JPH09257418A - 光走査型変位測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ビームの走査方向での位置を初期に設定し
た所定位置に維持することができる光走査型変位測定装
置を提供する。 【解決手段】 被測定物に光ビームを照射して投光スポ
ットを形成する投光手段１と、投光スポットからの反射
光を受光してその受光位置に対応して信号を出力する受
光手段２と、被測定物の基準面からその基準面と変位し
た変位面までの距離を受光手段２からの信号に基づいて
演算する距離演算手段３と、投光手段１及び受光手段２
を定位置に取り付けた架台４３が走行して光ビームを走
査する走査手段４と、光ビームの走査方向での位置を検
出する位置検出手段５と、を備え、被測定物の表面を光
ビームが走査して、投受光平面１２ａの三角形を測定す
る三角測量法でもって測定する光走査型変位測定装置に
おいて、走査方向における前記光ビームの所定位置から
のずれ量を校正する校正手段７１が設けられた構成にし
てある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、被測定物の表面を
光ビームが走査して、被測定物の基準面からその基準面
と変位した変位面までの距離を三角測量法に基づいて測
定する光走査型変位測定装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の光走査型変位測定装置と
して、図９に示す構成のものが存在する。このものは、
被測定物に光ビームを照射して投光スポットを形成する
投光手段Ａと、投光スポットからの反射光を受光してそ
の受光位置Ｂ１に対応して信号を出力する受光手段Ｂ
と、被測定物の基準面からその基準面と変位した変位面
までの距離を受光手段からの信号に基づいて演算する距
離演算手段と、投光手段Ａ及び受光手段Ｂを定位置に取
り付けた架台が走行して光ビームを走査する走査手段
と、光ビームの走査方向での位置を検出する位置検出手
段と、を備えたものが存在する。

【０００３】さらに詳しくは、投光手段Ａは半導体レー
ザ等の光源部Ａ２と投光レンズＡ３とで、また受光手段
Ｂは位置を検出する受光素子Ｂ２と受光レンズＢ３とで
それぞれ形成されている。被測定物の基準面Ａ１が変位
したとき、基準面Ａ１から変位面Ａ４までの距離を光ビ
ームの投光軸Ａ５と反射光の受光軸Ｂ４とで形成される
投受光平面Ｃの三角形を測定する三角測量法でもって測
定することができる。

【０００４】すなわち、受光レンズＢ３の中心から投光
軸Ａ５におろした垂線の長さ、投光軸Ａ５と受光軸Ｂ４
とで形成される受光角、及び受光レンズＢ３と受光素子
Ｂ２との距離をそれぞれ一定値に設定すると、基準面Ａ
１での反射光の受光位置Ｂ１から変位面Ａ４での受光位
置Ｂ５までの距離を実測することでもって、基準面Ａ１
から変位面Ａ４までの距離つまり変位量を測定すること
ができる。

【０００５】また、位置検出手段は、投光部と受光部と
距離演算部とで形成されて、上記した三角測量法の原理
で光ビームの走査方向での位置を検出している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の光走査
型変位測定装置では、光ビームが被測定物の表面を走査
して、被測定物からの反射光を受光することによって、
基準面からの被測定物の変位を測定できる。

【０００７】しかしながら、光ビームの位置を検出する
位置検出手段は、受光部又は距離演算部等の入出力特性
が経年変化等により初期値から変化する場合があり、こ
のとき、走査方向における光ビームの位置が初期に設定
された所定位置からずれる場合があった。例えば、走査
範囲を１００ｍｍとしたとき、入出力特性が０．１％変
化したとすれば０．１ｍｍのずれ量となって、これが誤
差となっていた。

【０００８】本発明は、上記事由に鑑みてなしたもの
で、その目的とするところは、光ビームの走査方向での
位置を初期に設定した所定位置に維持することができる
光走査型変位測定装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載のものは、被測定物に光ビームを
照射して投光スポットを形成する投光手段と、投光スポ
ットからの反射光を受光してその受光位置に対応して信
号を出力する受光手段と、被測定物の基準面からその基
準面と変位した変位面までの距離を受光手段からの信号
に基づいて演算する距離演算手段と、投光手段及び受光
手段を定位置に取り付けた架台が走行して光ビームを走
査する走査手段と、光ビームの走査方向での位置を検出
する位置検出手段と、を備え、被測定物の表面を光ビー
ムが走査して、基準面から変位面までの距離を光ビーム
の投光軸と反射光の受光軸とで形成される投受光平面の
三角形を測定する三角測量法でもって測定する光走査型
変位測定装置において、走査方向における前記光ビーム
の所定位置からのずれ量を校正する校正手段が設けられ
た構成にしてある。

【００１０】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記校正手段が、前記光ビームの走査範囲
の両端部にそれぞれ設けられて前記光ビームの位置を検
出する位置検出素子でもって形成された構成にしてあ
る。

【００１１】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記架台がハウジングに収納されたもので
あって、前記校正手段が、複数の遮光板又はその遮光板
で遮光されて遮光信号を出力するフォトインタラプタの
どちらか一方が架台に、他方がハウジングに設けられて
形成された構成にしてある。

【００１２】請求項４記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記光ビームが投光窓を介して照射される
ものであって、前記校正手段が、前記光ビームの走査範
囲より短い投光窓でもって形成された構成にしてある。

【００１３】請求項５記載のものは、請求項１記載のも
のにおいて、前記校正手段が、前記光ビームの走査範囲
内に前記基準面から変位した複数の前記変位面を所定位
置に配して前記光ビームを拡散反射する拡散反射物体で
もって形成された構成にしてある。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の第１実施形態を図１乃至
図４に基づいて以下に説明する。

【００１５】１は投光手段で、半導体レーザ又は発光ダ
イオードからなる光源部１１と透明樹脂からなる投光レ
ンズ１２とを設けて、光源部１１から発光した光線が投
光レンズ１２でもって平行光線束となって、被測定物の
表面に光ビームを照射して投光スポットを形成する。

【００１６】２は受光手段で、半導体からなる第１位置
検出素子２１と透明樹脂からなる受光レンズ２２とを設
けて、投光スポットからの反射光を受光レンズ２２でも
って収束し第１位置検出素子２１の受光面に結像して、
第１位置検出素子２１が結像位置に、すなわち受光位置
に、対応して両端に２種類の電流信号を出力する。

【００１７】３は距離演算手段で、マイクロコンピュー
タ等の演算素子により、第１位置検出素子２１から出力
された２種類の電流信号に基づいて、測定物の基準面か
らその基準面と変位した変位面までの距離を演算する。

【００１８】４は走査手段で、ヨーク４１、可動子４
２、架台４３、及びガイドレール４４で形成されてい
る。ヨーク４１は、磁性材料により、中央片４１ａと対
向片４１ｂとで略日字状に形成され、２個の対向片４１
ｂが中央片４１ａの対向面に永久磁石４１ｃをそれぞれ
固着している。２個の永久磁石４１ｃは中央片４１ａの
対向面と対向片４１ｂの固着面とが異極になるよう、ま
た、中央片４１ａの対向面がそれぞれ同極になるよう着
磁されている。

【００１９】可動子４２は、中央片４１ａが挿通された
ボビン４２ａを有し、ボビン４２ａ内を通る磁力線が中
央片４１ａの長手方向に形成されるよう、ボビン４２ａ
にコイル４２ｂが巻回されている。また、ボビン４２ａ
が、中央片４１ａの長手方向に走行自在となるように、
寸法を設定している。コイル４２ｂは、永久磁石４１ｃ
とヨーク４１の中央片４１ａとの間隙で磁束が通過する
ことになって、直流電流が通電されると駆動力が作用し
て、可動子４２が中央片４１ａの長手方向に沿って走行
することになる。また、可動子４２の走行の方向はコイ
ル４２ｂに流す電流の通電方向に応じて反転し、加速度
は電流の大きさに対応する。

【００２０】架台４３は、投光手段１及び受光手段２を
定位置に固定し、可動子４２に取り付けられて中央片４
１ａの長手方向に沿って走行して、光ビームを走査す
る。ガイドレール４４は、ヨーク４１の長手方向に沿っ
て略平行に設けられ、架台４３が係合されてがたつきな
く走行できるようガイドする。

【００２１】５は位置検出手段で、投光部５１、受光部
５２、反射鏡５３、反射板５４、及び距離演算部（図示
せず）とで形成される。投光部５１は、半導体レーザ又
は発光ダイオードからなる光源５１ａと透明樹脂からな
る位置検出用投光レンズ５１ｂとを設けて、光源５１ａ
から発光された光線が位置検出用投光レンズ５１ｂでも
って平行光線束となって光ビームを照射する。

【００２２】受光部５２は、半導体からなる第２位置検
出素子５２ａと透明樹脂からなる位置検出用受光レンズ
５２ｂとを設けて、後述する反射板５４からの反射光を
位置検出用受光レンズ５２ｂでもって収束し第２位置検
出素子５２ａの受光面に結像して、その結像位置に対応
して両端に２種類の電流信号を出力する。

【００２３】反射鏡５３は、投光部５１からの光ビーム
の投光軸に交差するよう後述するハウジング６に設けら
れて、光ビームを反射させてその方向を変更する。反射
板５４は、白色のセラミック板により、投光手段１を収
納した投光筒の側面に固定されて、投光手段１からの光
ビームの走査と連動して走査方向に移動する。距離演算
部は、第２位置検出素子５２ａから出力された２種類の
電流信号に基づいて、反射板５４までの距離を演算して
その演算結果を出力する。

【００２４】６はハウジングで、略直方体状に成形さ
れ、投光手段１、受光手段２、距離演算手段３、走査手
段４及び位置検出手段５のそれぞれを収容し、光ビーム
の投光軸に位置する部分６１及び反射光の受光軸に位置
する部分６２が、それぞれ開口している。

【００２５】７は校正手段で、半導体からなり光ビーム
の走査範囲の両端部に位置するハウジング６にそれぞれ
１個づつ設けられた第３位置検出素子７１と、第３位置
検出素子７１から出力された電流信号を演算する演算部
７２とを設けて、投光手段１からの光ビームの位置を検
出する。このものについては詳しく後述する。

【００２６】ここで、投光手段１及び受光手段２は、光
ビームの投光軸と反射光の受光軸とが投受光平面１２ａ
を形成するよう配置されて、この投受光平面１２ａに直
交して第１位置検出素子２１の受光面が設けられてい
る。従って、光ビームの照射方向において被測定物の基
準面が変位すれば、第１位置検出素子２１の受光面に結
像した被測定物の結像位置が移動する。この被測定物の
結像位置の移動量を、第１位置検出素子２１の出力に基
づいて距離演算手段３でもって演算して求めると、先述
した三角測量法の原理でもって、光ビームの照射方向に
おける被測定物の基準面からその基準面と変位した変位
面までの距離を測定することができる。

【００２７】また、走査手段４を用いて架台４３を往復
運動させて光ビームを走査して、その走査方向での光ビ
ームの位置が位置検出手段５でもって検出される。すな
わち、投光部５１からの光ビームが反射鏡５３を介して
反射板５４に向かって照射されて、反射板５４からの反
射光が同様に反射鏡５３を介して第２位置検出素子５２
ａに入射される。ここで、光ビームの投光軸と反射板５
４からの反射光の受光軸とは、反射鏡５３を介して投受
光平面を形成して、この平面と直交するよう第２位置検
出素子５２ａの受光面が設けられている。

【００２８】走査方向での光ビームの位置に連動して反
射板５４の位置が変化して、第２位置検出素子５２ａの
受光面で反射板５４の結像位置が移動する。この反射板
５４の結像位置の移動量を、第２位置検出素子５２ａの
出力に基づいて距離演算部でもって演算して求めると、
先述した三角測量法の原理でもって、反射板５４の位
置、すなわち走査方向での光ビームの位置を求めること
ができる。ここで、初期において、走査方向での光ビー
ムの所定位置が、第２位置検出素子５２ａから出力され
る２種類の電流値でもって決定されている。

【００２９】走査方向における光ビームの所定位置から
のずれ量の校正について述べる。第３位置検出素子７１
は、２種類の電流が投光手段１からの光ビームを受光し
て出力される。両電流出力の差は第３位置検出素子７１
の受光面上での結像位置に対応しており、また、両電流
出力の和は受光する総受光量に対応しこの場合一定であ
る。

【００３０】図２に示すように、第３位置検出素子７１
から出力される両電流信号のそれぞれは、回路部のＩ／
Ｖ変換回路７２ａにおいて電圧信号に変換され、ハイパ
スフィルタ７２ｂを通過することによって変調回路７２
ｃで変調された高周波成分が抽出される。ハイパスフィ
ルタ７２ｂの出力は、検波回路７２ｄによって発振回路
７２ｅからのクロックパルスに同期されて同期検波され
て、検波出力からローパスフィルタ７２ｆで低周波成分
が抽出される。ローパスフィルタ７２ｆの出力は、第３
位置検出素子７１の各電流出力にそれぞれ比例した値の
電圧信号になる。その両電圧信号を加算回路７２ｇ及び
減算回路７２ｈでそれぞれ加算及び減算して、除算回路
７２ｉでその結果である差を和で除算する。この除算出
力値が結像位置に対応した値となる。

【００３１】ここで、図３に示すように、第３位置検出
素子７１の両出力の差を和で除算した除算出力値と、結
像位置とが対応した対応関係に、一定の敷居値を決める
ことによって光ビームの結像位置が確定される。

【００３２】光ビームの走査方向における、位置検出手
段５による出力値と光ビームの所定位置との対応を図４
に示す。初期において、図４の実線に示すように、光ビ
ームの所定位置Ｙは位置検出手段５による出力値ＸとＹ
＝ａＸ+ｂで表される直線でリニアに対応しており、光
ビームの位置がこの直線に基づいて位置検出手段５の距
離演算部で演算して求められている。そして、第３位置
検出素子７１は、この直線の両端部７１ａ，７１ｂに相
当する所定位置が敷居値から求めた光ビームの結像位置
とそれぞれ対応して、光ビームの位置を検出する。

【００３３】位置検出手段５の入出力特性が変化し出力
位置が変動して、図４の破線に示すように、所定値から
のずれが発生した場合、第３位置検出素子７１で検出さ
れた直線の両端部７１ａ，７１ｂに相当する光ビームの
所定位置において、位置検出手段５の出力値が初期の出
力値となるよう、前式におけるａとｂとを正しい値に補
正して、光ビームの所定位置からのずれ量を校正する。

【００３４】かかる第１実施形態の光走査型変位測定装
置にあっては、上記したように、校正手段７が走査方向
における光ビームの初期に設定された所定位置からのず
れ量を校正するから、光ビームの位置を検出する位置検
出手段５の入出力特性が経年変化等により初期値から変
化して、光ビームの位置が所定位置からずれたとき光ビ
ームを所定位置に校正して、光ビームの走査方向での位
置精度を長期間維持することができる。

【００３５】また、校正手段７が位置を高精度で検出す
る第３位置検出素子７１でもって形成されたから、光ビ
ームの位置を敷居値を設けて精度よく検出して、光ビー
ムを所定位置に高精度で校正することができ、かつ、光
ビームの走査範囲の両端部にそれぞれ設けられたから、
両端部の２点で所定位置からの位置のずれを校正して、
校正精度をさらに高くすることができる。

【００３６】なお、第１実施形態では、２種類の電流を
出力してその出力の差で光ビームの位置を検出する第３
位置検出素子でもって校正手段を形成したが、例えば、
シリコン基板上に電極アレーを設けた電荷結合素子（Ｃ
ＣＤ）でもって形成してもよく、高精度で光ビームの位
置を検出できる素子であればよく、限定されない。

【００３７】また、第１実施形態では、光ビームの走査
方向での位置を光学式三角測量法でもって測定したが、
例えば、リニアエンコーダを使用した光学式測定方式、
又は光学式ヘテロダイン測距方式のような他の光学式測
距方式でもよく、限定されない。

【００３８】本発明の第２実施形態を図５に基づいて以
下に説明する。なお、第２実施形態では第１実施形態と
異なる機能について述べることとし、第１実施形態と実
質的に同一機能を有する部材については、同一符号を付
して説明を省略する。

【００３９】８は校正手段で、２個の遮光板８１が走査
範囲の両端部位置におけるハウジング６に、フォトイン
タラプタ８２が架台４３にそれぞれ設けられている。フ
ォトインタラプタ８２は、光ビームの走査と連動し位置
が移動して、走査範囲の両端部で遮光板８１でもって遮
光され遮光信号を出力して、その遮光信号でもって光ビ
ームの走査方向における位置を検出する。

【００４０】かかる第２実施形態の光走査型変位測定装
置にあっては、上記したように、校正手段８が、２個の
遮光板８１がハウジング６に、その遮光板８１で遮光さ
れて遮光信号を出力するフォトインタラプタ８２が架台
４３に設けられて形成されたから、遮光板８１が２個で
あるので所定位置からの位置のずれを２点で校正するこ
とになって校正精度を高くでき、かつ、複雑な信号処理
回路を必要とせず直接遮光信号でもって光ビームの位置
を検出して、コストダウンを実現することができる。

【００４１】本発明の第３実施形態を図６乃び図７に基
づいて以下に説明する。なお、第３実施形態では第１実
施形態と異なる機能について述べることとし、第１実施
形態と実質的に同一機能を有する部材については、同一
符号を付して説明を省略する。

【００４２】９は校正手段で、ハウジング６に設けられ
た投光窓９１でもって形成されて、その投光窓９１が光
ビームの走査範囲より短かく設定されている。従って、
走査範囲の両端部において、光ビームはハウジング６で
遮蔽される。拡散反射率のよい白色のセラミック板９２
を基準面に置いて光ビームを走査したとき、図７に示す
ように、受光手段１の第１位置検出素子２１の受光量は
投光窓９１の両端部で変化して傾斜部を形成する。投光
窓９１の範囲内の受光量をＸとしたとき、たとえば、
０．５Ｘを敷居値として、光ビームの位置を検出する。

【００４３】かかる第３実施形態の光走査型変位測定装
置にあっては、上記したように、校正手段９が光ビーム
の走査範囲より短い投光窓９１でもって形成されたか
ら、光ビームの位置を投光窓９１の両端部における受光
手段１の受光量の変化で検出して、新規に部材を付加す
る必要がなくコストダウンを実現することができる。

【００４４】なお、第３実施形態では、基準面に白色の
セラミック板を置いて校正したが、拡散反射率のよいも
のであればセラミック板でなくてもよく、限定されな
い。

【００４５】本発明の第４実施形態を図８に基づいて以
下に説明する。なお、第４実施形態では第１実施形態と
異なる機能について述べることとし、第１実施形態と実
質的に同一機能を有する部材については、同一符号を付
して説明を省略する。

【００４６】校正手段は、光ビームを拡散反射する拡散
反射物体１０により、基準面１０１を有した基準片と基
準片から略直交して設けられた位置決め片とで略Ｌ字型
に形成され、光ビームの走査範囲内に、基準面から変位
した２個の変位面１０２が設けられている。位置決め片
がハウジング６と係合して位置決めされて、変位面１０
２が所定位置に配置されている。この変位面１０２を受
光手段２及び距離演算手段３でもって検出することによ
って、走査方向における光ビームの位置を検出する。

【００４７】かかる第４実施形態の光走査型変位測定装
置にあっては、上記したように、校正手段が、光ビーム
の走査範囲内に基準面１０１から変位した２個の変位面
１０２を定位置に配した拡散反射物体１０でもって形成
されたから、拡散反射物体１０に照射された光ビームが
拡散反射してその反射光を受光手段２で受光して距離演
算手段３で変位面１０２を検出し、２点で所定位置から
の位置のずれを校正して、校正精度を高くでき、かつ、
独立して付加されるので小型化が可能となる。

【００４８】

【発明の効果】請求項１記載のものは、校正手段が走査
方向における光ビームの初期に設定された所定位置から
のずれ量を校正するから、光ビームの位置を検出する位
置検出手段の入出力特性が経年変化等により初期値から
変化して、光ビームの位置が所定位置からずれたとき光
ビームを所定位置に校正して、光ビームの走査方向での
位置精度を長期間維持することができる。

【００４９】請求項２記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、校正手段が位置を高精度で検出する
位置検出素子でもって形成されたから、光ビームの位置
を精度よく検出して、光ビームを所定位置に高精度で校
正することができ、かつ、光ビームの走査範囲の両端部
にそれぞれ設けられたから、両端部の２点で所定位置か
らの位置のずれを校正して、校正精度をさらに高くする
ことができる。

【００５０】請求項３記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、架台がハウジングに収納されたもの
であれば、校正手段が、複数の遮光板又はその遮光板で
遮光されて遮光信号を出力するフォトインタラプタのど
ちらか一方が架台に、他方がハウジングに設けられて形
成されたから、遮光板が複数であるので複数点で所定位
置からの位置のずれを校正して校正精度を高くでき、か
つ、複雑な信号処理回路を必要とせず直接遮光信号でも
って光ビームの位置を検出して、コストダウンを実現す
ることができる。

【００５１】請求項４記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、光ビームが投光窓を介して照射され
るものであれば、校正手段が光ビームの走査範囲より短
い投光窓でもって形成されたから、光ビームの位置を投
光窓の両端部における受光手段の受光量の変化で検出し
て、新規に部材を付加する必要がなくコストダウンを実
現することができる。

【００５２】請求項５記載のものは、請求項１記載のも
のの効果に加えて、校正手段が、光ビームの走査範囲内
に基準面から変位した複数の変位面を定位置に配した拡
散反射物体でもって形成されたから、拡散反射物体に照
射された光ビームが拡散反射しその反射光を受光手段で
受光し距離演算手段で変位面を検出して、複数点で所定
位置からの位置のずれを校正して、校正精度を高くで
き、かつ、独立して付加されるので小型化が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す斜視図である。

【図２】同上の校正手段の演算部ブロック図である。

【図３】同上の第３位置検出素子の結像位置と演算部の
除算出力値との対応図である。

【図４】同上の位置検出手段による出力値と第３位置検
出素子で検出された走査方向における光ビームの所定位
置との対応図である。

【図５】本発明の第２実施形態を示す斜視図である。

【図６】本発明の第３実施形態を示す図である。

【図７】同上の光ビームの走査距離と第１位置検出素子
の受光量との対応図である。

【図８】本発明の第４実施形態を示す斜視図である。

【図９】従来例を示す三角測量法の原理図である。

【符号の説明】

１ 投光手段 ２ 受光手段 １２ａ 投受光平面 ３ 距離演算手段 ４ 走査手段 ４３ 架台 ５ 位置検出手段 ６ ハウジング ７１ 第３位置検出素子（校正手段） ８１ 遮光板（校正手段） ８２ フォトインタラプタ（校正手段） ９１ 投光窓（校正手段） １０ 拡散反射物体（校正手段）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被測定物に光ビームを照射して投光スポ
   ットを形成する投光手段と、投光スポットからの反射光
   を受光してその受光位置に対応して信号を出力する受光
   手段と、被測定物の基準面からその基準面と変位した変
   位面までの距離を受光手段からの信号に基づいて演算す
   る距離演算手段と、投光手段及び受光手段を定位置に取
   り付けた架台が走行して光ビームを走査する走査手段
   と、光ビームの走査方向での位置を検出する位置検出手
   段と、を備え、被測定物の表面を光ビームが走査して、
   基準面から変位面までの距離を光ビームの投光軸と反射
   光の受光軸とで形成される投受光平面の三角形を測定す
   る三角測量法でもって測定する光走査型変位測定装置に
   おいて、 走査方向における前記光ビームの所定位置からのずれ量
   を校正する校正手段が設けられたことを特徴とする光走
   査型変位測定装置。
2. 【請求項２】 前記校正手段が、前記光ビームの走査範
   囲の両端部にそれぞれ設けられて前記光ビームの位置を
   検出する位置検出素子でもって形成されてなることを特
   徴とする請求項１記載の光走査型変位測定装置。
3. 【請求項３】 前記架台がハウジングに収納されたもの
   であって、前記校正手段が、複数の遮光板又はその遮光
   板で遮光されて遮光信号を出力するフォトインタラプタ
   のどちらか一方が架台に、他方がハウジングに設けられ
   て形成されてなることを特徴とする請求項１記載の光走
   査型変位測定装置。
4. 【請求項４】 前記光ビームが投光窓を介して照射され
   るものであって、前記校正手段が、前記光ビームの走査
   範囲より短い投光窓でもって形成されてなることを特徴
   とする請求項１記載の光走査型変位測定装置。
5. 【請求項５】 前記校正手段が、前記光ビームの走査範
   囲内に前記基準面から変位した複数の前記変位面を所定
   位置に配して前記光ビームを拡散反射する拡散反射物体
   でもって形成されてなることを特徴とする請求項１記載
   の光走査型変位測定装置。