JP2004352520A - 単結晶成長装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転駆動される上部ハウジング1に設置された巻取ドラム2によってワイヤ3を巻き上げることにより、ワイヤ3とともに融液から単結晶Sを引き上げながら成長させるものであり、上部ハウジング1の回動中心Cを挟んで巻取ドラム2とは反対側の位置にカウンターウエイト4を設け、巻取ドラム2からのワイヤ3の吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく巻取ドラム2が軸方向に移動するのに伴って、回転中心Cを挟んで巻取ドラム2の移動方向とは反対方向にカウンターウエイト4を移動駆動する駆動手段7を設けた構成になっている。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、チョクラルスキー法を用いて坩堝内に収納された融液から単結晶を引き上げながら成長させる単結晶成長装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種の単結晶成長装置としては、回転駆動される上部ハウジングに設置された巻取ドラムによってワイヤを巻き上げることにより、坩堝内で溶融された半導体(例えばシリコン)の融液から単結晶を引き上げながら成長させる装置が知られている(例えば、特許文献1)。
【0003】
巻取ドラムは、ワイヤの吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく、軸方向に移動駆動されるように構成されている。また、ワイヤは、単結晶の成長時には上部ハウジングとともに所定の方向に回転するのに対して、上記坩堝は、ワイヤとは逆の方向に回転駆動されるようになっている。
【0004】
【特許文献1】
特開2002−47091号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記従来の単結晶成長装置においては、ワイヤの巻き取りに伴って、巻取ドラムの位置が随時変化するので、上部ハウジングの回転中心回りの静的および動的な荷重のバランスも随時変化することになる。このため、例えば単結晶の引き上げ開始時に、上部ハウジングの回転中心回りの静的および動的バランスをとるべく巻取ドラムの位置を設定した場合には、引き上げが進行するにしたがって、静的および動的バランスがくずれ、上部ハウジングの回動中心位置を半径方向(遠心方向)に変位させる方向の起振力が生じる。また、単結晶の引き上げの終了時に、静的および動的バランスをとるべく設定した場合には、単結晶の引き上げの初期に上記起振力が生じることになる。
【0006】
上記起振力が作用した場合には、上部ハウジングの回転中心位置が半径方向に変位することになるが、その変位量は、上部ハウジングが回転中心回りに回転すべく支持されていることから微小であり、この変位量によって上記ワイヤが振れる量も微小である。
ただし、ワイヤの振れは、成長中の単結晶に欠陥を生じさせる要因となることから、微小であっても極力消滅させることが好ましい。
【0007】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、上部ハウジングの回転中心回りの荷重の釣り合いを向上させることにより、単結晶成長時のワイヤの振れの低減を図ることのできる単結晶成長装置を提供することを課題としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項1に記載の発明は、回転駆動される上部ハウジングに設置された巻取ドラムによってワイヤを巻き上げることにより、当該ワイヤとともに融液から単結晶を引き上げながら成長させる単結晶成長装置であって、上記上部ハウジングの回動中心を挟んで上記巻取ドラムとは反対側の位置にカウンターウエイトを設け、上記巻取ドラムからの上記ワイヤの吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく上記巻取ドラムが軸方向に移動するのに伴って、上記回転中心を挟んで上記巻取ドラムの移動方向とは反対方向に上記カウンターウエイトを移動駆動する駆動手段を設けたことを特徴としている。
【0009】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、上記駆動手段は、上記巻取ドラムの移動に伴って、上記回転中心回りの荷重を釣り合わせるべく上記カウンターウエイトを移動駆動するように構成されていることを特徴としている。
【0010】
請求項1および2に記載の発明においては、上部ハウジングの回動中心を挟んで巻取ドラムとは反対側の位置にカウンターウエイトを設け、巻取ドラムからのワイヤの吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく巻取ドラムが軸方向に移動するのに伴って、上部ハウジングの回転中心を挟んで巻取ドラムの移動方向とは反対方向にカウンターウエイトを移動する駆動手段を設けているので、単結晶の引き上げに伴って巻取ドラムが軸方向に移動しても、上部ハウジングの回転中心回りの荷重のバランスを高水準に維持することができる。
【0011】
したがって、上部ハウジングの回転中心位置を半径方向に変位させる方向の起振力が微小になるので、上部ハウジングの回転中心位置の変位量を低減することができ、単結晶の引き上げ時におけるワイヤの振れを低減することができる。よって、高品質の単結晶を得ることができる。
【0012】
また、請求項2に記載の発明においては、駆動手段を、巻取ドラムの移動に伴って、上部ハウジングの回転中心回りの荷重を釣り合わせるべくカウンターウエイトを移動駆動するように構成しているので、上部ハウジングの回転中心回りの荷重のバランスをより高水準に維持することができる。したがって、単結晶の引き上げ時におけるワイヤの振れをより確実に低減することができ、極めて高品質の単結晶を得ることができる。
【発明の実施の形態】
以下、この発明の一実施の形態について図1〜図4を参照して説明する。
【0013】
この実施の形態で示す単結晶成長装置は、図1および図2に示すように、回転駆動される上部ハウジング1に設置された巻取ドラム2によってワイヤ3を巻き上げることにより、当該ワイヤ3とともに融液(図示せず)から単結晶Sを引き上げながら成長させるものであり、上部ハウジング1の回動中心Cを挟んで巻取ドラム2とは反対側の位置にカウンターウエイト4を設け、巻取ドラム2からのワイヤ3の吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく巻取ドラム2が軸方向に移動するのに伴って、回転中心Cを挟んで巻取ドラム2の移動方向とは反対方向にカウンターウエイト4を移動駆動する駆動手段7を設けた構成になっている。また、駆動手段7は、巻取ドラム2の移動に伴って、回転中心C回りの荷重を釣り合わせるべくカウンターウエイト4を移動駆動するように構成されている。
【0014】
また、図1において、5は、円筒状の外周面を有するプルチャンバー5であり、このプルチャンバー5の下方には図示しない坩堝が設けられているとともに、この坩堝内にはヒータ(図示せず)によって溶融された例えばシリコンの融液が収容されている。坩堝は、図示しない駆動機構によってワイヤ3と同軸状に支持されているとともに、当該ワイヤ3とは逆方向に回転駆動されるようになっている。
【0015】
上部ハウジング1は、プルチャンバー5の垂直方向の上端部に位置し、この位置において、回転中心Cの回りに回転自在に支持されている。このハウジング1は、底板部11、天板部12および側壁部13によって密閉された容器状に構成されている。また、底板部11および天板部12は円板状に形成されており、側壁部13は円筒状に形成されている。
【0016】
底板部11には、その中心に回転中心Cと同軸状に形成されたワイヤ3の挿通孔11aが形成されている。また、底板部11の下面には、プルチャンバー5の上端部と回転自在にかつ気密に連結される継手部11bが設けられており、この継手部11bには、外周部にタイミングベルト14が巻回されるプーリ1cが設けられている。タイミングベルト14は、さらに図示しない上部回転モータのプーリに巻回されており、この上部回転モータの回転を継手部11bに伝えて、上部ハウジング1を回転中心C回りに回転駆動するようになっている。
【0017】
底板部11の上側には、巻取ドラム2が第1スプライン軸21に沿って軸方向に移動自在に配置されているとともに、カウンターウエイト4が第2スプライン軸41に沿って軸方向に移動自在に配置されている。
【0018】
巻取ドラム2は、円筒外周面の軸方向の両端部に鍔部を備えたもので構成されており、円筒外周面にはワイヤ3を案内する断面半円状の溝2aが螺旋状に形成されている。
カウンターウエイト4は、重さおよび軸方向の長さが巻取ドラム2とほぼ等しく円柱状のもので構成されており、外周面には巻取ドラム2の溝2aと同ピッチの雄ねじ4aが形成されている。
【0019】
第1スプライン軸21は、巻取ドラム2の軸心部に嵌合することによって、巻取ドラム2と一体的に回転するとともに、当該巻取ドラム2を軸方向に移動自在に支持するようになっている。同様に、第2スプライン軸41は、カウンターウエイト4の軸心部に嵌合することによって、カウンターウエイト4と一体的に回転するとともに、当該カウンターウエイト4を軸方向に移動自在に支持するようになっている。
【0020】
また、第1スプライン軸21は、両端部が一対のドラム支持部材22、22によって回転自在に支持されおり、第2スプライン軸41は、両端部が一対のウエイト支持部材42、42によって回転自在に支持されている。
【0021】
ドラム支持部材22、22は、巻取ドラム2から吊り下げられたワイヤ3が回転中心Cに一致した状態となるように底板部11上に立設されている。また、ウエイト支持部材42、42は、第2スプライン軸41を第1スプライン軸21に平行に位置させるべく、底板部11上に立設されている。さらに、ウエイト支持部材42、42は、第2スプライン軸41が回転中心Cを挟んで第1スプライン軸21とほぼ対称となる位置に設置されている。また、ウエイト支持部材42、42自体も、回転中心Cを挟んでドラム支持部材22、22とほぼ対称となる位置に設けられている。
【0022】
また、底板部11上には、巻取ドラム2の溝2aに係合する複数の突条を有する第1ナット部材23が設置されているとともに、カウンターウエイト4の雄ねじ4aに係合する雌ねじ部を有する第2ナット部材43が設置されている。これらの第1および第2ナット部材23、43も、回転中心Cの回りにほぼ対称となる位置に設置されている。
【0023】
さらに、第1スプライン軸21は、その一端部に傘歯車25が設けられている。また、第1スプライン軸21および第2スプライン軸41の他端部のそれぞれには、互いに噛み合って回転を伝達する平歯車24、44が設けられている。
【0024】
天板部12上には、ドラム回転モータ6が設けられている。このドラム回転モータ6は、出力軸6aが天板部12から下方に突出しており、その出力軸6aの先端部には、傘歯車25と噛み合う傘歯車61が設けられている。すなわち、ドラム回転モータ6の出力軸6aの回転が傘歯車25、61を介して第1スプライン軸21から巻取ドラム2に伝達されるようになっている。
【0025】
ワイヤ3は、基端部が巻取ドラム2の外周面の一方の端部に固定され、当該外周面の溝2aに沿って巻回されるようになっており、先端部には種結晶S0を把持するホルダ31が設けられている。
また、上記駆動手段7は、少なくとも第1スプライン軸21、平歯車24、44、第2スプライン軸41、第2ナット部材43を備え、これによってカウンターウエイト4を軸方向に駆動するようになっている。
【0026】
さらに、巻取ドラム2およびカウンターウエイト4は、それぞれ第1および第2スプライン軸21、41における回転中心Cを挟んでほぼ対称となる位置に設置されことになる。
そして、上部ハウジング1に設置された各部材によって、当該上部ハウジング1の回転中心C回りの静的な荷重が釣り合うようになっている。
【0027】
上記のように構成された単結晶成長装置においては、ドラム回転モータ6によって第1スプライン軸21を回転駆動すると、巻取ドラム2が回転するとともに、平歯車24、44を介して第2スプライン軸41が回転駆動され、カウンターウエイト4が回転する。
【0028】
例えば、ワイヤ3を巻き解く方向に第1スプライン軸21を回転すると、巻取ドラム2は、その溝2aが第1ナット部材23に係合していることから、図2中の矢印Aとは逆の方向に移動する。この際、巻取ドラム2が移動するピッチと、ワイヤ3が巻き解されるピッチとが等しいため、巻取ドラム2から吊り下げられたワイヤ3は常に回転中心Cに維持されることになる。また、カウンターウエイト4は、雄ねじ4aが第2ナット部材43に係合していることから、図2中の矢印Bとは逆の方向であって、巻取ドラム2の移動方向と反対の方向に移動する。この場合のカウンターウエイト4は、溝2aのピッチと雄ねじ4aのピッチとが等しいことから、巻取ドラム2と同じ速さで移動するとともに、回転中心Cを挟んで巻取ドラム2とほぼ対称の位置となるように移動する。すなわち、カウンターウエイト4は、回転中心C回りの荷重を釣り合わせるべく移動することになる。
【0029】
一方、単結晶Sを成長させる場合には、上部ハウジング1を回転中心C回りに回転駆動しながら、ワイヤ3を巻き上げるべく第1スプライン軸21を回転駆動する。この際には、巻取ドラム2が矢印A方向に移動するとともに、カウンターウエイト4が矢印B方向に移動する。すなわち、カウンターウエイト4は、回転中心C回りの荷重を釣り合わせるべく移動することになる。
【0030】
このため、単結晶Sの引き上げに伴って巻取ドラム2が軸方向に移動しても、上部ハウジング1の回転中心C回りの静的および動的な荷重の釣り合いを高水準に維持することができる。
【0031】
なお、回転中心C回りの静的な荷重の釣り合いがとれておらず偏心荷重がある場合には、上部ハウジング1が回転すると、その偏心荷重に起因して、半径方向に起振力が発生する。すなわち、動的な荷重の釣り合いもとれなくなる。また、ワイヤ3の引き上げ率(引き上げ速度)(単位:m/min)を増加する場合には、これに比例して上部ハウジング1の回転速度も増加することになることから、従来のカウンターウエイト4を用いていない場合には、上記起振力が図3の記号Cで示すように、引き上げ率に比例して増大することになる。これに対して、本実施の形態においては、カウンターウエイト4を備え、回転中心C回りの静的な荷重の釣り合いがほぼとれていることから、引き上げ率を増加した場合(すなわち、上部ハウジング1の回転速度を増加した場合)でも、図3の記号Dで示すように、起振力が増加するのを防止することができる。
【0032】
なお、図3の記号Cで示すように、比較的大きな起振力が発生した場合でも、上部ハウジング1が回転中心C回りに回転すべく支持されているので、上記起振力によって上部ハウジング1の回転中心Cの位置が変位する量は微小である。ただし、上部ハウジング1の回転中心Cの位置が変位すれば、ワイヤ3は、図4の(a)に示すような振り子状の振れや、(b)に示す弦振動状の振れを生じることになる。なお、図4において、ワイヤ3の振れを大きく記載しているが、実際には図3の記号Cにおける最大の起振力が作用した場合でも目視で確認できない程度の振幅である。
【0033】
しかし、本実施の形態においては、上記起振力を従来例に比べて極めて低く維持することができるので、上部ハウジング1の回転中心Cの位置が変位するのをほぼ防止することができる。したがって、単結晶Sの引き上げ時にワイヤ3が振れるのをほぼ防止することができるので、欠陥のない極めて高品質の単結晶Sを得ることができる。
【0034】
なお、上記実施の形態においては、少なくとも第1スプライン軸21、平歯車24、44、第2スプライン軸41、第2ナット部材43を備えたいわゆるねじ式のものによって駆動手段7を構成したが、例えばリンク機構によって、回転中心Cを挟んで巻取ドラムの移動方向とは反対方向にカウンターウエイトを移動駆動して、上部ハウジングにおける回転中心回りの荷重を釣り合わせるわゆるリンク式のもので構成してもよい。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項1および2に記載の発明によれば、上部ハウジングの回転中心位置を半径方向に変位させる方向の起振力が微小になるので、上部ハウジングの回転中心位置の変位量を低減することができ、単結晶の引き上げ時におけるワイヤの振れを低減することができる。よって、高品質の単結晶を得ることができる。
【0036】
また、請求項2に記載の発明によれば、駆動手段を、巻取ドラムの移動に伴って、上部ハウジングの回転中心回りの荷重を釣り合わせるべくカウンターウエイトを移動駆動するように構成しているので、上部ハウジングの回転中心回りの荷重のバランスをより高水準に維持することができる。したがって、単結晶の引き上げ時におけるワイヤの振れをより確実に低減することができ、極めて高品質の単結晶を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施の形態として示した単結晶成長装置の説明図である。
【図2】同単結晶成長装置の上部ハウジング内の平面説明図である。
【図3】同単結晶成長装置における引き上げ率と起振力との関係を示す説明図である。
【図4】同単結晶成長装置の説明内で示した従来の場合における上部ハウジングの変位の増大によって生じるワイヤの振れを示す説明図である。
【符号の説明】
1 上部ハウジング
2 巻取ドラム
3 ワイヤ
4 カウンターウエイト
7 駆動手段
C 回動中心
S 単結晶
Claims (2)
- 回転駆動される上部ハウジングに設置された巻取ドラムによってワイヤを巻き上げることにより、当該ワイヤとともに融液から単結晶を引き上げながら成長させる単結晶成長装置であって、
上記上部ハウジングの回動中心を挟んで上記巻取ドラムとは反対側の位置にカウンターウエイトを設け、
上記巻取ドラムからの上記ワイヤの吊り下げ位置を一定の位置に維持すべく上記巻取ドラムが軸方向に移動するのに伴って、上記回転中心を挟んで上記巻取ドラムの移動方向とは反対方向に上記カウンターウエイトを移動駆動する駆動手段を設けたことを特徴とする単結晶成長装置。 - 上記駆動手段は、上記巻取ドラムの移動に伴って、上記回転中心回りの荷重を釣り合わせるべく上記カウンターウエイトを移動駆動するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の単結晶成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003148941A JP2004352520A (ja) | 2003-05-27 | 2003-05-27 | 単結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2003148941A JP2004352520A (ja) | 2003-05-27 | 2003-05-27 | 単結晶成長装置 |
Publications (1)
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Family
ID=34045177
Family Applications (1)
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JP (1) | JP2004352520A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN100371508C (zh) * | 2005-03-28 | 2008-02-27 | 荀建华 | 一种晶体提升装置 |
KR101758983B1 (ko) | 2015-07-08 | 2017-07-17 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 |
CN107460540A (zh) * | 2017-09-22 | 2017-12-12 | 浙江昀丰新材料科技股份有限公司 | 一种平衡调节型绕线装置 |
KR20210108775A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-03 | 주식회사 영도글로발 | 잉곳 성장용 와이어 인양장치 |
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2003
- 2003-05-27 JP JP2003148941A patent/JP2004352520A/ja active Pending
Cited By (5)
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KR101758983B1 (ko) | 2015-07-08 | 2017-07-17 | 주식회사 엘지실트론 | 잉곳 성장장치 및 그 성장방법 |
CN107460540A (zh) * | 2017-09-22 | 2017-12-12 | 浙江昀丰新材料科技股份有限公司 | 一种平衡调节型绕线装置 |
KR20210108775A (ko) * | 2020-02-26 | 2021-09-03 | 주식회사 영도글로발 | 잉곳 성장용 와이어 인양장치 |
KR102330820B1 (ko) * | 2020-02-26 | 2021-11-24 | 주식회사 영도글로발 | 잉곳 성장용 와이어 인양장치 |
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