JPH09238001A - 高周波増幅器 - Google Patents
高周波増幅器Info
- Publication number
- JPH09238001A JPH09238001A JP4486496A JP4486496A JPH09238001A JP H09238001 A JPH09238001 A JP H09238001A JP 4486496 A JP4486496 A JP 4486496A JP 4486496 A JP4486496 A JP 4486496A JP H09238001 A JPH09238001 A JP H09238001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- bias
- signal
- capacitor
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 増幅器において、バイアス回路からＲＧ信号
と変調信号を漏らし、他の機器で影響を与えないように
することと、バイアス回路の線路の長さを無試験で決定
できるようにするのが課題である。 【解決手段】 増幅器において長さλ／４のオープンス
タブとＲＦショート作用のコンデンサを１／８波長以上
の長さの伝送線路に対してインピーダンスの高い線路に
よって接続するバイアス回路を備える。
と変調信号を漏らし、他の機器で影響を与えないように
することと、バイアス回路の線路の長さを無試験で決定
できるようにするのが課題である。 【解決手段】 増幅器において長さλ／４のオープンス
タブとＲＦショート作用のコンデンサを１／８波長以上
の長さの伝送線路に対してインピーダンスの高い線路に
よって接続するバイアス回路を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、主に移動体衛星
通信用機器に用いられる高周波増幅器（以下単に増幅器
という）の改良に関するものである。
通信用機器に用いられる高周波増幅器（以下単に増幅器
という）の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】まず、従来のこの種の増幅器を図３及び
図４を用いて説明する。
図４を用いて説明する。
【０００３】図３は従来の増幅器を等価回路で記したも
ので、１は信号が入力される入力端子である。２はこの
入力端子１から入力された信号を受ける入力回路であ
る。３は入力回路２の出力側に一端がつながる長さが１
／４波長のバイアスラインであり、伝送線路に対して高
いインピーダンスの線路で他端がコンデンサ４の一端に
つながる。コンデンサ４の他端は接地される。バイアス
ライン３とコンデンサ４の接続点を接続点５とする。バ
イアスライン３とコンデンサ４からなるバイアス回路の
接続点５にはバイアスＶｇが印加される。６は信号を増
幅する電界効果トランジスタ（以下単にＦＥＴ）であり
ゲート端子７、ソース端子８、ドレイン端子９を有す
る。ゲート端子７は入力回路２の出力側と出力側に接続
しているバイアスライン３とつながる。ソース端子８は
接地されている。１０はドレイン端子９にバイアスを印
加するための長さが１／４波長のバイアスラインであ
り、伝送線路に対して高いインピーダンスの線路で一端
はドレイン端子９につながり他端はコンデンサ１１につ
ながる。コンデンサ１１の他端は接地される。バイアス
ライン１０とコンデンサ１１の接続点を接続点１２とす
る。バイアスライン１０とコンデンサ１１からなるバイ
アス回路の接続点１２にはＶｄが印加される。１３は増
幅された信号を出力する出力回路であり、出力回路１３
の入力側はドレイン端子９とバイアスライン１０のドレ
イン端子側に接続され、出力側は信号を出力する出力端
子１４に接続される。出力端子１４からは増幅された信
号が出力される。
ので、１は信号が入力される入力端子である。２はこの
入力端子１から入力された信号を受ける入力回路であ
る。３は入力回路２の出力側に一端がつながる長さが１
／４波長のバイアスラインであり、伝送線路に対して高
いインピーダンスの線路で他端がコンデンサ４の一端に
つながる。コンデンサ４の他端は接地される。バイアス
ライン３とコンデンサ４の接続点を接続点５とする。バ
イアスライン３とコンデンサ４からなるバイアス回路の
接続点５にはバイアスＶｇが印加される。６は信号を増
幅する電界効果トランジスタ（以下単にＦＥＴ）であり
ゲート端子７、ソース端子８、ドレイン端子９を有す
る。ゲート端子７は入力回路２の出力側と出力側に接続
しているバイアスライン３とつながる。ソース端子８は
接地されている。１０はドレイン端子９にバイアスを印
加するための長さが１／４波長のバイアスラインであ
り、伝送線路に対して高いインピーダンスの線路で一端
はドレイン端子９につながり他端はコンデンサ１１につ
ながる。コンデンサ１１の他端は接地される。バイアス
ライン１０とコンデンサ１１の接続点を接続点１２とす
る。バイアスライン１０とコンデンサ１１からなるバイ
アス回路の接続点１２にはＶｄが印加される。１３は増
幅された信号を出力する出力回路であり、出力回路１３
の入力側はドレイン端子９とバイアスライン１０のドレ
イン端子側に接続され、出力側は信号を出力する出力端
子１４に接続される。出力端子１４からは増幅された信
号が出力される。
【０００４】図４は従来の増幅器を等価回路で記したも
ので、１は信号が入力される入力端子である。２はこの
入力端子１から入力された信号を受ける入力回路であ
る。３は入力回路２の出力側に一端がつながる長さが１
／４波長のバイアスラインであり、他端がオープンスタ
ブ１５につながる。バイアスライン３とオープンスタブ
１５の接続点を接続点５とする。バイアスライン３とオ
ープンスタブ１５からなるバイアス回路の接続点５には
バイアスＶｇが印加される。６は信号を増幅するＦＥＴ
でありゲート端子７、ソース端子８、ドレイン端子９を
有する。ゲート端子７は入力回路２の出力側と出力側に
接続しているバイアスライン３とつながる。ソース端子
８は接地されている。１０はドレイン端子９にバイアス
を印加するための長さが１／４波長のバイアスラインで
あり、一端はドレイン端子９につながり他端はオープン
スタブ１６につながる。バイアスライン１０とオープン
スタブ１６の接続点を接続点１２とする。バイアスライ
ン１０とオープンスタブ１６からなるバイアス回路の接
続点１２にはＶｄが印加される。１３は増幅された信号
を出力する出力回路であり、出力回路１３の入力側はド
レイン端子９とバイアスライン１０のドレイン端子側に
接続され、出力側は信号を出力する出力端子１４に接続
される。出力端子１４からは増幅された信号が出力され
る。
ので、１は信号が入力される入力端子である。２はこの
入力端子１から入力された信号を受ける入力回路であ
る。３は入力回路２の出力側に一端がつながる長さが１
／４波長のバイアスラインであり、他端がオープンスタ
ブ１５につながる。バイアスライン３とオープンスタブ
１５の接続点を接続点５とする。バイアスライン３とオ
ープンスタブ１５からなるバイアス回路の接続点５には
バイアスＶｇが印加される。６は信号を増幅するＦＥＴ
でありゲート端子７、ソース端子８、ドレイン端子９を
有する。ゲート端子７は入力回路２の出力側と出力側に
接続しているバイアスライン３とつながる。ソース端子
８は接地されている。１０はドレイン端子９にバイアス
を印加するための長さが１／４波長のバイアスラインで
あり、一端はドレイン端子９につながり他端はオープン
スタブ１６につながる。バイアスライン１０とオープン
スタブ１６の接続点を接続点１２とする。バイアスライ
ン１０とオープンスタブ１６からなるバイアス回路の接
続点１２にはＶｄが印加される。１３は増幅された信号
を出力する出力回路であり、出力回路１３の入力側はド
レイン端子９とバイアスライン１０のドレイン端子側に
接続され、出力側は信号を出力する出力端子１４に接続
される。出力端子１４からは増幅された信号が出力され
る。
【０００５】次に、図３に示す動作について説明する。
入力端子１から入力された信号は入力回路２によってイ
ンピーダンス整合を取る。信号はインピーダンス整合を
とることで効率良くＦＥＴ６に入力され増幅される。ま
た、増幅した信号は出力回路１３によって出力端子１４
に対してインピーダンス整合を取り、効率良く出力端子
１４から増幅した信号が出力される。入力回路２、出力
回路１３は図５に示すようなインピーダンス調整用スタ
ブ１７と伝送線路１８から構成されており、インピーダ
ンス調整用スタブ１７の長さ、太さによってインピーダ
ンスを調整し、所望の特性を得るようにする。ＦＥＴ６
への外部直流バイアスの印加は、それぞれゲート端子７
とドレイン端子９にそれぞれバイアス回路より電圧を印
加する。ここで、それぞれバイアスライン３、バイアス
ライン１０の長さを１／４波長にしてＤＣ阻止／ＲＦ短
絡の１０００ｐＦ程度のＲＦ信号ショートとなるコンデ
ンサ４、コンデンサ１１を介してショートすることによ
って、ＤＣスルー、ＲＦショートのＲＦ信号ショート点
を接続点５、接続点１２につくりフィルタ効果をバイア
ス回路に持たせると共に、ＲＦ信号ショート点である接
続点５、接続点１２を入力回路２、出力回路１３から１
／４波長の位置につくることによって、バイアス回路の
インピーダンスは入力回路２、出力回路１３から見て、
オープンすることができる。以上の構成でバイアス回路
のＲＦ信号ショート点である接続点５、接続点１２に印
加することによって、入力回路２、出力回路１３に対し
て影響を与えずに外部直流バイアスを印加でき、フィル
タ効果によってＲＦ信号の洩れを防ぐことを可能にす
る。しかし、通常、コンデンサ４、コンデンサ１１は、
それ自体に電気的に長さをもっているため、ＲＦ信号シ
ョート点を接続点５、接続点１２の位置につくることは
できず、実験的に最適なバイアスライン３、バイアスラ
イン１０の長さをそれぞれ調整しなければならない。
入力端子１から入力された信号は入力回路２によってイ
ンピーダンス整合を取る。信号はインピーダンス整合を
とることで効率良くＦＥＴ６に入力され増幅される。ま
た、増幅した信号は出力回路１３によって出力端子１４
に対してインピーダンス整合を取り、効率良く出力端子
１４から増幅した信号が出力される。入力回路２、出力
回路１３は図５に示すようなインピーダンス調整用スタ
ブ１７と伝送線路１８から構成されており、インピーダ
ンス調整用スタブ１７の長さ、太さによってインピーダ
ンスを調整し、所望の特性を得るようにする。ＦＥＴ６
への外部直流バイアスの印加は、それぞれゲート端子７
とドレイン端子９にそれぞれバイアス回路より電圧を印
加する。ここで、それぞれバイアスライン３、バイアス
ライン１０の長さを１／４波長にしてＤＣ阻止／ＲＦ短
絡の１０００ｐＦ程度のＲＦ信号ショートとなるコンデ
ンサ４、コンデンサ１１を介してショートすることによ
って、ＤＣスルー、ＲＦショートのＲＦ信号ショート点
を接続点５、接続点１２につくりフィルタ効果をバイア
ス回路に持たせると共に、ＲＦ信号ショート点である接
続点５、接続点１２を入力回路２、出力回路１３から１
／４波長の位置につくることによって、バイアス回路の
インピーダンスは入力回路２、出力回路１３から見て、
オープンすることができる。以上の構成でバイアス回路
のＲＦ信号ショート点である接続点５、接続点１２に印
加することによって、入力回路２、出力回路１３に対し
て影響を与えずに外部直流バイアスを印加でき、フィル
タ効果によってＲＦ信号の洩れを防ぐことを可能にす
る。しかし、通常、コンデンサ４、コンデンサ１１は、
それ自体に電気的に長さをもっているため、ＲＦ信号シ
ョート点を接続点５、接続点１２の位置につくることは
できず、実験的に最適なバイアスライン３、バイアスラ
イン１０の長さをそれぞれ調整しなければならない。
【０００６】次に図４に示す動作を説明する。バイアス
回路以外は上記図３の動作と同様である。バイアス回路
は、長さが１／４波長のバイアスライン３、バイアスラ
イン１０に長さが１／４波長のＲＦ信号ショートの作用
のあるオープンスタブ１５、オープンスタブ１６を接続
することによって、接続点５、接続点１２をＲＦ的にシ
ョートのＲＦ信号ショート点にすることができる。ま
た、バイアスライン３、バイアスライン１０の長さは、
１／４波長であるため、、入力回路２、出力回路１３に
対してバイアス回路のインピーダンスをオープンにする
ことができ、接続点５、接続点１２に外部直流バイアス
を印加することによって、入力回路２、出力回路１３に
対してインピーダンスの影響を与えずに外部直流バイア
スを印加でき、漏れを防ぐことができる。しかし、それ
ぞれバイアスライン３、バイアスライン１０とオープン
スタブ１５、オープンスタブ１６の長さは、実装上線路
を共有するため、実験的に調整しなければならない。ま
た、パターン間で空間結合したＲＦ信号に対して他の機
器に漏れることを防ぐことができない。
回路以外は上記図３の動作と同様である。バイアス回路
は、長さが１／４波長のバイアスライン３、バイアスラ
イン１０に長さが１／４波長のＲＦ信号ショートの作用
のあるオープンスタブ１５、オープンスタブ１６を接続
することによって、接続点５、接続点１２をＲＦ的にシ
ョートのＲＦ信号ショート点にすることができる。ま
た、バイアスライン３、バイアスライン１０の長さは、
１／４波長であるため、、入力回路２、出力回路１３に
対してバイアス回路のインピーダンスをオープンにする
ことができ、接続点５、接続点１２に外部直流バイアス
を印加することによって、入力回路２、出力回路１３に
対してインピーダンスの影響を与えずに外部直流バイア
スを印加でき、漏れを防ぐことができる。しかし、それ
ぞれバイアスライン３、バイアスライン１０とオープン
スタブ１５、オープンスタブ１６の長さは、実装上線路
を共有するため、実験的に調整しなければならない。ま
た、パターン間で空間結合したＲＦ信号に対して他の機
器に漏れることを防ぐことができない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の増幅器は以上の
ように構成されており、入力回路及び出力回路に対して
インピーダンスの影響を与えずに外部直流バイアスを印
加でき、ＲＦ信号を漏らさないようにしているが、扱う
信号レベルが高い場合、上記の構成だけではバイアス回
路からのＲＦ信号の漏れを十分には減衰しきれない。ま
た、ライン間で空間結合したＲＦ信号が他の機器に影響
を与えてしまうという問題がある。
ように構成されており、入力回路及び出力回路に対して
インピーダンスの影響を与えずに外部直流バイアスを印
加でき、ＲＦ信号を漏らさないようにしているが、扱う
信号レベルが高い場合、上記の構成だけではバイアス回
路からのＲＦ信号の漏れを十分には減衰しきれない。ま
た、ライン間で空間結合したＲＦ信号が他の機器に影響
を与えてしまうという問題がある。
【０００８】また、バイアス回路にＲＦ信号が漏れてい
るため、増幅器の利得と効率が低下し、ＦＥＴの特性を
十分に出せないという問題がある。
るため、増幅器の利得と効率が低下し、ＦＥＴの特性を
十分に出せないという問題がある。
【０００９】また、ＲＦ信号ショート作用のコンデンサ
は電気的に長さを持っていることとＲＦ信号ショート作
用のオープンスタブとバイアスラインが線路を共有する
ため実験的にパターンの長さを決めているため試作を造
らなければならないという問題がある。
は電気的に長さを持っていることとＲＦ信号ショート作
用のオープンスタブとバイアスラインが線路を共有する
ため実験的にパターンの長さを決めているため試作を造
らなければならないという問題がある。
【００１０】また、データを変調している変調信号をバ
イアス回路に漏らすことによって、他の機器に影響を与
えるという問題がある。
イアス回路に漏らすことによって、他の機器に影響を与
えるという問題がある。
【００１１】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたものであり、バイアス回路を通じての
信号の漏れにより、他の機器に影響を与えることのない
増幅器を得ることを目的とする。
るためになされたものであり、バイアス回路を通じての
信号の漏れにより、他の機器に影響を与えることのない
増幅器を得ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】第１の発明による増幅器
は、バイアス回路へのＲＦ信号の漏れを減らす効果とバ
イアス回路に漏れたＲＦ信号を他の機器に漏らさない効
果を従来のバイアス回路に長さ１／４波長のオープンス
タブと１０００ｐＦ程度のＲＦ信号ショート用のコンデ
ンサの両方を設けることで得ることができる。また、長
さ１／４波長のオープンスタブとＲＦ信号ショート用コ
ンデンサを長さが１／８波長以上であり伝送線路に対し
てインピーダンスの高い線路によって接続することによ
って、線路の長さを調整することを無くすことが可能に
なる。
は、バイアス回路へのＲＦ信号の漏れを減らす効果とバ
イアス回路に漏れたＲＦ信号を他の機器に漏らさない効
果を従来のバイアス回路に長さ１／４波長のオープンス
タブと１０００ｐＦ程度のＲＦ信号ショート用のコンデ
ンサの両方を設けることで得ることができる。また、長
さ１／４波長のオープンスタブとＲＦ信号ショート用コ
ンデンサを長さが１／８波長以上であり伝送線路に対し
てインピーダンスの高い線路によって接続することによ
って、線路の長さを調整することを無くすことが可能に
なる。
【００１３】また、第２の発明による増幅器は、第１の
発明の伝送線路に対してバイアス回路のインピーダンス
がオープンであることを変えずに、変調信号を他の機器
に漏らさない効果を得るために１μＦ程度のコンデンサ
を用いたショート回路をバイアス回路のＲＦ信号ショー
ト点に設けることで可能にする。
発明の伝送線路に対してバイアス回路のインピーダンス
がオープンであることを変えずに、変調信号を他の機器
に漏らさない効果を得るために１μＦ程度のコンデンサ
を用いたショート回路をバイアス回路のＲＦ信号ショー
ト点に設けることで可能にする。
【００１４】
実施の形態１．この発明の実施の形態１を図１について
説明する。図１はこの発明による増幅器を等価回路図で
記したもので、１は入力端子である。２はこの入力端子
１から入力される信号を受ける入力回路である。入力回
路２は図５の等価回路図に示すようにインピーダンス整
合用スタブ１７と伝送線路１８からなる構成である。３
はバイアスラインであり、長さが１／４波長の伝送線路
１８に対してインピーダンスの高い線路で入力回路２の
出力側に一端がつながり、他端が長さ１／４波長のＲＦ
信号ショート作用のあるオープンスタブ１５と長さが１
／８波長以上で伝送線路１８に対して高いインピーダン
スの線路であるバイアスライン２０につながる。バイア
スライン３とオープンスタブ１５とバイアスライン２１
の接続点を接続点１９とする。バイアスライン２０の一
端は接続点１９に接続され、他端はＤＣスルー、ＲＦシ
ョートの１０００ｐＦ程度のＲＦ信号をショートにする
作用の有るコンデンサ４の一端とつながりコンデンサ４
の他端は接地される。バイアスライン２０とコンデンサ
４の接続点は接続点２２でありバイアスＶｇが印加され
る。６は信号を増幅するＦＥＴであり、ゲート端子７、
ソース端子８、ドレイン端子９を有する。ゲート端子７
は入力回路２の出力側と出力側に接続しているバイアス
ライン３とつながる。ソース端子８は接地されている。
１０はドレイン端子９にバイアスを印加するためのバイ
アスラインであり、長さが１／４波長の伝送線路１８に
比べインピーダンスの高い線路である。バイアスライン
１０の一端はドレイン端子９につながり他端は長さが１
／４波長のＲＦ信号ショートの作用のあるオープンスタ
ブ１６と長さが１／８波長以上の伝送線路１８に比べ高
いインピーダンスの線路であるバイアスライン２３とつ
ながる。バイアスライン１０とオープンスタブ１６とバ
イアスライン２３の接続点を接続点２４とする。バイア
スライン２３の一端は接続点２２に接続され、他端はＤ
Ｃスルー、ＲＦショートの１０００ｐＦ程度のＲＦ信号
をショートする作用を有するコンデンサ１１の一端につ
ながる。コンデンサ１１の他端は接地される。バイアス
ライン２３とコンデンサ１１の接続点は接続点２６であ
りＶｄが印加される。ドレイン端子９はバイアスライン
１０と入力された信号が出力される出力回路１３の一端
と接続される。出力回路１３の他端は信号が出力される
出力端子１４に接続される。
説明する。図１はこの発明による増幅器を等価回路図で
記したもので、１は入力端子である。２はこの入力端子
１から入力される信号を受ける入力回路である。入力回
路２は図５の等価回路図に示すようにインピーダンス整
合用スタブ１７と伝送線路１８からなる構成である。３
はバイアスラインであり、長さが１／４波長の伝送線路
１８に対してインピーダンスの高い線路で入力回路２の
出力側に一端がつながり、他端が長さ１／４波長のＲＦ
信号ショート作用のあるオープンスタブ１５と長さが１
／８波長以上で伝送線路１８に対して高いインピーダン
スの線路であるバイアスライン２０につながる。バイア
スライン３とオープンスタブ１５とバイアスライン２１
の接続点を接続点１９とする。バイアスライン２０の一
端は接続点１９に接続され、他端はＤＣスルー、ＲＦシ
ョートの１０００ｐＦ程度のＲＦ信号をショートにする
作用の有るコンデンサ４の一端とつながりコンデンサ４
の他端は接地される。バイアスライン２０とコンデンサ
４の接続点は接続点２２でありバイアスＶｇが印加され
る。６は信号を増幅するＦＥＴであり、ゲート端子７、
ソース端子８、ドレイン端子９を有する。ゲート端子７
は入力回路２の出力側と出力側に接続しているバイアス
ライン３とつながる。ソース端子８は接地されている。
１０はドレイン端子９にバイアスを印加するためのバイ
アスラインであり、長さが１／４波長の伝送線路１８に
比べインピーダンスの高い線路である。バイアスライン
１０の一端はドレイン端子９につながり他端は長さが１
／４波長のＲＦ信号ショートの作用のあるオープンスタ
ブ１６と長さが１／８波長以上の伝送線路１８に比べ高
いインピーダンスの線路であるバイアスライン２３とつ
ながる。バイアスライン１０とオープンスタブ１６とバ
イアスライン２３の接続点を接続点２４とする。バイア
スライン２３の一端は接続点２２に接続され、他端はＤ
Ｃスルー、ＲＦショートの１０００ｐＦ程度のＲＦ信号
をショートする作用を有するコンデンサ１１の一端につ
ながる。コンデンサ１１の他端は接地される。バイアス
ライン２３とコンデンサ１１の接続点は接続点２６であ
りＶｄが印加される。ドレイン端子９はバイアスライン
１０と入力された信号が出力される出力回路１３の一端
と接続される。出力回路１３の他端は信号が出力される
出力端子１４に接続される。
【００１５】次に動作について説明する。バイアスライ
ン３、オープンスタブ１５、バイアスライン２１、コン
デンサ４から構成されるバイアス回路とバイアスライン
１０、オープンスタブ１６、バイアスライン２５、コン
デンサ１１から構成されるバイアス回路以外は従来の動
作と同一であり、バイアスライン３、バイアスライン１
０の長さを１／４波長にし、長さ１／４波長のＲＦ信号
ショート作用のオープンスタブ１５、オープンスタブ１
６を接続することにより、ＲＦ信号ショートである接続
点２０、接続点２４をつくることができる。ＲＦ信号シ
ョートである接続点２０、接続点２４を入力回路２、出
力回路１３から１／４波長のところにつくることでバイ
アス回路のインピーダンスを入力回路２、出力回路１３
からオープンにすることを可能にする。バイアス回路の
インピーダンスは、入力回路２、出力回路１３に対して
オープンであることにより、入力回路２、出力回路１３
からバイアス回路へのＲＦ信号の漏れを減らす効果を得
る。また、ＲＦ信号ショートであるコンデンサ４、コン
デンサ１１を接続していることによって、さらにパター
ン間で空間結合したＲＦ信号及びバイアス回路を漏れて
きてしまうＲＦ信号をショートして、他の機器に漏れる
ＲＦ信号を二重に防ぐ効果が得られる。また、バイアス
ライン２０、バイアスライン２３の長さをそれぞれ１／
８波長以上にすることによって、バイアスライン２０、
バイアスライン２３とコンデンサ４、コンデンサ１１で
構成されるフィルタ回路のインピーダンスを高くするこ
とができ入力回路２、出力回路１３に対してバイアス回
路のインピーダンスをオープンにする周波数範囲を広く
する効果を得られ、実験的に線路の長さを調整する必要
がなくなる。
ン３、オープンスタブ１５、バイアスライン２１、コン
デンサ４から構成されるバイアス回路とバイアスライン
１０、オープンスタブ１６、バイアスライン２５、コン
デンサ１１から構成されるバイアス回路以外は従来の動
作と同一であり、バイアスライン３、バイアスライン１
０の長さを１／４波長にし、長さ１／４波長のＲＦ信号
ショート作用のオープンスタブ１５、オープンスタブ１
６を接続することにより、ＲＦ信号ショートである接続
点２０、接続点２４をつくることができる。ＲＦ信号シ
ョートである接続点２０、接続点２４を入力回路２、出
力回路１３から１／４波長のところにつくることでバイ
アス回路のインピーダンスを入力回路２、出力回路１３
からオープンにすることを可能にする。バイアス回路の
インピーダンスは、入力回路２、出力回路１３に対して
オープンであることにより、入力回路２、出力回路１３
からバイアス回路へのＲＦ信号の漏れを減らす効果を得
る。また、ＲＦ信号ショートであるコンデンサ４、コン
デンサ１１を接続していることによって、さらにパター
ン間で空間結合したＲＦ信号及びバイアス回路を漏れて
きてしまうＲＦ信号をショートして、他の機器に漏れる
ＲＦ信号を二重に防ぐ効果が得られる。また、バイアス
ライン２０、バイアスライン２３の長さをそれぞれ１／
８波長以上にすることによって、バイアスライン２０、
バイアスライン２３とコンデンサ４、コンデンサ１１で
構成されるフィルタ回路のインピーダンスを高くするこ
とができ入力回路２、出力回路１３に対してバイアス回
路のインピーダンスをオープンにする周波数範囲を広く
する効果を得られ、実験的に線路の長さを調整する必要
がなくなる。
【００１６】実施の形態２．この発明の実施の形態２を
図２を用いて説明する。図２は、増幅器の等価回路図で
あり、実施例１に示す等価回路図のバイアス回路におい
て、ＲＦ信号ショートであるコンデンサ４、コンデンサ
１１と並列に変調信号をショートさせる作用を持つ１μ
Ｆ程度のコンデンサ２７、コンデンサ２８を介してショ
ートする構成である。
図２を用いて説明する。図２は、増幅器の等価回路図で
あり、実施例１に示す等価回路図のバイアス回路におい
て、ＲＦ信号ショートであるコンデンサ４、コンデンサ
１１と並列に変調信号をショートさせる作用を持つ１μ
Ｆ程度のコンデンサ２７、コンデンサ２８を介してショ
ートする構成である。
【００１７】次に動作について説明する。発明の実施の
形態１の動作とバイアス回路以外は同じであり、変調信
号ショート作用のあるコンデンサ２５とコンデンサ２７
をＲＦ信号ショート作用のあるコンデンサ４とコンデン
サ１１と並列に接続することにより、バイアス回路のイ
ンピーダンスは、入力回路２、出力回路１３に対してオ
ープンのまま、ＲＦ信号と変調信号を他の機器に漏らさ
ない効果を得ることができる。
形態１の動作とバイアス回路以外は同じであり、変調信
号ショート作用のあるコンデンサ２５とコンデンサ２７
をＲＦ信号ショート作用のあるコンデンサ４とコンデン
サ１１と並列に接続することにより、バイアス回路のイ
ンピーダンスは、入力回路２、出力回路１３に対してオ
ープンのまま、ＲＦ信号と変調信号を他の機器に漏らさ
ない効果を得ることができる。
【００１８】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れていることによって、以下に記載されるような効果を
奏する。
れていることによって、以下に記載されるような効果を
奏する。
【００１９】バイアス回路のオープンスタブとＲＦショ
ート作用のコンデンサを伝送線路に対してインピーダン
スの高い線路によって接続するバイアス回路を備えるこ
とにより、ＲＦ信号の漏れを減らす効果が得られる。
ート作用のコンデンサを伝送線路に対してインピーダン
スの高い線路によって接続するバイアス回路を備えるこ
とにより、ＲＦ信号の漏れを減らす効果が得られる。
【００２０】また、バイアス回路のオープンスタブとＲ
Ｆ信号ショート作用のコンデンサを伝送線路に対してイ
ンピーダンスの高い線路によって接続することで入力回
路、出力回路に対してバイアス回路のインピーダンスが
オープンの周波数範囲が広くなり、線路の長さを調整し
て周波数を調整する必要がなくなる。
Ｆ信号ショート作用のコンデンサを伝送線路に対してイ
ンピーダンスの高い線路によって接続することで入力回
路、出力回路に対してバイアス回路のインピーダンスが
オープンの周波数範囲が広くなり、線路の長さを調整し
て周波数を調整する必要がなくなる。
【００２１】また、バイアス回路のオープンスタブとＲ
Ｆ信号ショート作用のコンデンサを伝送線路に対してイ
ンピーダンスの高い線路によって接続することにより、
伝送線路からＲＦ信号漏れを減らすことを可能にでき、
ＦＥＴに効率よくＲＦ信号を印加することを可能にし、
ＦＥＴの性能を十分に引き出すことを可能にする。
Ｆ信号ショート作用のコンデンサを伝送線路に対してイ
ンピーダンスの高い線路によって接続することにより、
伝送線路からＲＦ信号漏れを減らすことを可能にでき、
ＦＥＴに効率よくＲＦ信号を印加することを可能にし、
ＦＥＴの性能を十分に引き出すことを可能にする。
【００２２】また、バイアス回路のオープンスタブとＲ
Ｆショート作用のコンデンサ、変調信号ショート作用の
コンデンサを伝送線路に対してインピーダンスの高い線
路で接続することによって、バイアス回路からＲＦ信号
と変調信号を他の機器に漏らさないことを可能にする。
Ｆショート作用のコンデンサ、変調信号ショート作用の
コンデンサを伝送線路に対してインピーダンスの高い線
路で接続することによって、バイアス回路からＲＦ信号
と変調信号を他の機器に漏らさないことを可能にする。
【図１】 この発明の実施の形態１に示す増幅器の等価
回路図である。
回路図である。
【図２】 この発明の実施の形態２に示す増幅器の等価
回路図である。
回路図である。
【図３】 バイアス回路にコンデンサを用いた従来の増
幅器の等価回路図である。
幅器の等価回路図である。
【図４】 バイアス回路にオープンスタブを用いた従来
の増幅器の等価回路図である。
の増幅器の等価回路図である。
【図５】 インピーダンス整合用スタブと伝送線路とか
らなる入力回路、または出力回路の等価回路図である。
らなる入力回路、または出力回路の等価回路図である。
１ 入力端子、２ 入力回路、３ バイアスライン、４
コンデンサ、５ 接続点、６ ＦＥＴ、７ ゲート端
子、８ ソース端子、９ ドレイン端子、１０バイアス
ライン、１１ コンデンサ、１２ 接続点、１３ 出力
回路、１４出力端子、１５ オープンスタブ、１６ オ
ープンスタブ、１７ インピーダンス整合用スタブ、１
８ 伝送線路、１９ 接続点、２０ バイアスライン、
２１接続点、２２ 接続点、２３ バイアスライン、２
４ 接続点、２５ コンデンサ、２６ コンデンサ。
コンデンサ、５ 接続点、６ ＦＥＴ、７ ゲート端
子、８ ソース端子、９ ドレイン端子、１０バイアス
ライン、１１ コンデンサ、１２ 接続点、１３ 出力
回路、１４出力端子、１５ オープンスタブ、１６ オ
ープンスタブ、１７ インピーダンス整合用スタブ、１
８ 伝送線路、１９ 接続点、２０ バイアスライン、
２１接続点、２２ 接続点、２３ バイアスライン、２
４ 接続点、２５ コンデンサ、２６ コンデンサ。
Claims (2)
- 【請求項１】 電界効果トランジスタと、このトランジ
スタのゲート端子及びドレイン端子に直流バイアスを印
加するバイアス回路と、上記トランジスタのゲート端子
と伝送線路によってつながり入力信号を受ける入力回路
と、上記ドレイン端子に伝送線路によってつながる出力
回路を有する高周波増幅器において、上記バイアス回路
をオープンスタブとＲＦ信号ショート用のコンデンサを
上記伝送線路に対し高いインピーダンスの線路によって
互いに接続して構成したことを特徴とする高周波増幅
器。 - 【請求項２】 上記ＲＦ信号ショート用のコンデンサと
並列に変調信号をショートさせるコンデンサを接続した
ことを特徴とする請求項１記載の高周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4486496A JPH09238001A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 高周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4486496A JPH09238001A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 高周波増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09238001A true JPH09238001A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=12703370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4486496A Pending JPH09238001A (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | 高周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09238001A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008005128A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| JP2008136182A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Ntt Docomo Inc | バイアス回路 |
| JP2011160428A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-08-18 | Renesas Electronics Corp | システム |
-
1996
- 1996-03-01 JP JP4486496A patent/JPH09238001A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008005128A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波増幅器 |
| JP4641285B2 (ja) * | 2006-06-21 | 2011-03-02 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波増幅器 |
| JP2008136182A (ja) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Ntt Docomo Inc | バイアス回路 |
| JP2011160428A (ja) * | 2011-02-04 | 2011-08-18 | Renesas Electronics Corp | システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11316481B2 (en) | RF power transistor circuit | |
| JP5009500B2 (ja) | Ｒｆパワーデバイス及びｒｆパワートランジスタデバイスにおける直線性を改善する方法 | |
| US5745857A (en) | Gaas power amplifier for analog/digital dual-mode cellular phones | |
| JP3041806B2 (ja) | Ｆｅｔのソース‐ドレイン伝導路を使用した非線形性発生器 | |
| US6614311B2 (en) | Micro-wave power amplifier | |
| US11533028B2 (en) | Radio frequency power amplifier with harmonic control circuit as well as method for manufacturing the same | |
| WO1999059243A1 (fr) | Circuit a semi-conducteur | |
| CN111327277A (zh) | S波段GaN MMIC低噪声放大器 | |
| Goncalves et al. | Switch-based variable length stubs network for PA load sensitivity reduction | |
| US10862440B2 (en) | High-frequency amplifier | |
| US4187471A (en) | Bias circuit | |
| JPH09238001A (ja) | 高周波増幅器 | |
| JP3209168B2 (ja) | マイクロ波増幅器用バイアス回路 | |
| JP3439344B2 (ja) | 半導体増幅器 | |
| US8149060B2 (en) | Low distortion amplifier and Doherty amplifier using low distortion amplifier | |
| WO2000035084A1 (fr) | Amplificateur de micro-ondes | |
| JPH0261175B2 (ja) | ||
| US20230055602A1 (en) | Apparatus Comprising a Transmission Line for Radio Frequency Signals | |
| US11949546B2 (en) | Harmonic filters for polar modulators | |
| JP2000165203A (ja) | アクティブバラン回路 | |
| JP2518544B2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| JP3120762B2 (ja) | 増幅器 | |
| JP3137204B2 (ja) | 高出力広帯域増幅回路 | |
| JPH0834394B2 (ja) | 広帯域ｆｅｔ増幅装置 | |
| JP3175421B2 (ja) | アンテナスイッチ共用器 |