JPH09211239A - 偏波保存ファイバおよび偏波保存ファイバ半導体レーザモジュール - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 偏波保存の端面反射を抑制するために、ファ
イバ端面を斜めにする。 【解決手段】 コア１に対して２回対称の位置に応力発
生部４ａ,４ｂを有している偏波保存ファイバのレーザ
側端面が、偏波保存方向が長軸方向に対して45度傾斜し
ている。これにより、偏波保存ファイバ端面からの反射
光を低下することにより、半導体レーザの雑音を低減す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、偏波保存ファイバ
と、それを用いた半導体レーザモジュールに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】本発明は、偏波保存ファイバ端面41を研
磨等により傾斜させた形状とするものであるが、従来よ
り通常ファイバにおいてファイバ端面を傾斜させた形状
とするもとして図１１に示すものがある。この構造は、
レーザの端面を８度に研磨している。その結果、図１１
（ｂ）に示したように、レーザから出射した光42は、フ
ァイバ端面でレーザの方向とは異なる方向に反射されて
反射光43となり、レーザに直接反射され帰還することが
なくなる。よって、反射光43によるレーザの不安定動作
が抑制される。なお、（ｂ）は、レーザ（ＬＤと略記）
と通常のファイバとの位置関係を上からみた平面図であ
る。

【０００３】ファイバ端面の研磨は図１１（ｃ）に示し
たように、研磨方向から8度傾斜した切り欠き44を有す
る治具を用いて行っている。治具には２つあり、１つ
は、図（ｄ）に示すように治具の長辺方向と平行にファ
イバがセットされるように、切り欠きがあり、この切り
欠きにファイバを設置すればファイバと治具の平面との
角度が８度となり、治具の平面に平行にファイバを切断
すればファイバの端面は８度となる。同様に、（ｅ）は
治具の短辺方向と平行にファイバをセットするように切
り欠きがある場合である。この場合も、切り欠きにファ
イバを設置して、治具の平面に平行にファイバを切断す
れば、ファイバ端面は８度になる。

【０００４】また、このファイバを半導体レーザモジュ
ールに使用する場合には、図１２（ａ）に示したように
パッケージと、ファイバの軸４８方向から４度傾けた光
軸上47に半導体レーザ（ＬＤ）45と、レンズ49と、アイ
ソレータ46を含む光学部品を配置している。図（ａ）は
斜視図であるが、その平面図は（ｂ）のようになる。配
置は簡略して、レーザとファイバとの関係だけが示され
ている。このように、ファイアの軸４８に対してレーザ
４５は４度傾けられ、ファイバ端面はファイバ軸４８に
対して、８度傾斜している。そして図１２（ｃ）のよう
に、ファイバを図１２（ｃ）に示したようにＸ，Ｙ，
Ｚ，θ（Ｘ→Ｙ）方向に調芯して、パワーメータ４９の
出力が最大になるようにしていた。

【０００５】

【発明が開発しようとする課題】図１１、図１２に示す
ファイバは、通常ファイバであってファイバの軸の全方
向に対して対称な構造であるため、ファイバ端面を傾斜
させる方向に制限はなかった。つまり、レーザモジュー
ルを構成するためには、任意の方向に端面を８度傾斜さ
せたファイバを、図１２（ａ）（ｂ）に示すように設置
すればよかった。しかしながら、偏波保存ファイバで
は、通常ファイバのように単純に設定することはできな
い。

【０００６】そこで本発明は、ファイバ端面を傾斜させ
る方向と偏波方向を特定の角度に制御し、偏波保存ファ
イバ端面からの反射光を低下することにより、半導体レ
ーザの雑音を低減する偏波保存ファイバおよび半導体レ
ーザモジュールを提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】偏波保存ファイバの側面
の断面図を図１（ａ）に示す。この図では通常のファイ
バと同様に、ファイバの中心にコア１があり、その周り
にクラッド２がある。クラッド２はフェルール３により
覆われた構造となっている。ファイバ自身は、ガラスで
できており、ファイバアセンブリとは、ファイバ自身
と、その周りを取り囲んで接着されたフェルール（金属
管）よりなる。フェルールはファイバをモジュールのパ
ッケージ（金属）にＹＡＧ溶接するために必要なもので
ある。すなわち、フェルールとパッケージをＹＡＧ溶接
で固定することで、ファイバの位置をパッケージに固定
する。

【０００８】断面を図１（ｃ）に示す。偏波保存ファイ
バの端面は斜めに研磨されているので、フェルール側か
らみたファイバの端面は楕円形となり、楕円の長軸を長
軸方向、短軸を短軸方向とする。偏波保存ファイバで
は、コア１に対して２回対称の位置に応力発生部４ａ、
４ｂを有している。よって、偏波保存ファイバに入射さ
せるレーザ光の偏波面と応力発生部との位置関係を所定
の関係にする必要があった。つまり、レーザ光の偏波面
は、図１（ｃ）の軸Ａとそれに垂直な軸Ｂとに一致する
ようにファイバ端面に入射させなくてはならない。そう
でないと、ファイバ入射時のレーザ光の偏波面とファイ
バから出射するときのレーザ光の偏波面とが一致せず、
偏波保存ファイバを用いている意味がなくなってしまう
からである。従って、ファイバ端面を傾斜させる方向
と、偏波方向を特定の角度に制御する必要がある。

【０００９】さらに本発明は、ファイバ端面を傾斜させ
る方向と偏波方向の角度を特定するとともに、マーキン
グによりファイバの傾斜角度を決める傾斜研磨の方法を
提供し、さらに、このファイバを用いた半導体レーザモ
ジュールの構成とクラッドモードの抑制により偏光量が
最大となるモジュールの製造方法を提供する。

【００１０】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）図１は、本発明の偏波保存ファイバア
センブリの一実施例を示す構造図である。図１（ａ）に
示すように、ファイバアセンブリは、コア1とクラッド2
よりなるファイバ部と、ファイバをパッケージに溶接す
るためのフェルール部3よりなる。以降の説明は、図１b
に示したように、フェルール部は省略して、ファイバ部
についてのみ行う。

【００１１】偏波保存ファイバの側断面は、図１（ｂ）
に示したように、コア１と、コア１に対して2回対称の
位置に応力発生部４ａ４ｂを有している。レーザ側のフ
ァイバ端面で偏波保存方向が、長軸方向に対して４５度
反時計方向に回転している構造を有している。逆にコネ
クタ側から見た応力発生部は、当然ではあるが、時計方
向に４５度回転している。ファイバの端面は従来の説明
と同様に、８度傾斜している。

【００１２】４５度の角度は次のように決定された。す
なわち、偏波保存ファイバを用いた半導体レーザモジュ
ールを図８に示す。図８（ａ）は、レーザ１６とレンズ
１７とアイソレータ８と偏波保存ファイバ１８とを設置
した位置関係を斜視図で示している。レーザ（LD）16、
レンズ17、アイソレータ8、偏波保存ファイバアセンブ
リ18から構成される。レーザ（LD）16からの出射光5
は、電流注入方向9（レーザ１６に対して垂直方向、つ
まり−Ｚ方向）に対して垂直方向に偏波面6（TEモー
ド）を持つ。この出射光５は、レンズ17で集光された後
に、反射光7を除去するための1段のアイソレータ8でレ
ーザ１６の方向からみて反時計方向に45度回転する。従
って、ファイバ１８に到達した出射光の偏波面は、レー
ザ１６からの出射直後の偏波面に対して、反時計方向に
45度回転している。この偏波を保存しながら伝送するに
は、偏波方向に平行に応力発生部が位置する必要があ
る。図８（ａ）で示したように、ファイバ１８の応力発
生部の中心を結ぶラインとレーザの偏波面とが一致する
必要がある。

【００１３】図８（ｃ）は、図８（ａ）を上からみたと
きの平面図を模式的に示している。レンズとアイソレー
タをと省略し、レーザ１６とファイバ１８との関係を示
している。この図８（ａ）（ｃ）とから、レーザ１６か
ら出射したレーザ光は、レンズ１７を透過し、アイソレ
ータ８で偏波面が４５度反時計方向に回転し、ファイバ
１８の端面に到達する。ここで、この偏波面と、ファイ
バの応力発生部を結ぶラインとが一致するようになって
いる。さらに図８（ｄ）には、ファイバ端面をコネクタ
側からみた図である。ファイバはｘ方向に延びている。
応力発生部４ａ４ｂを結ぶラインは、Ｚ軸に対して時計
方向に４５度回転している。（ｃ）より、レーザ１６の
電流注入方向は−Ｚ方向であり、ＴＥモードのレーザ光
が出射する。このＴＥモードはｙ軸方向に偏波面を持っ
ている。アイソレータにより、４５度反時計方向に回転
するため、ファイバの応力発生部は、図８（ｄ）のよう
に設定する。

【００１４】端面を斜めに研磨したファイバを用いて最
大結合効率を得るには、研磨面の傾斜方向（ファイバを
８度傾ける方向）と正反対の方向（レーザを４度傾ける
方向）にレーザ等の光学部品を傾けて配置する必要があ
る。通常、レーザ等の光学部品は、パッケージの底板の
面内（図面の紙面の面内）で動かせて傾けることができ
るため、ファイバの研磨面の傾斜方向は、パッケージの
底板の面内方向（紙面の面内）となる。従って、パッケ
ージの底板の面内が研磨面の長軸方向となり、パッケー
ジの底板に対して垂直に電流を注入するために、電流の
注入方向が短軸方向となる。

【００１５】また、図１に示したように、応力発生部を
結ぶラインは、レーザ側のファイバ端面で、長軸方向10
（図１（ｂ）の上下方向）に対して45度反時計方向に回
転している構造を有する必要がある。

【００１６】ここでは、応力発生部を結ぶラインとレー
ザ光の偏波面とが一致する場合について説明したが、そ
れに限らず、図８（ｂ）に示したように、応力発生部を
結ぶラインと垂直にレーザ光の偏波面が位置する場合で
も、ファイバ中を偏波を保存しながらレーザ光を伝送す
ることが可能であり、いずれの方向でも本発明に包含さ
れるものである。

【００１７】（発明の実施の形態２）図４〜図７に、本
発明の偏波保存ファイバアセンブリの製造方法を示す。
図4（ａ）に示したように、応力発生部を結ぶラインか
ら反時計方向に４５度傾いたフェルール部に研磨用マー
キング11を行う。（ｂ）に示すように板厚方向に8度傾
斜した治具12の切り欠きの最深部にマーキング13を施し
ておき、フェルール部3と治具のマーキング１３が一致
するようにファイバを固定して、端面を研磨する。図
（ｂ）は斜視図であるが、（ｃ）に（ｂ）の治具の左側
面からみたファイバと治具との関係を示す。この図から
治具の表面に平行にファイバを切断すれば、ファイバの
端面が８度傾斜したものとなるとともに、応力発生部を
結ぶラインがファイバの長軸方向に対して４５度傾斜し
た構造となる。

【００１８】図４に示したように、板厚方向に8度傾斜
するのではなく、図５に示すように、ファイバアセンブ
リの軸方向に8度傾斜した治具の切り欠き部側面に、研
磨用マーキング13を施しておきフェルール部3と治具の
マーキングが一致するようにファイバを固定して端面を
研磨することで、図１に示したファイバアセンブリが得
られる。図５（ｃ）は、図５（ｂ）を上からみたときの
図である。

【００１９】図４、図５に示したように、４５度傾いた
位置に研磨用マーキングを行う方法の他に、図６に示し
たように、応力発生部を結ぶラインがフェルールに接す
る位置に研磨用マーキング14を行う方法もある。この場
合には、図６に示したように、板厚方向に8度傾斜した
治具12のファイバと治具が接する点で二つのマーキング
が一致し、治具の一辺に対して垂直にマーキングが位置
することになり、ファイバの自動セッティングも可能と
なる。

【００２０】また、図７に示したように、ファイバアセ
ンブリの軸方向に8度傾斜した治具の切り欠き部側面に
マーキング13を施しておき、フェルール部3と治具のマ
ーキングが一致するようにファイバを固定して端面を研
磨することで、図１に示したファイバアセンブリが得ら
れる。

【００２１】図４、図５の場合には、研磨用マーキング
１１が組立用マーキングとして利用できるが、図６、図
７の場合には、以降の組立の利便性を考慮して、あたら
にフェルールの短軸方向に組立用マーキング15を実施す
る必要がある。また、ファイバ端面は反射率を低下する
ことを目的として、無反射コートを実施することでさら
に反射の影響の抑制が可能となる。

【００２２】図４〜図７に示したマーキングを施した治
具を用いて研磨用マーキングを施した偏波保存ファイバ
アセンブリの斜め方向の研磨が可能となる。また、ファ
イバアセンブリ側面に組立用マーキングを実施すること
で、ファイバアセンブリの長軸方向の位置が容易に判定
でき、以降に示すモジュール作製の時間短縮に効果的と
なる。

【００２３】（発明の実施の形態３）図８に、本発明の
偏波保存ファイバセンブリを用いたレーザモジュールの
構成を示す。図８に示した位置関係に半導体レーザ（L
D）16、非球面レンズ17、1段アイソレータ8、偏波保存
ファイバ18をパッケージ内に実装した。レーザからの出
射光の光軸19は、偏波保存ファイバのコアの光軸20に対
して4度傾けてある。また、偏波面保存ファイバは図１
に示したように光軸を傾けたと正反対の方向に8度傾け
て研磨してある。光軸を傾けた方向と研磨面の傾斜方向
が同じ方向となる場合に最大の結合効率を得ることがで
きる。

【００２４】また、レーザの出射光の偏波方向が応力発
生部と一致した場合に偏波面が保存される。従って、す
べての角度及び方向が一致したときのみ結合効率が最大
となりかつ偏波面の保存が可能となるため、結合効率と
偏波面方向を同時に制御しながらレーザの出射光を調芯
してファイバ結合するのはきわめて困難となる。簡便な
調芯方法を実施の形態４に示す。

【００２５】（発明の実施の形態４）モジュール組立時
に、最初のファイバの角度の位置決めを行うために、図
３に示した研磨用マーキング11を使用すると調芯が容易
になる。すなわち、レーザの電流注入方向を正面から奥
手の方向とした場合には、マーキングが正面に来るよう
に偏波保存ファイバセンブリをセットすればよい。

【００２６】図１０に、本発明の偏波保存ファイバを用
いたレーザモジュールの組立方法を示す。レーザ光をフ
ァイバに結合するには次の２つの要請を同時に満足する
必要がある。（１）結合効率を大きくする。（２）偏波
面の方向を応力発生部の方向と一致させるか、垂直方向
とする。

【００２７】最大結合効率は偏波保存ファイバからの出
力をパワーメータ21で受光して最大パワーとなる場合で
ある。偏波面の一致は、偏光子22で検光子を回転させて
最大パワーと最小パワーを求めて、最大パワーと最小パ
ワーの比（消光比）が30ｄＢ以上で、かつ最大となる場
合に一致したこととなる。レーザからの出射光がコアに
集光せずにクラッドの部分に漏れた場合には消光比が低
下する。従って、最大結合効率を得ることが消光比を大
きく取るための必要条件となる。

【００２８】従って、図１０（ａ）に示したように、偏
光子は通さないで、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向、 θ方向
（Ｘ方向→Ｙ方向の角度）の４軸調整をまず実施し、最
大結合効率を得、クラッドモードの伝搬を抑制する。

【００２９】さらに、図１０(b)に示したように、偏光
子２２を通して消光比を測定する。さらに、θ方向にレ
ーザを回転させた後、偏光子２２は最大パワーの位置と
して図１０（ｃ）に示したように、再度Ｘ方向、Ｙ方
向、Ｚ方向の3軸調整を実施する。ここで、消光比が増
大すれば、さらにθ方向にレーザを回転させた後、図１
０（ｃ）に示した調芯とθ方向の回転を繰り返して最大
の消光比を得る。消光比が減少すれば、反対のθ方向に
レーザを回転させた後、図１０（ｃ）に示した調芯とθ
方向の回転を繰り返す。

【００３０】このようにして、最大の消光比が得られる
様にレーザの調芯を行う。消光比が大きくなるまえに最
大光パワーが大きく減少した場合には調芯に失敗してい
るため再度やり直す必要がある。

【００３１】また、クラッドモードの伝搬を抑制は次の
様にして確認した。最初の4軸調芯を行い、偏光子を接
続した後で最小光パワーをモニターしながらファイバを
さわって、最小光パワーの変動を確認する。パワー変動
がなければクラッドモードは抑制されているが、パワー
変動がある場合にはクラッドモードが存在しているため
に、再度４軸調芯をやり直す必要がある。

【００３２】一方、最初の４軸調芯でマーキングが通常
の位置から10度以上回転する場合には、4軸調芯ではな
くＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の3軸調整をまず実施して最
大結合効率を得て、以降は図１０（ｂ）、図１０（ｃ）
に示したような調芯を実施してもよい。

【００３３】（発明の実施の形態５）図２は本発明の偏
波保存ファイバアセンブリの一実施例を示す側面の断面
構造図である。図２は、図１（ｂ）と同様にフェルール
３の拡大図であり、クラッド２とコア１の部分である。
応力発生部４ａ４ｂを結ぶラインは、長軸と垂直になっ
ている。クラッドの断面をフェルール側から見たものが
フェルール側断面であり、コネクタ側から見たものがコ
ネクタ側断面である。

【００３４】アイソレータを２段３１を用いた場合に
は、偏波保存方向が、長軸方向に対して９０度回転して
いる構造を有する。これは、アイソレータ１段あたり45
度回転するために、２段では９０度偏波面が回転するた
めである。アイソレータを２段使用した場合には、費用
が高くなるが、反射戻り光を抑制する必要のある狭線幅
レーザ等においては必要となる。また、角度が９０度と
直角であるため、４５度に比べてアライメントが容易で
あるというメリットがある。従って、応力発生部４ａ４
ｂを通るラインがフェルールと接する位置に研磨用マー
キング１１を行い、マーキングが短軸方向となるように
端面を研磨すればよい。

【００３５】この場合の、レーザモジュールの構成を図
９に示す。レーザからの出射光の光軸１９は、偏波保存
ファイバのコアの光軸２０に対して４度傾けてある。ま
た、偏波面保存ファイバは図１に示したように光軸を傾
けたと正反対の方向に８度傾けて研磨してある。光軸を
傾けた方向と、研磨面の傾斜方向が同じ方向となるよう
に調芯を行う。図９（ｂ）にさらに、側断面図を示す。
ここでは、レンズ、およびアイソレータを省略してい
る。

【００３６】以上、光軸および研磨角度を４度および８
度としたが、レーザ光がコアに結合し、かつ反射光がア
イソレータに入射せず同様の効果が期待できれば、最大
結合効率を与える角度はファイバ等の屈折率により決定
される。また、図８（ａ）で示したように、ファイバ１
８の応力発生部の中心を結ぶラインとレーザの偏波面と
を一致させたが、応力発生部の中心を結ぶラインとレー
ザの偏波面を垂直としても同様な効果が得られる。

【００３７】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。

【００３８】（１）ファイバ端面を斜めにしているた
め、レーザ光のレーザへの戻り光が抑制され、レーザ光
源の雑音や線幅の変動が抑制される。

【００３９】（２）ファイバの応力発生部を結ぶライン
に一致、あるいはそのラインに垂直にレーザの偏波面を
設置できるので、偏波面が回転しないようにファイバ内
を伝送することができる。したがって、ファイバからの
光出力の変動がなく、安定した光伝送が実現できる。

【００４０】（３）あらかじめ、ファイバにマーキング
をしておくことで、ファイバ端面の研磨や、モジュール
の組み立てが容易になり、組み立てが短時間でできるの
で、量産性にも適した製造方法となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の偏波面保存ファイバの構造図

【図２】本発明の偏波面保存ファイバの構造図

【図３】本発明のファイバのマーキングを示す図

【図４】本発明の偏波面保存ファイバの製造工程図

【図５】本発明の偏波面保存ファイバの製造工程図

【図６】本発明の偏波面保存ファイバの製造工程図

【図７】本発明の偏波面保存ファイバの製造工程図

【図８】本発明の偏波面保存ファイバ半導体モジュール
の構造図

【図９】本発明の偏波面保存ファイバ半導体モジュール
の構造図

【図１０】本発明の偏波面保存ファイバ半導体モジュー
ルの製造工程図

【図１１】従来の斜め研磨ファイバの構造図

【図１２】従来の斜め研磨ファイバの製造工程図

【符号の説明】

1 コア 2 クラッド 3 フェルール部 4 応力発生部 5 出射光 6 偏波面 7 反射光 8 1段アイソレータ 9 電流注入方向 10 長軸方向 11 フェルール部のマーキング 12 治具 13 切り欠きの最深部にマーキング 14 水平な方向のマーキング 15 短軸方向のマーキング 16 半導体レーザ 17 レンズ 18 偏波保存ファイバ 19 出射光の光軸 20 ファイバのコアの光軸 21 パワーメータ 22 偏光子 31 2段アイソレータ

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ファイバのレーザ側端面を、斜めに傾斜
   させ、ファイバ端面からの光の反射を抑制する、偏波保
   存ファイバアセンブリ。
2. 【請求項２】 偏波保存方向がファイバ端面の長軸方向
   に対して45度回転して、請求項１記載の偏波保存ファイ
   バアセンブリ。
3. 【請求項３】 偏波保存方向がファイバ端面の長軸方向
   に対して90度回転している、請求項１記載の偏波保存フ
   ァイバアセンブリ。
4. 【請求項４】 偏波保存ファイバのレーザ側端面を、斜
   めに傾斜させ、ファイバの短軸方向側面にマーキングを
   有することを特徴とする偏波保存ファイバアセンブリ。
5. 【請求項５】 偏波保存ファイバのレーザ側端面を、
   斜めに傾斜させて研磨を行うための治具。
6. 【請求項６】 偏波保存ファイバの偏波保存方向対し
   て45度回転した位置にマーキングを行う工程と、ファイ
   バを治具に固定する工程と、ファイバのレーザ側端面を
   研磨する工程とを有する偏波保存ファイバアセンブリの
   製造方法。
7. 【請求項７】 偏波保存ファイバの偏波保存方向対し
   て90度回転した位置にマーキングを行う工程と、ファイ
   バを治具に固定する工程と、ファイバのレーザ側端面を
   研磨する工程とを有する、請求項６記載の偏波保存ファ
   イバアセンブリの製造方法。
8. 【請求項８】 偏波保存ファイバの偏波保存方向の位
   置にマーキングを行う工程と、ファイバを治具に固定す
   る工程と、ファイバのレーザ側端面を研磨する工程と、
   ファイバの短軸方向側面にマーキングを行う工程とを有
   する、請求項６記載の偏波保存ファイバアセンブリの製
   造方法。
9. 【請求項９】 偏波保存ファイバのレーザ側端面を、
   斜めに傾斜させ、ファイバ端面からの光の反射を抑制す
   ることを特徴とした、半導体レーザモジュール。
10. 【請求項１０】 パッケージと、偏波保存ファイバの軸
    方向から傾けた直線上にある、半導体レーザと、レンズ
    と、アイソレータを含む光学部品と、前記光学部品の同
    一方向で傾けた端面を有するファイバを含む請求項９記
    載の半導体レーザモジュール。
11. 【請求項１１】 パッケージ内において偏波保存ファ
    イバの軸方向から傾けた直線上に、半導体レーザと、レ
    ンズと、アイソレータを含む光学部品を固定する工程
    と、前記光学部品の同一方向で傾けた端面を有するファ
    イバを調芯する工程と、ファイバをパッケージに固定す
    る工程とを有する、半導体レーザモジュールの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 偏波保存ファイバからの出力をモニ
    タしながら最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ方向に
    調芯する第１の調芯工程と、ファイバ出力を偏光子を通
    してモニタして最大パワーと最小パワーを測定する第１
    の測定工程と、パッケージをシータ（θ）方向に2度程
    度回転したのち、最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ
    方向にファイバ調芯する第2の調芯工程と、最小パワー
    と最大パワーの比が大きくなるθ方向にパッケージを回
    転したのち、最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ方向
    にファイバ調芯を繰り返す第3の調芯工程とを有する、
    請求項１１記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
13. 【請求項１３】 偏波保存ファイバからの出力をモニ
    タしながら最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ， θ
    方向に調芯する第１の調芯工程と、ファイバ出力を偏光
    子を通してモニタして最大パワーと最小パワーを測定す
    る第１の測定工程と、パッケージをθ方向に2度程度回
    転したのち、最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ方向
    にファイバ調芯する第2の調芯工程と、最小パワーと最
    大パワーの比が大きくなるθ方向にパッケージを回転し
    たのち、最大結合効率となるようにＸ，Ｙ，Ｚ方向にフ
    ァイバ調芯を繰り返す第3の調芯工程とを有する、請求
    項１１記載の半導体レーザモジュールの製造方法。
14. 【請求項１４】 第１の調芯工程前に偏波保存ファイ
    バのマーキングが正面になるように、ファイバをセット
    する工程を含むことを特徴とする請求項11記載の半導体
    レーザモジュールの製造方法。
15. 【請求項１５】 偏波保存ファイバアセンブリのレー
    ザ側端面を、3度以上20度以下に斜めに傾斜させること
    を特徴とする、請求項１〜４、９または１０のいずれか
    に記載の偏波保存ファイバアセンブリ。
16. 【請求項１６】 偏波保存ファイバの軸方向から半導
    体レーザと、レンズと、アイソレータを含む光学部品を
    1度以上20度以下に斜めに傾けた直線上に配置すること
    を特徴とする、請求項9または１０記載の偏波保存ファ
    イバレーザモジュール。
17. 【請求項１７】 第１の調芯工程後に偏波保存ファイ
    バを変形させて消光比の変化がないことを確認すること
    で、偏波保存ファイバのクラッドモードの伝播を抑制す
    る特徴とする請求項１１記載の半導体レーザモジュール
    の製造方法。
18. 【請求項１８】 偏波保存ファイバ端面からの光の反
    射を抑制することを特徴とした、偏波保存ファイバアセ
    ンブリ。
19. 【請求項１９】 偏波保存ファイバ端面からの光の反
    射とクラッドモードの伝播を抑制することを特徴とし
    た、偏波保存ファイバアセンブリの製造方法。
20. 【請求項２０】 偏波保存ファイバ端面からの光の反
    射を抑制することを特徴とした、偏波保存ファイバレー
    ザモジュール。
21. 【請求項２１】 レーザ光の偏波保存ファイバへの結
    合効率と消光比を最大にすることを特徴とした、偏波保
    存ファイバアセンブリの製造方法。