JPH09249481A - 単結晶引上装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スリップリングを用いず巻取りモータの制御
においてノイズが発生せず、巻取りモータの制御が容易
になり、また、高品質な半導体結晶を製造する。 【解決手段】 半導体融体を貯留するルツボを収容する
気密容器２と、ルツボより半導体単結晶を引き上げるワ
イヤ４３と、ワイヤ４３を巻き上げるためのワイヤ巻取
機１９を収容するワイヤ巻取機ハウジング４２とを備え
ている。ハウジング回転駆動手段４６は、回転中空軸部
材５５を介してハウジング４２を回転させる。回転中空
軸部材５５には回転体１０が回転自在に設けられ、この
回転体１０に、ハウジング４２上とは別な場所に固定さ
れた第１の巻取りモータ８の回転力を伝動する。回転体
１０の回転力は、巻取機伝動機構１６，１７，１８によ
りワイヤ巻取機１９に伝動し、ワイヤ４３を巻き上げ
る。第１の巻取りモータ８を、回転するハウジング４２
上に設けないので、スリップリングが不要になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶引上装置に
関し、特に、ワイヤ巻取機を回転駆動するための機構の
改良に関する。

【従来の技術】

【０００２】シリコンやガリウムひ素等の半導体単結晶
を育成する方法の一つにチョクラルスキー法（ＣＺ法）
がある。この方法は、育成される単結晶がルツボ材に非
接触であるためにルツボにより汚染される危険性が比較
的少なく均質性の極めて高い単結晶が得られること、外
部から観測できるために成長を制御し易いこと、任意の
引き上げ方位が選択できること、無転位結晶のように格
子欠陥の極めて少ない単結晶が育成できること等の特徴
を有するために、様々な半導体単結晶の育成に用いられ
ている。

【０００３】図４は、シリコン単結晶の育成に用いられ
る単結晶引上装置の一例を示す図である。この単結晶引
上装置は、アルゴンガス（不活性ガス）が低圧で充填さ
れかつ図示しないルツボが収容される気密容器２を備え
ている。気密容器２は、ルツボを収容する有底円筒状の
下部容器（不図示）と、この下部容器（不図示）の上方
に設けられた上部容器２ｃとから概略構成されている。
上部容器２ｃの上端部には小径中空部材６０が一体的に
備えられ、この小径中空部材６０には、ハウジング回転
駆動手段４６により垂直な軸線周りに回転自在なワイヤ
巻取機ハウジング４２が、後述する上軸支持機構を介し
て設けられている。このワイヤ巻取機ハウジング４２内
には、ルツボに貯留されたシリコン融液（半導体融液）
よりシリコン単結晶（半導体単結晶）を引き上げるワイ
ヤ４３を巻き取るためのワイヤ巻取機が収容されてい
る。このワイヤ巻取機は、ワイヤ巻取ドラム４０と、ワ
イヤ巻取ドラム４０の略上方に設けられたドラム４１と
から概略構成され、ワイヤ４３はドラム４１を介してワ
イヤ巻取ドラム４０に巻取られる。

【０００４】ワイヤ巻取機ハウジング４２等の構造につ
いては、その底部の中央部には、後述する回転中空軸部
材５５が固定され、この回転中空軸部材５５の上方に臨
む位置の近傍には、ワイヤ４３が巻回されるワイヤ巻取
ドラム４０が配設されている。そして、上記のように、
ワイヤ４３は、ワイヤ巻取ドラム４０の前段に設けられ
たドラム４１を介してワイヤ巻取ドラム４０に巻回され
る。ワイヤ巻取機ハウジング４２の上面には、駆動機構
（不図示）を介して前記ワイヤ巻取ドラム４０を回転駆
動（矢印参照）させるための巻取りモータ４４が設けら
れている。符号６０は、後述する回転中空軸部材５５に
設けられたスリップリングであり、このスリップリング
６２は、前記巻取りモータ４４に、動力用の大電流およ
び信号センサ用の小電流を供給するものである。

【０００５】ワイヤ巻取機ハウジング４２を支持するた
めの上軸支持機構については、気密容器２の小径中空部
材６０の上端部に一体的に備えられた第１のフランジ部
材５９と、第１のフランジ部材５９にボルト等により固
定された第２のフランジ部材５７ａを下端部に備えた固
定リング部材５７と、この固定リング部材５７に回転自
在に搭載され、かつ上端部に前記ワイヤ巻取機ハウジン
グ４２の底部５３が一体的に連結された回転中空軸部材
５５とから概略構成されている。

【０００６】符号４６は、ワイヤ巻取機ハウジング４２
を回転駆動させるためのハウジング回転駆動手段を示し
ている。このハウジング回転駆動手段４６は、ブラケッ
ト５１を介して前記第１のフランジ部材５９に固定され
たモータ４７と、このモータ４７の回転軸（出力軸）４
８に同軸に固定されたプーリ４９と、前記回転中空軸部
材５５の外周面に同軸に固定されたプーリ５２と、これ
ら２つのプーリ４９，５２に巻回されたベルト５０とか
ら構成されている。なお、ワイヤ巻取機ハウジング４
２、巻取りモータ４４および前記上軸支持機構等により
ヘッド部が構成されている。そして、前記ハウジング回
転駆動手段４６のモータ４７により、回転中空軸部材５
５を回転させることにより、ワイヤ巻取機ハウジング４
２全体を回転させ、これにより、吊下げられているワイ
ヤ４３をその軸線回りに回転させることができる。

【０００７】この単結晶引上装置を用いてシリコン単結
晶体を成長させるには、先ず、ルツボ（不図示）内にシ
リコン原料を所定量投入し、不活性ガス供給管（不図
示）によりアルゴンガスを低圧（または常圧）で供給し
つつ該シリコン原料をヒーター（不図示）により加熱溶
融しシリコン融液とする。次に、シリコン融液の液面の
中央付近を所定のシリコン単結晶成長温度に保ち、ワイ
ヤ巻取ドラム４０を稼動させてワイヤ４３を下降させ、
該ワイヤ４３に吊下げられたシリコン種結晶をシリコン
融液になじませる。この後、ワイヤ巻取機ハウジング４
２を回転させつつ、ワイヤ巻取ドラム４０を回転させる
ことにより、このシリコン単結晶を鉛直方向の軸線を中
心として所定の角速度で回転させながら所定の速度で鉛
直上方に引き上げ、シリコン単結晶を成長させる。充分
無転位の結晶になった後にこの単結晶の径を徐々に大径
化し所定の径のシリコン単結晶とする。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、ワイヤ
巻取機ハウジング４２およびワイヤ巻取ドラム４０を回
転させることにより、吊下げ状態にあるワイヤ４３をそ
の軸線回りに回転させつつ巻き上げ、シリコン単結晶の
成長を均一に行うようにしている。しかしながら、上記
のように、ワイヤ巻取ドラム４０を回転させるための巻
取りモータ４４は、回転するワイヤ巻取機ハウジング４
２上に搭載されているので、この巻取りモータ４４に電
流を供給するためのスリップリング６２が必要になる。
このため、巻取りモータ４４の制御においてノイズ問題
が発生し、巻取りモータ４４の制御が困難になるという
問題点がある。また、スリップリング６２から発生する
金属粉が気密容器２内に浸入したりして、半導体結晶の
品質が低下するという問題点もある。

【０００９】本発明は、上記従来技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、スリップリングを用いず、
巻取りモータの制御においてノイズが発生せず、巻取り
モータの制御が容易になり、また、高品質な半導体結晶
を製造できる単結晶引上装置を提供することを目的とし
ている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、半導体融体を貯留するルツボを収容する気
密容器と、前記ルツボに貯留された半導体融液より半導
体単結晶を引き上げるワイヤと、前記ワイヤを巻き上げ
るためのワイヤ巻取機を収容するワイヤ巻取機ハウジン
グと、前記ワイヤ巻取機ハウジングを前記気密容器の上
端部に対して回転自在に支持するための上軸支持機構と
を備え、前記上軸支持機構は、前記気密容器の上端部に
固定された固定リング部材と前記固定リング部材に回転
自在に支持されかつ上端部に前記ワイヤ巻取機ハウジン
グが連結された回転中空軸部材とから構成された単結晶
引上装置において、前記回転中空軸部材を介して前記ワ
イヤ巻取機ハウジングを回転させるためのハウジング回
転駆動手段と、前記回転中空軸部材にベアリングを介し
て回転自在に設けられた回転体と、前記ワイヤ巻取機ハ
ウジング上とは別な場所に固定された第１の巻取りモー
タと前記第１の巻取りモータの回転力を前記回転体に伝
動するための伝動機構からなる第１の巻取機回転駆動手
段と、前記回転体の回転力を前記ワイヤ巻取機に伝動し
て前記ワイヤを巻き上げるための巻取機伝動機構と、を
備えていることを特徴とするものである。

【００１１】また、前記回転中空軸部材を中心に前記第
１の巻取りモータとは対称的に設けられた第２の巻取り
モータと、前記第２の巻取りモータの回転力を前記回転
体に伝動するための伝動機構からなる第２の巻取機回転
駆動手段を備えている。

【００１２】上記構成の請求項１の発明の作用について
は、ハウジング回転駆動手段により回転中空軸部材を回
転させることにより、ワイヤ巻取機ハウジングを回転さ
せる。これと同時にワイヤをワイヤ巻取ドラムに巻取る
には、第１の巻取機回転駆動手段の第１の巻取りモータ
を起動することにより、回転中空軸部材にベアリングを
介して回転自在に設けられた回転体を回転させ、この回
転体の回転を伝動機構を介してワイヤ巻取ドラムに伝動
する。第１の巻取りモータは、回転するワイヤ巻取機ハ
ウジング上とは別な場所（例えば、単結晶引上装置のフ
レーム）に固定されているので、この第１の巻取りモー
タに電流を供給するのにスリップリングが不要になる。
なお、ハウジング回転駆動手段によりワイヤ巻取機ハウ
ジングを回転させると、前記伝動機構は前記回転中空軸
部材の回りに回転（遊星運動）し、これに引きずられて
回転体が回転しようとするが、これを考慮して第１の巻
取りモータの回転数を制御する。

【００１３】請求項２の発明の作用については、ワイヤ
をワイヤ巻取ドラムに巻取るには、第１の巻取機回転駆
動手段および第２の巻取機回転駆動手段の第１，第２の
巻取りモータをそれぞれ起動することにより、回転中空
軸部材にベアリングを介して回転自在に設けられた回転
体を回転させ、この回転体の回転を伝動機構を介してワ
イヤ巻取ドラムに伝動する。このように、回転中空軸部
材に対して対称的に設けた第１および第２の巻取りモー
タにより回転体を回転させる構成なので、回転中空軸部
材が反対方向へ等しい力で引っ張られ、回転中空軸部材
およびワイヤ巻取機ハウジングの振れが発生しない。

【００１４】

【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施形態例につ
いて図面を参照して説明する。図１は本発の単結晶引上
装置の一実施形態例の要部を示す図、図２は図１のヘッ
ド部の詳細を示す拡大図、図３は本発明に係わるワイヤ
巻取機の駆動機構の平面図である。

【００１５】先ず、図１および図２に示すように、この
単結晶引上装置１は、アルゴンガス（不活性ガス）が低
圧で充填されルツボが収容される気密容器２と、気密容
器２内に垂直に立設され、軸線を中心として所定の角速
度で回転する円柱状のシャフト３と、シャフト３上に固
定された有底円筒状のグラファイト製のサセプタ４と、
サセプタ４に密着して固定された有底円筒状の石英製の
ルツボ５と、ルツボ５の周囲に配設されたヒーター６か
ら概略構成されている。

【００１６】気密容器２は、ルツボ５を収容する有底円
筒状の下部容器２ａと、上端部が同軸的に縮径された円
筒状の中部容器２ｂと、細径円筒状の上部容器２ｃとか
ら構成され、中部容器２ｂには、アルゴンガスが低圧
（または常圧）で供給される不活性ガス供給管７が設け
られている。一方、上部容器２ｃの上端部には、ハウジ
ング回転駆動手段４６により垂直な軸線周りに回転自在
なワイヤ巻取機ハウジング４２が設けられ、このワイヤ
巻取機ハウジング４２内には、前記ルツボ５に貯留され
たシリコン融液（半導体融液）１１よりシリコン単結晶
（半導体単結晶）１１ａを引き上げるワイヤ４３を巻き
取るためのワイヤ巻取機１９が収容されている。

【００１７】ワイヤ巻取機ハウジング４２等の構造につ
いては、その底部５３の中央部には回転中空軸部材５５
が固定され、この回転中空軸部材５５の上方に臨む位置
の近傍には、ワイヤ４３が巻回されるワイヤ巻取ドラム
４０が配設されている。そして、ワイヤ４３は、ワイヤ
巻取ドラム４０の前段に設けられたドラム４１を介して
ワイヤ巻取ドラム４０に巻回される。なお、ワイヤ巻取
機ハウジング４２を回転駆動させるための機構およびワ
イヤ巻取ドラム４０を回転駆動させるための機構（本発
明の特徴部）については、後述する。

【００１８】ワイヤ巻取機ハウジング４２を支持するた
めの上軸支持機構の構造については、気密容器２の小径
中空部材６０の上端部に一体的に備えられた第１のフラ
ンジ部材５９と、この第１のフランジ部材５９にボルト
等により固定された第２のフランジ部材５７ａを下端部
に備えた固定リング部材５７と、前記固定リング部材に
回転自在に搭載された、かつ上端部にワイヤ巻取機ハウ
ジング４２の底部５３が一体的に連結された回転中空軸
部材５５とから概略構成されている。

【００１９】符号４６は、ワイヤ巻取機ハウジング４０
を回転駆動させるためのハウジング回転駆動手段を示し
ている。このハウジング回転駆動手段４６は、ブラケッ
ト５１およびボルトを介して前記第１のフランジ部材５
９に固定されたモータ４７と、このモータ４７の回転軸
（出力軸）４８に同軸に固定されたプーリ４９と、前記
回転中空軸部材５５の外周面に同軸に固定されたプーリ
５２と、これら２つのプーリ４９，５２に巻回されたベ
ルト５０とから構成されている。そして、ハウジング回
転駆動手段４６のモータ４７により、回転中空軸部材５
５を回転させることにより、ワイヤ巻取機ハウジング４
２全体を回転させ（図２中、矢印Ｘ参照）、これによ
り、吊下げられているワイヤ４３をその軸線回りに回転
させることができる。

【００２０】次に、図１および図２の他に、図３も参照
して、ワイヤ巻取ドラム４０を回転させるための機構に
ついて説明する。回転中空軸部材５５のほぼ中途部に
は、ベアリング１１ｂを介してプーリ（回転体）１０が
回転自在に支持されている。このプーリ１１には３つの
ベルト嵌合溝（不図示）が周方向に形成されている。符
号１７は、その一端が図示しない機構を介してワイヤ巻
取ドラム４０に連結された回転軸を示しており、この回
転軸１７の他端にはプーリ１６が同軸に固定されてい
る。そして、回転中空軸部材５５に設けられたプーリ
（回転体）１０の上段のベルト嵌合溝と、プーリ１６と
には、エンドレスのベルト１８が掛け渡されている。こ
れにより、プーリ１０が回転すると（図３中、矢印Ｃ方
向参照）、この回転はベルト１８を介してプーリ１６に
伝動され（図３中、矢印Ｄ方向参照）、結果的に、前記
回転軸１７および前記図示しない機構を介してワイヤ巻
取ドラム４０を回転駆動することができる。

【００２１】なお、前記図示しない機構は、例えば、ウ
オーム機構やラック・ピニオン機構等を採用することが
できる。また、上記説明から明らかなように、前記ベル
ト１８、回転軸１７、プーリ１６および前記図示しない
機構等により、プーリ（回転体）１０の回転力をワイヤ
巻取機１９に伝動してワイヤ４３を巻き上げるための巻
取機伝動機構が構成されている。

【００２２】第１の巻取機回転駆動手段２０ａは、ワイ
ヤ巻取機ハウジング４２上とは別な場所（例えば、単結
晶引上装置のフレーム）に固定された第１の巻取りモー
タ８と、この第１の巻取りモータ８の回転軸（出力軸）
８ａに同軸に固定されたプーリ１２と、前記回転中空軸
部材５５に設けられたプーリ１０の中段のベルト嵌合溝
と前記プーリ１２とに掛け渡されたエンドレスのベルト
１３とから構成されている。なお、プーリ１２およびベ
ルト１３により、第１の巻取りモータ８の回転力をプー
リ（回転体）１０に伝動するための伝動機構が構成され
ている。第２の巻取機回転駆動手段２０ｂは、ワイヤ巻
取機ハウジング４２上とは別な場所（例えば、単結晶引
上装置のフレーム）に固定された第２の巻取りモータ９
と、この第２の巻取りモータ９の回転軸（出力軸）９ａ
に同軸に固定されたプーリ１４と、前記回転中空軸部材
５５に設けられたプーリ１０の下段のベルト嵌合溝とプ
ーリ１４とに掛け渡されたエンドレスのベルト１５とか
ら構成されている。これら２つの巻取りモータ８，９
は、回転中空軸部材５５を中心に対称的に設けられてい
る。なお、プーリ１４およびベルト１５により、第２の
巻取りモータ９の回転力をプーリ（回転体）１０に伝動
するための伝動機構が構成されている。なお、第１およ
び第２の巻取りモータ８，９を気密容器２に固定しても
よく、要は、第１および第２の巻取りモータ８，９は、
該第１および第２の巻取りモータ８，９に電流を供給す
るのにスリップリングを用いる必要のないように、不動
体に固定すればよい。

【００２３】上記構成により、第１の巻取りモータ８お
よび第２の巻取りモータ９を同期して同方向（矢印Ａ，
矢印Ｂ方向参照）に駆動することにより、それぞれの回
転力はベルト１３，１５をそれぞれ介してプーリ（回転
体）１０を回転させることができる（図３中、矢印Ｃ方
向参照）。なお、第２の巻取機回転駆動手段２０ｂは必
ずしも、必要ではない。第２の巻取機回転駆動手段２０
ｂを設けた理由は、双方のベルト１３，１５によりプー
リ１０および回転中空軸部材５５を反対方向へ等しい力
で引っ張り、回転中空軸部材５５およびワイヤ巻取機ハ
ウジング４２の振れを発生させないためである。

【００２４】次に、上記のとおりに構成された単結晶引
上装置１を用いてシリコン単結晶体を成長させる際の動
作について説明する。先ず、ルツボ５内にシリコン原料
を所定量投入し、不活性ガス供給管７によりアルゴンガ
スを低圧（または常圧）で供給しつつ該シリコン原料を
ヒーター６により加熱溶融しシリコン融液１１とする。
次に、シリコン融液１１の液面２１の中央付近を所定の
シリコン単結晶成長温度に保ち、第１および第２の巻取
りモータ８，９を起動して（図３中、反矢印Ａ方向、反
矢印Ｂ方向参照）、ワイヤ巻取機１９を稼動させてワイ
ヤ４３を下降させ、該ワイヤ４３に吊下げられたシリコ
ン種結晶２２をシリコン融液１１になじませる。

【００２５】この後、第１および第２の巻取りモータ
８，９を起動するとともに（図３中、矢印Ａ方向、矢印
Ｂ方向参照）、これと同期してワイヤ巻取機ハウジング
４２回転駆動用のモータ４７を起動して、前記シリコン
単結晶２２を垂直方向の軸線を中心として所定の角速度
で回転させながら所定の速度で垂直上方に引き上げ、シ
リコン単結晶を成長させる。充分無転位の結晶になった
後に、この単結晶の径を徐々に大径化し所定の径のシリ
コン単結晶１１ａとする。なお、ワイヤ巻取機ハウジン
グ４２回転駆動用のモータ４７によりワイヤ巻取機ハウ
ジング４２を回転させると、プーリ１６は前記中空外軸
部材５５の回りに図３中反時計回り方向に回転し（遊星
運動、その軌跡は図３中の一点鎖線）、これに引きずら
れて、プーリ１０が矢印Ｃ方向に回転しようとするが、
これを考慮して、第１の巻取りモータ８および第２の巻
取りモータ９の回転数を制御する。

【００２６】以上説明した本実施形態例では、ワイヤ巻
取機１９を駆動させるための巻取りモータ８，９を、回
転するワイヤ巻取機ハウジング４２上に搭載せずに、単
結晶引上装置のフレームに固定して設けたので、従来の
スリップリングが不要になり、巻取りモータ８，９制御
におけるノイズ問題が起こらず、巻取りモータ８，９の
制御が容易になる。また、スリップリングを用いないの
で、金属粉が発生せず、高品質な半導体結晶を製造でき
る。さらに、ワイヤ巻取機ハウジング４２を支持する回
転中空軸部材５５は、該回転中空軸部材５５に対して対
称的に設けた第１および第２の巻取りモータ８，９によ
り回転される構成なので、回転中空軸部材５５およびワ
イヤ巻取機ハウジング４２の振れが発生せず、結果的
に、ワイヤ４３の触れを防止できて、高品質の単結晶を
得ることができる。

【００２７】

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりに構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。請
求項１に記載の発明は、ワイヤ巻取機を駆動させるため
の第１の巻取りモータを、回転するワイヤ巻取機ハウジ
ング上に搭載せずに、例えば単結晶引上装置のフレーム
に固定して設けたので、従来のスリップリングが不要に
なり、第１の巻取りモータ制御におけるノイズ問題が起
こらず、第１の巻取りモータの制御が容易になる。ま
た、スリップリングを用いないので、金属粉が発生せ
ず、高品質な半導体結晶を製造できる。請求項２に記載
の発明は、上記効果の他、ワイヤ巻取機ハウジングを支
持する回転中空軸部材は、該回転中空軸部材に対して対
称的に設けた第１および第２の巻取りモータにより回転
される構成なので、回転中空軸部材およびワイヤ巻取機
ハウジングの振れが発生せず、結果的に、ワイヤの触れ
を防止できて、高品質の単結晶を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の単結晶引上装置の一実施形態例の要部
を示す図である。

【図２】図１のヘッド部の詳細を示す拡大図である。

【図３】本発明に係わるワイヤ巻取機の駆動機構の平面
図である。

【図４】従来の単結晶引上装置のヘッド部の概略図であ
る。

【符号の説明】

１ 単結晶引上装置 ２ 気密容器 ２ａ 下部容器 ２ｂ 中部容器 ２ｃ 上部容器 ３ シャフト ４ サセプタ ５ ルツボ ６ ヒーター ７ 不活性ガス供給管 ８ 第１の巻取りモータ ８ａ 出力軸（回転軸） ９ 第２の巻取りモータ ９ａ 出力軸（回転軸） １０ プーリ（回転体） １１ シリコン融液（半導体融液） １１ａ シリコン単結晶 １１ｂ ベアリング １２ プーリ １３ ベルト １４ プーリ １５ ベルト １６ プーリ １７ 回転軸 １８ ベルト １９ ワイヤ巻取機構 ２０ａ 第１の巻取機回転駆動手段 ２０ｂ 第２の巻取機回転駆動手段 ２１ 液面 ２２ シリコン種結晶 ４０ ワイヤ巻取ドラム ４１ ドラム ４２ ワイヤ巻取機ハウジング ４３ ワイヤ ４６ ハウジング回転駆動手段 ４７ モータ ４８ 回転軸（出力軸） ４９ プーリ ５０ ベルト ５１ ブラケット ５２ プーリ ５３ 底部 ５５ 回転中空軸部材 ５７ 固定リング部材 ５７ａ 第２のフランジ部材 ５９ 第１のフランジ部材 ６０ 小径中空部材 ６２ スリップリング

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体融体を貯留するルツボを収容する
   気密容器と、前記ルツボに貯留された半導体融液より半
   導体単結晶を引き上げるワイヤと、前記ワイヤを巻き上
   げるためのワイヤ巻取機を収容するワイヤ巻取機ハウジ
   ングと、前記ワイヤ巻取機ハウジングを前記気密容器の
   上端部に対して回転自在に支持するための上軸支持機構
   とを備え、前記上軸支持機構は、前記気密容器の上端部
   に固定された固定リング部材と前記固定リング部材に回
   転自在に支持されかつ上端部に前記ワイヤ巻取機ハウジ
   ングが連結された回転中空軸部材とから構成された単結
   晶引上装置において、 前記回転中空軸部材を介して前記ワイヤ巻取機ハウジン
   グを回転させるためのハウジング回転駆動手段と、 前記回転中空軸部材にベアリングを介して回転自在に設
   けられた回転体と、 前記ワイヤ巻取機ハウジング上とは別な場所に固定され
   た第１の巻取りモータと前記第１の巻取りモータの回転
   力を前記回転体に伝動するための伝動機構からなる第１
   の巻取機回転駆動手段と、 前記回転体の回転力を前記ワイヤ巻取機に伝動して前記
   ワイヤを巻き上げるための巻取機伝動機構と、を備えて
   いることを特徴とする単結晶引上装置。
2. 【請求項２】 前記回転中空軸部材を中心に前記第１の
   巻取りモータとは対称的に設けられた第２の巻取りモー
   タと、前記第２の巻取りモータの回転力を前記回転体に
   伝動するための伝動機構からなる第２の巻取機回転駆動
   手段を備えている請求項１に記載の単結晶引上装置。