極側接続端部13aの上面に導電性銀
ペースト12を供給した後、リードフレームカット部3
8でリードフレーム13の両側端部に陽極リード9と陰
極リード10を形成するための溝を形成する。溝が形成
されたリードフレーム13はフレームガイド40の上に
載置され第1、第2ローダ39a,39bによりフレー
ムガイド40(後述する)上を移動して溶接位置41に
搬送される。溶接位置41において、前記チャック搬送
機構34によって搬送されるコンデンサ素子8は、リー
ドフレーム13の陰極側接続端部13a上に導電ペース
ト12を介して載置され、タンタル線3の先端部が図3
(a)に示すように前記折曲部13bの上端面に設けた
V字状の溝42に上方から挿入される。また、この溶接
位置41にはレーザー装置としてYAGレーザー43が
設けられており、そのレーザ光を光学系44によって溶
接箇所に導き、タンタル線3をリードフレーム13の折
曲部13bに溶接する。
Next, after the conductive silver paste 12 is supplied to the upper surface of the cathode side connecting end portion 13a of the lead frame 13 in the potting portion 37, the lead frame cut portion 3 is formed.
At 8, the grooves for forming the anode lead 9 and the cathode lead 10 are formed at both end portions of the lead frame 13. The lead frame 13 in which the groove is formed is placed on the frame guide 40, moved on the frame guide 40 (described later) by the first and second loaders 39a and 39b, and conveyed to the welding position 41. At the welding position 41, the capacitor element 8 conveyed by the chuck conveying mechanism 34 is placed on the cathode side connecting end portion 13a of the lead frame 13 via the conductive paste 12, and the tip end portion of the tantalum wire 3 is arranged as shown in FIG.
As shown in (a), it is inserted from above into a V-shaped groove 42 provided in the upper end surface of the bent portion 13b. Further, a YAG laser 43 is provided as a laser device at the welding position 41, and the laser beam is guided to a welding position by an optical system 44 to weld the tantalum wire 3 to the bent portion 13b of the lead frame 13.

【0019】YAGレーザー43の出力エネルギとして
は、1〜15J/Pとする。また、レーザービームの径
を溶接箇所で0.15〜1φmmとし、タンタル線径の
1〜3倍に制御する。光学系44としては、光ファイバ
と集光レンズが用いられる。また、画像観察装置を付加
しておくと、レーザービームによる溶接箇所を観察する
ことができる。
The output energy of the YAG laser 43 is 1 to 15 J / P. Further, the diameter of the laser beam is set to 0.15 to 1 mm in the welded portion and is controlled to 1 to 3 times the tantalum wire diameter. An optical fiber and a condenser lens are used as the optical system 44. Further, by adding an image observation device, it is possible to observe the welded portion by the laser beam.

【0020】リードフレーム13への溶接が終了する
と、コンデンサ素子8は排出部46を経てアンローダ4
7に集められ、その後トランスファモールド法によって
コンデンサ素子8をエポキシ樹脂11でモールドする。
最後にエポキシ樹脂11から突出しているリードフレー
ム13を切り離して個々の陽極リード9および陰極リー
ド10とし、さらにその突出端部を合成樹脂11の外側
面に沿って所定形状に折り曲げ、もって図1に示す焼結
型コンデンサ1の製造を完了する。
When the welding to the lead frame 13 is completed, the capacitor element 8 passes through the discharging portion 46 and then the unloader 4
7 and then the capacitor element 8 is molded with epoxy resin 11 by the transfer molding method.
Finally, the lead frame 13 protruding from the epoxy resin 11 is separated to form individual anode leads 9 and cathode leads 10, and the projecting end portions are further bent along the outer surface of the synthetic resin 11 into a predetermined shape. The manufacture of the sintered capacitor 1 shown is completed.

【0021】リードフレーム13を溶接位置41に搬送
するためのフレームガイド40は、図4および図5に示
すようにリードフレーム13の搬送方向に長く形成され
た浅底長箱型の本体40Aと、この本体40Aの上面を
気密に覆う上板40Bと、上板40Bの一側縁側に止め
ねじ56によって固定された当板57とで構成されてい
る。本体40Aの内部は、可動性を有するパイプ58に
よって真空装置59に接続されている。また、本体40
Aは駆動モータ60によって上下動されるように構成さ
れている。上板40Bは、熱伝導率が高い、具体的には
11W/mK以上の材質によって形成され、上面が前記
リードフレーム13の摺動面を形成し、本体40Aの内
部と連通する複数の吸引用穴61を有している。熱伝導
率の高い材質で形成した理由は、溶接時の熱をタンタル
線3を経てフレームガイド40側に逃がすためである。
熱伝導率が11W/mK以下であると、熱放散効果が少
ないので好ましくない。ただし、上板40Aとしては、
全体が熱伝導率の高い材質で形成されるものに限らず、
溶接部近傍が他の部分に比べて相対的に高い材質で形成
されるものでもよい。リードフレーム13は、折曲部1
3bを上にしてフレームガイド上板40B上を搬送さ
れ、溶接位置に搬送されると真空装置59により本体4
0A内が減圧されることにより、上板40B上に吸引保
持される。
A frame guide 40 for transporting the lead frame 13 to the welding position 41 is a shallow bottom box-shaped main body 40A formed long in the transport direction of the lead frame 13, as shown in FIGS. An upper plate 40B that hermetically covers the upper surface of the main body 40A and a contact plate 57 fixed to one edge of the upper plate 40B by a set screw 56 are provided. The inside of the main body 40A is connected to a vacuum device 59 by a movable pipe 58. Also, the main body 40
A is configured to be moved up and down by a drive motor 60. The upper plate 40B is made of a material having a high thermal conductivity, specifically, 11 W / mK or more, and the upper surface thereof forms the sliding surface of the lead frame 13, and a plurality of suction members that communicate with the inside of the main body 40A. It has a hole 61. The reason why it is made of a material having a high thermal conductivity is that the heat at the time of welding is released to the frame guide 40 side through the tantalum wire 3.
When the thermal conductivity is 11 W / mK or less, the heat dissipation effect is small, which is not preferable. However, as the upper plate 40A,
Not only is the whole made of a material with high thermal conductivity,
The vicinity of the welded portion may be made of a material relatively higher than the other portions. The lead frame 13 has a bent portion 1
When it is conveyed on the frame guide upper plate 40B with 3b facing upward and is conveyed to the welding position, the main body 4 is moved by the vacuum device 59.
By depressurizing the inside of 0A, it is suction-held on the upper plate 40B.

【0022】上板40Bの上面両側部には、側壁部6
2,63が一体に突設されており、その一方、例えば側
壁部62の内側面がリードフレーム13に対する基準面
を形成している。また、この側壁部62の内側面下部に
はリードフレーム13の端部が挿入される溝64が形成
されている。もう一方の側壁部63は、前記当板57の
固定部として用いられる。当板57は、リードフレーム
13の前記側壁部62側とは反対側端部を覆うことによ
りリードフレーム13の幅方向の移動を規制するととも
に前記溝64とともに上下方向の移動を規制する。その
ため、当板57の下面には、リードフレーム13の板厚
と略等しい深さの溝67が形成されている。この場合、
リードフレーム13の幅は、コンデンサの大きさに応じ
て異なるので、溝67の幅が異なる各種の当板57を用
意しておくと、各種のリードフレーム13に対してフレ
ームガイド40を共通に使用することができる。また、
フレームガイド40は、上記した通り駆動モータ60の
駆動によって高さ調整されるので、各種サイズのコンデ
ンサに対して共通に使用し得る。すなわち、コンデンサ
の大小によってタンタル焼結体2の高さが異なる。した
がって、コンデンサ素子8をフレーム13上に載置した
とき、リードフレーム13の上面からタンタル線3まで
の高さも異なる。そこで、フレームガイド40の高さを
タンタル素子8の大きさに応じて調整し、タンタル線3
の溶接位置をレーザービームの焦点位置に移動調整す
る。
Side wall portions 6 are formed on both sides of the upper surface of the upper plate 40B.
2, 63 are integrally projected, and on the other hand, for example, the inner side surface of the side wall portion 62 forms a reference surface for the lead frame 13. Further, a groove 64 into which the end portion of the lead frame 13 is inserted is formed in the lower portion of the inner side surface of the side wall portion 62. The other side wall portion 63 is used as a fixing portion for the contact plate 57. The contact plate 57 covers the end portion of the lead frame 13 on the side opposite to the side wall portion 62 side, thereby restricting the movement of the lead frame 13 in the width direction and the groove 64 together with the groove 64. Therefore, a groove 67 having a depth substantially equal to the plate thickness of the lead frame 13 is formed on the lower surface of the contact plate 57. in this case,
Since the width of the lead frame 13 varies depending on the size of the capacitor, if various abutting plates 57 having different widths of the grooves 67 are prepared, the frame guide 40 is commonly used for the various lead frames 13. can do. Also,
Since the height of the frame guide 40 is adjusted by driving the drive motor 60 as described above, the frame guide 40 can be commonly used for capacitors of various sizes. That is, the height of the tantalum sintered body 2 differs depending on the size of the capacitor. Therefore, when the capacitor element 8 is placed on the frame 13, the height from the upper surface of the lead frame 13 to the tantalum wire 3 is also different. Therefore, the height of the frame guide 40 is adjusted according to the size of the tantalum element 8, and the tantalum wire 3 is adjusted.
Adjust the welding position of to the focal position of the laser beam.

【0023】このように、本発明においては、リードフ
レーム13の陽極側接続端部に上方に折り曲げられた折
曲部13bを設け、この折曲部13bにタンタル線3を
直交するようにレーザー溶接するようにしたので、リー
ドフレーム13の陰極側接続端部13aを下方に折り曲
げる必要がなく、リードフレーム13を安定した状態で
搬送することができる。
As described above, in the present invention, the bent portion 13b bent upward is provided at the anode side connection end of the lead frame 13, and the laser welding is performed so that the tantalum wire 3 is orthogonal to the bent portion 13b. Therefore, it is not necessary to bend the cathode-side connecting end portion 13a of the lead frame 13 downward, and the lead frame 13 can be conveyed in a stable state.

【0024】また、本発明においては、フレームガイド
40を上下動自在に設けたので、サイズの異なるコンデ
ンサ素子に対して対応でき、装置の汎用性を向上させる
ことができる。その場合、リードフレーム13の幅もコ
ンデンサ素子8のサイズによって異なるので、溝67の
長さが異なる当板57をリードフレームに応じて交換す
ればよい。また、上板40Bを熱伝導性の高い材料で製
作しているので、溶接時の熱を効果的に放散させること
ができ、コンデンサ素子8への影響を少なくすることが
できる。したがって、コンデンサの漏れ電流を少なくす
ることができる。さらに、フレームガイド40の内部を
減圧してリードフレーム13を上板40Bの上面で吸引
保持するようにしているので、リードフレーム13を所
定位置に確実に固定することができ、しかもリードフレ
ーム13が上板4Bの上面に密接していると、溶接時の
熱のばらつきを小さくすることができる。
Further, in the present invention, since the frame guide 40 is provided so as to be movable up and down, it is possible to cope with capacitor elements having different sizes and the versatility of the apparatus can be improved. In that case, since the width of the lead frame 13 also differs depending on the size of the capacitor element 8, the contact plate 57 having different lengths of the grooves 67 may be replaced according to the lead frame. Further, since the upper plate 40B is made of a material having a high thermal conductivity, it is possible to effectively dissipate heat during welding and reduce the influence on the capacitor element 8. Therefore, the leakage current of the capacitor can be reduced. Further, since the inside of the frame guide 40 is decompressed and the lead frame 13 is sucked and held on the upper surface of the upper plate 40B, the lead frame 13 can be securely fixed at a predetermined position, and the lead frame 13 The close contact with the upper surface of the upper plate 4B can reduce the variation in heat during welding.

【0025】また、プレス機械36の金型をダイセット
タイプとし、コンデンサ素子8の大きさに応じて各種金
型との交換を可能にしているので、装置を汎用機として
使用することができる。また、溶接に際しては、レーザ
ービームを位置調整機構によリードフレーム13の搬送
方向と直交する方向および上下方向に移動させてその焦
点位置を画像観察装置によって観察するようにすると、
所定の溶接箇所をより正確に溶接することができる。ま
た、1〜15J/PのYAGレーザー光を用いると、不
良発生率が小さくなることが判った。
Further, since the die of the press machine 36 is a die set type and it can be exchanged with various dies according to the size of the capacitor element 8, the apparatus can be used as a general-purpose machine. Further, during welding, when the laser beam is moved by the position adjusting mechanism in the direction orthogonal to the transport direction of the lead frame 13 and in the vertical direction and the focus position is observed by the image observation device,
It is possible to weld a predetermined welding spot more accurately. Further, it was found that the defect occurrence rate becomes smaller when the YAG laser light of 1 to 15 J / P is used.

【0026】以下、実施例を示して本発明をさらに詳し
く説明する。
The present invention will be described in more detail below with reference to examples.

【実施例】【Example】

実施例1 表1に示す4種類の多孔質タンタル焼結体2を用いて定
格電圧10V、静電容量1〜100μFのコンデンサ素
子を造り、上記した陽極リード溶接装置を用いてコンデ
ンサ素子をリードフレーム上に設置し、タンタル線をリ
ードフレームにレーザー溶接するとともに陰極層をリー
ドフレーム13に導電性ペーストを介して接続し、コン
デンサ素子を合成樹脂で外装した後リードフレームを切
断して陽極リードと陰極リードとし、図1に示したよう
な焼結型コンデンサを製作した。リードフレームは、予
めダイセット方式の金型を用いてコンデンサ素子の大き
さに応じて曲げ加工されることにより溝42を有する折
曲部13bが陽極側接続端部に一体に設けられる。リー
ドフレーム13としては、幅寸法が15mmと20mm
のものを使用したが、16mmのものを搬送するときに
は約4mm幅用の当板57を上板40B上に取り付け
た。また、上板40Bの溶接部近傍を熱伝導率の高い材
材料、例えば1.5Fe−0.8Co−0.6Sn−9
7Cu合金で製作した。フレームガイド40を駆動モー
タ60によって最大0.65mm降下させた。なお、レ
ーザー照射の焦点位置の微調整は、レーザー装置の位置
調整機構によって行い、焦点を溶接部に一致させた後は
位置調整機構を係止機構によって係止する。レーザー出
力は表1に併記したようにタンタル線の太さによって適
正値を設定して行なった。各コンデンサ素子2000個
についてタンタル線のレーザー溶接を行い、溶接部の外
観検査を実施したが、不良品はなく工業的に実用できる
ことが判った。
Example 1 A capacitor element having a rated voltage of 10 V and an electrostatic capacity of 1 to 100 μF was manufactured using the four types of porous tantalum sintered bodies 2 shown in Table 1, and the capacitor element was used as a lead frame using the above-mentioned anode lead welding apparatus. Installed on top, laser welding the tantalum wire to the lead frame and connecting the cathode layer to the lead frame 13 via a conductive paste, and after covering the capacitor element with synthetic resin, cutting the lead frame to cut the anode lead and cathode. Using the lead as a lead, a sintered capacitor as shown in FIG. 1 was manufactured. The lead frame is preliminarily bent using a die-set type die according to the size of the capacitor element, and thereby the bent portion 13b having the groove 42 is integrally provided at the anode-side connection end portion. The width of the lead frame 13 is 15 mm and 20 mm.
Although the one of 16 mm was used, a contact plate 57 for a width of about 4 mm was attached on the upper plate 40B when conveying a 16 mm one. In addition, a material having a high thermal conductivity, such as 1.5Fe-0.8Co-0.6Sn-9, is provided near the welded portion of the upper plate 40B.
Made of 7Cu alloy. The frame guide 40 was lowered by the drive motor 60 at a maximum of 0.65 mm. The fine adjustment of the focal position of laser irradiation is performed by the position adjusting mechanism of the laser device, and after the focus is aligned with the welded portion, the position adjusting mechanism is locked by the locking mechanism. The laser output was set at an appropriate value depending on the thickness of the tantalum line as shown in Table 1. Laser welding of tantalum wire was performed on 2000 capacitors of each capacitor element, and appearance inspection of the welded portion was carried out.

【0027】[0027]

【表1】 [Table 1]

【0028】実施例2 直径0.25mmのタンタル線を設けた1.3×2,2
mm×2.6mmのタンタル焼結体を用いて定格電圧1
0V、静電容量22μFのコンデンサ素子を作製した。
このコンデンサ素子を図2に示す陽極リード溶接装置を
用い、フレームガイド40の溶接部近傍を表2に示す材
質とし、各1000個レーザー溶接した後、合成樹脂に
よって外装を施した。このときの不良発生率を表2に示
す。熱伝導率が小さい材質で製作したフレームガイドを
用いてレーザー溶接したものは、特に漏れ電流が大き
く、不良品の発生が多いことが判った。なお、レーザー
出力は、2.2J/Pとし、タンタル焼結体とタンタル
線の溶接部との間隔が0.5mmとなるようにして溶接
した。
Example 2 1.3 × 2,2 provided with a tantalum wire having a diameter of 0.25 mm
Rated voltage 1 using a tantalum sintered body of mm x 2.6 mm
A capacitor element having 0 V and a capacitance of 22 μF was manufactured.
Using the anode lead welding apparatus shown in FIG. 2, the capacitor element was made of the materials shown in Table 2 in the vicinity of the welded portion of the frame guide 40, laser-welded for each 1000 pieces, and then covered with a synthetic resin. The defect occurrence rate at this time is shown in Table 2. It was found that the laser welding using a frame guide made of a material having a low thermal conductivity has a large leakage current and often causes defective products. The laser output was 2.2 J / P, and welding was performed so that the interval between the tantalum sintered body and the welded portion of the tantalum wire was 0.5 mm.

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】実施例3 実施例2と同じコンデンサ素子を用い、図2に示す陽極
リード溶接装置を用いて実施例2と同様にコンデンサを
各1000個造った。なお、溶接部近傍のフレームガイ
ドの材質として、炭化珪素セラミックス製のものを用い
た。リードフレームを搬送するフレームガイドの上面に
コンデンサ素子を吸着しない場合は、表3に示すように
不良発生率が大きくなった。
Example 3 Using the same capacitor element as in Example 2 and using the anode lead welding apparatus shown in FIG. 2, 1000 capacitors were produced in the same manner as in Example 2. The material of the frame guide near the weld was made of silicon carbide ceramics. When the capacitor element was not adsorbed on the upper surface of the frame guide that conveys the lead frame, as shown in Table 3, the defect occurrence rate increased.

【0031】[0031]

【表3】 [Table 3]

【0032】[0032]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る焼結型
コンデンサの陽極リード溶接装置は、帯状板からタンタ
ル線を切断してコンデンサ素子を前記帯状板から順次分
離し、このコンデンサ素子を溶接位置に搬送し、前記タ
ンタル線をリードフレームの陽極側接続端部に溶接する
焼結型コンデンサの陽極リード溶接装置において、前記
リードフレームの陽極側接続端部に上方に向かって折り
曲げられた折曲部を設け、このリードフレームを高さ調
整可能なフレームガイド上に設置して吸引保持し、前記
コンデンサ素子をリードフレーム上に載せてタンタル線
を前記折曲部にレーザー溶接するようにしたので、一台
の装置で大きさが異なる各種コンデンサの溶接が可能と
なり、装置を汎用機として使用することができる。
As described above, in the anode lead welding apparatus for a sintered capacitor according to the present invention, the tantalum wire is cut from the strip plate to sequentially separate the capacitor elements from the strip plate, and the capacitor element is welded. In the anode lead welding apparatus for a sintered type capacitor, which conveys the tantalum wire to the position and welds the tantalum wire to the anode-side connecting end of the lead frame, a bend bent upward to the anode-side connecting end of the lead frame. Since the lead frame is installed on a frame guide whose height is adjustable and held by suction, the capacitor element is placed on the lead frame and the tantalum wire is laser-welded to the bent portion. It is possible to weld various capacitors with different sizes with one device, and the device can be used as a general-purpose machine.

【0033】また、本発明は、フレームガイドの少なく
とも溶接部近傍を相対的に熱伝導率が高い材質で形成し
たので、溶接時の熱を効果的に放散することができる。
そのため、特性不良の発生が少ない。さらに、リードフ
レームを吸引保持してフレームガイドの上面に密着させ
るようにしているので、熱の放散効果が高くて温度分布
のばらつきが少なく、不良発生率をより一層低減するこ
とができる。さらに、本発明は、フレームガイドに当板
を設けているので、リードフレームの左右方向の移動を
確実に阻止することができる。
Further, according to the present invention, since at least the vicinity of the welded portion of the frame guide is made of a material having a relatively high thermal conductivity, heat during welding can be effectively dissipated.
Therefore, the occurrence of characteristic defects is small. Further, since the lead frame is suction-held and brought into close contact with the upper surface of the frame guide, the heat-dissipating effect is high, variation in temperature distribution is small, and the defect occurrence rate can be further reduced. Further, in the present invention, since the frame guide is provided with the contact plate, the lateral movement of the lead frame can be reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明に係る陽極リード溶接装置によって製
造された焼結型コンデンサの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a sintered capacitor manufactured by an anode lead welding apparatus according to the present invention.

【図2】 同溶接装置の外観斜視図である。FIG. 2 is an external perspective view of the welding apparatus.

【図3】 (a)、(b)はタンタル線をリードフレー
ムに溶接する様子を示す平面図および正面図である。
3A and 3B are a plan view and a front view showing how a tantalum wire is welded to a lead frame.

【図4】 フレームガイドの斜視図である。FIG. 4 is a perspective view of a frame guide.

【図5】 同フレームガイドの断面図である。FIG. 5 is a sectional view of the frame guide.

【図6】 焼結型コンデンサの従来例を示す断面図であ
る。
FIG. 6 is a sectional view showing a conventional example of a sintered capacitor.

【図7】 タンタル焼結体の酸化化成工程を示す斜視図
である。
FIG. 7 is a perspective view showing a process of oxidizing a tantalum sintered body.

【図8】 タンタル線の切断工程を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a step of cutting a tantalum wire.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…焼結型コンデンサ、2…タンタル焼結体、3…陽極
リード用タンタル線、4…誘電体層、5…二酸化マンガ
ン層、6…カーボン層、7…陰極層、8…コンデンサ素
子、9…陽極リード、9a…折曲部、10…陰極リー
ド、11…エポキシ樹脂、12…導電性ペースト、13
…リードフレーム、13a,13b…折曲部、15…帯
状板、40…フレームガイド、57…当板、59…真空
装置、60…駆動モータ、61…吸引用穴。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Sintered capacitor, 2 ... Tantalum sintered body, 3 ... Anode lead tantalum wire, 4 ... Dielectric layer, 5 ... Manganese dioxide layer, 6 ... Carbon layer, 7 ... Cathode layer, 8 ... Capacitor element, 9 ... Anode lead, 9a ... Bent portion, 10 ... Cathode lead, 11 ... Epoxy resin, 12 ... Conductive paste, 13
... lead frame, 13a, 13b ... bent portion, 15 ... strip plate, 40 ... frame guide, 57 ... contact plate, 59 ... vacuum device, 60 ... drive motor, 61 ... suction hole.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 帯状板からタンタル線を切断してコンデ
ンサ素子を前記帯状板から順次分離し、このコンデンサ
素子を溶接位置に搬送し、前記タンタル線をリードフレ
ームの陽極側接続端部に溶接する焼結型コンデンサの陽
極リード溶接装置において、前記リードフレームの陽極
側接続端部に上方に向かって折り曲げられた折曲部を設
け、このリードフレームを高さ調整可能なフレームガイ
ド上に設置して吸引保持し、前記コンデンサ素子をリー
ドフレーム上に載せてタンタル線を前記折曲部にレーザ
ー溶接することを特徴とする焼結型コンデンサの陽極リ
ード溶接装置。
1. A tantalum wire is cut from a strip plate to sequentially separate a capacitor element from the strip plate, the capacitor element is conveyed to a welding position, and the tantalum wire is welded to an anode side connection end of a lead frame. In an anode lead welding device for a sintered capacitor, a bent portion bent upward is provided at the anode side connection end of the lead frame, and the lead frame is installed on a height-adjustable frame guide. An anode lead welding apparatus for a sintered capacitor, which is held by suction, and the capacitor element is placed on a lead frame and a tantalum wire is laser-welded to the bent portion.
【請求項2】 請求項1記載の焼結型コンデンサの陽極
リード溶接装置において、フレームガイドの少なくとも
溶接部近傍を相対的に熱伝導率が高い材質で形成したこ
とを特徴とする焼結型コンデンサの陽極リード溶接装
置。
2. The sinter type capacitor anode lead welding apparatus according to claim 1, wherein at least the vicinity of the welded portion of the frame guide is formed of a material having a relatively high thermal conductivity. Anode lead welding equipment.
【請求項3】 請求項1または2記載の焼結型コンデン
サの陽極リード溶接装置において、フレームガイドの上
面に開口する吸引用穴を設け、この吸引用穴を真空装置
に接続したことを特徴とする焼結型コンデンサの陽極リ
ード溶接装置。
3. The anode lead welding apparatus for a sintered capacitor according to claim 1 or 2, wherein a suction hole opened on the upper surface of the frame guide is provided, and the suction hole is connected to a vacuum device. Anode lead welding equipment for sintered capacitors.
【請求項4】 請求項1,2または3記載の焼結型コン
デンサの陽極リード溶接装置において、フレームガイド
上にリードフレームの幅方向の移動を規制する当板を設
けたことを特徴とする焼結型コンデンサの陽極リード溶
接装置。
4. The sinter type capacitor anode lead welding apparatus according to claim 1, wherein a contact plate for restricting movement of the lead frame in the width direction is provided on the frame guide. Anode lead welding equipment for bonded capacitors.
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