JPH09241419A - Solventless composition and multilayered wiring board and production thereof - Google Patents
Solventless composition and multilayered wiring board and production thereofInfo
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- JPH09241419A JPH09241419A JP4920996A JP4920996A JPH09241419A JP H09241419 A JPH09241419 A JP H09241419A JP 4920996 A JP4920996 A JP 4920996A JP 4920996 A JP4920996 A JP 4920996A JP H09241419 A JPH09241419 A JP H09241419A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板の製
造に係り、特に、大型計算機、ワークステーション、パ
ーソナルコンピュータ、マルチメディアコンピュータ等
のコンピュータ、通信用ATM(非同期転送モード)交
換機等に用いられる高密度な多層配線基板やマルチチッ
プモジュール基板およびそれらの基板の製造に用いられ
る樹脂組成物である無溶剤組成物と、それらの製造方法
とに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to manufacturing of a multi-layer wiring board, and more particularly to a computer such as a large computer, a workstation, a personal computer, a multimedia computer, an ATM (asynchronous transfer mode) switch for communication, etc. The present invention relates to a high-density multilayer wiring board, a multi-chip module board, a solvent-free composition which is a resin composition used for manufacturing these boards, and a method for manufacturing them.
【0002】[0002]
【従来の技術】ベース基板としてセラミック配線基板を
用いた、従来の多層配線基板の製造方法例を、図5の工
程図を用いて説明する。2. Description of the Related Art An example of a conventional method of manufacturing a multilayer wiring board using a ceramic wiring board as a base board will be described with reference to the process chart of FIG.
【0003】図5(a)に示すように、まず、基板50
0の上面全面にわたって、めっきの電極となりうる下地
金属層501を形成し、その上面に図5(b)に示すよ
うに、所望の導体パターンの形状に穴開け加工されたレ
ジスト502を形成する。しかる後、露出した溝部分5
03の下地金属層501を電極として電気めっきを行な
い、図5(c)に示すように、レジスト502の溝部分
503を選択的に導体充填して、配線、ビア、グラン
ド、電源等の導体504を形成する。ついで、図5
(d)に示すように、レジスト502を除去して導体5
04を露出させた後、図5(e)に示すように、導体5
04に対接する部分以外の下地金属層501を除去す
る。つぎに、図5(f)に示すように、基板501の上
面全面に導体504を包むようにポリマーの絶縁層50
5を形成した後、図5(g)に示すように、研磨等によ
り、導体504の上面を露出させるとともに、絶縁層5
05の表面を平面研磨する。上記の工程を逐次複数回繰
り返して多層配線基板を製造する。As shown in FIG. 5A, first, the substrate 50
A base metal layer 501, which can serve as an electrode for plating, is formed on the entire upper surface of 0, and a resist 502 which is punched into a desired conductor pattern shape is formed on the upper surface of the base metal layer 501, as shown in FIG. 5B. After that, the exposed groove part 5
No. 03 base metal layer 501 is used as an electrode for electroplating, and as shown in FIG. 5C, the groove portion 503 of the resist 502 is selectively filled with a conductor to form a conductor 504 such as a wiring, a via, a ground, and a power supply. To form. Then, FIG.
As shown in (d), the resist 502 is removed and the conductor 5 is removed.
After exposing 04, as shown in FIG.
The base metal layer 501 other than the portion facing 04 is removed. Next, as shown in FIG. 5F, the polymer insulating layer 50 is formed so as to wrap the conductor 504 on the entire upper surface of the substrate 501.
5G, the upper surface of the conductor 504 is exposed by polishing or the like and the insulating layer 5 is formed as shown in FIG.
The surface of 05 is surface-polished. The above steps are sequentially repeated a plurality of times to manufacture a multilayer wiring board.
【0004】なお、上述の方法により導体パターンを形
成する技術としては、特開昭57−50489号公報、
特開昭57−50490号公報、特開昭57−5049
1号公報等に記載があり、また、絶縁層を形成する技術
としては、特開昭50−64767号公報等に記載があ
る。A technique for forming a conductor pattern by the above method is disclosed in JP-A-57-50489.
JP-A-57-50490, JP-A-57-5049
No. 1 and the like, and a technique for forming an insulating layer is described in JP-A No. 50-64767.
【0005】また、多層配線基板の別の製造方法も知ら
れている。つぎに、別の製造方法例を図6の工程図を用
いて説明する。Another method of manufacturing a multilayer wiring board is also known. Next, another manufacturing method will be described with reference to the process chart of FIG.
【0006】この方法では、まず、図6(a)、(b)
に示すように、基板600上に第1導電層601とコン
タクトポストとしての第2導電層602を形成して、こ
れらの表面に図6(c)に示すエポキシ樹脂あるいは半
硬化状態のポリイミド603を被着する。ついで、図6
(d)に示すように、これらの樹脂層を押圧しながら硬
化させてコンタクトポスト602の表面604が露出し
た平坦な絶縁層605を形成する。つぎに図6(e)に
示すように、この絶縁層605上に露出したコンタクト
ポスト602表面604と接続した第3の導電層606
を形成して多層配線基板を形成する。このような多層配
線基板の製造方法は、特公平4−38157号公報、特
公平4−38158号公報、特公平6−57455号公
報に記載がある。In this method, first, FIGS. 6 (a) and 6 (b) are used.
As shown in FIG. 6, a first conductive layer 601 and a second conductive layer 602 as a contact post are formed on a substrate 600, and an epoxy resin or a semi-cured polyimide 603 shown in FIG. 6C is formed on the surface thereof. Put on. Then, FIG.
As shown in (d), these resin layers are pressed and cured to form a flat insulating layer 605 in which the surface 604 of the contact post 602 is exposed. Next, as shown in FIG. 6E, the third conductive layer 606 connected to the surface 604 of the contact post 602 exposed on the insulating layer 605.
To form a multilayer wiring board. The method of manufacturing such a multilayer wiring board is described in Japanese Patent Publication No. 4-38157, Japanese Patent Publication No. 4-38158, and Japanese Patent Publication No. 6-57455.
【0007】ここで、配線層を形成するために必要な下
地導電膜を形成する方法としては、特開昭57−504
89号公報、特開昭57−50490号公報、特開昭5
7−50491号公報等に一般的に記載されているよう
に、スパッタリング法や蒸着法等のドライ成膜法が用い
られる。Here, as a method of forming the underlying conductive film necessary for forming the wiring layer, Japanese Patent Laid-Open No. 57-504 is known.
89, JP-A-57-50490, JP-A-5
As generally described in JP-A-7-50491, a dry film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method is used.
【0008】また、上述の2つの従来技術よりも一般に
ビア径は大きいが、工程が簡単な、感光性ポリイミド等
の感光性絶縁材料を用いた多層配線基板の製造方法も知
られている。その例としては、例えば、特公昭62−4
3544号公報に記載された技術等が挙げられる。There is also known a method of manufacturing a multilayer wiring board using a photosensitive insulating material such as photosensitive polyimide, which has a larger via diameter than the above-mentioned two conventional techniques but has a simple process. As an example, for example, Japanese Patent Publication No. 62-4
For example, the technique described in Japanese Patent No. 3544 is cited.
【0009】一方、ベース基板としてプリント配線基板
を用いた多層配線基板の例としては、図7に示すような
ものが知られている。図7に示した多層配線基板は、上
述の感光性ポリイミドを用いた多層配線基板の製造方法
と同様の考え方に基づいて製造される。On the other hand, as an example of a multi-layer wiring board using a printed wiring board as a base substrate, one shown in FIG. 7 is known. The multilayer wiring board shown in FIG. 7 is manufactured based on the same concept as the method for manufacturing a multilayer wiring board using the photosensitive polyimide described above.
【0010】すなわち、この多層配線基板は、基本的に
は、表層導体701がパターニングされたプリント配線
板700の表層に感光性絶縁材料を成膜し、露光・現像
してビアホール703を備える絶縁層705を形成し、
次いで、全面(ビアホール703内壁を含む)に導体層
を形成した後、導体層をパターニングして配線702を
形成するという工程を繰り返して多層化した後、最後
に、貫通めっきスルーホール704を形成する方法であ
る。なお、配線層を形成するために必要な下地導電膜を
形成する方法としては、一般に、無電解めっき法が用い
られる。That is, in this multilayer wiring board, basically, an insulating layer having a via hole 703 is formed by forming a film of a photosensitive insulating material on the surface layer of the printed wiring board 700 on which the surface layer conductor 701 is patterned, exposing and developing it. 705 is formed,
Next, a step of forming a conductor layer on the entire surface (including the inner wall of the via hole 703) and then patterning the conductor layer to form the wiring 702 is repeated to form a multilayer, and finally, a through-plated through hole 704 is formed. Is the way. In addition, as a method of forming the underlying conductive film necessary for forming the wiring layer, generally, an electroless plating method is used.
【0011】このような多層配線基板の製造方法はビル
ドアップ法と呼ばれる。このようなビルドアップ法の例
としては特開平4−148590号公報等が挙げられ
る。この方法により作製された多層配線基板では、図7
に示すように、プリント配線板表層導体701とビルド
アップの導体層702との接続、および、ビルドアップ
の導体層どうしの接続が、ドリリングによる貫通めっき
スルーホール704による接続でなく、コンフォーマル
ビア703によって行われる。従って、従来の、貫通め
っきスルーホールのみで層間接続をとるプリント配線板
に比べて、高密度な多層プリント配線基板が得られる。A method of manufacturing such a multilayer wiring board is called a build-up method. As an example of such a build-up method, there is JP-A-4-148590. In the multilayer wiring board manufactured by this method, as shown in FIG.
As shown in FIG. 7, the connection between the printed wiring board surface layer conductor 701 and the buildup conductor layer 702 and the connection between the buildup conductor layers are not the connection by the through plating through hole 704 by drilling but the conformal via 703. Done by Therefore, a high-density multilayer printed wiring board can be obtained as compared with a conventional printed wiring board in which interlayer connection is made only by through-holes.
【0012】また、図8に示すように、表層導体807
がパターニングされ、貫通めっきスルーホール802,
803の形成されたプリント配線板800を複数用意
し、それらを、間にプリプレグ絶縁層806を挟みなが
ら積層し、最後に、貫通めっきスルーホール805を形
成することにより多層プリント配線基板を得る方法が知
られている。この方法では、層間接続のためにドリリン
グで形成しためっきスルーホール802,803の貫通
孔805aを樹脂806で充填し、開口部にめっきスル
ーホールと接続する導体パッド801,804を形成し
て、めっきスルーホールの面積を有効利用している。こ
のような多層プリント基板の製造方法としては、例え
ば、特開平4−168794号公報に示される方法があ
る。Further, as shown in FIG.
Are patterned and through-plated through holes 802,
A method of obtaining a multilayer printed wiring board by preparing a plurality of printed wiring boards 800 on which 803 are formed, stacking them with a prepreg insulating layer 806 interposed therebetween, and finally forming a through-plated through hole 805 is provided. Are known. In this method, the through holes 805a of the plated through holes 802 and 803 formed by drilling for interlayer connection are filled with a resin 806, and conductor pads 801 and 804 connected to the plated through holes are formed in the openings to form a plated plate. The area of through holes is effectively used. As a method of manufacturing such a multilayer printed circuit board, for example, there is a method disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-168794.
【0013】上述した従来技術の第1の問題点は、絶縁
膜形成工程と平坦化工程にある。The first problem of the above-mentioned prior art lies in the insulating film forming step and the flattening step.
【0014】図5(f)の絶縁膜形成工程と図5(g)
の平坦化工程において、絶縁層505を形成するポリマ
ーとして汎用に用いられるポリイミド系材料は、熱硬化
反応により溶剤や水分が蒸発するので、ピンホールやボ
イドが発生し易い。また、絶縁樹脂は硬化時に下地の凹
凸に沿って収縮するので、基板の凹凸に沿った絶縁膜が
形成されるため、平坦性が著しく劣る。そのため、図5
に示した製造法では、軟らかいポリイミドと硬い金属膜
とを研削、研磨して平坦化する必要があり、その工程は
長時間を要する。また、研削粉、研磨粉を洗浄により除
去する際の異物排除が容易でない。さらに、ポリイミド
系材料は、ポリアミド酸溶液あるいはポリイミド溶液を
塗布し、加熱して成膜するので、一回塗りでは所要の膜
厚が得られない。そこで、塗布工程を複数回繰り返さな
ければならず、塗布乾燥等の工程数が多い。また、ポリ
イミドの硬化には、高温、長時間を要するという問題点
も、ポリイミド系材料を用いる製造法にはある。The insulating film forming process of FIG. 5 (f) and FIG. 5 (g)
In the flattening step, the polyimide-based material generally used as the polymer for forming the insulating layer 505 is likely to cause pinholes and voids because the solvent and water are evaporated by the thermosetting reaction. Further, since the insulating resin shrinks along the irregularities of the base during curing, an insulating film is formed along the irregularities of the substrate, and thus the flatness is remarkably poor. Therefore, FIG.
In the manufacturing method shown in (1), it is necessary to grind and polish the soft polyimide and the hard metal film to flatten them, and the process requires a long time. Further, it is not easy to remove foreign matter when removing grinding powder and polishing powder by washing. Further, since the polyimide material is applied with a polyamic acid solution or a polyimide solution and heated to form a film, a single coating cannot obtain a required film thickness. Therefore, the coating process must be repeated a plurality of times, and the number of processes such as coating and drying is large. In addition, there is a problem in that a polyimide-based material requires a high temperature and a long time for curing the polyimide.
【0015】これらの多くの問題点のため、図5に示し
た多層配線基板の製造方法では、歩留が低く、工程数が
多く、かつ、リードタイムが長いため、量産性に著しく
劣るという欠点があった。Due to these many problems, the method for manufacturing a multilayer wiring board shown in FIG. 5 has a drawback that the yield is low, the number of steps is large, and the lead time is long, so that the mass productivity is remarkably inferior. was there.
【0016】また、図6に示した従来技術においては、
図6(c)に示すように、エポキシ樹脂溶液またはポリ
アミド酸溶液を塗布した後、溶剤を揮発させて、エポキ
シ樹脂またはポリアミド酸を配線層601,602に被
着させ、これを硬化させる場合、樹脂の硬化時に、残存
溶剤の揮発によりボイドやピンホールが発生する。さら
に、絶縁樹脂としてポリイミドを用いる場合には、ポリ
アミド酸の硬化時に発生する縮合水の揮発によっても、
ボイドやピンホールが発生する。また、無溶剤の状態で
塗布しても、配線層601,602と絶縁層603との
間に空気を巻き込み、隙間や気泡を残すので、これがボ
イドやピンホールの原因となる。これら絶縁膜中の欠陥
は、上層の配線層の形成を困難にするばかりでなく、配
線形成時のめっきやエッチング等のウエットプロセスに
おいて、処理液を絶縁膜中に取り込み、絶縁不良を起こ
す原因となる。Further, in the prior art shown in FIG. 6,
As shown in FIG. 6C, after applying the epoxy resin solution or the polyamic acid solution, the solvent is volatilized, and the epoxy resin or the polyamic acid is applied to the wiring layers 601, 602 and cured, When the resin is cured, the residual solvent volatilizes to generate voids and pinholes. Furthermore, when polyimide is used as the insulating resin, the condensation water generated during the curing of the polyamic acid also causes
Voids and pinholes occur. Further, even if the solvent is applied in a solvent-free state, air is trapped between the wiring layers 601 and 602 and the insulating layer 603, leaving gaps and bubbles, which causes voids and pinholes. These defects in the insulating film not only make it difficult to form the upper wiring layer, but also cause the processing liquid to be taken into the insulating film in the wet process such as plating and etching at the time of forming the wiring and cause the insulation failure. Become.
【0017】そこで、図6に示した方法を実施する際
に、絶縁膜の形成に、無溶剤のエポキシ樹脂またはポリ
イミド樹脂を用いることが望ましい。しかし、絶縁膜形
成材料の粘度が高いと、配線間に樹脂を充填できないば
かりか、配線上面に樹脂が厚く残ってしまい、コンタク
トポスト602の表面604が露出しない。そこで、粘
性の低い材料を使用すると、配線間に樹脂を充填するこ
とはできるが、樹脂層を押圧しながら硬化させる工程に
おいて、配線が金型に強く押されるため、配線の変形や
断線が起こる。Therefore, when carrying out the method shown in FIG. 6, it is desirable to use a solventless epoxy resin or polyimide resin for forming the insulating film. However, if the viscosity of the insulating film forming material is high, not only the resin cannot be filled between the wirings, but also the resin remains thick on the wiring upper surface, and the surface 604 of the contact post 602 is not exposed. Therefore, if a material having low viscosity is used, the resin can be filled between the wirings, but in the process of curing while pressing the resin layer, the wiring is strongly pressed by the mold, so that the wiring is deformed or broken. .
【0018】さらに、この図6に示した方法では、樹脂
の硬化工程において印加される圧力が押圧だけであるた
めに、圧力が樹脂に均一にかからず、高い圧力の絶縁層
中心部と低い圧力の絶縁層周辺部とで、耐熱性、熱膨張
率、機械的強度等の物性に差が出たり、樹脂が基板から
漏れ出て、絶縁層周辺部の膜厚が薄くなったり、さら
に、樹脂が漏れ出る際に巻き込む空気や樹脂中の溶存空
気、水分の揮発等に起因するボイド、ピンホールが絶縁
層周辺部に発生する。また、単に押圧するだけの場合、
実際には、配線上面の樹脂を完全には除去できず、無視
できない1μm前後の樹脂薄膜が配線表面に残って、配
線間の導通を阻害するという問題がある。これら多くの
問題により、この図6に示した多層配線基板の製造方法
では、歩留が低いという欠点があった。Further, in the method shown in FIG. 6, since the pressure applied in the resin curing step is only the pressure, the pressure is not evenly applied to the resin, and the central portion of the insulating layer having a high pressure is low. There is a difference in physical properties such as heat resistance, thermal expansion coefficient, and mechanical strength between the pressure insulating layer peripheral part, and resin leaks from the substrate, and the film thickness of the insulating layer peripheral part becomes thin. The air entrained when the resin leaks, the dissolved air in the resin, and the voids and pinholes caused by the volatilization of water are generated in the periphery of the insulating layer. Also, if you just press
Actually, there is a problem that the resin on the upper surface of the wiring cannot be completely removed, and a resin thin film of about 1 μm which cannot be ignored remains on the wiring surface, which hinders the conduction between the wirings. Due to many of these problems, the method of manufacturing the multilayer wiring board shown in FIG. 6 has a drawback of low yield.
【0019】上述の従来技術の第2の問題点は、絶縁膜
表面に配線層を形成する際の、配線導体と絶縁膜との接
着強度にある。The second problem of the above-mentioned conventional technique is the adhesive strength between the wiring conductor and the insulating film when the wiring layer is formed on the surface of the insulating film.
【0020】無電解めっきまたは電気めっきのための下
地導電膜を形成する方法として、一般的には、特開昭5
7−50489号公報、特開昭57−50490号公
報、特開昭57−50491号公報等に記載があるよう
に、スパッタリング法や蒸着法等のドライ成膜法が用い
られる。スパッタリング法は、絶縁膜に下地導電膜材料
を物理的の食い込ませるため、比較的高い接着強度を確
保することができ、この点で蒸着法より好ましい。しか
し、スパッタリング法または蒸着法には高価な装置が必
要であり、成膜時間も長く、低コスト、高スループット
な方法とは言えない。As a method for forming a base conductive film for electroless plating or electroplating, generally, Japanese Unexamined Patent Publication (Kokai) No. 5 (1999) -58187
As described in JP-A-7-50489, JP-A-57-50490, JP-A-57-50491, etc., a dry film forming method such as a sputtering method or a vapor deposition method is used. The sputtering method is preferable to the vapor deposition method in that a relatively high adhesive strength can be secured because the underlying conductive film material is physically bitten into the insulating film. However, the sputtering method or the vapor deposition method requires an expensive apparatus, requires a long film formation time, and cannot be said to be a low cost and high throughput method.
【0021】そこで、プリント配線基板の製造において
は、無電解めっき法がよく用いられる。特開昭53−1
40344号公報、特開昭61−276875号公報、
特開昭64−53497号公報等に記載されている技術
では、絶縁膜表面をエッチングしてエッチングの強弱に
より凸凹を形成した上で、無電解めっきにより下地導電
膜を形成する。このようにすれば、絶縁層の凹凸のアン
カー効果により、絶縁膜と下地導電膜との接着強度が確
保される。Therefore, the electroless plating method is often used in the production of printed wiring boards. JP-A-53-1
40344, JP-A-61-276875,
In the technique described in Japanese Patent Laid-Open No. 64-53497, the surface of the insulating film is etched to form irregularities depending on the strength of the etching, and then the underlying conductive film is formed by electroless plating. By doing so, the adhesive strength between the insulating film and the underlying conductive film is secured by the anchor effect of the unevenness of the insulating layer.
【0022】絶縁膜にエッチングの強弱を生じさせるに
は、絶縁膜が、エッチングされ易い成分とエッチングさ
れにくい成分からなるようにすればよい。一般に、どち
らかの成分は、絶縁膜を構成するマトリクス高分子材料
であるが、ここで問題になるのは、このエッチングされ
易い成分あるいはエッチングされにくい成分の分散性で
ある。絶縁膜中に成分の偏りがあると、絶縁膜表面の凸
凹の程度に偏りが生じるため、下地導電膜の接着強度に
バラツキが生じ、極端な場合、全く接着強度がないため
に配線が形成できない領域が発生してしまう。また、部
分的に成分粒子が部分的に凝集している箇所があると、
エッチングの際に、配線形成に適さない大きな凸部や凹
部が発生する。In order to make the insulating film stronger or weaker in etching, the insulating film may be made of a component that is easily etched and a component that is not easily etched. Generally, one of the components is a matrix polymer material forming the insulating film, but the problem here is the dispersibility of the component that is easily etched or the component that is not easily etched. If the components in the insulating film are uneven, the unevenness of the surface of the insulating film will be uneven, and the adhesive strength of the underlying conductive film will vary. In extreme cases, there will be no adhesive strength and wiring cannot be formed. Area is generated. Also, if there is a part where the component particles are partially aggregated,
During etching, large protrusions and recesses that are not suitable for forming wiring are generated.
【0023】上述の問題点の他、プリント配線基板のビ
ルドアップ法においては、つぎのような微細配線に関す
る問題点もある。In addition to the above-mentioned problems, the printed wiring board build-up method has the following problems related to fine wiring.
【0024】コンフォーマルビア703は、感光性エポ
キシ材料等の感光性絶縁材料の解像性の観点から、底部
の径を100μm程度以上にしなければならず、さら
に、導体の段切れを防ぐため、テーパ形状にする必要が
ある。このため、ランドを含めたビアの占める表面積は
大きく、ビア径をさらに小さくして高密度にすることは
困難である。The conformal via 703 must have a bottom diameter of about 100 μm or more from the viewpoint of the resolution of a photosensitive insulating material such as a photosensitive epoxy material. Further, in order to prevent conductor breakage, It must be tapered. For this reason, the surface area occupied by the via including the land is large, and it is difficult to further reduce the via diameter and increase the density.
【0025】また、コンフォーマルビア703の上部に
は凹凸ができるために、この上に次ぎのコンフォーマル
ビアまたは配線導体を形成することができない。これは
1層隔てた薄膜多層配線層の接続に2ヶ所のビアを使う
ことになり、ビアの数をロスする結果となる。また、上
述の従来技術では、サーマルビアの形成もできない。Further, since the conformal via 703 has irregularities on its upper part, the next conformal via or wiring conductor cannot be formed on this. This means that two vias are used to connect the thin-film multilayer wiring layers separated by one layer, resulting in a loss of the number of vias. Further, the above-mentioned conventional technique cannot form a thermal via.
【0026】なお、導体は配線抵抗から一定以上の段面
積を必要とする。従って、薄い導体で長方形のパターン
を形成するよりは厚い導体で正方形のパターンを形成す
る方が微細なパターンが形成できる。しかし、上述の従
来技術では、導体層をエッチングして配線を形成するた
め、導体を厚くすると微細な配線パターンを形成できな
い。It should be noted that the conductor requires a step area of a certain value or more in view of the wiring resistance. Therefore, forming a square pattern with a thick conductor can form a finer pattern than forming a rectangular pattern with a thin conductor. However, in the above-mentioned conventional technique, since the conductor layer is etched to form the wiring, if the conductor is made thick, a fine wiring pattern cannot be formed.
【0027】一方、プリント配線板の表面導体と内層導
体との間、あるいは、プリント配線板表裏の導体間は、
最終段階で形成される貫通めっきスルーホール704に
よって接続される。しかし、この貫通めっきスルーホー
ル704の形成のための貫通孔は機械的穿孔により形成
されるため、微細な細工をすることが困難であり、この
分、配線密度がさらに低下する欠点がある。On the other hand, between the surface conductor and the inner layer conductor of the printed wiring board or between the conductors on the front and back of the printed wiring board,
Connections are made by through-plated through holes 704 formed at the final stage. However, since the through hole for forming the through plating through hole 704 is formed by mechanical perforation, it is difficult to perform fine work, and there is a drawback that the wiring density is further reduced by that amount.
【0028】また、貫通めっきスルーホールが導体によ
って完全には充填されていない場合、中央部分に貫通孔
が残ることになる。このような貫通孔の残ったプリント
配線板の表面には、感光性絶縁材料やレジスト等の液状
材料を成膜できないため、ビルドアップ法による薄膜多
層配線層を形成できない。If the through-plated through-hole is not completely filled with the conductor, the through-hole remains in the central portion. Since a liquid material such as a photosensitive insulating material or a resist cannot be formed on the surface of the printed wiring board in which such through holes remain, a thin film multilayer wiring layer cannot be formed by the build-up method.
【0029】さらに、層間接続のためにドリリングで形
成しためっきスルーホールの穴を樹脂充填し、上部にめ
っきスルーホールと接続する導体パッドを形成してめっ
きスルーホールの面積を有効利用する特開平4−168
794号公報記載の方法は、多層プリント配線板の隣接
する2層の導体層(801/802及び803/80
4)の接続には有効であるが、プリント配線板の両面あ
るいは、1層以上の導体層を隔てた2層の導体層の接続
には、やはり、最終段階で形成する貫通めっきスルーホ
ール805に頼らざるを得ず、出来上がった多層プリン
ト配線板には孔埋めされていない貫通めっきスルーホー
ル805が残る。Further, the hole of the plated through hole formed by drilling for interlayer connection is filled with resin, and a conductor pad for connecting with the plated through hole is formed on the upper part to effectively utilize the area of the plated through hole. -168
In the method described in Japanese Patent No. 794, two adjacent conductor layers (801/802 and 803/80) of a multilayer printed wiring board are disclosed.
Although it is effective for the connection of 4), the through-plated through hole 805 formed at the final stage is also used for the connection of both sides of the printed wiring board or the connection of two conductor layers with one or more conductor layers separated. There is no choice but to rely on, and the through-hole plated through holes 805 that are not filled up remain in the finished multilayer printed wiring board.
【0030】そこで、特開平6−334343号公報に
記載されているように、流動性高分子前駆体を無溶剤の
状態のまま用い、配線間隙を排気した後、静水圧を印加
しながら前駆体を硬化させて絶縁層を形成することによ
り、上述した各問題点を解決する製造方法が提案されて
いる。この方法は、歩留が高く、また、工程数が少なく
てリードタイムが短く、量産性に優れ、低コストで高密
度多層配線基板を製造することができる。また、この方
法は、ベース基板としてセラミック配線基板を用いる場
合にも、プリント配線基板を用いる場合にも適用でき、
しかも、上述のような貫通めっきスルーホールの孔に起
因する問題も回避される。Therefore, as described in JP-A-6-334343, the fluid polymer precursor is used in a solvent-free state, the wiring gap is evacuated, and then the precursor is applied while applying hydrostatic pressure. There is proposed a manufacturing method for solving the above-mentioned problems by curing the resin to form an insulating layer. According to this method, the yield is high, the number of steps is small, the lead time is short, mass productivity is excellent, and a high-density multilayer wiring board can be manufactured at low cost. In addition, this method can be applied to a case where a ceramic wiring board is used as a base substrate and a case where a printed wiring board is used.
Moreover, the problem caused by the through-plated through-hole as described above can be avoided.
【0031】[0031]
【発明が解決しようとする課題】上記特開平6−334
343号公報には、絶縁層の形成に、上述の流動性高分
子前駆体とフィラーとの混合物である無溶剤の高分子前
駆体組成物を用いることができる旨記載されている(請
求項48)。微細なフィラーを含む組成物を用いて絶縁
層を形成すると、絶縁層表面に緻密な凹凸ができるた
め、その上に形成する導体層(平面配線など)と、絶縁
層との接着性が高まるので、好ましい。このような絶縁
層形成用組成物を用いる場合、微細なフィラーが均一に
混在していることが望ましい。これは、絶縁層表面に形
成する配線に断線や短絡を生じさせないため、絶縁層表
面の平坦性を確保しなければならないからである。[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-334
Japanese Patent No. 343 describes that a solvent-free polymer precursor composition, which is a mixture of the above-mentioned fluid polymer precursor and a filler, can be used for forming the insulating layer (claim 48). ). When an insulating layer is formed using a composition containing fine fillers, the surface of the insulating layer has dense irregularities, which increases the adhesion between the conductor layer (planar wiring, etc.) formed on it and the insulating layer. ,preferable. When using such a composition for forming an insulating layer, it is desirable that fine fillers are uniformly mixed. This is because the wiring formed on the surface of the insulating layer is not broken or short-circuited, and therefore the flatness of the surface of the insulating layer must be ensured.
【0032】そこで、本発明は、フィラーが均一に分散
している、絶縁層形成用無溶剤組成物およびその製造方
法と、該組成物を用いる多層配線基板の製造方法とを提
供することを目的とする。Therefore, the object of the present invention is to provide a solventless composition for forming an insulating layer in which a filler is uniformly dispersed, a method for producing the same, and a method for producing a multilayer wiring board using the composition. And
【0033】[0033]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、マトリクス成分100体積部と、該マ
トリクス成分中に分散したフィラー1〜300体積部と
を含み、マトリクス成分は、高分子化合物および高分子
化合物前駆体のうちの少なくとも一種であり、フィラー
は、無機物の粉体、無機物の繊維、有機物の粉体、およ
び有機高分子の繊維のうちの少なくとも一種であって、
溶剤を含まない無溶剤組成物が提供される。なお、ここ
で溶剤とは、マトリクス成分の良溶媒であって、上述の
副成分に含まれないものをいう。なお、この無溶剤組成
物は、可塑剤、滑剤、酸化防止剤、難燃剤、難燃助剤、
充填剤、硬化触媒、および表面処理剤のうちから選ばれ
る少なくとも1種類の副成分を含んでいてもよい。In order to achieve the above object, the present invention comprises 100 parts by volume of a matrix component and 1 to 300 parts by volume of a filler dispersed in the matrix component, and the matrix component is a polymer. At least one of the compound and the polymer compound precursor, the filler is at least one of inorganic powder, inorganic fiber, organic powder, and organic polymer fiber,
Solvent-free compositions are provided that are solvent-free. Here, the solvent means a good solvent for the matrix component and not included in the above-mentioned subcomponents. Incidentally, this solventless composition is a plasticizer, a lubricant, an antioxidant, a flame retardant, a flame retardant aid,
It may contain at least one kind of subcomponent selected from a filler, a curing catalyst, and a surface treatment agent.
【0034】本発明の無溶剤組成物を用いて絶縁膜を形
成すると、絶縁膜中にフィラーが均一に凝集なく(ある
いは微細な凝集のみで)分散される。このため、垂直ビ
ア導体上面を露出させる工程などにおいて表面をエッチ
ングすると、均一で配線形成に適した形状の微細な凸凹
構造を絶縁膜表面に形成できる。When an insulating film is formed using the solvent-free composition of the present invention, the filler is uniformly dispersed in the insulating film (or only finely aggregated). Therefore, when the surface is etched in the step of exposing the upper surface of the vertical via conductor, a fine uneven structure having a uniform shape suitable for wiring formation can be formed on the insulating film surface.
【0035】フィラーの平均粒径は10μm以下である
ことが望ましい。フィラーは、細かい方が、該フィラー
を含む組成物を用いて形成された絶縁膜表面の凹凸が緻
密になるからである。本発明の組成物では、フィラーは
凝集していないことが望ましいが、凝集していたとして
も、凝集体の粒径は、本組成物を用いて作製される配線
基板中の、絶縁層表面に形成される配線の幅および間隔
のうち短い方より小さいことが望ましい。現在、配線の
幅および間隔としては、50μm程度のものが望まれて
いる。そこで、本発明では、凝集体の粒径が50μm未
満である組成物が提供される。The average particle size of the filler is preferably 10 μm or less. This is because the finer the filler, the finer the irregularities on the surface of the insulating film formed by using the composition containing the filler. In the composition of the present invention, it is desirable that the filler is not aggregated, but even if the filler is aggregated, the particle size of the aggregate is determined on the surface of the insulating layer in the wiring board produced using the composition. It is desirable that the width and interval of the formed wiring be smaller than the shorter one. At present, wiring widths and intervals of about 50 μm are desired. Therefore, the present invention provides a composition having an aggregate particle size of less than 50 μm.
【0036】上記フィラーの例としては、ケイ酸塩、ア
ルミナ、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、窒化アル
ミニウム、水酸化物、リン酸塩、炭酸塩、硫酸塩、塩酸
塩、三酸化アンチモン、デカブロモビフェニル、各種セ
ラミック、ポリイミド、ベンゾグアナミン樹脂、メラミ
ン樹脂、ユリア樹脂、エポキシ樹脂硬化物、ビスマレイ
ミドトリアジン樹脂硬化物、フェノール樹脂硬化物、ベ
ンゾシクロブテン系化合物の硬化物、シリコーン、オキ
シベンゾイルポリエステル、ポリアリルスルホン、ポリ
エーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリフェニ
レンスルフィド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホ
ン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリア
ミド、各種エンジニアリングプラスチック等が挙げられ
る。Examples of the filler include silicate, alumina, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum nitride, hydroxide, phosphate, carbonate, sulfate, hydrochloride, antimony trioxide, decabromobiphenyl, Various ceramics, polyimide, benzoguanamine resin, melamine resin, urea resin, epoxy resin cured product, bismaleimide triazine resin cured product, phenol resin cured product, cured product of benzocyclobutene compound, silicone, oxybenzoyl polyester, polyallyl sulfone, Polyether ether ketone, polyarylate, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, polysulfone, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, polycarbonate, polyacetal, polyamide, various engineers Ring plastic, and the like.
【0037】なお、エポキシ樹脂硬化物としては、ビス
フェノールA系エポキシ樹脂硬化物、ビスフェノールF
系エポキシ樹脂硬化物、ビスフェノールAD系エポキシ
樹脂硬化物、ノボラック系エポキシ樹脂硬化物、ビフェ
ニル構造を有するエポキシ樹脂硬化物、テルフェニル構
造を有するエポキシ樹脂硬化物、クアテルフェニル構造
を有するエポキシ樹脂硬化物、フェニレンオキサイド構
造を有するエポキシ樹脂硬化物、ナフタレン構造を有す
るエポキシ樹脂硬化物、ビナフチル構造を有するエポキ
シ樹脂硬化物、トリグリシジルイソシアネート系エポキ
シ樹脂硬化物、ヒダントイン構造を有するエポキシ樹脂
硬化物、シクロヘキサン構造を有するエポキシ樹脂硬化
物、グリシジルエステル系エポキシ樹脂硬化物、グリシ
ジルアミン系エポキシ樹脂硬化物、およびテトラフェニ
ルエチレン構造を有するエポキシ樹脂硬化物が挙げられ
る。As the epoxy resin cured product, bisphenol A type epoxy resin cured product, bisphenol F
Epoxy resin cured product, bisphenol AD epoxy resin cured product, novolac epoxy resin cured product, epoxy resin cured product having a biphenyl structure, epoxy resin cured product having a terphenyl structure, epoxy resin cured product having a quaterphenyl structure , Epoxy resin cured product having phenylene oxide structure, epoxy resin cured product having naphthalene structure, epoxy resin cured product having binaphthyl structure, triglycidyl isocyanate-based epoxy resin cured product, epoxy resin cured product having hydantoin structure, cyclohexane structure Examples thereof include an epoxy resin cured product, a glycidyl ester-based epoxy resin cured product, a glycidyl amine-based epoxy resin cured product, and an epoxy resin cured product having a tetraphenylethylene structure.
【0038】ベンゾシクロブテン系化合物の硬化物とし
ては、ビニレン構造を有するベンゾシクロブテン系化合
物の硬化物と、ビニレン構造およびジメチルシロキサン
構造を有するベンゾシクロブテン系化合物の硬化物とが
挙げられる。Examples of the cured product of a benzocyclobutene compound include a cured product of a benzocyclobutene compound having a vinylene structure and a cured product of a benzocyclobutene compound having a vinylene structure and a dimethylsiloxane structure.
【0039】フィラーとして、マトリクス成分に用いる
樹脂の硬化物を用いると、マトリクス成分とフィラーと
の親和性を高めることができ好ましい。なお、これらの
フィラー用物質のうち、ビフェニル構造を有するエポキ
シ樹脂硬化物が特に好ましい。これらのフィラー用物質
は、単独で用いてもよいが、これらのうちのいくつかを
組み合わせて用いてもよい。It is preferable to use, as the filler, a cured product of a resin used for the matrix component, because the affinity between the matrix component and the filler can be increased. Among these filler materials, a cured epoxy resin having a biphenyl structure is particularly preferable. These filler substances may be used alone, or some of them may be used in combination.
【0040】マトリクス成分は、室温以上の第1の温度
域で変形可能であり、該第1の温度域より高い第2の温
度で硬化する性質を有する熱硬化樹脂であることが望ま
しい。マトリクス成分の例としては、エポキシ樹脂、ビ
スマレイミドトリアジン樹脂、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ベンゾシクロブテン系
化合物等が挙げられる。The matrix component is preferably a thermosetting resin which is deformable in a first temperature range above room temperature and has a property of being cured at a second temperature higher than the first temperature range. Examples of matrix components include epoxy resins, bismaleimide triazine resins, phenol novolac resins, cresol novolac resins, benzocyclobutene compounds, and the like.
【0041】なお、エポキシ樹脂としては、ビスフェノ
ールA系エポキシ樹脂、ビスフェノールF系エポキシ樹
脂、ビスフェノールAD系エポキシ樹脂、ノボラック系
エポキシ樹脂、ビフェニル系エポキシ樹脂、テルフェニ
ル構造を有するエポキシ樹脂、クアテルフェニル構造を
有するエポキシ樹脂、フェニレンオキサイド構造を有す
るエポキシ樹脂、ナフタレン構造を有するエポキシ樹
脂、ビナフチル構造を有するエポキシ樹脂、トリグリシ
ジルイソシアネート構造を有するエポキシ樹脂、ジグリ
シジルヒダントイン構造を有するエポキシ樹脂、シクロ
ヘキセンオキサイド構造を有するエポキシ樹脂、グリシ
ジルエステル構造を有するエポキシ樹脂、グリシジルア
ミン構造を有するエポキシ樹脂、およびテトラフェニル
エチレン構造を有するエポキシ樹脂が挙げられる。As the epoxy resin, a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a bisphenol AD epoxy resin, a novolac epoxy resin, a biphenyl epoxy resin, an epoxy resin having a terphenyl structure, and a quaterphenyl structure. An epoxy resin having a phenylene oxide structure, an epoxy resin having a naphthalene structure, an epoxy resin having a binaphthyl structure, an epoxy resin having a triglycidyl isocyanate structure, an epoxy resin having a diglycidyl hydantoin structure, and a cyclohexene oxide structure. Epoxy resin, epoxy resin having glycidyl ester structure, epoxy resin having glycidyl amine structure, and tetraphenylethylene structure Epoxy resin.
【0042】ベンゾシクロブテン系化合物としては、ビ
ニレン構造を有するベンゾシクロブテン系化合物と、ビ
ニレン構造およびジメチルシロキサン構造を有するベン
ゾシクロブテン系化合物とが挙げられる。Examples of the benzocyclobutene-based compound include a benzocyclobutene-based compound having a vinylene structure and a benzocyclobutene-based compound having a vinylene structure and a dimethylsiloxane structure.
【0043】これらの樹脂または化合物のうち、ビフェ
ニル系エポキシ樹脂が特に好ましい。これらの樹脂また
は化合物は、単独で用いてもよいが、これらのうちのい
くつかを適宜組み合わせて用いてもよい。Of these resins or compounds, biphenyl type epoxy resin is particularly preferable. These resins or compounds may be used alone, or some of them may be appropriately combined and used.
【0044】なお、本発明の無溶剤組成物は、加熱に伴
い溶融粘度が低下し、硬化温度直前で最低粘度を示すも
のであることが望ましい。The solvent-free composition of the present invention preferably has a melt viscosity which decreases with heating and exhibits a minimum viscosity immediately before the curing temperature.
【0045】また、本発明では、上述の無溶剤組成物を
製造する方法、すなわち、目的とする無溶剤組成物の組
成のうち、フィラー以外の組成の一部と、フィラーとを
混合して高濃度組成物を得る高濃度工程と、該高濃度組
成物に組成の残りをさらに添加して混合する希釈工程と
を、この順で備える無溶剤組成物の製造方法が提供され
る。なお、高濃度組成物は、無溶剤組成物を構成する他
の少なくとも1成分とフィラーの混合物であればよく、
該1成分は、マトリクス成分でも、上述の副成分でもよ
い。すなわち、副成分は、高濃度工程に混合しても、希
釈時に混合してもよく、高濃度工程と希釈工程とに分割
して混合してもよい。高濃度工程における混合は、バッ
チ式混練装置により行うことが望ましい。系内の温度を
制御しながら十分な撹拌を行うことができるからであ
る。Further, in the present invention, a method for producing the above-mentioned solventless composition, that is, a part of the composition other than the filler in the composition of the target solventless composition and a filler are mixed to obtain a high solvent. Provided is a method for producing a solventless composition, which comprises a high-concentration step of obtaining a high-concentration composition and a dilution step of further adding and mixing the rest of the composition to the high-concentration composition in this order. The high-concentration composition may be a mixture of at least one other component constituting the solventless composition and a filler,
The one component may be a matrix component or the above-mentioned subcomponent. That is, the subcomponents may be mixed in the high-concentration step, may be mixed at the time of dilution, or may be divided and mixed in the high-concentration step and the dilution step. Mixing in the high-concentration step is preferably performed by a batch-type kneading device. This is because sufficient stirring can be performed while controlling the temperature in the system.
【0046】なお、高濃度工程でフィラーと混合された
成分の少なくとも一部と、希釈工程で高濃度組成物に添
加された成分の少なくとも一部とは、同一であることが
望ましい。これらが同一であれば、混合しやすいため、
分散相であるフィラーの分散性を確保できるからであ
る。It is desirable that at least a part of the components mixed with the filler in the high concentration step and at least a part of the components added to the high concentration composition in the dilution step are the same. If they are the same, they are easy to mix,
This is because it is possible to ensure the dispersibility of the filler that is the dispersed phase.
【0047】さらに、本発明では、上述の無溶剤組成物
の硬化物からなる絶縁層を備える多層配線基板が提供さ
れる。本発明の多層配線基板では、絶縁層中のフィラー
は凝集していないことが望ましいが、凝集していたとし
ても、凝集体の粒径は、絶縁層表面に形成される配線の
幅および間隔のうち短い方より小さいことが望ましい。
現在、配線の幅および間隔としては、50μm程度のも
のが望まれている。そこで、本発明では、絶縁層中の凝
集体の粒径が50μm未満である多層配線基板が提供さ
れる。Further, the present invention provides a multilayer wiring board having an insulating layer made of a cured product of the above solventless composition. In the multilayer wiring board of the present invention, it is desirable that the filler in the insulating layer is not aggregated. However, even if the filler is aggregated, the particle size of the aggregate depends on the width and spacing of the wiring formed on the surface of the insulating layer. It is desirable that it is smaller than the shorter one.
At present, wiring widths and intervals of about 50 μm are desired. Therefore, the present invention provides a multilayer wiring board in which the particle diameter of aggregates in the insulating layer is less than 50 μm.
【0048】また、本発明の組成物を使用する多層配線
基板の製造方法として、ベース基板と金型との間に本発
明の無溶剤組成物を供給する組成物供給工程と、該間隙
に含まれる気体を排気する排気工程と、該間隙を狭くし
てその間隙に無溶剤組成物を満たす充填工程と、無溶剤
組成物を静水圧をかけながら硬化させる加圧硬化工程
と、配線の表面の少なくとも一部を露出させる露出工程
とを、この順で備える多層配線基板の製造方法が提供さ
れる。なお、組成物供給公知は、表裏の少なくとも一方
の面に形成された配線とを備えるベース基板と、平坦な
表面を備える金型とを、上記ベース基板の上記配線と、
上記金型の上記平坦な表面とが間隙を挟んで対向するよ
うに配置し、上記間隙に本発明の無溶剤組成物を供給す
る工程である。また、充填工程は、ベース基板と、金型
との距離を狭くすることにより、その間隙を無溶剤組成
物で満たし、さらに、配線の間に無溶剤組成物を充填す
る工程である。本発明の無溶剤組成物は、この多層配線
基板の製造方法に、特に適している。Further, as a method for producing a multilayer wiring board using the composition of the present invention, a step of supplying the solventless composition of the present invention between a base substrate and a mold, Exhausting the gas to be discharged, filling the gap to fill the solventless composition with the gap, curing the solventless composition while applying hydrostatic pressure, and curing the surface of the wiring. Provided is a method for manufacturing a multilayer wiring board, which comprises an exposing step of exposing at least a part thereof in this order. Incidentally, known composition supply, a base substrate comprising a wiring formed on at least one surface of the front and back, a mold having a flat surface, the wiring of the base substrate,
It is a step of arranging the mold so as to face the flat surface with a gap therebetween, and supplying the solventless composition of the present invention to the gap. The filling step is a step of narrowing the distance between the base substrate and the mold to fill the gap with the solventless composition and further fill the space between the wirings with the solventless composition. The solvent-free composition of the present invention is particularly suitable for this method for producing a multilayer wiring board.
【0049】なお、排気工程と充填工程とは、同時に行
われてもよい。また、絶縁層表面および露出した配線表
面の少なくとも一部に、配線を形成する配線形成工程
を、露出工程の後に設けてもよい。この場合、組成物供
給工程から配線形成工程までの一連の工程を、一回以上
繰り返すことにより、薄膜配線層を多層にすることがで
きる。The evacuation process and the filling process may be performed at the same time. Further, a wiring forming step of forming a wiring may be provided after the exposing step on at least a part of the insulating layer surface and the exposed wiring surface. In this case, the thin film wiring layer can be formed in multiple layers by repeating the series of steps from the composition supplying step to the wiring forming step one or more times.
【0050】なお、マトリクス成分として、室温以上の
第1の温度域で変形可能であり、該第1の温度域より高
い第2の温度で硬化する性質を有する樹脂を用いる場
合、充填工程では、無溶剤組成物(および望ましくは基
板)を第1の温度域に保持することが望ましい。また、
加圧硬化工程では、第1の温度域内の、無溶剤組成物の
粘度が最も低くなる温度に加熱した直後に、第2の温度
に加熱して、無溶剤組成物を硬化させることが望まし
い。このようにすれば、無溶剤組成物が、配線上、配線
間あるいは内壁に導体層を有するスルーホール内を流
動、充填する際に、無溶剤組成物が基板上に均一な速度
で広がるため、フィラーの再凝集を防止することができ
るからである。When a resin having a property of being deformable in the first temperature range above room temperature and having a property of curing at the second temperature higher than the first temperature range is used as the matrix component, in the filling step, It is desirable to keep the solventless composition (and preferably the substrate) in the first temperature range. Also,
In the pressure-curing step, it is desirable that the solventless composition is cured by heating it to the second temperature immediately after heating it to a temperature in the first temperature range where the viscosity of the solventless composition becomes the lowest. By doing so, the solventless composition spreads on the substrate at a uniform speed when flowing and filling the wiring, between the wirings or in the through hole having the conductor layer on the inner wall. This is because reaggregation of the filler can be prevented.
【0051】なお、本発明は、ベース基板が、内壁に付
着した導体によりビア配線の形成されたスルーホール
を、さらに備える場合にも適用できる。孔の残ったスル
ーホールを備える基板をベース基板として用いても、充
填工程において、配線の間隙と同様、該スルーホールの
内部の間隙にも無溶剤組成物が充填されるからである。The present invention can also be applied to the case where the base substrate further includes a through hole in which a via wiring is formed by a conductor attached to the inner wall. This is because even when a substrate having through holes with holes remaining is used as a base substrate, the solvent-free composition is filled in the gaps inside the through holes as well as the gaps between the wirings in the filling step.
【0052】本発明の多層配線基板の製造方法により製
造される多層配線基板の一例としては、内壁に導体層を
有するスルーホールを備えるベース基板と、該ベース基
板の表裏のうち少なくとも一方の面に形成された第1の
絶縁層とを有する多層配線基板であって、スルーホール
の内部の導体層以外の部分は、柱状部材により充填され
ており、該柱状部材と第1の絶縁層とが、本発明の無溶
剤組成物の硬化物からなり、該柱状部材と第1の絶縁層
との間には、界面が形成されていないという構造を有す
る多層配線基板が挙げられる。As an example of a multilayer wiring board manufactured by the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present invention, a base board having a through hole having a conductor layer on the inner wall, and at least one of the front and back surfaces of the base board are provided. A multilayer wiring board having a formed first insulating layer, wherein a portion other than the conductor layer inside the through hole is filled with a columnar member, and the columnar member and the first insulating layer An example of the multilayer wiring board is a cured product of the solventless composition of the present invention and has a structure in which no interface is formed between the columnar member and the first insulating layer.
【0053】[0053]
【発明の実施の形態】本発明の多層配線基板の製造方法
例を、図1を用いて説明する。 (1)まず、表裏少なくとも一方の面上に、配線層とし
て水平配線101および垂直ビア導体102を有するベ
ース基板100を作製する(図1(a))。なお、平面
配線101および垂直ビア導体102のいずれか一方の
みでもよい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention will be described with reference to FIG. (1) First, a base substrate 100 having horizontal wirings 101 and vertical via conductors 102 as wiring layers on at least one of the front and back surfaces is manufactured (FIG. 1A). Only one of the planar wiring 101 and the vertical via conductor 102 may be used.
【0054】(2)ベース基板100の配線層側に金型
104の平坦な面を対向させ、ベース基板100の配線
を備える表面と、金型104の平坦な面との間に、本発
明の無溶剤組成物を供給する。ここで、例えば、組成物
が自己支持性のあるシート103であれば、組成物のシ
ートを配線上に載置し(図1(b))、該シートと基板
100とを金型で挟むようにする(図1(c))。ま
た、組成物が自己支持性のないワニスであれば、基板の
配線を備える表面に、該ワニスを塗布した後、基板10
0の表裏を金型で挟むようにする。(2) The flat surface of the die 104 is opposed to the wiring layer side of the base substrate 100, and the flat surface of the die of the present invention is provided between the surface of the base substrate 100 having the wiring and the flat surface of the die 104. A solventless composition is provided. Here, for example, if the composition is the self-supporting sheet 103, the composition sheet is placed on the wiring (FIG. 1B), and the sheet and the substrate 100 are sandwiched by a mold. (FIG. 1 (c)). If the composition is a varnish having no self-supporting property, the varnish is applied to the surface of the substrate, which has wiring, and then the substrate 10 is formed.
Insert the front and back of 0 between the molds.
【0055】(3)金型104とベース基板100との
間隙105を給排気口106から排気する。(3) The gap 105 between the die 104 and the base substrate 100 is exhausted from the air supply / exhaust port 106.
【0056】(4)金型104を、ベース基板100方
向へ移動させて、無溶剤組成物103をベース基板10
0上の配線間隙(および貫通めっきスルーホール内の間
隙)に充填する(図1(d))。(4) The mold 104 is moved toward the base substrate 100, and the solventless composition 103 is applied to the base substrate 10.
The wiring gap above 0 (and the gap in the through-plated through hole) is filled (FIG. 1 (d)).
【0057】(5)無溶剤組成物103をに所定の静水
圧をかけた状態で、無溶剤組成物103を硬化させ、絶
縁膜107とする。(5) The solventless composition 103 is cured under a predetermined hydrostatic pressure to cure the solventless composition 103 to form an insulating film 107.
【0058】(6)金型104から基板100を取り出
し(図1(e))、絶縁膜107表面をエッチバックし
て、垂直ビア導体102の上面を露出させ(図1
(f))、垂直ビア導体102(水平配線導体101の
みの場合は、水平配線導体101)表面を研磨して、基
板表面を平坦にする(図1(g))。(6) The substrate 100 is taken out from the mold 104 (FIG. 1E), and the surface of the insulating film 107 is etched back to expose the upper surface of the vertical via conductor 102 (FIG. 1).
(F)), the surface of the vertical via conductor 102 (horizontal wiring conductor 101 in the case of only the horizontal wiring conductor 101) is polished to flatten the substrate surface (FIG. 1 (g)).
【0059】以上の(1)から(6)により、ベース基
板と薄膜配線層とを有する厚膜・薄膜複合多層配線基板
が得られる。From the above (1) to (6), a thick film / thin film composite multilayer wiring board having a base substrate and a thin film wiring layer can be obtained.
【0060】さらに、(7)垂直ビア導体102の露出
部分および絶縁層表面の少なくとも一部に、水平配線導
体108および垂直ビア導体109(一方のみでもよ
い)を形成(図1(h))したのち、(2)から(7)
までの一連の工程を繰り返すことにより、薄膜配線層を
多層化できる。Further, (7) a horizontal wiring conductor 108 and a vertical via conductor 109 (only one of them may be formed) are formed on the exposed portion of the vertical via conductor 102 and at least a part of the surface of the insulating layer (FIG. 1 (h)). Later (2) to (7)
By repeating the series of steps up to, the thin film wiring layer can be formed in multiple layers.
【0061】ベース基板上の配線形態として図1では、
水平配線導体101と垂直ビア導体102が対で存在す
る場合を示したが、ベース基板100上に水平配線導体
101のみ、あるいは、垂直ビア導体102のみがあっ
ても良く、また、水平配線導体108のみ、あるいは、
垂直ビア導体109のみを形成する場合もある。さら
に、図1はベース基板100の片面に水平配線導体10
1と垂直ビア導体102があり、片面に多層配線を形成
した例であるが、表裏両面に上記方法により同じ工程に
おいて同時に多層配線を積層することもできる。表裏同
時に多層配線を形成すれば、絶縁層107形成の際にベ
ース基板材料100の熱膨張率との差によるベース基板
100の反りを解消できるほか、多層配線基板の配線密
度をさらに向上させることができ、工程数の削減やリー
ドタイムの短縮が図れる。As a wiring form on the base substrate, in FIG.
Although the case where the horizontal wiring conductor 101 and the vertical via conductor 102 are present as a pair is shown, only the horizontal wiring conductor 101 or only the vertical via conductor 102 may be present on the base substrate 100, and the horizontal wiring conductor 108 may be provided. Only or
In some cases, only the vertical via conductor 109 may be formed. Further, FIG. 1 shows a horizontal wiring conductor 10 on one surface of the base substrate 100.
1 and the vertical via conductor 102, and the multilayer wiring is formed on one surface, but the multilayer wiring can be simultaneously laminated on both front and back surfaces in the same step by the above method. By forming the multi-layer wiring on the front and back sides at the same time, it is possible to eliminate the warp of the base substrate 100 due to the difference from the thermal expansion coefficient of the base substrate material 100 when forming the insulating layer 107, and further improve the wiring density of the multi-layer wiring substrate. This can reduce the number of processes and lead time.
【0062】ベース基板100は配線導体を含んでいて
もいなくても良い。また、その絶縁材料としては、プリ
ント配線基板のような有機絶縁物から、メタルコア配線
基板、セラミック配線基板のような無機絶縁物でも良
い。導体は、特に薄膜層には、配線抵抗の観点から銅が
好ましいが、ベース基板の導体には、タングステン等も
使え、銅に限定されるものではない。The base substrate 100 may or may not include a wiring conductor. The insulating material may be an organic insulator such as a printed wiring board, or an inorganic insulator such as a metal core wiring board or a ceramic wiring board. The conductor is preferably copper, especially for the thin film layer, from the viewpoint of wiring resistance, but tungsten or the like can be used for the conductor of the base substrate, and the conductor is not limited to copper.
【0063】図2に、本発明の多層配線基板においてベ
ース基板として用いることのできる配線基板の形態例を
示す。FIG. 2 shows an example of the form of a wiring board that can be used as a base board in the multilayer wiring board of the present invention.
【0064】図2(a)および(b)は、貫通めっきス
ルーホール200を有し、基板205表面に表層導体2
01がパターニングされたプリント配線基板の一例であ
る。図2(a)の基板には、貫通めっきスルーホールの
導体および表層導体の所定位置に、上層との接続のため
のビア導体202が設けられている。図2(c)には、
貫通めっきスルーホール200を有し、表層導体201
がパターニングされていないプリント配線基板の一例を
示した。この場合には、後で表層導体201をパターニ
ングして、平面配線を形成する。以上のプリント配線基
板には、ブラインドホール、べリードホール等の非貫通
スルーホールが存在する場合もあるし、逆に貫通めっき
スルーホールのみ無い場合もある。2A and 2B have through-plated through holes 200, and the surface conductor 2 is formed on the surface of the substrate 205.
Reference numeral 01 is an example of a patterned printed wiring board. The substrate of FIG. 2A is provided with via conductors 202 for connection with the upper layer at predetermined positions of the conductor of the through-plated through hole and the surface layer conductor. In FIG. 2 (c),
It has a through-plated through hole 200 and has a surface layer conductor 201.
1 shows an example of a printed wiring board which is not patterned. In this case, the surface layer conductor 201 is patterned later to form a planar wiring. The printed wiring board described above may have non-through holes such as blind holes and lead holes, or may have no through-plated through holes.
【0065】図2(d)および(e)には、基板206
表面に平面配線203を有するメタルコア配線基板の一
例を示す。図2(d)では、平面配線203表面の所定
位置に、上層との接続のためのビア導体204が設けら
れている。図2(f)および(g)には、基板207内
部に内部配線208を備え、基板207内部に表面配線
203を備えるセラミック配線基板の一例を示す。図2
(g)では、平面配線203表面の所定位置に、上層と
の接続のためのビア導体204が設けられている。In FIGS. 2D and 2E, the substrate 206 is shown.
An example of a metal core wiring board having a plane wiring 203 on the surface is shown. In FIG. 2D, a via conductor 204 for connection with an upper layer is provided at a predetermined position on the surface of the plane wiring 203. FIGS. 2F and 2G show an example of a ceramic wiring board including the internal wiring 208 inside the substrate 207 and the surface wiring 203 inside the substrate 207. FIG.
In (g), the via conductor 204 for connection to the upper layer is provided at a predetermined position on the surface of the planar wiring 203.
【0066】つぎに、本発明の多層配線基板の製造方法
における、無溶剤組成物103の供給形態を、図3を用
いて説明する。なお、図3では、記載を簡単にするため
に、ベース基板を図2(h)のように図示したが、上述
のように、本発明の適用できるベース基板の構造は、こ
れに限られない。Next, the manner of supplying the solventless composition 103 in the method for producing a multilayer wiring board of the present invention will be described with reference to FIG. Note that, in FIG. 3, the base substrate is illustrated as in FIG. 2H for the sake of simplicity of description, but as described above, the structure of the base substrate to which the present invention can be applied is not limited thereto. .
【0067】無溶剤組成物103は、図3(a)に示す
ようなフィルム状でもよく、図3(b)に示すような粉
末状、ペレット状またはフレーク状でもよい。しかし、
量産性や、異物混入の可能性を考慮すると、フィルム状
の形態で用いることが好ましい。フィルム状の無溶剤組
成物103は、例えば、基板の絶縁層を形成する面、お
よび/または、基板の絶縁層を形成する面と対向する金
型表面に、熱圧着または溶融固着して成膜することがで
きる。また、無溶剤組成物のシートに自己支持性がある
場合には、無溶剤組成物103のシートを基板の絶縁層
を形成する面と金型との間に挟んでもよい。このシート
は、例えば、表面の平坦な仮支持体上に、溶融状態の無
溶剤組成物103を塗布するなどして成膜したのち、該
膜を仮支持体から剥離して得られる。なお、無溶剤組成
物103の成膜には、スピンコート、ロールコート、カ
ーテンコート、ラミネート、あるいは、ディスペンサー
による溶融吐出法、Tダイを用いた押出し成型法等が使
える。また、粉末状、ペレット状、フレーク状の無溶剤
組成物103は、基板の絶縁層を形成する面、および/
または、基板の絶縁層を形成する面と対向する金型表面
に、散布すればよい。The solvent-free composition 103 may be in the form of a film as shown in FIG. 3 (a) or in the form of powder, pellets or flakes as shown in FIG. 3 (b). But,
In consideration of mass productivity and possibility of inclusion of foreign matter, it is preferable to use in a film form. The film-shaped solvent-free composition 103 is formed by, for example, thermocompression bonding or melt-fixing on the surface of the substrate on which the insulating layer is formed and / or the surface of the mold facing the surface of the substrate on which the insulating layer is formed. can do. Further, when the sheet of the solventless composition has self-supporting property, the sheet of the solventless composition 103 may be sandwiched between the surface of the substrate on which the insulating layer is formed and the mold. This sheet can be obtained, for example, by forming a film by coating the solventless composition 103 in a molten state on a temporary support having a flat surface, and then peeling the film from the temporary support. For forming the solventless composition 103, spin coating, roll coating, curtain coating, laminating, a melt discharge method using a dispenser, an extrusion molding method using a T die, or the like can be used. Further, the solvent-free composition 103 in the form of powder, pellets, or flakes forms the insulating layer of the substrate, and / or
Alternatively, it may be dispersed on the surface of the mold facing the surface of the substrate on which the insulating layer is formed.
【0068】排気工程における金型104とベース基板
100との間隙105の排気は、該間隙105が20T
orr以下になるように行うことが望ましい。この排気
は、配線導体間隙や貫通めっきスルーホール内の空気を
除き、無溶剤組成物103と導体101,102の間に
隙間を作らないために、また、間隙105内の雰囲気
(気泡の原因となる)を無溶剤組成物103中に取り込
まないために、さらには、無溶剤組成物103表面およ
び内部に既に存在する気泡、水分等を除くために必要で
ある。In the evacuation process, the gap 105 between the die 104 and the base substrate 100 is evacuated so that the gap 105 is 20T.
It is desirable to carry out so as to be less than orr. This exhaust does not create a gap between the solvent-free composition 103 and the conductors 101 and 102 except for air in the wiring conductor gap and the through-plated through hole, and also in the atmosphere in the gap 105 ( It is necessary in order to prevent air bubbles, moisture, etc. already existing on the surface and inside of the solventless composition 103 from being incorporated into the solventless composition 103.
【0069】充填工程では、無溶剤組成物103の粘度
が特に高い場合には、無溶剤組成物103を加熱して溶
融/軟化させることが望ましい。一般に、粘度が低いほ
ど、充填しやすく、また、排気による無溶剤組成物10
3中の気泡、水分、溶剤の除去効果も大きいので好まし
い。しかし、シートに形成した場合自己支持性を有する
程度に常温での粘度が高ければ、組成物を供給する工程
における使い勝手がよい。In the filling step, when the viscosity of the solventless composition 103 is particularly high, it is desirable to heat the solventless composition 103 to melt / soften it. Generally, the lower the viscosity, the easier the filling and the solvent-free composition 10 by exhausting.
It is preferable because the effect of removing bubbles, water and solvent in 3 is great. However, if the composition has a high viscosity at room temperature such that it has a self-supporting property, it is easy to use in the step of supplying the composition.
【0070】ベース基板と金型100との距離を狭くす
る方法としては、例えば、間隙105を減圧状態にする
ことが考えられる。このようにすれば、金型104が、
ベース基板100方向へ相対的に移動する。あるいは、
上下方向(基板の絶縁膜を形成する表面に対して垂直な
方向)から圧縮圧力をかけても良い。圧縮圧力として
は、基板に影響を与えないために、0.1kgf/cm
2以上100kgf/cm2以下が望ましい。As a method of narrowing the distance between the base substrate and the mold 100, for example, it is considered that the gap 105 is depressurized. By doing this, the mold 104 becomes
It moves relative to the base substrate 100. Or,
The compression pressure may be applied in the vertical direction (direction perpendicular to the surface of the substrate on which the insulating film is formed). The compression pressure is 0.1 kgf / cm so as not to affect the substrate.
It is preferably 2 or more and 100 kgf / cm 2 or less.
【0071】このように、ベース基板と金型100との
距離を狭くすることにより、平面配線導体101と垂直
ビア導体102とからなる配線層が形成されたベース基
板100の表面は、無溶剤組成物103で充填される。
なお、間隙105内の減圧や、上下方向からの圧縮圧力
が大き過ぎると、金型104により配線層が圧迫され、
配線導体の断線や破壊を引き起こすことになため、金型
104の相対的移動は、金型104の配線層側の平坦な
面と、配線層の上面とがほぼ接触した状態で停止するよ
うにする。By thus reducing the distance between the base substrate and the mold 100, the surface of the base substrate 100 on which the wiring layer including the planar wiring conductor 101 and the vertical via conductor 102 is formed is solvent-free. It is filled with the object 103.
If the pressure reduction in the gap 105 or the compression pressure in the vertical direction is too large, the wiring layer is pressed by the mold 104,
Since the wire conductor is broken or broken, the relative movement of the mold 104 is stopped when the flat surface of the mold 104 on the wiring layer side and the upper surface of the wiring layer are almost in contact with each other. To do.
【0072】つぎに、排気を止め、大気圧に戻した後、
配線導体間隙に充填された無溶剤組成物103に静水圧
をかける(加圧硬化工程)。静水圧は、上下方向からの
圧縮圧力と横方向からの圧力でかける。この横方向から
の圧力は給排気口106から空気や、窒素、不活性ガス
等を注入することにより印加する。静水圧は、0.1k
gf/cm2以上99.9kgf/cm2以下が好まし
い。Next, after stopping the exhaust and returning to atmospheric pressure,
Hydrostatic pressure is applied to the solventless composition 103 filled in the wiring conductor gap (pressurizing and curing step). The hydrostatic pressure is applied by the compression pressure from the vertical direction and the pressure from the lateral direction. This lateral pressure is applied by injecting air, nitrogen, an inert gas or the like from the air supply / exhaust port 106. Hydrostatic pressure is 0.1k
It is preferably gf / cm 2 or more and 99.9 kgf / cm 2 or less.
【0073】上下方向からの圧縮圧力を、横方向からの
圧力以上にすることで、金型が持ち上がらないようにす
ることが望ましい。なお、上下方向からの圧縮圧力と横
方向からの圧力との差は、0.1kgf/cm2以上9
9.9kgf/cm2以下であることが望ましい。上下
方向からの圧縮圧力が横方向からの圧力よりも大きい
と、金型104はさらにベース基板100上の配線層に
相対的に近づくことになるため、必要以上に差が大きい
と、配線を破壊することがあるからである。It is desirable that the mold is not lifted by setting the compression pressure in the vertical direction to be equal to or higher than the pressure in the horizontal direction. The difference between the compression pressure in the vertical direction and the pressure in the horizontal direction is 0.1 kgf / cm 2 or more 9
It is preferably 9.9 kgf / cm 2 or less. If the compressive pressure from the vertical direction is larger than the pressure from the lateral direction, the mold 104 will be relatively closer to the wiring layer on the base substrate 100. Therefore, if the difference is larger than necessary, the wiring will be broken. Because there is something to do.
【0074】このように、配線導体間隙に充填された無
溶剤組成物103に静水圧をかけることにより、無溶剤
組成物103中の気泡を押しつぶし、また、水分、溶存
空気等の揮発成分の気化を抑制して、ボイドの発生を抑
止することができる。さらに、無溶剤組成物103に均
一に圧力をかけるため、無溶剤組成物103が基板から
漏れ出ることもなく、ベース基板表面全域にわたって、
平坦で膜厚の均一な無溶剤組成物103の層を形成する
ことができる。As described above, by applying the hydrostatic pressure to the solventless composition 103 filled in the wiring conductor gap, the bubbles in the solventless composition 103 are crushed, and the volatile components such as water and dissolved air are vaporized. Can be suppressed and the generation of voids can be suppressed. Furthermore, since the solventless composition 103 is uniformly pressed, the solventless composition 103 does not leak from the substrate, and the entire surface of the base substrate is
A flat layer of the solventless composition 103 having a uniform film thickness can be formed.
【0075】配線導体間隙や貫通めっきスルーホール内
等に充填された無溶剤組成物103を硬化する際には、
金型104内で上記のような静水圧をかけながら硬化す
る。静水圧をかけたまま硬化させることにより、ボイド
の発生が抑制された、平坦で膜厚の均一な樹脂硬化物膜
107を形成することができる。また、均一な圧力下で
形成されるため、本発明の多層配線基板の絶縁膜107
は、耐熱性、熱膨張率、機械強度等の物性も均一であ
る。When the solventless composition 103 filled in the wiring conductor gap or the through-plated through hole is cured,
Curing is performed in the mold 104 while applying the above-mentioned hydrostatic pressure. By curing while applying the hydrostatic pressure, it is possible to form a flat resin-cured material film 107 having a uniform film thickness in which the generation of voids is suppressed. Further, since it is formed under uniform pressure, the insulating film 107 of the multilayer wiring board of the present invention is formed.
Has uniform physical properties such as heat resistance, coefficient of thermal expansion, and mechanical strength.
【0076】なお、無溶剤組成物が一旦硬化してしまえ
ば、静水圧をかける必要はない。そこで、硬化温度を2
段階以上とし、第1の温度で無溶剤組成物を硬化させた
のち、静水圧を解除して型抜きした後、第2の温度に保
持して、さらに硬化させてもよい。Once the solventless composition has been cured, it is not necessary to apply hydrostatic pressure. Therefore, set the curing temperature to 2
After the step or more, the solventless composition is cured at the first temperature, the hydrostatic pressure is released, the die is removed, and then the composition may be held at the second temperature for further curing.
【0077】なお、本発明の無溶剤組成物は、フィラー
の効果により硬化収縮が抑制される。従って、貫通めっ
きスルーホールに充填された硬化物107も収縮が抑制
されるため、スルーホール上部の硬化物表面にも、上層
に配線を形成する上で問題の無い程度の平坦性が確保さ
れる。In the solventless composition of the present invention, curing shrinkage is suppressed by the effect of the filler. Therefore, shrinkage of the hardened material 107 filled in the through-plated through holes is also suppressed, so that the flatness of the hardened material on the upper part of the through hole is ensured to the extent that there is no problem in forming wiring in the upper layer. .
【0078】上述のような工程により形成した多層配線
基板は、図1(e)に示すように、導体上面が露出して
いない場合がある。これは、金型104の表面を実際に
は完全に平坦にできないということと、金型104の表
面を完全に配線上面に密着させるのが困難であるという
ことと、配線層の高さを完全にそろえることが困難であ
るということとのためである。そのため、絶縁膜107
表面をウェットエッチング、ドライエッチング、機械研
磨、あるいは、これらを組み合わせた方法により除去
し、配線上面を露出させる必要がある。In the multilayer wiring board formed by the above-described steps, the upper surface of the conductor may not be exposed as shown in FIG. 1 (e). This is because the surface of the mold 104 cannot actually be made completely flat, it is difficult to make the surface of the mold 104 completely adhere to the upper surface of the wiring, and the height of the wiring layer is completely This is because it is difficult to align them. Therefore, the insulating film 107
It is necessary to remove the surface by wet etching, dry etching, mechanical polishing, or a combination thereof to expose the upper surface of the wiring.
【0079】露出工程において用いられるウェットエッ
チング液としては、絶縁膜107を溶解あるいは分解除
去できる酸性水溶液、アルカリ性水溶液、酸化性溶液、
および還元性溶液が挙げられ、絶縁膜および導体膜等の
性質に応じて、これらのうちから適当なものを選んで用
いることが望ましい。ドライエッチング法としてはO2
プラズマアッシャもしくはUV/O3が良い。また、機
械研磨法としては、バフ研磨法、サンドブラスト法ある
いは液体ホーニング法に代表される噴射加工法やラッピ
ング法が好ましい。As the wet etching liquid used in the exposing step, an acidic aqueous solution, an alkaline aqueous solution, an oxidizing solution, which can dissolve or decompose and remove the insulating film 107,
And reducing solutions, and it is desirable to select and use an appropriate one among them depending on the properties of the insulating film and the conductor film. O 2 is a dry etching method
Plasma asher or UV / O 3 is good. Further, as the mechanical polishing method, a buffing method, a sandblasting method, an injection processing method represented by a liquid honing method, or a lapping method is preferable.
【0080】この露出工程により、絶縁膜107を均一
にエッチバックすることができ、また、エッチングある
いは研磨された絶縁膜表面は後述するように下地導電膜
に対して、接着性が確保された面になる。By this exposing step, the insulating film 107 can be uniformly etched back, and the etched or polished surface of the insulating film is a surface whose adhesiveness is secured to the underlying conductive film as described later. become.
【0081】さらに、図1(f)に示すように、上面が
露出した配線導体の高さが著しく異なる場合には、必要
に応じて、導体上面を機械研磨もしくは化学研磨等によ
り研磨して導体高さを均一にしても良い。この場合に
は、研磨するのは導体のみであり、また、量も少ないの
で、従来技術で述べたような長時間かかる困難な作業に
はならない。Further, as shown in FIG. 1 (f), when the height of the exposed wiring conductor is significantly different, the conductor upper surface is polished by mechanical polishing, chemical polishing, or the like, if necessary. You may make height uniform. In this case, since only the conductor is ground and the amount thereof is small, it is not necessary to perform the difficult work that takes a long time as described in the prior art.
【0082】ここで、配線形成工程における、ベース基
板の垂直ビア導体と接続する下地導電膜を形成する工程
をさらに詳しく説明する。Here, the step of forming the underlying conductive film connected to the vertical via conductor of the base substrate in the wiring forming step will be described in more detail.
【0083】下地導電膜を形成する方法としては、公知
のドライ成膜法、例えば、スパッタリング法、蒸着法、
イオンプレーティング法、溶射法等を用いることができ
るし、また、無電解めっき法等のウェット法を用いるこ
ともできる。しかし、低コストで絶縁膜との接着強度に
優れた成膜方法としては無電解めっき法が好ましい。As a method for forming the underlying conductive film, known dry film forming methods such as sputtering method, vapor deposition method,
An ion plating method, a thermal spraying method, or the like can be used, and a wet method such as an electroless plating method can also be used. However, an electroless plating method is preferable as a film forming method which is low in cost and excellent in adhesive strength with an insulating film.
【0084】なお、絶縁膜表面に凸凹構造を形成するこ
とにより、無電解めっき膜の接着強度を向上させること
ができる。本発明では露出工程における表面除去処理
(ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研磨
等)に対し、樹脂硬化物(マトリクス成分)とは異なる
挙動を示す無機物の粉体、無機物の繊維、有機物の粉体
または有機高分子の繊維等からなるフィラーが、絶縁層
中に分散されている。このため、樹脂硬化物とフィラー
との間の露出工程での除去速度の差により、複雑な凸凹
構造が形成できる。このような絶縁膜粗面化処理を、露
出工程前あるいは後に、露出工程とは別の工程として行
ってもよい。By forming the uneven structure on the surface of the insulating film, the adhesive strength of the electroless plated film can be improved. In the present invention, an inorganic powder, an inorganic fiber, an organic powder that behaves differently from the cured resin (matrix component) in the surface removal treatment (wet etching, dry etching, mechanical polishing, etc.) in the exposure step, or A filler made of organic polymer fibers or the like is dispersed in the insulating layer. Therefore, a complicated uneven structure can be formed due to the difference in the removal rate between the resin cured product and the filler in the exposure step. Such an insulating film roughening process may be performed before or after the exposure process as a process different from the exposure process.
【0085】なお、例えば黒化処理や黒化還元処理、あ
るいは、ソフトエッチング等の処理により、上面に絶縁
膜を形成する前の配線層の表面に対しても粗面化処理を
行なうことが望ましい。It is desirable that the surface of the wiring layer before the insulating film is formed on the upper surface thereof is also roughened by, for example, blackening treatment, blackening reduction treatment, or treatment such as soft etching. .
【0086】以上説明した多層配線基板の製造方法によ
り、セラミック配線基板、メタルコア配線基板のみなら
ず、プリント配線基板上にも薄膜多層配線構造体が形成
できる。プリント配線基板をベース基板とする多層配線
基板の構造例を、図4に示す。By the manufacturing method of the multilayer wiring board described above, the thin film multilayer wiring structure can be formed not only on the ceramic wiring board and the metal core wiring board but also on the printed wiring board. FIG. 4 shows a structural example of a multilayer wiring board using the printed wiring board as a base substrate.
【0087】図4に示したプリント配線基板400は、
層間接続スルーホール406と、平面配線407と、ビ
ア配線402とを備える。層間接続スルーホール406
の内壁は、導体401によって覆われており、内部の貫
通孔は、本発明の無溶剤組成物の硬化物により充填され
ている。ビア配線402は、導体401,407の表面
に形成されている。The printed wiring board 400 shown in FIG.
The interlayer connection through hole 406, the plane wiring 407, and the via wiring 402 are provided. Interlayer connection through hole 406
The inner wall of (1) is covered with a conductor 401, and the through hole inside is filled with a cured product of the solventless composition of the present invention. The via wiring 402 is formed on the surfaces of the conductors 401 and 407.
【0088】図4に示したプリント配線基板400の表
裏両面には、本発明の無溶剤組成物の硬化物からなる層
間絶縁層404と導体パターン層403とが交互に形成
され、平面配線401,407と導体パターン層403
との間、および、導体パターン層403とその上層の導
体パターン層403との間は、ビア配線402,405
により導通可能に接続されている。プリント配線板表面
に形成された絶縁層404aと、スルーホール406内
部の柱状の絶縁物との間には、界面が形成されていな
い。本発明の製造方法によれば、ビア導体405は微細
な柱状にすることがる。Interlayer insulating layers 404 and conductor pattern layers 403 made of a cured product of the solventless composition of the present invention are alternately formed on both front and back surfaces of the printed wiring board 400 shown in FIG. 407 and conductor pattern layer 403
Vias and between the conductor pattern layer 403 and the conductor pattern layer 403 above it.
Are connected so as to be conductive. No interface is formed between the insulating layer 404a formed on the surface of the printed wiring board and the columnar insulator inside the through hole 406. According to the manufacturing method of the present invention, the via conductor 405 may have a fine columnar shape.
【0089】上述した本発明の基板製造方法によれば、
導体を変形、破壊すること無く、さらに、平坦(プリン
ト配線基板の場合は穴埋めされた貫通めっきスルーホー
ル上部も含む)でボイドやピンホールがなく、基板全域
にわたって膜厚及び物性の均一な絶縁膜を一度に形成す
ることができる。また、水平配線導体または垂直ビア導
体の上面が絶縁膜で覆われた場合の上面を露出させる工
程が、ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研
磨から選ばれる1種類以上の方法で他成分からなる絶縁
膜をエッチバックする方法なので、絶縁膜の平坦性を保
ったまま、導体上面を露出させることができ、さらにそ
の絶縁膜表面の接着性を確保することができる。またさ
らに、導体表面を僅かに露出させた状態で導体を研磨
し、導体高さを均一にするので、研磨工程が非常に簡単
で短時間になる。加えて、上記製造方法をベース基板の
表裏両面に同時に行なえば、ベース基板の反りを低減で
きるばかりか、工程数の削減、リードタイムの短縮が図
れる。According to the above-mentioned substrate manufacturing method of the present invention,
An insulating film that does not deform or break the conductor, is flat (including the top of the through-plated through hole that is filled in the case of a printed wiring board), has no voids or pinholes, and has a uniform film thickness and physical properties over the entire board. Can be formed at once. Further, when the upper surface of the horizontal wiring conductor or the vertical via conductor is covered with the insulating film, the step of exposing the upper surface is an insulating film composed of other components by one or more methods selected from wet etching, dry etching, and mechanical polishing. Since the etching back is performed, the upper surface of the conductor can be exposed while maintaining the flatness of the insulating film, and the adhesiveness of the surface of the insulating film can be secured. Furthermore, since the conductor is polished with the conductor surface slightly exposed to make the conductor height uniform, the polishing process is very simple and takes a short time. In addition, if the above manufacturing method is performed on both front and back surfaces of the base substrate at the same time, not only the warp of the base substrate can be reduced but also the number of steps and the lead time can be shortened.
【0090】このような多層配線基板の製造方法を用い
ると、ベース基板に両面プリント配線基板を用いた場
合、表裏両面の配線を接続する貫通めっきスルーホール
を樹脂で充填しつつ、表面配線上に絶縁層を形成できる
ので、ベースの両面プリント配線板の貫通めっきスルー
ホール中の間隙が、上層の薄膜配線層の形成に影響を及
ぼさなくなる。また、本発明の製造方法によれば、薄膜
多層配線層とベース基板の内層導体層との接続、あるい
は、ベース基板の両面の接続等、各導体層の接続のため
の貫通めっきスルーホールを、積層後に形成するが必要
ないため、薄膜多層配線層の配線密度を最大限に引き出
せる。According to the method for manufacturing a multilayer wiring board as described above, when a double-sided printed wiring board is used as the base board, resin is used to fill the through-plated through holes connecting the wirings on both the front and back surfaces with each other on the surface wirings. Since the insulating layer can be formed, the gap in the through-plated through hole of the double-sided printed wiring board of the base does not affect the formation of the upper thin film wiring layer. Further, according to the manufacturing method of the present invention, the connection between the thin-film multilayer wiring layer and the inner conductor layer of the base substrate, or the connection of both surfaces of the base substrate, through-plated through holes for the connection of each conductor layer, Since it is not necessary to form after lamination, the wiring density of the thin film multilayer wiring layer can be maximized.
【0091】さらに、本発明によれば、ビア導体の形状
が柱状であるので、ランドを含めたビア導体の占める表
面積がコンフォーマルビアの場合より小さい。従って、
高密度配線が可能になるので、プリント配線基板の領域
においては従来にない高密度な多層配線基板が形成でき
る。この他、ビア導体の上部が平坦なため、このビア導
体上面に、さらに柱状のビア導体を形成できるという利
点もある。このため、本発明によれば、1層隔てた薄膜
多層配線層の接続に2ヶ所のビア導体を使うことなく、
同一線上のビア導体ででき、配線面積をロスしない。ま
た、これによりサーマルビアも形成できる。Further, according to the present invention, since the via conductor has a columnar shape, the surface area occupied by the via conductor including the land is smaller than that of the conformal via. Therefore,
Since high-density wiring is possible, it is possible to form a high-density multilayer wiring board that has never been seen before in the area of the printed wiring board. In addition, since the upper portion of the via conductor is flat, there is an advantage that a columnar via conductor can be further formed on the upper surface of the via conductor. Therefore, according to the present invention, it is possible to connect the thin-film multilayer wiring layers separated by one layer without using two via conductors.
It is made of via conductors on the same line, and the wiring area is not lost. Moreover, a thermal via can also be formed by this.
【0092】この効果を数量的に計算すると、貫通スル
ーホールやインタースティシャルビアホールで層間接続
をとる通常のプリント配線基板で、格子ピッチを1.2
7mmとし、格子間に2本の配線を形成できるとして計
算した時の配線密度(格子の数、配線長を考慮)を1と
すると、本発明の多層配線基板の製造方法で形成した薄
膜多層配線層は格子ピッチ0.635mmに少なくとも
3本の配線を形成できるので相対配線密度は約3以上と
なる。これは面積を同じとすると通常のプリント配線基
板の信号層数を1/3以下に、逆に、信号層数を同じと
すると面積を1/3以下にすることができる計算にな
り、高密度化とコスト低減の効果が大きい。これに対し
て、ビルドアップ法では相対配線密度は約2となる。ま
た、製造の最終段階で貫通めっきスルーホールを形成す
ると、その面積分の配線をロスすることになる。Quantitatively calculating this effect, in a normal printed wiring board having interlayer connection with through through holes or interstitial via holes, the grid pitch is 1.2.
If the wiring density (considering the number of grids and the wiring length) is 7 when the wiring density is 7 mm and two wirings can be formed between the grids, the thin-film multilayer wiring formed by the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention. Since at least three wirings can be formed in the layer with a grid pitch of 0.635 mm, the relative wiring density is about 3 or more. This is a calculation that can reduce the number of signal layers of a normal printed wiring board to 1/3 or less if the areas are the same, and conversely if the number of signal layers is the same, the area can be reduced to 1/3 or less. Effect of cost reduction and cost reduction. On the other hand, in the build-up method, the relative wiring density is about 2. Further, if the through-plated through holes are formed in the final stage of manufacturing, the wiring for that area will be lost.
【0093】[0093]
【実施例】つぎに、本発明の実施例について、図面を用
いて説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定
されるものではない。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Note that the present invention is not limited to these examples.
【0094】〔実施例1〕 A.ベース基板の作製 本実施例では、ベース基板としてプリント配線基板を用
いて、上述の図4に示す多層配線基板を作製した。この
基板は両面プリント配線板の両表層導体を2種類の電源
層とし、この両面にXY信号層2層とグランド兼キャッ
プ層1層とを備える多層配線基板であるが、上記両面プ
リント配線板の内層にXY信号層2層を入れた4層板を
用いても良く、特にこれらの層構成、層数に限定される
ものではない。また、両面プリント配線板の片面に薄膜
多層配線層を形成しても良い。Example 1 A. Fabrication of Base Substrate In this example, a printed wiring board was used as the base substrate to fabricate the multilayer wiring board shown in FIG. This board is a multi-layer wiring board having two surface layer conductors of a double-sided printed wiring board as two kinds of power supply layers and two XY signal layers and one ground / cap layer on both sides. A four-layer plate having two XY signal layers as the inner layer may be used, and the layer structure and the number of layers are not particularly limited. Further, a thin film multilayer wiring layer may be formed on one surface of the double-sided printed wiring board.
【0095】本実施例では、まず、図2(a)の構造
の、層間接続スルーホールと、表面配線と、ビア導体と
を備える両面銅張ガラスエポキシプリント配線基板を製
造した。すなわち、まず、貫通めっきスルーホールを有
する両面銅張ガラスエポキシプリント配線基板の表面
に、ドライフィルムレジスト(50μm厚)をラミネー
トし、所望の位置に抜きパターンを形成する。そして、
レジストの抜きパターン内に硫酸銅水溶液を用いた電気
銅めっきにてビア導体を充填し、レジストを剥離する。
次ぎに、形成したビア導体表面、プリント基板の銅箔表
面や貫通スルーホールのめっき表面に電着レジストを形
成し、所望の位置に残しパターンを形成する。そして、
塩化第2銅エッチャントによりビア導体を残すようにプ
リント基板の銅箔を所望の形状にパターニングし、レジ
ストを剥離した。In this example, first, a double-sided copper-clad glass epoxy printed wiring board having an interlayer connection through hole, surface wiring, and via conductor having the structure shown in FIG. 2A was manufactured. That is, first, a dry film resist (thickness of 50 μm) is laminated on the surface of a double-sided copper-clad glass epoxy printed wiring board having a through-plated through hole, and a punching pattern is formed at a desired position. And
A via conductor is filled in the resist removal pattern by electrolytic copper plating using an aqueous solution of copper sulfate, and the resist is peeled off.
Next, an electrodeposition resist is formed on the formed via conductor surface, the copper foil surface of the printed circuit board, or the plating surface of the through-hole, and a pattern is formed at a desired position. And
The copper foil of the printed circuit board was patterned into a desired shape using a cupric chloride etchant so as to leave the via conductor, and the resist was peeled off.
【0096】本実施例では、以上のようにして作製した
プリント配線基板の表面に、図1(b)〜(h)と同様
にして薄膜配線層を形成し、多層配線基板を作製した。
ただし、図1では、ベース基板の一方の面のみに絶縁層
および薄膜配線層を形成しているが、本実施例では、ベ
ース基板の表裏両面に絶縁層および薄膜配線層を積層し
た。In this example, a thin-film wiring layer was formed on the surface of the printed wiring board manufactured as described above in the same manner as in FIGS. 1B to 1H to manufacture a multilayer wiring board.
However, in FIG. 1, the insulating layer and the thin film wiring layer are formed only on one surface of the base substrate, but in this example, the insulating layer and the thin film wiring layer were laminated on both front and back surfaces of the base substrate.
【0097】B.無溶剤組成物の調製 まず、シリカからなるフィラー(電気化学工業(株)製
「FB−3S」:重量平均粒径2.4μm)75体積部
と、エポキシ樹脂(油化シェルエポキシ(株)製「YX
−4000H」)16体積部およびフェノール樹脂(大
日本インキ化学工業(株)製「バーカムTD−213
1」)9体積部とを、バッチ式混練装置を使用し、混練
開始温度75℃、ブレード回転数50rpm、混練時間
7分の条件で混練して、フィラーを高濃度に含有する組
成物(高濃度組成物)を調製した。B. Preparation of Solvent-Free Composition First, 75 parts by volume of a filler made of silica (“FB-3S” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd .: weight average particle diameter 2.4 μm) and an epoxy resin (produced by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) "YX
-4000H ") and 16 parts by volume of phenolic resin (Dainippon Ink and Chemicals, Inc." Barcam TD-213 ").
1 ") 9 parts by volume are kneaded using a batch-type kneading device at a kneading start temperature of 75 ° C., a blade rotation speed of 50 rpm, and a kneading time of 7 minutes to obtain a composition containing a high concentration of filler (high Concentration composition) was prepared.
【0098】ついで、この高濃度組成物67体積部に、
上記エポキシ樹脂21体積部およびフェノール樹脂12
体積部を加え、上記ラボプラストミルを用いて、開始温
度50℃、回転数50rpmで5分間混練し、50℃ま
で冷却した後、硬化触媒(イミダゾール系、四国化成工
業(株)製「2PHZ」)を、エポキシ樹脂100重量
部に対して1.5重量部添加してさらに5分間混練し
て、無溶剤のシリカフィラー含有エポキシ樹脂組成物
(無溶剤組成物)を作製した。Then, to 67 parts by volume of this high-concentration composition,
21 parts by volume of the epoxy resin and 12 of the phenol resin
After adding a volume part and kneading for 5 minutes at a starting temperature of 50 ° C. and a rotation speed of 50 rpm using the Labo Plastomill, and cooling to 50 ° C., a curing catalyst (imidazole type, “2PHZ” manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) ) Was added to 100 parts by weight of the epoxy resin and kneaded for 5 minutes to prepare a solvent-free silica filler-containing epoxy resin composition (solvent-free composition).
【0099】なお、この希釈工程においては、ほかのバ
ッチ式混練装置を用いても、押出機やプラネタリーミキ
サー等の異種類の混練装置を用いても良い。本実施例で
用いたバッチ式混練装置の前面から見た概略断面図を、
図9(a)に示す。また、図9(a)のA−A’におけ
る断面図を、図9(b)に、図9(a)のB−B’にお
ける断面図を図9(c)に示す。In this dilution step, another batch type kneading device may be used, or a different type of kneading device such as an extruder or a planetary mixer may be used. A schematic cross-sectional view seen from the front of the batch-type kneading apparatus used in this example,
It is shown in FIG. Further, a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 9A is shown in FIG. 9B, and a sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 9A is shown in FIG. 9C.
【0100】本実施例で用いた混練装置は、図9(a)
に示すように、2つの円柱形の混練室91を備える筐体
90と、混練室91内の物質を混練するための三角柱形
のブレード92と、被混練物投入口を閉鎖するためのフ
ローティングウエイト93と、筐体90を加熱するため
のヒータ(図示せず)とを備える。2つの混練室91
は、流路95を介して連通されており、該流路95の上
部には、被混練物投入口が設けられている。フローティ
ングウエイト93は、この被混練物投入口上に、上下動
可能に取り付けられており、最も下がった状態では、被
混練物投入口を閉鎖し、最も上がった状態では、被混練
物投入口が開放されるので、被混練物を投入することが
可能になる。2つのブレードは、それぞれ、モータ(図
示せず)に接続された軸94を備え、該軸94の回転に
伴い、それぞれ逆方向に回転することにより、混練室9
1内の被混練物を混練する。The kneading apparatus used in this example is shown in FIG.
As shown in FIG. 11, a housing 90 having two cylindrical kneading chambers 91, a triangular prism-shaped blade 92 for kneading the substances in the kneading chambers 91, and a floating weight for closing the kneading object inlet. 93 and a heater (not shown) for heating the housing 90. Two kneading chambers 91
Are communicated with each other through a flow channel 95, and a kneading target charging port is provided at an upper portion of the flow channel 95. The floating weight 93 is vertically movably mounted on the kneading object feeding port. When the floating weight 93 is in the lowest position, the kneading object feeding port is closed, and in the most raised state, the kneading object feeding port is open. Therefore, it becomes possible to add the material to be kneaded. Each of the two blades is provided with a shaft 94 connected to a motor (not shown), and as the shaft 94 rotates, the two blades rotate in opposite directions, so that the kneading chamber 9
The material to be kneaded in 1 is kneaded.
【0101】このような装置としては、例えば、(株)
東洋精機製作所製「ラボプラストミル」がある。この
他、密閉型としてより量産性に優れた装置として(株)
神戸製鋼所製「MIXTRON BB」および「MIX
TRON KD」、開放型には一般的な3本ロール式混
練装置等がある。As such a device, for example,
There is a "Labo Plastomill" manufactured by Toyo Seiki Seisakusho. In addition to this, as a closed type device with better mass productivity
Kobe Steel "MIXTRON BB" and "MIX
TRON KD ”and the open type include a general three-roll type kneading device.
【0102】C.多層配線基板の作製 (1)組成物供給工程 上記無溶剤組成物を、10torrの雰囲気中で、上下
方向の圧縮圧力5kgf/cm2と横方向からの空気圧
4.5kgf/cm2とを印加しつつ、70℃にて、テ
フロンシートを離型フィルムとして使用して、上下面を
テフロンコーティングした金型104の、基板に対向さ
せる2面の両方に溶融固着し、無溶剤組成物フィルム1
03を得た。なお、ここで上下方向とはフィルムの表裏
面の垂線方向をいい、横方向とは、フィルムの表裏面に
水平な方向をいう。本実施例では、このように、金型1
04表面に無溶剤組成物を付着させたのち、金型104
とベース基板100とを、無溶剤組成物フィルム103
と配線101,102とが対向するように配置して金型
104を組立てることにより、無溶剤組成物103を供
給した。C. The multilayer wiring Preparation of substrate (1) composition supply step the solventless composition, in an atmosphere of 10 torr, applying a pneumatic pressure 4.5 kgf / cm 2 from the compression pressure 5 kgf / cm 2 and lateral vertical At the same time, at 70 ° C., a Teflon sheet was used as a release film, and melt-fixed to both of the two surfaces of the mold 104 having upper and lower surfaces facing Teflon facing the substrate.
I got 03. Here, the up-down direction means the direction of the normals to the front and back surfaces of the film, and the lateral direction means the direction horizontal to the front and back surfaces of the film. In this embodiment, as described above, the mold 1
04 After applying the solventless composition to the surface, the mold 104
And the base substrate 100, the solventless composition film 103
The solventless composition 103 was supplied by assembling the mold 104 with the wiring 101 and the wiring 101 and 102 facing each other.
【0103】(2)排気工程および充填工程 つぎに、金型100と基板100の間隙105が10t
orrになるように吸排気口106から排気し、金型1
04の加熱を開始した。金型温度が50℃に達したとこ
ろで、金型104と基板100との間隙105を大気圧
に戻すと同時に上下方向の圧縮圧力5kgf/cm2と
横方向からの空気圧4.5kgf/cm2とを印加し、
無溶剤組成物103を導体101,102の間隙および
貫通めっきスルーホール(図1には図示せず)内に充填
した。なお、間隙105を大気圧に戻すと同時に上下方
向および横方向からの圧力を印加する温度を、以下、静
水圧印加温度と呼ぶ。(2) Exhaust process and filling process Next, the gap 105 between the mold 100 and the substrate 100 is 10 t.
The air is exhausted from the intake / exhaust port 106 so as to become orr, and the mold 1
04 heating started. When the mold temperature reaches 50 ° C., the gap 105 between the mold 104 and the substrate 100 is returned to atmospheric pressure, and at the same time, the vertical compression pressure is 5 kgf / cm 2 and the lateral air pressure is 4.5 kgf / cm 2 . Is applied,
The solventless composition 103 was filled in the gap between the conductors 101 and 102 and the through-plated through holes (not shown in FIG. 1). The temperature at which the pressure in the vertical direction and the pressure in the horizontal direction are applied at the same time when the gap 105 is returned to the atmospheric pressure is hereinafter referred to as the hydrostatic pressure application temperature.
【0104】(3)加圧硬化工程 静水圧を維持したまま、金型104を昇温させ、金型温
度が160℃に達したところで、そのままの状態を30
分間維持して、組成物103を硬化させた。これによ
り、平坦でボイドやピンホールがなく、物性の均一な硬
化膜107が得られた。(3) Pressure-Curing Step The mold 104 is heated while maintaining the hydrostatic pressure, and when the mold temperature reaches 160 ° C., the state is maintained as it is for 30 minutes.
Hold for minutes to allow composition 103 to cure. As a result, a cured film 107 that was flat and had uniform physical properties without voids or pinholes was obtained.
【0105】(4)露出工程 このようにして作製した基板のビア導体102の上面に
は、導体が露出した所と露出していない所があった。そ
こで、基板100を、さらに180℃で1時間加熱した
後、過マンガン酸カリウム0.3mol/lと水酸化ナ
トリウム2mol/lとを含むエッチング組成液(80
℃)に45分間浸漬して絶縁層をエッチバックして絶縁
層に覆われていたビア導体を露出させ、露出しているビ
ア導体の上面を#240、回転数2000rpmでバフ
研磨して、ビア導体高の均一化と上面清浄化、及び絶縁
層表面の粗化を行った。(4) Exposing Step On the upper surface of the via conductor 102 of the substrate thus manufactured, there were places where the conductor was exposed and places where the conductor was not exposed. Therefore, the substrate 100 is further heated at 180 ° C. for 1 hour, and then an etching composition liquid (80 mol) containing potassium permanganate (0.3 mol / l) and sodium hydroxide (2 mol / l) is used.
C.) for 45 minutes to etch back the insulating layer to expose the via conductor covered with the insulating layer, and buff the upper surface of the exposed via conductor with # 240 at a rotation speed of 2000 rpm to remove the via conductor. The conductor height was made uniform, the top surface was cleaned, and the insulating layer surface was roughened.
【0106】(5)配線層形成工程 つぎに、この絶縁層107を形成した基板100上に、
薄膜配線層を形成した。まず、この基板100の絶縁層
107表面に、無電解銅めっき法により約0.5μmの
下地導電膜を成膜した後、第1のドライフィルムレジス
ト膜を形成し、水平配線導体用の所望の抜きパターンを
形成した。次いで、電気銅めっき法を用いて、下地導電
膜の露出部分に、第1のレジストの膜厚と同程度の高さ
の平面配線導体108を形成した。(5) Wiring Layer Forming Step Next, on the substrate 100 having the insulating layer 107 formed thereon,
A thin film wiring layer was formed. First, after forming an underlying conductive film of about 0.5 μm on the surface of the insulating layer 107 of the substrate 100 by an electroless copper plating method, a first dry film resist film is formed to obtain a desired horizontal wiring conductor. A blank pattern was formed. Next, a planar wiring conductor 108 having the same height as the film thickness of the first resist was formed on the exposed portion of the underlying conductive film by using the electrolytic copper plating method.
【0107】つぎに、第1のレジスト膜および平面配線
導体108の表面に、第2のドライフィルムレジスト膜
を形成し、垂直ビア導体用の所望の抜きパターンを形成
し、電気銅めっき法を用いて、平面配線導体108の露
出部分に、第2のレジスト膜厚と同程度の高さの垂直ビ
ア導体109を形成した。そして、平面配線導体108
と垂直ビア導体109との形成に使用した第1および第
2のレジスト膜を剥離し、下地導電膜を塩化第2銅エッ
チャントによりエッチング除去した。以上により、平面
配線導体108と垂直ビア導体109とからなる薄膜配
線層が得られた。Next, a second dry film resist film is formed on the surfaces of the first resist film and the plane wiring conductor 108, a desired punching pattern for a vertical via conductor is formed, and an electrolytic copper plating method is used. Then, a vertical via conductor 109 having the same height as the second resist film thickness was formed on the exposed portion of the planar wiring conductor 108. Then, the plane wiring conductor 108
The first and second resist films used for forming the vertical via conductors 109 were peeled off, and the underlying conductive film was removed by etching with a cupric chloride etchant. As described above, a thin film wiring layer including the planar wiring conductor 108 and the vertical via conductor 109 was obtained.
【0108】(6)薄膜配線層の積層 以上により得られた薄膜配線層の表面に、さらに、上述
の(1)〜(5)と同様の処理を行ったのち、(1)〜
(4)と同様の処理を行い、最後に、最上層の平面配線
導体を、上述の(5)と同様の方法(使用した材料およ
びプロセスは本質的には変わらない。異なるのは平面配
線導体と垂直ビア導体の2層ではなく、平面配線導体の
1層のみを形成する所にある。)により形成した。これ
により、図4に示す構造を有する厚膜・薄膜複合多層配
線基板が得られた。なお、平面配線導体の最小導体幅は
50μm、最小ピッチは100μm、導体高は最内層が
35μm、それ以外は25μmであり、垂直ビア導体は
50μmφで、配線高50μmである。(6) Lamination of Thin Film Wiring Layer The surface of the thin film wiring layer obtained as described above is further subjected to the same treatments as in (1) to (5) above, and then (1) to
The same treatment as in (4) is performed, and finally, the uppermost plane wiring conductor is treated in the same manner as in (5) above (the materials and processes used are essentially the same. And not only two layers of vertical via conductors, but only one layer of planar wiring conductors.). As a result, a thick film / thin film composite multilayer wiring board having the structure shown in FIG. 4 was obtained. The minimum conductor width of the planar wiring conductor is 50 μm, the minimum pitch is 100 μm, the conductor height is 35 μm in the innermost layer, and the other is 25 μm, the vertical via conductor is 50 μmφ, and the wiring height is 50 μm.
【0109】得られた多層配線基板の絶縁層中には、フ
ィラーが均一に分散しており、粒径50μm以上のフィ
ラーの凝集体は見られなかった。このため、得られた多
層配線基板は、絶縁層と導体層との接着性がよく、配線
の断線や短絡も見られなかった。The filler was uniformly dispersed in the insulating layer of the obtained multilayer wiring board, and no aggregate of filler having a particle size of 50 μm or more was found. Therefore, the obtained multilayer wiring board had good adhesiveness between the insulating layer and the conductor layer, and no disconnection or short circuit of the wiring was observed.
【0110】〔実施例2〕本実施例では、実施例1と同
様にして、図4に示すものと同様の、8層の配線層を備
える多層配線基板を作製した。ただし、本実施例では、
エポキシ樹脂として大日本インキ化学工業(株)製「E
XA−4700」を用い、フェノール樹脂として荒川化
学工業(株)製「タマノル758」を用い、硬化触媒は
使用しなかった。また、シリカからなるフィラーとして
(株)アドマテックス製「アドマファインSO−E2」
(重量平均粒径0.6μm)を用い、高濃度組成物調製
時の混練開始温度を100℃にし、希釈工程の開始温度
を70℃にし、静水圧印加温度を70℃とした。また、
(3)の加圧硬化工程では、静水圧を維持したまま、金
型104を昇温させ、金型温度が200℃に達したとこ
ろで、そのままの状態を30分間維持した後、静水圧を
解除しつつさらに昇温させて、220℃に達したところ
で、そのままの状態を1時間保持して、組成物103を
硬化させた。本実施例においても、実施例1と同様の良
好な基板が得られた。Example 2 In this example, a multilayer wiring board having eight wiring layers similar to that shown in FIG. 4 was prepared in the same manner as in Example 1. However, in this embodiment,
"E" made by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. as an epoxy resin
XA-4700 "was used," Tamanor 758 "manufactured by Arakawa Chemical Industry Co., Ltd. was used as a phenol resin, and a curing catalyst was not used. Also, as a filler made of silica, "Admafine SO-E2" manufactured by Admatechs Co., Ltd.
(Weight average particle size 0.6 μm), the kneading start temperature at the time of preparing the high-concentration composition was 100 ° C., the starting temperature of the dilution step was 70 ° C., and the hydrostatic pressure application temperature was 70 ° C. Also,
In the pressure curing step (3), the mold 104 is heated while maintaining the hydrostatic pressure, and when the mold temperature reaches 200 ° C., the state is maintained for 30 minutes and then the hydrostatic pressure is released. Then, the temperature was further raised, and when it reached 220 ° C., the state as it was was maintained for 1 hour to cure the composition 103. Also in this example, a good substrate similar to that in Example 1 was obtained.
【0111】〔実施例3〕露出工程において、エッチン
グ組成液を用いてエッチバックする代わりにO2プラズ
マアッシングにより絶縁層をエッチバックした他は、実
施例1と同様にして、8層の配線層を備える多層配線基
板を作製した。O2プラズマアッシング装置の条件は、
O2流量:5SCCM、O2分圧:2.7Pa、入射電
力:100W、処理時間:15分とした。本実施例にお
いても、実施例1と同様の良好な基板が得られた。Example 3 Eight wiring layers were formed in the same manner as in Example 1 except that in the exposing step, the insulating layer was etched back by O 2 plasma ashing instead of being etched back using the etching composition liquid. A multi-layer wiring board having The conditions for the O 2 plasma ashing system are
O 2 flow rate: 5 SCCM, O 2 partial pressure: 2.7 Pa, incident power: 100 W, processing time: 15 minutes. Also in this example, a good substrate similar to that in Example 1 was obtained.
【0112】〔実施例4〕本実施例では、実施例1と同
様にして、8層の配線層を備える多層配線基板を作製し
た。ただし、本実施例では、フィラーとして、ポリイミ
ドからなるフィラー(宇部興産(株)製「ユーピレック
スUIP−R」:重量平均粒径8.9μm)を用い、高
濃度組成物の混練開始温度を100℃とし、希釈工程の
混練開始温度を70℃とした。また、無溶剤組成物を金
型104に溶融固着する際の温度を90℃とし、静水圧
印加温度を80℃とした。さらに、過マンガン酸カリウ
ム−水酸化ナトリウム系のエッチング組成液に浸漬する
時間を20分間にした。本実施例においても、実施例1
と同様の良好な基板が得られた。Example 4 In this example, a multilayer wiring board having eight wiring layers was prepared in the same manner as in Example 1. However, in this example, a filler made of polyimide (“UPILEX UIP-R” manufactured by Ube Industries, Ltd .: weight average particle diameter 8.9 μm) was used as the filler, and the kneading start temperature of the high-concentration composition was 100 ° C. And the kneading start temperature in the dilution step was 70 ° C. The temperature at which the solventless composition was melted and fixed to the mold 104 was 90 ° C, and the hydrostatic pressure application temperature was 80 ° C. Further, the time of immersion in the potassium permanganate-sodium hydroxide-based etching composition liquid was set to 20 minutes. Also in this embodiment, the first embodiment
A good substrate similar to the above was obtained.
【0113】〔実施例5〕無溶剤組成物として、つぎの
ようにして調製したものを用いた他は、実施例1と同様
にして多層配線基板を作製したところ、実施例1と同様
の良好な基板が得られた。なお、無溶剤組成物の原料
(フィラー、樹脂および硬化触媒)は、実施例1と同様
である。本実施例における無溶剤組成物の調製方法を、
つぎに説明する。Example 5 A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the solventless composition prepared as follows was used. A good substrate was obtained. The raw materials (filler, resin and curing catalyst) of the solventless composition are the same as in Example 1. A method for preparing a solventless composition in this example,
This will be described below.
【0114】まず、シリカからなるフィラー75体積部
と、フェノール樹脂25体積部とを「ラボプラストミ
ル」を使用し、混練開始温度70℃、ブレード回転数5
0rpm、混練時間7分の条件で混練して、高濃度組成
物を調製した。つぎに、この高濃度組成物68体積部に
エポキシ樹脂32体積部を加え、上記「ラボプラストミ
ル」で、開始温度50℃、回転数50rpmの条件で5
分間混練し、50℃まで冷却した後、イミダゾール系硬
化触媒を、エポキシ樹脂100重量部に対して1.5重
量%添加して、さらに5分間混練し、絶縁層の形成に用
いる無溶剤組成物を得た。First, 75 parts by volume of a filler made of silica and 25 parts by volume of a phenol resin were used in a "Laboplast mill" at a kneading start temperature of 70 ° C. and a blade rotation number of 5
A high-concentration composition was prepared by kneading at 0 rpm for 7 minutes. Next, 32 parts by volume of the epoxy resin was added to 68 parts by volume of the high-concentration composition, and the above "Labo Plastomill" was used to perform 5
After kneading for 10 minutes and cooling to 50 ° C., 1.5 wt% of an imidazole-based curing catalyst is added to 100 parts by weight of an epoxy resin, and kneading for another 5 minutes, which is used for forming an insulating layer. Got
【0115】〔実施例6〕露出工程において、エッチバ
ック後に、露出しているビア導体の上面をバフ研磨する
代わりにラッピングした他は、実施例1と同様にして、
8層の配線層を備える多層配線基板を作製した。得られ
た基板は、実施例1と同様に良好であった。なお、本実
施例におけるラッピング処理では、ラップに鋳鉄を、砥
粒に#240炭化けい素を、ラップ液に水を、それぞれ
用い、ラップ圧力150g/cm2、基板/ラップ相対
速度30mm/分で絶縁層、ビア導体をラッピングし
て、ビア導体高の均一化と上面清浄化、及び絶縁層表面
の粗化を一括して行った。[Embodiment 6] In the exposure process, after etching back, the exposed upper surface of the via conductor is lapped instead of being buffed, in the same manner as in Embodiment 1,
A multilayer wiring board having eight wiring layers was produced. The obtained substrate was good as in Example 1. In the lapping process of this example, cast iron was used as the lap, # 240 silicon carbide was used as the abrasive grains, and water was used as the lap liquid. The lap pressure was 150 g / cm 2 , and the substrate / lap relative speed was 30 mm / min. By lapping the insulating layer and the via conductor, the height of the via conductor was made uniform, the upper surface was cleaned, and the surface of the insulating layer was roughened at once.
【0116】〔実施例7〕本実施例では、高濃度組成物
の調製に際して、酸化防止剤(「スミライザーBHT」
(住友化学工業(株)製))と、滑剤(ステアリン酸カ
ルシウム(日本油脂(株)製))とを、それぞれ、エポ
キシ樹脂およびフェノール樹脂の総量に対して1重量%
ずつ添加した以外は、実施例1と同様にして8層の配線
層を有する多層配線基板を作製した。得られた基板は、
実施例1と同様に良好であった。Example 7 In this example, an antioxidant (“Sumilyzer BHT”) was used when preparing a high-concentration composition.
(Manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and a lubricant (calcium stearate (manufactured by NOF CORPORATION)) in an amount of 1% by weight based on the total amount of the epoxy resin and the phenol resin, respectively.
A multilayer wiring board having eight wiring layers was produced in the same manner as in Example 1 except that the wiring layers were added one by one. The obtained substrate is
It was good as in Example 1.
【0117】〔実施例8〕本実施例では、高濃度組成物
の調製に際して、酸化防止剤(「スミライザーBHT」
および「スミライザーTPL」(ともに住友化学工業
(株)製))と、滑剤(「ポリエチレンワックス」(日
本石油(株)製))とを添加した以外は、実施例1と同
様にして8層の配線層を有する多層配線基板を作製し
た。得られた基板は、実施例1と同様に良好であった。
なお、各酸化防止剤の添加量は、それぞれ、エポキシ樹
脂およびフェノール樹脂の総量に対して0.5重量%ず
つとした。また、滑剤の添加量は、エポキシ樹脂とフェ
ノール樹脂の総量に対して0.5重量%とした。Example 8 In this example, an antioxidant (“Sumilyzer BHT”) was used when preparing a high-concentration composition.
And 8 layers in the same manner as in Example 1 except that "Sumilyzer TPL" (both manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) and a lubricant ("Polyethylene wax" (manufactured by Nippon Oil Co., Ltd.)) were added. A multilayer wiring board having a wiring layer was produced. The obtained substrate was good as in Example 1.
The amount of each antioxidant added was 0.5 wt% with respect to the total amount of the epoxy resin and the phenol resin. The amount of the lubricant added was 0.5% by weight based on the total amount of the epoxy resin and the phenol resin.
【0118】〔実施例9〕本実施例では、実施例5と同
様にして8層の配線層を有する多層配線基板を作製し
た。ただし、本実施例では、高濃度組成物の調製に際し
て、フェノール樹脂に対して1重量%の硬化触媒(トリ
フェニルホスフィン(ケイ・アイ化成(株)製))と、
フェノール樹脂に対して2重量%の酸化防止剤(「スミ
ライザーBHT」(住友化学工業(株)製))とを添加
した。また、希釈工程において、この高濃度組成物を希
釈する際に、硬化触媒の添加はせずに、滑剤(ステアリ
ン酸カルシウム(日本油脂(株)製))をエポキシ樹脂
およびフェノール樹脂の総量に対して0.5重量%添加
した。得られた基板は、実施例5と同様に良好であっ
た。Example 9 In this example, a multilayer wiring board having eight wiring layers was prepared in the same manner as in Example 5. However, in this example, when preparing a high-concentration composition, 1% by weight of a curing catalyst (triphenylphosphine (KAI Co., Ltd.)) with respect to the phenol resin,
2% by weight of an antioxidant (“Sumilyzer BHT” (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)) was added to the phenol resin. In addition, in the dilution step, when diluting the high-concentration composition, a lubricant (calcium stearate (manufactured by NOF CORPORATION)) was added to the total amount of the epoxy resin and the phenol resin without adding a curing catalyst. 0.5 wt% was added. The obtained substrate was good as in Example 5.
【0119】〔実施例10〕無溶剤組成物として、つぎ
のようにして調製したものを用い、静水圧印加温度を7
0℃にし、硬化条件を、加圧下で160℃に30分保持
した後、圧力を解消しつつさらに加熱して180℃で1
時間保持するとして、難燃性の絶縁層を形成した他は、
実施例1と同様にして多層配線基板を作製した。本実施
例によっても、実施例1と同様の良好な基板が得られ
た。本実施例における無溶剤組成物の調製方法を、つぎ
に説明する。Example 10 A solventless composition prepared as follows was used, and the hydrostatic pressure application temperature was set to 7
After the temperature is set to 0 ° C. and the curing condition is kept under pressure at 160 ° C. for 30 minutes, the pressure is released and further heated to 180 ° C.
Other than forming a flame-retardant insulating layer for holding time,
A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1. Also in this example, a good substrate similar to that in Example 1 was obtained. The method for preparing the solventless composition in this example is described below.
【0120】まず、シリカからなるフィラー(電気化学
工業(株)製「FB−3S」)70体積部と、含臭素エ
ポキシ樹脂(日本化薬(株)製「BREN−S」)1
4.5体積部と、フェノール樹脂(大日本インキ化学工
業(株)製「バーカムTD−2131」)14.5体積
%と、難燃助剤(三酸化二アンチモン)0.8体積部
と、酸化防止剤(「スミライザーBHT」(住友化学工
業(株)製))0.1体積部と、滑剤(ステアリン酸カ
ルシウム(日本油脂(株)製))0.1体積部とを、実
施例1と同じバッチ式密閉型混練装置(「ラボプラスト
ミル」)を使用し、混練開始温度70℃、ブレード回転
数50rpm、混練時間7分の条件で混練して、高濃度
組成物を調製した。First, 70 parts by volume of a filler made of silica (“FB-3S” manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK) and a bromine-containing epoxy resin (“BREN-S” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) 1
4.5 parts by volume, phenol resin (Dainippon Ink and Chemicals, Incorporated "Burkham TD-2131") 14.5% by volume, flame retardant auxiliary (antimony trioxide) 0.8 parts by volume, An antioxidant (“Sumilyzer BHT” (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)) 0.1 part by volume and a lubricant (calcium stearate (manufactured by NOF Corporation)) 0.1 part by volume were used as in Example 1. Using the same batch type closed type kneading device (“Labo Plastomill”), kneading was performed at a kneading start temperature of 70 ° C., a blade rotation speed of 50 rpm, and a kneading time of 7 minutes to prepare a high-concentration composition.
【0121】つぎに、この高濃度組成物72体積部に上
記エポキシ樹脂14体積部とフェノール樹脂14体積部
とを加え、「ラボプラストミル」で、開始温度55℃、
回転数50rpmで5分間混練し、55℃まで冷却した
後、硬化触媒(イミダゾール系、四国化成工業(株)製
「2PHZ」)を、エポキシ樹脂に対して1.5重量%
添加し、さらに5分間混練して、シリカフィラー含有エ
ポキシ樹脂組成物(無溶剤組成物)を得た。Next, 14 parts by volume of the epoxy resin and 14 parts by volume of the phenolic resin were added to 72 parts by volume of the high-concentration composition, and the starting temperature was 55 ° C. with a “Labo Plastomill”.
After kneading at a rotation speed of 50 rpm for 5 minutes and cooling to 55 ° C., a curing catalyst (imidazole type, “2PHZ” manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.) was added to the epoxy resin at 1.5% by weight.
The mixture was added and kneaded for a further 5 minutes to obtain a silica filler-containing epoxy resin composition (solvent-free composition).
【0122】〔実施例11〕用いる無溶剤組成物が異な
る他は、実施例1と同様にして多層配線基板を作製し
た。ただし、本実施例では、組成物供給工程において、
金型104表面に無溶剤組成物103膜を溶融固着する
代わりに、無溶剤組成物を重量平均粒径100μmに粉
砕したものを、基板上面と下金型上とに敷き詰めること
により組成物を供給した。また、静水圧印加温度を12
0℃とし、上下方向からの圧縮圧力を30kgf/cm
2、横方向からの空気圧を3.0kgf/cm2とした。
さらに、加圧下での硬化条件を190℃30分とし、こ
れに加えて、圧力を解消しつつ加熱して、230℃で1
時間保持して無溶剤組成物を加熱硬化させた。さらに、
本実施例では、露出工程におけるエッチング組成液に浸
漬する時間を20分間とした。本実施例においても、実
施例1と同様に、良好な基板が得られた。本実施例にお
ける無溶剤組成物の調製方法を、つぎに説明する。Example 11 A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the solventless composition used was different. However, in this example, in the composition supplying step,
Instead of melting and fixing a film of the solventless composition 103 on the surface of the mold 104, a composition obtained by crushing the solventless composition into a weight average particle size of 100 μm is spread on the upper surface of the substrate and the lower mold to supply the composition. did. Moreover, the hydrostatic pressure application temperature is set to 12
0 ° C, vertical compression pressure of 30 kgf / cm
2 and the air pressure from the lateral direction was 3.0 kgf / cm 2 .
Further, the curing condition under pressure is 190 ° C. for 30 minutes, and in addition to this, heating is performed while releasing the pressure, and the temperature is set to 1 at 230 ° C.
The solventless composition was heated and cured by holding for a time. further,
In this example, the time of immersion in the etching composition liquid in the exposing step was set to 20 minutes. Also in this example, as in the case of Example 1, a good substrate was obtained. The method for preparing the solventless composition in this example is described below.
【0123】まず、シリカからなるフィラー(電気化学
工業(株)製「FB−3S」)60体積部と、エポキシ
樹脂(油化シェルエポキシ(株)製「エピコート100
4」)35体積部と、カルボン酸無水物(大日本インキ
化学工業(株)製「エピクロンB−4400」)4.7
体積部と、酸化防止剤(「スミライザーBHT」(住友
化学工業(株)製))0.2体積部と、滑剤(ステアリ
ン酸カルシウム(日本油脂(株)製))0.2体積部と
を、実施例1と同じバッチ式密閉型混練装置を使用し、
混練開始温度110℃、ブレード回転数50rpm、混
練時間7分の条件で混練して、高濃度組成物を調製し
た。First, 60 parts by volume of a filler made of silica (“FB-3S” manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and an epoxy resin (Epicoat 100 manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) are used.
4 ") and 35 parts by volume of carboxylic acid anhydride (Dainippon Ink and Chemicals, Inc." Epiclon B-4400 ") 4.7.
0.2 parts by volume of an antioxidant (“Sumilyzer BHT” (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)) and 0.2 parts by volume of a lubricant (calcium stearate (manufactured by NOF Corporation)). Using the same batch type closed kneading apparatus as in Example 1,
A high-concentration composition was prepared by kneading at a kneading start temperature of 110 ° C., a blade rotation speed of 50 rpm, and a kneading time of 7 minutes.
【0124】つぎに、この高濃度組成物67体積部に上
記エポキシ樹脂29体積部とカルボン酸無水物4体積部
を加え、上記混練装置で、開始温度90℃、回転数50
rpmで5分間混練し、90℃まで冷却した後、更に滑
剤(ステアリン酸カルシウム)と酸化防止剤(「スミラ
イザーBHT」)とを、エポキシ樹脂およびカルボン酸
無水物の総量に対して0.5重量%ずつ添加し、さらに
5分間混練して、絶縁層の形成に用いる無溶剤組成物を
得た。Next, 29 parts by volume of the epoxy resin and 4 parts by volume of carboxylic acid anhydride were added to 67 parts by volume of the high-concentration composition, and the starting temperature was 90 ° C. and the rotation speed was 50 at the kneading device.
After kneading at rpm for 5 minutes and cooling to 90 ° C., a lubricant (calcium stearate) and an antioxidant (“Sumilyzer BHT”) were further added to the epoxy resin and the carboxylic anhydride in an amount of 0.5% by weight. Each of them was added and kneaded for 5 minutes to obtain a solventless composition used for forming an insulating layer.
【0125】〔実施例12〕ビスマレイミドトリアジン
樹脂を含む無溶剤組成物を用いる他は、実施例1と同様
にして多層配線基板を作製した。ただし、本実施例で
は、静水圧印加温度を60℃とし、充填工程における上
下方向からの圧縮圧力を5.5kgf/cm2、横方向
からの空気圧を4.5kgf/cm2とした。また、加
圧硬化工程における加圧下での硬化条件を120℃30
分とし、その後、圧力を解消したのち加熱して、150
℃で1時間保持して、無溶剤組成物を硬化させた。さら
に、露出工程におけるエッチング組成液に浸漬する時間
を、30分間とした。本実施例においても、実施例1と
同様に、良好な基板が得られた。本実施例における無溶
剤組成物の調製方法を、つぎに説明する。Example 12 A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that a solventless composition containing a bismaleimide triazine resin was used. However, in this example, the hydrostatic pressure application temperature was 60 ° C., the compression pressure in the vertical direction in the filling step was 5.5 kgf / cm 2 , and the air pressure in the lateral direction was 4.5 kgf / cm 2 . In addition, the curing condition under pressure in the pressure curing step is 120 ° C. 30
Minutes, then release the pressure and heat to 150
The temperature was maintained for 1 hour at 0 ° C. to cure the solventless composition. Further, the time of immersion in the etching composition liquid in the exposing step was set to 30 minutes. Also in this example, as in the case of Example 1, a good substrate was obtained. The method for preparing the solventless composition in this example is described below.
【0126】まず、シリカフィラー(電気化学工業
(株)製「FB−3S」)75体積部と、ビスマレイミ
ドトリアジ樹脂(三菱ガス化学(株)製「BT−330
9T」)25体積部とを、実施例1と同じバッチ式密閉
型混練装置を使用し、混練開始温度80℃、ブレード回
転数50rpm、混練時間7分の条件で混練して、高濃
度組成物を調製した。つぎに、この高濃度組成物67体
積部に上記ビスマレイミドトリアジ樹脂33体積部を加
え、上記混練装置を用い、開始温度45℃、回転数50
rpmで10分間混練して、絶縁層の形成に用いる無溶
剤組成物を得た。First, 75 parts by volume of silica filler (“FB-3S” manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK) and bismaleimide triazine resin (“BT-330” manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.).
9T ") 25 parts by volume using the same batch type closed type kneading device as in Example 1 and kneading at a kneading start temperature of 80 ° C., a blade rotation speed of 50 rpm, and a kneading time of 7 minutes to obtain a high concentration composition. Was prepared. Then, 33 parts by volume of the bismaleimide triazide resin was added to 67 parts by volume of the high-concentration composition, and the kneading device was used to start temperature 45 ° C. and rotation speed 50.
The mixture was kneaded at rpm for 10 minutes to obtain a solventless composition used for forming an insulating layer.
【0127】〔実施例13〕ベンゾシクロブテン系化合
物を含む無溶剤組成物を用いる他は、実施例1と同様に
して多層配線基板を作製した。ただし、本実施例では、
静水圧印加温度を30℃とし、充填工程における上下方
向からの圧縮圧力を5.0kgf/cm2、横方向から
の空気圧を4.9kgf/cm2とした。また、加圧硬
化工程における加圧下での硬化条件を250℃30分と
し、その後、圧力を解消したのち、250℃のまま1時
間保持して、無溶剤組成物を硬化させた。さらに、露出
工程におけるエッチング組成液に浸漬する時間を、60
分間とした。本実施例においても、実施例1と同様に、
良好な基板が得られた。本実施例における無溶剤組成物
の調製方法を、つぎに説明する。Example 13 A multilayer wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that a solventless composition containing a benzocyclobutene compound was used. However, in this embodiment,
The hydrostatic pressure application temperature was 30 ° C., the compression pressure in the vertical direction in the filling step was 5.0 kgf / cm 2 , and the air pressure in the horizontal direction was 4.9 kgf / cm 2 . In addition, the curing condition under pressure in the pressure curing step was 250 ° C. for 30 minutes, the pressure was released thereafter, and the temperature was kept at 250 ° C. for 1 hour to cure the solventless composition. Furthermore, the time of immersion in the etching composition liquid in the exposing step is set to 60.
Minutes. Also in this embodiment, as in the first embodiment,
A good substrate was obtained. The method for preparing the solventless composition in this example is described below.
【0128】まず、シリカからなるフィラー(電気化学
工業(株)製「FB−3S」)75体積部と、180℃
で5時間加熱してオリゴマー化したシスビスベンゾシク
ロブテニルエテン24.9体積部と、酸化防止剤(「ス
ミライザーTPL」(住友化学工業(株)製))0.1
体積部とを、実施例1と同じバッチ式密閉型混練装置を
使用して、混練開始温度30℃、ブレード回転数50r
pm、混練時間7分の条件で混練して、高濃度組成物を
調製した。つぎに、この高濃度組成物67体積部に上記
ビスベンゾシクロブテン系オリゴマー33体積部とを加
え、上記混練装置を用いて、開始温度30℃、回転数5
0rpmで10分間混練して、絶縁層の形成に用いる無
溶剤組成物を得た。First, 75 parts by volume of a filler made of silica (“FB-3S” manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK) and 180 ° C.
24.9 parts by volume of cis-bisbenzocyclobutenyl ethene oligomerized by heating for 5 hours, and an antioxidant (“Sumilyzer TPL” (manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.)) 0.1
Using the same batch-type closed-type kneading device as in Example 1, kneading start temperature of 30 ° C. and blade rotation speed of 50 r
A high-concentration composition was prepared by kneading at pm for 7 minutes. Next, 33 parts by volume of the bisbenzocyclobutene-based oligomer was added to 67 parts by volume of the high-concentration composition, and the starting temperature was 30 ° C. and the rotation speed was 5 using the kneading device.
The mixture was kneaded at 0 rpm for 10 minutes to obtain a solventless composition used for forming an insulating layer.
【0129】〔比較例1〕実施例1で調製した無溶剤組
成物と同じ原料を用い、シリカフィラーと、エポキシ樹
脂と、フェノール樹脂とをバッチ式密閉型混練装置を用
い、混練開始温度50℃、ブレード回転数50rpmで
20分間混練して、実施例1と同じ組成比の無溶剤組成
物を調製した。この組成物の溶融粘度を昇温しながら
(5℃/分)測定したところ、図10(a)に示すよう
に80℃付近で最低粘度を示した後、硬化が始まる(1
60℃付近)まで徐々に粘度が上昇するという結果が得
られた。なお、図10(b)に示すように実施例1で作
製した組成物は硬化が始まるまで溶融粘度は低下し続け
た。Comparative Example 1 Using the same raw material as the solvent-free composition prepared in Example 1, silica filler, epoxy resin, and phenol resin were mixed at a kneading start temperature of 50 ° C. using a batch type closed kneading device. The mixture was kneaded at a blade rotation speed of 50 rpm for 20 minutes to prepare a solventless composition having the same composition ratio as in Example 1. When the melt viscosity of this composition was measured while increasing the temperature (5 ° C./min), it showed a minimum viscosity near 80 ° C. as shown in FIG.
The result was that the viscosity gradually increased up to about 60 ° C.). As shown in FIG. 10 (b), the composition prepared in Example 1 had a decrease in melt viscosity until curing started.
【0130】上述のようにして得られた無溶剤組成物を
用い、実施例1と同様にして、8層の配線層を有する多
層配線基板の作製を試みたが、形成した絶縁層には中心
部付近から放射状に幅数ミリの筋状のシリカ未分散部が
発生し、その上には充分な接着強度の配線が形成できな
かった。Using the solvent-free composition obtained as described above, an attempt was made to manufacture a multilayer wiring board having 8 wiring layers in the same manner as in Example 1. A non-dispersed portion of silica having a width of several millimeters was radially generated in the vicinity of the portion, and a wiring having sufficient adhesive strength could not be formed thereon.
【0131】〔比較例2〕実施例1で調製した無溶剤組
成物と同じ原料を用い、シリカフィラーと、エポキシ樹
脂と、フェノール樹脂と(組成比は実施例1と同じ)
に、それらの総量に対して30重量%のN,N−ジメチ
ルフォルムアミド(DMF)を加え、3本ロール(ロー
ル径50mm)を使用して室温、100rpmで10分
間混練した後、DMFを40℃、10Torrで減圧除
去して、シリカフィラー含有エポキシ樹脂組成物を作製
した。この組成物を用い、実施例1と同様に操作して、
8層の配線層を有する多層配線基板の作製を試みたが、
形成した絶縁層には、斑状のシリカ未分散部や組成物に
残存していたDMF由来のボイド・ピンホールが発生
し、それらの上には充分な接着強度の配線が形成できな
かった。[Comparative Example 2] Using the same raw material as the solvent-free composition prepared in Example 1, silica filler, epoxy resin, and phenol resin (composition ratio is the same as in Example 1).
30% by weight of N, N-dimethylformamide (DMF) with respect to the total amount thereof was added, and the mixture was kneaded using a three-roll (roll diameter 50 mm) at room temperature and 100 rpm for 10 minutes. The silica filler-containing epoxy resin composition was produced by removing under reduced pressure at 10 ° C. and 10 Torr. Using this composition, operating as in Example 1,
An attempt was made to produce a multilayer wiring board having eight wiring layers.
In the formed insulating layer, spotty silica undispersed parts and voids / pinholes derived from DMF remaining in the composition were generated, and wiring having sufficient adhesive strength could not be formed on them.
【0132】[0132]
【発明の効果】本発明によれば、微細なフィラーが均一
に分散した無溶剤組成物が得られる。また、この無溶剤
組成物を用いて絶縁層を形成することにより、絶縁層と
導体層との接着性がよく、配線の断線や短絡がない多層
配線基板が得られる。According to the present invention, a solventless composition in which fine fillers are uniformly dispersed can be obtained. Further, by forming an insulating layer using this solvent-free composition, a multilayer wiring board having good adhesiveness between the insulating layer and the conductor layer and free from disconnection or short circuit of wiring can be obtained.
【図1】本発明に係る多層配線基板の製造方法の一例を
示す工程図である。FIG. 1 is a process chart showing an example of a method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.
【図2】本発明に係るベース基板の形態例を示す部分断
面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a form example of a base substrate according to the present invention.
【図3】本発明に係るフィラーを含有する溶剤を含まな
い流動性高分子前駆体の供給形態例を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a supply form of a fluid polymer precursor containing no filler and containing a solvent according to the present invention.
【図4】本発明に係る多層プリント配線基板の一例を示
す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an example of a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図5】従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す工
程図である。FIG. 5 is a process drawing showing an example of a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.
【図6】従来の多層配線基板の製造方法の一例を示す工
程図である。FIG. 6 is a process chart showing an example of a conventional method for manufacturing a multilayer wiring board.
【図7】従来の多層プリント配線基板の一例を示す部分
断面図である。FIG. 7 is a partial cross-sectional view showing an example of a conventional multilayer printed wiring board.
【図8】従来の多層プリント配線基板の一例を示す部分
断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing an example of a conventional multilayer printed wiring board.
【図9】実施例1で用いられたバッチ式混練装置の構造
を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing the structure of the batch-type kneading device used in Example 1.
【図10】無溶剤組成物の溶融粘度挙動を示すグラフで
ある。FIG. 10 is a graph showing the melt viscosity behavior of a solventless composition.
100…ベース基板、101,108…平面配線、10
2,109…垂直ビア、103…無溶剤組成物、104
…金型、105…金型とベース基板との間隙、106…
給排気口、107…絶縁層、200…貫通めっきスルー
ホール、201…表層導体、202…ビア導体、203
…平面配線、204…垂直ビア導体、205…プリント
配線基板、206…メタルコア配線基板、207…セラ
ミック配線基板、400…プリント配線基板、401…
層間接続スルーホールの導体、402…ビア、403…
導体パターン層、404…層間絶縁膜層、405…ビア
導体、500…基板、501…下地金属層、502…レ
ジスト、503…レジストの溝部分、504…導体、5
05…絶縁層、600…基板、601…第1導電層、6
02…第2導電層、603…エポキシ樹脂あるいは半硬
化状態のポリイミド、604…第2導電層の表面、60
5…絶縁膜、606…第3導電層、701…プリント配
線基板表層導体、702…ビルドアップの導体層、70
3…コンフォーマルビア、704…貫通めっきスルーホ
ール、800…プリント配線基板、801,802,8
03,804,807…導体層、805a…貫通めっき
スルーホール、806…無溶剤組成物硬化物、90…筐
体、91…混練室91、92…ブレード92、93…フ
ローティングウエイト、94…軸、95…流路95。100 ... Base substrate, 101, 108 ... Planar wiring, 10
2, 109 ... Vertical via, 103 ... Solventless composition, 104
... Mold, 105 ... Gap between mold and base substrate, 106 ...
Air supply / exhaust port, 107 ... Insulating layer, 200 ... Through-plated through hole, 201 ... Surface conductor, 202 ... Via conductor, 203
... Planar wiring, 204 ... Vertical via conductors, 205 ... Printed wiring board, 206 ... Metal core wiring board, 207 ... Ceramic wiring board, 400 ... Printed wiring board, 401 ...
Interlayer connection through-hole conductor, 402 ... Via, 403 ...
Conductor pattern layer, 404 ... Interlayer insulating film layer, 405 ... Via conductor, 500 ... Substrate, 501 ... Base metal layer, 502 ... Resist, 503 ... Resist groove portion, 504 ... Conductor, 5
05 ... Insulating layer, 600 ... Substrate, 601 ... First conductive layer, 6
Reference numeral 02 ... Second conductive layer, 603 ... Epoxy resin or semi-cured polyimide, 604 ... Second conductive layer surface, 60
Reference numeral 5 ... Insulating film, 606 ... Third conductive layer, 701 ... Printed wiring board surface layer conductor, 702 ... Build-up conductor layer, 70
3 ... Conformal via, 704 ... Through-plated through hole, 800 ... Printed wiring board, 801, 802, 8
03, 804, 807 ... Conductor layer, 805a ... Through-plated through hole, 806 ... Cured product of solventless composition, 90 ... Casing, 91 ... Kneading chamber 91, 92 ... Blade 92, 93 ... Floating weight, 94 ... Shaft, 95 ... Channel 95.
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/03 610 H05K 1/03 610S 3/46 3/46 T N B (72)発明者 樫村 隆司 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 大澤 俊之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 京井 正之 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 橋本 悟 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内Continuation of front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI Technical indication location H05K 1/03 610 H05K 1/03 610S 3/46 3/46 T N B (72) Inventor Takashi Kashimura Kanagawa 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Hitachi, Ltd., Production Technology Research Institute (72) Inventor Toshiyuki Osawa, 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, Ltd., Hitachi, Ltd., Production Technology Research Institute (72) Inventor Keii Masayuki, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa, Ltd., Hitachi, Ltd., Production Engineering Laboratory (72) Inventor, Satoru Hashimoto, 216 Totsuka-cho, Totsuka-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture, Hitachi, Ltd., Information & Communication Division
Claims (21)
物前駆体のうちの少なくとも一種であり、 上記フィラーは、無機物の粉体、無機物の繊維、有機物
の粉体、および有機高分子の繊維のうちの少なくとも一
種であり、粒子および/または凝集体の形で上記マトリ
クス成分に分散しており、 上記フィラーの粒子および/または凝集体の粒径は、5
0μm未満であり、 溶剤を含まないことを特徴とする無溶剤組成物。1. A matrix component comprising 100 parts by volume and a filler 1 to 300 parts by volume, wherein the matrix component is at least one of a polymer compound and a polymer compound precursor, and the filler is an inorganic substance. At least one of powder, inorganic fiber, organic powder, and organic polymer fiber, which are dispersed in the matrix component in the form of particles and / or aggregates, and particles of the filler and / or Or the particle size of the aggregate is 5
A solventless composition having a size of less than 0 μm and containing no solvent.
硬化物であることを特徴とする無溶剤組成物。2. The solventless composition according to claim 1, wherein the filler is an epoxy resin cured product having a biphenyl structure.
を特徴とする無溶剤組成物。3. The solventless composition according to claim 1, wherein the weight average particle diameter of the filler is 10 μm or less.
度域より高い第2の温度で硬化する性質を有することを
特徴とする無溶剤組成物。4. The matrix component according to claim 1, wherein the matrix component is deformable in a first temperature range of room temperature or higher and has a property of being hardened at a second temperature higher than the first temperature range. And a solventless composition.
剤組成物。5. The solventless composition according to claim 4, wherein the matrix component is a biphenyl epoxy resin.
剤、硬化触媒、および表面処理剤のうちから選ばれる少
なくとも1種類の副成分を、さらに含むことを特徴とす
る無溶剤組成物。6. The method according to claim 1, wherein at least one auxiliary component selected from the group consisting of a plasticizer, a lubricant, an antioxidant, a flame retardant, a flame retardant aid, a filler, a curing catalyst, and a surface treatment agent is added. A solventless composition, further comprising:
剤組成物の製造方法において、 上記無溶剤組成物の組成のうち、フィラー以外の組成の
一部と、フィラーとを混合して高濃度組成物を得る高濃
度工程と、 上記高濃度組成物に、上記組成の残りをさらに添加して
混合し、上記無溶剤組成物を調製する希釈工程とをこの
順で備えることを特徴とする無溶剤組成物の製造方法。7. A method for producing a solventless composition comprising a filler and a matrix component, wherein a part of the composition other than the filler in the composition of the solventless composition and a filler are mixed to form a high concentration composition. A high-concentration step of obtaining a product, a high-concentration composition, the rest of the above composition is further added and mixed, and a dilution step of preparing the above solvent-free composition is provided in this order. A method for producing a composition.
物前駆体のうちの少なくとも一種であって、上記軟化温
度で軟化し、該軟化温度より高い第2の温度で硬化する
性質を有し、 上記フィラーは、無機物の粉体、無機物の繊維、有機物
の粉体、および有機高分子の繊維のうちの少なくとも一
種であり、 上記マトリクス成分を混合する際には、混合物を軟化温
度に保持することを特徴とする無溶剤組成物の製造方
法。8. The matrix component according to claim 7, wherein the matrix component is at least one of a polymer compound and a polymer compound precursor, and is softened at the softening temperature and at a second temperature higher than the softening temperature. The filler has a property of curing, and the filler is at least one of inorganic powder, inorganic fiber, organic powder, and organic polymer fiber. A method for producing a solventless composition, characterized in that the solvent is maintained at a softening temperature.
であり、 上記無溶剤組成物のフィラー濃度は、20〜60体積%
であることを特徴とする無溶剤組成物の製造方法。9. The filler concentration of the high-concentration composition according to claim 7, which is 40 to 90% by volume.
The filler concentration of the solventless composition is 20 to 60% by volume.
And a method for producing a solventless composition.
であり、 上記無溶剤組成物のフィラー濃度は、30〜50体積%
であることを特徴とする無溶剤組成物の製造方法。10. The filler concentration of the high-concentration composition according to claim 9, which is 50 to 75% by volume.
The filler concentration of the solventless composition is 30 to 50% by volume.
And a method for producing a solventless composition.
剤、硬化触媒、および表面処理剤のうちから選ばれる少
なくとも1種類の副成分が、上記高濃度工程および上記
希釈工程の少なくともいずれかにおいて、さらに混合さ
れることを特徴とする無溶剤組成物の製造方法。11. The at least one auxiliary component selected from the group consisting of a plasticizer, a lubricant, an antioxidant, a flame retardant, a flame retardant aid, a filler, a curing catalyst and a surface treatment agent according to claim 7. A method for producing a solventless composition, which is further mixed in at least one of the high concentration step and the dilution step.
も一部と、希釈工程で高濃度組成物に添加された成分の
少なくとも一部とは、同じ化合物であることを特徴とす
る無溶剤組成物の製造方法。12. The method according to claim 7, wherein at least a part of the components mixed with the filler in the high concentration step and at least a part of the components added to the high concentration composition in the dilution step are the same compound. A method for producing a solventless composition, comprising:
る無溶剤組成物の製造方法。13. The method for producing a solventless composition according to claim 7, wherein in the high-concentration step, the mixing is performed by a batch-type kneading device.
において、 上記絶縁層は、樹脂組成物の硬化物からなり、 上記樹脂組成物は、 高分子化合物および高分子化合物前駆体の少なくとも一
方からなるマトリクス成分と、 上記マトリクス成分中に分散した、無機物の粉体、無機
物の繊維、有機物の粉体、および有機高分子の繊維のう
ちの少なくとも一種からなるフィラーとを含み、 溶剤を含まず、 上記絶縁層中には、上記配線の幅と間隔との小さい方よ
り小さい粒径の上記フィラーの粒子および/または凝集
体が分散していることを特徴とする多層配線基板。14. A multilayer wiring board having an insulating layer and a wiring layer, wherein the insulating layer comprises a cured product of a resin composition, and the resin composition comprises at least one of a polymer compound and a polymer compound precursor. And a filler composed of at least one of an inorganic powder, an inorganic fiber, an organic powder, and an organic polymer fiber dispersed in the matrix component, and does not contain a solvent. A multilayer wiring board in which particles and / or agglomerates of the filler having a particle diameter smaller than the smaller width and spacing of the wiring are dispersed in the insulating layer.
えるベース基板と、該ベース基板の表裏のうち少なくと
も一方の面に形成された第1の絶縁層とを有する多層配
線基板において、 上記スルーホールの内部の導体層以外の部分は、柱状部
材により充填されており、 上記柱状部材と上記第1の絶縁層とは、樹脂組成物の硬
化物からなり、 上記柱状部材と上記第1の絶縁層との間には、界面が形
成されておらず、 上記樹脂組成物は、 高分子化合物および高分子化合物前駆体の少なくとも一
方からなるマトリクス成分と、 無機物の粉体、無機物の繊維、有機物の粉体、および有
機高分子の繊維のうちの少なくとも一種からなるフィラ
ーとを含み、 上記フィラーの粒子および/または凝集体の粒径は、5
0μm未満であり、 溶剤を含まないことを特徴とする多層配線基板。15. A multilayer wiring board having a base substrate having a through hole having a conductor layer on an inner wall thereof, and a first insulating layer formed on at least one of front and back surfaces of the base substrate. The portion other than the conductor layer inside is filled with a columnar member, the columnar member and the first insulating layer are made of a cured product of a resin composition, and the columnar member and the first insulating layer are formed. No interface is formed between and, and the resin composition has a matrix component composed of at least one of a polymer compound and a polymer compound precursor, an inorganic powder, an inorganic fiber, and an organic powder. And a filler made of at least one kind of fiber of an organic polymer, and the particle size of the filler particles and / or the aggregate is 5
A multilayer wiring board having a thickness of less than 0 μm and containing no solvent.
配線とを備えるベース基板と、平坦な表面を備える金型
とを、上記ベース基板の上記配線と、上記金型の上記平
坦な表面とが間隙を挟んで対向するように配置し、上記
間隙に無溶剤組成物を供給する組成物供給工程と、 上記間隙に存在する気体を排気する排気工程と、 上記ベース基板と、上記金型との距離を狭くすることに
より、上記間隙を上記無溶剤組成物で満たし、さらに、
上記配線の間に上記無溶剤組成物を充填する充填工程
と、 上記無溶剤組成物を、静水圧をかけながら硬化させる加
圧硬化工程と、 上記配線の表面の少なくとも一部を露出させる露出工程
とを、この順で備え、 上記無溶剤組成物は、 高分子化合物および高分子化合物前駆体の少なくとも一
方からなるマトリクス成分と、 無機物の粉体、無機物の繊維、有機物の粉体、および有
機高分子の繊維のうちの少なくとも一種からなるフィラ
ーの粒子および/または凝集体とを含み、 上記フィラーの粒子および/または凝集体の粒径は、5
0μm未満であり、 溶剤を含まないことを特徴とする多層配線基板の製造方
法。16. A base substrate having wiring formed on at least one of front and back surfaces, a mold having a flat surface, the wiring of the base substrate, and the flat surface of the mold. Are arranged so as to face each other with a gap interposed therebetween, a composition supply step of supplying a solventless composition to the gap, an exhaust step of exhausting gas present in the gap, the base substrate, and the mold. By narrowing the distance of, the gap is filled with the solventless composition, further,
A filling step of filling the solventless composition between the wirings, a pressure curing step of curing the solventless composition while applying hydrostatic pressure, and an exposing step of exposing at least a part of the surface of the wirings. The solventless composition comprises a matrix component comprising at least one of a polymer compound and a polymer compound precursor, an inorganic powder, an inorganic fiber, an organic powder, and an organic powder. A filler particle and / or an agglomerate comprising at least one kind of molecular fiber, wherein the particle diameter of the filler particle and / or the agglomerate is 5
A method for producing a multilayer wiring board, which is less than 0 μm and does not contain a solvent.
も一部に、配線を形成する配線形成工程を、さらに備え
ることを特徴とする多層配線基板の製造方法。17. The multilayer wiring according to claim 16, further comprising a wiring forming step of forming wiring on at least a part of the insulating layer surface and the exposed wiring surface after the exposing step. Substrate manufacturing method.
を、一回以上繰り返すことを特徴とする多層配線基板の
製造方法。18. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 17, wherein after the wiring forming step, the steps from the composition supplying step to the wiring forming step are repeated one or more times.
度域より高い第2の温度で硬化する性質を有し、 上記加圧硬化工程は、 第1の温度域内の、上記無溶剤組成物の粘度が最も低く
なる温度に保持した上記無溶剤組成物を、上記第2の温
度に加熱して、上記無溶剤組成物を硬化させることを特
徴とする多層配線基板の製造方法。19. The matrix component according to claim 16, wherein the matrix component is deformable in a first temperature range equal to or higher than room temperature and has a property of hardening at a second temperature higher than the first temperature range, In the pressure-curing step, the solventless composition held in the first temperature range at which the viscosity of the solventless composition is the lowest is heated to the second temperature to obtain the solventless composition. A method for manufacturing a multilayer wiring board, comprising:
の形成されたスルーホールを、さらに備え、 上記充填工程は、上記スルーホールの内部の間隙にも、
上記無溶剤組成物を充填することを特徴とする多層配線
基板の製造方法。20. The base substrate according to claim 16, further comprising a through hole in which a via wiring is formed by a conductor attached to an inner wall of the base substrate, and the filling step includes forming a gap in the through hole.
A method for producing a multilayer wiring board, which comprises filling the above solventless composition.
度域より高い第2の温度で硬化する性質を有し、 上記充填工程は、上記無溶剤組成物を上記第1の温度域
に保持しながら行われる工程を含むことを特徴とする多
層配線基板の製造方法。21. The matrix component according to claim 16, wherein the matrix component is deformable in a first temperature range equal to or higher than room temperature and has a property of being cured at a second temperature higher than the first temperature range, The method for manufacturing a multilayer wiring board, wherein the filling step includes a step performed while holding the solventless composition in the first temperature range.
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