JPH09219303A - チップ型バリスタ - Google Patents
チップ型バリスタInfo
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- JPH09219303A JPH09219303A JP2227196A JP2227196A JPH09219303A JP H09219303 A JPH09219303 A JP H09219303A JP 2227196 A JP2227196 A JP 2227196A JP 2227196 A JP2227196 A JP 2227196A JP H09219303 A JPH09219303 A JP H09219303A
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- JP
- Japan
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- mold resin
- lead terminal
- varistor
- varistor element
- groove
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/01—Mounting; Supporting
- H01C1/014—Mounting; Supporting the resistor being suspended between and being supported by two supporting sections
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チップ型バリスタにおいて、バリスタ素子の
破壊時に確実に開放状態とすることを目的とする。 【解決手段】 バリスタ素子１の電極２とリード端子３
ａの水平延長線上のモールド樹脂５外周面に溝７を設け
た。
破壊時に確実に開放状態とすることを目的とする。 【解決手段】 バリスタ素子１の電極２とリード端子３
ａの水平延長線上のモールド樹脂５外周面に溝７を設け
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電源回路に生じるサ
ージ電圧を吸収するチップ型バリスタに関するものであ
る。
ージ電圧を吸収するチップ型バリスタに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型バリスタの一例につい
て、以下図１１から図１４を用いて説明する。図１１は
断面図、図１２は上面透視図、図１３に貫通破壊した時
の断面図、図１４は同上面図を示す。図１１〜図１４に
おいて、１はバリスタ素子である。２はバリスタ素子１
の主平面に設けた電極、３ａ、３ｂはリード端子、４は
電極２とリード端子３ａ、３ｂを電気的に接続する導電
性接着剤、５はモールド樹脂、６は貫通破壊箇所を示
す。以上のように構成されたバリスタについて以下その
動作について説明する。まず、バリスタ素子１が耐え得
ないような異常高電圧が負荷された場合、バリスタ素子
１が貫通破壊を起こし、ある一部分が破損する。貫通破
壊した部分の抵抗は低くなり連続通電された場合、回路
に大電流が流れジュール熱により発熱する。
て、以下図１１から図１４を用いて説明する。図１１は
断面図、図１２は上面透視図、図１３に貫通破壊した時
の断面図、図１４は同上面図を示す。図１１〜図１４に
おいて、１はバリスタ素子である。２はバリスタ素子１
の主平面に設けた電極、３ａ、３ｂはリード端子、４は
電極２とリード端子３ａ、３ｂを電気的に接続する導電
性接着剤、５はモールド樹脂、６は貫通破壊箇所を示
す。以上のように構成されたバリスタについて以下その
動作について説明する。まず、バリスタ素子１が耐え得
ないような異常高電圧が負荷された場合、バリスタ素子
１が貫通破壊を起こし、ある一部分が破損する。貫通破
壊した部分の抵抗は低くなり連続通電された場合、回路
に大電流が流れジュール熱により発熱する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構成で
は、バリスタ素子１が貫通破壊した際に、それに伴って
発生する高圧ガスがモールド樹脂５を破壊しバリスタ素
子１とリード端子３の導通を断つようになっているが、
モールド樹脂５の破壊される箇所によってはバリスタ素
子１が開放状態にならない恐れがあるという問題を有し
ていた。
は、バリスタ素子１が貫通破壊した際に、それに伴って
発生する高圧ガスがモールド樹脂５を破壊しバリスタ素
子１とリード端子３の導通を断つようになっているが、
モールド樹脂５の破壊される箇所によってはバリスタ素
子１が開放状態にならない恐れがあるという問題を有し
ていた。
【０００４】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、バリスタ素子１が貫通破壊した場合、確実に開放状
態となるようにすることを目的とする。
で、バリスタ素子１が貫通破壊した場合、確実に開放状
態となるようにすることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のチップ型バリスタは、バリスタ素子の電極面
とリード端子接合面の水平延長線上のモールド樹脂の外
周の表面に溝を設け、これにより所期の目的を達成する
ものである。
に本発明のチップ型バリスタは、バリスタ素子の電極面
とリード端子接合面の水平延長線上のモールド樹脂の外
周の表面に溝を設け、これにより所期の目的を達成する
ものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、バリスタ素子と、このバリスタ素子を介して対向す
る少なくとも一対の電極と、この電極に電気的に接続し
た少なくとも一対のリード端子と、前記バリスタ素子、
電極及びリード端子を覆ったモールド樹脂とを備え、前
記バリスタ素子の電極面とリード端子の接合面の水平延
長上のモールド樹脂の外周の表面に溝を設けたものであ
り、モールド樹脂の表面に設けた溝の部分の機械的強度
が溝のない部分より弱くなる。従ってバリスタ素子が貫
通破壊を起こした場合、発生したガスの圧力により溝の
部分から破断され、次にそのガスの圧力によりリード端
子と共に電極部上面のモールド樹脂が蓋が開くように剥
離する。このため電極とリード端子が確実に電気的に開
放となる。
は、バリスタ素子と、このバリスタ素子を介して対向す
る少なくとも一対の電極と、この電極に電気的に接続し
た少なくとも一対のリード端子と、前記バリスタ素子、
電極及びリード端子を覆ったモールド樹脂とを備え、前
記バリスタ素子の電極面とリード端子の接合面の水平延
長上のモールド樹脂の外周の表面に溝を設けたものであ
り、モールド樹脂の表面に設けた溝の部分の機械的強度
が溝のない部分より弱くなる。従ってバリスタ素子が貫
通破壊を起こした場合、発生したガスの圧力により溝の
部分から破断され、次にそのガスの圧力によりリード端
子と共に電極部上面のモールド樹脂が蓋が開くように剥
離する。このため電極とリード端子が確実に電気的に開
放となる。
【０００７】本発明の請求項２に記載の発明は、リード
端子にバネ性を持たせるものであり、これにより、バリ
スタ素子が貫通破壊を起こした場合、そのバネ性により
確実に電極とリード端子が電気的に開放状態となる。
端子にバネ性を持たせるものであり、これにより、バリ
スタ素子が貫通破壊を起こした場合、そのバネ性により
確実に電極とリード端子が電気的に開放状態となる。
【０００８】本発明の請求項３に記載の発明は、上部リ
ード端子と電極の接合面の水平延長線上のモールド樹脂
表面に溝を設けたものであり、これによりバリスタ素子
が貫通破壊を起こした場合、より電気的に開放状態とな
りやすい。
ード端子と電極の接合面の水平延長線上のモールド樹脂
表面に溝を設けたものであり、これによりバリスタ素子
が貫通破壊を起こした場合、より電気的に開放状態とな
りやすい。
【０００９】本発明の請求項４に記載の発明は、モール
ド樹脂表面の溝部は、上部リード端子のリード立ち上げ
部から最遠点に近付くに従って、順次深くしたものであ
り、これにより小さな力でもより上部端子のバネ性が発
揮されやすい。
ド樹脂表面の溝部は、上部リード端子のリード立ち上げ
部から最遠点に近付くに従って、順次深くしたものであ
り、これにより小さな力でもより上部端子のバネ性が発
揮されやすい。
【００１０】（実施の形態１）以下、本発明の第一の実
施の形態について図１から図５を用いて説明する。図１
は本発明の実施の形態１におけるチップ型バリスタの断
面図、図２は同じく上面透視図、図３は同じくその破壊
状態の断面図、図４はリード端子３ａ、３ｂの正面図、
図５は同じく上面図である。尚、図１から図５に示す本
発明の実施の形態１の構成部品は、基本的には図１１か
ら図１４に示した従来例と同じ構成であるので、同一構
成部品には同一番号を付し、説明を簡略化する。すなわ
ち本実施の形態１においては図１〜図５のごとく電極と
リード端子３ａの接合面の水平延長上のモールド樹脂５
表面に溝７を設けたことを特徴とする。以上のように構
成されたチップ型バリスタの動作について説明する。ま
ず、バリスタ素子１は定常な状態では良好な絶縁体であ
るが、バリスタ素子１自身が耐え得ないような異常高電
圧が印加されると、バリスタ素子１が貫通破壊を起こ
す。この際、破壊したバリスタ素子１が高温になり、組
成の一部が蒸発する。これに伴って高温、高圧のガスが
発生する。このガスの圧力は、モールド樹脂５を破裂す
るように働き、機械的強度の弱い溝７の部分に沿って、
亀裂を生じ破断させ、そのガスの圧力により、リード端
子３ａと共にバリスタ素子１上面のモールド樹脂５が蓋
が開くように剥離し、電気的に開放状態となる。図３に
リード端子３ａと共に上面のモールド樹脂５が蓋が開く
ように剥離した状態を示す。
施の形態について図１から図５を用いて説明する。図１
は本発明の実施の形態１におけるチップ型バリスタの断
面図、図２は同じく上面透視図、図３は同じくその破壊
状態の断面図、図４はリード端子３ａ、３ｂの正面図、
図５は同じく上面図である。尚、図１から図５に示す本
発明の実施の形態１の構成部品は、基本的には図１１か
ら図１４に示した従来例と同じ構成であるので、同一構
成部品には同一番号を付し、説明を簡略化する。すなわ
ち本実施の形態１においては図１〜図５のごとく電極と
リード端子３ａの接合面の水平延長上のモールド樹脂５
表面に溝７を設けたことを特徴とする。以上のように構
成されたチップ型バリスタの動作について説明する。ま
ず、バリスタ素子１は定常な状態では良好な絶縁体であ
るが、バリスタ素子１自身が耐え得ないような異常高電
圧が印加されると、バリスタ素子１が貫通破壊を起こ
す。この際、破壊したバリスタ素子１が高温になり、組
成の一部が蒸発する。これに伴って高温、高圧のガスが
発生する。このガスの圧力は、モールド樹脂５を破裂す
るように働き、機械的強度の弱い溝７の部分に沿って、
亀裂を生じ破断させ、そのガスの圧力により、リード端
子３ａと共にバリスタ素子１上面のモールド樹脂５が蓋
が開くように剥離し、電気的に開放状態となる。図３に
リード端子３ａと共に上面のモールド樹脂５が蓋が開く
ように剥離した状態を示す。
【００１１】本実施の形態１におけるチップ型バリスタ
の貫通破壊後の抵抗値と従来のチップ型バリスタの貫通
破壊後の抵抗値を（表１）に比較して示している。尚、
バリスタ素子１には最大許容電圧の２倍の電圧を印加し
過電圧破壊を起こしたものである。
の貫通破壊後の抵抗値と従来のチップ型バリスタの貫通
破壊後の抵抗値を（表１）に比較して示している。尚、
バリスタ素子１には最大許容電圧の２倍の電圧を印加し
過電圧破壊を起こしたものである。
【００１２】
【表１】
【００１３】この（表１）から明らかなように、本実施
形態によるチップ型バリスタは破壊後の抵抗値が開放状
態になることがわかる。
形態によるチップ型バリスタは破壊後の抵抗値が開放状
態になることがわかる。
【００１４】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２について図６から図９を用いて説明する。図６は実
施の形態２の断面図、図７は同じく上面透視図、図８は
同じく貫通破壊状態を示す断面図、図９は実施の形態２
に使用したリード端子３ｃ、３ｄの正面図、図１０は同
じく上面図である。図６から図８において３ｃは、図９
に示すように、途中で４５℃の角度に成型した上部リー
ド端子であり、バリスタ素子１が破壊したときに離れや
すいようにしたものである。更に、上部リード端子３ｃ
の効果が確実に発揮されるように、モールド樹脂５の外
周面に設けた溝７を、上部リード端子３ｃと電極２との
接合面の延長線上に設けると共に、上部リード端子３ｃ
のリード部立ち上げ部より最遠点に行くに従って深くす
るように形成した。尚、図６から図９に示す実施の形態
２の構成部品は基本的には図１１から図１４に示した従
来例と同じ構成であるので、同一構成部品には同一番号
を付し説明を簡略化している。
態２について図６から図９を用いて説明する。図６は実
施の形態２の断面図、図７は同じく上面透視図、図８は
同じく貫通破壊状態を示す断面図、図９は実施の形態２
に使用したリード端子３ｃ、３ｄの正面図、図１０は同
じく上面図である。図６から図８において３ｃは、図９
に示すように、途中で４５℃の角度に成型した上部リー
ド端子であり、バリスタ素子１が破壊したときに離れや
すいようにしたものである。更に、上部リード端子３ｃ
の効果が確実に発揮されるように、モールド樹脂５の外
周面に設けた溝７を、上部リード端子３ｃと電極２との
接合面の延長線上に設けると共に、上部リード端子３ｃ
のリード部立ち上げ部より最遠点に行くに従って深くす
るように形成した。尚、図６から図９に示す実施の形態
２の構成部品は基本的には図１１から図１４に示した従
来例と同じ構成であるので、同一構成部品には同一番号
を付し説明を簡略化している。
【００１５】以上のように構成された、チップ型バリス
タの動作について説明する。バリスタ素子１の貫通破壊
から上部リード端子３ｃが電極２から剥離しその結果モ
ールド樹脂５が剥離するまでのプロセスは、前記実施の
形態１と同様であるが、実施の形態２に用いた上部リー
ド端子３ｃは、ばね性をもっているため、ガスの圧力に
よりバリスタ素子１から剥離した上部リード端子３ｃの
開く角度が、実施の形態１の場合より大きくなる。また
前記効果を更に助長するために、モールド樹脂５外周表
面の溝７を、上部リード端子３ｃと電極２の接合面の水
平面延長上に形成すると共に、その深さを上部リード端
子３ｃの立ち上げ部から離れるに従って深くした構成と
した。これらの結果バリスタ素子１の貫通破壊時におい
てより確実に開放状態にすることができた。実施の形態
２における、チップ型バリスタの貫通破壊後の抵抗値
と、従来のチップ型バリスタの貫通破壊後の抵抗値を
（表１）に比較して示した。（表１）から明らかなよう
に、実施の形態２においてバリスタ素子１の貫通破壊後
の故障モードは、確実に電気的開放状態になっているこ
とが判る。
タの動作について説明する。バリスタ素子１の貫通破壊
から上部リード端子３ｃが電極２から剥離しその結果モ
ールド樹脂５が剥離するまでのプロセスは、前記実施の
形態１と同様であるが、実施の形態２に用いた上部リー
ド端子３ｃは、ばね性をもっているため、ガスの圧力に
よりバリスタ素子１から剥離した上部リード端子３ｃの
開く角度が、実施の形態１の場合より大きくなる。また
前記効果を更に助長するために、モールド樹脂５外周表
面の溝７を、上部リード端子３ｃと電極２の接合面の水
平面延長上に形成すると共に、その深さを上部リード端
子３ｃの立ち上げ部から離れるに従って深くした構成と
した。これらの結果バリスタ素子１の貫通破壊時におい
てより確実に開放状態にすることができた。実施の形態
２における、チップ型バリスタの貫通破壊後の抵抗値
と、従来のチップ型バリスタの貫通破壊後の抵抗値を
（表１）に比較して示した。（表１）から明らかなよう
に、実施の形態２においてバリスタ素子１の貫通破壊後
の故障モードは、確実に電気的開放状態になっているこ
とが判る。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明は、故障時に確実に
開放状態にするチップ型バリスタの提供が可能になる。
開放状態にするチップ型バリスタの提供が可能になる。
【図１】本発明の実施の形態１の断面図
【図２】同、実施の形態１の上面透視図
【図３】本発明の実施の形態１におけるチップ型バリス
タの貫通破壊状態を示す断面図
タの貫通破壊状態を示す断面図
【図４】同、実施の形態１に用いたリード端子の正面図
【図５】同、実施の形態１に用いたリード端子の上面図
【図６】本発明の実施の形態２の断面図
【図７】同、実施の形態２の上面透視図
【図８】同、実施の形態２におけるチップ型バリスタの
貫通破壊状態を示す断面図
貫通破壊状態を示す断面図
【図９】同、実施の形態２に用いたリード端子の正面図
【図１０】同、実施の形態２に用いたリード端子の上面
図
図
【図１１】従来例の断面図
【図１２】同、上面透視図
【図１３】同、断面図
【図１４】同、上面図
１ バリスタ素子 ２ 電極 ３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ リード端子 ４ 導電性接着剤 ５ モールド樹脂 ７ 溝
Claims (4)
- 【請求項１】 バリスタ素子と、このバリスタ素子を介
して対向する少なくとも一対の電極と、この電極の外表
面に電気的に接続した少なくとも一対のリード端子と、
前記バリスタ素子、電極及びリード端子を覆ったモール
ド樹脂とを備え、前記バリスタ素子の少なくとも一方の
電極とリード端子の接合面の水平延長上のモールド樹脂
の外周の表面に溝を設けたことを特徴とするチップ型バ
リスタ。 - 【請求項２】 一対のリード端子の内、上部のリード端
子にバネ性を持たせた請求項１記載のチップ型バリス
タ。 - 【請求項３】 上部のリード端子と電極の接合面の水平
延長線上のモールド樹脂表面に溝を設けた請求項１記載
のチップ型バリスタ。 - 【請求項４】 モールド樹脂表面の溝部は、上部リード
端子のリード立ち上げ部から最遠点に近付くに従って、
順次深くした請求項２記載のチップ型バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227196A JP3463448B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | チップ型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227196A JP3463448B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | チップ型バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09219303A true JPH09219303A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3463448B2 JP3463448B2 (ja) | 2003-11-05 |
Family
ID=12078109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227196A Expired - Fee Related JP3463448B2 (ja) | 1996-02-08 | 1996-02-08 | チップ型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3463448B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107768052A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 惠州市欣旭电子有限公司 | 一种贴片式压敏电阻制作工艺及贴片式压敏电阻 |
-
1996
- 1996-02-08 JP JP2227196A patent/JP3463448B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107768052A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 惠州市欣旭电子有限公司 | 一种贴片式压敏电阻制作工艺及贴片式压敏电阻 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3463448B2 (ja) | 2003-11-05 |
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| Date | Code | Title | Description |
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