JPH09251952A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH09251952A
JPH09251952A JP8085808A JP8580896A JPH09251952A JP H09251952 A JPH09251952 A JP H09251952A JP 8085808 A JP8085808 A JP 8085808A JP 8580896 A JP8580896 A JP 8580896A JP H09251952 A JPH09251952 A JP H09251952A
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substrate
original plate
optical system
scanning
alignment
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JP8085808A
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Inventor
Hiroshi Shirasu
廣 白数
Yukio Kakizaki
幸雄 柿崎
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は露光装置及び露光方法に関し、露光転
写に要する時間を短縮する。 【解決手段】走査ステージ(3)上に原板(4)と基板
(5)とを保持する二組の保持手段(11、12)を設
け、原板(4)と基板(5)との走査位置(P1、P
2、P3)に応じて設けられる二組のリレー光学系(2
0、21)と、投影光学系(9)との間を走査するよう
にして、一方の基板(5A、5B)を露光走査している
ときに、他方の基板(5B、5A)をアライメントする
ようにしたことにより、基板(5)に対する露光走査及
びアライメントの効率を大幅に向上し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置及び露光方
法に関し、例えば液晶表示装置の液晶パネルを製作する
際、原板上に形成された電極パターンを被露光基板上に
露光転写するものに用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】近年、コンピユータ、テレビジヨン等の
表示装置として液晶パネルが用いられている。液晶パネ
ルは、ガラス基板上に透明薄膜電極をフオトリソグラフ
イの手法を用いて所望の形状にパターニングすることに
よつて表示基板を形成している。このフオトリソグラフ
イ手法では、原板上に形成された電極の原画パターンを
ガラス基板上に露光転写する際、照明光学系及び投影光
学系をもつた、いわゆる露光装置を用いている。この露
光転写の工程は、従来一台の露光装置において1組ずつ
の原板と被露光基板を順次、アライメントしてから、露
光するという処理手順を繰り返すことによつて行つてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年、液晶表
示装置の普及を更に促進するために液晶パネルの低価格
化が要求され、そのための液晶パネル製造工程の高効率
化が要求されている。そこで製造工程の効率を上げるた
めに、前述した3つの各工程(アライメント、露光及び
基板交換)においてそれぞれ、各工程に要する時間を短
縮することが求められている。この場合、例えば露光時
間に関しては、近年の感光材の露光感度の向上により露
光に要する時間はかなり短縮されている。これに比して
原板と被露光基板をアライメントするアライメント時間
は、まだそれほどの時間短縮がなし得ていないので、こ
のアライメント時間の短縮は製造工程の時間を短縮する
上で大きな課題となつている。本発明は以上の点を考慮
してなされたもので、露光転写に要する時間を短縮して
液晶パネルの製作効率を高効率化し得る露光装置及び露
光方法を提案しようとするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明の露光装置は、第1の原板(4A)及び第1
の基板(5A)をそれぞれ保持する第1の保持手段(1
1A、12A)と、アライメントマーク(18)が形成
された第2の原板(4B)及びアライメントマーク(1
9)が形成された第2の基板(5B)をそれぞれ保持す
る第2の保持手段(11B、12B)と、第1、第2の
保持手段を走査方向に並べて搭載し、投影光学系(9)
に対して走査方向に走査する走査ステージ(3)と、原
板上に形成されたアライメントマークを基板に結像する
ために第2の保持手段に対して配置されるリレー光学系
(21)と、走査ステージの走査により第1の原板のパ
ターンを第1の基板に露光転写する際に、第2の原板の
アライメントマークとリレー光学系を介して観察される
第2の基板のアライメントマークとを検出するアライメ
ントマーク検出手段(22)と、アライメントマークの
検出値に基づいて、第2の保持手段のアライメントを行
う駆動部(15)とを備える。
【0005】これにより走査ステージ(3)を走査方向
(A)に走査する際、一方の基板(5A、5B)を投影
光学系(9)の走査位置で露光走査しているときに、他
方の基板(5B、5A)をリレー光学系(20、21)
の走査位置でアライメントするようにしたことにより、
基板(5)に対する露光走査及びアライメントの効率を
大幅に向上し得る。
【0006】さらに本発明においては、原板(4)上の
パターンを基板(5)上に露光転写する露光装置(1)
において、原板(4)側の基準アライメントマーク(2
6)と基板(5)側の基準アライメントマーク(27)
とを備え、投影光学系(9)に対して走査方向(A)に
走査する走査ステージ(3)と、原板(4)側の基準ア
ライメントマーク(26)を基板(5)の基準アライメ
ントマーク(27)に結像させるリレー光学系(20、
21)と、投影光学系(9)又はリレー光学系(20、
21)を介して原板(4)側及び基板(5)側の基準ア
ライメントマーク(26、27)を検出するアライメン
トマーク検出手段(22)と、投影光学系(9)を介し
て原板(4)側及び基板(5)側の基準アライメントマ
ーク(26、27)を検出した時の検出値(S10、S
11)と、リレー光学系(20、21)を介して原板
(4)側及び基板(5)側の基準アライメントマーク
(26、27)を検出した時の検出値(S10、S1
1)とに基づいてオフセツト量を演算する演算手段(2
5)とを備える。
【0007】これにより投影光学系(9)に対して走査
方向(A)に走査ステージ(3)を走査する際、投影光
学系(9)又は、リレー光学系(20、21)を介して
原板(4)側及び基板(5)側の基準アライメントマー
ク(26、27)を検出して、投影光学系(9)又は、
リレー光学系(20、21)を介して検出した基準アラ
イメントマークの検出値(S10、S11)に基づいて
オフセツト量を算出するようにしたことによつて、基板
の露光走査中において投影光学系とリレー光学系との光
軸のオフセツト量を検出し得る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図面について本発明の一実
施例を詳述する。
【0009】図1(A)及び(B)において、1は全体
として本発明による露光装置を示し、アライメント系2
によつて走査ステージ3上に戴置される二組の原板4
(4A及び4B)及び被露光基板5(5A及び5B)の
アライメントマーク(後述)をそれぞれ検出して、その
検出値に基づいて原板4及び被露光基板5それぞれをア
ライメント補正する。続いて投影露光光学系6におい
て、まず照明光学系7によつて光源8からの照明光L1
を所望の形状に整形し、原板4を照明する。そして該原
板4上に形成される電極の原画パターンを投影光学系9
を介して被露光基板5上に結像する。この状態で走査ス
テージ3を定盤10上において走査方向Aに走査するこ
とにより原板4上に形成される電極の原画パターンを被
露光基板5上に露光転写するものである。
【0010】走査ステージ3上において、原板4A及び
4Bはそれぞれ2組の原板ホルダ11A及び11Bの上
に戴置されている。他方、被露光基板5A及び5Bは、
走査ステージ3上の対向する位置に設けられた被露光基
板ホルダ12A及び12Bの上にそれぞれ戴置されてい
る。これら原板ホルダ11(11A及び11B)又は被
露光基板ホルダ12(12A及び12B)は制御部14
によるホルダ駆動部15を介した駆動制御によつて平面
内を微動される。このとき被露光基板ホルダ12A及び
12Bの走査ステージ3との相対位置が、図示しない計
測系(例えばレーザ干渉計)により常時検出されてい
る。
【0011】図2(A)及び(B)に示すように、原板
4にはアライメント用の透明窓17が所定の間隔をもつ
て配置されている(図では原板4の両側縁部にそれぞれ
3つずつ配置されている)。各透明窓17枠内にはアラ
イメント光を反射する原板アライメント用のくの字状の
アライメントマーク18が各々設けられている。また被
露光基板5上の各透明窓17に対応する位置にも、それ
ぞれくの字状のアライメントマーク19が設けられてい
る。ここでアライメント系2においては、二組のリレー
光学系20(20R及び20L)及び21(21R及び
21L)によつて、被露光基板5A及び5B上の各アラ
イメントマーク19をそれぞれ原板4A及び4B上の透
明窓17枠内の所定位置に結像する。
【0012】ここでアライメント検出部22(22A及
び22B)は、アライメント検出部22から出射される
照明光L2を顕微鏡23(23R及び23L)を介する
ことによつて整形して、原板4(4A及び4B)上にハ
の字状のアライメントスポツト24を形成する。さらに
照明光L2はリレー光学系20、21又は、投影光学系
9を介して被露光基板5(5A又は5B)上にアライメ
ントスポツト24を形成する。
【0013】このアライメント検出部22は、矢印Aで
示す方向にリレー光学系20及び21と、投影光学系9
の設けられた位置に移動してそれぞれの位置においてア
ライメントマーク18及び19を検出する(図1
(A))。このように投影光学系9は、露光用の照明光
L1と、アライメントスポツト24を形成するための照
明光L2とを共に扱うことを目的としているため、露光
波長とアライメント光波長との間での色収差を補正して
いる。
【0014】走査ステージ3は、定盤10上を図示しな
い駆動系とガイドにより一軸上において、走査範囲C内
に亘つて移動することができる(図1(A))。ここで
走査ステージ3上に戴置された原板4及び被露光基板5
が定盤10上をアライメントスポツト24に対して矢印
B方向に走査されたとき(図2(A))、まず該アライ
メントスポツト24と原板4上のアライメントマーク1
8が合致した瞬間アライメント光は反射されアライメン
ト検出部22に再び戻つてアライメント信号S1が検出
される。
【0015】次に被露光基板5上のアライメントマーク
19の像とアライメントスポツト24とが合致した瞬間
に被露光基板5のアライメント信号S2が検出される。
検出された各々のアライメント信号S1及びS2は、演
算部25において図示しない走査ステージ3のアライメ
ント位置の計測機構(例えばレーザ干渉計)による走査
ステージ3の位置を示す位置信号S3と比較され原板4
と被露光基板5との相対位置が算出される。このように
演算部25において算出された原板4と被露光基板5と
の相対位置のずれは、制御部14によるホルダ駆動部1
5を介した駆動制御により微動に調整される。尚、レー
ザ干渉計は、被露光基板ホルダ12A、12B又は原板
ホルダ11A、11Bの位置信号S3を計測しても良
い。
【0016】この場合、ハの字状の2ヶのアライメント
スポツト24の各々について独立にアライメント信号S
1又はS2を検出すれば走査方向Aと直角方向の相対位
置も同時に計測することができる。このアライメント方
法ではアライメントスポツト24の絶対位置精度はさほ
ど重要ではないのでアライメント検出部22を移動させ
てもアライメント位置の検出に問題はない。
【0017】ところでリレー光学系20及び21と投影
光学系9の各々の光軸が完全に平行でないと被露光基板
5と原板4による投影像の位置関係に各々の光学系で差
が生じアライメント誤差を生じる。そこで走査ステージ
3上において、原板4側及び被露光基板5側とに、それ
ぞれ設けた基準となる基準アライメントマーク26(2
6R及び26L)と、基準アライメントマーク27(2
7R及び27L)とを設けて、この基準アライメントマ
ーク26及び27から得られるアライメント信号S10
及びS11によつてアライメント誤差を補正する。
【0018】すなわち露光走査に先立つてまず、アライ
メント検出部22によつて、投影光学系9の光軸上の位
置P2における基準のアライメントマーク26及び27
によるアライメント信号S10及びS11をそれぞれ検
出する。アライメント検出部22において検出されたア
ライメント信号S10及びS11は演算部25に送出さ
れアライメント誤差が算出される。次にリレー光学系2
1の光軸上の位置P1及びリレー光学系20の光軸上の
位置P3において、アライメントマーク26及び27に
よるアライメント信号S10及びS11をそれぞれ検出
する。そしてアライメント検出部22によつて検出され
たリレー光学系20及び21でのアライメント信号S1
0及びS11を演算部25に送出してアライメント誤差
を算出する。
【0019】このアライメント誤差は照明光L2による
光軸のずれ(オフセツト量)を表すものである。ここで
投影光学系9の光軸上の位置P2における実際の露光時
の光軸のオフセツト量を基準値として、各リレー光学系
20及び21の光軸上の位置P1及びP3における光軸
のずれを補正することができる。かくして走査中におい
て基準アライメントマーク26及び27を検出すること
により、露光転写の精度を走査中においても常に高精度
に維持することができる。
【0020】次にこの露光装置1に原板4及び被露光基
板5を搬送する搬送系30について説明する。図3に示
すように搬送系30では、例えば走査ステージ3が右ラ
イン側にあるとき、レジスト塗布機31Aによつてレジ
ストの塗布された被露光基板5Aを被露光基板交換用の
ローダ32によつて被露光基板ホルダ12A上に搬送す
る。または露光転写の終了した被露光基板5Aをローダ
32によつて被露光基板ホルダ12A上から現像機33
Aへと搬送する。
【0021】また走査ステージ3が左ライン側にあると
きは、レジスト塗布機31Bによつてレジストの塗布さ
れた被露光基板5Bを被露光基板交換用のローダ34に
よつて被露光基板ホルダ12B上に搬送する。または露
光転写の終了した被露光基板5Bをローダ34によつて
被露光基板ホルダ12B上から現像機33Bへと搬送す
る。これにより左右のラインにおいて、全く独立に被露
光基板5A及び5Bを処理することができる。すなわち
同一走査ステージ3上において、全く異なつた原画パタ
ーンをもつ2種類の原板4A及び4Bについて、それぞ
れ対応する被露光基板5A及び5Bを混在することなし
に処理することができる。
【0022】以上の構成において、実際の露光走査及び
アライメント走査を図4に示す露光及びアライメントの
状態遷移図に従つて説明する。走査ステージ3は定盤1
0上を図示しない駆動系とガイドにより一軸上を走査方
向Aに走査範囲C内に亘つて走査する。ここで被露光基
板ホルダ12A及び12Bの走査ステージ3との相対位
置が、図示しない計測系(例えばレーザ干渉計)により
常時検出されている。
【0023】ここで図1は露光走査及びアライメント走
査開始の状態を示しており、原板ホルダ11A、被露光
基板ホルダ12Aに各々吸着保持された原板4Aと被露
光基板5Aは1回前の走査により検出されたアライメン
ト信号S1及びS2に従つて高精度アライメントされて
いる。一方、原板ホルダ11B及び被露光基板ホルダ1
2Bには原板4Bと搬送系30において新たに交換され
たばかりの被露光基板5Bが粗く位置決めされて保持さ
れている。
【0024】このときアライメント検出部22はリレー
光学系21上に位置している。ここで原板ホルダ11A
及び11Bと、被露光基板ホルダ12A及び12Bとの
相対位置をアライメント検出部22からのアライメント
信号S10及びS11に基づく制御部14のホルダ駆動
部15を介した駆動制御により固定しておく。この状態
で走査ステージ3をリレー光学系20側に走査すること
により被露光基板5Aを露光すると同時にアライメント
マーク18及び19により原板4Bと被露光基板5Bの
相対位置のアライメント信号S1及びS2がそれぞれ検
出される。このとき投影光学系9によつて原板4上及び
被露光基板5上に投影される投影領域ARは、例えば図
2(A)に示すような所定幅をもつた細長い円弧状の形
状となつている。
【0025】ここで被露光基板5Aの露光及び被露光基
板5Bのアライメント走査によるアライメント信号S1
及びS2の検出が終了すると、走査ステージ3は図5に
示すように、右端の被感光基板5Aの交換位置まで移動
する。ここで露光終了した被露光基板5Aをローダ32
によつて搬出して次の非露光基板と交換する(図4)。
この間、照明光学系4のシヤツタが一旦閉められて、ア
ライメント検出部22がリレー光学系20側に移動す
る。そして被露光基板5Aの交換時に、制御部14のホ
ルダ駆動部15を介した駆動制御により、一回前の走査
時に検出したアライメント信号S1、S2、S10及び
S11に基づいて被露光基板5B及び原板4Bを高精度
アライメントする。そして今度は走査ステージ3を左側
に走査することにより今度は被露光基板5Bを露光走査
するとともに、被露光基板5Aをアライメントするこが
できる。以下同様の処理が繰り返されることになる。
【0026】またこのとき走査ステージ3を走査して露
光走査及びアライメント走査するときに、アライメント
検出部22によつて検出される投影光学系2におけるア
ライメント信号S10及びS11に基づいたオフセツト
量をもとに、リレー光学系20及び21の光軸ずれを各
露光走査毎に補正することができる。
【0027】以上の構成によれば、露光走査とアライメ
ント走査を並列して同時に進めることができ著しく基板
当りの処理時間を短縮できる。また例えば、露光装置を
2台用いてそれぞれの装置で露光走査及びアライメント
走査を並列に行うのと比較した場合、特に高価な投影露
光光学系を始めとして多くの装置を一台分で済ますこと
ができる。さらに各被露光基板5A及び5Bの露光走査
及びアライメント走査中においては、各装置を休みなく
有効に稼働させることができるため、装置価格当りの稼
働効率を著しく向上し得る。さらにこの場合、工程にお
ける装置の専有面積が少なくてすみ、作業面積を有効に
活用し得る。また上述の実施例によれば、走査ステージ
3上に基準アライメントマーク26及び27を設けるこ
とによつて露光走査中において走査ステージ3の投影光
学系9に対するアライメント誤差を各走査毎に検出して
補正することができる。これにより原板4と被露光基板
5の重ね合せ精度を露光走査中、常に高精度に維持する
ことができる。
【0028】なお上述の実施例においては、左右のライ
ンにおいて異なつた種類の原板を処理する場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、左右のラインにおい
て同種の原画パターンを有する原板をそれぞれ交互に露
光走査して高速処理することも可能である。
【0029】また上述の実施例においては、基準アライ
メントマーク26及び27を用いた原板4と被露光基板
5とのアライメント誤差の補正を露光走査中に行つた場
合について述べたが、本発明はこれに限らず、一連の露
光走査及びアライメント走査の処理に先立つて最初に処
理する原板4と被露光基板5との間で行うようにしても
良い。また上述の実施例においては、液晶パネルを製作
する際の原板4の電極パターンを被露光基板5に露光転
写する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
液晶パネルに用いる原板以外にも半導体のウエハ等の製
作に用いても良い。
【0030】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、原板上の
パターンを基板上に露光転写する露光装置において、走
査ステージ上に原板と基板とを保持する二組の保持手段
を設け、原板と基板との走査位置に応じて設けられる二
組のリレー光学系と、投影光学系との間を走査するよう
にして、一方の基板を露光走査しているときに、他方の
基板をアライメントするようにしたことにより、基板に
対する露光走査及びアライメントの効率を大幅に向上し
得る露光装置及び露光方法を実現し得る。
【0031】さらに本発明によれば、原板上のパターン
を基板上に露光転写する露光装置において、原板側及び
基板側にそれぞれ基準アライメントマークを備え、投影
光学系に対して走査方向に走査ステージを走査する際、
投影光学系又は、リレー光学系を介して原板側及び基板
側の基準アライメントマークを検出して、投影光学系又
は、リレー光学系を介して検出した基準アライメントマ
ークの検出値に基づいてオフセツト量を算出するように
したことによつて、基板の露光走査中において投影光学
系とリレー光学系との光軸のオフセツト量を検出し得る
露光装置及び露光方法を実現し得る。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例による露光装置の全体構成を示す略線的
正面図(図1(A))及び略線的側面図(図1(B))
である。
【図2】原板のアライメント用の窓の説明に供する略線
図である。
【図3】搬送系の説明に供する略線的上面図である。
【図4】露光走査及びアライメント走査の説明に供する
状態遷移図である。
【図5】走査ステージの走査の説明に供する略線図であ
る。
【符号の説明】
1……露光装置、2……アライメント系、3……走査ス
テージ、4A、4B……原板、5A、5B……被露光基
板、6……投影露光光学系、7……照明光学系、8……
光源、9……投影光学系、10……定盤、11A、11
B……原板ホルダ、12A、12B……被露光基板ホル
ダ、14……制御部、15……ホルダ駆動部、17……
透明窓、18、19……アライメントマーク、20、2
1……リレー光学系、22……アライメント検出部、2
3……顕微鏡、24……アライメントスポツト、25…
…演算部、26、27……基準アライメントマーク。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】原板状のパターンを投影光学系を介して基
    板上に露光転写する露光装置において、 第1の原板及び第1の基板をそれぞれ保持する第1の保
    持手段と、 アライメントマークが形成された第2の原板及びアライ
    メントマークが形成された第2の基板をそれぞれ保持す
    る第2の保持手段と、 前記第1、第2の保持手段を走査方向に並べて搭載し、
    前記投影光学系に対して前記走査方向に走査する走査ス
    テージと、 前記原板上に形成されたアライメントマークを前記基板
    に結像するために、前記第2の保持手段に対して配置さ
    れるリレー光学系と、 前記走査ステージの走査により前記第1の原板のパター
    ンを前記第1の基板に露光転写する際に、前記第2の原
    板のアライメントマークと前記リレー光学系を介して観
    察される第2の基板のアライメントマークとを検出する
    アライメントマーク検出手段と、 前記アライメントマークの検出値に基づいて、前記第2
    の保持手段のアライメントを行う駆動部とを備えること
    を特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】前記アライメントマーク検出手段は、 前記投影光学系及び又は前記二組のリレー光学系のそれ
    ぞれの設置位置に移動してアライメントマークを検出す
    ることを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】原板上のパターンを基板上に露光転写する
    露光装置において、 原板側の基準アライメントマークと基板側の基準アライ
    メントマークとを備え、前記投影光学系に対して走査方
    向に走査する走査ステージと、 前記原板側の基準アライメントマークを基板側の基準ア
    ライメントマークに結像させるリレー光学系と、 前記投影光学系又は前記リレー光学系を介して前記原板
    側及び基板側の基準アライメントマークを検出するアラ
    イメントマーク検出手段と、 前記投影光学系を介して前記原板側及び基板側の基準ア
    ライメントマークを検出した時の検出値と、前記リレー
    光学系を介して前記原板側及び基板側の基準アライメン
    トマークを検出した時の検出値とに基づいてオフセツト
    量を演算する演算手段とを備えることを特徴とする露光
    装置。
  4. 【請求項4】原板上のパターンを基板上に露光転写する
    露光方法において、 一体に保持された二組の原板及び基板を同時に走査し、 前記二組の原板及び基板のうち、どちらか一方の組の原
    板及び基板を露光走査している間に、他方の組の原板及
    び基板をアライメントすることを特徴とする露光方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007077926A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2010114347A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Ushio Inc 露光装置
JP2013098432A (ja) * 2011-11-02 2013-05-20 V Technology Co Ltd アライメントマーク及び露光装置
CN103197506A (zh) * 2012-01-10 2013-07-10 上海微电子装备有限公司 一种采用镜像硅片台的光刻机
WO2016159200A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI409598B (zh) * 2005-12-28 2013-09-21 尼康股份有限公司 Pattern forming method and pattern forming apparatus, exposure method and exposure apparatus, and component manufacturing method
WO2007077926A1 (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Nikon Corporation パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
JP2012074751A (ja) * 2005-12-28 2012-04-12 Nikon Corp 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
CN102636966A (zh) * 2005-12-28 2012-08-15 株式会社尼康 曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法
US8400614B2 (en) 2005-12-28 2013-03-19 Nikon Corporation Pattern formation method and pattern formation apparatus, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5182558B2 (ja) * 2005-12-28 2013-04-17 株式会社ニコン パターン形成方法及びパターン形成装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
KR101362638B1 (ko) * 2008-11-10 2014-02-12 우시오덴키 가부시키가이샤 노광 장치
JP2010114347A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Ushio Inc 露光装置
EP2184643A3 (en) * 2008-11-10 2014-12-10 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Exposure device
JP2013098432A (ja) * 2011-11-02 2013-05-20 V Technology Co Ltd アライメントマーク及び露光装置
CN103197506A (zh) * 2012-01-10 2013-07-10 上海微电子装备有限公司 一种采用镜像硅片台的光刻机
WO2016159200A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社ニコン 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法
CN107533303A (zh) * 2015-03-31 2018-01-02 株式会社尼康 曝光装置、平面显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法

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