JPH09199968A - 弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法 - Google Patents
弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法Info
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- JPH09199968A JPH09199968A JP8006964A JP696496A JPH09199968A JP H09199968 A JPH09199968 A JP H09199968A JP 8006964 A JP8006964 A JP 8006964A JP 696496 A JP696496 A JP 696496A JP H09199968 A JPH09199968 A JP H09199968A
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- Japan
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- film electrode
- acoustic wave
- surface acoustic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電力性に優れている弾性表面波素子用薄膜
電極を得る。 【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装
置１を使用して、圧電体であるタンタル酸リチウム基板
１２の表面にアルミニウム薄膜１３を形成する。すなわ
ち、アシスト用イオンソース４からアシスト用イオンビ
ーム２１をタンタル酸リチウム基板１２の表面に照射し
てイオンアシストをしつつ、スパッタリング用イオンソ
ース３からスパッタリング用イオンビーム２２をアルミ
ニウムターゲット１１に照射して発生させたスパッタリ
ング原子をタンタル酸リチウム基板の表面に堆積させ、
アモルファス層とこのアモルファス層上の単結晶層とか
らなるアルミニウム薄膜１３を形成する。
電極を得る。 【解決手段】 デュアルイオンビームスパッタリング装
置１を使用して、圧電体であるタンタル酸リチウム基板
１２の表面にアルミニウム薄膜１３を形成する。すなわ
ち、アシスト用イオンソース４からアシスト用イオンビ
ーム２１をタンタル酸リチウム基板１２の表面に照射し
てイオンアシストをしつつ、スパッタリング用イオンソ
ース３からスパッタリング用イオンビーム２２をアルミ
ニウムターゲット１１に照射して発生させたスパッタリ
ング原子をタンタル酸リチウム基板の表面に堆積させ、
アモルファス層とこのアモルファス層上の単結晶層とか
らなるアルミニウム薄膜１３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波素子、
特にコードレス電話等の移動体通信用機器等に使用され
る弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法に関す
る。
特にコードレス電話等の移動体通信用機器等に使用され
る弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波を利用した弾性表面波素子
は、一般に、圧電性を有する基板の表面に、インターデ
ィジタル電極（櫛歯状電極）や金属ストリップのグレー
ティング電極等を配設することにより構成されている。
弾性表面波素子の電極材料としては、通常、多結晶アル
ミニウムが用いられている。また、弾性表面波素子は、
近年、高周波領域の送受信素子あるいは共振子として広
く用いられるようになっており、特に、移動体通信用の
携帯機器の小型化、軽量化のため、携帯機器の通信段の
フィルタとして用いることが期待されている。
は、一般に、圧電性を有する基板の表面に、インターデ
ィジタル電極（櫛歯状電極）や金属ストリップのグレー
ティング電極等を配設することにより構成されている。
弾性表面波素子の電極材料としては、通常、多結晶アル
ミニウムが用いられている。また、弾性表面波素子は、
近年、高周波領域の送受信素子あるいは共振子として広
く用いられるようになっており、特に、移動体通信用の
携帯機器の小型化、軽量化のため、携帯機器の通信段の
フィルタとして用いることが期待されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、弾性表面波
素子は、テレビジョン受像機やビデオテープレコーダ等
の用途においては１ｍＷ程度の低い印加電力で使用され
るが、移動体通信、特にその送信用として用いる場合に
は、弾性表面波素子に高電圧の信号が印加される。例え
ば、コードレス電話用フィルタは、２０ｍＷ程度の高い
印加電力で使用される。
素子は、テレビジョン受像機やビデオテープレコーダ等
の用途においては１ｍＷ程度の低い印加電力で使用され
るが、移動体通信、特にその送信用として用いる場合に
は、弾性表面波素子に高電圧の信号が印加される。例え
ば、コードレス電話用フィルタは、２０ｍＷ程度の高い
印加電力で使用される。
【０００４】このため、弾性表面波による大きな応力が
アルミニウム電極に加わってマイグレーションが発生す
る。このマイグレーションは、応力によるマイグレーシ
ョンであることから、ストレスマイグレーションと呼ば
れている。そして、このストレスマイグレーションが発
生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子のＱの
低下等を招き、弾性表面波素子の性能を低下させるとい
う問題があった。
アルミニウム電極に加わってマイグレーションが発生す
る。このマイグレーションは、応力によるマイグレーシ
ョンであることから、ストレスマイグレーションと呼ば
れている。そして、このストレスマイグレーションが発
生すると、電気的短絡や挿入損失の増加、共振子のＱの
低下等を招き、弾性表面波素子の性能を低下させるとい
う問題があった。
【０００５】ストレスマイグレーションの原因は、応力
によってアルミニウム原子が結晶粒界中を拡散移動する
ためであると考えられる。つまり、ストレスマイグレー
ションを防ぐには、アルミニウム原子の拡散経路である
結晶粒界をなくす必要がある。そのためには、薄膜を単
結晶化あるいは高配向化する必要がある。しかし、従来
の方法で形成したアルミニウムは多結晶であり、ストレ
スマイグレーションを防ぐことは困難であった。
によってアルミニウム原子が結晶粒界中を拡散移動する
ためであると考えられる。つまり、ストレスマイグレー
ションを防ぐには、アルミニウム原子の拡散経路である
結晶粒界をなくす必要がある。そのためには、薄膜を単
結晶化あるいは高配向化する必要がある。しかし、従来
の方法で形成したアルミニウムは多結晶であり、ストレ
スマイグレーションを防ぐことは困難であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、耐電力性に優れ
ている弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法を提
供することにある。
ている弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る弾性表面波素子用薄膜電極は、圧電体
基板上に形成されたアモルファス層と、このアモルファ
ス層上に形成された単結晶層又は配向層とを備えたこと
を特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波素子用薄
膜電極の形成方法は、アシスト用イオンビームを圧電体
基板表面に照射しつつ、前記圧電体基板表面にアモルフ
ァス層を形成した後、前記アシスト用イオンビームを前
記アモルファス層表面に照射しつつ、前記アモルファス
層表面に単結晶層又は配向層を形成することを特徴とす
る。
め、本発明に係る弾性表面波素子用薄膜電極は、圧電体
基板上に形成されたアモルファス層と、このアモルファ
ス層上に形成された単結晶層又は配向層とを備えたこと
を特徴とする。また、本発明に係る弾性表面波素子用薄
膜電極の形成方法は、アシスト用イオンビームを圧電体
基板表面に照射しつつ、前記圧電体基板表面にアモルフ
ァス層を形成した後、前記アシスト用イオンビームを前
記アモルファス層表面に照射しつつ、前記アモルファス
層表面に単結晶層又は配向層を形成することを特徴とす
る。
【０００８】ここに、アシスト用イオンビームのイオン
としては、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプ
トン又はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオ
ン、あるいはそれらの混合イオンが使用される。弾性表
面波素子用薄膜電極の材料としては、アルミニウム又は
金又は銀又は銅又は白金又はパラジウム又はチタン又は
クロム又はニッケル又はタングステン、あるいは前記金
属の合金又は前記金属の少なくとも一種類を主成分とす
る合金が使用される。
としては、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプ
トン又はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオ
ン、あるいはそれらの混合イオンが使用される。弾性表
面波素子用薄膜電極の材料としては、アルミニウム又は
金又は銀又は銅又は白金又はパラジウム又はチタン又は
クロム又はニッケル又はタングステン、あるいは前記金
属の合金又は前記金属の少なくとも一種類を主成分とす
る合金が使用される。
【０００９】
【作用】アシスト用イオンビームを圧電体基板表面に照
射しつつ、圧電体基板表面に金属薄膜を形成することに
より、圧電体基板表面に薄膜電極のアモルファス層が形
成される。さらに、アシスト用イオンビームをアモルフ
ァス層表面に照射しつつ、アモルファス層表面に金属薄
膜を形成することにより、アモルファス層表面に薄膜電
極の単結晶層又は配向層が形成される。
射しつつ、圧電体基板表面に金属薄膜を形成することに
より、圧電体基板表面に薄膜電極のアモルファス層が形
成される。さらに、アシスト用イオンビームをアモルフ
ァス層表面に照射しつつ、アモルファス層表面に金属薄
膜を形成することにより、アモルファス層表面に薄膜電
極の単結晶層又は配向層が形成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波素
子用薄膜電極及びその形成方法の一実施形態について添
付図面を参照して説明する。本実施形態は、タンタル酸
リチウム基板上に（１１１）配向アルミニウム薄膜を形
成する場合について説明する。図１に示すように、薄膜
形成装置としては、デュアルイオンビームスパッタリン
グ装置１を使用する。このデュアルイオンビームスパッ
タリング装置１は、概略、真空チャンバ２、真空チャン
バ２の内側左寄りに配置されたスパッタリング用イオン
ソース３及びアシスト用イオンソース４、真空チャンバ
２の内側右寄りに配置されたバッキングプレート５及び
このバッキングプレート５を臨む基板支持台６、真空チ
ャンバ２の右側部の排気口２ａに連結した真空ポンプ
（図示せず）にて構成されている。
子用薄膜電極及びその形成方法の一実施形態について添
付図面を参照して説明する。本実施形態は、タンタル酸
リチウム基板上に（１１１）配向アルミニウム薄膜を形
成する場合について説明する。図１に示すように、薄膜
形成装置としては、デュアルイオンビームスパッタリン
グ装置１を使用する。このデュアルイオンビームスパッ
タリング装置１は、概略、真空チャンバ２、真空チャン
バ２の内側左寄りに配置されたスパッタリング用イオン
ソース３及びアシスト用イオンソース４、真空チャンバ
２の内側右寄りに配置されたバッキングプレート５及び
このバッキングプレート５を臨む基板支持台６、真空チ
ャンバ２の右側部の排気口２ａに連結した真空ポンプ
（図示せず）にて構成されている。
【００１１】このスパッタリング装置１を用いて薄膜を
形成する。スパッタリングターゲット材料であるアルミ
ニウムターゲット１１は、バッキングプレート５の表面
にインジウム等のろう材を用いて固定される。圧電体で
あるタンタル酸リチウム基板１２は、基板支持台６の表
面に固定される。次に、真空ポンプによって真空チャン
バ２内の空気を排気口２ａから真空引きして、真空チャ
ンバ２内を０．１Ｐａ以下にするのが好ましい。真空度
が０．１Ｐａを越えると、形成された薄膜中にＨ2Ｏ等
の残留ガスが取り込まれるからである。本実施例では、
真空チャンバ２内を９．５×１０-3Ｐａに維持した。
形成する。スパッタリングターゲット材料であるアルミ
ニウムターゲット１１は、バッキングプレート５の表面
にインジウム等のろう材を用いて固定される。圧電体で
あるタンタル酸リチウム基板１２は、基板支持台６の表
面に固定される。次に、真空ポンプによって真空チャン
バ２内の空気を排気口２ａから真空引きして、真空チャ
ンバ２内を０．１Ｐａ以下にするのが好ましい。真空度
が０．１Ｐａを越えると、形成された薄膜中にＨ2Ｏ等
の残留ガスが取り込まれるからである。本実施例では、
真空チャンバ２内を９．５×１０-3Ｐａに維持した。
【００１２】アシスト用イオンソース４からアルゴンの
アシスト用イオンビーム２１をタンタル酸リチウム基板
１２の表面に照射し、いわゆるイオンアシストを行な
う。このイオンアシストは成膜終了まで行なわれる。イ
オンビーム２１のエネルギーは１００〜１ＫｅＶが好ま
しい。エネルギーが１００ｅＶ未満になると薄膜原子に
充分なエネルギーを与えられなくなり、１ＫｅＶを越え
るとエネルギーが強過ぎて薄膜表面を逆にスパッタして
タンタル酸リチウム基板１２の表面に堆積したばかりの
薄膜原子を飛散させて膜が成長しなくなるからである。
アシスト用イオンビーム２１をタンタル酸リチウム基板
１２の表面に照射し、いわゆるイオンアシストを行な
う。このイオンアシストは成膜終了まで行なわれる。イ
オンビーム２１のエネルギーは１００〜１ＫｅＶが好ま
しい。エネルギーが１００ｅＶ未満になると薄膜原子に
充分なエネルギーを与えられなくなり、１ＫｅＶを越え
るとエネルギーが強過ぎて薄膜表面を逆にスパッタして
タンタル酸リチウム基板１２の表面に堆積したばかりの
薄膜原子を飛散させて膜が成長しなくなるからである。
【００１３】また、イオンビーム２１の電流密度は０．
０１〜２０ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2
未満になると薄膜原子に充分なエネルギーを与えられな
くなり、２０ｍＡ／ｃｍ2を越えると電流密度が強過ぎ
て薄膜表面を逆にスパッタして堆積したばかりの薄膜原
子を飛散させて膜が成長しなるからである。さらに、イ
オンビーム２１がタンタル酸リチウム基板１２に入射す
る角度は、タンタル酸リチウム基板１２の法線に対して
０゜〜４５゜に設定するのが好ましい。この入射角度か
ら外れると、薄膜原子に対して効率良くエネルギーを与
えることが困難になるからである。
０１〜２０ｍＡ／ｃｍ2が好ましい。０．０１Ａ／ｃｍ2
未満になると薄膜原子に充分なエネルギーを与えられな
くなり、２０ｍＡ／ｃｍ2を越えると電流密度が強過ぎ
て薄膜表面を逆にスパッタして堆積したばかりの薄膜原
子を飛散させて膜が成長しなるからである。さらに、イ
オンビーム２１がタンタル酸リチウム基板１２に入射す
る角度は、タンタル酸リチウム基板１２の法線に対して
０゜〜４５゜に設定するのが好ましい。この入射角度か
ら外れると、薄膜原子に対して効率良くエネルギーを与
えることが困難になるからである。
【００１４】次に、スパッタリング用イオンソース３か
らアルゴンのスパッタリング用イオンビーム２２をアル
ミニウムターゲット１１に照射する。アルゴンイオンが
アルミニウムターゲット１１に衝突し、アルミニウムタ
ーゲット１１の一部原子２３を飛散させる。飛散したア
ルミニウムターゲット１１の一部原子２３はタンタル酸
リチウム基板１２の表面に到達し、タンタル酸リチウム
基板１２の表面に堆積してアルミニウム薄膜１３を形成
する。成膜速度は０．００１ｎｍ／秒以上にするのが好
ましい。０．００１ｎｍ／秒未満であると、薄膜原子が
凝集して結晶粒成長するからである。本実施例の場合、
成膜速度は０．０６ｎｍ／秒、成膜温度は２５℃であっ
た。
らアルゴンのスパッタリング用イオンビーム２２をアル
ミニウムターゲット１１に照射する。アルゴンイオンが
アルミニウムターゲット１１に衝突し、アルミニウムタ
ーゲット１１の一部原子２３を飛散させる。飛散したア
ルミニウムターゲット１１の一部原子２３はタンタル酸
リチウム基板１２の表面に到達し、タンタル酸リチウム
基板１２の表面に堆積してアルミニウム薄膜１３を形成
する。成膜速度は０．００１ｎｍ／秒以上にするのが好
ましい。０．００１ｎｍ／秒未満であると、薄膜原子が
凝集して結晶粒成長するからである。本実施例の場合、
成膜速度は０．０６ｎｍ／秒、成膜温度は２５℃であっ
た。
【００１５】アルミニウム薄膜１３の形成初期段階で
は、イオンアシストの影響を受けて薄膜１３は図２に示
すようにアモルファス層１３ａを形成する。さらに、成
膜を続けると、薄膜１３は単結晶層（あるいは高配向
層）１３ｂを形成する。薄膜形成後、表面にアルミニウ
ム薄膜１３を形成された基板１２を真空チャンバ２から
取り出すと、空気雰囲気に触れたアルミニウム薄膜１３
の表面に酸化層１３ｃが形成される。
は、イオンアシストの影響を受けて薄膜１３は図２に示
すようにアモルファス層１３ａを形成する。さらに、成
膜を続けると、薄膜１３は単結晶層（あるいは高配向
層）１３ｂを形成する。薄膜形成後、表面にアルミニウ
ム薄膜１３を形成された基板１２を真空チャンバ２から
取り出すと、空気雰囲気に触れたアルミニウム薄膜１３
の表面に酸化層１３ｃが形成される。
【００１６】こうして得られた薄膜電極をＲＨＥＥＤ法
により評価すると、薄膜電極が単結晶を有していること
が確認できた。従って、このアルミニウム薄膜電極は高
電流密度、高応力下での原子の粒界拡散を防止すること
ができ、高い信頼性が得られる。例えば、アルミニウム
薄膜電極が多結晶である場合と比較すると、耐電力性が
約１００倍向上する。
により評価すると、薄膜電極が単結晶を有していること
が確認できた。従って、このアルミニウム薄膜電極は高
電流密度、高応力下での原子の粒界拡散を防止すること
ができ、高い信頼性が得られる。例えば、アルミニウム
薄膜電極が多結晶である場合と比較すると、耐電力性が
約１００倍向上する。
【００１７】また、このアルミニウム薄膜電極は結晶欠
陥も少なく、耐腐食性にも優れている（腐食数は、アル
ミニウム薄膜が多結晶である場合と比較して約１／１０
に減少している）。また、薄膜電極の機械的強度が向上
し、薄膜電極の寿命が長くなる。さらに、薄膜電極の比
抵抗も低くなるので損失が少なくてすむ。なお、本発明
に係る弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法は前
記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内
で種々に変更することができる。
陥も少なく、耐腐食性にも優れている（腐食数は、アル
ミニウム薄膜が多結晶である場合と比較して約１／１０
に減少している）。また、薄膜電極の機械的強度が向上
し、薄膜電極の寿命が長くなる。さらに、薄膜電極の比
抵抗も低くなるので損失が少なくてすむ。なお、本発明
に係る弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法は前
記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内
で種々に変更することができる。
【００１８】アシスト用イオンビームのイオンとして
は、アルゴンイオン以外に、ヘリウム、ネオン、クリプ
トン、キセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、
あるいはそれらの混合イオンを使用してもよい。また、
薄膜電極材料としては、アルミニウム以外に、金、銀、
銅、白金、パラジウム、チタン、クロム、ニッケル、タ
ングステン、あるいはこれら金属の合金又はこれら金属
の少なくとも一種類を主成分とする合金を使用してもよ
い。その場合の成膜条件は、薄膜電極材料と圧電体基板
との組み合わせに依存する。
は、アルゴンイオン以外に、ヘリウム、ネオン、クリプ
トン、キセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、
あるいはそれらの混合イオンを使用してもよい。また、
薄膜電極材料としては、アルミニウム以外に、金、銀、
銅、白金、パラジウム、チタン、クロム、ニッケル、タ
ングステン、あるいはこれら金属の合金又はこれら金属
の少なくとも一種類を主成分とする合金を使用してもよ
い。その場合の成膜条件は、薄膜電極材料と圧電体基板
との組み合わせに依存する。
【００１９】また、前記実施形態はタンタル酸リチウム
基板上に（１１１）配向アルミニウム薄膜を形成する場
合について説明したが、薄膜の配向方向は任意であり、
例えば（２００）配向アルミニウム薄膜であってもよ
い。さらに、スタッパリング時に、圧電体基板の表面に
マスクを被せ、所望の部分にのみ薄膜電極が形成される
ようにしてもよい。
基板上に（１１１）配向アルミニウム薄膜を形成する場
合について説明したが、薄膜の配向方向は任意であり、
例えば（２００）配向アルミニウム薄膜であってもよ
い。さらに、スタッパリング時に、圧電体基板の表面に
マスクを被せ、所望の部分にのみ薄膜電極が形成される
ようにしてもよい。
【００２０】さらに、圧電体基板としては、タンタル酸
リチウム以外に、ニオブ酸リチウム水晶、４ホウ酸リチ
ウム、あるいは酸化亜鉛、窒化アルミニウム膜を形成し
たサファイアやガラス等が用いられる。また、成膜方法
としては、スパッタリング法以外に蒸着法、化学気相成
長法、分子線エピタキシー方、レーザアブレーション法
等であってもよい。
リチウム以外に、ニオブ酸リチウム水晶、４ホウ酸リチ
ウム、あるいは酸化亜鉛、窒化アルミニウム膜を形成し
たサファイアやガラス等が用いられる。また、成膜方法
としては、スパッタリング法以外に蒸着法、化学気相成
長法、分子線エピタキシー方、レーザアブレーション法
等であってもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、アシスト用イオンビームを圧電体基板表面に照
射しつつ圧電体基板表面に薄膜電極を形成するので、圧
電体基板表面にアモルファス層を形成することができ
る。さらに、アシスト用イオンビームをこのアモルファ
ス層表面に照射しつつアモルファス層表面に薄膜電極を
さらに形成するので、アモルファス層表面に単結晶層又
は配向層を形成することができる。従って、高電流密度
下、あるいは高応力下での原子の粒界拡散を抑えること
ができ、しかも結晶欠損が少なく、耐腐食性にも優れた
弾性表面波素子用薄膜電極が得られる。
よれば、アシスト用イオンビームを圧電体基板表面に照
射しつつ圧電体基板表面に薄膜電極を形成するので、圧
電体基板表面にアモルファス層を形成することができ
る。さらに、アシスト用イオンビームをこのアモルファ
ス層表面に照射しつつアモルファス層表面に薄膜電極を
さらに形成するので、アモルファス層表面に単結晶層又
は配向層を形成することができる。従って、高電流密度
下、あるいは高応力下での原子の粒界拡散を抑えること
ができ、しかも結晶欠損が少なく、耐腐食性にも優れた
弾性表面波素子用薄膜電極が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る弾性表面波素子用薄膜電極及びそ
の形成方法の一実施形態を示す、薄膜電極形成装置の概
略構成図。
の形成方法の一実施形態を示す、薄膜電極形成装置の概
略構成図。
【図２】圧電体基板の表面に形成された薄膜電極の断面
図。
図。
１…デュアルイオンビームスパッタリング装置 ３…スパッタリング用イオンソース ４…アシスト用イオンソース １１…アルミニウムターゲット １２…タンタル酸リチウム基板 １３…アルミニウム薄膜 １３ａ…アモルファス層 １３ｂ…単結晶 ２１…アシスト用イオンビーム ２２…スパッタリング用イオンビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０３Ｈ 9/145 7259−5Ｊ Ｈ０３Ｈ 9/145 Ｚ Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｌ (72)発明者 吉野 幸夫 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 圧電体基板上に形成されたアモルファス
層と、このアモルファス層上に形成された単結晶層又は
配向層とを備えたことを特徴とする弾性表面波素子用薄
膜電極。 - 【請求項２】 アシスト用イオンビームを圧電体基板表
面に照射しつつ、前記圧電体基板表面にアモルファス層
を形成した後、前記アシスト用イオンビームを前記アモ
ルファス層表面に照射しつつ、前記アモルファス層表面
に単結晶層又は配向層を形成することを特徴とする弾性
表面波素子用薄膜電極の形成方法。 - 【請求項３】 アシスト用イオンビームのイオンとし
て、ヘリウム又はネオン又はアルゴン又はクリプトン又
はキセノンの少なくともいずれか一種類のイオン、ある
いはそれらの混合イオンが使用されていることを特徴と
する請求項２記載の弾性表面波素子用薄膜電極の形成方
法。 - 【請求項４】 弾性表面波素子用薄膜電極がアルミニウ
ム又は金又は銀又は銅又は白金又はパラジウム又はチタ
ン又はクロム又はニッケル又はタングステン、あるいは
前記金属の合金又は前記金属の少なくとも一種類を主成
分とする合金からなることを特徴とする請求項２記載の
弾性表面波素子用薄膜電極の形成方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006964A JPH09199968A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法 |
| TW086100536A TW330341B (en) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Metallic thin film and method of manufacturing the same and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the same thereof |
| NO970220A NO970220L (no) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Transduktor med tynnfilmsjikt av metall, for akustiske overflatebölger |
| EP97100736A EP0785299A1 (en) | 1996-01-19 | 1997-01-17 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| CA002195486A CA2195486C (en) | 1996-01-19 | 1997-01-20 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| KR1019970001450A KR100249935B1 (ko) | 1996-01-19 | 1997-01-20 | 금속박막의제조방법및금속박막을사용하는탄성표면파장치의형성방법 |
| US08/786,410 US6033471A (en) | 1996-01-19 | 1997-01-21 | Metallic thin flim and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the metallic thin film and the method thereof |
| US09/481,182 US6229250B1 (en) | 1996-01-19 | 2000-01-12 | Metallic thin film and method of manufacturing the same, and surface acoustic wave device using the method thereof |
| CN01104546A CN1317875A (zh) | 1996-01-19 | 2001-02-13 | 薄膜电极及利用其制造的表面声波器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8006964A JPH09199968A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199968A true JPH09199968A (ja) | 1997-07-31 |
Family
ID=11652900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8006964A Pending JPH09199968A (ja) | 1996-01-19 | 1996-01-19 | 弾性表面波素子用薄膜電極及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09199968A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299514A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2019213042A (ja) * | 2018-06-04 | 2019-12-12 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ |
| JP2020092321A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法、フィルタ並びにマルチプレクサ |
-
1996
- 1996-01-19 JP JP8006964A patent/JPH09199968A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000299514A (ja) * | 1999-04-15 | 2000-10-24 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
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| US11108375B2 (en) | 2018-12-05 | 2021-08-31 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device, method of fabricating the same, filter, and multiplexer |
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