KR102527714B1 - Tantalum capacitor and method of fabricating the same - Google Patents

Tantalum capacitor and method of fabricating the same Download PDF

Info

Publication number
KR102527714B1
KR102527714B1 KR1020160046105A KR20160046105A KR102527714B1 KR 102527714 B1 KR102527714 B1 KR 102527714B1 KR 1020160046105 A KR1020160046105 A KR 1020160046105A KR 20160046105 A KR20160046105 A KR 20160046105A KR 102527714 B1 KR102527714 B1 KR 102527714B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tantalum
wire
lead frame
wire connection
cathode lead
Prior art date
Application number
KR1020160046105A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170118391A (en
Inventor
이동경
김주홍
장유민
김양규
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020160046105A priority Critical patent/KR102527714B1/en
Publication of KR20170118391A publication Critical patent/KR20170118391A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102527714B1 publication Critical patent/KR102527714B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
    • H01G13/006—Apparatus or processes for applying terminals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/008—Terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/06—Mounting in containers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/20—Bonding
    • B23K26/21—Bonding by welding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 탄탈 분말을 포함하는 바디; 상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어; 상기 탄탈 와이어가 일부 매립되는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및 상기 바디가 실장되는 음극 리드 프레임;을 포함하는 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to a body comprising tantalum powder; a tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body; an anode lead frame including a wire connection part in which the tantalum wire is partially buried; and a cathode lead frame on which the body is mounted.

Description

탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조 방법{TANTALUM CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Tantalum capacitor and manufacturing method thereof

본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 레이저를 이용한 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a tantalum capacitor and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a tantalum capacitor using a laser and a manufacturing method thereof.

탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.Tantalum (Ta) material is a metal widely used throughout industries such as electrical, electronic, mechanical, chemical, space and military fields due to its high melting point and excellent mechanical or physical characteristics such as ductility and corrosion resistance.

이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.This tantalum material is widely used as an anode material for small capacitors due to its ability to form a stable anodic oxide film, and its usage is rapidly increasing every year due to the rapid development of IT industries such as electronics and information communication am.

종래의 탄탈륨 캐패시터는 양극 리드 프레임이 외부 전극으로 사용되는 메인 프레임과 상기 메인 프레임과 탄탈 와이어를 연결하기 위해 상기 메인 프레임에서 탄탈 와이어의 높이만큼 연장되는 서브 프레임으로 이루어진다.A conventional tantalum capacitor includes a main frame in which an anode lead frame is used as an external electrode, and a sub frame extending from the main frame to the height of the tantalum wire to connect the main frame and the tantalum wire.

이때, 상기 메인 프레임과 서브 프레임은 각각 분리 제작된 후 용접 공정에 의해 서로 연결된다.At this time, the main frame and the sub frame are manufactured separately and then connected to each other by a welding process.

그러나, 이러한 용접 공접은, 전체 제조 공정을 복잡하게 함은 물론 용접과정에서 과도한 작업시간 발생 및 불량품 발생 등의 문제점이 발생하여 탄탈륨 캐패시터의 생산수율을 저하시키는 원인이 되는 것이었다.However, such a welding joint not only complicates the entire manufacturing process, but also causes problems such as excessive working time and defective products during the welding process, thereby reducing the production yield of tantalum capacitors.

일본 공개특허공보 제2002-203747호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-203747

본 발명의 목적은, 탄탈 와이어 또는 바디를 각각 리드 프레임과 전기적으로 연결하는 공정에 있어서, 아크 용접 공정을 배제시켜 제조 공정을 단순화시키고 생산수율을 향상시키며 불량품 발생률을 줄일 수 있도록 한 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a tantalum capacitor and a tantalum capacitor capable of simplifying a manufacturing process by excluding an arc welding process in a process of electrically connecting a tantalum wire or body to each lead frame, improving production yield, and reducing the rate of occurrence of defective products. It is to provide a manufacturing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈륨 캐패시터는 탄탈 분말을 포함하는 바디; 상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어; 상기 탄탈 와이어가 일부 매립되는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및 상기 바디가 실장되는 음극 리드 프레임;을 포함한다.A tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a body including tantalum powder; a tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body; an anode lead frame including a wire connection part in which the tantalum wire is partially buried; and a cathode lead frame on which the body is mounted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법은 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계; 상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계; 및 상기 탄탈 와이어의 상기 와이어 접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention includes preparing a cathode lead frame using a second conductive metal plate and an anode lead frame including a wire connection portion protruding from one surface of a first conductive metal plate; disposing a body containing tantalum powder and exposing tantalum wires on one side of the cathode lead frame, and disposing the tantalum wire to be in contact with the wire connection part; and irradiating a laser to a position of the tantalum wire facing the wire connection portion to melt an end of the wire connection portion to partially bury the tantalum wire in the wire connection portion, thereby connecting the tantalum wire and the wire connection portion. do.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 탄탈 와이어 또는 바디를 각각 리드 프레임과 전기적으로 연결하는 공정에 있어서, 레이저를 이용하여 가공속도가 향상되며 제조 공정을 단순화시키고 생산수율을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.According to one embodiment of the present invention, in the process of electrically connecting the tantalum wire or body to each lead frame, the processing speed is improved using a laser, the manufacturing process is simplified, and the production yield can be improved. .

또한, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 레이저를 조사하는 영역 또는 크기를 조절하여 탄탈륨 캐패시터에 열 변형이 발생하는 영역을 최소화할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to minimize the area where thermal deformation occurs in the tantalum capacitor by adjusting the size or area to which the laser is irradiated, thereby reducing the defect rate.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 투명사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 탄탈 와이어가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.
도 6은 도 1의 III-III`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 바디가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 플로우 차트이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically illustrates a transparent perspective view of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 schematically illustrates a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .
FIG. 3 schematically shows a cross-sectional view taken along line II-II′ of FIG. 1 .
FIG. 4 schematically shows an enlarged view of A of FIG. 3 .
FIG. 5 schematically shows an enlarged view of A of FIG. 3 , showing an embodiment in which a tantalum wire has irregularities.
FIG. 6 schematically illustrates a cross-sectional view taken along line III-III′ of FIG. 1 .
FIG. 7 schematically shows an enlarged view of B in FIG. 6 .
FIG. 8 schematically shows an enlarged view of B of FIG. 6, showing an embodiment in which the body has irregularities.
9 is a flowchart of a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
10 to 14 schematically illustrate a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, the embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The shapes and sizes of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.In addition, components having the same function within the scope of the same idea shown in the drawings of each embodiment are described using the same reference numerals.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, 'include' a component throughout the specification means that other components may be further included, rather than excluding other components unless otherwise stated.

또한, 본 실시 형태에서는 설명의 편의를 위해 바디에서 탄탈 와이어가 노출되는 방향을 전방으로 설정하고, 상기 전방과 대향하는 방향을 후방으로 설정하며, 상기 전방 및 후방과 수직으로 교차되는 방향을 양측으로 설정하고, 바디의 두께 방향에 해당하는 양면을 상면 및 하면(또는 실장 면)으로 설정하여 설명하기로 한다.In addition, in the present embodiment, for convenience of explanation, the direction in which the tantalum wire is exposed in the body is set as the front, the direction opposite the front is set as the rear, and the direction perpendicular to the front and rear is set as both sides. set, and both sides corresponding to the thickness direction of the body will be set to the upper and lower surfaces (or mounting surfaces).

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 투명사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선 단면도이다.FIG. 1 is a transparent perspective view schematically illustrating a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II′ of FIG. 1 .

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 바디(10), 탄탈 와이어(11), 양극 리드 프레임(20), 음극 리드 프레임(30) 및 몰딩부(40)를 포함한다.1 and 2 , the tantalum capacitor according to the present embodiment includes a body 10, a tantalum wire 11, an anode lead frame 20, a cathode lead frame 30, and a molding part 40. do.

바디(10)는 탄탈 분말을 포함하여 형성되며, 캐패시터의 음극으로 작용한다.The body 10 is formed by including tantalum powder and serves as a negative electrode of the capacitor.

바디(10)는 다공질의 밸브 작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질의 밸브 작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.The body 10 is made of a porous valve-acting metal body, and can be manufactured by sequentially forming a dielectric layer, a solid dielectric layer, and a negative electrode layer on the surface of the porous valve-acting metal body.

일 예로서, 바디(10)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.As an example, the body 10 may be manufactured by mixing and stirring tantalum powder and a binder in a predetermined ratio, compressing the mixed powder to form a rectangular parallelepiped, and then sintering the tantalum powder under high vibration and high temperature.

보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 바디(10)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.More specifically, the tantalum capacitor has a structure that uses gaps that appear when tantalum powder is sintered and hardened, and the body 10 is made of tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), form a manganese dioxide layer (MnO 2 ) or a conductive polymer layer as an electrolyte on the tantalum oxide as a dielectric, and form a carbon layer and a metal layer on the manganese dioxide layer or the conductive polymer layer.

또한, 바디(10)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.In addition, carbon and silver (Ag) may be applied to the surface of the body 10 if necessary.

상기 카본은 바디(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 바디(10)를 음극 리드 프레임(20)에 상기 전기적 연결 수단 등을 통해 전기적으로 접속시킬 때 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.The carbon is for reducing the contact resistance of the surface of the body 10, and the silver (Ag) provides electrical connectivity when the body 10 is electrically connected to the cathode lead frame 20 through the electrical connection means. is to improve

탄탈 와이어(11)는 캐패시터의 양극으로 작용한다.Tantalum wire 11 serves as the anode of the capacitor.

이러한 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 내부에 각각 위치하는 삽입영역과, 바디(10)의 전방의 일 측면을 통해 노출되도록 상기 삽입 영역에서 연장되게 형성되는 비삽입영역을 포함한다.The tantalum wire 11 includes an insertion area respectively positioned inside the body 10 and a non-insertion area extending from the insertion area so as to be exposed through one side of the front of the body 10 .

본 실시 형태에 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 길이 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되도록 구성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.In this embodiment, the tantalum wires 11 are configured to be exposed through one side of the body 10 in the longitudinal direction, but the present invention is not limited thereto.

예컨대, 본 발명의 탄탈 와이어(11)는 필요시 바디(10)의 폭 방향의 일 측면을 통해 노출되도록 구성될 수 있으며, 이 경우 양극 리드 프레임(20) 및 음극 리드 프레임(30)도 이와 대응되게 몰딩부(40)의 폭 방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다.For example, the tantalum wire 11 of the present invention may be configured to be exposed through one side of the body 10 in the width direction, if necessary, and in this case, the anode lead frame 20 and the cathode lead frame 30 also correspond thereto. It may be arranged to be spaced apart from each other along the width direction of the molding unit 40.

또한, 탄탈 와이어(11)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.In addition, the tantalum wire 11 may be mounted by being inserted into the mixture of the tantalum powder and the binder before compressing the mixed powder of the tantalum powder and the binder.

즉, 바디(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 약 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.That is, the body 10 molds a tantalum element having a desired size by inserting and mounting the tantalum wire 11 in tantalum powder mixed with a binder, and then the tantalum element is heated in a high vacuum (10 -5 torr or less) of about 1,000 to 2,000 °C. ) can be produced by sintering in an atmosphere for about 30 minutes.

이때, 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 길이 방향으로 동일한 선상에 위치하도록 배치될 수 있다.In this case, the tantalum wires 11 may be disposed on the same line in the longitudinal direction of the body 10 .

양극 리드 프레임(20)은 니켈/철 합금 등의 제1 도전성 금속 판재를 이용하여 형성될 수 있으며, 양극 단자부(21) 및 와이어접속부(22)를 포함할 수 있다.The anode lead frame 20 may be formed using a first conductive metal plate material such as a nickel/iron alloy, and may include a cathode terminal portion 21 and a wire connection portion 22 .

양극 단자부(21)는 몰딩부(40)의 하면으로 노출되며, 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용될 수 있다.The positive terminal part 21 is exposed to the lower surface of the molding part 40 and can be used as a connection terminal for electrical connection with other electronic products.

또한, 양극 단자부(21)는 상면 중 일부에 단턱(23)이 형성될 수 있다.In addition, a step 23 may be formed on a part of the upper surface of the positive electrode terminal unit 21 .

이때, 단턱(23)은 바디(10)와 양극 단자부(21)와 접촉되어 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위한 역할을 한다.At this time, the step 23 serves to prevent a short circuit from being in contact with the body 10 and the positive terminal portion 21 .

와이어접속부(22)는 양극단자부(21)의 상면 중 일부에서 상측으로 돌출되는 부분으로서, 상단이 탄탈 와이어(11)와 접속되어 전기적으로 연결된다.The wire connection part 22 is a part protruding upward from a part of the upper surface of the positive terminal part 21, and the upper end is connected to the tantalum wire 11 to be electrically connected.

이때, 와이어접속부(22)는 사각 또는 원 기둥 등 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the wire connecting portion 22 may be variously changed such as a square or circular column.

와이어접속부(22)의 상단에는 탄탈 와이어(11)가 매립되는 와이어 매립부(22a)가 배치될 수 있다. A wire embedding portion 22a in which the tantalum wire 11 is buried may be disposed at an upper end of the wire connection portion 22 .

후술하는 바와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.As will be described later, the wire connection portion 22 and the tantalum wire 11 are formed by irradiating a laser in a direction opposite to the wire connection portion 22 in the tantalum wire 11 by the Lab Joint Laser Spot Welding method. can be welded.

이 때, 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.At this time, the upper part of the wire connection part 22 is partially melted by the heat transferred through the tantalum wire 11, and a part of the tantalum wire 11 may be buried in the wire embedding part 22a of the wire connection part 22.

와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 접속시킬 때, 와이어접속부(22)가 과도하게 녹는 경우에는 와이어접속부(22)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 양극 리드 프레임(20)과 바디(10)가 도전성 물질을 통해 접속되는 등의 불량이 발생할 수 있다.When the wire connection part 22 and the tantalum wire 11 are connected, when the wire connection part 22 is excessively melted, a conductive material flows around the wire connection part 22 in the form of a nudge, and the anode lead frame 20 ) and the body 10 may be connected through a conductive material.

이러한 불량을 방지하기 위하여 탄탈 와이어(11)는 와이어 접속부(22)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다. In order to prevent such a defect, the tantalum wire 11 may be welded so that only a portion of the tantalum wire 11 is buried in the wire connection portion 22 .

또한, 후술하는 바와 같이 와이어접속부(22)의 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분에는 와이어접속부(22)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제1 용융부가 배치될 수 있다. Also, as will be described later, a first molten portion in which the upper portion of the wire connection portion 22 is melted and then hardened again may be disposed at a portion of the wire connection portion 22 that contacts the tantalum wire 11 .

음극 리드 프레임(30)는 니켈/철 합금 등의 도전성 금속으로 이루어질 수 있다.The cathode lead frame 30 may be made of a conductive metal such as a nickel/iron alloy.

음극 리드 프레임(30)는 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(21)와 서로 L-방향으로 평행하게 이격되어 배치되며, 하면은 몰딩부(40)의 하면으로 노출되어 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용될 수 있다.The cathode lead frame 30 is disposed parallel to and spaced apart from the anode terminal portion 21 of the anode lead frame 20 in the L-direction, and the lower surface is exposed to the lower surface of the molding portion 40 to electrically connect with other electronic products. It can be used as a connection terminal for connection.

바디 실장부(32)에는 바디(10)가 실장되어 전기적으로 연결될 수 있다.The body 10 may be mounted and electrically connected to the body mounting unit 32 .

또한, 음극 리드 프레임(30)는 하면 중 일부에 몰딩부(40)가 형성되도록 단턱(33)을 가질 수 있다.In addition, the cathode lead frame 30 may have a step 33 so that the molding part 40 is formed on a part of the lower surface.

예컨대, 본 실시 형태에서 상기 단턱(33)의 구조는 몰딩부(40)의 하면으로 음극 리드 프레임(30)가 노출되도록 하기 위해 음극 리드 프레임(30)을 구성하는 제2 도전성 금속 판재를 습식 식각하는 과정이나 또는 스탬핑(stamping) 등 구성되는 것이다.For example, in the present embodiment, the structure of the step 33 is wet etching the second conductive metal plate constituting the cathode lead frame 30 to expose the cathode lead frame 30 to the lower surface of the molding part 40 It is composed of a process of doing or stamping.

또한, 음극 리드 프레임(30)가 몰딩부(40)의 하면으로 노출되는 음극 단자부(31)와 바디(10)가 실장되는 바디 실장부(32)로 구분될 수 있다.In addition, the cathode lead frame 30 may be divided into a cathode terminal part 31 exposed to the lower surface of the molding part 40 and a body mounting part 32 where the body 10 is mounted.

음극 리드 프레임(30)의 상면에는 바디(10)가 매립되는 바디 매립부(32a)가 배치될 수 있다. A body embedment part 32a in which the body 10 is buried may be disposed on the upper surface of the cathode lead frame 30 .

후술하는 바와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 음극 리드 프레임(30)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저를 조사하여 음극 리드 프레임(30)과 바디(10)를 용접할 수 있다.As will be described later, a laser is irradiated on the upper surface of the body 10 in the direction opposite to the cathode lead frame 30 from the body 10 by the Lab Joint Laser Spot Welding method, so that the cathode lead frame (30) and the body (10) can be welded.

이 때, 음극 리드 프레임(30)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 음극 리드 프레임(30)의 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.At this time, the upper portion of the cathode lead frame 30 is partially melted by the heat transmitted through the body 10, and a portion of the body 10 may be buried in the body buried portion 32a of the cathode lead frame 30.

음극 리드 프레임(30)과 바디(10)를 접속시킬 때, 음극 리드 프레임(30)가 과도하게 녹는 경우에는 음극 리드 프레임(30)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 형성되어 음극 리드 프레임의 형상 불량을 유발할 수 있다.When the anode lead frame 30 and the body 10 are connected, when the anode lead frame 30 is excessively melted, a conductive material is formed in the form of a nugget around the cathode lead frame 30 to form a cathode lead. It may cause the shape defect of the frame.

이러한 불량을 방지하기 위하여 바디(10)는 음극 리드 프레임(30)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다. In order to prevent such defects, the body 10 may be welded so that only a portion of the body 10 is buried in the cathode lead frame 30 .

또한, 후술하는 바와 같이 음극 리드 프레임(30)의 바디(10)와 접하는 부분에는 음극 리드 프레임(30)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제2 용융부가 배치될 수 있다.In addition, as will be described later, a second molten portion in which the upper portion of the anode lead frame 30 is melted and then hardened again may be disposed at a portion of the anode lead frame 30 in contact with the body 10 .

몰딩부(40)는 바디(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding unit 40 may be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the body 10 .

이러한 몰딩부(40)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 바디(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 바디(10)와 양극 리드 프레임(20)를 서로 절연시키는 역할을 한다.The molding part 40 not only serves to protect the tantalum wire 11 and the body 10 from the outside, but also serves to insulate the body 10 and the anode lead frame 20 from each other.

이때, 몰딩부(40)는 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(21)의 하면 및 음극 리드 프레임 (30)의 음극 단자부(31)의 하면이 노출되도록 형성된다.At this time, the molding part 40 is formed to expose the lower surface of the positive terminal part 21 of the positive lead frame 20 and the lower surface of the negative terminal part 31 of the negative lead frame 30 .

도 3은 도 1의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 4는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 3 schematically shows a cross-sectional view along line II-II′ of FIG. 1, and FIG. 4 schematically shows an enlarged view of line A in FIG.

도 3 및 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 탄탈 와이어(11)와 양극 리드 프레임(20)의 구조에 대해 상세히 살펴보도록 한다.With reference to FIGS. 3 and 4 , structures of the tantalum wire 11 and the anode lead frame 20 of the tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3에 알 수 있듯이, 와이어접속부(22)의 상부에 탄탈 와이어(11)가 와이어 매립부(22a)에 일부 매립되는 것을 알 수 있다.As can be seen in FIG. 3 , it can be seen that the tantalum wire 11 is partially buried in the wire embedding part 22a on the top of the wire connection part 22 .

랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.The wire connection portion 22 and the tantalum wire 11 can be welded by irradiating a laser in a direction opposite to the wire connection portion 22 in the tantalum wire 11 by the Lab Joint Laser Spot Welding method. .

이때, 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.At this time, the upper part of the wire connection part 22 is partially melted by the heat transferred through the tantalum wire 11, and a part of the tantalum wire 11 may be buried in the wire embedding part 22a of the wire connection part 22.

즉, 와이어 접속부(22)의 상부 중에서 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분만이 일부 녹아서 탄탈 와이어(11)가 와이어 매립부(22a)에 매립된다.That is, only a part of the upper part of the wire connection part 22 in contact with the tantalum wire 11 is partially melted, and the tantalum wire 11 is buried in the wire embedding part 22a.

탄탈 와이어(11)가 와이어접속부(22)에 매립되는 깊이는 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 너무 얕은 경우에는 탄탈 와이어(11)와 와이어접속부(22)의 사이의 접착력이 떨어지고, 너무 깊은 경우에는 와이어접속부(22)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 양극 리드 프레임(20)과 바디(10)가 도전성 물질을 통해 접속되는 등의 불량이 발생할 수 있다.The depth at which the tantalum wire 11 is embedded in the wire connection part 22 can be appropriately adjusted as needed, but if it is too shallow, the adhesive strength between the tantalum wire 11 and the wire connection part 22 is reduced. A defect such as a connection between the anode lead frame 20 and the body 10 through the conductive material may occur due to the flow of conductive material in the form of a nudge around the wire connection part 22 .

따라서, 탄탈 와이어(11)는 와이어 접속부(22)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다.Accordingly, the tantalum wire 11 may be welded so that only a portion of the tantalum wire 11 is buried in the wire connection portion 22 .

또한, 도 4에서 알 수 있듯이, 와이어접속부(22)의 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분에는 와이어접속부(22)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제1 용융부(22b)가 배치될 수 있다.In addition, as shown in FIG. 4 , a first molten portion 22b in which the upper portion of the wire connection portion 22 is melted and then hardened again may be disposed at a portion of the wire connection portion 22 that is in contact with the tantalum wire 11 .

이러한 제1 용융부(22b)는 미세구조 관찰시 와이어접속부(22)의 다른 부분과 차이가 있음을 확인할 수 있다.It can be confirmed that the first fusion part 22b is different from other parts of the wire connection part 22 when observing the microstructure.

도 5는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 탄탈 와이어가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.FIG. 5 schematically shows an enlarged view of A of FIG. 3 , showing an embodiment in which a tantalum wire has irregularities.

도 5를 참조하면, 도 4와 달리 탄탈 와이어(11)의 표면 중 일부에 제1 요철(11a)가 배치되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 5 , it can be seen that, unlike FIG. 4 , first irregularities 11a are disposed on a part of the surface of the tantalum wire 11 .

제1 요철(11a)은 제1 용융부(22b)가 제1 요철(11a)의 빈 공간을 채워 앵커 효과를 이용하여 탄탈 와이어(11)와 와이어접속부(22)의 결합력을 향상시킬 수 있다. In the first unevenness 11a, the first molten portion 22b fills the empty space of the first unevenness 11a to improve bonding strength between the tantalum wire 11 and the wire connection part 22 by using an anchor effect.

제1 요철(11a)은 탄탈 와이어(11)의 외주면을 따라 일부 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 모두 형성될 수 있다. The first unevenness 11a may be partially formed along the outer circumferential surface of the tantalum wire 11, but is not limited thereto, and may be formed entirely.

또한, 제1 요철(11a)은 탈탈 와이어(11)의 제1 용융부(22b)와 접하는 면의 적어도 일부에 형성될 수 있으며, 접착력을 강화하기 위하여 제1 용융부(22b)와 접하는 면의 전부에 형성될 수도 있다.In addition, the first irregularities 11a may be formed on at least a part of the surface of the detaching wire 11 in contact with the first molten portion 22b, and the surface of the surface in contact with the first molten portion 22b to enhance adhesion. It can be formed all over.

도 6은 도 1의 III-III`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 7은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 6 schematically shows a cross-sectional view taken along line III-III′ of FIG. 1, and FIG. 7 schematically shows an enlarged view taken along line B of FIG.

도 6 및 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 바디(10)와 음극 리드 프레임(30)의 구조에 대해 상세히 살펴보도록 한다.With reference to FIGS. 6 and 7 , the structures of the tantalum capacitor body 10 and the cathode lead frame 30 according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 6에 알 수 있듯이, 바디 실장부(32)의 상부, 즉 음극 리드 프레임(30)의 상부에 바디(10)가 바디 매립부(32a)에 일부 매립되는 것을 알 수 있다.As can be seen in FIG. 6 , it can be seen that the body 10 is partially buried in the body embedment part 32a on the upper part of the body mounting part 32, that is, on the upper part of the cathode lead frame 30.

랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 바디 실장부(32)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저를 조사하여 바디 실장부(32)와 바디(10)를 용접할 수 있다.By the Lab Joint Laser Spot Welding method, laser is irradiated from the body 10 to the direction opposite to the body mounting part 32, that is, the upper surface of the body 10, so that the body mounting part 32 and the body (10) can be welded.

이 때, 바디 실장부(32)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.At this time, the upper part of the body mounting part 32 is partially melted by the heat transferred through the body 10, and a part of the body 10 may be buried in the body embedment part 32a.

즉, 바디 실장부(32)의 상부 중에서 바디(10)와 접하는 부분만이 일부 녹아서 바디(10)가 바디 매립부(32a)에 매립된다.That is, only a part of the upper part of the body mounting part 32 in contact with the body 10 is melted, and the body 10 is buried in the body embedment part 32a.

바디(10)가 바디 실장부(32)에 매립되는 깊이는 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 너무 얕은 경우에는 바디(10)와 음극 리드 프레임(30)의 사이의 접착력이 떨어지고, 너무 깊은 경우에는 음극 리드 프레임(30)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 음극 리드 프레임의 형상 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.The depth at which the body 10 is embedded in the body mounting unit 32 can be appropriately adjusted as needed. However, if it is too shallow, the adhesive force between the body 10 and the cathode lead frame 30 is reduced, and if it is too deep, A problem such as a shape defect of the anode lead frame may occur due to the flow of the conductive material in the form of a nudge around the cathode lead frame 30 .

따라서, 바디(10)는 바디 실장부(32)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다.Accordingly, the body 10 may be welded so that only a portion of the body mounting portion 32 is buried.

또한, 도 7에서 알 수 있듯이, 바디 실장부(32)의 바디(10)와 접하는 부분에는 바디 실장부(32)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제2 용융부(32b)가 배치될 수 있다.In addition, as can be seen in FIG. 7 , a second melting portion 32b in which the upper portion of the body mounting portion 32 is melted and then hardened again may be disposed at a portion of the body mounting portion 32 in contact with the body 10. .

이러한 제2 용융부(32b)는 미세구조 관찰시 바디 실장부(32)의 다른 부분과 차이가 있음을 확인할 수 있다.It can be seen that the second fusion part 32b is different from other parts of the body mounting part 32 when observing the microstructure.

도 8은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 바디가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.FIG. 8 schematically shows an enlarged view of B of FIG. 6 , showing an embodiment in which a body has irregularities.

도 8을 참조하면, 도 7과 달리 바디(10)의 표면 중 일부에 제2 요철(10a)가 배치되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 8 , it can be seen that, unlike FIG. 7 , second irregularities 10a are disposed on a part of the surface of the body 10 .

제2 요철(10a)은 제2 용융부(32b)가 제2 요철(10a)의 빈 공간을 채워 앵커 효과를 이용하여 바디(10)와 바디 실장부(32)의 결합력을 향상시킬 수 있다. In the second concavo-convex part 10a, the second molten part 32b fills the empty space of the second concavo-convex part 10a to improve bonding strength between the body 10 and the body mounting part 32 by using an anchor effect.

제2 요철(10a)은 바디(10)의 실장면을 따라 일부 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 모두 형성될 수 있다. The second unevenness 10a may be partially formed along the mounting surface of the body 10, but is not limited thereto, and may be formed entirely.

또한, 제2 요철(10a)은 바디(10)의 제2 용융부(32b)와 접하는 면의 적어도 일부에 형성될 수 있으며, 접착력을 강화하기 위하여 제2 용융부(32b)와 접하는 면의 전부에 형성될 수도 있다.In addition, the second irregularities 10a may be formed on at least a portion of a surface of the body 10 in contact with the second molten portion 32b, and all of the surface in contact with the second molten portion 32b in order to enhance adhesion. may be formed in

도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 플로우 차트이며, 도 10 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 개략적으로 도시한 것이다.9 is a flowchart of a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 10 to 14 schematically show a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 도 9 내지 14를 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 to 14 .

도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법은 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계; 상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계; 및 상기 탄탈 와이어의 상기 와이어 접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계;를 포함한다. Referring to FIG. 9 , in a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention, an anode lead frame including a wire connection portion protruding from one surface of a first conductive metal plate and a cathode lead frame are prepared using a second conductive metal plate. doing; disposing a body containing tantalum powder and exposing tantalum wires on one side of the cathode lead frame, and disposing the tantalum wire to be in contact with the wire connection part; and irradiating a laser to a position of the tantalum wire facing the wire connection portion to melt an end of the wire connection portion to partially bury the tantalum wire in the wire connection portion, thereby connecting the tantalum wire and the wire connection portion. do.

본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 각 단계를 살펴보면, 먼저 평판 형으로 이루어진 제1 도전성 금속 판재를 이용하여 양극 단자부(21), 와이어접속부(22) 및 단턱(23)을 포함하는 양극 리드 프레임(20)을 마련한다. Looking at each step of the method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention, first, the anode terminal part 21, the wire connection part 22, and the step 23 are included by using the first conductive metal plate made of a flat plate. An anode lead frame 20 is provided.

제1 도전성 금속 판재는 펀칭, 스탬핑 등을 사용한 금형 방법 또는 에칭 등에 의한 방법 등에 의해 제작되며, 이에 한정되는 것은 아니다. The first conductive metal plate is manufactured by a mold method using punching, stamping, etc., or a method by etching, etc., but is not limited thereto.

와이어접속부(22)는 양극 단자부(21)와 일체로 형성되거나, 양극 단자부(21)를 형성한 뒤에 와이어 접속부(22)를 용접하여 형성될 수 있다.The wire connection part 22 may be integrally formed with the positive terminal part 21 or may be formed by welding the wire connection part 22 after forming the positive terminal part 21 .

또한, 도 9에서 볼 수 있듯이, 와이어접속부(22)는 기둥부재(22')에 서브 프레임(22'')를 레이저(60)를 이용하여 랩 조인트 레이저 스팟 용접법에 의해 용접할 수 있다. In addition, as can be seen in FIG. 9 , the wire connection part 22 can be welded to the pillar member 22' by the lap joint laser spot welding method using the laser 60 on the sub frame 22''.

서브 프레임(22'')은 탄탈 와이어(11)와 접착력이 뛰어난 재료를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni)일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The subframe 22'' may be formed using a material having excellent adhesion to the tantalum wire 11, and may be, for example, nickel (Ni), but is not limited thereto.

마찬가지로 평판 형으로 이루어진 제2 도전성 금속 판재를 이용하여 음극 단자부(31), 바디 실장부(32) 및 단턱(33)을 포함하는 음극 리드 프레임(30)을 마련한다. Similarly, the negative electrode lead frame 30 including the negative terminal part 31, the body mounting part 32, and the stepped part 33 is prepared by using the second conductive metal plate made of a flat plate.

제2 도전성 금속 판재는 펀칭, 스탬핑 등을 사용한 금형 방법 또는 에칭 등에 의한 방법 등에 의해 제작되며, 이에 한정되는 것은 아니다. The second conductive metal plate is manufactured by a mold method using punching, stamping, etc., or a method by etching, etc., but is not limited thereto.

음극 리드 프레임(30)은 제2 도전성 금속 판재의 하면 중 일부를 습식 식각 등으로 처리하여 단턱(33)을 형성할 수 있다.Steps 33 may be formed in the cathode lead frame 30 by processing a part of the lower surface of the second conductive metal plate by wet etching or the like.

단턱(33)은 후술하는 몰딩 공정에서 몰딩 재료가 채워져 음극 리드 프레임과 몰딩부(40) 간의 고착 강도를 향상시키는 역할을 할 수 있다.The step 33 may be filled with a molding material in a molding process to be described later to improve adhesion strength between the cathode lead frame and the molding part 40 .

이 후, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)을 L-방향으로 서로 마주보게 나란히 배치한다.Then, the positive and negative lead frames 20 and 30 are placed side by side facing each other in the L-direction.

이때, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에는 필요시 내열성 테이프를 서로 연결되게 부착할 수 있다.In this case, if necessary, heat-resistant tapes may be attached to the lower surfaces of the positive and negative lead frames 20 and 30 so as to be connected to each other.

내열성 테이프는 이후 진행되는 몰딩 공정에서 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 노출되는 표면이 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다.The heat-resistant tape is to prevent the exposed surfaces of the positive and negative electrode lead frames 20 and 30 from being contaminated in a subsequent molding process.

다음으로 도 11과 같이, 위와 같이 제작된 양극 리드 프레임(20)과 음극 리드 프레임(30)에 각각 탄탈 와이어(11)와 바디(10)가 위치하도록 배치한다.Next, as shown in FIG. 11 , the tantalum wire 11 and the body 10 are disposed on the positive lead frame 20 and the negative lead frame 30 manufactured as described above, respectively.

음극 리드 프레임(30)의 일면, 즉, 바디 실장부(32)에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어(11)가 노출된 바디(10)를 배치하고, 탄탈 와이어(11)를 와이어접속부(22)와 접하도록 배치한다.The body 10 containing tantalum powder and having the tantalum wire 11 exposed is placed on one side of the cathode lead frame 30, that is, the body mounting part 32, and the tantalum wire 11 is connected to the wire connection part. Arranged so as to be in contact with (22).

그 다음, 도 12와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저(60)를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.Then, as shown in FIG. 12, the tantalum wire 11 is irradiated with a laser 60 in a direction opposite to the wire connection portion 22 by the Lab Joint Laser Spot Welding method, thereby forming the wire connection portion 22. and the tantalum wire 11 can be welded.

종래에는 아크 스팟 용접법을 이용하였으나, 아크 스팟 용접법의 경우에는 전극이 탄탈 와이어 또는 리드 프레임에 맞닿아야 하기 때문에, 맞닿게 해기 위해 용접 장치 또는 탄탈륨 캐패시터의 바디를 이동시켜야 한다. Conventionally, arc spot welding has been used, but in the case of arc spot welding, since the electrodes must come into contact with the tantalum wire or lead frame, the welding device or the body of the tantalum capacitor must be moved to make contact.

이로 인해, 이송시간이 존재하고, 제품의 위치 정렬에 악영향을 미치며, 이동으로 인해 마모가 발생하고, 높이에 따라 가공 품질의 차이가 발생되며, 전극 교체가 필요하다는 단점이 있다. 즉, 아크 스팟 용접법의 경우에는 상술한 단점들로 인해 탄탈륨 캐패시터의 생산성과 품질이 저하되는 문제가 있다.Due to this, there are disadvantages in that there is a transfer time, an adverse effect on product positioning, wear due to movement, a difference in processing quality depending on the height, and the need to replace the electrode. That is, in the case of the arc spot welding method, productivity and quality of the tantalum capacitor are deteriorated due to the above-mentioned disadvantages.

하지만, 레이저를 이용하는 경우에는 비접촉 공정이며, 높이 조절이 필요 없고, 가공에 소용되는 시간이 짧으며, 포커스 조절에 따라 가공 품질이 조절가능하며, 용접하는 부분의 변경도 용이하다는 장점이 있다.However, in the case of using a laser, it is a non-contact process, there is no need for height adjustment, the time required for processing is short, the processing quality can be adjusted according to focus control, and the welding part is easy to change.

특히 레이저를 이용하는 경우에는 스팟 사이즈 조절이 가능하고, 레이저를 조사하는 각도를 변경하는 것도 용이하며, 레이저의 파장도 조절할 수 있다는 장점이 있다. In particular, in the case of using a laser, there are advantages in that the spot size can be adjusted, it is easy to change the angle at which the laser is irradiated, and the wavelength of the laser can also be adjusted.

즉, 레이저(60)를 조사하는 영역 또는 크기를 조절하여 탄탈륨 캐패시터에 열 변형이 발생하는 영역을 최소화할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다That is, by adjusting the area or size irradiated with the laser 60, the area where thermal deformation occurs in the tantalum capacitor can be minimized, thereby reducing the defect rate.

탄탈 와이어(11)와 마찬가지로, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 바디 실장부(32)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저(60)를 조사하여 바디 실장부(32)와 바디(10)를 용접할 수 있다.Like the tantalum wire 11, the laser 60 is applied in the direction opposite to the body mounting part 32 in the body 10, that is, on the upper surface of the body 10, by the lap joint laser spot welding method. It is possible to weld the body mounting portion 32 and the body 10 by irradiation.

이와 같은 레이저(60)를 이용한 용접 공정을 수행하게 되면, 도 13과 같이 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.When such a welding process using the laser 60 is performed, as shown in FIG. 13 , the upper part of the wire connection part 22 is partially melted by the heat transmitted through the tantalum wire 11, and a part of the tantalum wire 11 is part of the wire connection part. It can be embedded in the wire embedding part 22a of (22).

또한, 바디 실장부(32)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.In addition, the upper part of the body mounting part 32 is partially melted by the heat transmitted through the body 10, and a part of the body 10 may be buried in the body embedment part 32a.

이러한 레이저(60)를 이용한 용접 공정을 수행하면서 접착력을 향상시키기 위해 바디(10)의 상면에 일정한 압력을 가할 수 있다. A constant pressure may be applied to the upper surface of the body 10 to improve adhesion while performing the welding process using the laser 60 .

또한, 탄탈륨 캐패시터의 바디(10)와 탄탈 와이어(11)를 마련하는 공정에서 각각 실장되는 면에 요철을 형성하여 앵커 효과를 향상시킬 수 있다.In addition, in the process of preparing the body 10 and the tantalum wire 11 of the tantalum capacitor, the anchor effect can be improved by forming irregularities on the surfaces on which they are mounted.

그 다음으로, 도 14와 같이 바디(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성될 수 있다.Next, as shown in FIG. 14 , a molding part 40 may be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the body 10 .

이때, 몰드의 온도는 170℃ 정도로 하며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.At this time, the temperature of the mold is about 170° C., and the temperature and other conditions for EMC molding may be appropriately adjusted according to the EMC component and shape used.

몰딩 이후에는 필요시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화조건에서 약 160 ℃의 온도로 30 내지 60분간 경화를 진행할 수 있다.After molding, if necessary, curing may be performed at a temperature of about 160° C. for 30 to 60 minutes in a closed oven or under reflow curing conditions.

이때, 양극 리드 프레임(20)의 양극 단자부(21)의 하면 및 음극 리드 프레임 (30)의 음극 단자부(31)의 하면이 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다. At this time, the molding operation is performed so that the lower surface of the positive terminal part 21 of the positive lead frame 20 and the lower surface of the negative terminal part 31 of the negative lead frame 30 are exposed.

이후, 몰딩부(40) 형성 작업이 완료되면 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에 부착되어 있는 내열성 태이프를 제거하고, 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.Thereafter, when the formation of the molding part 40 is completed, the heat-resistant tape attached to the lower surfaces of the positive and negative lead frames 20 and 30 is removed, and a deflash process for removing flash generated during the molding process is performed. can go further

그리고, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)이 부착된 상태에서 레이저 마킹을 실시하여 탄탈륨 캐패시터의 양극 방향과 필요시 해당 용량을 표기할 수 있다.In addition, laser marking is performed while the anode and cathode lead frames 20 and 30 are attached to mark the anode direction of the tantalum capacitor and the corresponding capacity, if necessary.

그리고, 후속 공정으로 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.And, as a subsequent process, an aging process may be further performed if necessary.

상기 에이징 공정은 조립공정 중에 발생한 전기적 산포를 줄이는 작용을 한다.The aging process serves to reduce electrical dispersion generated during the assembly process.

이후, 칩의 전극을 설계대로 형성하기 위해 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 잔여 부분을 제거하는 공정을 실시하여 최종적으로 탄탈륨 캐패시터를 완성한다.Thereafter, a process of removing remaining portions of the anode and cathode lead frames 20 and 30 is performed to form the electrodes of the chip as designed, and finally the tantalum capacitor is completed.

이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and variations are possible without departing from the technical spirit of the present invention described in the claims. It will be obvious to those skilled in the art.

10: 바디
21: 탄탈 와이어
20: 양극 리드 프레임
22: 와이어 접속부
30: 음극 리드 프레임
40: 몰딩부10: body
21: tantalum wire
20: anode lead frame
22: wire connection
30: cathode lead frame
40: molding part

Claims (11)

탄탈 분말을 포함하는 바디;
상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어;
상기 탄탈 와이어가 일부 매립되며, 상기 탄탈 와이어와 접하는 부분에 배치되는 제1 용융부를 포함하는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및
상기 바디가 일부 매립되는 음극 리드 프레임;을 포함하며,
상기 탄탈 와이어의 상기 와이어접속부가 접속하는 부분의 적어도 일부에는 제1 요철이 배치되고,
상기 제1 요철 사이의 공간의 적어도 일부는 상기 제1 용융부로 채워진 탄탈륨 캐패시터.a body comprising tantalum powder;
a tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body;
an anode lead frame including a wire connection portion in which the tantalum wire is partially buried and a first melting portion disposed at a portion in contact with the tantalum wire; and
Including; a cathode lead frame in which the body is partially buried,
First unevenness is disposed on at least a part of a portion of the tantalum wire to which the wire connection part is connected;
At least a portion of the space between the first irregularities is filled with the first molten portion. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 음극 리드 프레임의 상기 바디와 접하는 부분에 배치되는 제2 용융부를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.According to claim 1,
The tantalum capacitor further comprising a second melting portion disposed at a portion of the cathode lead frame in contact with the body. 제5항에 있어서,
상기 바디의 상기 음극 리드 프레임과 접속하는 부분의 적어도 일부에는 제2 요철이 배치되어, 상기 제2 용융부가 상기 제2 요철과 결합되는 탄탈륨 캐패시터.According to claim 5,
The tantalum capacitor of claim 1 , wherein second concavo-convex portions are disposed on at least a portion of a portion of the body that is connected to the cathode lead frame, and the second molten portion is coupled to the second concavo-convex portions. 제1항에 있어서,
상기 바디 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 상기 음극 리드 프레임의 하면이 노출되도록 배치되는 몰딩부를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.According to claim 1,
The tantalum capacitor further includes a molding portion surrounding the body and the tantalum wire and disposed to expose lower surfaces of the anode lead frame and the cathode lead frame. 제1항에 있어서,
상기 탄탈 와이어는 상기 와이어접속부에 일부만 매립되는 탄탈륨 캐패시터.According to claim 1,
The tantalum wire is partially buried in the wire connection portion. 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계;
상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계;
상기 탄탈 와이어의 상기 와이어접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계; 및
상기 바디의 상기 음극 리드 프레임과 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 음극 리드 프레임 중 상기 바디와 접하는 부분을 녹여 상기 바디를 상기 음극 리드 프레임에 일부 매립시켜 상기 바디와 상기 음극 리드 프레임을 접속하는 단계를 포함하고,
상기 와이어접속부는 상기 탄탈 와이어와 접하는 부분에 배치되는 제1 용융부를 포함하며,
상기 탄탈 와이어의 상기 와이어접속부가 접속하는 부분의 적어도 일부에는 제1 요철이 배치되고,
상기 제1 요철 사이의 공간의 적어도 일부는 상기 제1 용융부로 채워진 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.preparing a cathode lead frame with an anode lead frame including a wire connection protruding from one surface of the first conductive metal plate and a second conductive metal plate;
disposing a body containing tantalum powder and exposing tantalum wires on one side of the cathode lead frame, and disposing the tantalum wire to be in contact with the wire connection part;
irradiating a laser to a position of the tantalum wire facing the wire connection portion, melting an end of the wire connection portion, and partially burying the tantalum wire in the wire connection portion to connect the tantalum wire and the wire connection portion; and
A laser is irradiated to a position of the body facing the cathode lead frame to melt a portion of the cathode lead frame in contact with the body and partially embed the body in the cathode lead frame to connect the body and the cathode lead frame. contains steps,
The wire connection part includes a first melting part disposed at a portion in contact with the tantalum wire,
First unevenness is disposed on at least a part of a portion of the tantalum wire to which the wire connection part is connected;
At least a part of the space between the first irregularities is filled with the first fusion part. 삭제delete 제9항에 있어서,
상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계는 랩 조인트 레이저 스팟 용접법으로 수행되는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.According to claim 9,
The step of connecting the tantalum wire and the wire connection part is performed by a lap joint laser spot welding method.
KR1020160046105A 2016-04-15 2016-04-15 Tantalum capacitor and method of fabricating the same KR102527714B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160046105A KR102527714B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Tantalum capacitor and method of fabricating the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160046105A KR102527714B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Tantalum capacitor and method of fabricating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170118391A KR20170118391A (en) 2017-10-25
KR102527714B1 true KR102527714B1 (en) 2023-05-02

Family

ID=60299951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160046105A KR102527714B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Tantalum capacitor and method of fabricating the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102527714B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107917743A (en) * 2017-12-21 2018-04-17 交通运输部天津水运工程科学研究所 A kind of tantalum wire tolerance formula Wave Sensor device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230990A (en) * 2011-04-26 2012-11-22 Rohm Co Ltd Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2814985B2 (en) * 1996-04-25 1998-10-27 日本電気株式会社 Method for manufacturing solid electrolytic capacitor
JP2002203747A (en) 2000-12-28 2002-07-19 Nippon Chemicon Corp Chip type solid-state electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
KR100466071B1 (en) * 2002-05-22 2005-01-13 삼성전기주식회사 A solid electrolytic condenser

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230990A (en) * 2011-04-26 2012-11-22 Rohm Co Ltd Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170118391A (en) 2017-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7158368B2 (en) Process for producing solid electrolytic capacitor and solid electrolytic capacitor
JP4862204B2 (en) Solid electrolytic capacitor
US6188566B1 (en) Solid electrolytic capacitor having a second lead with a throughhole filled with an arc-extinguishing material
KR102176281B1 (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
JP4183091B2 (en) Surface mount type solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
US6785124B2 (en) Capacitor element for solid electrolytic capacitor, process of making the same and solid electrolytic capacitor utilizing the capacitor element
JP6705641B2 (en) Solid electrolytic capacitor
KR102527714B1 (en) Tantalum capacitor and method of fabricating the same
US9711294B2 (en) Tantalum capacitor and method of manufacturing the same
KR101761941B1 (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
KR102127816B1 (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
KR20150049918A (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
WO2021200154A1 (en) Electronic component, lead part connection structure, and lead part connection method
KR102052763B1 (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
JP5673650B2 (en) Electronic components
KR102052764B1 (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
JP2003068588A (en) Structure of surface mounting solid electrolytic capacitor with safety fuse and its manufacturing method
JP2012230990A (en) Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
US11830681B2 (en) Solid electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
KR20150049920A (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same
JP4307439B2 (en) Manufacturing method of solid electrolytic capacitor
JP4090021B2 (en) Capacitor element in solid electrolytic capacitor, method for manufacturing the capacitor element, and solid electrolytic capacitor using the capacitor element
JPH01268014A (en) Manufacture of tantalum solid electrolytic capacitor
KR102105398B1 (en) Solid electrolytic capacitor, manufacturing of the same and chip-type electronic part
KR20160002624A (en) Tantalum capacitor and method of preparing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant