JPH09194431A - ジカルボン酸誘導体及びその製造方法 - Google Patents
ジカルボン酸誘導体及びその製造方法Info
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- JPH09194431A JPH09194431A JP8245516A JP24551696A JPH09194431A JP H09194431 A JPH09194431 A JP H09194431A JP 8245516 A JP8245516 A JP 8245516A JP 24551696 A JP24551696 A JP 24551696A JP H09194431 A JPH09194431 A JP H09194431A
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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- C07C69/84—Esters of carboxylic acids having a carboxyl group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring of monocyclic hydroxy carboxylic acids, the hydroxy groups and the carboxyl groups of which are bound to carbon atoms of a six-membered aromatic ring
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属イオン不含の水性アルカリ現像剤にも無
毒性有機溶剤にも良好に溶解するポリ−ｏ−ヒドロキシ
アミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造を可能に
するジカルボン酸誘導体を提供する。 【解決手段】 以下の構造式： 【化１】 ［式中Ｘ＝Ｏ、Ｓ、（ＣＨ2 ）m 、Ｃ（ＣＦ3 ）及びＣ
Ｆ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）を表し、その際ｍ＝１〜１０であ
り、Ｒは以下の化合物、即ちフルオル−又はトリフルオ
ルメチル−及びニトロ−又はシアノフェノール、−チオ
フェノール又は−アミノベンゾール、４−ヒドロキシ
−、４−メルカプト−又は４−アミノクマリン、Ｎ−ヒ
ドロキシスクシン−又はＮ−ヒドロキシマレインイミ
ド、２−ヒドロキシ−又は２−メルカプトベンズオキサ
ゾール又は−ベンゾチアゾール及び１−ヒドロキシ−又
は１−メルカプトベンゾチリアゾールから誘導され
る。］のジカルボン誘導体を製造する。
毒性有機溶剤にも良好に溶解するポリ−ｏ−ヒドロキシ
アミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造を可能に
するジカルボン酸誘導体を提供する。 【解決手段】 以下の構造式： 【化１】 ［式中Ｘ＝Ｏ、Ｓ、（ＣＨ2 ）m 、Ｃ（ＣＦ3 ）及びＣ
Ｆ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）を表し、その際ｍ＝１〜１０であ
り、Ｒは以下の化合物、即ちフルオル−又はトリフルオ
ルメチル−及びニトロ−又はシアノフェノール、−チオ
フェノール又は−アミノベンゾール、４−ヒドロキシ
−、４−メルカプト−又は４−アミノクマリン、Ｎ−ヒ
ドロキシスクシン−又はＮ−ヒドロキシマレインイミ
ド、２−ヒドロキシ−又は２−メルカプトベンズオキサ
ゾール又は−ベンゾチアゾール及び１−ヒドロキシ−又
は１−メルカプトベンゾチリアゾールから誘導され
る。］のジカルボン誘導体を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ジカルボン酸誘導
体、即ちジエステル、ジチオエステル及びジアミド及び
その製造方法に関する。
体、即ちジエステル、ジチオエステル及びジアミド及び
その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクス分野において
は耐高熱性のポリマーを特に保護層及び絶縁層又は誘電
体として必要とする（これに関しては例えば「エスエイ
エムピーイー・ジャーナル（ＳＡＭＰＥ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ）」第２５巻（１９８９年）第６号、第１８〜２３頁
及び「マルチチップモジュールに関する１９９２年国際
会議議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
１９９２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ
ｓ）」第３９４〜４００頁参照）。使用されるポリマー
の幾つか、例えば芳香族ポリエーテルのホモ及びコポリ
マー並びにポリイミド（ＰＩ）及びポリベンズオキサゾ
ール（ＰＢＯ）の前駆体は有機溶剤に良好に溶解し、良
好な箔形成特性を示し、遠心分離法により電子デバイス
に施すことができる（これに関しては例えば「高性能ポ
リマー（Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ）」第４巻（１９９２年）第２号、第７３〜８０
頁及び「先端技術用ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏ
ｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）」
第４巻（１９９３年）第２１７〜２３３頁参照）。
は耐高熱性のポリマーを特に保護層及び絶縁層又は誘電
体として必要とする（これに関しては例えば「エスエイ
エムピーイー・ジャーナル（ＳＡＭＰＥ Ｊｏｕｒｎａ
ｌ）」第２５巻（１９８９年）第６号、第１８〜２３頁
及び「マルチチップモジュールに関する１９９２年国際
会議議事録（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ
１９９２ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ ｏｆ Ｍｕｌｔｉｃｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ
ｓ）」第３９４〜４００頁参照）。使用されるポリマー
の幾つか、例えば芳香族ポリエーテルのホモ及びコポリ
マー並びにポリイミド（ＰＩ）及びポリベンズオキサゾ
ール（ＰＢＯ）の前駆体は有機溶剤に良好に溶解し、良
好な箔形成特性を示し、遠心分離法により電子デバイス
に施すことができる（これに関しては例えば「高性能ポ
リマー（Ｈｉｇｈ Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ Ｐｏｌｙ
ｍｅｒ）」第４巻（１９９２年）第２号、第７３〜８０
頁及び「先端技術用ポリマー（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｆｏ
ｒ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）」
第４巻（１９９３年）第２１７〜２３３頁参照）。
【０００３】上記形式のポリマー前駆体は熱処理により
環化され、即ち相応するポリマー（ＰＩ又はＰＢＯ）に
置換される。その際最終特性が生じる。即ち環化により
ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの親水基、つまりＮＨ−、
ＯＨ−及びＣＯ基は消滅し、これらは誘電特性及び水吸
収性に否定的に作用する。これは例えば（１イミド単位
につき２個のＣＯ基を有する）ポリイミド及び特に（１
イミド単位につき２個のＣＯ基及び１個のＯＨ基を有す
る）ヒドロキシポリイミドに対するポリベンズオキサゾ
ールの本質的利点である。更に環化は良好な誘電特性及
び最終生成物の低い水吸収性にとって重要であるばかり
でなく、その耐高熱性にとっても重要である。
環化され、即ち相応するポリマー（ＰＩ又はＰＢＯ）に
置換される。その際最終特性が生じる。即ち環化により
ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの親水基、つまりＮＨ−、
ＯＨ−及びＣＯ基は消滅し、これらは誘電特性及び水吸
収性に否定的に作用する。これは例えば（１イミド単位
につき２個のＣＯ基を有する）ポリイミド及び特に（１
イミド単位につき２個のＣＯ基及び１個のＯＨ基を有す
る）ヒドロキシポリイミドに対するポリベンズオキサゾ
ールの本質的利点である。更に環化は良好な誘電特性及
び最終生成物の低い水吸収性にとって重要であるばかり
でなく、その耐高熱性にとっても重要である。
【０００４】ＰＩ及びＰＢＯ前駆体は、例えば適当な光
活性成分を添加して感光性により調整可能であり、それ
により直接、即ち補助レジストを使用せずにパターン化
可能である。従ってこの直接のパターン化は間接的パタ
ーン化に比べて著しい価格的利点を提供するため重要で
ある。
活性成分を添加して感光性により調整可能であり、それ
により直接、即ち補助レジストを使用せずにパターン化
可能である。従ってこの直接のパターン化は間接的パタ
ーン化に比べて著しい価格的利点を提供するため重要で
ある。
【０００５】感光性のＰＢＯ前駆体は大抵の感光性ＰＩ
前駆体とは異なり、いわゆる“バイアホール（ｖｉａ
ｈｏｌｅ）”のパターン化の際ネガ作用の系と比べて面
のごく僅かな部分のみが露光されるにすぎないため欠陥
密度が小さいというようなポジ型のパターン化可能性の
利点を提供する。更にアルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体を
使用した場合水性アルカリ現像剤の使用を可能にする。
更に光パターン化後この前駆体の環化は焼なましにより
行われる。
前駆体とは異なり、いわゆる“バイアホール（ｖｉａ
ｈｏｌｅ）”のパターン化の際ネガ作用の系と比べて面
のごく僅かな部分のみが露光されるにすぎないため欠陥
密度が小さいというようなポジ型のパターン化可能性の
利点を提供する。更にアルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体を
使用した場合水性アルカリ現像剤の使用を可能にする。
更に光パターン化後この前駆体の環化は焼なましにより
行われる。
【０００６】水性アルカリ性により現像可能のＰＢＯ前
駆体は既に公知である（これに関しては欧州特許第００
２３６６２号、欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細所参照）。その際使
用されるフォトリソグラフィによるプロセスは環化を除
いて公知のノボラック及びキノンジアジドをベースとす
るポジ型レジストのパターン化の際と同様の世界的に多
数の生産ラインで使用されているプロセスである（これ
に関しては例えばソアネ（Ｄ．Ｓ．Ｓｏａｎｅ）及びマ
ルチネンコ（Ｚ．Ｍａｒｔｙｎｅｎｋｏ）による「マイ
クロエレクトロニクスにおけるポリマーの基礎及び応用
（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」エルセヴィール（Ｅｌｓｅｖｉ
ｅｒ）、アムステルダム、１９８９年、第７７〜１２４
頁参照）。
駆体は既に公知である（これに関しては欧州特許第００
２３６６２号、欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細所参照）。その際使
用されるフォトリソグラフィによるプロセスは環化を除
いて公知のノボラック及びキノンジアジドをベースとす
るポジ型レジストのパターン化の際と同様の世界的に多
数の生産ラインで使用されているプロセスである（これ
に関しては例えばソアネ（Ｄ．Ｓ．Ｓｏａｎｅ）及びマ
ルチネンコ（Ｚ．Ｍａｒｔｙｎｅｎｋｏ）による「マイ
クロエレクトロニクスにおけるポリマーの基礎及び応用
（Ｐｏｌｙｍｅｒｓ ｉｎ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏ
ｎｉｃｓ−Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎｓ）」エルセヴィール（Ｅｌｓｅｖｉ
ｅｒ）、アムステルダム、１９８９年、第７７〜１２４
頁参照）。
【０００７】ＰＢＯ前駆体のアルカリ可溶性は水性アル
カリ性により現像可能の感光性誘電体のベースポリマー
としてのその使用にとって重要な前提条件である。マイ
クロエレクトロニクス分野への使用にとってこの前駆体
は、この種の現像剤を光パターン化の際にも使用できる
ように金属イオン不含の現像剤に可溶でなければならな
い。即ち金属イオンを含む現像剤はデバイスの電気的機
能に悪影響を及ぼしかねない。
カリ性により現像可能の感光性誘電体のベースポリマー
としてのその使用にとって重要な前提条件である。マイ
クロエレクトロニクス分野への使用にとってこの前駆体
は、この種の現像剤を光パターン化の際にも使用できる
ように金属イオン不含の現像剤に可溶でなければならな
い。即ち金属イオンを含む現像剤はデバイスの電気的機
能に悪影響を及ぼしかねない。
【０００８】アルカリ可溶性のＰＢＯ前駆体、即ちポリ
−ｏ−ヒドロキシアミドの製造に最もよく行われている
方法はジカルボン酸塩化物を適当なビス−ｏ−アミノフ
ェノールと反応させるものである。反応の際に生じる塩
化水素を捕捉するために通常ピリジンのような可溶性塩
基を添加する（欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細書参照）。この方法
により確かに金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可
溶の前駆体を製造できるが、しかし塩素イオンがポリマ
ー中に残留することは欠点である。塩素イオンが腐食の
原因となり、デバイスの機能を著しく損傷しかねないた
め、この種のポリマーをマイクロエレクトロニクスデバ
イスの被覆材料として使用することはできない。従って
このポリマーをイオン交換体により洗浄する必要があ
る。しかしこの洗浄方法は経費を要し、高価なものにつ
く。即ちこの方法はイオン交換カラムの準備、ポリマー
の溶解、溶液のカラムを通しての貫流及び後洗浄並びに
新たな沈澱及び乾燥のような付加的処理工程を含むもの
である。
−ｏ−ヒドロキシアミドの製造に最もよく行われている
方法はジカルボン酸塩化物を適当なビス−ｏ−アミノフ
ェノールと反応させるものである。反応の際に生じる塩
化水素を捕捉するために通常ピリジンのような可溶性塩
基を添加する（欧州特許出願公開第０２６４６７８号及
び欧州特許第０２９１７７９号明細書参照）。この方法
により確かに金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に可
溶の前駆体を製造できるが、しかし塩素イオンがポリマ
ー中に残留することは欠点である。塩素イオンが腐食の
原因となり、デバイスの機能を著しく損傷しかねないた
め、この種のポリマーをマイクロエレクトロニクスデバ
イスの被覆材料として使用することはできない。従って
このポリマーをイオン交換体により洗浄する必要があ
る。しかしこの洗浄方法は経費を要し、高価なものにつ
く。即ちこの方法はイオン交換カラムの準備、ポリマー
の溶解、溶液のカラムを通しての貫流及び後洗浄並びに
新たな沈澱及び乾燥のような付加的処理工程を含むもの
である。
【０００９】またポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの製造の
場合ジカルボン酸塩化物を主にビス−ｏ−アミノフェノ
ールのアミノ基と（アミド形成下に）反応させるが、し
かし（エステル形成下に）そのヒドロキシル基とは反応
させない、即ちエステル形成に対してアミド形成の反応
選択度が高くなければならないという要件が満たされな
ければならない。エステル形成を排除又は強力に抑制で
きなければ、それがアルカリ可溶性の十分でないポリマ
ーを生じることになる。更に反応選択度が低ければポリ
マー溶液中にゲル形成を来し、その際製造されるポリ−
ｏ−ヒドロキシアミドは濾過不能となり、使用すること
ができなくなる。
場合ジカルボン酸塩化物を主にビス−ｏ−アミノフェノ
ールのアミノ基と（アミド形成下に）反応させるが、し
かし（エステル形成下に）そのヒドロキシル基とは反応
させない、即ちエステル形成に対してアミド形成の反応
選択度が高くなければならないという要件が満たされな
ければならない。エステル形成を排除又は強力に抑制で
きなければ、それがアルカリ可溶性の十分でないポリマ
ーを生じることになる。更に反応選択度が低ければポリ
マー溶液中にゲル形成を来し、その際製造されるポリ−
ｏ−ヒドロキシアミドは濾過不能となり、使用すること
ができなくなる。
【００１０】塩化物不含のポリ−ｏ−ヒドロキシアミド
及び同様にポリ−ｏ−メルカプトアミドの合成方法も既
に公知である。例えば欧州特許出願公開第０１５８７２
６号明細書からジヒドロキシ−又はジメルカプトジアミ
ノ化合物をカルボジイミドの存在下にジカルボン酸と反
応させることは公知である。しかしこの反応の場合尿素
の転位反応により残留する尿素基がしばしば問題を起こ
す。即ちそれらの尿素基はポリベンズオキサゾール又は
ポリベンゾチアゾールの耐熱性並びにそれらから形成さ
れる層の品質に悪影響を及ぼす。更にこの方法により製
造されるポリマーは金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に十分に溶解しない。
及び同様にポリ−ｏ−メルカプトアミドの合成方法も既
に公知である。例えば欧州特許出願公開第０１５８７２
６号明細書からジヒドロキシ−又はジメルカプトジアミ
ノ化合物をカルボジイミドの存在下にジカルボン酸と反
応させることは公知である。しかしこの反応の場合尿素
の転位反応により残留する尿素基がしばしば問題を起こ
す。即ちそれらの尿素基はポリベンズオキサゾール又は
ポリベンゾチアゾールの耐熱性並びにそれらから形成さ
れる層の品質に悪影響を及ぼす。更にこの方法により製
造されるポリマーは金属イオン不含の水性アルカリ現像
剤に十分に溶解しない。
【００１１】ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの塩化物不含
の他の製造方法では、ジカルボン酸をビス−ｏ−アミノ
フェノールと１−エトキシカルボニル−２−エトキシ−
１，２−ジヒドロキノリン及び１，１′−カルボニルジ
オキシ−ジ−１，２，３−ベンゾトリアゾールのような
凝縮反応試薬と反応させるものがある（欧州特許出願公
開第０３９１１９６号明細書参照）。しかしこの方法で
製造されるポリマーは同様に金属イオン不含の水性アル
カリ現像剤に不十分な可溶性を示すに過ぎない。
の他の製造方法では、ジカルボン酸をビス−ｏ−アミノ
フェノールと１−エトキシカルボニル−２−エトキシ−
１，２−ジヒドロキノリン及び１，１′−カルボニルジ
オキシ−ジ−１，２，３−ベンゾトリアゾールのような
凝縮反応試薬と反応させるものがある（欧州特許出願公
開第０３９１１９６号明細書参照）。しかしこの方法で
製造されるポリマーは同様に金属イオン不含の水性アル
カリ現像剤に不十分な可溶性を示すに過ぎない。
【００１２】またアミドの形成を燐化合物により実施す
る方法も公知である（これに関しては欧州特許出願公開
第０４８１４０２号、米国特許第４３３１５９２号及び
ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６６２９号明細
書参照）。しかしポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの場合こ
の種の合成は環化された、即ちアルカリ不溶性の生成物
を生じるか又はポリマー中に一部化学的に結合された燐
含有基が残留し、そのため燐のドーピング特性によりこ
のポリマーはマイクロエレクトロニクス分野で使用する
ことができなくなる。即ちイオン不純物とは異なりこの
種の基は例えばイオン交換体により除去することができ
ない。
る方法も公知である（これに関しては欧州特許出願公開
第０４８１４０２号、米国特許第４３３１５９２号及び
ドイツ連邦共和国特許出願公開第３７１６６２９号明細
書参照）。しかしポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの場合こ
の種の合成は環化された、即ちアルカリ不溶性の生成物
を生じるか又はポリマー中に一部化学的に結合された燐
含有基が残留し、そのため燐のドーピング特性によりこ
のポリマーはマイクロエレクトロニクス分野で使用する
ことができなくなる。即ちイオン不純物とは異なりこの
種の基は例えばイオン交換体により除去することができ
ない。
【００１３】金属イオン不含の水性アルカリ現像剤に十
分な可溶性を示すこと以外に、ポリベンズオキサゾール
−及びポリベンゾチアゾール前駆体は種々の無毒性有機
溶剤に良好な可溶性を示さなければならない。有機溶剤
への可溶性は例えばヒドロキシル基のアセチル化により
改善することができる（これに関しては欧州特許出願公
開第０２６４６７８号明細書参照）が、しかしそれによ
り同時にアルカリ現像剤への可溶性は低下される。
分な可溶性を示すこと以外に、ポリベンズオキサゾール
−及びポリベンゾチアゾール前駆体は種々の無毒性有機
溶剤に良好な可溶性を示さなければならない。有機溶剤
への可溶性は例えばヒドロキシル基のアセチル化により
改善することができる（これに関しては欧州特許出願公
開第０２６４６７８号明細書参照）が、しかしそれによ
り同時にアルカリ現像剤への可溶性は低下される。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、金属
イオン不含の水性アルカリ現像剤にもまた無毒性有機溶
剤にも良好に溶解するポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及び
ポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造を可能にするジカル
ボン酸誘導体を提供することにある。
イオン不含の水性アルカリ現像剤にもまた無毒性有機溶
剤にも良好に溶解するポリ−ｏ−ヒドロキシアミド及び
ポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造を可能にするジカル
ボン酸誘導体を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための課題】この課題は本発明によ
り、以下の構造式
り、以下の構造式
【化９】 ［式中Ｘ＝Ｏ、Ｓ、（ＣＦ2 ）ｍ、Ｃ（ＣＦ3 ）2 又は
ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）であり、その際ｍ＝１〜１０で
あり、Ｒは以下の意味を有する：
ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）であり、その際ｍ＝１〜１０で
あり、Ｒは以下の意味を有する：
【化１０】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
Ｒ4 、Ｒ5 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関
係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少なくとも１個はＦ又はＣ
Ｆ3 であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 のうち最大２個はＣＨ3 又は
ＣＦ3 である；また
Ｒ4 、Ｒ5 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関
係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少なくとも１個はＦ又はＣ
Ｆ3 であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 のうち最大２個はＣＨ3 又は
ＣＦ3 である；また
【化１１】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、＝Ｈ、
Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2 （互いに無関係）
であり、基Ｒ1 及びＲ2 の少なくとも１個はＣＮ又はＮ
Ｏ2 である；また
Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2 （互いに無関係）
であり、基Ｒ1 及びＲ2 の少なくとも１個はＣＮ又はＮ
Ｏ2 である；また
【化１２】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
Ｒ4 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であ
り、基Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 で
ある；また
Ｒ4 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であ
り、基Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 で
ある；また
【化１３】 その際Ｒ1 、Ｒ2 、＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互い
に無関係）である；また
に無関係）である；また
【化１４】 その際Ｚ＝Ｏ又はＳであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 ＝
Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であり、基
Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 であ
る。］のジカルボン酸誘導体により解決される。
Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であり、基
Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 であ
る。］のジカルボン酸誘導体により解決される。
【００１６】本発明によるジカルボン酸誘導体はジエス
テル、ジチオエステル及びジアミド、即ちいわゆる活性
な酸誘導体である。これらの活性なエステル、チオエス
テル及びアミドは以下の化合物、即ちフルオル−又はト
リフルオルメチル−及びニトロ−又はシアノフェノー
ル、−チオフェノール又は−アミノベンゾール、４−ヒ
ドロキシ−、４−メルカプト−及び４−アミノクマリ
ン、Ｎ−ヒドロキシスクシン−及びＮ−ヒドロキシマレ
インイミド、２−ヒドロキシ−及び２−メルカプトベン
ズオキサゾール又は−ベンゾチアゾール並びに１−ヒド
ロキシ−及び１−メルカプトベンゾトリアゾールから誘
導される。これらの成分は本発明によるジカルボン酸誘
導体をビス−ｏ−アミノ（チオ）フェノールと反応させ
る際選択反応度を発揮する、即ちアミドは形成するが、
エステルは形成しない。
テル、ジチオエステル及びジアミド、即ちいわゆる活性
な酸誘導体である。これらの活性なエステル、チオエス
テル及びアミドは以下の化合物、即ちフルオル−又はト
リフルオルメチル−及びニトロ−又はシアノフェノー
ル、−チオフェノール又は−アミノベンゾール、４−ヒ
ドロキシ−、４−メルカプト−及び４−アミノクマリ
ン、Ｎ−ヒドロキシスクシン−及びＮ−ヒドロキシマレ
インイミド、２−ヒドロキシ−及び２−メルカプトベン
ズオキサゾール又は−ベンゾチアゾール並びに１−ヒド
ロキシ−及び１−メルカプトベンゾトリアゾールから誘
導される。これらの成分は本発明によるジカルボン酸誘
導体をビス−ｏ−アミノ（チオ）フェノールと反応させ
る際選択反応度を発揮する、即ちアミドは形成するが、
エステルは形成しない。
【００１７】活性エステル、即ちアミノ酸をベースとす
る活性なエステルはそれ自体公知である（これに関して
はドイツ連邦共和国特許出願公開第２２６３５０２号明
細書及び「化学通報（ＣｈｅｍｉｓｃｈｅＢｅｒｉｃｈ
ｔｅ）」第１０６巻（１９７３年）、第３６２６〜３６
３５頁参照）及び脂肪族ジカルボン酸及びイソフタル酸
をベースとする（これに関しては「ソ連邦ポリマー科学
（Ｕ．Ｓ．Ｓ．Ｒ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ）」第２６巻（１９８４年）、第７号、第１６６８〜
１６７８頁参照）。しかし本発明により提供されるよう
なジカルボン酸をベースとする活性エステルはこれまで
まだ知られていない。
る活性なエステルはそれ自体公知である（これに関して
はドイツ連邦共和国特許出願公開第２２６３５０２号明
細書及び「化学通報（ＣｈｅｍｉｓｃｈｅＢｅｒｉｃｈ
ｔｅ）」第１０６巻（１９７３年）、第３６２６〜３６
３５頁参照）及び脂肪族ジカルボン酸及びイソフタル酸
をベースとする（これに関しては「ソ連邦ポリマー科学
（Ｕ．Ｓ．Ｓ．Ｒ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃ
ｅ）」第２６巻（１９８４年）、第７号、第１６６８〜
１６７８頁参照）。しかし本発明により提供されるよう
なジカルボン酸をベースとする活性エステルはこれまで
まだ知られていない。
【００１８】本発明による活性ジカルボン酸誘導体は、
その酸成分中に特殊な橋かけ、即ち次の種類の基：−Ｏ
−、−Ｓ−、−（ＣＦ2 ）m −又は−ＣＦ2 −ＣＦ（Ｃ
Ｆ3）−により互いに結合されている２つの芳香核を有
する点で優れている。
その酸成分中に特殊な橋かけ、即ち次の種類の基：−Ｏ
−、−Ｓ−、−（ＣＦ2 ）m −又は−ＣＦ2 −ＣＦ（Ｃ
Ｆ3）−により互いに結合されている２つの芳香核を有
する点で優れている。
【００１９】柔軟なこれらの橋かけの利点は可溶性を改
善する作用を発揮することにある。更にまた接着性、貯
蔵安定性及びＵＶ透過性も改善することができる。−Ｃ
Ｈ2−及び−ＣＯ−のような他の橋かけも同様に可溶性
を改善できるが、しかしそれらは同時に耐熱性又はＵＶ
透過性のような他の特性を劣化させる恐れがある。
善する作用を発揮することにある。更にまた接着性、貯
蔵安定性及びＵＶ透過性も改善することができる。−Ｃ
Ｈ2−及び−ＣＯ−のような他の橋かけも同様に可溶性
を改善できるが、しかしそれらは同時に耐熱性又はＵＶ
透過性のような他の特性を劣化させる恐れがある。
【００２０】特に適した橋かけとしては例えばジフェニ
ルエーテル−４，４′−ジカルボン酸の−Ｏ−結合基が
ある。従って本発明による特に適した活性エステルとし
ては以下のものがる。
ルエーテル−４，４′−ジカルボン酸の−Ｏ−結合基が
ある。従って本発明による特に適した活性エステルとし
ては以下のものがる。
【化１５】
【００２１】本発明によるジカルボン酸誘導体は有利に
は以下のようにして製造される。構造式
は以下のようにして製造される。構造式
【化１６】 のジカルボン酸をカルボジイミド、有利にはジシクロヘ
キシルカルボジイミドの存在下に構造式Ｒ−Ｈ［式中基
Ｘ及びＲは前記の意味を有する］の化合物と反応させ
る。化合物ＲＨ中の水素原子は酸素原子、硫黄原子又は
窒素原子に結合し、従って“活性化”水素原子となる。
キシルカルボジイミドの存在下に構造式Ｒ−Ｈ［式中基
Ｘ及びＲは前記の意味を有する］の化合物と反応させ
る。化合物ＲＨ中の水素原子は酸素原子、硫黄原子又は
窒素原子に結合し、従って“活性化”水素原子となる。
【００２２】しかしジカルボン酸誘導体を製造するため
に化合物ＲＨはジカルボン酸塩化物と反応させてもよ
い。その際反応生成物は簡単な方法で再結晶することに
より十分精製可能である。
に化合物ＲＨはジカルボン酸塩化物と反応させてもよ
い。その際反応生成物は簡単な方法で再結晶することに
より十分精製可能である。
【００２３】本発明による活性ジカルボン酸誘導体は電
子デバイスを損傷させる作用を示す塩化物イオン、金属
イオン並びに燐化合物のような不純物の排除下にポリベ
ンズオキサゾール又はポリベンゾチアゾール前駆体の製
造を可能にする。その際ビス−ｏ−アミノ（チオ）フェ
ノールとの反応は塩基性触媒、特にピリジン及びトリエ
チルアミンのような第三アミンの存在下に実施すると有
利である。こうして製造された前駆体は金属イオン不含
の水性アルカリ現像剤に良好に溶解し、即ちアミド形成
の反応選択度は十分に高いものであり、従って感光性誘
導体の塩基性樹脂として適している。更にこれらの前駆
体は一連の有機溶剤に良好に溶解する。
子デバイスを損傷させる作用を示す塩化物イオン、金属
イオン並びに燐化合物のような不純物の排除下にポリベ
ンズオキサゾール又はポリベンゾチアゾール前駆体の製
造を可能にする。その際ビス−ｏ−アミノ（チオ）フェ
ノールとの反応は塩基性触媒、特にピリジン及びトリエ
チルアミンのような第三アミンの存在下に実施すると有
利である。こうして製造された前駆体は金属イオン不含
の水性アルカリ現像剤に良好に溶解し、即ちアミド形成
の反応選択度は十分に高いものであり、従って感光性誘
導体の塩基性樹脂として適している。更にこれらの前駆
体は一連の有機溶剤に良好に溶解する。
【００２４】
【実施例】本発明を実施例に基づき以下に詳述する。
【００２５】例 １ ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸及びペン
タフルオルフェノールからなるジエステルの製造 １リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に２０．０ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカル
ボン酸（７７．５ｍモル）及び２８．５ｇのペンタフル
オルフェノール（１５５ｍモル）を乾燥Ｎ−メチルピロ
リドン２７０ｍｌ中に攪拌しながら溶かす。その際得ら
れる溶液を−１５℃に冷却し、更に３２．０ｇのジシク
ロヘキシルカルボジイミドの溶液（１５５ｍモル）をＮ
−メチルピロリドン１７５ｍｌに徐々に滴下する。添加
終了後反応溶液をまず約−１５℃で２時間、次いで約２
３℃で１４時間、更に約５０℃で５時間攪拌する。室温
に冷却後この反応溶液を約１８〜２０時間放置する。そ
の後沈澱生成物（ジシクロヘキシル尿素）を濾別し、こ
の清澄な反応溶液を激しく攪拌しながら徐々に水１６０
０ｍｌに滴下する。その際沈澱析出する固体を濾別し、
３回それぞれ水５０ｍｌで洗浄し、イソプロパノール５
００ｍｌと混ぜ合わせる。引続き約２０時間攪拌し、濾
過し、更に３回それぞれイソパノール５０ｍｌで洗浄す
る。その後まず２０ｍバールで２４時間、更に２ｍバー
ルで４８時間それぞれ３０℃で乾燥する。こうして製造
されたジエステル（収量２８ｇ）の融点は１７５℃であ
る。
タフルオルフェノールからなるジエステルの製造 １リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に２０．０ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカル
ボン酸（７７．５ｍモル）及び２８．５ｇのペンタフル
オルフェノール（１５５ｍモル）を乾燥Ｎ−メチルピロ
リドン２７０ｍｌ中に攪拌しながら溶かす。その際得ら
れる溶液を−１５℃に冷却し、更に３２．０ｇのジシク
ロヘキシルカルボジイミドの溶液（１５５ｍモル）をＮ
−メチルピロリドン１７５ｍｌに徐々に滴下する。添加
終了後反応溶液をまず約−１５℃で２時間、次いで約２
３℃で１４時間、更に約５０℃で５時間攪拌する。室温
に冷却後この反応溶液を約１８〜２０時間放置する。そ
の後沈澱生成物（ジシクロヘキシル尿素）を濾別し、こ
の清澄な反応溶液を激しく攪拌しながら徐々に水１６０
０ｍｌに滴下する。その際沈澱析出する固体を濾別し、
３回それぞれ水５０ｍｌで洗浄し、イソプロパノール５
００ｍｌと混ぜ合わせる。引続き約２０時間攪拌し、濾
過し、更に３回それぞれイソパノール５０ｍｌで洗浄す
る。その後まず２０ｍバールで２４時間、更に２ｍバー
ルで４８時間それぞれ３０℃で乾燥する。こうして製造
されたジエステル（収量２８ｇ）の融点は１７５℃であ
る。
【００２６】例 ２ ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸及びＮ−
ヒドロキシスクシンイミドからなるジエステルの製造 １リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に３０．０ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカル
ボン酸（１１６．１ｍモル）及び２６．７ｇのＮ−ヒド
ロキシスクシンイミド（２３２．２ｍモル）を乾燥Ｎ−
メチルピロリドン３１０ｍｌに攪拌しながら溶かす。そ
の際得られる溶液を−１５℃に冷却し、更に４７．９ｇ
のジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液（２３２．２
ｍモル）をＮ−メチルピロリドン２６５ｍｌに徐々に滴
下する。添加終了後反応溶液をまず約−１５℃で２時
間、次いで約２３℃で２４時間、更に約８０℃で６時間
攪拌する。室温に冷却後この反応溶液を約１８〜２０時
間放置する。その後この沈澱生成物（ジシクロヘキシル
尿素）を濾別し、この清澄な反応溶液を激しく攪拌しな
がら徐々に水３容量部に対して酢酸１容量部の混合物３
０００ｍｌに滴下する。その際沈澱析出する固体を濾別
し、３回それぞれ水５０ｍｌで洗浄する。この固体を更
にまずエチルアセテート５００ｍｌ中で２４時間、その
後イソプロパノール５００ｍｌ中で１８〜２０時間攪拌
する。引続き濾過し、更に３回それぞれイソプロパノー
ル５０ｍｌで洗浄する。その後まず約２０ｍバールで２
４時間、次いで約２ｍバールで４８時間それぞれ３０℃
で乾燥する。こうして製造されたジエステル（収量３４
ｇ）の融点は１８５℃である。
ヒドロキシスクシンイミドからなるジエステルの製造 １リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に３０．０ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカル
ボン酸（１１６．１ｍモル）及び２６．７ｇのＮ−ヒド
ロキシスクシンイミド（２３２．２ｍモル）を乾燥Ｎ−
メチルピロリドン３１０ｍｌに攪拌しながら溶かす。そ
の際得られる溶液を−１５℃に冷却し、更に４７．９ｇ
のジシクロヘキシルカルボジイミドの溶液（２３２．２
ｍモル）をＮ−メチルピロリドン２６５ｍｌに徐々に滴
下する。添加終了後反応溶液をまず約−１５℃で２時
間、次いで約２３℃で２４時間、更に約８０℃で６時間
攪拌する。室温に冷却後この反応溶液を約１８〜２０時
間放置する。その後この沈澱生成物（ジシクロヘキシル
尿素）を濾別し、この清澄な反応溶液を激しく攪拌しな
がら徐々に水３容量部に対して酢酸１容量部の混合物３
０００ｍｌに滴下する。その際沈澱析出する固体を濾別
し、３回それぞれ水５０ｍｌで洗浄する。この固体を更
にまずエチルアセテート５００ｍｌ中で２４時間、その
後イソプロパノール５００ｍｌ中で１８〜２０時間攪拌
する。引続き濾過し、更に３回それぞれイソプロパノー
ル５０ｍｌで洗浄する。その後まず約２０ｍバールで２
４時間、次いで約２ｍバールで４８時間それぞれ３０℃
で乾燥する。こうして製造されたジエステル（収量３４
ｇ）の融点は１８５℃である。
【００２７】例 ３ ジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボン酸及び１−
ヒドロキシベンゾトリアゾールからなるジエステルの製
造 ４リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に２０４ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボ
ン酸（０．７９モル）及び２６８ｇの１−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール（１．９８４モル）を乾燥Ｎ−メチル
ピロリドン８００ｍｌに攪拌しながら溶かす。この溶液
に氷冷（約０℃の内部温度）下にＮ−メチルピロリドン
８００ｍｌに入れた４５６ｇのジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの溶液（２．２１モル）を３時間以内に滴下す
る。添加終了後反応溶液を約０℃で２時間攪拌し、次い
で更にＮ−メチルピロリドン８００ｍｌを加え、この溶
液を２０時間約２３℃で放置する。その後この反応溶液
を再び約０℃に冷却し、沈澱生成物（ジシクロヘキシル
尿素）を濾別し、４回それぞれ冷たいＮ−メチルピロリ
ドン１００ｍｌで洗浄する。この清澄な濾過物をＮ−メ
チルピロリドン総計４リットルで希釈し、更に激しく攪
拌しながら蒸留水８００ｍｌに徐々に滴下する。その際
沈澱析出する固体を濾別し、４回それぞれイソプロパノ
ール２００ｍｌで洗浄し、イソプロパノール１５００ｍ
ｌで懸濁させる。更に１５分間還流下に加熱し、室温に
冷却し、濾過する。その後まず約２０ｍバールで２４時
間、次いで約２ｍバールで４８時間それぞれ３０℃で乾
燥する。こうして製造されたジエステル（収量１７５
ｇ）の融点は１９８℃である。
ヒドロキシベンゾトリアゾールからなるジエステルの製
造 ４リットル三頸フラスコ中で窒素（保護ガスとして）下
に２０４ｇのジフェニルエーテル−４，４′−ジカルボ
ン酸（０．７９モル）及び２６８ｇの１−ヒドロキシベ
ンゾトリアゾール（１．９８４モル）を乾燥Ｎ−メチル
ピロリドン８００ｍｌに攪拌しながら溶かす。この溶液
に氷冷（約０℃の内部温度）下にＮ−メチルピロリドン
８００ｍｌに入れた４５６ｇのジシクロヘキシルカルボ
ジイミドの溶液（２．２１モル）を３時間以内に滴下す
る。添加終了後反応溶液を約０℃で２時間攪拌し、次い
で更にＮ−メチルピロリドン８００ｍｌを加え、この溶
液を２０時間約２３℃で放置する。その後この反応溶液
を再び約０℃に冷却し、沈澱生成物（ジシクロヘキシル
尿素）を濾別し、４回それぞれ冷たいＮ−メチルピロリ
ドン１００ｍｌで洗浄する。この清澄な濾過物をＮ−メ
チルピロリドン総計４リットルで希釈し、更に激しく攪
拌しながら蒸留水８００ｍｌに徐々に滴下する。その際
沈澱析出する固体を濾別し、４回それぞれイソプロパノ
ール２００ｍｌで洗浄し、イソプロパノール１５００ｍ
ｌで懸濁させる。更に１５分間還流下に加熱し、室温に
冷却し、濾過する。その後まず約２０ｍバールで２４時
間、次いで約２ｍバールで４８時間それぞれ３０℃で乾
燥する。こうして製造されたジエステル（収量１７５
ｇ）の融点は１９８℃である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 277/68 Ｃ０７Ｄ 277/68 277/70 277/70 311/18 311/18 311/54 311/54 Ｃ０８Ｇ 69/32 Ｃ０８Ｇ 69/32 (72)発明者 エバーハルト キユーン ドイツ連邦共和国 91334 ヘムホーフエ ン ベルクシユトラーセ 32
Claims (5)
- 【請求項１】 以下の構造式： 【化１】 ［式中Ｘ＝Ｏ、Ｓ、（ＣＦ2 ）ｍ、Ｃ（ＣＦ3 ）2 又は
ＣＦ2 −ＣＦ（ＣＦ3 ）であり、その際ｍ＝１〜１０で
あり、Ｒは以下の意味を有する： 【化２】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
Ｒ4 、Ｒ5 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関
係）であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 の少なくとも１個はＦ又はＣ
Ｆ3 であり、基Ｒ1 〜Ｒ5 のうち最大２個はＣＨ3 又は
ＣＦ3 である；また 【化３】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、＝Ｈ、
Ｆ、ＣＨ3 、ＣＦ3 、ＣＮ又はＮＯ2 （互いに無関係）
であり、基Ｒ1 及びＲ2 の少なくとも１個はＣＮ又はＮ
Ｏ2 である；また 【化４】 その際Ｄ＝Ｏ、Ｓ又はＮＨであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、
Ｒ4 ＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であ
り、基Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 で
ある；また 【化５】 その際Ｒ1 、Ｒ2 、＝Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互い
に無関係）である；また 【化６】 その際Ｚ＝Ｏ又はＳであり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 ＝
Ｈ、Ｆ、ＣＨ3 又はＣＦ3 （互いに無関係）であり、基
Ｒ1 〜Ｒ4 のうち最大２個はＣＨ3 又はＣＦ3 であ
る。］を特徴とするジカルボン酸誘導体。 - 【請求項２】 以下の構造式： 【化７】 のジカルボン酸エステル。
- 【請求項３】 以下の構造式： 【化８】 のジカルボン酸をカルボジイミドの存在下に構造式Ｒ−
Ｈ［式中Ｘ及びＲは請求項１記載の意味を有する。］の
化合物と反応させることを特徴とする請求項１又は２記
載のジカルボン酸誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 ジシクロヘキシルカルボジイミドの存在
下に反応を行うことを特徴とする請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 ビス−ｏ−アミノフェノール又はビス−
ｏ−アミノチオフェノールとの反応によりポリ−ｏ−ヒ
ドロキシアミド及びポリ−ｏ−メルカプトアミドの製造
に使用することを特徴とする請求項１又は２記載のジカ
ルボン酸誘導体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19532138.3 | 1995-08-31 | ||
| DE19532138 | 1995-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194431A true JPH09194431A (ja) | 1997-07-29 |
| JP3346995B2 JP3346995B2 (ja) | 2002-11-18 |
Family
ID=7770909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24551696A Expired - Lifetime JP3346995B2 (ja) | 1995-08-31 | 1996-08-28 | ジカルボン酸誘導体及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5750711A (ja) |
| EP (1) | EP0761641B1 (ja) |
| JP (1) | JP3346995B2 (ja) |
| DE (1) | DE59606616D1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000143639A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ジカルボン酸誘導体の製造方法およびそれを用いたポリベンゾオキサゾ―ル前駆体の製造方法 |
| JP2002069187A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線用層間絶縁膜及びそれに用いる樹脂の製造方法 |
| JP2005255612A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エチニル基を有する芳香族ジカルボン酸エステル及びその製造方法 |
| JP2006257031A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Air Water Inc | ジカルボン酸誘導体の製造方法 |
| JP2010270233A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの製造方法 |
| JP2015038223A (ja) * | 2014-10-17 | 2015-02-26 | 日本化薬株式会社 | ポリアミド樹脂の製造方法 |
| WO2022075383A1 (ja) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 味の素株式会社 | エステル化合物及び樹脂組成物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59711315D1 (de) * | 1996-12-11 | 2004-03-25 | Infineon Technologies Ag | Herstellung von Polybenzoxazol- und Polybenzothiazol-Vorstufen |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1393740A (en) * | 1971-12-27 | 1975-05-14 | Ajinomoto Kk | Process for producing activated esters or peptides |
| SU462823A1 (ru) * | 1973-04-06 | 1975-03-05 | Ленинградский Ордена Трудового Красного Знамени Технологический Институт Им. Ленсовета | Способ пполучени 4,41-бис(аминобензимидазолильных)мостиковых аналогов дифенила |
| DE2901843A1 (de) * | 1979-01-18 | 1980-07-31 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von carbonsaeureamiden und peptiden |
| DE2931297A1 (de) * | 1979-08-01 | 1981-02-19 | Siemens Ag | Waermebestaendige positivresists und verfahren zur herstellung waermebestaendiger reliefstrukturen |
| DE3411659A1 (de) * | 1984-03-29 | 1985-10-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur herstellung von polyoxazol- und polythiazol-vorstufen |
| US5021320A (en) * | 1986-10-02 | 1991-06-04 | Hoechst Celanese Corporation | Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group with O-quinone diazide in positive working photoresist |
| EP0291779B1 (de) * | 1987-05-18 | 1994-07-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Wärmebeständige Positivresists und Verfahren zur Herstellung wärmebeständiger Reliefstrukturen |
| US5037720A (en) * | 1987-07-21 | 1991-08-06 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxylated aromatic polyamide polymer containing bound naphthoquinone diazide photosensitizer, method of making and use |
| EP0391196A3 (de) * | 1989-04-06 | 1991-02-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Herstellung von Hydroxypolyamiden |
| US5219981A (en) * | 1991-03-01 | 1993-06-15 | The Dow Chemical Company | Semi-continuous process for synthesis of polybenzazole polymers |
| US5194568A (en) * | 1990-10-19 | 1993-03-16 | The Dow Chemical Company | Staged polymerization of polybenzazole polymers |
-
1996
- 1996-08-19 DE DE59606616T patent/DE59606616D1/de not_active Expired - Lifetime
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- 1996-08-28 US US08/704,213 patent/US5750711A/en not_active Expired - Lifetime
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2000143639A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-05-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ジカルボン酸誘導体の製造方法およびそれを用いたポリベンゾオキサゾ―ル前駆体の製造方法 |
| JP4556257B2 (ja) * | 1998-09-09 | 2010-10-06 | 住友ベークライト株式会社 | ジカルボン酸誘導体の製造方法およびそれを用いたポリベンゾオキサゾール前駆体の製造方法 |
| JP2002069187A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層配線用層間絶縁膜及びそれに用いる樹脂の製造方法 |
| JP2005255612A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エチニル基を有する芳香族ジカルボン酸エステル及びその製造方法 |
| JP2006257031A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Air Water Inc | ジカルボン酸誘導体の製造方法 |
| JP4716764B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-07-06 | エア・ウォーター株式会社 | ジカルボン酸誘導体の製造方法 |
| JP2010270233A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | ポリ−ｏ−ヒドロキシアミドの製造方法 |
| JP2015038223A (ja) * | 2014-10-17 | 2015-02-26 | 日本化薬株式会社 | ポリアミド樹脂の製造方法 |
| WO2022075383A1 (ja) * | 2020-10-07 | 2022-04-14 | 味の素株式会社 | エステル化合物及び樹脂組成物 |
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