JPH09239570A - 微細加工方法および微細加工構造物 - Google Patents

微細加工方法および微細加工構造物

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JPH09239570A
JPH09239570A JP5058296A JP5058296A JPH09239570A JP H09239570 A JPH09239570 A JP H09239570A JP 5058296 A JP5058296 A JP 5058296A JP 5058296 A JP5058296 A JP 5058296A JP H09239570 A JPH09239570 A JP H09239570A
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    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0353—Holes

Abstract

(57)【要約】 【課題】 立体的な微細構造物を形成するための微細加
工技術を提供する。 【解決手段】 シリコン基板１０にカンチレバー１１の
ような微細構造物を形成し、カンチレバー１１の一部に
レーザー光を照射して加熱することにカンチレバー１１
を折り曲げる。この折り曲げられた２本のカンチレバー
１１は、あらかじめ加工された水晶基板１０の貫通穴１
４に通され、先端部１５を加熱する。加熱された先端部
１５は、太くなると同時に短くなっていくため、水晶基
板１２をシリコン基板１０上にがたつきなく固定するこ
とができる。このような方法で微細構造物の一部を加熱
することによって、塑性変形を生じさせ、折り曲げ加
工、変形加工を行うことにより、立体的な微細加工構造
物の構築、組立を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３次元的な微細構
造物を形成する微細加工方法およびその加工方法によっ
て形成された微細加工構造物に関する。
【０００２】
【従来の技術】微細加工技術によって微小な機械を形成
する、いわゆるマイクロマシニングは、様々な分野での
応用が期待されている。現在の微細加工技術としては、
２次元的なフォトリソグラフィー技術と異方性エッチン
グ技術を組み合わせた方法が主に用いられ、数マイクロ
メートルから数ミリメートル程度の微細構造物を形成す
ることが行われている。この他に、レーザー光によっ
て、被加工物を切断して、２次元的な構造を形成する技
術もある。また、接合技術としては、陽極接合技術など
によって、シリコン基板どうし、あるいはシリコン基板
とガラス基板などの接合が行えることが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】２次元的な手法の微細
加工技術における限界は、複数の部品を組み合わせて、
３次元的な構造を形成した場合においても、構造物の３
次元的な高さは、元の基板の厚さに制約されてしまうと
いう点である。この点は、可動構造物や三次元センサー
などを作る上で大きな障害になっている。
【０００４】さらに、従来の技術では、多層構造の構造
物を作ることが難しいという点も挙げられる。この多層
構造の構築については、基板の接合技術があるが、基板
の接合においては、接合のために加熱などの処理が必要
であり、熱膨張率の差や接合面の状態に依存した接合強
度や耐久性にばらつきが生じやすい。また、一定の範囲
の接合面を必要とすることから、基板の中に占める接合
面の面積が機能部分に対して大きくならざるを得なくな
るとともに、複雑な構造を組み立てるのには不向きであ
るという種々の問題点があった。
【０００５】
【課題を解決する手段】このような３次元的な微細構造
物の形成における課題を解決するために、本発明は、微
細構造物に対して、加熱手段によって局所的に加熱する
ことによって、塑性変形を生じさせ、３次元的な構造物
を形成するようにした。またこのような加工方法によ
り、熱可塑性を有する微細構造物の塑性変形部からなる
３次元的構造物で形成された微細加工構造物が得られる
ようにした。さらに、複数の微細構造物を塑性変形部に
よって接合することにより、さらに複雑な微細加工構造
物を得ることが可能となる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、微細構造物の加工にお
いて、加熱手段によって局所的に加熱することによって
塑性変形を生じさせ、３次元的な構造物を形成するよう
にしたものである。
【０００７】上記微細構造物は単結晶基板に対するフォ
トリソグラフィーおよび異方性エッチング技術によって
容易に形成することができる。上記加熱手段は電磁波の
照射にともなう電磁波エネルギーの微細構造物における
吸収によって加熱するものが効果的である。さらに、そ
の電磁波としてはレーザー光線が容易に適用できる。
【０００８】また、上記微細構造物は一部にカンチレバ
ー様の構造を有するようにし、そのカンチレバー様の構
造の一部を加熱することによってカンチレバーを折り曲
げて、３次元的な構造物を形成することもできる。ある
いは、上記微細構造物は内部に細い接続部を有するよう
にし、その接続部を加熱することによって、接続部を折
り目として３次元的な構造物を形成するようにもでき
る。
【０００９】さらには、上記微細構造物が一部にカンチ
レバー様の構造を有し、そのカンチレバー様の構造の先
端部分を加熱することで、先端部分を溶解し、カンチレ
バーの先端部分の径を溶解前より太く形成することも可
能である。そしてまた、カンチレバー様の構造を有する
第１の微細構造物のカンチレバーを、貫通穴を有する第
２の微細構造物の貫通穴に通し、貫通したカンチレバー
の先端を加熱手段で加熱することによって塑性変形さ
せ、第１の微細構造物と第２の微細構造物を接合するこ
ともできる。
【００１０】被加工部位の周辺は電磁波遮光材料によっ
て、保護するのがよい。その電磁波遮光材料は金属薄膜
がよい。電磁波は導波体によって伝搬するようにし、導
波体端面からの電磁波の照射によって局所的な加熱を行
うようにすることができる。
【００１１】また、導波体の先端部分が尖鋭化され、先
端部の端面に微小開口が形成されるべく、電磁波遮断材
料で被覆するとよい。そして、弾性部を有する導波体の
先端部分の弾性的変位を検出し、導波体の先端部分が所
定の位置となるように制御することにより、導波体の先
端部分が被加工物表面に弱い力で接触して加工すること
により、さらに微細でかつ広範囲な加工が可能となる。
【００１２】上記のような加工方法によって、熱可塑性
を有する微細構造物の、局所的な加熱によって形成され
る塑性変形部からなる３次元的構造物で形成された微細
加工構造物が得られる。上記微細構造物は単結晶基板に
対するフォトリソグラフィーおよび異方性エッチング技
術によって形成することができる。
【００１３】上記単結晶基板としてはシリコンあるいは
水晶が適している。そして、複雑な加工構造物でも、カ
ンチレバー様の構造を有する第１の微細構造物と、貫通
穴を有する第２の微細構造物からなり、第１の微細構造
物のカンチレバーを第２の微細構造物の貫通穴に通し、
貫通したカンチレバーの先端部を加熱して形成される塑
性変形部により第１の微細構造物と第２の微細構造物を
接合して３次元的構造物を形成することにより容易に実
現可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。図１は、本発明の微細加工方法の一例を
示したものである。シリコン単結晶基板１上にフォトリ
ソグラフィーおよび異方性エッチング技術によって形成
したカンチレバー２の一部に、炭酸ガスレーザー３から
発生されレンズ４等の光学系で収束されたレーザー光５
を照射すると、レーザー光５が照射された部分では、光
エネルギーを吸収することによって、熱が発生し、この
熱によって、レーザー光５を照射した側のシリコンの一
部が融解し、この融解部分の表面張力によって、レーザ
ー光５を照射した側にカンチレバー２を折り曲げること
ができる。すなわち、この加工により図１（ａ）から図
１（ｂ）へと変形する。
【００１５】レーザー光５を当てる角度を、折り曲げる
カンチレバー２に対して、カンチレバー先端からみて垂
直よりも大きな角度にすることによって、折り曲げる角
度を９０度以上にすることも可能である。また、レーザ
ー光５のビーム径を大きくすることによって、曲げ部分
の曲率を大きくすることができ、逆にビーム径を小さく
することで、曲率を小さくできる。
【００１６】図２は、微細構造物の全体の構造を変化さ
せる折り曲げ方法を示したものである。図２において、
構造内部に部分的に細く形成された接続部７を有するシ
リコン単結晶基板６の接続部７に炭酸ガスレーザー３の
レーザー光５を順次繰り返し照射することで、接続部７
を軟化させることによって、重力あるいは加えた力の方
向に角度を変えることができる。すなわち、この加工に
より図２（ａ）から図２（ｂ）へと変形する。
【００１７】こうした加工において、加工のためのレー
ザー光５のビームの位置やビーム径の制御が重要である
が、被加工部位の周辺を電磁波を遮断する金などの金属
材料によって、あらかじめ被覆しておくことで、エネル
ギーの吸収は被覆されていない部分で選択的に起こるた
め、加工精度を上げることができる。
【００１８】図３は、本発明の微細加工方法のもう一つ
の例を示したものである。ここでは、図１で示した折り
曲げ加工を施したカンチレバー８の先端部９を加熱する
ことで、先端部９を溶解し、その表面張力によって球状
に変形させることにより、カンチレバー８の先端部９の
径を溶解前より大きくすることができることを示してい
る。
【００１９】図１および図３で示した加工方法を組み合
わせることによって、微細構造物の組立を行うことがで
きる。図４は、水晶発振用の回路等を内蔵し、カンチレ
バー１１状の構造を形成したシリコン基板１０と、音叉
型水晶振動子１３を含み周辺に貫通穴１４を有する水晶
基板１２とを一体化する方法を示したものである。
【００２０】まず、図４（ａ）のようなカンチレバー１
１状の構造を有するシリコン基板１０について、図１に
示した加工方法により、図４（ｂ）のようにカンチレバ
ー１１の折り曲げを行う。この折り曲げられた２本のカ
ンチレバー１１は、図４（ｃ）のようにあらかじめ加工
された水晶基板１０の貫通穴１４に通され、貫通した先
端部１５が加熱される。加熱された先端部１５は、太く
なると同時に短くなっていくため、図４（ｄ）のように
水晶基板１２をシリコン基板１０上に、がたつきなく固
定することができる。
【００２１】ここで、シリコン基板１０と水晶基板１２
の電極パターンの電気的な接続は、ワイヤボンディング
によって、容易に行うことができる。また、シリコン基
板を同様に積み上げることで、多層構造のＩＣの構成が
可能である。この接合は、個々の部品に分離した後行う
方法と、ウエハー単位で接合し、後で、個々のチップに
切断する方法とがある。
【００２２】別の接合例として、図５にダイヤフラムを
用いる圧力センサー２０の構成方法を示す。まず、図５
（ｂ）のように中央に電極２１を有し、４本のカンチレ
バー２３を形成したシリコン基板２２について、カンチ
レバー２３部分を図１で示した方法で折り曲げる。次
に、図５（ａ）のような、電極２５を形成したダイヤフ
ラム２６を有するシリコン基板２４に、貫通穴２７を形
成する。カンチレバー２３をこの貫通穴２７に通し、貫
通したカンチレバー２３の先端を加熱することで、シリ
コン基板２２とシリコン基板２４を接合させることがで
きる。
【００２３】このようにしてダイヤフラム型圧力センサ
ー２０を組み立てることができる。なお、低粘度の高分
子系接着剤を両基板の間に塗布することによって、さら
に基板間の気密性を高めることもできる。次に、本発明
の加工技術を用いた微小自走機構３０の構成例について
説明する。図６において、くし歯型の変位機構３２が２
つ形成されたＺ板水晶基板３１に、８つの貫通穴３３を
形成する。また、くし歯型変位機構３５が１つ形成され
たＺ板水晶基板３４には２つのカンチレバー３６を形成
する。図では、簡単のためＺ板水晶基板３４は１枚しか
描かれていないが、４枚のＺ板水晶基板３４の各カンチ
レバー３６を８つの貫通穴３３に通した後、貫通したカ
ンチレバー３６の先端を、図３に示した方法を用いて加
熱変形させる。このようにして、１枚のＺ板水晶基板３
１に対して４枚のＺ板水晶基板３４が、塑性変形部によ
って接合された３次元構造物が形成される。ここで、く
し歯型の変位機構３２、３５の部分には、図６中に縞線
で示した水晶棒の４面に個別に電極が形成されており、
電圧を印加することで、水晶板のＸ結晶軸方向の変位が
得られるようになっている。
【００２４】図７にこうして完成した微小自走機構３０
の動作の説明図を示す。図７（ａ）で、上部の台となる
１枚のＺ板水晶基板３１が、脚となる４枚のＺ板水晶基
板３４に支えられている。各Ｚ板水晶基板３４に形成さ
れたくし歯型変位機構が、矢印で示す方向に伸縮するこ
とにより、微小自走機構３０の可動部を構成する。図７
（ｂ）では、中央の２本の脚を伸ばし両端の２本の脚を
縮めることによって、中央の２本の脚で本体を支えると
ともに、上部の変位機構の一方を伸ばし一方を縮めてい
る。次に、図７（ｃ）では、両端の２本の脚を伸ばし中
央の２本の脚を縮めることによって、両端の２本の脚で
本体を支えるとともに、上部の変位機構の伸縮を逆転さ
せる。このような図７（ｂ）と図７（ｃ）の動作を繰り
返すことによって、自走機構３０を図７（ｃ）の矢印の
方向に移動させることができる。
【００２５】図８は、本発明の加工技術を用いた３次元
加速度センサー４０の構成例を示したものである。図８
（ａ）において、Ｚ板水晶板４１には、平面的に３つの
加速度センサー４２、４３、４４が形成されている。各
加速度センサーは、おもり４５、４面個々に電極を配置
したセンサー部４６、およびたわみによってセンサー部
４６に生じる電荷を検出するための電極端子４７によっ
て構成されており、水晶のＸ結晶軸方向の変位に対して
電荷が発生するようになっている。この平面的に形成さ
れた水晶板に対して、図８（ｂ）に示すように、中央の
センサー部４３を基準に１つのセンサー部４２を垂直方
向に折り曲げ、もう一つのセンサー部４４を水平方向９
０度に折り曲げることによって、３次元加速度センサー
４０を構成することができる。この３次元加速度センサ
ー４０は、さらに駆動回路を構成したシリコン基板の上
に既に示した実施例の加工方法に従って取り付けること
も可能である。各加速度センサーの配線に関しては、あ
らかじめワイヤーボンディング法によって、平面的に結
線した後折り曲げ操作を行うことも可能である。
【００２６】図９では、本発明の加工方法を用いた静電
モーター５０の構成例を示す。図９（ａ）に示すよう
に、静電モーターは、ローター５１、上部軸受け５２お
よび下部軸受け５３から構成される。ローター５１は、
直径６０マイクロメートル程度の石英ファイバーの中央
部に低融点ガラスのキャピラリを融着して形成されてお
り、ローター５１の片側のみに電荷を与えるために、片
側の面に電極５３が蒸着されている。
【００２７】上部軸受け５２は、水晶基板によって形成
されており、下部軸受け基板５４の支柱５５を通すため
の４つの貫通穴５６が形成されているとともに、ロータ
ー５１を通すための穴が中央に形成されている。中央の
穴には、ローター５１に対して電気的な接続を行うため
に、斜線部で示す部分に電極５７が形成されている。
【００２８】下部軸受け基板５４も水晶基板によって形
成されており、ローター５１を通すための穴が中央に形
成されているとともに、ローター５１を回転させるため
の電極を形成した８本の支柱５５が、本発明の折り曲げ
技術によって形成されている。この支柱のうち４本が長
い支柱で、４本が短い支柱である。短い支柱は、上部軸
受け基板５２を支え、長い支柱は上部軸受け基板５２を
貫通し、本発明の接続技術によって、貫通した支柱の先
端部が融解され、上部と下部の軸受けの接合が行われ
る。ローター５１の軸についても、ローターとして回転
できる範囲で、両端部が融解される。
【００２９】こうして組み立てられた静電モーター５０
の断面図を図９（ｂ）に示す。ローター５１に正または
負の電荷を与え、支柱５５に与える電荷を順次変化させ
ることによって、ローターを回転させることができる。
このようにして形成した静電モーター５０は、ローター
長を従来の基板のエッチングで形成した静電モーターに
比べて軸方向に長くできるため、より大きなトルクを得
ることができる。
【００３０】以上のように、単結晶基板に対するフォト
リソグラフィーおよび異方性エッチング技術によって形
成された微細構造物を加熱手段によって局所的に加熱す
ることによって、塑性変形を生じさせ、３次元的な構造
物を形成することができる。なお、加工対象物は、単結
晶基板に関わらず、レーザーによって、切断加工された
ガラス基板なども適用可能である。
【００３１】また、実施例においては加熱手段として炭
酸ガスレーザーを用いたが、この他に、一酸化炭素レー
ザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、アルゴンイ
オンレーザーなど各種のレーザーを利用することができ
る。この際、レーザー光の被加工物におけるエネルギー
吸収率に応じて、照射光の強度を変化させる必要があ
る。炭酸ガスレーザーによって、１００ｎｍ径のシリコ
ン基板のカンチレバーを折り曲げるのには、１〜１０Ｗ
程度の出力強度のレーザー装置が必要である。
【００３２】ただし、本発明に用いる加熱手段は上記の
ようなレーザーに限られるものではなく、加工対象とな
る試料に吸収波長を有するような電磁波であればよい。
上記実施例では、そのような電磁波の中で一般的な、レ
ーザー光線を用いたものである。
【００３３】ところで、上記実施例においては、レーザ
ービームをレンズで集光して、加工を行ったが、この場
合は、炭酸ガスレーザーでは、波長の制約から加工分解
能は１０マイクロメートル程度となる。さらに微細な加
工を行う必要がある場合は、導波路を用いればよい。炭
酸ガスレーザーの場合は、銀ハライド（塩化銀、臭化
銀）系多結晶ファイバーあるいはカルゴゲン元素（Ｓ、
Ｓｅ、Ｔｅ）系のガラスファイバー等を導波路として用
いることができる。
【００３４】図１０に示すように、先端を尖らせた導波
路６０に、先端部以外を金などの電磁波反射材料６１で
コーティングすることによって、１マイクロメートル程
度の領域にレーザー光を照射することも可能である。こ
の場合、被加工物６２に対して、近接した状態で、水平
方向に移動させて加工を行う。ここで、導波路６０先端
と被加工物６２の距離を制御することによって、より精
度良い加工を行うことができる。
【００３５】図１１では、導波路プローブ６３と被加工
物６２の距離を制御するための機構の構成例を示したも
のである。図１１では、弾性を有するカンチレバー状の
導波路プローブ６３を被加工物６２に近づけ、変位検出
手段６４によって、導波路プローブ６３の弾性的なたわ
みを検出することで、弱い力で、導波路プローブ６３の
先端が被加工物６２に接触するようになっている。この
距離制御のために、Ｚ軸変位手段６５が用いられ、ＸＹ
走査手段６６によって、平面方向の移動が行われ、これ
らは、コントローラ６７によって、制御される。この方
法によれば、被加工物の形状を導波路プローブ６３の先
端でトレースすることによって、モニターすることがで
き、より精度の高い加工を行うことができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、以上述べたような形態で実施
され、以下に記載されるような効果を奏する。微細構造
物に対して、加熱手段によって局所的に加熱することに
よって、塑性変形を生じさせることによって、従来の加
工技術では、困難であった、微細構造物の折り曲げ加工
および微細な先端部の変形加工を行うことが可能になっ
た。これによって、従来の加工法では難しかった、微細
構造物どうしの接合を可能にし、３次元的な構造物を形
成することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）、（ｂ）は、本発明のカンチレバー構造
の折り曲げ加工法の説明図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は、本発明の微細構造物の折り
曲げ法の説明図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、本発明の微細構造物先端部
の加工方法の説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、本発明によるシリコンＩＣ
基板と水晶振動子基板の接合法の説明図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明によるダイヤフラム
型圧力センサーの構成法の説明図である。
【図６】本発明による微小移動機構の構成と加工方法の
説明図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による微小移動機構
の動作機構の説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明による３次元加速度
センサーの形成方法の模式図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）は、本発明による微小静電モー
ターの構成と加工方法の法の模式図である。
【図１０】本発明の微小領域加工用の導波路プローブの
模式図である。
【図１１】本発明の微小領域加工用の導波路プローブの
駆動装置の模式図である。
【符号の説明】 １ シリコン単結晶基板 ２、８、１１、２３ カンチレバー ３ 炭酸ガスレーザー ４ レンズ ５ レーザー光 ６、１０、２２、２４ シリコン基板 ７ 接続部 ９、１５ 先端部 １２ 水晶基板 １３ 音叉型水晶振動子 １４、２７ 貫通穴 ２０ 圧力センサー ３０ 微小自走機構 ４０ ３次元加速度センサー ５０ 静電モーター ６０ 導波路

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 微細構造物の加工において、加熱手段に
    よって局所的に加熱することによって塑性変形を生じさ
    せ、３次元的な構造物を形成することを特徴とする微細
    加工方法。
  2. 【請求項２】 前記微細構造物が単結晶基板に対するフ
    ォトリソグラフィーおよび異方性エッチング技術によっ
    て形成される請求項１記載の微細加工方法。
  3. 【請求項３】 前記加熱手段が電磁波の照射にともなう
    電磁波エネルギーの微細構造物における吸収によって加
    熱するものである請求項１記載の微細加工方法。
  4. 【請求項４】 前記電磁波がレーザー光線である請求項
    ３記載の微細加工方法。
  5. 【請求項５】 前記微細構造物は一部にカンチレバー様
    の構造を有し、該カンチレバー様の構造の一部を加熱す
    ることによって前記カンチレバーを折り曲げ、３次元的
    な構造物を形成する請求項１記載の微細加工方法。
  6. 【請求項６】 前記微細構造物は内部に細い接続部を有
    し、該接続部を加熱することによって、前記接続部を折
    り目として３次元的な構造物を形成する請求項１記載の
    微細加工方法。
  7. 【請求項７】 前記微細構造物が一部にカンチレバー様
    の構造を有し、該カンチレバー様の構造の先端部分を加
    熱することで、該先端部分を溶解し、前記カンチレバー
    の先端部分の径を溶解前より太く形成する請求項１記載
    の微細加工方法。
  8. 【請求項８】 カンチレバー様の構造を有する第１の微
    細構造物の前記カンチレバーを、貫通穴を有する第２の
    微細構造物の前記貫通穴に通し、貫通した前記カンチレ
    バーの先端を前記加熱手段で加熱することによって前記
    カンチレバーの先端を塑性変形させ、前記第１の微細構
    造物と前記第２の微細構造物を接合する請求項１記載の
    微細加工方法。
  9. 【請求項９】 被加工部位の周辺が電磁波遮光材料によ
    って、保護されている請求項３記載の微細加工方法。
  10. 【請求項１０】 前記電磁波遮光材料が金属薄膜である
    請求項９記載の微細加工方法。
  11. 【請求項１１】 前記電磁波が導波体によって伝搬さ
    れ、前記導波体端面からの電磁波の照射によって局所的
    な加熱を行う請求項３記載の微細加工方法。
  12. 【請求項１２】 前記導波体の先端部分が尖鋭化され、
    前記先端部の端面に微小開口が形成されるべく、電磁波
    遮断材料で被覆された請求項１１記載の微細加工方法。
  13. 【請求項１３】 前記導波体には弾性を有する部分が有
    り、前記導波体の先端部分の弾性的な変位を検出して、
    前記導波体の先端部分が所定の位置となるように制御す
    ることにより、前記導波体の先端部分が被加工物表面に
    弱い力で接触して加工する請求項１１記載の微細加工方
    法。
  14. 【請求項１４】 熱可塑性を有する微細構造物の、局所
    的な加熱によって形成される塑性変形部を有する３次元
    的構造物で形成されることを特徴とする微細加工構造
    物。
  15. 【請求項１５】 前記微細構造物が単結晶基板に対する
    フォトリソグラフィーおよび異方性エッチング技術によ
    って形成される請求項１４記載の微細加工構造物。
  16. 【請求項１６】 前記単結晶基板がシリコンで構成され
    る請求項１５記載の微細加工構造物。
  17. 【請求項１７】 前記単結晶基板が水晶で構成される請
    求項１５記載の微細加工構造物。
  18. 【請求項１８】 少なくとも、カンチレバー様の構造を
    有する第１の微細構造物と、貫通穴を有する第２の微細
    構造物とからなり、前記第１の微細構造物のカンチレバ
    ーを前記第２の微細構造物の貫通穴に通し、貫通した前
    記カンチレバーの先端部を加熱して形成される塑性変形
    部により前記第１の微細構造物と前記第２の微細構造物
    を接合した３次元的構造物が形成される請求項１４記載
    の微細加工構造物。
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