JPH09255421A - 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 - Google Patents
誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPH09255421A JPH09255421A JP8070166A JP7016696A JPH09255421A JP H09255421 A JPH09255421 A JP H09255421A JP 8070166 A JP8070166 A JP 8070166A JP 7016696 A JP7016696 A JP 7016696A JP H09255421 A JPH09255421 A JP H09255421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- weight
- dielectric loss
- porcelain composition
- zirconate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電損失が小さく、誘電率の温度特性が比較
的平坦な高誘電率磁器組成物を提供する。 【解決手段】 第１成分（ＢａＴｉＯ3 ）、第２成分
（ＣａＳｎＯ3 ）、第３成分（ＣａＺｒＯ3 ，ＢａＺｒ
Ｏ3 ，ＳｒＺｒＯ3 の１種又は２種以上）及び第４成分
（酸化コバルト）を含有する高誘電率磁器組成物。第１
成分：８３〜８７重量％、第２成分及び第３成分の合
計：１３〜１７重量％、第４成分：第１〜３成分の合計
１００重量％に対して０．００１〜０．２重量％。 【効果】 ＢａＴｉＯ3 −（ＣａＺｒＯ3 ，ＢａＺｒＯ
3 ，ＳｒＺｒＯ3 ）−ＣａＳｎＯ3 からなる組成系に、
酸化コバルトを適当量添加することにより、常温付近に
おける誘電損失が０．６％以下で、且つ誘電率１０，０
００以上を維持し、しかも温度特性が比較的平坦でＪＩ
Ｓ規格のＦ特性を満足する高誘電率磁器組成物が得られ
る。
的平坦な高誘電率磁器組成物を提供する。 【解決手段】 第１成分（ＢａＴｉＯ3 ）、第２成分
（ＣａＳｎＯ3 ）、第３成分（ＣａＺｒＯ3 ，ＢａＺｒ
Ｏ3 ，ＳｒＺｒＯ3 の１種又は２種以上）及び第４成分
（酸化コバルト）を含有する高誘電率磁器組成物。第１
成分：８３〜８７重量％、第２成分及び第３成分の合
計：１３〜１７重量％、第４成分：第１〜３成分の合計
１００重量％に対して０．００１〜０．２重量％。 【効果】 ＢａＴｉＯ3 −（ＣａＺｒＯ3 ，ＢａＺｒＯ
3 ，ＳｒＺｒＯ3 ）−ＣａＳｎＯ3 からなる組成系に、
酸化コバルトを適当量添加することにより、常温付近に
おける誘電損失が０．６％以下で、且つ誘電率１０，０
００以上を維持し、しかも温度特性が比較的平坦でＪＩ
Ｓ規格のＦ特性を満足する高誘電率磁器組成物が得られ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チタン酸バリウム
を主成分とする高誘電率磁器組成物に係り、特に、コン
デンサ用途として適した誘電損失の少ない高誘電率磁器
組成物に関する。
を主成分とする高誘電率磁器組成物に係り、特に、コン
デンサ用途として適した誘電損失の少ない高誘電率磁器
組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸バリウムを主原料とする
高誘電率磁器コンデンサには、種々の組成系のものが提
案されている。
高誘電率磁器コンデンサには、種々の組成系のものが提
案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来に
おいて、常温付近における誘電損失が低く、且つ誘電率
１０，０００以上を維持し、しかも温度特性が比較的平
坦で、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２５〜＋８５℃の
温度範囲で２０℃基準の容量変化率が＋３０〜−８０％
以内）を満足する磁器組成物は得られていない。
おいて、常温付近における誘電損失が低く、且つ誘電率
１０，０００以上を維持し、しかも温度特性が比較的平
坦で、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２５〜＋８５℃の
温度範囲で２０℃基準の容量変化率が＋３０〜−８０％
以内）を満足する磁器組成物は得られていない。
【０００４】本発明は、上記従来の問題点を解決し、チ
タン酸バリウムを主原料とする磁器組成物の組成を改良
することにより、常温付近の誘電損失が０．６％以下
で、且つ誘電率１０，０００以上を維持し、しかも温度
特性が比較的平坦で、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２
５〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準の容量変化率が＋
３０〜−８０％以内）を満足する高誘電率磁器組成物を
提供することを目的とする。
タン酸バリウムを主原料とする磁器組成物の組成を改良
することにより、常温付近の誘電損失が０．６％以下
で、且つ誘電率１０，０００以上を維持し、しかも温度
特性が比較的平坦で、例えばＪＩＳ規格のＦ特性（−２
５〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準の容量変化率が＋
３０〜−８０％以内）を満足する高誘電率磁器組成物を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電損失の少な
い高誘電率磁器組成物は、第１成分としてチタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ3 ）を、第２成分としてスズ酸カルシ
ウム（ＣａＳｎＯ3 ）を、第３成分としてジルコン酸カ
ルシウム（ＣａＺｒＯ3 ）、ジルコン酸バリウム（Ｂａ
ＺｒＯ3 ）及びジルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ
3 ）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を、第４
成分として酸化コバルトを、各々下記組成範囲で含有す
ることを特徴とする。
い高誘電率磁器組成物は、第１成分としてチタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ3 ）を、第２成分としてスズ酸カルシ
ウム（ＣａＳｎＯ3 ）を、第３成分としてジルコン酸カ
ルシウム（ＣａＺｒＯ3 ）、ジルコン酸バリウム（Ｂａ
ＺｒＯ3 ）及びジルコン酸ストロンチウム（ＳｒＺｒＯ
3 ）よりなる群から選ばれる１種又は２種以上を、第４
成分として酸化コバルトを、各々下記組成範囲で含有す
ることを特徴とする。
【０００６】第１成分：８３〜８７重量％ 第２成分及び第３成分：合計で１３〜１７重量％ 第４成分：第１成分，第２成分及び第３成分の合計１０
０重量％に対して０．００１〜０．２重量％ 即ち、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ＢａＴｉ
Ｏ3 −（ＣａＺｒＯ3，ＢａＺｒＯ3 及びＳｒＺｒＯ3
よりなる群から選ばれる１種又は２種以上）−ＣａＳｎ
Ｏ3 からなる組成系に、酸化コバルトを適当量添加する
ことにより、常温付近における誘電損失が０．６％以下
で、且つ誘電率１０，０００以上を維持し、しかも温度
特性が比較的平坦で例えばＪＩＳ規格のＦ特性を満足す
る高誘電率磁器組成物が得られることを見出し、本発明
を達成した。
０重量％に対して０．００１〜０．２重量％ 即ち、本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、ＢａＴｉ
Ｏ3 −（ＣａＺｒＯ3，ＢａＺｒＯ3 及びＳｒＺｒＯ3
よりなる群から選ばれる１種又は２種以上）−ＣａＳｎ
Ｏ3 からなる組成系に、酸化コバルトを適当量添加する
ことにより、常温付近における誘電損失が０．６％以下
で、且つ誘電率１０，０００以上を維持し、しかも温度
特性が比較的平坦で例えばＪＩＳ規格のＦ特性を満足す
る高誘電率磁器組成物が得られることを見出し、本発明
を達成した。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【０００８】本発明において、第１成分，第２成分，第
３成分及び第４成分を上記組成範囲に限定した理由は、
次の通りである。
３成分及び第４成分を上記組成範囲に限定した理由は、
次の通りである。
【０００９】まず、チタン酸バリウムの組成範囲の決定
理由について説明する。
理由について説明する。
【００１０】チタン酸バリウムは、約１２０℃付近に誘
電率のピーク、即ち、キューリー点を持つので、常温で
高い誘電率を得るためには、このキューリー点を＋０℃
〜＋４０℃に設定する必要がある。
電率のピーク、即ち、キューリー点を持つので、常温で
高い誘電率を得るためには、このキューリー点を＋０℃
〜＋４０℃に設定する必要がある。
【００１１】ここで、ジルコン酸カルシウムは１重量％
の添加当たり、８〜１０℃キューリー点を下げ、同様に
ジルコン酸バリウム及びジルコン酸ストロンチウムは９
〜１１℃、スズ酸カルシウムは１０〜１２℃それぞれキ
ューリー点を下げるシフターとしての作用を有する。こ
れらを踏まえて、目標キューリー点である＋０℃〜＋４
０℃に設定するためのシフター総量、即ち、第２成分と
してのスズ酸カルシウムと、第３成分としてのジルコン
酸カルシウム、ジルコン酸バリウム及びジルコン酸スト
ロンチウムよりなる群から選ばれる１種又は２種以上
と、の合計量の検討を行った結果、これらのシフター総
量は１３〜１７重量％に限定されることが判明した。従
って、チタン酸バリウム量は、主成分総量からこのシフ
ター総量を差し引くことにより、８３〜８７重量％に限
定される。
の添加当たり、８〜１０℃キューリー点を下げ、同様に
ジルコン酸バリウム及びジルコン酸ストロンチウムは９
〜１１℃、スズ酸カルシウムは１０〜１２℃それぞれキ
ューリー点を下げるシフターとしての作用を有する。こ
れらを踏まえて、目標キューリー点である＋０℃〜＋４
０℃に設定するためのシフター総量、即ち、第２成分と
してのスズ酸カルシウムと、第３成分としてのジルコン
酸カルシウム、ジルコン酸バリウム及びジルコン酸スト
ロンチウムよりなる群から選ばれる１種又は２種以上
と、の合計量の検討を行った結果、これらのシフター総
量は１３〜１７重量％に限定されることが判明した。従
って、チタン酸バリウム量は、主成分総量からこのシフ
ター総量を差し引くことにより、８３〜８７重量％に限
定される。
【００１２】次に、第２成分（スズ酸カルシウム）と、
第３成分（ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウ
ム、ジルコン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上）について説明する。
第３成分（ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウ
ム、ジルコン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる
１種又は２種以上）について説明する。
【００１３】ジルコン酸カルシウムでキューリー点を下
げた場合、誘電率の温度特性が比較的平坦になるという
利点が得られる反面、誘電率の最大値εmax が低くなる
という欠点が生じる。一方、スズ酸カルシウムでキュー
リー点を下げた場合、εmaxが大きくなるという利点が
得られる反面、比較的平坦な誘電率の温度特性が得られ
ないという欠点を生じる。即ち、両成分は互いに相反す
る特性を有している。
げた場合、誘電率の温度特性が比較的平坦になるという
利点が得られる反面、誘電率の最大値εmax が低くなる
という欠点が生じる。一方、スズ酸カルシウムでキュー
リー点を下げた場合、εmaxが大きくなるという利点が
得られる反面、比較的平坦な誘電率の温度特性が得られ
ないという欠点を生じる。即ち、両成分は互いに相反す
る特性を有している。
【００１４】これに対し、本発明者らは、検討の結果、
ジルコン酸バリウム及びジルコン酸ストロンチウムは、
ジルコン酸カルシウムとスズ酸カルシウムの中間の特性
を有しており、これらを適正な組み合わせで配合するこ
とによって、εmax が高く、且つ誘電率の温度特性が比
較的平坦な高誘電率の磁器組成物が得られることを見出
した。
ジルコン酸バリウム及びジルコン酸ストロンチウムは、
ジルコン酸カルシウムとスズ酸カルシウムの中間の特性
を有しており、これらを適正な組み合わせで配合するこ
とによって、εmax が高く、且つ誘電率の温度特性が比
較的平坦な高誘電率の磁器組成物が得られることを見出
した。
【００１５】ここで、第３成分のうち、ジルコン酸カル
シウムと、ジルコン酸バリウム及び／又はジルコン酸ス
トロンチウムとの重量比（ＣａＺｒＯ3 ／（ＢａＺｒＯ
3 ＋ＳｒＺｒＯ3 ））が、５を超えるとεmax が目標の
１０，０００未満に低下し、本発明の優位性が失われる
ので、この重量比は０〜５の範囲に設定することが好ま
しい。
シウムと、ジルコン酸バリウム及び／又はジルコン酸ス
トロンチウムとの重量比（ＣａＺｒＯ3 ／（ＢａＺｒＯ
3 ＋ＳｒＺｒＯ3 ））が、５を超えるとεmax が目標の
１０，０００未満に低下し、本発明の優位性が失われる
ので、この重量比は０〜５の範囲に設定することが好ま
しい。
【００１６】同様に、第２成分のスズ酸カルシウムと第
３成分のジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム及
びジルコン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる１
種又は２種以上の合計との重量比（ＣａＳｎＯ3 ／（Ｃ
ａＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3 ＋ＳｒＺｒＯ3 ））並びに、
スズ酸カルシウムと、ジルコン酸カルシウム及び／又は
ジルコン酸バリウムとの重量比（ＣａＳｎＯ3 ／（Ｃａ
ＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3 ））が、１．２５未満ではε
max が１０，０００未満に低下し、７．５を超すと比較
的平坦な温度特性が得られなくなる。従って、これらの
重量比は１．２５〜７．５の範囲に設定することが好ま
しい。
３成分のジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム及
びジルコン酸ストロンチウムよりなる群から選ばれる１
種又は２種以上の合計との重量比（ＣａＳｎＯ3 ／（Ｃ
ａＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3 ＋ＳｒＺｒＯ3 ））並びに、
スズ酸カルシウムと、ジルコン酸カルシウム及び／又は
ジルコン酸バリウムとの重量比（ＣａＳｎＯ3 ／（Ｃａ
ＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ3 ））が、１．２５未満ではε
max が１０，０００未満に低下し、７．５を超すと比較
的平坦な温度特性が得られなくなる。従って、これらの
重量比は１．２５〜７．５の範囲に設定することが好ま
しい。
【００１７】また、本発明者らは検討の結果、上記第１
成分〜第３成分の合計１００重量％に対して、第４成分
として酸化コバルトを０．００１〜０．２重量％添加す
ることにより、常温付近での誘電率を１０，０００以上
に維持し、なお且つ常温付近での誘電損失を０．６％以
下に抑えることが可能であることを見出した。なお、酸
化コバルトとしては、ＣｏＯ、Ｃｏ2 Ｏ3 、Ｃｏ3 Ｏ
4 、ＣｏＯ2 のうちの、１種又は２種以上を用いること
ができる。
成分〜第３成分の合計１００重量％に対して、第４成分
として酸化コバルトを０．００１〜０．２重量％添加す
ることにより、常温付近での誘電率を１０，０００以上
に維持し、なお且つ常温付近での誘電損失を０．６％以
下に抑えることが可能であることを見出した。なお、酸
化コバルトとしては、ＣｏＯ、Ｃｏ2 Ｏ3 、Ｃｏ3 Ｏ
4 、ＣｏＯ2 のうちの、１種又は２種以上を用いること
ができる。
【００１８】本発明の高誘電率磁器組成物は、以上の第
１成分〜第４成分以外に、必要に応じて焼結助剤を含有
していても良い。
１成分〜第４成分以外に、必要に応じて焼結助剤を含有
していても良い。
【００１９】焼結助剤としては、希土類酸化物、Ｍｎ
Ｏ、カオリン、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3、ＺｎＯ、Ｂｉ2
Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 等が挙げられ、こ
れらの１種又は２種以上を用いることができる。ただ
し、高誘電率磁器組成物中の焼結助剤の割合が第１成分
〜第３成分の合計１００重量％に対して２．０重量％を
超えるとεmax が１０，０００未満に低下して、０．０
５重量％未満では誘電体が焼結しにくくなるため、焼結
助剤の含有率は、第１成分、第２成分及び第３成分の合
計１００重量％に対して０．０５〜２．０重量％とする
ことが好ましい。
Ｏ、カオリン、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3、ＺｎＯ、Ｂｉ2
Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、Ｆｅ2 Ｏ3 等が挙げられ、こ
れらの１種又は２種以上を用いることができる。ただ
し、高誘電率磁器組成物中の焼結助剤の割合が第１成分
〜第３成分の合計１００重量％に対して２．０重量％を
超えるとεmax が１０，０００未満に低下して、０．０
５重量％未満では誘電体が焼結しにくくなるため、焼結
助剤の含有率は、第１成分、第２成分及び第３成分の合
計１００重量％に対して０．０５〜２．０重量％とする
ことが好ましい。
【００２０】また、誘電体の焼結性向上に際し、焼結助
剤としてＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 ，ＺｒＯ2 を別途添加する
ことにより、ＢａＯ／ＴｉＯ2 、ＣａＯ／ＳｎＯ2 、
（ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ）／ＺｒＯ2 のモル比を１．
０よりも小さく設定することが知られているが、本発明
においてもこのような技術を適用して、目的に応じてモ
ル比を変更することができる。
剤としてＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 ，ＺｒＯ2 を別途添加する
ことにより、ＢａＯ／ＴｉＯ2 、ＣａＯ／ＳｎＯ2 、
（ＣａＯ，ＢａＯ，ＳｒＯ）／ＺｒＯ2 のモル比を１．
０よりも小さく設定することが知られているが、本発明
においてもこのような技術を適用して、目的に応じてモ
ル比を変更することができる。
【００２１】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
り具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限
り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００２２】＜実施例１，２及び比較例１，２＞表１の
実施例１及び比較例１，２は、ＣａＺｒＯ3 ／ＢａＺｒ
Ｏ3 比、ＣａＳｎＯ3 ／（ＣａＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ
3 ）比を統一して、チタン酸バリウム量を変化させた場
合の例であり、実施例１は本発明品、比較例１，２はチ
タン酸バリウム量が本発明範囲外の例である。また、実
施例２は、実施例１の組成系でＢａＺｒＯ3 の代わりに
ＳｒＺｒＯ3 を使用した場合の例である。
実施例１及び比較例１，２は、ＣａＺｒＯ3 ／ＢａＺｒ
Ｏ3 比、ＣａＳｎＯ3 ／（ＣａＺｒＯ3 ＋ＢａＺｒＯ
3 ）比を統一して、チタン酸バリウム量を変化させた場
合の例であり、実施例１は本発明品、比較例１，２はチ
タン酸バリウム量が本発明範囲外の例である。また、実
施例２は、実施例１の組成系でＢａＺｒＯ3 の代わりに
ＳｒＺｒＯ3 を使用した場合の例である。
【００２３】第１成分〜第４成分原料、及び焼結助剤と
して酸化セリウム、炭酸マンガン、二酸化ケイ素、二酸
化スズを用意し、表１に示す重量割合となるように各々
秤量し、純水と共に湿式ボールミルで粉砕混合した。こ
こで、酸化コバルト及び焼結助剤は、第１成分〜第３成
分の合計１００重量％に対して表１に示す割合で外割り
で添加した。二酸化スズはＣａＯ／ＳｎＯ2 比を１より
小さくし、焼結性を向上させる目的で添加した。
して酸化セリウム、炭酸マンガン、二酸化ケイ素、二酸
化スズを用意し、表１に示す重量割合となるように各々
秤量し、純水と共に湿式ボールミルで粉砕混合した。こ
こで、酸化コバルト及び焼結助剤は、第１成分〜第３成
分の合計１００重量％に対して表１に示す割合で外割り
で添加した。二酸化スズはＣａＯ／ＳｎＯ2 比を１より
小さくし、焼結性を向上させる目的で添加した。
【００２４】次いで、混合物を十分乾燥した後、有機バ
インダー（ポリビニルブチラール）を添加混合し、成形
圧力１，０００ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧成形した。
インダー（ポリビニルブチラール）を添加混合し、成形
圧力１，０００ｋｇｆ／ｃｍ2 で加圧成形した。
【００２５】得られた成形体を６００℃で１時間脱バイ
ンダーした後、１３２５℃で２時間焼結した。これによ
り得られた直径１２．０〜１２．５ｍｍ、厚み０．５〜
０．７ｍｍの円板状磁器素体の両円板面に銀ペーストを
塗布し、７５０℃で５分間の焼き付け処理をしてコンデ
ンサの電極を形成した。更に、銀電極の焼き付け面にリ
ード線をはんだ付けし、各種特性評価用の試料とした。
ンダーした後、１３２５℃で２時間焼結した。これによ
り得られた直径１２．０〜１２．５ｍｍ、厚み０．５〜
０．７ｍｍの円板状磁器素体の両円板面に銀ペーストを
塗布し、７５０℃で５分間の焼き付け処理をしてコンデ
ンサの電極を形成した。更に、銀電極の焼き付け面にリ
ード線をはんだ付けし、各種特性評価用の試料とした。
【００２６】得られた試料について、誘電率（εｓ）、
誘電損失（ｔａｎδ）、誘電率の温度特性（ＴＣ）、キ
ューリー点、及び絶縁抵抗（ＩＲ）を測定したところ、
表１に示す特性が得られた。なお、誘電率（εｓ）及び
誘電損失（ｔａｎδ）は、ＬＣＲメーター（ヒューレッ
ト・パッカード社、４２７４Ａ）を用いて１ＫＨｚ、１
Ｖ、２５℃の条件下で、絶縁抵抗（ＩＲ）は、ＩＲメー
ター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社、Ｒ８３４０Ａ）を用いて
直流５００Ｖ、６０秒間印加、２５℃の条件下でそれぞ
れ測定した値を示した。
誘電損失（ｔａｎδ）、誘電率の温度特性（ＴＣ）、キ
ューリー点、及び絶縁抵抗（ＩＲ）を測定したところ、
表１に示す特性が得られた。なお、誘電率（εｓ）及び
誘電損失（ｔａｎδ）は、ＬＣＲメーター（ヒューレッ
ト・パッカード社、４２７４Ａ）を用いて１ＫＨｚ、１
Ｖ、２５℃の条件下で、絶縁抵抗（ＩＲ）は、ＩＲメー
ター（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社、Ｒ８３４０Ａ）を用いて
直流５００Ｖ、６０秒間印加、２５℃の条件下でそれぞ
れ測定した値を示した。
【００２７】また、温度特性（ＴＣ）は、−５５〜＋１
２５℃の範囲で静電容量を測定し、ＪＩＳ規格に従い２
０℃に於ける静電容量を基準として、静電容量の変化率
（ΔＣ／Ｃ（％））を求め、結果を図１に示した。な
お、図１中の太い実線枠は、温度特性の実用範囲を示し
ており、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲で、静電容量の
変化率（ΔＣ／Ｃ（％））が−８０％〜＋３０％の範囲
内に入ることが要求されている。
２５℃の範囲で静電容量を測定し、ＪＩＳ規格に従い２
０℃に於ける静電容量を基準として、静電容量の変化率
（ΔＣ／Ｃ（％））を求め、結果を図１に示した。な
お、図１中の太い実線枠は、温度特性の実用範囲を示し
ており、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲で、静電容量の
変化率（ΔＣ／Ｃ（％））が−８０％〜＋３０％の範囲
内に入ることが要求されている。
【００２８】表１及び図１より明らかなように、チタン
酸バリウム量が本発明範囲から外れた比較例１，２は、
キューリー点が目標範囲（０〜＋４０℃）外になり、常
温付近におけるεｓが低く、更に温度特性も実用範囲か
ら外れていることが分かる。
酸バリウム量が本発明範囲から外れた比較例１，２は、
キューリー点が目標範囲（０〜＋４０℃）外になり、常
温付近におけるεｓが低く、更に温度特性も実用範囲か
ら外れていることが分かる。
【００２９】
【表１】
【００３０】＜実施例３〜６及び比較例３，４＞表２の
実施例３〜５は、第１成分（ＢａＴｉＯ3 ）を８４重量
％、第２成分（ＣａＳｎＯ3 ）を１０．６７重量％、第
３成分（ＢａＺｒＯ3 ）を５．３３重量％に統一し、第
４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の添加量を変化させた例であり、
実施例６及び比較例３，４は、第１成分（ＢａＴｉＯ
3 ）を８５重量％、第２成分（ＣａＳｎＯ3 ）を１０重
量％、第３成分（ＢａＺｒＯ3 ）を５重量％に統一し、
第４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の第１成分〜第３成分の合計１
００重量％に対する外割りの添加量を変化させた例であ
る。
実施例３〜５は、第１成分（ＢａＴｉＯ3 ）を８４重量
％、第２成分（ＣａＳｎＯ3 ）を１０．６７重量％、第
３成分（ＢａＺｒＯ3 ）を５．３３重量％に統一し、第
４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の添加量を変化させた例であり、
実施例６及び比較例３，４は、第１成分（ＢａＴｉＯ
3 ）を８５重量％、第２成分（ＣａＳｎＯ3 ）を１０重
量％、第３成分（ＢａＺｒＯ3 ）を５重量％に統一し、
第４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の第１成分〜第３成分の合計１
００重量％に対する外割りの添加量を変化させた例であ
る。
【００３１】いずれの試料とも焼結助剤として酸化セリ
ウム０．２重量％、炭酸マンガン０．１重量％、カオリ
ン０．２重量％を、第１成分〜第３成分の合計１００重
量％に対して外割りで添加し、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比及び
ＣａＯ／ＳｎＯ2 比は、１に統一した。なお、実施例２
〜５は本発明品、比較例３，４は本発明範囲外品であ
る。
ウム０．２重量％、炭酸マンガン０．１重量％、カオリ
ン０．２重量％を、第１成分〜第３成分の合計１００重
量％に対して外割りで添加し、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比及び
ＣａＯ／ＳｎＯ2 比は、１に統一した。なお、実施例２
〜５は本発明品、比較例３，４は本発明範囲外品であ
る。
【００３２】主成分原料及びその他の焼成助剤等の配合
割合を表２に示す割合としたこと以外は、実施例１と同
様の処理を行ってコンデンサ試料を得、同様に各種特性
評価を行い（ただし、実施例３〜６及び比較例３，４に
おいては、ΔＣ／Ｃ（％）のみならず、ｔａｎδ（％）
についても同様に温度特性を調べた。）、結果を表２及
び図２〜５に示した。
割合を表２に示す割合としたこと以外は、実施例１と同
様の処理を行ってコンデンサ試料を得、同様に各種特性
評価を行い（ただし、実施例３〜６及び比較例３，４に
おいては、ΔＣ／Ｃ（％）のみならず、ｔａｎδ（％）
についても同様に温度特性を調べた。）、結果を表２及
び図２〜５に示した。
【００３３】表２及び図２〜５より、本発明範囲内で第
４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の添加量を変化させた実施例３〜
５について見ると、Ｃｏ3 Ｏ4 量が増えるに従ってεｓ
が低下する一方、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（％）及び
誘電損失ｔａｎδ（％）の温度特性が平坦化することが
分かる。
４成分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）の添加量を変化させた実施例３〜
５について見ると、Ｃｏ3 Ｏ4 量が増えるに従ってεｓ
が低下する一方、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（％）及び
誘電損失ｔａｎδ（％）の温度特性が平坦化することが
分かる。
【００３４】また、Ｃｏ3 Ｏ4 未添加でキューリー点２
５℃の組成に調整した本発明範囲外の比較例３は、表２
及び図４，５より明らかなように、εｓは約２０，００
０に達するものの、ΔＣ／Ｃ（％）の温度特性曲線の平
坦性が失われてＪＩＳ規格のＦ特性から外れる上に、常
温付近における誘電損失が大きいことが分かる。
５℃の組成に調整した本発明範囲外の比較例３は、表２
及び図４，５より明らかなように、εｓは約２０，００
０に達するものの、ΔＣ／Ｃ（％）の温度特性曲線の平
坦性が失われてＪＩＳ規格のＦ特性から外れる上に、常
温付近における誘電損失が大きいことが分かる。
【００３５】実施例６及び比較例４は、比較例３と同じ
組成で実施例２〜３よりもＣｏ3 Ｏ4 量を多くした例で
あるが、Ｃｏ3 Ｏ4 量が本発明範囲から外れた比較例４
は、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（％）及び誘電損失ｔａ
ｎδ（％）の温度特性が平坦化する一方、常温付近にお
けるεｓが著しく低下し、コンデンサとしての実用に適
さなくなる。
組成で実施例２〜３よりもＣｏ3 Ｏ4 量を多くした例で
あるが、Ｃｏ3 Ｏ4 量が本発明範囲から外れた比較例４
は、静電容量の変化率ΔＣ／Ｃ（％）及び誘電損失ｔａ
ｎδ（％）の温度特性が平坦化する一方、常温付近にお
けるεｓが著しく低下し、コンデンサとしての実用に適
さなくなる。
【００３６】従って、εｓを１０，０００以上に維持
し、且つ誘電損失を０．６％以下に抑えるための第４成
分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）量は、第１成分〜第３成分の合計１０
０重量％に対し、外割りで０．００１〜０．２重量％の
範囲に限定される。
し、且つ誘電損失を０．６％以下に抑えるための第４成
分（Ｃｏ3 Ｏ4 ）量は、第１成分〜第３成分の合計１０
０重量％に対し、外割りで０．００１〜０．２重量％の
範囲に限定される。
【００３７】
【表２】
【００３８】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電損失の
少ない高誘電率磁器組成物によれば、常温付近の誘電損
失が０．６％以下で、且つ誘電率１０，０００以上を維
持し、しかも温度特性が比較的平坦で、例えばＪＩＳ規
格のＦ特性（−２５〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準
の容量変化率が＋３０〜−８０％以内）を満足するコン
デンサ等の実用用途に適した高特性磁器組成物が提供さ
れる。
少ない高誘電率磁器組成物によれば、常温付近の誘電損
失が０．６％以下で、且つ誘電率１０，０００以上を維
持し、しかも温度特性が比較的平坦で、例えばＪＩＳ規
格のＦ特性（−２５〜＋８５℃の温度範囲で２０℃基準
の容量変化率が＋３０〜−８０％以内）を満足するコン
デンサ等の実用用途に適した高特性磁器組成物が提供さ
れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１，２及び比較例１，２におけるΔＣ／
Ｃ（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
Ｃ（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
【図２】実施例３〜５におけるΔＣ／Ｃ（％）の温度特
性の測定結果を示すグラフである。
性の測定結果を示すグラフである。
【図３】実施例３〜５におけるｔａｎδ（％）の温度特
性の測定結果を示すグラフである。
性の測定結果を示すグラフである。
【図４】実施例６及び比較例３，４におけるΔＣ／Ｃ
（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
【図５】実施例６及び比較例３，４におけるｔａｎδ
（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
（％）の温度特性の測定結果を示すグラフである。
Claims (1)
- 【請求項１】 第１成分としてチタン酸バリウムを、第
２成分としてスズ酸カルシウムを、第３成分としてジル
コン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム及びジルコン酸
ストロンチウムよりなる群から選ばれる１種又は２種以
上を、第４成分として酸化コバルトを、各々下記組成範
囲で含有することを特徴とする誘電損失の少ない高誘電
率磁器組成物。 第１成分：８３〜８７重量％ 第２成分及び第３成分：合計で１３〜１７重量％ 第４成分：第１成分，第２成分及び第３成分の合計１０
０重量％に対して０．００１〜０．２重量％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070166A JPH09255421A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8070166A JPH09255421A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255421A true JPH09255421A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13423700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8070166A Withdrawn JPH09255421A (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09255421A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002201064A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Nippon Chemicon Corp | 誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2009107925A (ja) * | 2001-06-13 | 2009-05-21 | Seiko Epson Corp | セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ |
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP8070166A patent/JPH09255421A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002201064A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-16 | Nippon Chemicon Corp | 誘電体磁器組成物、積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP2009107925A (ja) * | 2001-06-13 | 2009-05-21 | Seiko Epson Corp | セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ |
| JP2012140258A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4446324B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いたコンデンサ | |
| JPH06206765A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958817B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3279856B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2004238251A (ja) | 誘電体磁器組成物、及びセラミック電子部品 | |
| JP2978580B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JP2958819B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958818B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH09255421A (ja) | 誘電損失の少ない高誘電率磁器組成物 | |
| JP2869900B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2902925B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH09255420A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2958822B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2920693B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958820B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3185333B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2958823B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| US4564602A (en) | High permittivity ceramic composition | |
| JP2920688B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP3109171B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| KR20020077588A (ko) | 적층 세라믹 커패시터용 유전체 조성물 및 이를 이용한유전체의 제조방법 | |
| JP3185331B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2621478B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2958824B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2694209B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |