KR20170118391A - Tantalum capacitor and method of fabricating the same - Google Patents

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KR20170118391A
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Abstract

본 발명은 탄탈 분말을 포함하는 바디; 상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어; 상기 탄탈 와이어가 일부 매립되는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및 상기 바디가 실장되는 음극 리드 프레임;을 포함하는 탄탈륨 캐패시터에 관한 것이다.The present invention relates to a body comprising tantalum powder; A tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body; A cathode lead frame including a wire connection portion in which the tantalum wire is partially embedded; And a negative lead frame on which the body is mounted.

Description

탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조 방법{TANTALUM CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}TANTALUM CAPACITOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

본 발명은 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 보다 구체적으로는 레이저를 이용한 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a tantalum capacitor and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a tantalum capacitor using a laser and a manufacturing method thereof.

탄탈륨(tantalum: Ta) 소재는 융점이 높고 연성 및 내부식성 등이 우수한 기계적 또는 물리적 특징으로 인해 전기, 전자, 기계 및 화공을 비롯하여 우주 및 군사 분야 등 산업 전반에 걸쳐 광범위하게 사용되는 금속이다.Tantalum (Ta) is a metal widely used in industries such as electricity, electronics, machinery and chemical industry as well as aerospace and military fields due to its mechanical or physical characteristics such as high melting point and excellent ductility and corrosion resistance.

이러한 탄탈륨 소재는 안정된 양극 산화 피막을 형성시킬 수 있는 특성으로 인해 소형 캐패시터의 양극 소재로 널리 이용되고 있으며, 최근 들어 전자 및 정보 통신과 같은 IT 산업의 급격한 발달로 인해 매년 그 사용량이 급격히 증가하는 실정이다.These tantalum materials are widely used as anode materials for small capacitors due to their ability to form stable anodic oxide coatings. Recently, the use of tantalum materials has rapidly increased due to the rapid development of IT industry such as electronic and information communication. to be.

종래의 탄탈륨 캐패시터는 양극 리드 프레임이 외부 전극으로 사용되는 메인 프레임과 상기 메인 프레임과 탄탈 와이어를 연결하기 위해 상기 메인 프레임에서 탄탈 와이어의 높이만큼 연장되는 서브 프레임으로 이루어진다.A conventional tantalum capacitor comprises a main frame in which a cathode lead frame is used as an external electrode, and a subframe extending in the main frame by a height of a tantalum wire to connect the mainframe and the tantalum wire.

이때, 상기 메인 프레임과 서브 프레임은 각각 분리 제작된 후 용접 공정에 의해 서로 연결된다.At this time, the main frame and the sub frame are separately manufactured and then connected to each other by a welding process.

그러나, 이러한 용접 공접은, 전체 제조 공정을 복잡하게 함은 물론 용접과정에서 과도한 작업시간 발생 및 불량품 발생 등의 문제점이 발생하여 탄탈륨 캐패시터의 생산수율을 저하시키는 원인이 되는 것이었다.However, such a welded joint complicates the entire manufacturing process and causes problems such as excessive working time and generation of defective products in the welding process, thereby causing a decrease in the production yield of the tantalum capacitor.

일본 공개특허공보 제2002-203747호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2002-203747

본 발명의 목적은, 탄탈 와이어 또는 바디를 각각 리드 프레임과 전기적으로 연결하는 공정에 있어서, 아크 용접 공정을 배제시켜 제조 공정을 단순화시키고 생산수율을 향상시키며 불량품 발생률을 줄일 수 있도록 한 탄탈륨 캐패시터 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a tantalum capacitor and a method of manufacturing the same, which can simplify the manufacturing process, improve the production yield, and reduce the generation rate of defective products by eliminating the arc welding process in the process of electrically connecting the tantalum wire or the body to the lead frame, And a method for manufacturing the same.

본 발명의 일 실시예에 따른 탄탈륨 캐패시터는 탄탈 분말을 포함하는 바디; 상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어; 상기 탄탈 와이어가 일부 매립되는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및 상기 바디가 실장되는 음극 리드 프레임;을 포함한다.A tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention includes a body including tantalum powder; A tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body; A cathode lead frame including a wire connection portion in which the tantalum wire is partially embedded; And a cathode lead frame on which the body is mounted.

본 발명의 다른 실시예에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법은 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계; 상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계; 및 상기 탄탈 와이어의 상기 와이어 접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a tantalum capacitor including: providing a cathode lead frame with a cathode lead frame including a wire connecting portion protruding from a first surface of a first conductive metal plate and a second conductive metal plate; Disposing a body including tantalum powder on one side of the negative electrode lead frame and having a tantalum wire exposed on one side thereof and arranging the tantalum wire so as to be in contact with the wire connection portion; And connecting the tantalum wire and the wire connection portion by irradiating a laser beam at a position facing the wire connection portion of the tantalum wire to melt the end portion of the wire connection portion and partially filling the tantalum wire into the wire connection portion do.

본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 탄탈 와이어 또는 바디를 각각 리드 프레임과 전기적으로 연결하는 공정에 있어서, 레이저를 이용하여 가공속도가 향상되며 제조 공정을 단순화시키고 생산수율을 향상시킬 수 있다는 효과가 있다.According to the embodiment of the present invention, in the process of electrically connecting the tantalum wire or the body to the lead frame, the processing speed is improved by using a laser, and the manufacturing process is simplified and the production yield is improved .

또한, 본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 레이저를 조사하는 영역 또는 크기를 조절하여 탄탈륨 캐패시터에 열 변형이 발생하는 영역을 최소화할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다In addition, according to one embodiment of the present invention, it is possible to minimize an area where thermal deformation occurs in the tantalum capacitor by adjusting the area or size of the laser irradiation, thereby reducing the defect rate

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 투명사시도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 도 1의 I-I`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 3은 도 1의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 탄탈 와이어가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.
도 6은 도 1의 III-III`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 7은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 8은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 바디가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 플로우 차트이다.
도 10 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows a transparent perspective view of a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 schematically shows a cross-sectional view taken along II 'of Fig.
Fig. 3 schematically shows a cross-sectional view taken along line II-II in Fig.
FIG. 4 schematically shows an enlarged view of FIG. 3 A. FIG.
Fig. 5 schematically shows an enlarged view of Fig. 3A, showing an embodiment in which the tantalum wire has irregularities.
Fig. 6 schematically shows a cross-sectional view taken along line III-III in Fig. 1;
Fig. 7 schematically shows an enlarged view of Fig. 6B.
Fig. 8 schematically shows an enlarged view of Fig. 6B, showing an embodiment in which the body has irregularities.
9 is a flowchart of a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.
10 to 14 schematically illustrate a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

그러나, 본 발명의 실시 형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below.

또한, 본 발명의 실시 형태는 당해 기술 분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.Further, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art.

도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.The shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

또한, 각 실시 형태의 도면에서 나타난 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성 요소는 동일한 참조 부호를 사용하여 설명한다.In the drawings, like reference numerals are used to designate like elements that are functionally equivalent to the same reference numerals in the drawings.

덧붙여, 명세서 전체에서 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, to include an element throughout the specification does not exclude other elements unless specifically stated otherwise, but may include other elements.

또한, 본 실시 형태에서는 설명의 편의를 위해 바디에서 탄탈 와이어가 노출되는 방향을 전방으로 설정하고, 상기 전방과 대향하는 방향을 후방으로 설정하며, 상기 전방 및 후방과 수직으로 교차되는 방향을 양측으로 설정하고, 바디의 두께 방향에 해당하는 양면을 상면 및 하면(또는 실장 면)으로 설정하여 설명하기로 한다.In the present embodiment, for convenience of explanation, the direction in which the tantalum wire is exposed in the body is set forward, the direction facing the front is set to the rear, and the direction perpendicular to the front and rear is set to both sides And both sides corresponding to the thickness direction of the body are set as the upper and lower surfaces (or mounting surfaces), respectively.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터를 개략적으로 나타낸 투명사시도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선 단면도이다.FIG. 1 is a transparent perspective view schematically showing a tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터는, 바디(10), 탄탈 와이어(11), 양극 리드 프레임(20), 음극 리드 프레임(30) 및 몰딩부(40)를 포함한다.1 and 2, a tantalum capacitor according to the present embodiment includes a body 10, a tantalum wire 11, a cathode lead frame 20, a cathode lead frame 30, and a molding part 40 do.

바디(10)는 탄탈 분말을 포함하여 형성되며, 캐패시터의 음극으로 작용한다.The body 10 is formed of tantalum powder and acts as a cathode of the capacitor.

바디(10)는 다공질의 밸브 작용 금속체로 이루어지며, 상기 다공질의 밸브 작용 금속체의 표면에 유전체층, 고체전장질층 및 음전극층을 순차적으로 형성하여 제작할 수 있다.The body 10 is made of a porous valve-operating metal body, and can be manufactured by sequentially forming a dielectric layer, a solid electrostatic capacity layer and a negative electrode layer on the surface of the porous valve-operating metal body.

일 예로서, 바디(10)는 탄탈 분말과 바인더를 일정 비율로 혼합하여 교반시키고, 이렇게 혼합된 분말을 압축하여 직육면체로 성형한 후 이를 고온 및 고진동 하에서 소결시켜 제작할 수 있다.For example, the body 10 can be manufactured by mixing and stirring a tantalum powder and a binder at a predetermined ratio, compacting the mixed powder into a rectangular parallelepiped body, and sintering the mixture at a high temperature and a high vibration.

보다 구체적으로, 탄탈륨 캐패시터(Tantalum Capacitor)는 탄탈 분말(Tantalum Powder)을 소결하여 굳혔을 때 나오는 빈 틈을 이용하는 구조로서, 바디(10)는 탄탈 표면에 양극 산화법을 이용하여 산화 탄탈(Ta2O5)을 형성하고, 이 산화 탄탈을 유전체로 하여 그 위에 전해질인 이산화망간층(MnO2) 또는 전도성 고분자층을 형성하며, 상기 이산화망간층 또는 전도성 고분자층 위에 카본층 및 금속층을 형성하여 제작할 수 있다.More specifically, a tantalum capacitor is a structure using trenches formed when the tantalum powder is sintered and solidified. The body 10 is formed of tantalum oxide (Ta 2 O 5) the formation, and this by a tantalum oxide as a dielectric and form a manganese dioxide layer (MnO 2) or a conductive polymer layer electrolyte thereon, it can be prepared by forming the manganese dioxide layer or a carbon layer and a metal layer over the conductive polymer layer.

또한, 바디(10)는 필요시 표면에 카본 및 은(Ag)이 도포될 수 있다.Further, the body 10 can be coated with carbon and silver (Ag) on the surface, if necessary.

상기 카본은 바디(10) 표면의 접촉 저항을 감소시키기 위한 것이며, 상기 은(Ag)은 바디(10)를 음극 리드 프레임(20)에 상기 전기적 연결 수단 등을 통해 전기적으로 접속시킬 때 전기 연결성을 향상시키기 위한 것이다.The carbon is used for reducing the contact resistance of the surface of the body 10 and the silver (Ag) is used when the body 10 is electrically connected to the anode lead frame 20 through the electrical connection means or the like. .

탄탈 와이어(11)는 캐패시터의 양극으로 작용한다.The tantalum wire 11 acts as the anode of the capacitor.

이러한 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 내부에 각각 위치하는 삽입영역과, 바디(10)의 전방의 일 측면을 통해 노출되도록 상기 삽입 영역에서 연장되게 형성되는 비삽입영역을 포함한다.The tantalum wire 11 includes an inserting region located inside the body 10 and a non-inserting region extending from the inserting region to be exposed through one side of the front side of the body 10.

본 실시 형태에 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 길이 방향의 일 측면을 통해 각각 노출되도록 구성되나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.The tantalum wire 11 is exposed through one side in the longitudinal direction of the body 10, but the present invention is not limited thereto.

예컨대, 본 발명의 탄탈 와이어(11)는 필요시 바디(10)의 폭 방향의 일 측면을 통해 노출되도록 구성될 수 있으며, 이 경우 양극 리드 프레임(20) 및 음극 리드 프레임(30)도 이와 대응되게 몰딩부(40)의 폭 방향을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다.For example, the tantalum wire 11 of the present invention may be configured to be exposed through one side in the width direction of the body 10, if necessary. In this case, the cathode lead frame 20 and the cathode lead frame 30 And may be spaced apart from each other along the width direction of the molding part 40. [

또한, 탄탈 와이어(11)는 상기 탄탈 분말과 바인더가 혼합된 분말을 압축하기 전에, 상기 탄탈 분말과 바인더의 혼합물에 삽입하여 장착할 수 있다.Also, the tantalum wire 11 may be inserted into the mixture of the tantalum powder and the binder before the powder mixed with the tantalum powder and the binder is compressed.

즉, 바디(10)는 바인더를 혼합한 탄탈 분말에 탄탈 와이어(11)를 삽입 장착하여 원하는 크기의 탄탈 소자를 성형한 다음, 상기 탄탈 소자를 약 1,000 내지 2,000 ℃의 고진공(10-5 torr 이하) 분위기에서 약 30 분 정도 소결시켜 제작할 수 있다.That is, the body 10 is formed by forming a tantalum element of a desired size by inserting a tantalum wire 11 into a tantalum powder mixed with a binder, and then subjecting the tantalum element to high vacuum (10 -5 torr or less ) Atmosphere for about 30 minutes.

이때, 탄탈 와이어(11)는 바디(10)의 길이 방향으로 동일한 선상에 위치하도록 배치될 수 있다.At this time, the tantalum wires 11 may be arranged so as to be located on the same line in the longitudinal direction of the body 10.

양극 리드 프레임(20)은 니켈/철 합금 등의 제1 도전성 금속 판재를 이용하여 형성될 수 있으며, 양극 단자부(21) 및 와이어접속부(22)를 포함할 수 있다.The positive electrode lead frame 20 may be formed using a first conductive metal plate such as a nickel / iron alloy, and may include a positive electrode terminal portion 21 and a wire connecting portion 22.

양극 단자부(21)는 몰딩부(40)의 하면으로 노출되며, 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용될 수 있다.The positive electrode terminal portion 21 is exposed at the lower surface of the molding portion 40 and can be used as a connection terminal for electrical connection with other electronic products.

또한, 양극 단자부(21)는 상면 중 일부에 단턱(23)이 형성될 수 있다.The anode terminal portion 21 may have a step 23 formed in a part of the upper surface thereof.

이때, 단턱(23)은 바디(10)와 양극 단자부(21)와 접촉되어 쇼트가 발생되는 것을 방지하기 위한 역할을 한다.At this time, the step 23 serves to prevent short-circuiting between the body 10 and the anode terminal 21.

와이어접속부(22)는 양극단자부(21)의 상면 중 일부에서 상측으로 돌출되는 부분으로서, 상단이 탄탈 와이어(11)와 접속되어 전기적으로 연결된다.The wire connecting portion 22 is a portion protruding upward from a part of the upper surface of the positive electrode terminal portion 21, and its upper end is electrically connected to the tantalum wire 11.

이때, 와이어접속부(22)는 사각 또는 원 기둥 등 다양하게 변경될 수 있다.At this time, the wire connecting portion 22 can be changed in various ways such as a square or a circular column.

와이어접속부(22)의 상단에는 탄탈 와이어(11)가 매립되는 와이어 매립부(22a)가 배치될 수 있다. A wire embedding portion 22a in which a tantalum wire 11 is embedded may be disposed at an upper end of the wire connecting portion 22. [

후술하는 바와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.A laser is irradiated in the direction opposite to the wire connecting portion 22 in the tantalum wire 11 by the Lab Joint Laser Spot Welding method to form the wire connecting portion 22 and the tantalum wire 11, Can be welded.

이 때, 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.At this time, a part of the tantalum wire 11 may be partially embedded in the wire embedding portion 22a of the wire connecting portion 22 by melting the upper portion of the wire connecting portion 22 by the heat transmitted through the tantalum wire 11.

와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 접속시킬 때, 와이어접속부(22)가 과도하게 녹는 경우에는 와이어접속부(22)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 양극 리드 프레임(20)과 바디(10)가 도전성 물질을 통해 접속되는 등의 불량이 발생할 수 있다.When the wire connecting portion 22 is excessively melted when the wire connecting portion 22 and the tantalum wire 11 are connected to each other, a conductive material flows in the form of a nugget around the wire connecting portion 22, And the body 10 are connected to each other through a conductive material.

이러한 불량을 방지하기 위하여 탄탈 와이어(11)는 와이어 접속부(22)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다. In order to prevent such defects, the tantalum wire 11 may be welded so as to be partially buried in the wire connecting portion 22.

또한, 후술하는 바와 같이 와이어접속부(22)의 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분에는 와이어접속부(22)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제1 용융부가 배치될 수 있다. In addition, as described later, the first melting portion may be disposed at a portion of the wire connecting portion 22 in contact with the tantalum wire 11, where the upper portion of the wire connecting portion 22 melts and is hardened again.

음극 리드 프레임(30)는 니켈/철 합금 등의 도전성 금속으로 이루어질 수 있다.The negative electrode lead frame 30 may be made of a conductive metal such as nickel / iron alloy.

음극 리드 프레임(30)는 양극 단자(20)의 양극 단자부(21)와 서로 L-방향으로 평행하게 이격되어 배치되며, 하면은 몰딩부(40)의 하면으로 노출되어 다른 전자 제품과의 전기적 연결을 위한 연결 단자로 사용될 수 있다.The negative electrode lead frame 30 is disposed in parallel with the positive electrode terminal portion 21 of the positive electrode terminal 20 in parallel with the L-direction and the lower surface is exposed to the lower surface of the molding portion 40, As shown in Fig.

바디 실장부(32)에는 바디(10)가 실장되어 전기적으로 연결될 수 있다.The body 10 may be mounted on the body mounting portion 32 and electrically connected thereto.

또한, 음극 리드 프레임(30)는 하면 중 일부에 몰딩부(40)가 형성되도록 단턱(33)을 가질 수 있다.Also, the negative electrode lead frame 30 may have a step 33 so that the molding part 40 is formed in a part of the lower surface.

예컨대, 본 실시 형태에서 상기 단턱(33)의 구조는 몰딩부(40)의 하면으로 음극 리드 프레임(30)가 노출되도록 하기 위해 음극 리드 프레임(30)을 구성하는 제2 도전성 금속 판재를 습식 식각하는 과정이나 또는 스탬핑(stamping) 등 구성되는 것이다.For example, in the present embodiment, the structure of the step 33 is such that the second conductive metal plate constituting the negative electrode lead frame 30 is wet etched to expose the negative electrode lead frame 30 to the lower surface of the molding part 40 A stamping process, or the like.

또한, 음극 리드 프레임(30)가 몰딩부(40)의 하면으로 노출되는 음극 단자부(31)와 바디(10)가 실장되는 바디 실장부(32)로 구분될 수 있다.The anode lead frame 30 may be divided into a cathode terminal portion 31 exposed at the lower surface of the molding portion 40 and a body mounting portion 32 mounted with the body 10.

음극 리드 프레임(30)의 상면에는 바디(10)가 매립되는 바디 매립부(32a)가 배치될 수 있다. A body buried portion 32a in which the body 10 is buried may be disposed on the upper surface of the cathode lead frame 30.

후술하는 바와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 음극 리드 프레임(30)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저를 조사하여 음극 리드 프레임(30)과 바디(10)를 용접할 수 있다.A laser is irradiated to the upper surface of the body 10 in the direction opposite to the negative electrode lead frame 30 in the body 10 by the Lab Joint Laser Spot Welding method as described later, (30) and the body (10).

이 때, 음극 리드 프레임(30)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 음극 리드 프레임(30)의 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.At this time, a part of the body 10 may be buried in the body buried portion 32a of the negative electrode lead frame 30 by partially melting the upper portion of the negative electrode lead frame 30 by the heat transmitted through the body 10.

음극 리드 프레임(30)과 바디(10)를 접속시킬 때, 음극 리드 프레임(30)가 과도하게 녹는 경우에는 음극 리드 프레임(30)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 형성되어 음극 리드 프레임의 형상 불량을 유발할 수 있다.When the negative electrode lead frame 30 is excessively melted when the negative electrode lead frame 30 and the body 10 are connected to each other, a conductive material is formed in a nudget form around the negative electrode lead frame 30, It is possible to cause a defective shape of the frame.

이러한 불량을 방지하기 위하여 바디(10)는 음극 리드 프레임(30)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다. In order to prevent such defects, the body 10 may be welded so as to be partially buried in the negative electrode lead frame 30.

또한, 후술하는 바와 같이 음극 리드 프레임(30)의 바디(10)와 접하는 부분에는 음극 리드 프레임(30)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제2 용융부가 배치될 수 있다.As described later, a portion of the negative electrode lead frame 30, which is in contact with the body 10, may be disposed with the second molten portion melted and then hardened again.

몰딩부(40)는 바디(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 형성될 수 있다.The molding part 40 may be formed by transfer molding resin such as EMC (epoxy molding compound) so as to surround the body 10.

이러한 몰딩부(40)는 외부로부터 탄탈 와이어(11) 및 바디(10)를 보호하는 역할을 수행할 뿐만 아니라, 바디(10)와 양극 리드 프레임(20)를 서로 절연시키는 역할을 한다.The molding part 40 not only protects the tantalum wire 11 and the body 10 from the outside but also serves to insulate the body 10 and the cathode lead frame 20 from each other.

이때, 몰딩부(40)는 양극 단자(20)의 양극 단자부(21)의 하면 및 음극 리드 프레임 (30)의 음극 단자부(31)의 하면이 노출되도록 형성된다.The molding part 40 is formed such that the lower surface of the cathode terminal part 21 of the cathode terminal 20 and the lower surface of the cathode terminal part 31 of the cathode lead frame 30 are exposed.

도 3은 도 1의 II-II`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 4는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 3 schematically shows a cross-sectional view taken along the line II-II 'of Fig. 1, and Fig. 4 schematically shows an enlarged view of Fig.

도 3 및 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 탄탈 와이어(11)와 양극 리드 프레임(20)의 구조에 대해 상세히 살펴보도록 한다.Referring to FIGS. 3 and 4, the structure of the tantalum wire 11 and the cathode lead frame 20 of the tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 3에 알 수 있듯이, 와이어접속부(22)의 상부에 탄탈 와이어(11)가 와이어 매립부(22a)에 일부 매립되는 것을 알 수 있다.3, it can be seen that the tantalum wire 11 is partially buried in the wire buried portion 22a at the upper portion of the wire connecting portion 22. As shown in Fig.

랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.It is possible to weld the wire connecting portion 22 and the tantalum wire 11 by irradiating a laser beam in a direction opposite to the wire connecting portion 22 in the tantalum wire 11 by a lab joint laser spot welding method .

이때, 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.At this time, a part of the tantalum wire 11 may be partially embedded in the wire embedding portion 22a of the wire connecting portion 22 by melting the upper portion of the wire connecting portion 22 by the heat transmitted through the tantalum wire 11.

즉, 와이어 접속부(22)의 상부 중에서 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분만이 일부 녹아서 탄탈 와이어(11)가 와이어 매립부(22a)에 매립된다.That is, only a portion of the upper portion of the wire connecting portion 22 in contact with the tantalum wire 11 is partially melted, and the tantalum wire 11 is embedded in the wire embedding portion 22a.

탄탈 와이어(11)가 와이어접속부(22)에 매립되는 깊이는 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 너무 얕은 경우에는 탄탈 와이어(11)와 와이어접속부(22)의 사이의 접착력이 떨어지고, 너무 깊은 경우에는 와이어접속부(22)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 양극 리드 프레임(20)과 바디(10)가 도전성 물질을 통해 접속되는 등의 불량이 발생할 수 있다.The depth at which the tantalum wire 11 is embedded in the wire connecting portion 22 can be appropriately adjusted as necessary. However, if the tantalum wire 11 is too shallow, the adhesive force between the tantalum wire 11 and the wire connecting portion 22 is deteriorated. A defect may occur such that the conductive material flows in a nudget form around the wire connecting portion 22 and the cathode lead frame 20 and the body 10 are connected through the conductive material.

따라서, 탄탈 와이어(11)는 와이어 접속부(22)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다.Therefore, the tantalum wire 11 can be welded so as to be partially buried in the wire connecting portion 22.

또한, 도 4에서 알 수 있듯이, 와이어접속부(22)의 탄탈 와이어(11)와 접하는 부분에는 와이어접속부(22)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제1 용융부(22b)가 배치될 수 있다.4, the upper portion of the wire connecting portion 22 may be melted and then the hardened first molten portion 22b may be disposed at a portion of the wire connecting portion 22 in contact with the tantalum wire 11.

이러한 제1 용융부(22b)는 미세구조 관찰시 와이어접속부(22)의 다른 부분과 차이가 있음을 확인할 수 있다.It can be seen that the first fused portion 22b differs from the other portions of the wire connection portion 22 when observing the microstructure.

도 5는 도 3의 A의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 탄탈 와이어가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.Fig. 5 schematically shows an enlarged view of Fig. 3A, showing an embodiment in which the tantalum wire has irregularities.

도 5를 참조하면, 도 4와 달리 탄탈 와이어(11)의 표면 중 일부에 제1 요철(11a)가 배치되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 5, it can be seen that, unlike FIG. 4, the first irregularities 11a are disposed on a part of the surface of the tantalum wire 11.

제1 요철(11a)은 제1 용융부(22b)가 제1 요철(11a)의 빈 공간을 채워 앵커 효과를 이용하여 탄탈 와이어(11)와 와이어접속부(22)의 결합력을 향상시킬 수 있다. The first irregularities 11a can improve the bonding force between the tantalum wire 11 and the wire connecting portion 22 by using the anchor effect by filling the empty space of the first concave and convex portion 11a with the first molten portion 22b.

제1 요철(11a)은 탄탈 와이어(11)의 외주면을 따라 일부 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 모두 형성될 수 있다. The first concavity and convexity 11a may be formed along the outer circumferential surface of the tantalum wire 11, but not limited thereto, and may be all formed.

또한, 제1 요철(11a)은 탈탈 와이어(11)의 제1 용융부(22b)와 접하는 면의 적어도 일부에 형성될 수 있으며, 접착력을 강화하기 위하여 제1 용융부(22b)와 접하는 면의 전부에 형성될 수도 있다.The first irregularities 11a may be formed on at least a part of the surface of the tantalum wire 11 in contact with the first molten portion 22b and may be formed on the surface of the tantalum wire 11 in contact with the first molten portion 22b Or may be formed on all of them.

도 6은 도 1의 III-III`에 따른 단면도를 개략적으로 도시한 것이며, 도 7은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 6 schematically shows a cross-sectional view taken along the line III-III 'in Fig. 1, and Fig. 7 schematically shows an enlarged view of Fig. 6B.

도 6 및 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 바디(10)와 음극 리드 프레임(30)의 구조에 대해 상세히 살펴보도록 한다.Referring to FIGS. 6 and 7, the structure of the body 10 and the cathode lead frame 30 of the tantalum capacitor according to an embodiment of the present invention will be described in detail.

도 6에 알 수 있듯이, 바디 실장부(32)의 상부, 즉 음극 리드 프레임(30)의 상부에 바디(10)가 바디 매립부(32a)에 일부 매립되는 것을 알 수 있다.6, it can be seen that the body 10 is partially embedded in the body buried portion 32a on the upper portion of the body mounting portion 32, that is, the upper portion of the negative electrode lead frame 30. [

랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 바디 실장부(32)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저를 조사하여 바디 실장부(32)와 바디(10)를 용접할 수 있다.A laser is irradiated to the upper surface of the body 10 in the direction opposite to the body mounting portion 32 in the body 10 by the Lab Joint Laser Spot Welding method to form the body mounting portion 32, (10) can be welded.

이 때, 바디 실장부(32)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.At this time, a part of the body 10 may be embedded in the body buried portion 32a by partially melting the upper portion of the body mounting portion 32 by the heat transmitted through the body 10.

즉, 바디 실장부(32)의 상부 중에서 바디(10)와 접하는 부분만이 일부 녹아서 바디(10)가 바디 매립부(32a)에 매립된다.That is, only a portion of the upper portion of the body mounting portion 32 that is in contact with the body 10 is partially melted, so that the body 10 is embedded in the body buried portion 32a.

바디(10)가 바디 실장부(32)에 매립되는 깊이는 필요에 따라 적절히 조절할 수 있으나, 너무 얕은 경우에는 바디(10)와 음극 리드 프레임(30)의 사이의 접착력이 떨어지고, 너무 깊은 경우에는 음극 리드 프레임(30)의 주위에 너겟(nudget) 형태로 도전성 물질이 흘러 음극 리드 프레임의 형상 불량 등의 문제가 발생할 수 있다.The depth at which the body 10 is embedded in the body mounting portion 32 can be appropriately adjusted as required. However, if the body 10 is too shallow, the adhesive force between the body 10 and the cathode lead frame 30 is deteriorated. A conductive material may flow in a nudget shape around the cathode lead frame 30, which may cause problems such as defective shape of the cathode lead frame.

따라서, 바디(10)는 바디 실장부(32)에 일부만 매립되도록 용접될 수 있다.Therefore, the body 10 can be welded so as to be partially buried in the body mounting portion 32. [

또한, 도 7에서 알 수 있듯이, 바디 실장부(32)의 바디(10)와 접하는 부분에는 바디 실장부(32)의 상부가 녹았다가 다시 굳어진 제2 용융부(32b)가 배치될 수 있다.7, the upper portion of the body mounting portion 32 may be melted and the hardened second molten portion 32b may be disposed at a portion of the body mounting portion 32 in contact with the body 10 .

이러한 제2 용융부(32b)는 미세구조 관찰시 음극 리드 프레임(32)의 다른 부분과 차이가 있음을 확인할 수 있다.It can be seen that the second molten portion 32b differs from the other portions of the negative electrode lead frame 32 when observing the microstructure.

도 8은 도 6의 B의 확대도를 개략적으로 도시한 것으로서, 바디가 요철을 가지는 실시 형태를 나타낸 것이다.Fig. 8 schematically shows an enlarged view of Fig. 6B, showing an embodiment in which the body has irregularities.

도 8을 참조하면, 도 7과 달리 바디(10)의 표면 중 일부에 제2 요철(10a)가 배치되어 있음을 알 수 있다.Referring to FIG. 8, it can be seen that, unlike FIG. 7, the second irregularities 10a are disposed on part of the surface of the body 10. FIG.

제2 요철(10a)은 제2 용융부(32b)가 제2 요철(10a)의 빈 공간을 채워 앵커 효과를 이용하여 바디(10)와 바디 실장부(32)의 결합력을 향상시킬 수 있다. The second irregularities 10a can improve the bonding force between the body 10 and the body mounting portion 32 by using the anchor effect by filling the space of the second irregularities 10a with the second molten portion 32b.

제2 요철(10a)은 바디(10)의 실장면을 따라 일부 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 모두 형성될 수 있다. The second concavity and convexity 10a may be formed partly along the mounting surface of the body 10, but not limited thereto, and both may be formed.

또한, 제2 요철(10a)은 바디(10)의 제2 용융부(32b)와 접하는 면의 적어도 일부에 형성될 수 있으며, 접착력을 강화하기 위하여 제2 용융부(32b)와 접하는 면의 전부에 형성될 수도 있다.The second concavo-convex 10a may be formed on at least a part of the surface of the body 10 which is in contact with the second molten portion 32b. In order to enhance the adhesion, the entire surface of the second molten portion 32b As shown in FIG.

도 9는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 플로우 차트이며, 도 10 내지 도 14는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법을 개략적으로 도시한 것이다.FIG. 9 is a flowchart of a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 10 to 14 schematically illustrate a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention.

이하, 도 9 내지 14를 참조하여 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법은 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계; 상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계; 및 상기 탄탈 와이어의 상기 와이어 접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계;를 포함한다. Referring to FIG. 9, a method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention includes a cathode lead frame including a wire connecting portion protruding from one surface of a first conductive metal plate, and a cathode lead frame formed of a second conductive metal plate ; Disposing a body including tantalum powder on one side of the negative electrode lead frame and having a tantalum wire exposed on one side thereof and arranging the tantalum wire so as to be in contact with the wire connection portion; And connecting the tantalum wire and the wire connection portion by irradiating a laser beam at a position facing the wire connection portion of the tantalum wire to melt the end portion of the wire connection portion and partially filling the tantalum wire into the wire connection portion do.

본 발명의 다른 실시 형태에 따른 탄탈륨 캐패시터의 제조방법의 각 단계를 살펴보면, 먼저 평판 형으로 이루어진 제1 도전성 금속 판재를 이용하여 양극 단자부(21), 와이어접속부(22) 및 단턱(23)을 포함하는 양극 리드 프레임(21)을 마련한다. Each of the steps of the method of manufacturing a tantalum capacitor according to another embodiment of the present invention will now be described. First, the first conductive metal plate made of a flat plate is used to include the positive electrode terminal portion 21, the wire connecting portion 22, and the step 23 A positive electrode lead frame 21 is provided.

제1 도전성 금속 판재는 펀칭, 스탬핑 등을 사용한 금형 방법 또는 에칭 등에 의한 방법 등에 의해 제작되며, 이에 한정되는 것은 아니다. The first conductive metal plate material is manufactured by a method such as a die method using punching, stamping or the like, a method by etching or the like, but is not limited thereto.

와이어접속부(22)는 양극 단자부(21)와 일체로 형성되거나, 양극 단자부(21)를 형성한 뒤에 와이어 접속부(22)를 용접하여 형성될 수 있다.The wire connecting portion 22 may be integrally formed with the positive electrode terminal portion 21 or may be formed by welding the wire connecting portion 22 after forming the positive electrode terminal portion 21.

또한, 도 9에서 볼 수 있듯이, 와이어접속부(22)는 기둥부재(22')에 서브 프레임(22'')를 레이저(60)를 이용하여 랩 조인트 레이저 스팟 용접법에 의해 용접할 수 있다. 9, the wire connecting portion 22 can be welded to the column member 22 'by the lap joint laser spot welding method using the laser 60 with the sub frame 22' '.

서브 프레임(22'')은 탄탈 와이어(11)와 접착력이 뛰어난 재료를 이용하여 형성될 수 있으며, 예를 들어, 니켈(Ni)일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.The subframe 22 '' may be formed using a material having excellent adhesion to the tantalum wire 11, for example, but may not be limited to, nickel (Ni).

마찬가지로 평판 형으로 이루어진 제2 도전성 금속 판재를 이용하여 음극 단자부(31), 바디 실장부(32) 및 단턱(33)을 포함하는 양극 리드 프레임(21)을 마련한다. Similarly, the cathode lead frame 21 including the cathode terminal portion 31, the body mounting portion 32, and the step 33 is provided by using the second conductive metal plate made of a flat plate.

제2 도전성 금속 판재는 펀칭, 스탬핑 등을 사용한 금형 방법 또는 에칭 등에 의한 방법 등에 의해 제작되며, 이에 한정되는 것은 아니다. The second conductive metal plate material is manufactured by a method such as a punching method, a stamping method, a method by etching or the like, but is not limited thereto.

음극 리드 프레임(30)은 제2 도전성 금속 판재의 하면 중 일부를 습식 식각 등으로 처리하여 단턱(33)을 형성할 수 있다.The cathode lead frame 30 can form a step 33 by treating a part of the lower surface of the second conductive metal plate by wet etching or the like.

단턱(33)은 후술하는 몰딩 공정에서 몰딩 재료가 채워져 음극 리드 프레임과 몰딩부(40) 간의 고착 강도를 향상시키는 역할을 할 수 있다.The step 33 may be filled with a molding material in a molding process to be described later to improve the adhesion strength between the negative electrode lead frame and the molding part 40.

이 후, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)을 L-방향으로 서로 마주보게 나란히 배치한다.Thereafter, the positive electrode and negative electrode lead frames 20 and 30 are arranged side by side facing each other in the L- direction.

이때, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에는 필요시 내열성 테이프를 서로 연결되게 부착할 수 있다.At this time, heat-resistant tapes may be attached to the lower surfaces of the anode and cathode lead frames 20 and 30, as needed.

내열성 테이프는 이후 진행되는 몰딩 공정에서 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 노출되는 표면이 오염되는 것을 방지하기 위한 것이다.The heat resistant tape is intended to prevent the exposed surfaces of the anode and cathode lead frames 20 and 30 from being contaminated in a subsequent molding process.

다음으로 도 11과 같이, 위와 같이 제작된 양극 리드 프레임(20)과 음극 리드 프레임(30)에 각각 탄탈 와이어(22)와 바디(10)가 위치하도록 배치한다.Next, as shown in FIG. 11, the tantalum wire 22 and the body 10 are disposed on the cathode lead frame 20 and the cathode lead frame 30 manufactured as described above.

음극 리드 프레임(30)의 일면, 즉, 바디 실장부(32)에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어(11)가 노출된 바디(10)를 배치하고, 탄탈 와이어(11)를 와이어접속부(22)와 접하도록 배치한다.The body 10 including the tantalum powder and the tantalum wire 11 exposed on one side is disposed on one surface of the negative electrode lead frame 30, that is, the body mounting portion 32, (22).

그 다음, 도 12와 같이, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 탄탈 와이어(11)에서 와이어접속부(22)와 대향하는 방향에 레이저(60)를 조사하여 와이어접속부(22)와 탄탈 와이어(11)를 용접할 수 있다.12, a laser 60 is irradiated in a direction opposite to the wire connecting portion 22 in the tantalum wire 11 by a Lab Joint Laser Spot Welding method to form the wire connecting portion 22, And the tantalum wire 11 can be welded.

종래에는 아크 스팟 용접법을 이용하였으나, 아크 스팟 용접법의 경우에는 전극이 탄탈 와이어 또는 리드 프레임에 맞닿아야 하기 때문에, 맞닿게 해기 위해 용접 장치 또는 탄탈륨 캐패시터의 바디를 이동시켜야 한다. Conventionally, arc spot welding has been used, but in the case of arc spot welding, the electrode must contact the tantalum wire or the lead frame, so that the welding device or the body of the tantalum capacitor must be moved in order to come into contact.

이로 인해, 이송시간이 존재하고, 제품의 위치 정렬에 악영향을 미치며, 이동으로 인해 마모가 발생하고, 높이에 따라 가공 품질의 차이가 발생되며, 전극 교체가 필요하다는 단점이 있다. 즉, 아크 스팟 용접법의 경우에는 상술한 단점들로 인해 탄탈륨 캐패시터의 생산성과 품질이 저하되는 문제가 있다.This has the disadvantage that there is a transfer time, adversely affects the positional alignment of the product, wear occurs due to movement, a difference in processing quality occurs depending on the height, and electrode replacement is required. That is, in the case of the arc spot welding method, productivity and quality of the tantalum capacitor are deteriorated due to the disadvantages described above.

하지만, 레이저를 이용하는 경우에는 비접촉 공정이며, 높이 조절이 필요 없고, 가공에 소용되는 시간이 짧으며, 포커스 조절에 따라 가공 품질이 조절가능하며, 용접하는 부분의 변경도 용이하다는 장점이 있다.However, in the case of using a laser, it is a non-contact process, and it is advantageous in that it is not necessary to adjust the height, it takes a short time to process, adjusts the processing quality according to the focus adjustment,

특히 레이저를 이용하는 경우에는 스팟 사이즈 조절이 가능하고, 레이저를 조사하는 각도를 변경하는 것도 용이하며, 레이저의 파장도 조절할 수 있다는 장점이 있다. Particularly, when a laser is used, it is possible to adjust the spot size, change the angle of irradiating the laser easily, and control the wavelength of the laser.

즉, 레이저(60)를 조사하는 영역 또는 크기를 조절하여 탄탈륨 캐패시터에 열 변형이 발생하는 영역을 최소화할 수 있어 불량률을 감소시킬 수 있다는 효과가 있다That is, the region where the laser 60 is irradiated or the size of the region to be irradiated with the laser 60 can be adjusted to minimize the area where thermal deformation occurs in the tantalum capacitor, thereby reducing the defect rate

탄탈 와이어(11)와 마찬가지로, 랩 조인트 레이저 스팟 용접법(Lab Joint Laser Spot Welding)에 의하여 바디(10)에서 바디 실장부(32)와 대향하는 방향, 즉 바디(10)의 상면에 레이저(60)를 조사하여 바디 실장부(32)와 바디(10)를 용접할 수 있다.The laser 60 is attached to the body 10 in the direction opposite to the body mounting portion 32 in the body 10 by the Lab Joint Laser Spot Welding method, So that the body mounting portion 32 and the body 10 can be welded.

이와 같은 레이저(60)를 이용한 용접 공정을 수행하게 되면, 도 13과 같이 와이어접속부(22)의 상부가 탄탈 와이어(11)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 탄탈 와이어(11)의 일부가 와이어 접속부(22)의 와이어 매립부(22a)에 매립될 수 있다.13, a part of the tantalum wire 11 is melted by the heat transmitted through the tantalum wire 11 through the upper part of the wire connecting part 22, Can be embedded in the wire embedded portion 22a of the wiring board 22.

또한, 바디 실장부(32)의 상부가 바디(10)를 통해 전달된 열에 의해 일부 녹아 바디(10)의 일부가 바디 매립부(32a)에 매립될 수 있다.A portion of the body 10 may be buried in the body buried portion 32a by partially melting the upper portion of the body mounting portion 32 by the heat transmitted through the body 10. [

이러한 레이저(60)를 이용한 용접 공정을 수행하면서 접착력을 향상시키기 위해 바디(10)의 상면에 일정한 압력을 가할 수 있다. A constant pressure can be applied to the upper surface of the body 10 in order to improve the adhesive force while performing the welding process using the laser 60.

또한, 탄탈륨 캐패시터의 바디(10)와 탄탈 와이어(11)를 마련하는 공정에서 각각 실장되는 면에 요철을 형성하여 앵커 효과를 향상시킬 수 있다.In addition, the anchoring effect can be improved by forming irregularities on the respective mounting surfaces in the process of providing the tantalum capacitor body 10 and the tantalum wire 11.

그 다음으로, 도 14와 같이 바디(10)를 둘러싸도록 EMC(에폭시 몰딩 컴파운드; epoxy molding compound) 등의 수지를 트랜스퍼 몰딩(transfer molding)하여 몰딩부(40)를 형성될 수 있다.14, the molding part 40 can be formed by transfer molding a resin such as EMC (epoxy molding compound) to surround the body 10.

이때, 몰드의 온도는 170℃ 정도로 하며, EMC 몰딩을 위한 상기 온도 및 그 밖의 조건들은 사용되는 EMC 성분과 형상에 따라 적절히 조절될 수 있다.At this time, the temperature of the mold is about 170 DEG C, and the temperature and other conditions for EMC molding can be appropriately adjusted according to the used EMC component and shape.

몰딩 이후에는 필요시 밀폐된 오븐이나 리플로우 경화조건에서 약 160 ℃의 온도로 30 내지 60분간 경화를 진행할 수 있다.After molding, curing can be carried out at a temperature of about 160 ° C for 30 to 60 minutes in a sealed oven or reflow curing condition, if necessary.

이때, 양극 단자(20)의 양극 단자부(21)의 하면 및 음극 리드 프레임 (30)의 음극 단자부(31)의 하면이 노출되도록 몰딩 작업을 수행한다. At this time, the molding operation is performed so that the lower surface of the positive electrode terminal portion 21 of the positive electrode terminal 20 and the lower surface of the negative electrode terminal portion 31 of the negative electrode lead frame 30 are exposed.

이후, 몰딩부(40) 형성 작업이 완료되면 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 하면에 부착되어 있는 내열성 태이프를 제거하고, 몰딩 과정에서 생긴 플래쉬(flash)를 제거하기 위한 디플레쉬 공정을 더 진행할 수 있다.Thereafter, when the forming operation of the molding part 40 is completed, the heat-resistant tapes attached to the lower surfaces of the anode and the cathode lead frames 20 and 30 are removed, and a deflashing process for removing a flash formed during the molding process is performed You can go further.

그리고, 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)이 부착된 상태에서 레이저 마킹을 실시하여 탄탈륨 캐패시터의 양극 방향과 필요시 해당 용량을 표기할 수 있다.Then, laser marking is performed in a state where the anode and the cathode lead frames 20 and 30 are attached, and the anode direction of the tantalum capacitor and the corresponding capacitance, if necessary, can be indicated.

그리고, 후속 공정으로 필요시 에이징 공정을 더 실시할 수 있다.Then, if necessary, a subsequent aging step can be further carried out.

상기 에이징 공정은 조립공정 중에 발생한 전기적 산포를 줄이는 작용을 한다.The aging process acts to reduce the electrical scattering that occurs during the assembly process.

이후, 칩의 전극을 설계대로 형성하기 위해 양극 및 음극 리드 프레임(20, 30)의 잔여 부분을 제거하는 공정을 실시하여 최종적으로 탄탈륨 캐패시터를 완성한다.Thereafter, a process of removing the remaining portions of the anode and the cathode lead frames 20 and 30 to form the electrodes of the chip as designed is performed to finally complete the tantalum capacitor.

이상에서 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고, 청구 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것은 당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited thereto and that various modifications and changes may be made thereto without departing from the scope of the present invention. It will be obvious to those of ordinary skill in the art.

10: 바디
21: 탄탈 와이어
20: 양극 리드 프레임
22: 와이어 접속부
30: 음극 리드 프레임
40: 몰딩부10: Body
21: Tantalum wire
20: Positive electrode lead frame
22:
30: Negative lead frame
40: Molding part

Claims (11)

탄탈 분말을 포함하는 바디;
상기 바디의 내부에 일부가 삽입되며, 상기 바디의 일 측면을 통해 노출되는 탄탈 와이어;
상기 탄탈 와이어가 일부 매립되는 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임; 및
상기 바디가 실장되는 음극 리드 프레임;을 포함하는 탄탈륨 캐패시터.A body comprising tantalum powder;
A tantalum wire partially inserted into the body and exposed through one side of the body;
A cathode lead frame including a wire connection portion in which the tantalum wire is partially embedded; And
And a cathode lead frame on which the body is mounted. 제1항에 있어서,
상기 와이어접속부의 상기 탄탈 와이어와 접하는 부분에 배치되는 제1 용융부를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터..The method according to claim 1,
And a first molten portion disposed at a portion of the wire connecting portion in contact with the tantalum wire. 제2항에 있어서,
상기 탄탈 와이어의 상기 와이어접속부가 접속하는 부분의 적어도 일부에는 제1 요철이 배치되어, 상기 제1 용융부가 상기 요철과 결합되는 탄탈륨 캐패시터.3. The method of claim 2,
Wherein a first irregularity is disposed in at least a part of a portion of the tantalum wire connected to the wire connecting portion, and the first molten portion is combined with the irregularities. 제1항에 있어서,
상기 바디가 상기 음극 리드 프레임에 일부 매립되는 탄탈륨 캐패시터.The method according to claim 1,
Wherein the body is partly embedded in the negative leadframe. 제4항에 있어서,
상기 음극 리드 프레임의 상기 바디와 접하는 부분에 배치되는 제2 용융부를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.5. The method of claim 4,
And a second molten portion disposed at a portion of the negative electrode lead frame that is in contact with the body. 제5항에 있어서,
상기 바디의 상기 음극 리드 프레임과 접속하는 부분의 적어도 일부에는 제2 요철이 배치되어, 상기 제2 용융부가 상기 제2 요철과 결합되는 탄탈륨 캐패시터.6. The method of claim 5,
And a second uneven portion is disposed on at least a portion of a portion of the body that is connected to the negative electrode lead frame, and the second molten portion is coupled to the second uneven portion. 제1항에 있어서,
상기 바디 및 상기 탄탈 와이어를 둘러싸며, 상기 양극 리드 프레임의 하면 및 상기 음극 리드 프레임의 하면이 노출되도록 배치되는 몰딩부를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터.The method according to claim 1,
And a molding part surrounding the body and the tantalum wire, the molding part being disposed such that a bottom surface of the cathode lead frame and a bottom surface of the anode lead frame are exposed. 제1항에 있어서,
상기 탄탈 와이어는 상기 와이어접속부에 일부만 매립되는 탄탈륨 캐패시터.The method according to claim 1,
Wherein the tantalum wire is partially buried in the wire connection portion. 제1 도전성 금속 판재의 일면으로 돌출된 와이어접속부를 포함하는 양극 리드 프레임과 제2 도전성 금속 판재로 음극 리드 프레임을 마련하는 단계;
상기 음극 리드 프레임의 일면에 탄탈 분말을 포함하며 일 측면에 탄탈 와이어가 노출된 바디를 배치하고, 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부와 접하도록 배치하는 단계; 및
상기 탄탈 와이어의 상기 와이어 접속부와 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 와이어접속부의 단부를 녹여 상기 탄탈 와이어를 상기 와이어접속부에 일부 매립시켜 상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계;를 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.Providing a cathode lead frame with a cathode lead frame including a wire connecting portion protruding from one surface of the first conductive metal plate and a second conductive metal plate;
Disposing a body including tantalum powder on one side of the negative electrode lead frame and having a tantalum wire exposed on one side thereof and arranging the tantalum wire so as to be in contact with the wire connection portion; And
And irradiating a laser beam at a position opposite to the wire connection portion of the tantalum wire to melt the end portion of the wire connection portion to partially fill the tantalum wire in the wire connection portion to connect the tantalum wire and the wire connection portion A method of manufacturing a tantalum capacitor. 제9항에 있어서,
상기 바디의 상기 음극 리드 프레임과 대향하는 위치에 레이저를 조사하여, 상기 음극 리드 프레임 중 상기 바디와 접하는 부분을 녹여 상기 바디를 상기 음극 리드 프레임에 일부 매립시켜 상기 바디와 상기 음극 리드 프레임을 접속하는 단계를 더 포함하는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.10. The method of claim 9,
The body is irradiated with a laser beam at a position facing the cathode lead frame of the body to melt a portion of the cathode lead frame in contact with the body to partially fill the body in the cathode lead frame to connect the body and the cathode lead frame ≪ / RTI > further comprising the step of forming a tantalum capacitor. 제9항에 있어서,
상기 탄탈 와이어와 상기 와이어접속부를 접속하는 단계는 랩 조인트 레이저 스팟 용접법으로 수행되는 탄탈륨 캐패시터의 제조 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the step of connecting the tantalum wire and the wire connection is performed by a lap joint laser spot welding method.
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