JPH09211495A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH09211495A JPH09211495A JP3887296A JP3887296A JPH09211495A JP H09211495 A JPH09211495 A JP H09211495A JP 3887296 A JP3887296 A JP 3887296A JP 3887296 A JP3887296 A JP 3887296A JP H09211495 A JPH09211495 A JP H09211495A
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- gate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細加工にも対応しうる保持容量を形成する
技術を提供する。 【構成】 ＩＰＳ方式を採用したアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、ゲイト線１０１とドレイン電
極１０５が陽極酸化膜および／または第１の層間絶縁膜
とを介して保持容量１０６を形成している。このドレイ
ン電極１０５はコモン電極１０４とも保持容量を形成す
るため、従来以上のキャパシティーを確保することがで
きる。従って、電極や配線の微細化が進んでも充分なデ
ータ蓄積能力を実現することが可能となる。
技術を提供する。 【構成】 ＩＰＳ方式を採用したアクティブマトリクス
型液晶表示装置において、ゲイト線１０１とドレイン電
極１０５が陽極酸化膜および／または第１の層間絶縁膜
とを介して保持容量１０６を形成している。このドレイ
ン電極１０５はコモン電極１０４とも保持容量を形成す
るため、従来以上のキャパシティーを確保することがで
きる。従って、電極や配線の微細化が進んでも充分なデ
ータ蓄積能力を実現することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
結晶性珪素を用いた半導体装置で制御するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に関する。
結晶性珪素を用いた半導体装置で制御するアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、安価なガラス基板上に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、アクティブマトリクス型液晶表示装
置の需要が高まったことにある。
ジスタ（ＴＦＴ）を作製する技術が急速に発達してきて
いる。その理由は、アクティブマトリクス型液晶表示装
置の需要が高まったことにある。
【０００３】アクティブマトリクス型液晶表示装置は、
マトリクス状に配置された数百万個もの各画素のそれぞ
れにＴＦＴを配置し、各画素電極に出入りする電荷をＴ
ＦＴのスイッチング機能により制御するものである。
マトリクス状に配置された数百万個もの各画素のそれぞ
れにＴＦＴを配置し、各画素電極に出入りする電荷をＴ
ＦＴのスイッチング機能により制御するものである。
【０００４】上記ＴＦＴがオン状態となると、各画素電
極と対向電極との間には液晶を絶縁層として一種のコン
デンサーが形成される。従って、ＴＦＴによりこのコン
デンサーへの電荷の出入りを制御することで液晶の電気
光学特性を変化させ、液晶パネルを透過する光を制御し
て画像表示を行うことが出来る。
極と対向電極との間には液晶を絶縁層として一種のコン
デンサーが形成される。従って、ＴＦＴによりこのコン
デンサーへの電荷の出入りを制御することで液晶の電気
光学特性を変化させ、液晶パネルを透過する光を制御し
て画像表示を行うことが出来る。
【０００５】液晶表示装置の視野角を広くする方法とし
て、液晶に印加する電界の方向を基板面にほぼ平行にす
る方式（以下、ＩＰＳ方式と呼ぶ）が、例えば特開平６
−１６０８７８により開示されている。
て、液晶に印加する電界の方向を基板面にほぼ平行にす
る方式（以下、ＩＰＳ方式と呼ぶ）が、例えば特開平６
−１６０８７８により開示されている。
【０００６】ここで、上記液晶表示装置の従来の構成を
図７を用いて説明する。図７において、７０１はゲイト
電極から延在するゲイト線、７０２は画像信号を伝達す
るデータ線、７０３の破線で示すのはそれらと接続され
た画素ＴＦＴである。また、７０４はコモン電極、７０
５は画素ＴＦＴのドレイン領域と接続されたドレイン電
極である。
図７を用いて説明する。図７において、７０１はゲイト
電極から延在するゲイト線、７０２は画像信号を伝達す
るデータ線、７０３の破線で示すのはそれらと接続され
た画素ＴＦＴである。また、７０４はコモン電極、７０
５は画素ＴＦＴのドレイン領域と接続されたドレイン電
極である。
【０００７】この構成において、コモン電極７０４及び
ドレイン電極７０５との間には基板面に平行な方向を含
む電界が形成され、その電界により液晶層の電気光学特
性が変化する。この電界は画素ＴＦＴのオン／オフ動作
に応答して形成される。
ドレイン電極７０５との間には基板面に平行な方向を含
む電界が形成され、その電界により液晶層の電気光学特
性が変化する。この電界は画素ＴＦＴのオン／オフ動作
に応答して形成される。
【０００８】ここで、ＩＰＳ方式による液晶表示時の液
晶の配向状態を図８、図９を用いて概略説明する。ここ
では一例として、誘電異方性が負の材料を使用した場合
を示す。
晶の配向状態を図８、図９を用いて概略説明する。ここ
では一例として、誘電異方性が負の材料を使用した場合
を示す。
【０００９】図８は無電界時、図９は電界印加時の配向
状態である。なお、この図では概略図として一対の基板
８０１、８０２上の構成物としてコモン電極８０３、ド
レイン電極８０４及び配向膜８０５、８０６のみを示
し、その他の素子、配線等は省略する。
状態である。なお、この図では概略図として一対の基板
８０１、８０２上の構成物としてコモン電極８０３、ド
レイン電極８０４及び配向膜８０５、８０６のみを示
し、その他の素子、配線等は省略する。
【００１０】前記液晶表示装置は、液晶材料の複屈折性
を利用して表示を行うため、一対の偏光板８０７、８０
８をその光軸８０９、８１０が直交するように配置し、
前記一対の基板８０１、８０２の間に液晶セルを挟む。
を利用して表示を行うため、一対の偏光板８０７、８０
８をその光軸８０９、８１０が直交するように配置し、
前記一対の基板８０１、８０２の間に液晶セルを挟む。
【００１１】従って、図８に示す様に液晶分子８１１は
無電界時において、長軸を基板に平行、かつ、ラビング
方向８１２、８１３に平行に一軸配向している。なお、
この時ラビング方向８１２、８１３は、検光子即ち光源
に近い方の偏光板８０７の光軸に平行である。
無電界時において、長軸を基板に平行、かつ、ラビング
方向８１２、８１３に平行に一軸配向している。なお、
この時ラビング方向８１２、８１３は、検光子即ち光源
に近い方の偏光板８０７の光軸に平行である。
【００１２】この場合、偏光板８０７を透過して光軸８
０９と平行に配向した入射光はそのまま液晶セル内を透
過するため、偏光板８０７と直交する光軸を持つ偏光板
８０８を透過できず、この時の透過光量はゼロとなる。
０９と平行に配向した入射光はそのまま液晶セル内を透
過するため、偏光板８０７と直交する光軸を持つ偏光板
８０８を透過できず、この時の透過光量はゼロとなる。
【００１３】次に、コモン電極８０３、ドレイン電極８
０４の間に電界が形成されると、図９に示す様な配向状
態へと変化する。この場合、配向規制力が強い配向膜界
面近傍の液晶分子９０１は、ラビング方向９０２、９０
３に平行な向きを維持し、配向規制力が弱い液晶層中央
近傍の液晶分子９０４は電界の影響を受けて光軸が変化
する。
０４の間に電界が形成されると、図９に示す様な配向状
態へと変化する。この場合、配向規制力が強い配向膜界
面近傍の液晶分子９０１は、ラビング方向９０２、９０
３に平行な向きを維持し、配向規制力が弱い液晶層中央
近傍の液晶分子９０４は電界の影響を受けて光軸が変化
する。
【００１４】ここでは誘電異方性が負の場合を例として
いるので、図９の様に液晶分子の長軸９０４は電界方向
に対して垂直になるような向きとなる。逆に誘電異方性
が正の液晶材料を用いた場合には液晶分子の長軸は電界
方向に対して平行になるような向きとなる。
いるので、図９の様に液晶分子の長軸９０４は電界方向
に対して垂直になるような向きとなる。逆に誘電異方性
が正の液晶材料を用いた場合には液晶分子の長軸は電界
方向に対して平行になるような向きとなる。
【００１５】この場合、偏光板９０５を透過してその光
軸９０６と平行に配向した入射光は液晶セル内において
楕円偏光されるため、偏光板９０７を透過するようにな
る。
軸９０６と平行に配向した入射光は液晶セル内において
楕円偏光されるため、偏光板９０７を透過するようにな
る。
【００１６】このような液晶表示装置では、液晶分子長
軸を基板に平行な状態を維持したままスイッチングする
ため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。こ
のため、視野角による光漏れ、コントラストの低下等
が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に比べ小さい。
軸を基板に平行な状態を維持したままスイッチングする
ため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。こ
のため、視野角による光漏れ、コントラストの低下等
が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に比べ小さい。
【００１７】ところが、液晶へ書き込まれた画像信号
（ドレイン電極とコモン電極との間に蓄積された電荷）
は少しずつリーク等により減少し、その結果、画像表示
のコントラスト等が変化してしまうという問題がある。
（ドレイン電極とコモン電極との間に蓄積された電荷）
は少しずつリーク等により減少し、その結果、画像表示
のコントラスト等が変化してしまうという問題がある。
【００１８】そのため、通常各画素に対して図７におけ
る７０６で示される様な保持容量を設け、そこに蓄積さ
れた電荷でもって次の書込みまで画像表示を確保してお
く手段が採られている。このような保持容量７０６は特
開平７−３６０５８に開示される様に、ＩＰＳ方式の場
合コモン電極７０４とドレイン電極７０５とで形成され
ている。
る７０６で示される様な保持容量を設け、そこに蓄積さ
れた電荷でもって次の書込みまで画像表示を確保してお
く手段が採られている。このような保持容量７０６は特
開平７−３６０５８に開示される様に、ＩＰＳ方式の場
合コモン電極７０４とドレイン電極７０５とで形成され
ている。
【００１９】しかしながら、世の中はデバイス素子を微
細化して開口率を向上させる方向に進んでおり、電極幅
や配線幅がコンマ数μｍと微細になるに伴い、充分な保
持容量を確保することが困難となってきている。
細化して開口率を向上させる方向に進んでおり、電極幅
や配線幅がコンマ数μｍと微細になるに伴い、充分な保
持容量を確保することが困難となってきている。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】本明細書で開示する発
明は上記問題点を解決し、液晶表示を安定させるために
充分な保持容量を確保する技術を提供することを課題と
する。
明は上記問題点を解決し、液晶表示を安定させるために
充分な保持容量を確保する技術を提供することを課題と
する。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、導電性を有する材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、前記電極を覆って形成される第１の層間絶縁膜
と、前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、
該ソース電極から延在するデータ線およびドレイン電極
と、を有し、前記コモン電極および前記ドレイン電極間
に形成される基板面に平行な方向を含む電界でもって液
晶層を駆動する液晶表示装置であって、前記ゲイト線と
前記ドレイン電極の少なくとも一部は前記第１の層間絶
縁膜を介して保持容量として機能しうるコンデンサーを
形成することを特徴とする。
の構成は、導電性を有する材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、前記電極を覆って形成される第１の層間絶縁膜
と、前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、
該ソース電極から延在するデータ線およびドレイン電極
と、を有し、前記コモン電極および前記ドレイン電極間
に形成される基板面に平行な方向を含む電界でもって液
晶層を駆動する液晶表示装置であって、前記ゲイト線と
前記ドレイン電極の少なくとも一部は前記第１の層間絶
縁膜を介して保持容量として機能しうるコンデンサーを
形成することを特徴とする。
【００２２】また、他の発明の構成は、陽極酸化可能な
材料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在す
るゲイト線およびコモン電極と、前記ゲイト電極、前記
ゲイト線および前記コモン電極を陽極酸化して得られる
陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜を覆って形成される第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成される
配線電極および該配線電極から延在するデータ線を覆っ
て形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁
膜上に形成されるドレイン電極と、を有し、前記コモン
電極および前記ドレイン電極間に形成される基板面に平
行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示
装置であって、前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少な
くとも一部は前記陽極酸化膜と前記第１の層間絶縁膜と
の積層膜を介して保持容量として機能しうるコンデンサ
ーを形成することを特徴とする。
材料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在す
るゲイト線およびコモン電極と、前記ゲイト電極、前記
ゲイト線および前記コモン電極を陽極酸化して得られる
陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜を覆って形成される第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成される
配線電極および該配線電極から延在するデータ線を覆っ
て形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁
膜上に形成されるドレイン電極と、を有し、前記コモン
電極および前記ドレイン電極間に形成される基板面に平
行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示
装置であって、前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少な
くとも一部は前記陽極酸化膜と前記第１の層間絶縁膜と
の積層膜を介して保持容量として機能しうるコンデンサ
ーを形成することを特徴とする。
【００２３】上記二つの構成において、第１の層間絶縁
膜は250 〜2000Åの厚さの酸化珪素膜、酸化窒化珪素
膜、窒化珪素膜から選ばれた一種または複数種の絶縁膜
でなることを特徴とする。
膜は250 〜2000Åの厚さの酸化珪素膜、酸化窒化珪素
膜、窒化珪素膜から選ばれた一種または複数種の絶縁膜
でなることを特徴とする。
【００２４】また、他の発明の構成は、陽極酸化可能な
材料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在す
るゲイト線およびコモン電極と、前記ゲイト電極、前記
ゲイト線および前記コモン電極を陽極酸化して得られる
陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜を覆って形成される第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成される
配線電極および該配線電極から延在するデータ線を覆っ
て形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁
膜上に形成されるドレイン電極と、を有し、前記コモン
電極および前記ドレイン電極間に形成される基板面に平
行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示
装置であって、前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少な
くとも一部は前記陽極酸化膜のみを介して保持容量とし
て機能しうるコンデンサーを形成することを特徴とす
る。
材料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在す
るゲイト線およびコモン電極と、前記ゲイト電極、前記
ゲイト線および前記コモン電極を陽極酸化して得られる
陽極酸化膜と、前記陽極酸化膜を覆って形成される第１
の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成される
配線電極および該配線電極から延在するデータ線を覆っ
て形成される第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁
膜上に形成されるドレイン電極と、を有し、前記コモン
電極および前記ドレイン電極間に形成される基板面に平
行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示
装置であって、前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少な
くとも一部は前記陽極酸化膜のみを介して保持容量とし
て機能しうるコンデンサーを形成することを特徴とす
る。
【００２５】ここで本発明の概略を図１の模式図を用い
て説明する。図１において、１０１で示されるのがゲイ
ト電極から延在するゲイト線、１０２はソース電極から
延在するデータ線であり、前記ソース電極は１０３の破
線で示される画素ＴＦＴと接続している。また、１０４
はコモン電極、１０５は画素ＴＦＴのドレイン領域と接
続するドレイン電極である。
て説明する。図１において、１０１で示されるのがゲイ
ト電極から延在するゲイト線、１０２はソース電極から
延在するデータ線であり、前記ソース電極は１０３の破
線で示される画素ＴＦＴと接続している。また、１０４
はコモン電極、１０５は画素ＴＦＴのドレイン領域と接
続するドレイン電極である。
【００２６】図１に示す様に、ゲイト線１０１上に重な
るような形状でドレイン電極１０５が形成され、その重
なった領域が陽極酸化膜のみ、または陽極酸化膜と第１
の層間絶縁膜との積層膜を介して保持容量を形成してい
る。勿論、ゲイト線１０１が陽極酸化されていない場合
は第１の層間絶縁膜のみを介して保持容量を形成するこ
とになる。
るような形状でドレイン電極１０５が形成され、その重
なった領域が陽極酸化膜のみ、または陽極酸化膜と第１
の層間絶縁膜との積層膜を介して保持容量を形成してい
る。勿論、ゲイト線１０１が陽極酸化されていない場合
は第１の層間絶縁膜のみを介して保持容量を形成するこ
とになる。
【００２７】この時、第１の層間絶縁膜はできる限り比
誘電率の高い材料を用いるのが望ましい。なぜならば、
比誘電率が高い程、保持容量のキャパシティーを稼ぐこ
とが出来るからである。また、第１の層間絶縁膜の膜厚
をできる限り薄くすることで同様の効果を得ることが出
来る。
誘電率の高い材料を用いるのが望ましい。なぜならば、
比誘電率が高い程、保持容量のキャパシティーを稼ぐこ
とが出来るからである。また、第１の層間絶縁膜の膜厚
をできる限り薄くすることで同様の効果を得ることが出
来る。
【００２８】本発明は、従来コモン電極１０４とドレイ
ン電極１０５とで形成されていた保持容量に加えてゲイ
ト線１０１とドレイン電極１０５とで保持容量を形成す
ることに特徴がある。即ち、本発明により形成した保持
容量を従来の構成に付加することで、液晶表示を安定さ
せるに充分な保持容量を確保できる。
ン電極１０５とで形成されていた保持容量に加えてゲイ
ト線１０１とドレイン電極１０５とで保持容量を形成す
ることに特徴がある。即ち、本発明により形成した保持
容量を従来の構成に付加することで、液晶表示を安定さ
せるに充分な保持容量を確保できる。
【００２９】また、他の発明の構成は上記構成の液晶表
示装置の垂直走査をするにあたって、飛び越し走査方式
を採用したものであり、その主旨は、導電性を有する材
料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在する
ゲイト線およびコモン電極と、前記電極を覆って形成さ
れる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形
成されるソース電極、該ソース電極から延在するデータ
線およびドレイン電極と、を有し、前記コモン電極およ
び前記ドレイン電極間に形成される基板面に平行な方向
を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示装置であ
って、前記ゲイト線の走査は奇数本目のみを走査する奇
数フィールドと偶数本目のみを走査する偶数フィールド
からなり、前記奇数または偶数フィールドにおいて飛び
越されたゲイト線は前記フィールドの走査が終了するま
での間定電位に保たれ、前記飛び越されたゲイト線と前
記ドレイン電極が前記陽極酸化膜および／または前記第
１の層間絶縁膜を介して形成する保持容量が前記フィー
ルドにおける実効的な保持容量として機能することを特
徴とする。
示装置の垂直走査をするにあたって、飛び越し走査方式
を採用したものであり、その主旨は、導電性を有する材
料で形成されるゲイト電極、該ゲイト電極から延在する
ゲイト線およびコモン電極と、前記電極を覆って形成さ
れる第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形
成されるソース電極、該ソース電極から延在するデータ
線およびドレイン電極と、を有し、前記コモン電極およ
び前記ドレイン電極間に形成される基板面に平行な方向
を含む電界でもって液晶層を駆動する液晶表示装置であ
って、前記ゲイト線の走査は奇数本目のみを走査する奇
数フィールドと偶数本目のみを走査する偶数フィールド
からなり、前記奇数または偶数フィールドにおいて飛び
越されたゲイト線は前記フィールドの走査が終了するま
での間定電位に保たれ、前記飛び越されたゲイト線と前
記ドレイン電極が前記陽極酸化膜および／または前記第
１の層間絶縁膜を介して形成する保持容量が前記フィー
ルドにおける実効的な保持容量として機能することを特
徴とする。
【００３０】ただし、ある一つの画素に注目した時、そ
の画素の保持容量を形成するゲイト線が上からＮ本目の
ゲイト線である時、その保持容量を形成するドレイン電
極電極はＮ＋１本目のゲイト線により制御される画素Ｔ
ＦＴによって電圧を印加される。
の画素の保持容量を形成するゲイト線が上からＮ本目の
ゲイト線である時、その保持容量を形成するドレイン電
極電極はＮ＋１本目のゲイト線により制御される画素Ｔ
ＦＴによって電圧を印加される。
【００３１】この場合、飛び越し走査方式により飛び越
されたゲイト線、即ちアクティブなゲイト線に隣接する
他のゲイト線を定電位に保ち、そのゲイト線でもって保
持容量を形成するため、保持容量に書き込まれたデータ
の電圧レベルがゲイト電圧の変化に引っ張られて降下す
るのを防ぐことが出来る。
されたゲイト線、即ちアクティブなゲイト線に隣接する
他のゲイト線を定電位に保ち、そのゲイト線でもって保
持容量を形成するため、保持容量に書き込まれたデータ
の電圧レベルがゲイト電圧の変化に引っ張られて降下す
るのを防ぐことが出来る。
【００３２】上記構成でなる発明について、以下に記載
する実施例でもって詳細な説明を行うこととする。
する実施例でもって詳細な説明を行うこととする。
〔実施例１〕本実施例では、本発明を利用して図１で示
した構成を有する画素領域を形成する例を示す。具体的
にはゲイト線とドレイン電極でもって保持容量を形成す
る技術の詳細な説明を行なうこととする。
した構成を有する画素領域を形成する例を示す。具体的
にはゲイト線とドレイン電極でもって保持容量を形成す
る技術の詳細な説明を行なうこととする。
【００３３】図２に示すのは、図１において画素領域を
構成する画素ＴＦＴの作製工程図である。まず、表面に
下地膜として2000Åの絶縁膜を有したガラス基板２０１
の上に、図示しない非晶質珪素膜500 Åの厚さに成膜す
る。絶縁膜は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（Ｓ
ｉＯX ＮY ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）等をプラズマＣＶ
Ｄ法や減圧熱ＣＶＤ法により成膜すれば良い。
構成する画素ＴＦＴの作製工程図である。まず、表面に
下地膜として2000Åの絶縁膜を有したガラス基板２０１
の上に、図示しない非晶質珪素膜500 Åの厚さに成膜す
る。絶縁膜は酸化珪素（ＳｉＯ2 ）、酸化窒化珪素（Ｓ
ｉＯX ＮY ）、窒化珪素膜（ＳｉＮ）等をプラズマＣＶ
Ｄ法や減圧熱ＣＶＤ法により成膜すれば良い。
【００３４】次に、この図示しない非晶質珪素膜を加熱
またはレーザーアニール、もしくは両者を併用するなど
の手段により結晶化する。また、結晶化の際、結晶化を
助長する金属元素を添加すると効果的である。
またはレーザーアニール、もしくは両者を併用するなど
の手段により結晶化する。また、結晶化の際、結晶化を
助長する金属元素を添加すると効果的である。
【００３５】結晶化が終了したら、得られた図示しない
結晶性珪素膜をパターニングして島状半導体層２０２を
形成する。島状半導体層２０２を形成したら、後にゲイ
ト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０３を1500Åの厚
さに成膜する。勿論、酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜であ
っても良い。
結晶性珪素膜をパターニングして島状半導体層２０２を
形成する。島状半導体層２０２を形成したら、後にゲイ
ト絶縁膜として機能する酸化珪素膜２０３を1500Åの厚
さに成膜する。勿論、酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜であ
っても良い。
【００３６】次に、陽極酸化可能な材料でなる導電性被
膜２０４を3000Åの厚さに成膜する。本実施例では、0.
2 ｗｔ％のスカンジウムを含有したアルミニウム膜を用
いる。スカンジウムは加熱処理等の際にアルミニウム表
面に発生するヒロックやウィスカーといった突起物を抑
える効果を持つ。このアルミニウム膜２０４は後にゲイ
ト電極およびコモン電極として機能する。
膜２０４を3000Åの厚さに成膜する。本実施例では、0.
2 ｗｔ％のスカンジウムを含有したアルミニウム膜を用
いる。スカンジウムは加熱処理等の際にアルミニウム表
面に発生するヒロックやウィスカーといった突起物を抑
える効果を持つ。このアルミニウム膜２０４は後にゲイ
ト電極およびコモン電極として機能する。
【００３７】こうして、図２（Ａ）の状態が得られる。
図２（Ａ）の状態が得られたら、電解溶液中でアルミニ
ウム膜２０４を陽極として陽極酸化を行う。電解溶液と
しては、３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアン
モニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調整したものを
使用する。また、白金を陰極として化成電流５ｍＡ、到
達電圧１０Ｖとして処理する。
図２（Ａ）の状態が得られたら、電解溶液中でアルミニ
ウム膜２０４を陽極として陽極酸化を行う。電解溶液と
しては、３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアン
モニア水で中和して、ＰＨ＝６．９２に調整したものを
使用する。また、白金を陰極として化成電流５ｍＡ、到
達電圧１０Ｖとして処理する。
【００３８】こうして形成される薄く緻密な陽極酸化膜
２０５は、アルミニウム膜２０４をパターニングする際
にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。ま
た、電圧印加時間を制御することで膜厚を制御できる。
２０５は、アルミニウム膜２０４をパターニングする際
にフォトレジストとの密着性を高める効果がある。ま
た、電圧印加時間を制御することで膜厚を制御できる。
【００３９】次に、アルミニウム膜２０４をパターニン
グして、図示しないゲイト電極、ゲイト配線およびコモ
ン電極を形成する。ただし、実質的にゲイト電極やコモ
ン電極として機能するのは後の陽極酸化後に残存する内
部の一部分である。
グして、図示しないゲイト電極、ゲイト配線およびコモ
ン電極を形成する。ただし、実質的にゲイト電極やコモ
ン電極として機能するのは後の陽極酸化後に残存する内
部の一部分である。
【００４０】次に、２度目の陽極酸化を行い、多孔質の
陽極酸化膜２０６、２０７を形成する。電解溶液は３％
のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化成電流２〜
３ｍＡ、到達電圧８Ｖとして処理する。
陽極酸化膜２０６、２０７を形成する。電解溶液は３％
のシュウ酸水溶液とし、白金を陰極として化成電流２〜
３ｍＡ、到達電圧８Ｖとして処理する。
【００４１】この時陽極酸化は基板に対して平行な方向
に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔
質の陽極酸化膜２０６、２０７の長さを制御できる。
に進行する。また、電圧印加時間を制御することで多孔
質の陽極酸化膜２０６、２０７の長さを制御できる。
【００４２】さらに、アルミニウム膜のパターニングに
使用した図示しないフォトレジストを専用の剥離液で除
去した後、３度目の陽極酸化を行い、図２（Ｂ）の状態
を得る。
使用した図示しないフォトレジストを専用の剥離液で除
去した後、３度目の陽極酸化を行い、図２（Ｂ）の状態
を得る。
【００４３】この陽極酸化には、電解溶液は３％の酒石
酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和し
て、ＰＨ＝６．９２に調整したものを使用する。そし
て、白金を陰極として化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧１
００Ｖとして処理する。
酸のエチレングリコール溶液をアンモニア水で中和し
て、ＰＨ＝６．９２に調整したものを使用する。そし
て、白金を陰極として化成電流５〜６ｍＡ、到達電圧１
００Ｖとして処理する。
【００４４】この際形成される0.7 〜1 μｍの厚さの陽
極酸化膜２０８、２０９は、非常に緻密、かつ、強固で
ある。そのため、ド−ピング工程などの後工程で生じる
ダメージや熱からゲイト電極２１０やコモン電極２１１
を保護する効果を持つ。
極酸化膜２０８、２０９は、非常に緻密、かつ、強固で
ある。そのため、ド−ピング工程などの後工程で生じる
ダメージや熱からゲイト電極２１０やコモン電極２１１
を保護する効果を持つ。
【００４５】次に、多孔質の陽極酸化膜２０６、２０
７、ゲイト電極２１０およびコモン電極２１１をマスク
として酸化珪素膜２０３をドライエッチングし、ゲイト
絶縁膜２１２を形成する。
７、ゲイト電極２１０およびコモン電極２１１をマスク
として酸化珪素膜２０３をドライエッチングし、ゲイト
絶縁膜２１２を形成する。
【００４６】次いで、画素ＴＦＴが形成される領域にお
いてイオンドーピング法により、島状半導体層２０２に
不純物を注入する。この時、イオン注入の必要がない領
域はフォトレジスト等によりマスクしておけば良い。
いてイオンドーピング法により、島状半導体層２０２に
不純物を注入する。この時、イオン注入の必要がない領
域はフォトレジスト等によりマスクしておけば良い。
【００４７】イオン注入は、例えばＮチャネル型ＴＦＴ
を作製するならば、不純物としてＰ＋イオンを、Ｐチャ
ネル型ＴＦＴを作製するならば、不純物としてＢ＋イオ
ンを注入すれば良い。
を作製するならば、不純物としてＰ＋イオンを、Ｐチャ
ネル型ＴＦＴを作製するならば、不純物としてＢ＋イオ
ンを注入すれば良い。
【００４８】まず、図２（Ｂ）の状態で１度目のイオン
ドーピングを行う。なお、本実施例ではＰ＋イオンの注
入を加速電圧９０ｋＶ、ドーズ量３×１０13原子／ｃｍ
2 で行う。
ドーピングを行う。なお、本実施例ではＰ＋イオンの注
入を加速電圧９０ｋＶ、ドーズ量３×１０13原子／ｃｍ
2 で行う。
【００４９】すると、画素ＴＦＴが形成される領域にお
いては、ゲイト電極２１０、多孔質の陽極酸化膜２０６
がマスクとなり、後にソース／ドレインとなる領域２１
３、２１４が自己整合的に形成される。（図２（Ｃ））
いては、ゲイト電極２１０、多孔質の陽極酸化膜２０６
がマスクとなり、後にソース／ドレインとなる領域２１
３、２１４が自己整合的に形成される。（図２（Ｃ））
【００５０】次に、図２（Ｃ）に示す様に、多孔質の陽
極酸化膜２０６を除去して、２度目のドーピングを行
う。なお、２度目のＰ＋イオンの注入は加速電圧１０ｋ
Ｖ、ドーズ量5 ×１０14原子／ｃｍ2 で行う。
極酸化膜２０６を除去して、２度目のドーピングを行
う。なお、２度目のＰ＋イオンの注入は加速電圧１０ｋ
Ｖ、ドーズ量5 ×１０14原子／ｃｍ2 で行う。
【００５１】すると、ゲイト電極２１０がマスクとな
り、ソース領域２１３、ドレイン領域２１４と比較して
不純物濃度の低い、低濃度不純物領域２１５、２１６が
自己整合的に形成される。
り、ソース領域２１３、ドレイン領域２１４と比較して
不純物濃度の低い、低濃度不純物領域２１５、２１６が
自己整合的に形成される。
【００５２】同時に、ゲイト電極２１０の直下は不純物
が全く注入されないため、ＴＦＴのチャネルとして機能
する領域２１７が自己整合的に形成される。
が全く注入されないため、ＴＦＴのチャネルとして機能
する領域２１７が自己整合的に形成される。
【００５３】このようにして形成される低濃度不純物領
域（またはＬＤＤ領域）２１６は、チャネル領域２１７
とドレイン領域２１４との間に高電界が形成されるのを
抑制する効果を持つ。
域（またはＬＤＤ領域）２１６は、チャネル領域２１７
とドレイン領域２１４との間に高電界が形成されるのを
抑制する効果を持つ。
【００５４】次いで、ＫｒＦエキシマレーザーを200 〜
300mJ/cm2 のエネルギー密度で照射することによって、
イオン注入されたＰ＋イオンの活性化を行なう。なお、
活性化は300 〜450 ℃2hr の熱アニールによっても良い
し、レーザーアニールと熱アニールとを併用しても良
い。
300mJ/cm2 のエネルギー密度で照射することによって、
イオン注入されたＰ＋イオンの活性化を行なう。なお、
活性化は300 〜450 ℃2hr の熱アニールによっても良い
し、レーザーアニールと熱アニールとを併用しても良
い。
【００５５】次に、第１の層間絶縁膜２１８をプラズマ
ＣＶＤ法により成膜する。層間絶縁膜２１８としては、
酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜等を用いるこ
とができる。
ＣＶＤ法により成膜する。層間絶縁膜２１８としては、
酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化珪素膜等を用いるこ
とができる。
【００５６】この第１の層間絶縁膜２１８は図１におい
て保持容量１０６の絶縁層となるため、できるだけ比誘
電率の高い絶縁膜を用いることが望ましい。そのため、
本実施例では比誘電率が約７である窒化珪素膜を用い
る。また、その膜厚は250 〜2000Å程度に薄くすること
で容量を稼ぐことが可能である。本実施例では1000Åの
厚さとする。
て保持容量１０６の絶縁層となるため、できるだけ比誘
電率の高い絶縁膜を用いることが望ましい。そのため、
本実施例では比誘電率が約７である窒化珪素膜を用い
る。また、その膜厚は250 〜2000Å程度に薄くすること
で容量を稼ぐことが可能である。本実施例では1000Åの
厚さとする。
【００５７】第１の層間絶縁膜２１８を成膜したら、ソ
ース領域２１３、ドレイン領域２１４にコンタクトホー
ルを形成して、図示しないアルミニウム膜を3000Åの厚
さに成膜する。次いで、図示しないアルミニウム膜をパ
ターニングしてソース電極２１９、それに延在するデー
タ線およびドレイン電極２２０を形成する。（図２
（Ｄ））
ース領域２１３、ドレイン領域２１４にコンタクトホー
ルを形成して、図示しないアルミニウム膜を3000Åの厚
さに成膜する。次いで、図示しないアルミニウム膜をパ
ターニングしてソース電極２１９、それに延在するデー
タ線およびドレイン電極２２０を形成する。（図２
（Ｄ））
【００５８】次に、画素ＴＦＴやコモン電極を保護する
保護膜２２１を成膜する（配向膜を保護膜として代用さ
せる場合は特に必要ない）。保護膜としては窒化珪素膜
や酸化珪素膜が一般的であるが、有機性樹脂材料や無機
性材料を用いると良好な平坦性を示すため、セル組みの
際のラビング不良や液晶への印加電界の乱れをなくすこ
とが出来る。
保護膜２２１を成膜する（配向膜を保護膜として代用さ
せる場合は特に必要ない）。保護膜としては窒化珪素膜
や酸化珪素膜が一般的であるが、有機性樹脂材料や無機
性材料を用いると良好な平坦性を示すため、セル組みの
際のラビング不良や液晶への印加電界の乱れをなくすこ
とが出来る。
【００５９】このようにして、図２（Ｅ）に示すような
構造の画素ＴＦＴが作製される。本発明はアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に適用するため、同一基板上に
駆動回路を組み込むことになる。その場合はドライバー
ＴＦＴと画素ＴＦＴを同時に作製することになる。ドラ
イバーＴＦＴは、基本的に画素ＴＦＴと同じ工程で作製
される。
構造の画素ＴＦＴが作製される。本発明はアクティブマ
トリクス型液晶表示装置に適用するため、同一基板上に
駆動回路を組み込むことになる。その場合はドライバー
ＴＦＴと画素ＴＦＴを同時に作製することになる。ドラ
イバーＴＦＴは、基本的に画素ＴＦＴと同じ工程で作製
される。
【００６０】ここで、図１においてＡ−Ｂで示した線で
分断した断面図を図３に示す。図３（Ａ）において、３
０１はゲイト絶縁膜、３０２はゲイト絶縁膜形成時に残
存した酸化珪素膜、３０３はゲイト電極から延在するゲ
イト線、３０４は陽極酸化膜である。また、３０５はコ
モン電極、３０６はコモン電極表面に形成された陽極酸
化膜である。さらにその上には第１の層間絶縁膜３０
７、ドレイン電極３０８、保護膜３０９が形成される。
分断した断面図を図３に示す。図３（Ａ）において、３
０１はゲイト絶縁膜、３０２はゲイト絶縁膜形成時に残
存した酸化珪素膜、３０３はゲイト電極から延在するゲ
イト線、３０４は陽極酸化膜である。また、３０５はコ
モン電極、３０６はコモン電極表面に形成された陽極酸
化膜である。さらにその上には第１の層間絶縁膜３０
７、ドレイン電極３０８、保護膜３０９が形成される。
【００６１】図３（Ａ）に示す様に、第１の層間絶縁膜
３０７は膜厚が1000Å程度と薄く、かつ、高比誘電率で
あるのでゲイト線３０３およびドレイン電極３０８とが
重なる領域には保持容量として機能するコンデンサーが
形成される。
３０７は膜厚が1000Å程度と薄く、かつ、高比誘電率で
あるのでゲイト線３０３およびドレイン電極３０８とが
重なる領域には保持容量として機能するコンデンサーが
形成される。
【００６２】また、図３（Ｂ）に示す様に、保持容量の
絶縁層として陽極酸化膜のみを用いた構造とすることも
可能である。この時、保持容量の厚さを500 〜1000Å程
度まで薄くすることが出来る。
絶縁層として陽極酸化膜のみを用いた構造とすることも
可能である。この時、保持容量の厚さを500 〜1000Å程
度まで薄くすることが出来る。
【００６３】以上に示した様に、第１の層間絶縁層とし
て高比誘電率の材料を用い、さらにその膜厚を薄いもの
とすることで、充分なキャパシティ−を有する保持容量
を形成することが可能である。
て高比誘電率の材料を用い、さらにその膜厚を薄いもの
とすることで、充分なキャパシティ−を有する保持容量
を形成することが可能である。
【００６４】従って、本実施例によればドレイン電極と
ゲイト線およびドレイン電極とコモン電極とで保持容量
を形成して十分なデータ蓄積能力を有する液晶表示装置
を構成することが可能である。また、ゲイト線およびコ
モン電極が微細化した場合にも充分な保持容量を確保で
きるので高い開口率の液晶表示装置を実現できる。
ゲイト線およびドレイン電極とコモン電極とで保持容量
を形成して十分なデータ蓄積能力を有する液晶表示装置
を構成することが可能である。また、ゲイト線およびコ
モン電極が微細化した場合にも充分な保持容量を確保で
きるので高い開口率の液晶表示装置を実現できる。
【００６５】〔実施例２〕本実施例では保持容量をゲイ
ト線上とコモン電極上の両方に形成した場合の例を示
す。ＴＦＴや保持容量の作製工程は実施例１と同様であ
るので、ここでは説明を省略する。
ト線上とコモン電極上の両方に形成した場合の例を示
す。ＴＦＴや保持容量の作製工程は実施例１と同様であ
るので、ここでは説明を省略する。
【００６６】本実施例における保持容量断面構造図を図
４に示す。図４（Ａ）において、４０１はゲイト絶縁
膜、４０２はゲイト絶縁膜形成時に残存した酸化珪素
膜、４０３はゲイト電極から延在するゲイト線、４０４
は陽極酸化膜である。また、４０５はコモン電極、４０
６はコモン電極表面に形成された陽極酸化膜である。さ
らにその上には第１の層間絶縁膜４０７、ドレイン電極
４０８、保護膜４０９が形成される。
４に示す。図４（Ａ）において、４０１はゲイト絶縁
膜、４０２はゲイト絶縁膜形成時に残存した酸化珪素
膜、４０３はゲイト電極から延在するゲイト線、４０４
は陽極酸化膜である。また、４０５はコモン電極、４０
６はコモン電極表面に形成された陽極酸化膜である。さ
らにその上には第１の層間絶縁膜４０７、ドレイン電極
４０８、保護膜４０９が形成される。
【００６７】図４（Ａ）に示す様に、第１の層間絶縁膜
４０７は膜厚が1000Å程度と薄く、かつ、高比誘電率で
あるのでゲイト線４０３とドレイン電極４０８との間に
保持容量として機能するコンデンサーを形成する。
４０７は膜厚が1000Å程度と薄く、かつ、高比誘電率で
あるのでゲイト線４０３とドレイン電極４０８との間に
保持容量として機能するコンデンサーを形成する。
【００６８】実施例１で説明した図３（Ａ）との相違点
は、図３（Ａ）がゲイト線の上面でのみ容量を形成して
いるのに対し、図４（Ａ）ではゲイト線の上面と側面で
容量を形成している点である。勿論、図４（Ｂ）に示す
様に、保持容量の絶縁層として陽極酸化膜のみを用いた
構造とすることも可能である。この時、保持容量の厚さ
を500 〜1000Å程度まで薄くすることが出来る。
は、図３（Ａ）がゲイト線の上面でのみ容量を形成して
いるのに対し、図４（Ａ）ではゲイト線の上面と側面で
容量を形成している点である。勿論、図４（Ｂ）に示す
様に、保持容量の絶縁層として陽極酸化膜のみを用いた
構造とすることも可能である。この時、保持容量の厚さ
を500 〜1000Å程度まで薄くすることが出来る。
【００６９】従って、本実施例によればドレイン電極、
ゲイト線、コモン電極等の微細化が進んだ場合において
も、保持容量をさらに大きく確保して十分なデータ蓄積
能力を有する液晶表示装置を構成することが可能であ
る。
ゲイト線、コモン電極等の微細化が進んだ場合において
も、保持容量をさらに大きく確保して十分なデータ蓄積
能力を有する液晶表示装置を構成することが可能であ
る。
【００７０】〔実施例３〕本実施例では、実施例１また
は実施例２において島状半導体層の形状を変化させた例
を説明する。画素ＴＦＴやドライバＴＦＴの作製工程は
既に実施例１で詳細に説明したのでここでは省略する。
は実施例２において島状半導体層の形状を変化させた例
を説明する。画素ＴＦＴやドライバＴＦＴの作製工程は
既に実施例１で詳細に説明したのでここでは省略する。
【００７１】図５において、５０１で示されるのがゲイ
ト線、５０２がデータ線、５０３が活性層を構成する島
状半導体層である。図５が示す通り、ゲイト線５０１は
そのままゲイト電極として機能する。また、５０４で示
されるのがコモン電極、５０５がドレイン電極であり、
５０６はゲイト線５０１とドレイン電極５０５とで形成
された保持容量である。
ト線、５０２がデータ線、５０３が活性層を構成する島
状半導体層である。図５が示す通り、ゲイト線５０１は
そのままゲイト電極として機能する。また、５０４で示
されるのがコモン電極、５０５がドレイン電極であり、
５０６はゲイト線５０１とドレイン電極５０５とで形成
された保持容量である。
【００７２】本実施例の特徴は、島状半導体層５０３が
完全にゲイト線５０１およびデータ線５０２によって隠
される点である。このため、画像表示領域にはドレイン
電極５０５とのコンタクト部分のみが突出する構成とな
る。
完全にゲイト線５０１およびデータ線５０２によって隠
される点である。このため、画像表示領域にはドレイン
電極５０５とのコンタクト部分のみが突出する構成とな
る。
【００７３】従って、本実施例によれば画像表示可能な
領域を最大限に活用してより開口率を向上させた液晶表
示装置を作製することが可能である。
領域を最大限に活用してより開口率を向上させた液晶表
示装置を作製することが可能である。
【００７４】〔実施例４〕本実施例では、本発明を利用
して作製した液晶表示装置において、ゲイト線の走査方
法を公知の飛び越し走査方式とした例を示す。飛び越し
走査方式の概略を図６を用いて説明する。
して作製した液晶表示装置において、ゲイト線の走査方
法を公知の飛び越し走査方式とした例を示す。飛び越し
走査方式の概略を図６を用いて説明する。
【００７５】図６において、Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３、Ｎ４、
・・・で示されるのがゲイト線、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ
４、・・・で示されるのがデータ線である。ゲイト線お
よびデータ線は互いに直交してマトリクス状に配列さ
れ、各交点にドレイン電極に電圧を印加するための画素
ＴＦＴが形成される。
・・・で示されるのがゲイト線、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ
４、・・・で示されるのがデータ線である。ゲイト線お
よびデータ線は互いに直交してマトリクス状に配列さ
れ、各交点にドレイン電極に電圧を印加するための画素
ＴＦＴが形成される。
【００７６】本発明で採用する飛び越し走査方式による
場合、各ゲイト線はまず、Ｎ１、Ｎ３、・・・の順に奇
数本目が走査される。この走査が開始されてから終了す
るまでの期間を奇数フィールドと呼ぶ。
場合、各ゲイト線はまず、Ｎ１、Ｎ３、・・・の順に奇
数本目が走査される。この走査が開始されてから終了す
るまでの期間を奇数フィールドと呼ぶ。
【００７７】奇数フィールドが終了すると、今度はＮ
２、Ｎ４、・・・の順に偶数本目が走査される。この走
査が開始されてから終了するまでの期間を偶数フィール
ドと呼ぶ。
２、Ｎ４、・・・の順に偶数本目が走査される。この走
査が開始されてから終了するまでの期間を偶数フィール
ドと呼ぶ。
【００７８】この場合、例えば奇数フィールドが走査さ
れている間、偶数本目のゲイト線はゲイト線として機能
しない。また逆に偶数フィールドが走査されている間、
奇数本目のゲイト線はゲイト線として機能しない。
れている間、偶数本目のゲイト線はゲイト線として機能
しない。また逆に偶数フィールドが走査されている間、
奇数本目のゲイト線はゲイト線として機能しない。
【００７９】本実施例で示すのはこのゲイト線として機
能しないゲイト線（例えば、奇数フィールドにおける偶
数本目のゲイト線）を有効に利用する技術である。即
ち、飛び越し走査方式により飛び越されたゲイト線、即
ちアクティブなゲイト線に隣接する他のゲイト線を定電
位に保ち、そのゲイト線でもって形成された保持容量を
実効的な保持容量として機能させる。
能しないゲイト線（例えば、奇数フィールドにおける偶
数本目のゲイト線）を有効に利用する技術である。即
ち、飛び越し走査方式により飛び越されたゲイト線、即
ちアクティブなゲイト線に隣接する他のゲイト線を定電
位に保ち、そのゲイト線でもって形成された保持容量を
実効的な保持容量として機能させる。
【００８０】このような表示方法を採ると、アクティブ
なゲイト線と隣接する他のゲイト線を定電位に保てるた
め、保持容量に書き込まれたデータの電圧レベルがゲイ
ト電圧の変化に引っ張られて変化するのを防ぐことが出
来る。この事は、保持容量の保持能力を高める上で非常
に効果的である。
なゲイト線と隣接する他のゲイト線を定電位に保てるた
め、保持容量に書き込まれたデータの電圧レベルがゲイ
ト電圧の変化に引っ張られて変化するのを防ぐことが出
来る。この事は、保持容量の保持能力を高める上で非常
に効果的である。
【００８１】また、飛び越し走査方式は伝送系のデータ
量を低減できるという利点もある。例えば、ゲイト線を
飛び越し走査方式で１本おきに走査すれば伝送系の１回
のデータ量は半分になる。即ち、データ信号の周波数が
半分で済むため、ＴＶ画像のデータを送る際に周波数幅
を抑えることが出来る。
量を低減できるという利点もある。例えば、ゲイト線を
飛び越し走査方式で１本おきに走査すれば伝送系の１回
のデータ量は半分になる。即ち、データ信号の周波数が
半分で済むため、ＴＶ画像のデータを送る際に周波数幅
を抑えることが出来る。
【００８２】また、１フレームの走査を２フィールドに
分けて走査するため、１回の垂直走査に要する時間が半
減する。この結果、視覚的にちらつきを感じにくい画像
表示を行なうことが可能となる。
分けて走査するため、１回の垂直走査に要する時間が半
減する。この結果、視覚的にちらつきを感じにくい画像
表示を行なうことが可能となる。
【００８３】
【発明の効果】本明細書で開示する発明によれば、従来
ＩＰＳ方式で駆動する液晶表示装置において、コモン電
極とドレイン電極とで形成していた保持容量に加えて、
ゲイト線とドレイン電極とで保持容量を形成することが
可能である。
ＩＰＳ方式で駆動する液晶表示装置において、コモン電
極とドレイン電極とで形成していた保持容量に加えて、
ゲイト線とドレイン電極とで保持容量を形成することが
可能である。
【００８４】そのため、デバイス素子の微細化が進めら
れても液晶表示を安定させるために充分な保持容量を確
保することが出来る。
れても液晶表示を安定させるために充分な保持容量を確
保することが出来る。
【００８５】また、そのような構成でなる液晶表示装置
を飛び越し走査方式により画像表示すると、アクティブ
なゲイト線と隣接する他のゲイト線を容量線としてのみ
の目的で利用できるため、書き込まれたデータを次の書
き込みまで確実にホールドしておくことが可能となる。
を飛び越し走査方式により画像表示すると、アクティブ
なゲイト線と隣接する他のゲイト線を容量線としてのみ
の目的で利用できるため、書き込まれたデータを次の書
き込みまで確実にホールドしておくことが可能となる。
【図１】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図２】 画素ＴＦＴ及びコモン電極の作製工程を示
す図。
す図。
【図３】 保持容量の断面構造を示す図。
【図４】 保持容量の断面構造を示す図。
【図５】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図６】 液晶表示装置における画素領域の構成を示
す図。
す図。
【図７】 従来の液晶表示装置における画素領域の構
成を示す図。
成を示す図。
【図８】 液晶の配向状態を示す図。
【図９】 液晶の配向状態を示す図。
１０１ ゲイト線 １０２ データ線 １０３ 画素ＴＦＴ １０４ コモン電極 １０５ ドレイン電極 １０６ 保持容量 ２０１ ガラス基板 ２０２ 島状半導体層 ２０３ 酸化珪素膜 ２０４ 導電性被膜 ２０５ 緻密な陽極酸化膜 ２０６、２０７ 多孔質の陽極酸化膜 ２０８、２０９ 緻密な陽極酸化膜 ２１０ ゲイト電極 ２１１ コモン電極 ２１２ ゲイト絶縁膜 ２１３ ソース領域 ２１４ ドレイン領域 ２１５、２１６ 低濃度不純物領域 ２１７ チャネル形成領域 ２１８ 第１の層間絶縁膜 ２１９ ソース電極 ２２０ ドレイン電極 ２２１ 保護膜 ８０１、８０２ 基板 ８０３ コモン電極 ８０４ ドレイン電極 ８０５、８０６ 配向膜 ８０７、８０８ 偏光板 ８０９、８１０ 偏光板の光軸方向 ８１１ 液晶分子 ８１２、８１３ ラビング方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１９Ａ (72)発明者 福永 健司 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】導電性を有する材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、 前記電極を覆って形成される第１の層間絶縁膜と、 前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、該ソ
ース電極から延在するデータ線およびドレイン電極と、 を有し、 前記コモン電極および前記ドレイン電極間に形成される
基板面に平行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動す
る液晶表示装置であって、 前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少なくとも一部は前
記第１の層間絶縁膜を介して保持容量として機能しうる
コンデンサーを形成することを特徴とするアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。 - 【請求項２】請求項１において、第１の層間絶縁膜は25
0 〜2000Åの厚さの酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化
珪素膜から選ばれた一種または複数種の絶縁膜でなるこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項３】導電性を有する材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、 前記電極を覆って形成される第１の層間絶縁膜と、 前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、該ソ
ース電極から延在するデータ線およびドレイン電極と、 を有し、 前記コモン電極および前記ドレイン電極間に形成される
基板面に平行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動す
る液晶表示装置であって、 前記ゲイト線の走査は奇数本目のみを走査する奇数フィ
ールドと偶数本目のみを走査する偶数フィールドからな
り、 前記奇数または偶数フィールドにおいて飛び越されたゲ
イト線は前記フィールドの走査が終了するまでの間定電
位に保たれ、 前記飛び越されたゲイト線と前記ドレイン電極が形成す
る保持容量が前記フィールドにおける実効的な保持容量
として機能することを特徴とするアクティブマトリクス
型液晶表示装置。 - 【請求項４】請求項３において、任意の一つの保持容量
を形成するゲイト線が上からＮ本目のゲイト線である
時、前記保持容量を形成するドレイン電極はＮ＋１本目
のゲイト線により制御される画素ＴＦＴによって電圧を
印加されることを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。 - 【請求項５】陽極酸化可能な材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、 前記ゲイト電極、前記ゲイト線および前記コモン電極を
陽極酸化して得られる陽極酸化膜と、 前記陽極酸化膜を覆って形成される第１の層間絶縁膜
と、 前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、該ソ
ース電極から延在するデータ線およびドレイン電極と、 を有し、 前記コモン電極および前記ドレイン電極間に形成される
基板面に平行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動す
る液晶表示装置であって、 前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少なくとも一部は前
記陽極酸化膜と前記第１の層間絶縁膜との積層膜を介し
て保持容量として機能しうるコンデンサーを形成するこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項６】請求項５において、第１の層間絶縁膜は25
0 〜2000Åの厚さの酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化
珪素膜から選ばれた一種または複数種の絶縁膜でなるこ
とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項７】陽極酸化可能な材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、 前記ゲイト電極、前記ゲイト線および前記コモン電極を
陽極酸化して得られる陽極酸化膜と、 前記陽極酸化膜を覆って形成される第１の層間絶縁膜
と、 前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、該ソ
ース電極から延在するデータ線およびドレイン電極と、 を有し、 前記コモン電極および前記ドレイン電極間に形成される
基板面に平行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動す
る液晶表示装置であって、 前記ゲイト線と前記ドレイン電極の少なくとも一部は前
記陽極酸化膜のみを介して保持容量として機能しうるコ
ンデンサーを形成することを特徴とするアクティブマト
リクス型液晶表示装置。 - 【請求項８】陽極酸化可能な材料で形成されるゲイト電
極、該ゲイト電極から延在するゲイト線およびコモン電
極と、 前記ゲイト電極、前記ゲイト線および前記コモン電極を
陽極酸化して得られる陽極酸化膜と、 前記陽極酸化膜を覆って形成される第１の層間絶縁膜
と、 前記第１の層間絶縁膜上に形成されるソース電極、該ソ
ース電極から延在するデータ線およびドレイン電極と、 を有し、 前記コモン電極および前記ドレイン電極間に形成される
基板面に平行な方向を含む電界でもって液晶層を駆動す
る液晶表示装置であって、 前記ゲイト線の走査は奇数本目のみを走査する奇数フィ
ールドと偶数本目のみを走査する偶数フィールドからな
り、 前記奇数または偶数フィールドにおいて飛び越されたゲ
イト線は前記フィールドの走査が終了するまでの間定電
位に保たれ、 前記飛び越されたゲイト線と前記ドレイン電極とで形成
する保持容量が前記フィールドにおける実効的な保持容
量として機能することを特徴とするアクティブマトリク
ス型液晶表示装置。 - 【請求項９】請求項８において、任意の一つの保持容量
を形成するゲイト線が上からＮ本目のゲイト線である
時、前記保持容量を形成するドレイン電極はＮ＋１本目
のゲイト線により制御される画素ＴＦＴによって電圧を
印加されることを特徴とするアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3887296A JPH09211495A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3887296A JPH09211495A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09211495A true JPH09211495A (ja) | 1997-08-15 |
Family
ID=12537314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3887296A Withdrawn JPH09211495A (ja) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09211495A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990083510A (ko) * | 1998-04-27 | 1999-11-25 | 가나이 쓰도무 | 액티브매트릭스형액정표시장치 |
| KR100386458B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
| KR100441834B1 (ko) * | 2001-11-20 | 2004-07-27 | 한스타 디스플레이 코퍼레이션 | 인-플레인 전환모드 액정표시장치의 전극배열체 |
| KR100744955B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-08-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100773876B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2007-11-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
-
1996
- 1996-01-31 JP JP3887296A patent/JPH09211495A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990083510A (ko) * | 1998-04-27 | 1999-11-25 | 가나이 쓰도무 | 액티브매트릭스형액정표시장치 |
| US6630977B1 (en) | 1999-05-20 | 2003-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
| US6950168B2 (en) | 1999-05-20 | 2005-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with capacitor formed around contact hole |
| US7126661B2 (en) | 1999-05-20 | 2006-10-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | In-plane switching display device having common electrode overlapping channel forming region, and double gate TFT |
| US7701541B2 (en) | 1999-05-20 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | In-plane switching display device having electrode and pixel electrode in contact with an upper surface of an organic resin film |
| KR100386458B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2003-06-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
| US6950164B2 (en) | 2000-12-20 | 2005-09-27 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Array substrate for IPS mode liquid crystal display device and method for fabricating the same |
| KR100744955B1 (ko) * | 2001-05-21 | 2007-08-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
| KR100441834B1 (ko) * | 2001-11-20 | 2004-07-27 | 한스타 디스플레이 코퍼레이션 | 인-플레인 전환모드 액정표시장치의 전극배열체 |
| KR100773876B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2007-11-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
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