JPH09206919A - 太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法 - Google Patents
太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法Info
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- JPH09206919A JPH09206919A JP8014017A JP1401796A JPH09206919A JP H09206919 A JPH09206919 A JP H09206919A JP 8014017 A JP8014017 A JP 8014017A JP 1401796 A JP1401796 A JP 1401796A JP H09206919 A JPH09206919 A JP H09206919A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴッ
トの製造方法を提供する。 【解決手段】 チルプレート型５およびカバー型３を有
する鋳型に希土類磁石合金溶湯６を注入してインゴット
を製造する希土類磁石合金インゴットの製造方法におい
て、前記カバー型３は、表面粗さＲmax ：１．６Ｓ以下
である鏡面４カバー型を使用し、かつ溶湯をカバー型３
の鏡面４と溶湯６の間に隙間７が存在するように鋳造す
る。
トの製造方法を提供する。 【解決手段】 チルプレート型５およびカバー型３を有
する鋳型に希土類磁石合金溶湯６を注入してインゴット
を製造する希土類磁石合金インゴットの製造方法におい
て、前記カバー型３は、表面粗さＲmax ：１．６Ｓ以下
である鏡面４カバー型を使用し、かつ溶湯をカバー型３
の鏡面４と溶湯６の間に隙間７が存在するように鋳造す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、磁気異方性に優
れた希土類磁石粉末を製造するための原料となる太い柱
状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法に関
するものである。
れた希土類磁石粉末を製造するための原料となる太い柱
状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、希土類磁石粉末として、Ｒ−Ｃｏ
系またはＲ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末が知られている（ただ
し、ＲはＹを含む希土類元素）。これら希土類磁石粉末
は、通常、希土類磁石合金を溶解し、得られた溶湯を鋳
型に鋳造して希土類磁石合金インゴットを製造し、この
希土類磁石合金インゴットを均質化処理したのち、粗粉
砕し、さらに微粉細することにより得られる。
系またはＲ−Ｆｅ−Ｂ系磁石粉末が知られている（ただ
し、ＲはＹを含む希土類元素）。これら希土類磁石粉末
は、通常、希土類磁石合金を溶解し、得られた溶湯を鋳
型に鋳造して希土類磁石合金インゴットを製造し、この
希土類磁石合金インゴットを均質化処理したのち、粗粉
砕し、さらに微粉細することにより得られる。
【０００３】さらに、近年、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金インゴ
ットを水素雰囲気中または水素と不活性ガスの混合ガス
雰囲気中、温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の
温度に保持することにより前記Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金イン
ゴットに水素を吸蔵させ、引き続いて、５００〜１００
０℃の範囲内の所定の温度で１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲
気中に保持することによりＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金から強制
的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施した
のち、冷却し、ついで粉砕することにより、微細なＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織とした希土類
磁石粉末の製造方法も知られている。
ットを水素雰囲気中または水素と不活性ガスの混合ガス
雰囲気中、温度：５００〜１０００℃の範囲内の所定の
温度に保持することにより前記Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系合金イン
ゴットに水素を吸蔵させ、引き続いて、５００〜１００
０℃の範囲内の所定の温度で１Ｔｏｒｒ以下の真空雰囲
気中に保持することによりＲ−Ｆｅ−Ｂ系合金から強制
的に水素を放出させて相変態を促す脱水素処理を施した
のち、冷却し、ついで粉砕することにより、微細なＲ2
Ｔ14Ｂ型金属間化合物相の再結晶集合組織とした希土類
磁石粉末の製造方法も知られている。
【０００４】これら希土類磁石粉末の製造に用いる希土
類磁石合金インゴットは、その組織が希土類磁石粉末の
磁気異方性に大きな影響を及ぼし、結晶粒の大きな希土
類磁石合金インゴットを使用することにより磁気異方性
に優れた希土類磁石粉末が得られることも知られてい
る。
類磁石合金インゴットは、その組織が希土類磁石粉末の
磁気異方性に大きな影響を及ぼし、結晶粒の大きな希土
類磁石合金インゴットを使用することにより磁気異方性
に優れた希土類磁石粉末が得られることも知られてい
る。
【０００５】結晶粒の大きな希土類磁石合金インゴット
を製造する方法として、熱処理により結晶粒を成長させ
る方法（特開平３−２２６３４５号公報参照）、ほぼ水
平に置かれたチルプレートとその上方に置かれたカバー
型とで構成された鋳型内に希土類磁石合金溶湯を鋳造
し、冷却速度を調整することにより結晶粒を成長させる
方法（特開平２−２５１３６０号公報参照）が知られて
いる。
を製造する方法として、熱処理により結晶粒を成長させ
る方法（特開平３−２２６３４５号公報参照）、ほぼ水
平に置かれたチルプレートとその上方に置かれたカバー
型とで構成された鋳型内に希土類磁石合金溶湯を鋳造
し、冷却速度を調整することにより結晶粒を成長させる
方法（特開平２−２５１３６０号公報参照）が知られて
いる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の特
開平３−２２６３４５号公報記載の方法により得られた
希土類磁石合金インゴットは結晶粒の大きさが十分でな
く、従って、結晶粒の一層大きな希土類磁石合金インゴ
ットを得るには、ほぼ水平に置かれたチルプレートとそ
の上方に置かれたカバー型とで構成された鋳型内に注入
した希土類磁石合金溶湯の冷却速度を調整することによ
り結晶粒を成長させる特開平２−２５１３６０号公報記
載の方法を使用せざるを得ない。
開平３−２２６３４５号公報記載の方法により得られた
希土類磁石合金インゴットは結晶粒の大きさが十分でな
く、従って、結晶粒の一層大きな希土類磁石合金インゴ
ットを得るには、ほぼ水平に置かれたチルプレートとそ
の上方に置かれたカバー型とで構成された鋳型内に注入
した希土類磁石合金溶湯の冷却速度を調整することによ
り結晶粒を成長させる特開平２−２５１３６０号公報記
載の方法を使用せざるを得ない。
【０００７】しかし、特開平２−２５１３６０号公報記
載の方法で得られた希土類磁石合金インゴットは、柱状
晶配向に優れているものの、柱状晶の配向方向に直角な
断面の平均結晶粒径、すなわち柱状晶の太さが細く、実
質的に大きな結晶粒とはならない。さらに特開平２−２
５１３６０号公報記載の方法で得られた希土類磁石合金
インゴットは最終凝固点付近に引け巣が発生しやすく、
発生した引け巣の付近の組織は微細化すると共に結晶配
向が乱れ、従って、得られた希土類磁石合金インゴット
の引け巣付近を削除しなければならず、原料としての歩
留まりが悪かった。
載の方法で得られた希土類磁石合金インゴットは、柱状
晶配向に優れているものの、柱状晶の配向方向に直角な
断面の平均結晶粒径、すなわち柱状晶の太さが細く、実
質的に大きな結晶粒とはならない。さらに特開平２−２
５１３６０号公報記載の方法で得られた希土類磁石合金
インゴットは最終凝固点付近に引け巣が発生しやすく、
発生した引け巣の付近の組織は微細化すると共に結晶配
向が乱れ、従って、得られた希土類磁石合金インゴット
の引け巣付近を削除しなければならず、原料としての歩
留まりが悪かった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
希土類磁石合金インゴットの柱状晶の配向方向に直角な
断面の平均粒径が大きく、かつ最終凝固点付近に引け巣
が発生することのない希土類磁石合金インゴットの鋳造
方法を得るべく研究を行った結果、特開平２−２５１３
６０号公報記載の方法において、カバー型の表面を鏡面
とし、この鏡面を希土類磁石合金溶湯に向けるように設
けた鋳型を使用し、かつ溶湯をカバー型の鏡面と溶湯の
間に隙間が存在するように鋳造すると、希土類磁石合金
溶湯から放射された熱はカバー型の表面の鏡面により反
射され、希土類磁石合金溶湯表面全面を一層高温に保持
し、従って、最終凝固点付近に引け巣が発生することが
なく、さらに引け巣の付近の組織の微細化および結晶配
向の乱れが生じることはないという知見を得たのであ
る。
希土類磁石合金インゴットの柱状晶の配向方向に直角な
断面の平均粒径が大きく、かつ最終凝固点付近に引け巣
が発生することのない希土類磁石合金インゴットの鋳造
方法を得るべく研究を行った結果、特開平２−２５１３
６０号公報記載の方法において、カバー型の表面を鏡面
とし、この鏡面を希土類磁石合金溶湯に向けるように設
けた鋳型を使用し、かつ溶湯をカバー型の鏡面と溶湯の
間に隙間が存在するように鋳造すると、希土類磁石合金
溶湯から放射された熱はカバー型の表面の鏡面により反
射され、希土類磁石合金溶湯表面全面を一層高温に保持
し、従って、最終凝固点付近に引け巣が発生することが
なく、さらに引け巣の付近の組織の微細化および結晶配
向の乱れが生じることはないという知見を得たのであ
る。
【０００９】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、チルプレート型およびカバー型を有す
る鋳型に希土類磁石合金溶湯を注入してインゴットを製
造する希土類磁石合金インゴットの製造方法において、
前記カバー型は、表面粗さＲmax ：１．６Ｓ以下である
鏡面カバー型を使用し、かつ溶湯をカバー型の鏡面と溶
湯の間に隙間が存在するように鋳造する太い柱状晶を有
する希土類磁石合金インゴットの製造方法に特徴を有す
るものである。
たものであって、チルプレート型およびカバー型を有す
る鋳型に希土類磁石合金溶湯を注入してインゴットを製
造する希土類磁石合金インゴットの製造方法において、
前記カバー型は、表面粗さＲmax ：１．６Ｓ以下である
鏡面カバー型を使用し、かつ溶湯をカバー型の鏡面と溶
湯の間に隙間が存在するように鋳造する太い柱状晶を有
する希土類磁石合金インゴットの製造方法に特徴を有す
るものである。
【００１０】この発明の太い柱状晶を有する希土類磁石
合金インゴットの製造方法を図面に基づいて説明する。
図１は、鋳型に希土類磁石合金溶湯を注入した状態を示
す断面図である。また図２は図１のII−II断面図であ
る。図１および図２において、１は鉄枠、２は側壁型、
３はカバー型、４は鏡面、５はチルプレート型、６は溶
湯、７は隙間である。
合金インゴットの製造方法を図面に基づいて説明する。
図１は、鋳型に希土類磁石合金溶湯を注入した状態を示
す断面図である。また図２は図１のII−II断面図であ
る。図１および図２において、１は鉄枠、２は側壁型、
３はカバー型、４は鏡面、５はチルプレート型、６は溶
湯、７は隙間である。
【００１１】前記側壁型２は熱伝導率が０．０５ｃａｌ
／ｃｍ・ｓ・ｋ未満の耐火物、例えばアルミナレンガな
どの耐火物で構成し、カバー型３の鏡面４はステンレス
板で構成し、チルプレート型５は鉄板で構成することが
好ましい。チルプレート型５を鉄枠１の底に置き、その
周囲に側壁型２を並べて囲い、側壁型２の上に鏡面４の
ステンレス板を置き、その上にカバー型３を置いて鋳型
を組み立てる。図面ではカバー型３の下にステンレス板
を置いて鏡面４を形成したが、カバー型３自体を磨いて
鏡面４に仕上げても良い。しかし、カバー型３の下に鏡
面４を有するステンレス板を置くことにより、曇って鏡
面が消失した場合にステンレス板を交換すれば良いから
簡単に修理することができる。鏡面は表面粗さＲmax ：
１．６Ｓ以下であることが好ましい。
／ｃｍ・ｓ・ｋ未満の耐火物、例えばアルミナレンガな
どの耐火物で構成し、カバー型３の鏡面４はステンレス
板で構成し、チルプレート型５は鉄板で構成することが
好ましい。チルプレート型５を鉄枠１の底に置き、その
周囲に側壁型２を並べて囲い、側壁型２の上に鏡面４の
ステンレス板を置き、その上にカバー型３を置いて鋳型
を組み立てる。図面ではカバー型３の下にステンレス板
を置いて鏡面４を形成したが、カバー型３自体を磨いて
鏡面４に仕上げても良い。しかし、カバー型３の下に鏡
面４を有するステンレス板を置くことにより、曇って鏡
面が消失した場合にステンレス板を交換すれば良いから
簡単に修理することができる。鏡面は表面粗さＲmax ：
１．６Ｓ以下であることが好ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】この様にして得られた得られた鋳
型に温度：１２００〜１７００℃の溶湯を注入し、溶湯
を鏡面４のステンレス板と隙間７を保つようにかつイン
ゴットの厚さが１０〜１００ｍｍの範囲となるように鋳
造すると、チルプレート型５の鉄板に接触した溶湯は凝
固を開始し、結晶はチルプレート型５からカバー型３に
向かって成長し、上面が最後に凝固するので引け巣がま
ったく無いインゴットが得られる。
型に温度：１２００〜１７００℃の溶湯を注入し、溶湯
を鏡面４のステンレス板と隙間７を保つようにかつイン
ゴットの厚さが１０〜１００ｍｍの範囲となるように鋳
造すると、チルプレート型５の鉄板に接触した溶湯は凝
固を開始し、結晶はチルプレート型５からカバー型３に
向かって成長し、上面が最後に凝固するので引け巣がま
ったく無いインゴットが得られる。
【００１３】この場合、カバー型３の少なくとも溶湯に
面する表面は鏡面でないとインゴット内部に引け巣がで
き、その引け巣の周囲の結晶粒は微細化して結晶配向が
乱れる。さらに、カバー型３の鏡面４と溶湯の間に隙間
がないと、熱反射の機能がなくなり、鏡面４と溶湯の接
触部から凝固が始まり、結晶配向の乱れや結晶粒成長が
十分でなくなる。
面する表面は鏡面でないとインゴット内部に引け巣がで
き、その引け巣の周囲の結晶粒は微細化して結晶配向が
乱れる。さらに、カバー型３の鏡面４と溶湯の間に隙間
がないと、熱反射の機能がなくなり、鏡面４と溶湯の接
触部から凝固が始まり、結晶配向の乱れや結晶粒成長が
十分でなくなる。
【００１４】また、鋳造時の溶湯温度が１７００℃を越
えると、溶湯が鋳型と反応し、一方、１２００℃未満で
は結晶が十分に大きくならない所から、鋳造時の溶湯温
度は１２００〜１７００℃であることが好ましい。イン
ゴットの厚さは１０ｍｍ未満では結晶粒が十分に成長せ
ず、一方、インゴットの厚さを１００ｍｍを越えて厚く
すると、インゴット内部に引け巣が発生しやすくなるの
で好ましくない。従って、インゴットの厚さを１０〜１
００ｍｍの範囲に定めた。
えると、溶湯が鋳型と反応し、一方、１２００℃未満で
は結晶が十分に大きくならない所から、鋳造時の溶湯温
度は１２００〜１７００℃であることが好ましい。イン
ゴットの厚さは１０ｍｍ未満では結晶粒が十分に成長せ
ず、一方、インゴットの厚さを１００ｍｍを越えて厚く
すると、インゴット内部に引け巣が発生しやすくなるの
で好ましくない。従って、インゴットの厚さを１０〜１
００ｍｍの範囲に定めた。
【００１５】
実施例１ チルプレート型５を鉄枠１の底に置き、その周囲にアル
ミナレンガからなる側壁型２を並べて囲い、側壁型２の
上に鏡面４のステンレス板を置き、その上にアルミナレ
ンガからなるカバー型３を置き、鋳型内面空間の断面深
さ：８０ｍｍを有する鋳型を作製した。
ミナレンガからなる側壁型２を並べて囲い、側壁型２の
上に鏡面４のステンレス板を置き、その上にアルミナレ
ンガからなるカバー型３を置き、鋳型内面空間の断面深
さ：８０ｍｍを有する鋳型を作製した。
【００１６】一方、Ｎｄ12.6Ｃｏ17.4Ｂ7.0 Ｇａ0.3 Ｚ
ｒ0.1 Ｆｅbal （ａｔ％）なる組成の合金を高周波誘導
熔解炉にて溶解し、温度：１５００℃に保持した溶湯を
インゴットの厚さが６０ｍｍになるようにかつ鋳型の内
部上面が２０ｍｍの隙間が空くように鋳造し、厚さ：６
０ｍｍのインゴットを作製した。この厚さ：６０ｍｍの
インゴットの表面の引け巣の有無を目視にて観察したと
ころ、引け巣は見られなかった。また厚さ：６０ｍｍの
インゴットの中央の３０ｍｍの部分で厚さ方向に平行に
切断し、切断面の平均結晶粒径を測定したところ、平均
結晶粒径は９０．３μｍであった。
ｒ0.1 Ｆｅbal （ａｔ％）なる組成の合金を高周波誘導
熔解炉にて溶解し、温度：１５００℃に保持した溶湯を
インゴットの厚さが６０ｍｍになるようにかつ鋳型の内
部上面が２０ｍｍの隙間が空くように鋳造し、厚さ：６
０ｍｍのインゴットを作製した。この厚さ：６０ｍｍの
インゴットの表面の引け巣の有無を目視にて観察したと
ころ、引け巣は見られなかった。また厚さ：６０ｍｍの
インゴットの中央の３０ｍｍの部分で厚さ方向に平行に
切断し、切断面の平均結晶粒径を測定したところ、平均
結晶粒径は９０．３μｍであった。
【００１７】実施例２ Ｎｄ12.6Ｃｏ17.4Ｂ7.0 Ｚｒ0.1 Ｆｅbal （ａｔ％）な
る組成の合金の溶湯を使用する以外は実施例１と全く同
じ条件で厚さ：６０ｍｍのインゴットを作製した。この
厚さ：６０ｍｍのインゴットの表面の引け巣の有無を目
視にて観察したところ、引け巣は見られなかった。また
厚さ：６０ｍｍのインゴットの中央の３０ｍｍの部分で
厚さ方向に平行に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定
したところ、平均結晶粒径は８８．７μｍであった。
る組成の合金の溶湯を使用する以外は実施例１と全く同
じ条件で厚さ：６０ｍｍのインゴットを作製した。この
厚さ：６０ｍｍのインゴットの表面の引け巣の有無を目
視にて観察したところ、引け巣は見られなかった。また
厚さ：６０ｍｍのインゴットの中央の３０ｍｍの部分で
厚さ方向に平行に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定
したところ、平均結晶粒径は８８．７μｍであった。
【００１８】実施例３ Ｓｍ10.6Ｆｅbal （ａｔ％）なる組成の合金を高周波誘
導熔解炉にて溶解し、温度：１６００℃に保持した溶湯
をインゴットの厚さが６０ｍｍになるようにかつ鋳型の
内部上面が２０ｍｍの隙間が空くように鋳造し、厚さ：
６０ｍｍのインゴットを作製した。この厚さ：６０ｍｍ
のインゴットの表面の引け巣の有無を目視にて観察した
ところ、引け巣は見られなかった。また厚さ：６０ｍｍ
のインゴットの中央の３０ｍｍの部分で厚さ方向に平行
に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定したところ、平
均結晶粒径は８０．０μｍであった。
導熔解炉にて溶解し、温度：１６００℃に保持した溶湯
をインゴットの厚さが６０ｍｍになるようにかつ鋳型の
内部上面が２０ｍｍの隙間が空くように鋳造し、厚さ：
６０ｍｍのインゴットを作製した。この厚さ：６０ｍｍ
のインゴットの表面の引け巣の有無を目視にて観察した
ところ、引け巣は見られなかった。また厚さ：６０ｍｍ
のインゴットの中央の３０ｍｍの部分で厚さ方向に平行
に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定したところ、平
均結晶粒径は８０．０μｍであった。
【００１９】比較例１ 実施例１で作製した鋳型を使用し、温度：１５００℃に
保持した溶湯が鋳型内面空間を埋めるように隙間がない
ように鋳造し、厚さ：８０ｍｍのインゴットを作製し
た。この厚さ：８０ｍｍのインゴットの表面の引け巣の
有無を目視にて観察したところ、引け巣は見られ、また
厚さ：８０ｍｍのインゴットの中央の４０ｍｍの部分で
厚さ方向に平行に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定
したところ、平均結晶粒径は６３．３μｍであった。
保持した溶湯が鋳型内面空間を埋めるように隙間がない
ように鋳造し、厚さ：８０ｍｍのインゴットを作製し
た。この厚さ：８０ｍｍのインゴットの表面の引け巣の
有無を目視にて観察したところ、引け巣は見られ、また
厚さ：８０ｍｍのインゴットの中央の４０ｍｍの部分で
厚さ方向に平行に切断し、切断面の平均結晶粒径を測定
したところ、平均結晶粒径は６３．３μｍであった。
【００２０】従来例１ 実施例１で作製した鋳型において、鏡面のステンレス板
を取り外し、カバー型として表面研磨されていない通常
のアルミナレンガからなるカバー型を用いる以外は実施
例１と全く同じ条件で厚さ：６０ｍｍのインゴットを作
製した。この厚さ：６０ｍｍのインゴットの表面の引け
巣の有無を目視にて観察したところ、引け巣が見られ、
またインゴットの中央部分の切断面の平均結晶粒径を測
定したところ、平均結晶粒径は６０．１μｍであった。
を取り外し、カバー型として表面研磨されていない通常
のアルミナレンガからなるカバー型を用いる以外は実施
例１と全く同じ条件で厚さ：６０ｍｍのインゴットを作
製した。この厚さ：６０ｍｍのインゴットの表面の引け
巣の有無を目視にて観察したところ、引け巣が見られ、
またインゴットの中央部分の切断面の平均結晶粒径を測
定したところ、平均結晶粒径は６０．１μｍであった。
【００２１】
【発明の効果】実施例１〜３、比較例１および従来例１
に示される結果から、鏡面４のステンレス板を置き、そ
の上にアルミナレンガからなるカバー型３を置き、溶湯
を鋳型の内部上面い隙間が空くように鋳造し得られたイ
ンゴットには引け巣がなく、大きな断面平均結晶粒径を
有するインゴットが得られることが分かる。
に示される結果から、鏡面４のステンレス板を置き、そ
の上にアルミナレンガからなるカバー型３を置き、溶湯
を鋳型の内部上面い隙間が空くように鋳造し得られたイ
ンゴットには引け巣がなく、大きな断面平均結晶粒径を
有するインゴットが得られることが分かる。
【００２２】上述のように、この発明は、従来よりも大
きな断面平均結晶粒径を有するインゴットを提供するこ
とができ、希土類磁石産業の発展に大いに貢献し得るも
のである。
きな断面平均結晶粒径を有するインゴットを提供するこ
とができ、希土類磁石産業の発展に大いに貢献し得るも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の太い柱状晶を有する希土類磁石合金
インゴットの製造方法で使用する鋳型に希土類磁石合金
溶湯を注入した状態を示す断面図である。
インゴットの製造方法で使用する鋳型に希土類磁石合金
溶湯を注入した状態を示す断面図である。
【図２】図２は図１のII−II断面図である。
１ 鉄枠 ２ 側壁型 ３ カバー型 ４ 鏡面 ５ チルプレート型 ６ 溶湯 ７ 隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 1/053 Ｈ０１Ｆ 1/04 Ａ (72)発明者 中山 亮治 埼玉県大宮市北袋町１−297 三菱マテリ アル株式会社総合研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】底面にチルプレート型を有し、上面にカバ
ー型を有する鋳型に希土類磁石合金溶湯を注入してイン
ゴットを製造する希土類磁石合金インゴットの製造方法
において、 前記カバー型に表面が鏡面であるカバー型を使用し、か
つカバー型の鏡面と溶湯の間に隙間が存在するように鋳
造することを特徴とする太い柱状晶を有する希土類磁石
合金インゴットの製造方法。 - 【請求項２】前記カバー型の鏡面は、表面粗さＲmax ：
１．６Ｓ以下であることを特徴とする請求項１記載の太
い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014017A JPH09206919A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8014017A JPH09206919A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09206919A true JPH09206919A (ja) | 1997-08-12 |
Family
ID=11849434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8014017A Withdrawn JPH09206919A (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | 太い柱状晶を有する希土類磁石合金インゴットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09206919A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007144428A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 希土類―鉄−ボロン系磁石用合金及びその製造方法、製造装置 |
-
1996
- 1996-01-30 JP JP8014017A patent/JPH09206919A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007144428A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | 希土類―鉄−ボロン系磁石用合金及びその製造方法、製造装置 |
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