JPS59121188A - 半導体結晶引上機の引上装置 - Google Patents

半導体結晶引上機の引上装置

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Publication number
JPS59121188A
JPS59121188A JP22987582A JP22987582A JPS59121188A JP S59121188 A JPS59121188 A JP S59121188A JP 22987582 A JP22987582 A JP 22987582A JP 22987582 A JP22987582 A JP 22987582A JP S59121188 A JPS59121188 A JP S59121188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pulling
shaft
rotary shaft
guide
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22987582A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Takahashi
孝夫 高橋
Shingo Hayashi
信吾 林
Hisataka Sugiyama
杉山 久嵩
Yoshiaki Tada
多田 嘉明
Toshio Oishi
大石 俊夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Machine Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Machine Co Ltd
Priority to JP22987582A priority Critical patent/JPS59121188A/ja
Publication of JPS59121188A publication Critical patent/JPS59121188A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、チョクラルスキー法(CZ法)による半導体
単結晶引上機の引上装置に関するものである。
従来のこの種の引上装置は大別1〜て、(1)先端にシ
ードを取付けたワイヤまたはビードチェーン等(以下ワ
イヤとして説明する)を巻上装置によシ巻上げつつ該巻
上装置をワイヤの垂下部を中心に回転させることにより
該ワ・rヤを回転させて引上けるワイヤ方式、(2)先
端にシードを取付けた軸を回転させつつ上昇させて引上
げる軸方式とがある。
前記(1)のワイヤ方式は、回転が不安定であると共に
、ワイヤの回転数と長さの関係から固有振動数の影響を
受け、引上げ途中で共振を起こし、引上けが不可能にな
る場合がある。1だ前記(21の軸方式は、安定した回
転が得られるが、熱による軸の曲りや同軸の交換が困難
であると共に、引上は長さが長くなるとそれに応じて軸
が長くなシ、引上げ時に該軸が」三方へ突出するため装
置の高さが非常に高くなる欠点があり、さらに、引上チ
ャンづと軸とのシールが昇降と回転の2方向であるため
リークを生じ易く、捷たこのリークを避けるため軸の昇
降回転駆動部の全体を引上チャンバ内に納めると同引上
チ↑ンバは真空になされるだめネジ軸などの駆動部の潤
滑および保守の面で不利になる欠点があった。
本発明は、前記(1) 、 (2)の両方式の欠点を除
失し、装置の高さをより低くできると共に、簡゛凛な駆
動系の組合せによって回転と引上げができ、駆動源を引
上チャンバ外に出してもリークをより確実に防止し得る
と共に、安定した回転と引上げができ固有振動数にも影
響されない引上装置を提供するにある。
以下本発明の一実施例を示す第1図ないし第3図につい
て説明する。引上機本体1は密閉構造になされ、下部は
ルツボ2および図示しない加熱装置などを内蔵した加熱
チャンバ1aを形成し、上部はルツボ2から単結晶イン
ゴット3を引上げるだめの引上チャンバ1bを形成して
いる。
引上チずシバ1b内には、上下に伸びるガイド4゜4が
設けられ、これらのガイド4.4にガイドローラ6を介
して移動台5が昇降自在に係合されている。移動台5に
は、引上ヂャンバib内の上部に設けたプーリ9に途中
を巻掛けて支持されたワイヤ7を介してバランスウェイ
ト8が連結され、ガイドローラ6および後述するように
移動台5に取付けられているベアリング11の移動台側
部品を含む移動台50重量をほぼ零にするようになって
いる。
移動台5には、ベアリング11ヲ介して回転軸1゜が取
付けられている。この回転軸10は、前記ガイド4,4
と平行になされ、その軸心がルツボ2のほぼ中心に位置
するように配置されている。回転軸10の上端にはフレ
キシブルシャフト12aが連結されている。このフレキ
シフ゛ルシ丁フト12aは前記プーリ9と同軸上に設け
たガイドプーリ13ヲ介して、第2図に示すように、バ
ランスウェイト8に回転自在に取付けられた軸14の上
端に連結されている。軸I4の下端には別のフレキシブ
ルシャフト12bが連結され、同フレギシブルシ丁フト
12b(は引上チャンバ1bの壁に回転自在に取付けた
回転駆動軸I5に連結され、カップリング16を介して
引上チャン7<’ll)外(て設けた回転駆動源17に
接続されている。
寸だ、前記バランスウェイト8の下部には、第3図に示
すように、ワイヤ18が接続され、このワイヤ18をバ
ランスウェイトどの下方に設けた巻上ドラムl’?に巻
取るようになっている。巻上ドラム19は巻上駆動軸2
0を介して引上チャンバ1b外に設けた巻上駆動源21
により正・逆回転を与えられるようになっている。
前記回転軸10の下端には軸22が着脱可能に連結され
、該軸22の下端にシー123が取付けられている。
次いで本装置の作用について説明する。ます、下端にシ
ード23を取付けた軸22を回転軸10の下端に連結し
た後、巻上駆動源21を作動させて巻上ドラム19を逆
転させ、ワイヤ18、バランスウェイト6、およびワイ
ヤ7を介して移動台5を下降させ、シート23をルツボ
2内の融液24中に接触させる。
このとき、回転軸10の上端に連結されているフレキシ
ブルシャフト12aは、その他端がバランスウェイトと
に回転自在に取付けられている軸14に連結されている
ため、ガイドプーリ13を介してワイヤ7と同様に移動
し、回転軸10が移動台5と一体的に下降することを許
す。他方の7レキシプルシ丁フト12bは、たわむこと
によってその上端がバランスウェイト8と共に上昇する
ことを許す。
シード23が融液24に接触する前または若干後に回転
駆動源17ヲ作動させ、カップリング16、回転駆動軸
15を介してフレキシブルシ↑フ)12b&回転させる
。フレキシブルシャフト12bの回転は、軸14、フレ
キシブルシャフト12.li介して回転軸10へ伝達さ
れ、軸22ヲ介してシード23を所定の速度で回転させ
る。
前記シード23には融液24が単結晶となって付着し、
次第に成長していく。この単結晶の成長に伴って巻上駆
動源2Iの速度を制御しつつ巻上ドラムI9を回転させ
てワイヤ1とを巻上ければ、この・ツイヤ18の巻上け
に伴ってバランスウェイト8が下降し、ワイヤ7を介し
て移動台5、回転軸10および軸22を介してシード2
3が徐々に上昇し、その下方に単結晶インゴット3が生
成される。
この単結晶インゴット3の引上けは、それを支持してい
るシード23が軸22を介して回転@10に取付けられ
、該回転軸10はガイドレール4にガイドローラ6を介
して案内されている移動台5に支持されているため、振
れを生ずることなく、゛回転数と引上げ高さの関係から
生ずる固有振動の影響もなく、極めて安定した状態で行
なわれる。
また、回転および巻上駆動源I7,21を引上チ↑ンバ
1b外に設けても、回転軸10の回転と引上げのだめの
動力を伝達する回転駆動軸I5および巻上駆動軸20は
単に回転するのみであるだめ、確実なシールが可能であ
る。
前述した実施例は、軸22を介してシード24を回転軸
10に取付けるようにした例を示したが、回転軸10を
下方へ延長させてその下端へ直接取付けてもよく、さら
にシード23から回転軸10までの距離が短かいため軸
22の代りにワイヤなどを用いてもよい。また、巻上げ
用のワイヤ18はバランスウェイト8を介さずに移動台
5に連結してもよく、さらに捷だ該ワイヤ18は回転軸
10の上端に回転自在に取付けた図示しない継手に連結
してもよい等、種々変更可能である。
以上述べたように本発明によれば、単結晶インゴットの
引上げにワイヤを採用しているため装置の高さを低く押
さえることができ、しかもシードおよび単結晶インゴッ
トはガイドにて案内されている#動台に係合して振れを
防]にされた回転軸により比較的短かい距離を置いて支
持されるため極めて安定した支持ができ、回転数を高め
ても固有振動の影響を受けることはない。また、回転お
よび巻」二駆動系は共に回転のみを行なう回転および巻
上駆動軸にて動力伝達が行なわれるため、シールや潤滑
がより簡単で確実にできる等の効果75玉得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す断面図、第2図は第1
図の11− m線による断面図1、第3図は第1図のm
 −m線による断面図である。 1  引上機本体、1a・−加熱チ丁ンノ(,1b  
     引上  チ 丁 ン )く 、     2
     ・  ル ン ボ 、3−・単結晶インコ°
ノド、  4・・ −力゛イド、5−・移動台、  6
  ガイドローラ、7、 +g・・−・・ワイヤ、 8
 ・・・ノくランスウェイト、9− ・プーリ、 10
・−・回転軸、 11・・−・ベア1)ング  12a
 、  12b・・・−7レキシブルシ丁フト、13・
−・−・ガイドプーリ、14・・・・・軸、I5・−・
回転駆動軸、 17・・・・・・回転駆動源、 I9・
・・−・・巻上ドラム、20・・・・・巻上駆動軸、2
1・・−・巻上駆動源、22・・・−・軸、23・−・
・シード、24・・・・・融液。 出願人  東芝機械株式会社 才1区 才2図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ] 半導体結晶引上機において、引」二方向に対して平
    行に設けられたガイドと、同ガイドに移動可能((係合
    された移動台と、同移動台の重量を排除するために上方
    に設けられたプーリに巻掛けられたローブ等を介して移
    動台に連結されたバランスウェイトと、引上方向に対し
    平行に配置して前記移動台に回転自在に取付けられた回
    転軸と、同回転軸の上端にフレキシブルシ丁フトを介し
    て接続された回転駆動手段と、ローブ等を介して前記回
    転軸に回転Φ→可能 、     ゛、:音呼に連結さ
    れた巻上ドラムとからなシ、前記回転軸の下端に 令す十4シードを取付けるようにした半導体結晶引上機
    の引上装置。 2 回転駆動手段および巻上ドラムの駆゛動源が、引上
    機のチャンバ外に設けられ、フレキシブルシ丁フトと巻
    上ドラムに回転のみ可能な駆動軸を介して連結されてい
    る特許請求の範囲第1項記載の引上装置。 3 巻上ドラムがバランスウェイトを介して移動台に連
    結されている特許請求の範囲第1または2項記載の引上
    装置。 4 フレキシブルシャフトが、速中まで移動台とバラン
    スウェイトを連結するローブと平行に設けられ、バラン
    スウェイトに回転自在に取付けられた軸を介して回転駆
    動源に連結されている特許請求の範囲第1.24たけ3
    項記載の引」二装置。
JP22987582A 1982-12-28 1982-12-28 半導体結晶引上機の引上装置 Pending JPS59121188A (ja)

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JP22987582A JPS59121188A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体結晶引上機の引上装置

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22987582A JPS59121188A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体結晶引上機の引上装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59121188A true JPS59121188A (ja) 1984-07-13

Family

ID=16899068

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22987582A Pending JPS59121188A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 半導体結晶引上機の引上装置

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JP (1) JPS59121188A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113684531A (zh) * 2021-08-25 2021-11-23 连城凯克斯科技有限公司 一种籽晶提升自平衡升装置

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