JPH09205224A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH09205224A JPH09205224A JP1050796A JP1050796A JPH09205224A JP H09205224 A JPH09205224 A JP H09205224A JP 1050796 A JP1050796 A JP 1050796A JP 1050796 A JP1050796 A JP 1050796A JP H09205224 A JPH09205224 A JP H09205224A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発光素子端面における、ｎ層とｐ層、および
ｎ層とｐ電極との界面の短絡を防止し、さらに発光素子
端面からの発光の光学特性のばらつきをなくして、信頼
性の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。 【構成】 絶縁性基板と、負電極が形成されるｎ型窒化
物半導体層と、正電極が形成されるｐ型窒化物半導体層
とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の
表面、前記ｎ型窒化物半導体層の表面、及び前記ｐ型窒
化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成さ
れている。
ｎ層とｐ電極との界面の短絡を防止し、さらに発光素子
端面からの発光の光学特性のばらつきをなくして、信頼
性の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。 【構成】 絶縁性基板と、負電極が形成されるｎ型窒化
物半導体層と、正電極が形成されるｐ型窒化物半導体層
とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の
表面、前記ｎ型窒化物半導体層の表面、及び前記ｐ型窒
化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ ０≦X≦１、０≦Y≦１）
が積層されてなる窒化物半導体発光素子の構造に関す
る。
ザダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ ０≦X≦１、０≦Y≦１）
が積層されてなる窒化物半導体発光素子の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】窒化物半導体よりなる発光素子は、基本
的に、サファイア、スピネル等の絶縁性基板上にｎ型窒
化物半導体層（以下、ｎ層という。）と、ｐ型窒化物半
導体層（以下、ｐ層という。）とが積層された構造を有
している。このような半導体発光素子には、同一面側に
正負一対の電極が形成されるが、ｎ層に電極を形成する
には、ｐ層を部分的にエッチングして取り除きｎ層を露
出させることにより形成していた。このようにして得ら
れた窒化物半導体発光素子は、同一面側に正負一対の電
極が隣接して形成されたいわゆるフリップチップ形式の
ため、正、負の電極間で短絡が生じる場合がある。例え
ば、ｎ層の電極にワイヤーボンディングする際、ボール
が電極からずれてｐ層と接触すると電気的に短絡してし
まうという問題がある。
的に、サファイア、スピネル等の絶縁性基板上にｎ型窒
化物半導体層（以下、ｎ層という。）と、ｐ型窒化物半
導体層（以下、ｐ層という。）とが積層された構造を有
している。このような半導体発光素子には、同一面側に
正負一対の電極が形成されるが、ｎ層に電極を形成する
には、ｐ層を部分的にエッチングして取り除きｎ層を露
出させることにより形成していた。このようにして得ら
れた窒化物半導体発光素子は、同一面側に正負一対の電
極が隣接して形成されたいわゆるフリップチップ形式の
ため、正、負の電極間で短絡が生じる場合がある。例え
ば、ｎ層の電極にワイヤーボンディングする際、ボール
が電極からずれてｐ層と接触すると電気的に短絡してし
まうという問題がある。
【０００３】このようなことから、短絡が生じていた
正、負の電極間に絶縁層が形成された構造を有する窒化
物半導体発光素子が公表された（特開平７−９４７８３
号公報）。
正、負の電極間に絶縁層が形成された構造を有する窒化
物半導体発光素子が公表された（特開平７−９４７８３
号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３は、正、負の電極
間に絶縁層が形成された従来の窒化物半導体発光素子
を、基板側を発光観測面として配線基板上に実装した場
合の模式断面図である。従来の窒化物半導体発光素子
は、ウェーハからチップ状に切り出された個々の発光素
子の端面は、サファイア基板２１とｎ層２２、またはサ
ファイア基板２１とｎ層２２及びｐ層２３が露出された
構造となる。窒化物半導体発光素子をフリップチップボ
ンディングする場合、配線基板上等に半導体層上に形成
された正、負の両電極と、配線基板上に設けられた導電
部とを導電性接着剤を介して接続する。図のように従来
の窒化物半導体を、配線基板３０上に実装した場合、電
極と導電部３１とを接着するのに、導電性接着剤２７を
使用すると、導電性接着剤２７の量が多い場合、発光素
子端面にまで回り込み付着し、発光素子端面の露出され
たｎ層２２とｐ層２３、またはｎ層２２とｐ電極２５と
の界面で短絡が生じるという問題があった。
間に絶縁層が形成された従来の窒化物半導体発光素子
を、基板側を発光観測面として配線基板上に実装した場
合の模式断面図である。従来の窒化物半導体発光素子
は、ウェーハからチップ状に切り出された個々の発光素
子の端面は、サファイア基板２１とｎ層２２、またはサ
ファイア基板２１とｎ層２２及びｐ層２３が露出された
構造となる。窒化物半導体発光素子をフリップチップボ
ンディングする場合、配線基板上等に半導体層上に形成
された正、負の両電極と、配線基板上に設けられた導電
部とを導電性接着剤を介して接続する。図のように従来
の窒化物半導体を、配線基板３０上に実装した場合、電
極と導電部３１とを接着するのに、導電性接着剤２７を
使用すると、導電性接着剤２７の量が多い場合、発光素
子端面にまで回り込み付着し、発光素子端面の露出され
たｎ層２２とｐ層２３、またはｎ層２２とｐ電極２５と
の界面で短絡が生じるという問題があった。
【０００５】また、窒化物半導体発光素子は、基板側ま
たは電極側の発光素子表面から発光が取り出されるが、
発光強度の向上を図るため、発光素子端面からの発光も
有効利用される。しかしながら従来の構造では、ウェー
ハから個々の発光素子を切り出した場合、発光素子端面
は平滑でなく凹凸のある形状となるため、発光素子端面
からの発光の光学特性にばらつきが生じるという問題も
あった。
たは電極側の発光素子表面から発光が取り出されるが、
発光強度の向上を図るため、発光素子端面からの発光も
有効利用される。しかしながら従来の構造では、ウェー
ハから個々の発光素子を切り出した場合、発光素子端面
は平滑でなく凹凸のある形状となるため、発光素子端面
からの発光の光学特性にばらつきが生じるという問題も
あった。
【０００６】従って本発明は上記問題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、発光素
子端面における、ｎ層とｐ層、およびｎ層とｐ電極との
界面の短絡を防止し、さらに発光素子端面からの発光の
光学特性のばらつきをなくして、信頼性の向上した窒化
物半導体発光素子を提供することにある。
成されたものであり、その目的とするところは、発光素
子端面における、ｎ層とｐ層、およびｎ層とｐ電極との
界面の短絡を防止し、さらに発光素子端面からの発光の
光学特性のばらつきをなくして、信頼性の向上した窒化
物半導体発光素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体発
光素子は、絶縁性基板と、負電極が形成されるｎ型窒化
物半導体層と、正電極が形成されるｐ型窒化物半導体層
とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の
表面、前記ｎ型窒化物半導体層の表面、及び前記ｐ型窒
化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成さ
れていることを特徴とする。
光素子は、絶縁性基板と、負電極が形成されるｎ型窒化
物半導体層と、正電極が形成されるｐ型窒化物半導体層
とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の
表面、前記ｎ型窒化物半導体層の表面、及び前記ｐ型窒
化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成さ
れていることを特徴とする。
【０００８】図１は本発明の窒化物半導体発光素子の一
実施例の構造を示したものである。本発明の発光素子
は、ｎ層２の端部が除去されて基板１が露出された構造
を有している。ｎ層２の端部を除去するには、エッチン
グを用いることが好ましい。エッチング手段としては、
例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオ
ンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、イオンミリング等の
ドライエッチング手段を用いることが好ましい。
実施例の構造を示したものである。本発明の発光素子
は、ｎ層２の端部が除去されて基板１が露出された構造
を有している。ｎ層２の端部を除去するには、エッチン
グを用いることが好ましい。エッチング手段としては、
例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオ
ンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、イオンミリング等の
ドライエッチング手段を用いることが好ましい。
【０００９】続いて、除去されたｎ層２の端面から電極
側の表面にかけて絶縁性被膜６が形成されている。この
絶縁性被膜６の材料としては、絶縁性を有するものであ
れば何でも良く、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4等を使用することができる。また、絶縁性被膜
６を形成するには、所定のマスクを形成後、蒸着、スパ
ッタ、ＣＶＤ等の方法を用いて形成することができる。
絶縁性被膜６は電極全体を被覆するのではなく、電極と
他のリード電極部材とを、半田等で接着するために必要
な露出部分を残しておくことは言うまでもない。
側の表面にかけて絶縁性被膜６が形成されている。この
絶縁性被膜６の材料としては、絶縁性を有するものであ
れば何でも良く、例えばＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、
Ｓｉ3Ｎ4等を使用することができる。また、絶縁性被膜
６を形成するには、所定のマスクを形成後、蒸着、スパ
ッタ、ＣＶＤ等の方法を用いて形成することができる。
絶縁性被膜６は電極全体を被覆するのではなく、電極と
他のリード電極部材とを、半田等で接着するために必要
な露出部分を残しておくことは言うまでもない。
【００１０】また本発明の窒化物半導体発光素子は、前
記絶縁性被膜が着色されていることを特徴とする。
記絶縁性被膜が着色されていることを特徴とする。
【００１１】本発明の発光素子において基板側を発光観
測面とする場合、前記絶縁性被膜としては可視光を吸収
するような非透光性の材料を用いて形成することもでき
る。例えば、赤色の発光素子の場合は前記絶縁性被膜を
赤色に、青色の発光素子の場合は前記絶縁性被膜を青色
に、発光素子の発光色と同一色を有する前記絶縁性被膜
を形成する。発光素子の発光色と同一色を有する絶縁性
被膜を形成すると、その絶縁性被膜がフィルターとなっ
てコントラストを向上させる。つまりディスプレイを構
成した場合に、フィルターが外光を吸光することにより
発光素子のコントラストが向上する。また別の目的とし
て、発光色の異なる色を着色すると発光色を変えること
もできる。絶縁性被膜を着色するには、例えば人口宝石
を製造する技術が適用でき、具体的にはＡｌ2Ｏ3であれ
ばＣｒ、Ｎ、Ｆｅ等を混入させることにより着色可能で
ある。
測面とする場合、前記絶縁性被膜としては可視光を吸収
するような非透光性の材料を用いて形成することもでき
る。例えば、赤色の発光素子の場合は前記絶縁性被膜を
赤色に、青色の発光素子の場合は前記絶縁性被膜を青色
に、発光素子の発光色と同一色を有する前記絶縁性被膜
を形成する。発光素子の発光色と同一色を有する絶縁性
被膜を形成すると、その絶縁性被膜がフィルターとなっ
てコントラストを向上させる。つまりディスプレイを構
成した場合に、フィルターが外光を吸光することにより
発光素子のコントラストが向上する。また別の目的とし
て、発光色の異なる色を着色すると発光色を変えること
もできる。絶縁性被膜を着色するには、例えば人口宝石
を製造する技術が適用でき、具体的にはＡｌ2Ｏ3であれ
ばＣｒ、Ｎ、Ｆｅ等を混入させることにより着色可能で
ある。
【００１２】
【作用】本発明の発光素子は、ｎ層の端部がエッチング
等により除去され、その除去されたｎ層２の端面から電
極側の表面にかけて絶縁性被膜６が形成されている。電
極側の表面に形成された絶縁性被膜６により、ボンディ
ング時におけるｐ電極５とｎ電極４との間の短絡を防止
できる。更に本発明の発光素子では、端面に形成された
絶縁性被膜６により、図２に示したように発光素子を配
線基板１０上等に実装する時に、発光素子の電極と配線
基板上に設けられた導電部１１とを接続する導電性接着
剤７が、発光素子端面にまで回り込み付着した場合でも
ｐ層２とｎ層３、およびｎ層２とｐ電極５との間で短絡
が生じる恐れがない。即ち、ｎ電極４側の導電性接着剤
７とｐ電極５側の導電性接着剤７が直接短絡する以外に
は、本発明の発光素子において短絡が生じる恐れがな
い。
等により除去され、その除去されたｎ層２の端面から電
極側の表面にかけて絶縁性被膜６が形成されている。電
極側の表面に形成された絶縁性被膜６により、ボンディ
ング時におけるｐ電極５とｎ電極４との間の短絡を防止
できる。更に本発明の発光素子では、端面に形成された
絶縁性被膜６により、図２に示したように発光素子を配
線基板１０上等に実装する時に、発光素子の電極と配線
基板上に設けられた導電部１１とを接続する導電性接着
剤７が、発光素子端面にまで回り込み付着した場合でも
ｐ層２とｎ層３、およびｎ層２とｐ電極５との間で短絡
が生じる恐れがない。即ち、ｎ電極４側の導電性接着剤
７とｐ電極５側の導電性接着剤７が直接短絡する以外に
は、本発明の発光素子において短絡が生じる恐れがな
い。
【００１３】また、本発明の発光素子において、電極側
を発光観測面とした場合、前記絶縁性被膜６として透光
性の絶縁性被膜を形成すると、ｎ層およびｐ層の端部は
エッチングにより除去されているため、エッチング端
面、つまり半導体層端面を平滑にすることができるた
め、発光素子端面からの発光の光学特性にばらつきがな
くなる。
を発光観測面とした場合、前記絶縁性被膜６として透光
性の絶縁性被膜を形成すると、ｎ層およびｐ層の端部は
エッチングにより除去されているため、エッチング端
面、つまり半導体層端面を平滑にすることができるた
め、発光素子端面からの発光の光学特性にばらつきがな
くなる。
【００１４】或いは、本発明の発光素子において、基板
側を発光観測面とする場合、前記絶縁性被膜としては非
透光性の材料を用いて形成することが望ましい。する
と、発光素子端面、および電極側つまり観測面と反対側
からの漏光を無くすことができるため、発光素子端面か
らの発光の光学特性のばらつきの問題を解消できるだけ
でなく、発光素子からの発光を発光観測面側に効率よく
取り出すことができ発光強度が向上する。更に、前記絶
縁性被膜が発光素子の発光を吸収するように、発光素子
の発光色に合わせて絶縁性被膜を着色することによりコ
ントラストが良くなる。
側を発光観測面とする場合、前記絶縁性被膜としては非
透光性の材料を用いて形成することが望ましい。する
と、発光素子端面、および電極側つまり観測面と反対側
からの漏光を無くすことができるため、発光素子端面か
らの発光の光学特性のばらつきの問題を解消できるだけ
でなく、発光素子からの発光を発光観測面側に効率よく
取り出すことができ発光強度が向上する。更に、前記絶
縁性被膜が発光素子の発光を吸収するように、発光素子
の発光色に合わせて絶縁性被膜を着色することによりコ
ントラストが良くなる。
【００１５】また更に本発明の発光素子では、ウェーハ
からチップを切り出す際、ｎ層に接触しないで切断する
ことができるので、ｎ層にクラックが生じることがなく
信頼性が向上する。
からチップを切り出す際、ｎ層に接触しないで切断する
ことができるので、ｎ層にクラックが生じることがなく
信頼性が向上する。
【００１６】
【実施例】図１は本発明の一実施例に係る窒化物半導体
発光素子の構造を示す模式断面図である。この図を基
に、本発明の実施例について説明する。
発光素子の構造を示す模式断面図である。この図を基
に、本発明の実施例について説明する。
【００１７】サファイア基板１上にｎ層２とｐ層３とを
順に成長させたウエーハを用意する。次に、ｎ層２およ
びｐ層３の端部をＲＩＥ法を用いてドライエッチングを
行い、図１に示すような形状となるように、サファイア
基板１表面まで除去した。続いて、ｐ層３およびｎ層２
の一部を同様にＲＩＥ法を用いてドライエッチングを行
い、図１に示すような形状となるように、ｎ層２を露出
させた。エッチング後、ｎ層２表面に負電極４、ｐ層３
表面に正電極５を各々形成した。
順に成長させたウエーハを用意する。次に、ｎ層２およ
びｐ層３の端部をＲＩＥ法を用いてドライエッチングを
行い、図１に示すような形状となるように、サファイア
基板１表面まで除去した。続いて、ｐ層３およびｎ層２
の一部を同様にＲＩＥ法を用いてドライエッチングを行
い、図１に示すような形状となるように、ｎ層２を露出
させた。エッチング後、ｎ層２表面に負電極４、ｐ層３
表面に正電極５を各々形成した。
【００１８】以上のようにしてエッチングにより除去さ
れたｎ層２の端面、および電極側の表面を覆うようにし
てＳｉＯ2よりなる絶縁性被膜６を形成し、図１に示す
ような本発明の窒化物半導体発光素子を得る。この時、
負電極４および正電極５の表面は、ボンディング可能な
ように露出させた箇所を残しておく。
れたｎ層２の端面、および電極側の表面を覆うようにし
てＳｉＯ2よりなる絶縁性被膜６を形成し、図１に示す
ような本発明の窒化物半導体発光素子を得る。この時、
負電極４および正電極５の表面は、ボンディング可能な
ように露出させた箇所を残しておく。
【００１９】上記のようにして得られた本発明の窒化物
半導体発光素子を、配線基板上の導電部に実装した場合
の形状を示したのが図２である。このように負電極４お
よび正電極５を、導電性接着剤７を介して配線基板１０
上の導電部１１に接続した。
半導体発光素子を、配線基板上の導電部に実装した場合
の形状を示したのが図２である。このように負電極４お
よび正電極５を、導電性接着剤７を介して配線基板１０
上の導電部１１に接続した。
【００２０】このようにして実装された発光素子は、電
極側の表面および素子端面が絶縁性薄膜６で覆われてい
るため、導電性接着剤７が素子端面に回り込んで付着し
ても、短絡不良は生じなかった。
極側の表面および素子端面が絶縁性薄膜６で覆われてい
るため、導電性接着剤７が素子端面に回り込んで付着し
ても、短絡不良は生じなかった。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば発
光素子端面のｎ層の端部を除去して、その除去された部
分に絶縁性被膜を設けることにより、従来問題となって
いた発光素子端面の露出されたｎ層とｐ層、およびｎ層
とｐ電極との界面の短絡を防止することができる。また
発光素子端面からの発光の光学特性のばらつきの問題も
解消でき、更に発光素子からの発光を発光観測面側に効
率よく取り出すことができる。また前記絶縁性被膜とし
て、着色された絶縁性被膜を用いることによりコントラ
ストが良くなるという利点もある。このように本発明に
よれば、信頼性の向上した窒化物半導体発光素子を提供
することができる。
光素子端面のｎ層の端部を除去して、その除去された部
分に絶縁性被膜を設けることにより、従来問題となって
いた発光素子端面の露出されたｎ層とｐ層、およびｎ層
とｐ電極との界面の短絡を防止することができる。また
発光素子端面からの発光の光学特性のばらつきの問題も
解消でき、更に発光素子からの発光を発光観測面側に効
率よく取り出すことができる。また前記絶縁性被膜とし
て、着色された絶縁性被膜を用いることによりコントラ
ストが良くなるという利点もある。このように本発明に
よれば、信頼性の向上した窒化物半導体発光素子を提供
することができる。
【図１】 本発明の窒化物半導体発光素子の一実施例の
構造を示す模式断面図。
構造を示す模式断面図。
【図２】 本発明の窒化物半導体発光素子を配線基板上
に実装した場合の形状を示す模式断面図。
に実装した場合の形状を示す模式断面図。
【図３】 従来の窒化物半導体発光素子の構造を示す模
式断面図。
式断面図。
１・・・・基板 ２・・・・ｎ型窒化物半導体層 ３・・・・ｐ型窒化物半導体層 ４・・・・負電極 ５・・・・正電極 ６・・・・絶縁性被膜 ７・・・・導電性接着剤 １０・・・・配線基板 １１・・・・導電部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年８月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、レー
ザダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ ０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ
≦１）が積層されてなる窒化物半導体発光素子の構造に
関する。
ザダイオード等に使用される窒化ガリウム系化合物半導
体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ ０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ
≦１）が積層されてなる窒化物半導体発光素子の構造に
関する。
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板と、負電極が形成されるｎ型
窒化物半導体層と、正電極が形成されるｐ型窒化物半導
体層とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基
板の表面、前記ｎ型窒化物半導体層の表面、及び前記ｐ
型窒化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形
成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記絶縁性被膜が、着色されていること
を特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01050796A JP3453238B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01050796A JP3453238B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205224A true JPH09205224A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3453238B2 JP3453238B2 (ja) | 2003-10-06 |
Family
ID=11752136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01050796A Expired - Fee Related JP3453238B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3453238B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11150300A (ja) * | 1997-11-14 | 1999-06-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2003124514A (ja) * | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Sony Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008263246A (ja) * | 2008-08-06 | 2008-10-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 発光装置 |
| KR20120010358A (ko) * | 2010-07-26 | 2012-02-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN102479894A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 同方光电科技有限公司 | 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法 |
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Cited By (11)
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| KR20120010358A (ko) * | 2010-07-26 | 2012-02-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
| CN102479894A (zh) * | 2010-11-25 | 2012-05-30 | 同方光电科技有限公司 | 一种GaN基材料的发光二极管及其制备方法 |
| CN102544288A (zh) * | 2010-12-27 | 2012-07-04 | 同方光电科技有限公司 | 一种外延结构的GaN基材料发光二极管及其制备方法 |
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