JPH09205078A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH09205078A JPH09205078A JP1126496A JP1126496A JPH09205078A JP H09205078 A JPH09205078 A JP H09205078A JP 1126496 A JP1126496 A JP 1126496A JP 1126496 A JP1126496 A JP 1126496A JP H09205078 A JPH09205078 A JP H09205078A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マスク材との選択比を確保することができ、
被エッチング材料が再付着することがなく、しかもエッ
チングが速やかに進んでレジストマスクが十分に耐え得
るドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 分子内にカルボニル基またはカルボキシ
ル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属
薄膜をプラズマエッチングする。ここで、Ｎｉ系金属薄
膜がＮｉ薄膜であること、又、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜であ
ることを特徴とする。
被エッチング材料が再付着することがなく、しかもエッ
チングが速やかに進んでレジストマスクが十分に耐え得
るドライエッチング方法を提供する。 【解決手段】 分子内にカルボニル基またはカルボキシ
ル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属
薄膜をプラズマエッチングする。ここで、Ｎｉ系金属薄
膜がＮｉ薄膜であること、又、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜であ
ることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電極用薄膜や
機能素子膜等として用いられるＮｉ系金属薄膜のドライ
エッチング方法に関するものであり、詳細には、特定の
官能基を有する有機化合物雰囲気中での反応性エッチン
グを利用した新規なドライエッチング方法に関する。
機能素子膜等として用いられるＮｉ系金属薄膜のドライ
エッチング方法に関するものであり、詳細には、特定の
官能基を有する有機化合物雰囲気中での反応性エッチン
グを利用した新規なドライエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の分野においては、使用環境
の多様化等に伴い、単結晶Ｓｉ半導体ばかりでなく、他
の半導体結晶の採用も検討されている。
の多様化等に伴い、単結晶Ｓｉ半導体ばかりでなく、他
の半導体結晶の採用も検討されている。
【０００３】そのひとつに炭化珪素（ＳｉＣ）があり、
近年、良好な単結晶薄膜が得られるようになってきたこ
とから、その使用範囲が急速に拡大されつつある。炭化
珪素は、単結晶Ｓｉと比較して広いバンドギャップを有
し、高温域での使用にも耐えることから、例えば宇宙空
間や原子炉周辺等で使用される半導体装置への応用が期
待される。
近年、良好な単結晶薄膜が得られるようになってきたこ
とから、その使用範囲が急速に拡大されつつある。炭化
珪素は、単結晶Ｓｉと比較して広いバンドギャップを有
し、高温域での使用にも耐えることから、例えば宇宙空
間や原子炉周辺等で使用される半導体装置への応用が期
待される。
【０００４】ところで、この炭化珪素を半導体基板に用
いた場合にも、電極を形成して素子として機能させる必
要があることは単結晶Ｓｉを用いた場合と同様である
が、電極用薄膜には、通常のＡｌ薄膜ではなく、一般に
ニッケル（Ｎｉ）薄膜が用いられる。
いた場合にも、電極を形成して素子として機能させる必
要があることは単結晶Ｓｉを用いた場合と同様である
が、電極用薄膜には、通常のＡｌ薄膜ではなく、一般に
ニッケル（Ｎｉ）薄膜が用いられる。
【０００５】これは、炭化珪素を用いた場合には、電極
用薄膜形成後、オーミックコンタクトを取るために、比
較的高温で基板を熱処理する必要があるからである。電
極用薄膜が耐熱性のある金属薄膜でないと、前記熱処理
の際に様々な不都合が生ずる虞れがある。
用薄膜形成後、オーミックコンタクトを取るために、比
較的高温で基板を熱処理する必要があるからである。電
極用薄膜が耐熱性のある金属薄膜でないと、前記熱処理
の際に様々な不都合が生ずる虞れがある。
【０００６】また、これに限らず、例えば特開平７−９
９１６９号公報に記載されているように、オーミックコ
ンタクトのための熱処理時のグラファイト析出を避ける
ために、ＮｉＳｉのようなＮｉ合金を使用する場合もあ
る。
９１６９号公報に記載されているように、オーミックコ
ンタクトのための熱処理時のグラファイト析出を避ける
ために、ＮｉＳｉのようなＮｉ合金を使用する場合もあ
る。
【０００７】一方、磁気記録の分野においても、Ｎｉ系
金属薄膜の重要性が増している。
金属薄膜の重要性が増している。
【０００８】例えば、磁気記録方式では、大容量記録化
を目指して狭トラック化が進められており、これに対応
して磁気ヘッドの作動ギャップのトラック幅も非常に微
少に設定されるようになってきている。従来の，いわゆ
るバルクヘッドでは、このような微細化に対応すること
は不可能であり、例えば薄膜技術を利用した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（いわゆるＭＲヘッド）が開発され、既
に実用化されている。この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
機能素子膜（磁気抵抗効果膜）は、一般にＮｉ−Ｆｅ合
金薄膜である。以上のように、Ｎｉ系金属薄膜は、半導
体装置や磁気ヘッド等、広範な分野で利用されるように
なってきており、高集積度化、高密度記録化を考えたと
きに、その微細加工が重要な技術となる。
を目指して狭トラック化が進められており、これに対応
して磁気ヘッドの作動ギャップのトラック幅も非常に微
少に設定されるようになってきている。従来の，いわゆ
るバルクヘッドでは、このような微細化に対応すること
は不可能であり、例えば薄膜技術を利用した磁気抵抗効
果型磁気ヘッド（いわゆるＭＲヘッド）が開発され、既
に実用化されている。この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
機能素子膜（磁気抵抗効果膜）は、一般にＮｉ−Ｆｅ合
金薄膜である。以上のように、Ｎｉ系金属薄膜は、半導
体装置や磁気ヘッド等、広範な分野で利用されるように
なってきており、高集積度化、高密度記録化を考えたと
きに、その微細加工が重要な技術となる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記Ｎｉ系金属薄膜を
微細加工するための手法としては、先ず第１に、イオン
源の中にアルゴン等の不活性ガスを導入し、減圧下で放
電させ、そこから正イオンを電圧により引き出して加速
し、試料に衝突させてエッチングする、いわゆるスパッ
タエッチング法が考えられる。
微細加工するための手法としては、先ず第１に、イオン
源の中にアルゴン等の不活性ガスを導入し、減圧下で放
電させ、そこから正イオンを電圧により引き出して加速
し、試料に衝突させてエッチングする、いわゆるスパッ
タエッチング法が考えられる。
【００１０】しかしながら、このスパッタエッチング法
は、全くの物理的作用のみを利用したものであるので、
マスク材との選択比を確保することが困難である。ま
た、被エッチング材料の加工パターン側壁への再付着に
よる寸法変換差が大きく、これにより微細加工が阻害さ
れるという問題も有している。
は、全くの物理的作用のみを利用したものであるので、
マスク材との選択比を確保することが困難である。ま
た、被エッチング材料の加工パターン側壁への再付着に
よる寸法変換差が大きく、これにより微細加工が阻害さ
れるという問題も有している。
【００１１】あるいは、ハロゲンガスである塩素ガスを
用いたドライエッチングプロセスも知られているが、Ｎ
ｉの塩化物は蒸気圧が低く、被エッチング物を高温にし
ないとエッチングが進まないので、レジストマスクがも
たないという問題がある。
用いたドライエッチングプロセスも知られているが、Ｎ
ｉの塩化物は蒸気圧が低く、被エッチング物を高温にし
ないとエッチングが進まないので、レジストマスクがも
たないという問題がある。
【００１２】そこで本発明は、上述の問題点に鑑みて提
案されたものであって、マスク材との選択比を確保する
ことができ、被エッチング材料が再付着することがな
く、しかもエッチングが速やかに進んでレジストマスク
が十分に耐え得るドライエッチング方法を提供すること
を目的とする。
案されたものであって、マスク材との選択比を確保する
ことができ、被エッチング材料が再付着することがな
く、しかもエッチングが速やかに進んでレジストマスク
が十分に耐え得るドライエッチング方法を提供すること
を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記の目
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、分子内にカ
ルボニル基あるいはカルボキシル基を有する化合物を用
いた反応性エッチングにより、ＮｉやＮｉ合金が速やか
にエッチングされるとの知見を得て、本発明を完成する
に至った。
的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、分子内にカ
ルボニル基あるいはカルボキシル基を有する化合物を用
いた反応性エッチングにより、ＮｉやＮｉ合金が速やか
にエッチングされるとの知見を得て、本発明を完成する
に至った。
【００１４】すなわち、本発明のドライエッチング方法
は、分子内にカルボニル基、カルボキシル基を有する化
合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属薄膜をプラズマ
エッチングすることを特徴とするものである。
は、分子内にカルボニル基、カルボキシル基を有する化
合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属薄膜をプラズマ
エッチングすることを特徴とするものである。
【００１５】本発明において、エッチング加工の対象と
なるＮｉ系金属薄膜は、Ｎｉ薄膜、あるいはＮｉ−Ｆｅ
合金薄膜、Ｎｉ−Ｓｉ合金薄膜等のＮｉ合金薄膜であ
る。
なるＮｉ系金属薄膜は、Ｎｉ薄膜、あるいはＮｉ−Ｆｅ
合金薄膜、Ｎｉ−Ｓｉ合金薄膜等のＮｉ合金薄膜であ
る。
【００１６】例えばＮｉ薄膜は、ｎ型ＳｉＣ系半導体装
置の電極用薄膜として用いられるもので、したがって本
発明は、この電極用Ｎｉ薄膜の配線パターンをパターニ
ングする際に適用される。また、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜
は、ＭＲヘッドの感磁膜（磁気抵抗効果膜）に用いら
れ、したがって本発明は、この磁気抵抗効果膜のトラッ
ク幅出しのためのパターニング等に適用される。勿論、
本発明は、これらに限らず、Ｎｉ系金属薄膜の微細加工
全般に適用できることは言うまでもない。
置の電極用薄膜として用いられるもので、したがって本
発明は、この電極用Ｎｉ薄膜の配線パターンをパターニ
ングする際に適用される。また、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜
は、ＭＲヘッドの感磁膜（磁気抵抗効果膜）に用いら
れ、したがって本発明は、この磁気抵抗効果膜のトラッ
ク幅出しのためのパターニング等に適用される。勿論、
本発明は、これらに限らず、Ｎｉ系金属薄膜の微細加工
全般に適用できることは言うまでもない。
【００１７】また、本発明においては、カルボニル基あ
るいはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中で
Ｎｉ系金属薄膜のプラズマエッチングを行うが、ここ
で、カルボニル基を有する化合物としては、アセチルア
セテートやセロソルブアセテート、さらにはホスゲン等
のハロゲン化カルボニル化合物等が挙げられる。また、
カルボキシル基を有する化合物としては、マロン酸（プ
ロパン二酸）、２，４−ジメチルペンタン酸、ブタン酸
（酪酸）、２−メチルヘキサン酸等が挙げられる。これ
ら化合物のいずれを用いてもよいが、実用性の点から
は、アセチルアセテートやマロン酸が好適である。
るいはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中で
Ｎｉ系金属薄膜のプラズマエッチングを行うが、ここ
で、カルボニル基を有する化合物としては、アセチルア
セテートやセロソルブアセテート、さらにはホスゲン等
のハロゲン化カルボニル化合物等が挙げられる。また、
カルボキシル基を有する化合物としては、マロン酸（プ
ロパン二酸）、２，４−ジメチルペンタン酸、ブタン酸
（酪酸）、２−メチルヘキサン酸等が挙げられる。これ
ら化合物のいずれを用いてもよいが、実用性の点から
は、アセチルアセテートやマロン酸が好適である。
【００１８】一方、プラズマエッチングの手法として
は、プラズマを利用したものであればその種類は問わ
ず、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング（ＥＣ
Ｒプラズマエッチング）等を採用することができる。
は、プラズマを利用したものであればその種類は問わ
ず、例えば有磁場マイクロ波プラズマエッチング（ＥＣ
Ｒプラズマエッチング）等を採用することができる。
【００１９】本発明のドライエッチング方法において
は、次のような機構によってエッチングが進行するもの
と推測される。
は、次のような機構によってエッチングが進行するもの
と推測される。
【００２０】すなわち、ＮｉやＮｉ合金は、有機金属化
合物であるＮｉx（ＣＯ）yを作ることが知られている。
合物であるＮｉx（ＣＯ）yを作ることが知られている。
【００２１】そして、本発明においては、一般式ＲＲ´
（ＣＯ）n（ただし、ｎは１以上の整数であり、Ｒ、Ｒ
´は有機残基を表す。）で表される化合物（カルボニル
基を有する化合物）や、一般式ＲＨ4-m（ＣＯＯＨ）
m（ただし、ｍは１以上の整数であり、Ｒは有機残基を
表す。）で表される化合物（カルボキシル基を有する化
合物）がプラズマエッチング雰囲気中に含まれており、
これら化合物がＮｉ系金属薄膜の成分であるＮｉと反応
し、その結果、反応生成物としてＮｉx（ＣＯ）yが生成
され、エッチングが進む。
（ＣＯ）n（ただし、ｎは１以上の整数であり、Ｒ、Ｒ
´は有機残基を表す。）で表される化合物（カルボニル
基を有する化合物）や、一般式ＲＨ4-m（ＣＯＯＨ）
m（ただし、ｍは１以上の整数であり、Ｒは有機残基を
表す。）で表される化合物（カルボキシル基を有する化
合物）がプラズマエッチング雰囲気中に含まれており、
これら化合物がＮｉ系金属薄膜の成分であるＮｉと反応
し、その結果、反応生成物としてＮｉx（ＣＯ）yが生成
され、エッチングが進む。
【００２２】上記の反応は、カルボニル基を有する化合
物、カルボキシル基を有する化合物のいずれを用いた場
合にも進行するが、カルボニル基を有する化合物をその
まま用いた場合、カルボニル基が分子末端に存在するた
め、プラズマ中でＣ＝Ｏ結合が切れやすく、反応生成物
であるカルボニル錯体を形成する効率が低下する懸念が
ある。これに対して、カルボキシル基を有する化合物で
は、カルボキシル基が末端に存在しても、プラズマ中で
Ｃ＝Ｏ結合が切れる前にＯ−Ｈ結合やＣ−Ｏ結合が切れ
てＣ＝Ｏ結合が保存され、エッチングの反応生成物であ
るＮｉx（ＣＯ）yが形成されやすい。したがって、エッ
チング効率の観点からは、カルボキシル基を有する化合
物を用いる方が有利である。
物、カルボキシル基を有する化合物のいずれを用いた場
合にも進行するが、カルボニル基を有する化合物をその
まま用いた場合、カルボニル基が分子末端に存在するた
め、プラズマ中でＣ＝Ｏ結合が切れやすく、反応生成物
であるカルボニル錯体を形成する効率が低下する懸念が
ある。これに対して、カルボキシル基を有する化合物で
は、カルボキシル基が末端に存在しても、プラズマ中で
Ｃ＝Ｏ結合が切れる前にＯ−Ｈ結合やＣ−Ｏ結合が切れ
てＣ＝Ｏ結合が保存され、エッチングの反応生成物であ
るＮｉx（ＣＯ）yが形成されやすい。したがって、エッ
チング効率の観点からは、カルボキシル基を有する化合
物を用いる方が有利である。
【００２３】本発明においては、上記の反応によりエッ
チングが進行するが、このとき、上記反応生成物が分解
してできるカーボンポリマーが側壁保護の役割を果た
し、異方性加工が可能となる。
チングが進行するが、このとき、上記反応生成物が分解
してできるカーボンポリマーが側壁保護の役割を果た
し、異方性加工が可能となる。
【００２４】また、ホスゲンに代表されるようなハロゲ
ン化カルボニル化合物も、分子内にカルボニル基を有す
るので、これを用いても同様の作用によってエッチング
が進行するが、この場合には、蒸気圧の低いハロゲン−
Ｎｉ反応生成物が側壁保護の役割を果たす。
ン化カルボニル化合物も、分子内にカルボニル基を有す
るので、これを用いても同様の作用によってエッチング
が進行するが、この場合には、蒸気圧の低いハロゲン−
Ｎｉ反応生成物が側壁保護の役割を果たす。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２６】プラズマエッチング装置の構成 先ず、以下の各実施例において使用した有磁場マイクロ
波プラズマエッチング装置について、図１を参照しなが
ら説明する。
波プラズマエッチング装置について、図１を参照しなが
ら説明する。
【００２７】この有磁場マイクロ波プラズマエッチング
装置は、主として、反応室１を構成する石英ベルジャ２
と、この反応室１にマイクロ波ＭＷを導入するためのマ
イクロ波導入機構３、及び反応室１の周囲を囲む形で設
置されるソレノイドコイル６とから構成される。
装置は、主として、反応室１を構成する石英ベルジャ２
と、この反応室１にマイクロ波ＭＷを導入するためのマ
イクロ波導入機構３、及び反応室１の周囲を囲む形で設
置されるソレノイドコイル６とから構成される。
【００２８】上記マイクロ波導入機構３は、マイクロ波
を発生するマグネトロン４と、発生したマイクロ波ＭＷ
を移送する導波管５とからなり、さらに、この導波管５
の解放端側が拡張され、上記反応室１を覆うような構造
とされている。
を発生するマグネトロン４と、発生したマイクロ波ＭＷ
を移送する導波管５とからなり、さらに、この導波管５
の解放端側が拡張され、上記反応室１を覆うような構造
とされている。
【００２９】一方、上記石英ベルジャ２には、排気管７
が設けられており、ここから排気することで反応室１内
が低圧に保たれる。
が設けられており、ここから排気することで反応室１内
が低圧に保たれる。
【００３０】また、反応室１内には、加熱用のヒータ８
や高周波電源に接続されたＲＦバイアス用電極が埋設さ
れたサセプタ９や、ガスを導入するためのガス導入管１
０が設置されている。したがって、上記高周波電源１４
によりＲＦバイアス用電極１３に高周波電圧を印加する
ことで、基板１１に対してイオンシースとなるＲＦバイ
アスを印加することができる。
や高周波電源に接続されたＲＦバイアス用電極が埋設さ
れたサセプタ９や、ガスを導入するためのガス導入管１
０が設置されている。したがって、上記高周波電源１４
によりＲＦバイアス用電極１３に高周波電圧を印加する
ことで、基板１１に対してイオンシースとなるＲＦバイ
アスを印加することができる。
【００３１】なお、前記サセプタ９は、エッチングの対
象となる被加工物を載置するためのもので、したがっ
て、ここではＮｉ系金属薄膜が成膜された基板（例えば
Ｎｉ電極膜が成膜されたＳｉＣ半導体基板や、磁気抵抗
効果膜が成膜された磁気ヘッド基板）が載置されること
になる。
象となる被加工物を載置するためのもので、したがっ
て、ここではＮｉ系金属薄膜が成膜された基板（例えば
Ｎｉ電極膜が成膜されたＳｉＣ半導体基板や、磁気抵抗
効果膜が成膜された磁気ヘッド基板）が載置されること
になる。
【００３２】このプラズマエッチング装置においては、
分子内にカルボニル基やカルボキシル基を有する化合物
のガスが導入された反応室１にマグネトロン４で発生さ
れたマイクロ波ＭＷを導波管を通じて移送するととも
に、反応室１を囲む形で設置されているソレノイドコイ
ル６によりマイクロ波ＭＷの周波数（２．４５ＧＨｚ）
でいわゆるＥＣＲ放電を起こす磁場を印加し、反応室１
内にガスプラズマＧＰを生じせしめる。
分子内にカルボニル基やカルボキシル基を有する化合物
のガスが導入された反応室１にマグネトロン４で発生さ
れたマイクロ波ＭＷを導波管を通じて移送するととも
に、反応室１を囲む形で設置されているソレノイドコイ
ル６によりマイクロ波ＭＷの周波数（２．４５ＧＨｚ）
でいわゆるＥＣＲ放電を起こす磁場を印加し、反応室１
内にガスプラズマＧＰを生じせしめる。
【００３３】そして、このガスプラズマＧＰに基板１１
を曝すことにより、前記ガスがＮｉ系金属薄膜と反応
し、エッチングが進行する。
を曝すことにより、前記ガスがＮｉ系金属薄膜と反応
し、エッチングが進行する。
【００３４】エッチングプロセス 次に、Ｎｉ系金属薄膜をエッチングする際のエッチング
プロセスについて説明する。Ｎｉ系金属薄膜のエッチン
グに至るまでのプロセスは、ＳｉＣ半導体装置と磁気抵
抗効果型磁気ヘッドとでは大きく異なるが、ここでは簡
略化してＮｉ系金属薄膜のエッチングについてのみ説明
する。
プロセスについて説明する。Ｎｉ系金属薄膜のエッチン
グに至るまでのプロセスは、ＳｉＣ半導体装置と磁気抵
抗効果型磁気ヘッドとでは大きく異なるが、ここでは簡
略化してＮｉ系金属薄膜のエッチングについてのみ説明
する。
【００３５】なお、ＳｉＣ半導体装置や磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにおけるその他の工程は、常法に従えばよ
く、また、これらＳｉＣ半導体装置や磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの構造としては、従来公知のものがいずれも採
用可能である。
磁気ヘッドにおけるその他の工程は、常法に従えばよ
く、また、これらＳｉＣ半導体装置や磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの構造としては、従来公知のものがいずれも採
用可能である。
【００３６】エッチングに際しては、先ず、図２（ａ）
に示すように、基板上２１にＮｉ系金属薄膜２２を全面
に成膜し、この上に、所望もパターンに応じてエッチン
グマスクとなるレジストパターンを形成する。なお、レ
ジストパターンの形成は、通常のフォトリソ技術によれ
ばよい。
に示すように、基板上２１にＮｉ系金属薄膜２２を全面
に成膜し、この上に、所望もパターンに応じてエッチン
グマスクとなるレジストパターンを形成する。なお、レ
ジストパターンの形成は、通常のフォトリソ技術によれ
ばよい。
【００３７】次いで、図２（ｂ）に示すように、前記レ
ジストパターンをマスク２２とし、先のプラズマエッチ
ング装置を用いてＮｉ系金属薄膜２２に対してドライエ
ッチングを施し、これをパターニングする。
ジストパターンをマスク２２とし、先のプラズマエッチ
ング装置を用いてＮｉ系金属薄膜２２に対してドライエ
ッチングを施し、これをパターニングする。
【００３８】最後に、図２（ｃ）に示すように、レジス
トパターンを溶解除去し、エッチングプロセスを完了す
る。
トパターンを溶解除去し、エッチングプロセスを完了す
る。
【００３９】実施例１ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。
適用した例である。
【００４０】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００４１】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
【００４２】ガス流量 ：ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＣＨ3
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００４３】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００４４】実施例２ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。
【００４５】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００４６】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述のエッチ
ング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述のエッチ
ング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
【００４７】ガス流量 ：ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＣＨ3
／Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射効果が進み、より異方性の形状が進んだ。
／Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射効果が進み、より異方性の形状が進んだ。
【００４８】この時、多少、高い温度でエッチングした
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
【００４９】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００５０】実施例３ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。
【００５１】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００５２】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
【００５３】ガス流量 ：ｎ−ブチルアセテートガス
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００５４】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００５５】実施例４ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。すなわち、ここでは、ホスゲンガスを用い
た。
適用した例である。ただし、実施例１とは異なるガス系
を用いた。すなわち、ここでは、ホスゲンガスを用い
た。
【００５６】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００５７】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。 ガス流量 ：ＣＯＣｌ2＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントとＮｉが反応して
できる反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
い、以下の条件でエッチングした。 ガス流量 ：ＣＯＣｌ2＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントとＮｉが反応して
できる反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
【００５８】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００５９】実施例５ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。そして、本例は、Ｎｉ合金をエッチ
ングしたものである。なお、実施例４と同様、ホスゲン
ガスを用いた。
適用した例である。そして、本例は、Ｎｉ合金をエッチ
ングしたものである。なお、実施例４と同様、ホスゲン
ガスを用いた。
【００６０】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
合金薄膜（ＮｉＳｉ薄膜）を通常の電子ビーム蒸着法で
形成し、この上に通常のリソグラフィ法でマスクパター
ンを形成した。なお、ＮｉＳｉ薄膜薄膜の膜厚は５０ｎ
ｍとした。
合金薄膜（ＮｉＳｉ薄膜）を通常の電子ビーム蒸着法で
形成し、この上に通常のリソグラフィ法でマスクパター
ンを形成した。なお、ＮｉＳｉ薄膜薄膜の膜厚は５０ｎ
ｍとした。
【００６１】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
【００６２】 ガス流量 ：ＣＯＣｌ2＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、同じように
ＳｉとはＣｌラジカルがＳｉＣｌxを作って、反応が進
む。また、イオンの照射のないところでは塩素とＮｉの
反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、同じように
ＳｉとはＣｌラジカルがＳｉＣｌxを作って、反応が進
む。また、イオンの照射のないところでは塩素とＮｉの
反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
【００６３】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００６４】実施例６ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。なお、本実施例６から実施例７は、
カルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中において
Ｎｉ系金属薄膜をプラズマエッチングしたものである。
適用した例である。なお、本実施例６から実施例７は、
カルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中において
Ｎｉ系金属薄膜をプラズマエッチングしたものである。
【００６５】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００６６】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、マロン酸を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述
のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、マロン酸を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述
のエッチング装置に供給した。
【００６７】 ガス流量 ：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＯＯＨ＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉｘ
（ＣＯ）ｙを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉｘ
（ＣＯ）ｙを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００６８】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００６９】実施例７ 本例は、ＳｉＣ半導体装置のＮｉ電極のパターニングに
適用した例である。この実施例も、実施例６と同様、カ
ルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮ
ｉ系金属薄膜をプラズマエッチングしたものである。
適用した例である。この実施例も、実施例６と同様、カ
ルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮ
ｉ系金属薄膜をプラズマエッチングしたものである。
【００７０】拡散層等を形成したＳｉＣ基板上に、Ｎｉ
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
薄膜を通常の電子ビーム蒸着法で形成し、この上に通常
のリソグラフィ法でマスクパターンを形成した。なお、
Ｎｉ薄膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【００７１】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱して、Ｈｅバブリングして前述のエッ
チング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱して、Ｈｅバブリングして前述のエッ
チング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
【００７２】ガス流量 ：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＯＯＨ／
Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射が進み、より異方性の形状が進んだ。
Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射が進み、より異方性の形状が進んだ。
【００７３】この時、多少、高い温度でエッチングした
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
【００７４】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００７５】実施例８ 本例から実施例１３までは、磁気抵抗効果膜のエッチン
グに適用した例である。
グに適用した例である。
【００７６】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
【００７７】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
【００７８】ガス流量 ：ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＣＨ3
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００７９】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００８０】実施例９ 本例は、磁気抵抗効果膜のエッチングに適用した例であ
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。
【００８１】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
【００８２】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述のエッチ
ング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述のエッチ
ング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
【００８３】ガス流量 ：ＣＨ3ＣＯＣＨ2ＣＯＣＨ3
／Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射効果が進み、より異方性の形状が進んだ。
／Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射効果が進み、より異方性の形状が進んだ。
【００８４】この時、多少、高い温度でエッチングした
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
【００８５】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００８６】実施例１０ 本例は、磁気抵抗効果膜のエッチングに適用した例であ
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。
【００８７】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
【００８８】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、アセチルアセテートを加熱し、Ｈｅバブリングし
て前述のエッチング装置に供給した。
【００８９】ガス流量 ：ｎ−ブチルアセテートガス
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００９０】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００９１】実施例１１ 本例は、磁気抵抗効果膜のエッチングに適用した例であ
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。すな
わち、ここでは、ホスゲンガスを用いた。
る。ただし、実施例８とは異なるガス系を用いた。すな
わち、ここでは、ホスゲンガスを用いた。
【００９２】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
【００９３】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。 ガス流量 ：ＣＯＣｌ2＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントとＮｉが反応して
できる反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
い、以下の条件でエッチングした。 ガス流量 ：ＣＯＣｌ2＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントとＮｉが反応して
できる反応生成物の堆積作用で異方性加工ができた。
【００９４】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【００９５】実施例１２ 本例は、磁気抵抗効果膜のエッチングに適用した例であ
る。なお、本実施例１２から実施例１３は、カルボキシ
ル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属
薄膜をプラズマエッチングしたものである。
る。なお、本実施例１２から実施例１３は、カルボキシ
ル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属
薄膜をプラズマエッチングしたものである。
【００９６】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５００ｎｍとした。
【００９７】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、マロン酸を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述
のエッチング装置に供給した。
い、以下の条件でエッチングした。エッチングガスとし
ては、マロン酸を多少加熱し、Ｈｅバブリングして前述
のエッチング装置に供給した。
【００９８】 ガス流量 ：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＯＯＨ＝３０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この時、多少、高い温度でエッチングしたので前述のよ
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
うにエッチングガスとＮｉが反応生成物であるＮｉ
x（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イオンの照
射のないところではこのエッチャントが分解してできる
カーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工ができ
た。
【００９９】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【０１００】実施例１３ 本例は、磁気抵抗効果膜のエッチングに適用した例であ
る。
る。
【０１０１】基板上に、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜を通常の電子ビ
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５０ｎｍとした。
ーム蒸着法で形成し、この上に通常のリソグラフィ法で
マスクパターンを形成した。なお、Ｎｉ−Ｆｅ薄膜の膜
厚は５０ｎｍとした。
【０１０２】次に、前述のプラズマエッチング装置を用
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱して、Ｈｅバブリングして前述のエッ
チング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
い、以下の条件でエッチングした。アセチルアセテート
は液体を多少加熱して、Ｈｅバブリングして前述のエッ
チング装置に供給した。Ａｒは別途、ガス配管で供給し
た。
【０１０３】ガス流量 ：ＨＯＯＣＣＨ2ＣＯＯＨ／
Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射が進み、より異方性の形状が進んだ。
Ａｒ＝３０／１０ｓｃｃｍ 圧力 ：１．３３Ｐａ 温度 ：１００°Ｃ マイクロ波 ：８５０ｗ（２．４５ＧＨｚ） ＲＦｂｉａｓ：３０Ｗ この例ではＡｒを添加したことによって、よりイオンの
照射が進み、より異方性の形状が進んだ。
【０１０４】この時、多少、高い温度でエッチングした
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
ので前述のようにエッチングガスとＮｉが反応生成物で
あるＮｉx（ＣＯ）yを作るため、エッチングが進み、イ
オンの照射のないところではこのエッチャントが分解し
てできるカーボンやアルキル基の堆積作用で異方性加工
ができた。
【０１０５】その後、例えば、１００°Ｃに加熱して、
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
アッシングを行い、レジストマスクを除去した。この時
前記堆積物も除去できた。
【０１０６】以上、本発明は本実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で構造、条件
等を適宜変更することができる。
ではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で構造、条件
等を適宜変更することができる。
【０１０７】すなわち、カルボニル基を有する化合物と
しては、アセチルアセテートやセロソルブアセテート、
さらにはホスゲン等のハロゲン化カルボニル化合物等が
挙げられる。また、カルボキシル基を有する化合物とし
ては、マロン酸（プロパン二酸）、２，４−ジメチルペ
ンタン酸、ブタン酸（酪酸）、２−メチルヘキサン酸等
が挙げられる。
しては、アセチルアセテートやセロソルブアセテート、
さらにはホスゲン等のハロゲン化カルボニル化合物等が
挙げられる。また、カルボキシル基を有する化合物とし
ては、マロン酸（プロパン二酸）、２，４−ジメチルペ
ンタン酸、ブタン酸（酪酸）、２−メチルヘキサン酸等
が挙げられる。
【０１０８】
【発明の効果】本発明によれば、Ｎｉ薄膜，Ｎｉ合金薄
膜、又は、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜のドライエッチングが通
常のレジストマスクでもでき、加えて、異方性形状の確
保ができるので、信頼性の高いプロセスで次世代デバイ
スを製造することができる。
膜、又は、Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜のドライエッチングが通
常のレジストマスクでもでき、加えて、異方性形状の確
保ができるので、信頼性の高いプロセスで次世代デバイ
スを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例において使用した有磁場マイク
ロ波プラズマエッチング装置を示す模式図である。
ロ波プラズマエッチング装置を示す模式図である。
【図２】基板上に、Ｎｉ系金属薄膜等を電子ビーム蒸着
法で形成し、この上にリソグラフィ法でマスクパターン
を形成する製造工程を示す図である。 １ 反応室マグネトロン ２ 石英ベルジャ ３ マイクロ波導入機構 ６ ソレノイドコイル ７ 排気管 ９ サセプター １０ ガス導入管 １１ 基板 １３ ＲＦバイアス用電極 １４ 高周波電源 ２１ 基板 ２２ Ｎｉ系金属薄膜 ２３ マスク ＭＷ マイクロ波 ＧＰ ガスプラズマ
法で形成し、この上にリソグラフィ法でマスクパターン
を形成する製造工程を示す図である。 １ 反応室マグネトロン ２ 石英ベルジャ ３ マイクロ波導入機構 ６ ソレノイドコイル ７ 排気管 ９ サセプター １０ ガス導入管 １１ 基板 １３ ＲＦバイアス用電極 １４ 高周波電源 ２１ 基板 ２２ Ｎｉ系金属薄膜 ２３ マスク ＭＷ マイクロ波 ＧＰ ガスプラズマ
Claims (10)
- 【請求項１】 分子内にカルボニル基またはカルボキシ
ル基を有する化合物を含む雰囲気中においてＮｉ系金属
薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とするドライ
エッチング方法。 - 【請求項２】 Ｎｉ系金属薄膜がＮｉ薄膜であることを
特徴とする請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】 Ｎｉ薄膜がＳｉＣ単結晶を半導体基板と
する半導体装置の電極用薄膜であることを特徴とする請
求項２記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 Ｎｉ系金属薄膜がＮｉ−Ｆｅ合金薄膜で
あることを特徴とする請求項１記載のドライエッチング
方法。 - 【請求項５】 Ｎｉ−Ｆｅ合金薄膜が磁気抵抗効果膜で
あることを特徴とする請求項４記載のドライエッチング
方法。 - 【請求項６】 分子内にカルボニル基を有する化合物が
アセチルアセテートであることを特徴とする請求項１記
載のドライエッチング方法。 - 【請求項７】 分子内にカルボニル基を有する化合物が
ハロゲン化カルボニル化合物であることを特徴とする請
求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項８】 ハロゲン化カルボニル化合物がホスゲン
であることを特徴とする請求項７記載のドライエッチン
グ方法。 - 【請求項９】 分子内にカルボキシル基を有する化合物
がマロン酸であることを特徴とする請求項１記載のドラ
イエッチング方法。 - 【請求項１０】 プラズマエッチングが有磁場マイクロ
波プラズマエッチングであることを特徴とする請求項１
記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126496A JPH09205078A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1126496A JPH09205078A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205078A true JPH09205078A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=11773108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1126496A Withdrawn JPH09205078A (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09205078A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229563B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching of Ni-containing materials |
| KR101041049B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2011-06-13 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 자성 재료의 드라이 에칭 방법 |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP1126496A patent/JPH09205078A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229563B2 (en) * | 2002-01-29 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching of Ni-containing materials |
| KR101041049B1 (ko) * | 2003-07-24 | 2011-06-13 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 자성 재료의 드라이 에칭 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030401 |