JP3381485B2 - チップ型バリスタ - Google Patents
チップ型バリスタInfo
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- JP3381485B2 JP3381485B2 JP27880195A JP27880195A JP3381485B2 JP 3381485 B2 JP3381485 B2 JP 3381485B2 JP 27880195 A JP27880195 A JP 27880195A JP 27880195 A JP27880195 A JP 27880195A JP 3381485 B2 JP3381485 B2 JP 3381485B2
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- Japan
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- varistor
- lead terminal
- chip type
- varistor element
- mold resin
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- Details Of Resistors (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテレビジョン受像
機、洗濯機、自動車電装装置などの電源回路に生じるサ
ージ電圧を吸収する異常電圧対策に用いるチップ型バリ
スタに関するものである。
機、洗濯機、自動車電装装置などの電源回路に生じるサ
ージ電圧を吸収する異常電圧対策に用いるチップ型バリ
スタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１５、図１６において、１１はバリス
タ素子である。１２ａ，１２ｂはバリスタ素子１１の主
平面に設けた電極、１３ａ，１３ｂはリード端子、１４
ａ，１４ｂは電極１２ａ，１２ｂとリード端子１３ａ，
１３ｂを接続する導電性接着剤である。１５はモールド
樹脂である。以上のように構成されたチップ型バリスタ
について、以下その動作について説明する。
タ素子である。１２ａ，１２ｂはバリスタ素子１１の主
平面に設けた電極、１３ａ，１３ｂはリード端子、１４
ａ，１４ｂは電極１２ａ，１２ｂとリード端子１３ａ，
１３ｂを接続する導電性接着剤である。１５はモールド
樹脂である。以上のように構成されたチップ型バリスタ
について、以下その動作について説明する。
【０００３】まず、バリスタ素子１１自身が耐え得ない
ような異常高電圧が負荷された場合、バリスタ素子１１
が貫通破壊を起こす。
ような異常高電圧が負荷された場合、バリスタ素子１１
が貫通破壊を起こす。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記の従来の構成では
モールド樹脂１５によって覆われており、バリスタ素子
１１が貫通破壊した際に、それに伴って発生する高圧ガ
スがモールド樹脂１５を破壊し、バリスタ素子１１とリ
ード端子１３ａ，１３ｂの導通を断つ。しかしモールド
樹脂１５の破壊される箇所によっては、バリスタ素子１
１が開放状態にならないおそれがあるという問題を有し
ていた。
モールド樹脂１５によって覆われており、バリスタ素子
１１が貫通破壊した際に、それに伴って発生する高圧ガ
スがモールド樹脂１５を破壊し、バリスタ素子１１とリ
ード端子１３ａ，１３ｂの導通を断つ。しかしモールド
樹脂１５の破壊される箇所によっては、バリスタ素子１
１が開放状態にならないおそれがあるという問題を有し
ていた。
【０００５】本発明は従来の課題を解決するもので、バ
リスタ素子１１が貫通破壊した場合、確実に開放状態と
なるようにすることを目的とする。
リスタ素子１１が貫通破壊した場合、確実に開放状態と
なるようにすることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のチップ型バリスタは、リード端子外周に沿っ
たモールド樹脂の上部表面に溝を設け、これにより初期
の目的を達成するものである。
に本発明のチップ型バリスタは、リード端子外周に沿っ
たモールド樹脂の上部表面に溝を設け、これにより初期
の目的を達成するものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明に
よれば、モールド樹脂の上部表面に設けた溝の部分の機
械的強度が溝の無い部分より弱くなる。したがってバリ
スタ素子が貫通破壊を起こした場合、発生したガスの圧
力により溝の部分よりせん断され、リード端子と共にリ
ード端子上面のモールド樹脂が蓋が開くように剥離す
る。このため電極とリード端子間は電気的に開放状態と
なる。
よれば、モールド樹脂の上部表面に設けた溝の部分の機
械的強度が溝の無い部分より弱くなる。したがってバリ
スタ素子が貫通破壊を起こした場合、発生したガスの圧
力により溝の部分よりせん断され、リード端子と共にリ
ード端子上面のモールド樹脂が蓋が開くように剥離す
る。このため電極とリード端子間は電気的に開放状態と
なる。
【０００８】（実施形態１）図１は本発明の実施例にお
けるチップ型バリスタの上面図、図２は上面透視図、図
３は図１のＡ−Ａ断面図を示すものである。図３におい
て、２１は酸化亜鉛系のセラミックバリスタ素子であ
る。２２はセラミックバリスタ素子２１の主平面に設け
た電極、２３ａ，２３ｂはリード端子である。２４は電
極２２とリード端子２３ａ，２３ｂを電気的に接続する
導電性接着剤である。２５はバリスタ全体を覆ったエポ
キシ絶縁樹脂よりなるモールド樹脂、２６はリード端子
２３ｂ外周に沿ってモールド樹脂２５の上部表面に設け
られた溝である。以上のように構成されたバリスタの動
作について図を用いて説明する。
けるチップ型バリスタの上面図、図２は上面透視図、図
３は図１のＡ−Ａ断面図を示すものである。図３におい
て、２１は酸化亜鉛系のセラミックバリスタ素子であ
る。２２はセラミックバリスタ素子２１の主平面に設け
た電極、２３ａ，２３ｂはリード端子である。２４は電
極２２とリード端子２３ａ，２３ｂを電気的に接続する
導電性接着剤である。２５はバリスタ全体を覆ったエポ
キシ絶縁樹脂よりなるモールド樹脂、２６はリード端子
２３ｂ外周に沿ってモールド樹脂２５の上部表面に設け
られた溝である。以上のように構成されたバリスタの動
作について図を用いて説明する。
【０００９】セラミックバリスタ素子２１は定常状態で
は良好な絶縁体であるが、セラミックバリスタ素子２１
自身が耐え得ないような異常高電圧が印加されると、セ
ラミックバリスタ素子２１が貫通破壊をおこす。この
際、破壊したセラミックバリスタ素子２１が高温にな
り、組成の一部が蒸発する。これに伴って高温、高圧の
ガスが発生する。このガスの圧力はモールド樹脂２５を
破壊するように働き機械的強度の弱い溝２６の部分に沿
って亀裂を生じ、せん断させ、そのガスの圧力によりリ
ード端子２３ｂと共にセラミックバリスタ素子２１上面
のモールド樹脂２５が、蓋が開くように剥離し、電気的
に開放状態となる。図４、図５に本実施形態におけるリ
ード端子２３ｂと共に、上面のモールド樹脂２５が蓋が
開くように剥離した状態を示す。図６に本実施例に用い
たリード端子２３ａ，２３ｂの上面図、図７に同じく側
面図を示す。本実施例におけるチップ型バリスタの貫通
破壊後の抵抗値と従来例のチップ型バリスタの貫通破壊
後の抵抗値を（表１）に比較して示している。なおセラ
ミックバリスタ素子２１には最大許容電圧の２倍の電圧
を印加し過電圧破壊を起こさせたものである。
は良好な絶縁体であるが、セラミックバリスタ素子２１
自身が耐え得ないような異常高電圧が印加されると、セ
ラミックバリスタ素子２１が貫通破壊をおこす。この
際、破壊したセラミックバリスタ素子２１が高温にな
り、組成の一部が蒸発する。これに伴って高温、高圧の
ガスが発生する。このガスの圧力はモールド樹脂２５を
破壊するように働き機械的強度の弱い溝２６の部分に沿
って亀裂を生じ、せん断させ、そのガスの圧力によりリ
ード端子２３ｂと共にセラミックバリスタ素子２１上面
のモールド樹脂２５が、蓋が開くように剥離し、電気的
に開放状態となる。図４、図５に本実施形態におけるリ
ード端子２３ｂと共に、上面のモールド樹脂２５が蓋が
開くように剥離した状態を示す。図６に本実施例に用い
たリード端子２３ａ，２３ｂの上面図、図７に同じく側
面図を示す。本実施例におけるチップ型バリスタの貫通
破壊後の抵抗値と従来例のチップ型バリスタの貫通破壊
後の抵抗値を（表１）に比較して示している。なおセラ
ミックバリスタ素子２１には最大許容電圧の２倍の電圧
を印加し過電圧破壊を起こさせたものである。
【００１０】
【表１】
【００１１】この（表１）から明らかなように、本発明
によるチップ型バリスタは破壊後の抵抗値が開放状態に
なる事がわかる。以上のように本実施形態は、リード端
子２３ｂの外周に沿ってモールド樹脂２５の上部表面に
溝２６を設けたものであり、セラミックバリスタ素子２
１が貫通破壊した際のチップ型バリスタの故障モードを
開放状態にすることができる。
によるチップ型バリスタは破壊後の抵抗値が開放状態に
なる事がわかる。以上のように本実施形態は、リード端
子２３ｂの外周に沿ってモールド樹脂２５の上部表面に
溝２６を設けたものであり、セラミックバリスタ素子２
１が貫通破壊した際のチップ型バリスタの故障モードを
開放状態にすることができる。
【００１２】（実施形態２）図８〜図１０において、３
１はセラミックバリスタ素子、３２は電極、３３ａ，３
３ｂはリード端子、３４は導電性接着剤、３５はモール
ド樹脂、３６はモールド樹脂３５の上部表面の溝であ
り、実施形態１と同様な構成である。実施形態１と異な
るのは、リード端子３３ｂにセラミックバリスタ素子３
１が貫通破壊したときに離れやすいようにバネ性を持た
せた点である。図１３に本実施例に用いたリード端子３
３ａ，３３ｂの上面図、図１４に同じく側面図を示し
た。本実施例に用いたリード端子３３ｂの途中より４５
°の角度に曲げ加工しているので、これをセラミックバ
リスタ素子３１側へ押圧してモールド樹脂３５で覆うと
バネ性が発揮される。図１１、図１２は本実施形態にお
ける、セラミックバリスタ素子３１が貫通破壊したと
き、リード端子３３ｂと共に、セラミックバリスタ素子
３１電極３２上面のモールド樹脂３５が溝３６に沿って
蓋が開くように剥離した状態図を示す。
１はセラミックバリスタ素子、３２は電極、３３ａ，３
３ｂはリード端子、３４は導電性接着剤、３５はモール
ド樹脂、３６はモールド樹脂３５の上部表面の溝であ
り、実施形態１と同様な構成である。実施形態１と異な
るのは、リード端子３３ｂにセラミックバリスタ素子３
１が貫通破壊したときに離れやすいようにバネ性を持た
せた点である。図１３に本実施例に用いたリード端子３
３ａ，３３ｂの上面図、図１４に同じく側面図を示し
た。本実施例に用いたリード端子３３ｂの途中より４５
°の角度に曲げ加工しているので、これをセラミックバ
リスタ素子３１側へ押圧してモールド樹脂３５で覆うと
バネ性が発揮される。図１１、図１２は本実施形態にお
ける、セラミックバリスタ素子３１が貫通破壊したと
き、リード端子３３ｂと共に、セラミックバリスタ素子
３１電極３２上面のモールド樹脂３５が溝３６に沿って
蓋が開くように剥離した状態図を示す。
【００１３】以上のように構成されたチップ型バリスタ
の動作について、図を用いて説明する。セラミックバリ
スタ素子３１の貫通破壊で、リード端子３３ｂがモール
ド樹脂３５をせん断するまでのプロセスは、実施形態１
と同様であるが本実施形態２に用いているリード端子３
３ｂはバネ性を持っているため、ガスの圧力により剥離
したリード端子３３ｂの開く角度が大きく、実施形態１
の場合より、より確実に開放状態にすることができるこ
とを示している。
の動作について、図を用いて説明する。セラミックバリ
スタ素子３１の貫通破壊で、リード端子３３ｂがモール
ド樹脂３５をせん断するまでのプロセスは、実施形態１
と同様であるが本実施形態２に用いているリード端子３
３ｂはバネ性を持っているため、ガスの圧力により剥離
したリード端子３３ｂの開く角度が大きく、実施形態１
の場合より、より確実に開放状態にすることができるこ
とを示している。
【００１４】本実施形態２におけるチップ型バリスタの
貫通破壊後の抵抗値と、従来例のチップ型バリスタの貫
通破壊後の抵抗値を（表１）に示している。この（表
１）から明らかなように、実施形態２によるチップ型バ
リスタは、使用するリード端子３３ｂにばね性をもたせ
ることによりセラミックバリスタ素子３１の貫通破壊
後、チップ型バリスタの故障モードをより確実に開放状
態にすることができることが分かる。
貫通破壊後の抵抗値と、従来例のチップ型バリスタの貫
通破壊後の抵抗値を（表１）に示している。この（表
１）から明らかなように、実施形態２によるチップ型バ
リスタは、使用するリード端子３３ｂにばね性をもたせ
ることによりセラミックバリスタ素子３１の貫通破壊
後、チップ型バリスタの故障モードをより確実に開放状
態にすることができることが分かる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように、本発明は故障時に確実に
開放するチップ型バリスタの提供が可能になる。
開放するチップ型バリスタの提供が可能になる。
【図１】本発明の実施形態１によるチップ型バリスタの
上面図
上面図
【図２】同実施形態１によるチップ型バリスタの上面透
視図
視図
【図３】図１のＡ−Ａ断面図
【図４】同実施形態１によるチップ型バリスタの破壊状
態を示す上面図
態を示す上面図
【図５】図４のＡ−Ａ断面図
【図６】同実施形態１によるリード端子の上面図
【図７】同実施形態１によるリード端子の側面図
【図８】本発明の実施形態２によるチップ型バリスタの
上面図
上面図
【図９】同実施形態２によるチップ型バリスタの上面透
視図
視図
【図１０】図８のＡ−Ａ断面図
【図１１】同実施形態２によるチップ型バリスタの破壊
状態を示す上面図
状態を示す上面図
【図１２】図１１のＡ−Ａ断面図
【図１３】同実施形態２によるリード端子の上面図
【図１４】同実施形態２によるリード端子の側面図
【図１５】従来例のチップ型バリスタの上面透視図
【図１６】図１５のＡ−Ａ断面図
２１ セラミックバリスタ素子
２２ 電極
２３ｂ リード端子
２５ モールド樹脂
２６ 溝
Claims (2)
- 【請求項１】 バリスタ素子と、この主平面に設けた電
極と、前記電極に電気的に接続したリード端子と、前記
バリスタ素子と電極およびリード端子の少なくとも電極
との接続部を覆った樹脂モールドとを備え、前記リード
端子外周に沿ってモールド樹脂の上部表面に溝を設けた
ことを特徴とするチップ型バリスタ。 - 【請求項２】 リード端子には、バネ性を持たせた請求
項１記載のチップ型バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27880195A JP3381485B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27880195A JP3381485B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ型バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09129404A JPH09129404A (ja) | 1997-05-16 |
| JP3381485B2 true JP3381485B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=17602370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27880195A Expired - Fee Related JP3381485B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | チップ型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381485B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3589174B2 (ja) | 2000-10-24 | 2004-11-17 | 株式会社村田製作所 | 表面実装型正特性サーミスタおよびその実装方法 |
| CN104733143A (zh) * | 2013-12-18 | 2015-06-24 | 孙巍巍 | 一种采用新型管脚设计方法的压敏电阻 |
| CN107768052A (zh) * | 2017-10-20 | 2018-03-06 | 惠州市欣旭电子有限公司 | 一种贴片式压敏电阻制作工艺及贴片式压敏电阻 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27880195A patent/JP3381485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09129404A (ja) | 1997-05-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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