JPH09213649A - 紫外線消去器 - Google Patents

紫外線消去器

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Publication number
JPH09213649A
JPH09213649A JP1387596A JP1387596A JPH09213649A JP H09213649 A JPH09213649 A JP H09213649A JP 1387596 A JP1387596 A JP 1387596A JP 1387596 A JP1387596 A JP 1387596A JP H09213649 A JPH09213649 A JP H09213649A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultraviolet
air
erasing
irradiation
lamp
Prior art date
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Pending
Application number
JP1387596A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsumi Takaira
辰巳 高井良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Kyushu Ltd
Original Assignee
NEC Kyushu Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】紫外線ランプの発熱を抑制して紫外線発生効率
を向上させ、被照射体の表面温度の上昇を抑制し、さら
にメモリセル表面の異物を除去する。 【解決手段】紫外線照射室5内に紫外線消去型半導体メ
モリの被照射体4を設け、これに紫外線ランプ1から紫
外線を照射するものであり、これら紫外線ランプ1と被
照射体4にエアーを吹き付けて冷却するエアブロー装置
2及び暖められたエアーと紫外線照射室5内にある異物
又は被照射体4に付着している異物を吸引する排気装置
3が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は紫外線消去器に関
し、特に紫外線消去型半導体メモリに短時間で効率良く
紫外線を照射する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の紫外線消去器は、図3に示す様な
装置構成となっており、紫外線照射室5の内部に被照射
体4となる紫外線消去型半導体メモリを配置し、この被
照射体4の上部に紫外線ランプが設けられた構造となっ
ていた。このような装置の中には紫外線照射によって生
じるオゾンを除去するための排気ダクトを有するものが
あり、また紫外線ランプ部分のみを冷却する冷却機構を
備えたものもある。
【0003】図4は図3の紫外線消去器の紫外線照射時
間(横軸)に対する照度(縦軸,実線,目盛は左側)及
び被照射体の表面温度(縦軸,破線,目盛は右側)との
関係を表わすグラフである。紫外線ランプ1を冷却しな
い場合、その紫外線照度は紫外線照射時間とともに低下
してゆき、被照射体4の表面温度も紫外線照射時間とと
もに上昇し、照射時間によっては紫外線消去終了後被照
射体4が素手で扱えない程高温になっている場合もあ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の紫外線
消去器は、紫外線照射時間が長くなるにつれ、紫外線ラ
ンプ1のフィラメンタ温度が上昇し、照度が低下する問
題がある。それは、紫外線ランプ1のフィラメントに流
れる電流が、時間とともに熱エネルギー、あるいは所望
する波長以外の光に変換されるものが多くなり、所望す
る波長の紫外線に変換される効率が低下するためであ
る。
【0005】また、被照射体4の表面温度も、紫外線照
射時間とともに上昇し、紫外線照射終了後は被照射体が
厚くて素手で扱えないこともあり、これは紫外線ランプ
4から被照射体1の半導体メモリの消去に必要な紫外線
以外の光、又は熱エネルギーが放射されるためである。
【0006】さらに、被照射体1が紫外線消去型半導体
メモリの場合、このメモリセル表面に異物付着があると
紫外線が遮られ、異物直下のメモリセルが正常な消去動
作を行わず、誤動作の原因にもなっていた。特に半導体
メモリの高集積化に伴ない、メモリセルの面積が小さく
なって、微小な異物も消去不良の原因となってきてい
る。
【0007】本発明の目的は、紫外線ランプの発熱を抑
制し、紫外線消去型半導体メモリの消去に有効な紫外線
の発生率を向上させ、被照射体の表面温度の上昇を抑制
し、紫外線照射終了後の冷却時間をなくし、さらにメモ
リセルの表面に付着した異物に紫外線を遮られ、正常な
消去が行なわれない誤動作をなくすようにした紫外線消
去器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の構成は、紫外線
照射室内に設けた紫外線ランプから被照射体の紫外線消
去型半導体メモリに短時間で効率良く紫外線を照射する
紫外線消去器において、前記被照射体にエアーを吹きつ
けて冷却するように前記照射室内に設けたエアブロー装
置と、前記吹き出されたエアーを前記照射室外へ排出す
る排気装置とを備えたことを特徴とする。
【0009】本発明の構成によれば、紫外線ランプと被
照射体とを同時にエアブロー装置により冷却しているた
め、紫外線ランプの温度上昇を抑制し、紫外線消去に有
効な紫外線発生効率を高めると同時に、被照射体の温度
上昇を抑制することができる。更に排気機構を有してい
るので、冷却効果を高めると共に、エアブローによる紫
外線消去器内の異物や被照射体に付着している異物を吹
き飛ばし、排気装置によって紫外線消去器外へ排除する
ことができ、紫外線が異物に遮られることなく、正常な
消去動作を行うことができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態を示す
模式的断面図である。図において、1は紫外線ランプ、
2は紫外線ランプ1及び被照射体4にエアーを吹きつけ
て冷却するエアブロー装置、3はエアブロー装置2から
吹きつけられたエアー及び紫外線照射5内の異物と、被
照射体4に被着している異物を吸引する排気装置、4は
被照射体の紫外線消去型半導体メモリである。
【0011】エアブロー装置2から吹き出されたエアー
が、紫外線ランプ1に当たり冷却させることにより、紫
外線ランプ1の温度上昇を抑制し、紫外線照度の低下を
防ぐことができる。
【0012】また、エアブロー装置2から吹き出された
エアーが被照射体4に当たり、その表面温度を下げると
共に、被照射体4が特に紫外線消去型半導体メモリの場
合、表面に付着した異物を吹き飛ばすことができる。こ
の場合、エアブロー装置2のエアー吹き出し口にフィル
タが設けられていれば、異物を含まない正常なエアーを
吹きつけることが出来る。
【0013】また排気装置3はエアブロー装置2から吹
き出され暖まり、かつ被照射体4に付着した異物と、紫
外線消去器内の異物とを含んだエアーを吸引し、装置内
を冷却すると共に、清浄比を高めることができる。
【0014】本実施形態は、紫外線消去ランプ1と、非
照射体4との距離を適正化することで、比照射体4がウ
ェーハでも、パッケージでも、同じ構成で適用すること
ができる。
【0015】図2は図1の紫外線消去器の紫外線照射時
間(横軸)に対する照度(縦軸,実線,目盛は左側)及
び被照射体の表面温度(縦軸,破線,目盛は右側)との
関係を表わすグラフである。紫外線の照度については、
紫外線消去時間が長くなっても照度の低下はほとんどみ
られず、また被照射体4の表面温度は、紫外線照射時間
とともにわずかだが上昇するものの紫外線消去終了後
も、素手で扱えないほどの高温には至らない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エアブロ装置でエアーを吹きつけ、更に暖まったエアー
を排気装置で紫外線消去器外に排除するため、紫外線ラ
ンプが冷却されて、紫外線照度の低下を抑制でき、これ
により紫外線照射時間を短縮できる。
【0017】その理由は、紫外線ランプのフィラメント
の温度上昇を抑制することで性能を維持でき、紫外線消
去に有効な一定の波長の紫外線を発生し続けることがで
きるからである。
【0018】また、被照射体の表面温度の上昇を抑制で
き、これにより、紫外線消去終了後も冷却されるまで待
つことなく、被照射体を素手で扱うこともできる。
【0019】さらに、被照射体が紫外線消去型半導体メ
モリの場合、異物に紫外線が遮られることなく、正常な
消去動作が行なわれ、これにより紫外線消去不良による
誤動作を防ぐこともできる。それは、紫外線消去型半導
体メモリのメモリセル上に付着した異物がエアブロー装
置より吹き出されたエアーにより除去され、更に排気装
置によって紫外線消去器内の異物と共に紫外線消去器外
へ排除されるからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態の紫外線消去器の断面図で
ある。
【図2】図1の紫外線消去器の紫外線照射時間(横軸)
に対する照度(縦軸,実線)及び被照射体の表面温度
(縦軸,破線)との関係を表わすグラフである。
【図3】従来例の紫外線消去器の断面図である。
【図4】図3の紫外線消去器の紫外線照射時間(横軸)
に対する照度(縦軸,実線)及び被照射体の表面温度
(縦軸,破線)との関係を表わすグラフである。
【符号の説明】
1 紫外線ランプ 2 エアブロー装置 3 排気装置 4 被照射体 5 紫外線照射室

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外線照射室内に設けた紫外線ランプか
    ら被照射体の紫外線消去型半導体メモリに短時間で効率
    良く紫外線を照射する紫外線消去器において、前記被照
    射体にエアーを吹きつけて冷却するように前記照射室内
    に設けたエアブロー装置と、前記吹き出されたエアーを
    前記照射室外へ排出する排気装置とを備えたことを特徴
    とする紫外線消去器。
  2. 【請求項2】 被照射体がウェーハまたはパッケージで
    ある請求項1記載の紫外線消去器。
JP1387596A 1996-01-30 1996-01-30 紫外線消去器 Pending JPH09213649A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1387596A JPH09213649A (ja) 1996-01-30 1996-01-30 紫外線消去器

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JP1387596A JPH09213649A (ja) 1996-01-30 1996-01-30 紫外線消去器

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JPH09213649A true JPH09213649A (ja) 1997-08-15

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ID=11845407

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JP1387596A Pending JPH09213649A (ja) 1996-01-30 1996-01-30 紫外線消去器

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990309