JPH0855870A - ワークのクリーニング装置 - Google Patents
ワークのクリーニング装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ワイヤボンディングに先立ちボンディング位
置の汚染物を簡単に取除くことを目的とする。 【構成】 還元雰囲気中にてワークを保持する保持手段
と、ワークのボンディング位置に熱線を局所的に照射す
る熱線照射手段とを有する。
置の汚染物を簡単に取除くことを目的とする。 【構成】 還元雰囲気中にてワークを保持する保持手段
と、ワークのボンディング位置に熱線を局所的に照射す
る熱線照射手段とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤボンディングに
先立ちワークのボンディング位置のクリーニングを行う
ワークのクリーニング装置に関するものである。
先立ちワークのボンディング位置のクリーニングを行う
ワークのクリーニング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板の電極とこの基板に搭載されたチッ
プの電極（これら電極がボンディング位置である）をワ
イヤで接続するワイヤボンディングにおいて、基板やチ
ップの表面の電極が酸化膜や有機物質（例えば、フェノ
ール、エポキシ）などの汚染物により汚れているとボン
ディング不良が生じやすい。そこで本出願人は、ワイヤ
ボンディングに先立って基板やチップの表面の電極をク
リーニングするプラズマクリーニング装置を提案した
（特開平４−１２３４３０号公報）。
プの電極（これら電極がボンディング位置である）をワ
イヤで接続するワイヤボンディングにおいて、基板やチ
ップの表面の電極が酸化膜や有機物質（例えば、フェノ
ール、エポキシ）などの汚染物により汚れているとボン
ディング不良が生じやすい。そこで本出願人は、ワイヤ
ボンディングに先立って基板やチップの表面の電極をク
リーニングするプラズマクリーニング装置を提案した
（特開平４−１２３４３０号公報）。
【０００３】このプラズマクリーニング装置は、チップ
が搭載された基板をケーシングの内部に収納し、ケーシ
ング内にプラズマを発生させることにより、電極の表面
にイオンを衝突させて汚染物をクリーニング対象から取
り除くものであり、多数枚の基板を作業性よくクリーニ
ングできる長所を有している。
が搭載された基板をケーシングの内部に収納し、ケーシ
ング内にプラズマを発生させることにより、電極の表面
にイオンを衝突させて汚染物をクリーニング対象から取
り除くものであり、多数枚の基板を作業性よくクリーニ
ングできる長所を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のプラズマクリーニング装置は、クリーニング対象とし
ての電極だけでなく、基板やチップの表面全体にイオン
が衝突するため、電極以外の基板やチップの表面が傷つ
きやすく、また荷電粒子であるため、チップを帯電させ
て破壊する場合があるという問題点があった。またこの
プラズマクリーニング装置はかなり大型設備であって大
きな設置スペースを必要とし、また相当高価なものであ
った。さらにプラズマクリーニング装置では、プラズマ
発生のための減圧雰囲気を生成する必要があり、処理時
間が長いという問題点もあった。
のプラズマクリーニング装置は、クリーニング対象とし
ての電極だけでなく、基板やチップの表面全体にイオン
が衝突するため、電極以外の基板やチップの表面が傷つ
きやすく、また荷電粒子であるため、チップを帯電させ
て破壊する場合があるという問題点があった。またこの
プラズマクリーニング装置はかなり大型設備であって大
きな設置スペースを必要とし、また相当高価なものであ
った。さらにプラズマクリーニング装置では、プラズマ
発生のための減圧雰囲気を生成する必要があり、処理時
間が長いという問題点もあった。
【０００５】そこで本発明は、基板やチップの電極など
のボンディング位置のみを簡単にクリーニングできるワ
ークのクリーニング装置を提供することを目的とする。
のボンディング位置のみを簡単にクリーニングできるワ
ークのクリーニング装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のワークのクリー
ニング装置は、還元雰囲気中にてワークを保持する保持
手段と、ワークのボンディング位置に熱線を局所的に照
射する熱線照射手段とを有する。
ニング装置は、還元雰囲気中にてワークを保持する保持
手段と、ワークのボンディング位置に熱線を局所的に照
射する熱線照射手段とを有する。
【０００７】
【作用】上記構成により、ワークのうちボンディング位
置のみに熱線が照射され、ボンディング位置のみが局所
的に加熱され、ボンディング位置に付着した汚染物が取
除かれる。ここで還元雰囲気中にて加熱が行われるので
ボンディング位置が加熱によって再び酸化されることも
ない。
置のみに熱線が照射され、ボンディング位置のみが局所
的に加熱され、ボンディング位置に付着した汚染物が取
除かれる。ここで還元雰囲気中にて加熱が行われるので
ボンディング位置が加熱によって再び酸化されることも
ない。
【０００８】
【実施例】次に図面を参照しながら本発明の実施例を説
明する。
明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例におけるワー
クのクリーニング装置の分解斜視図、図２は本発明の第
１の実施例におけるワークのクリーニング装置の断面図
である。
クのクリーニング装置の分解斜視図、図２は本発明の第
１の実施例におけるワークのクリーニング装置の断面図
である。
【００１０】図１中、１は基板としてのリードフレーム
２をＸ方向に搬送あるいは位置決めする搬送レール、３
はリードフレーム２に搭載されたチップ４を囲むように
形成されたインナーリード、５はチップ４の表面に形成
された電極である。これら電極５やインナーリード３が
ワイヤボンディング工程におけるボンディング位置であ
り、電極５あるいはインナーリード３にはチップ４をリ
ードフレーム２に接着剤で固着するキュア工程などにお
いて汚染物１８，１９（図２参照）が付着していること
がある。
２をＸ方向に搬送あるいは位置決めする搬送レール、３
はリードフレーム２に搭載されたチップ４を囲むように
形成されたインナーリード、５はチップ４の表面に形成
された電極である。これら電極５やインナーリード３が
ワイヤボンディング工程におけるボンディング位置であ
り、電極５あるいはインナーリード３にはチップ４をリ
ードフレーム２に接着剤で固着するキュア工程などにお
いて汚染物１８，１９（図２参照）が付着していること
がある。
【００１１】６は還元ガスを供給する還元ガス供給部で
あり、その吐出管７は導入口８を介してリードフレーム
２が収納される空間に連通し、この空間内の気体は排気
口１０及び吸込管９を介して還元ガス供給部６へ循環
し、この空間は絶えず高濃度の還元ガス雰囲気となるよ
うにしてある。
あり、その吐出管７は導入口８を介してリードフレーム
２が収納される空間に連通し、この空間内の気体は排気
口１０及び吸込管９を介して還元ガス供給部６へ循環
し、この空間は絶えず高濃度の還元ガス雰囲気となるよ
うにしてある。
【００１２】１１はこの空間を上方から閉鎖する透光板
である。また透光板１１は例えば石英ガラスなどからな
り、後述する光源が照射する熱線を透過する性質を有す
る。即ち本実施例では、搬送レール１及び透光板１１が
保持手段に対応している。１２は透光板１１上に重合さ
れ、リードフレーム３のボンディング位置に符合するリ
ード用開口部１４及びチップ４に符合するチップ用開口
部１３が開けられた遮光板である。本実施例では遮光板
１２が熱線制限手段に対応する。ここで本実施例では、
透光板１１の上に遮光板１２を重合したが、これらを上
下入れ換えて、遮光板１２の上に透光板１１を重合して
も差支えない。
である。また透光板１１は例えば石英ガラスなどからな
り、後述する光源が照射する熱線を透過する性質を有す
る。即ち本実施例では、搬送レール１及び透光板１１が
保持手段に対応している。１２は透光板１１上に重合さ
れ、リードフレーム３のボンディング位置に符合するリ
ード用開口部１４及びチップ４に符合するチップ用開口
部１３が開けられた遮光板である。本実施例では遮光板
１２が熱線制限手段に対応する。ここで本実施例では、
透光板１１の上に遮光板１２を重合したが、これらを上
下入れ換えて、遮光板１２の上に透光板１１を重合して
も差支えない。
【００１３】１５はリードフレーム２及びチップ４に向
けて熱線を照射する熱線照射部である。図２に示すよう
に、熱線照射部１５は、熱線としての赤外線を放射する
キセノンランプなどの光源１６と、この光源１６が放射
する熱線をリードフレーム２側へ向けるべくカマボコ状
に湾曲した反射鏡１７を有する。上述したようにチップ
用開口部１３及びリード用開口部１４を備えた遮光板１
２を設けているので、矢印Ｎ１で示す熱線はリードフレ
ーム３に付着した汚染物１８に照射される。その結果、
汚染物１８は通常２００〜３００℃程度に加熱されて、
取除かれる。また、矢印Ｎ２で示す熱線はチップ４の電
極５に付着した汚染物１９に照射され、汚染物１９も上
記と同様に取除かれる。しかし、例えば矢印Ｎ３で示す
ように、熱線が遮光板１２に遮られてボンディング位置
と関係ない箇所に当たることはなく、ボンディング位置
のみが局所的しかも熱線が当たる面のみ表面的に加熱さ
れるものであり、ワーク全体が加熱されるのではなく加
熱による熱歪は少ない。
けて熱線を照射する熱線照射部である。図２に示すよう
に、熱線照射部１５は、熱線としての赤外線を放射する
キセノンランプなどの光源１６と、この光源１６が放射
する熱線をリードフレーム２側へ向けるべくカマボコ状
に湾曲した反射鏡１７を有する。上述したようにチップ
用開口部１３及びリード用開口部１４を備えた遮光板１
２を設けているので、矢印Ｎ１で示す熱線はリードフレ
ーム３に付着した汚染物１８に照射される。その結果、
汚染物１８は通常２００〜３００℃程度に加熱されて、
取除かれる。また、矢印Ｎ２で示す熱線はチップ４の電
極５に付着した汚染物１９に照射され、汚染物１９も上
記と同様に取除かれる。しかし、例えば矢印Ｎ３で示す
ように、熱線が遮光板１２に遮られてボンディング位置
と関係ない箇所に当たることはなく、ボンディング位置
のみが局所的しかも熱線が当たる面のみ表面的に加熱さ
れるものであり、ワーク全体が加熱されるのではなく加
熱による熱歪は少ない。
【００１４】このクリーニング工程の後、ワークは例え
ば還元ガス雰囲気中にて冷却されワイヤボンディングが
行われるが、上述したように局所的かつ表面的な加熱を
行っているので、このボンディング時において低温、低
応力の状況下での作業が可能となる。
ば還元ガス雰囲気中にて冷却されワイヤボンディングが
行われるが、上述したように局所的かつ表面的な加熱を
行っているので、このボンディング時において低温、低
応力の状況下での作業が可能となる。
【００１５】本実施例では、遮光板１２にチップ用開口
部１３を設け、チップ４全体に対する熱線の照射を許し
ているが、電極５付近のみに開口部を限定してもよい。
ここで本実施例では、熱線照射部１５と遮光板１２が熱
線照射手段に対応する。
部１３を設け、チップ４全体に対する熱線の照射を許し
ているが、電極５付近のみに開口部を限定してもよい。
ここで本実施例では、熱線照射部１５と遮光板１２が熱
線照射手段に対応する。
【００１６】次に図３（本発明の第２の実施例における
ワークのクリーニング装置の断面図）を参照しながら、
本発明の第２の実施例について説明する。第２の実施例
では、熱線照射手段として、ワークのボンディング位置
に向けてスポット状のレーザ光を照射するレーザ照射器
２０を用いている。この場合、レーザ光の照射をオンオ
フすることにより、インナーリード３と電極５のみにレ
ーザ光を照射するようにすれば、第１の実施例の遮光板
１２を省略できる。リードフレーム３とレーザ照射器２
０の相対位置あるいはレーザ照射器２０の光路を変更す
るための手段を設けている。
ワークのクリーニング装置の断面図）を参照しながら、
本発明の第２の実施例について説明する。第２の実施例
では、熱線照射手段として、ワークのボンディング位置
に向けてスポット状のレーザ光を照射するレーザ照射器
２０を用いている。この場合、レーザ光の照射をオンオ
フすることにより、インナーリード３と電極５のみにレ
ーザ光を照射するようにすれば、第１の実施例の遮光板
１２を省略できる。リードフレーム３とレーザ照射器２
０の相対位置あるいはレーザ照射器２０の光路を変更す
るための手段を設けている。
【００１７】以上基板としてリードフレームを用いた例
を説明したが、厚膜セラミックスについても本発明のワ
ークのクリーニング装置は同様に適用できる。
を説明したが、厚膜セラミックスについても本発明のワ
ークのクリーニング装置は同様に適用できる。
【００１８】
【発明の効果】本発明のワークのクリーニング装置は、
還元雰囲気中にてワークを保持する保持手段と、ワーク
のボンディング位置に熱線を局所的に照射する熱線照射
手段とを有するので、必要な箇所のみを加熱して簡単に
汚染物を取除くことができる。
還元雰囲気中にてワークを保持する保持手段と、ワーク
のボンディング位置に熱線を局所的に照射する熱線照射
手段とを有するので、必要な箇所のみを加熱して簡単に
汚染物を取除くことができる。
【図１】本発明の第１の実施例におけるワークのクリー
ニング装置の分解斜視図
ニング装置の分解斜視図
【図２】本発明の第１の実施例におけるワークのクリー
ニング装置の断面図
ニング装置の断面図
【図３】本発明の第２の実施例におけるワークのクリー
ニング装置の断面図
ニング装置の断面図
１ 搬送レール ２ リードフレーム ３ インナーリード ４ チップ ５ 電極 １１ 透光板 １２ 遮光板 １５ 熱線照射部 １６ 光源
Claims (3)
- 【請求項１】ワイヤボンディングされるワークをワイヤ
ボンディングに先立ちクリーニングするワークのクリー
ニング装置であって、 還元雰囲気中にてワークを保持する保持手段と、ワーク
のボンディング位置に熱線を局所的に照射する熱線照射
手段とを有することを特徴とするワークのクリーニング
装置。 - 【請求項２】前記熱線照射手段は、ワークに向けて熱線
を照射する光源と、熱線が照射されるエリアをワークの
ボンディング位置に制限する熱線制限手段とを含むこと
を特徴とする請求項１記載のワークのクリーニング装
置。 - 【請求項３】前記熱線照射手段は、ワークのボンディン
グ位置に向けてスポット状のレーザ光を照射するレーザ
照射器を含むことを特徴とする請求項１記載のワークの
クリーニング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193044A JPH0855870A (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | ワークのクリーニング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6193044A JPH0855870A (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | ワークのクリーニング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0855870A true JPH0855870A (ja) | 1996-02-27 |
Family
ID=16301245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6193044A Pending JPH0855870A (ja) | 1994-08-17 | 1994-08-17 | ワークのクリーニング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0855870A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150333034A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module bonding wire connection method |
| JP2021027256A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | ワイヤボンディング装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-08-17 JP JP6193044A patent/JPH0855870A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150333034A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module bonding wire connection method |
| US9925588B2 (en) * | 2014-05-14 | 2018-03-27 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor module bonding wire connection method |
| JP2021027256A (ja) * | 2019-08-07 | 2021-02-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | ワイヤボンディング装置及び半導体装置の製造方法 |
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