JPH09190610A

JPH09190610A - 薄膜磁気ヘッド

Info

Publication number: JPH09190610A
Application number: JP33614196A
Authority: JP
Inventors: Mikio Matsuzaki; 幹男松崎
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1996-12-16
Filing date: 1996-12-16
Publication date: 1997-07-22
Anticipated expiration: 2016-12-16
Also published as: JP2793580B2

Abstract

(57)【要約】【課題】１つの磁気変換素子を備える場合に取出電極の
縦幅及び横幅を増大させ、取出電極に対する外部リード
導体接続を容易化する。【解決手段】薄膜磁気変換素子１は、レール部１０１に
のみ備えられている。取出電極４１、４２は、薄膜磁気
変換素子２から見て、近い位置と遠い位置の２つの配置
位置を生じる関係で、スライダ１の一端面上において、
幅方向に横並びに配置されている。薄膜磁気変換素子２
に最も近い位置の取出電極４１は、薄膜磁気変換素子２
までの距離Ｄ１が、電極横幅Ｂ１よりも小さくなる位置
に配置されている。また、最も遠い位置の取出電極４２
は、スライダ１の幅方向の遠位端Ｅまでの距離が、電極
横幅Ｂ２よりも小さくなる位置に配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、磁気ディスク装置には、磁気
記録媒体の走行によって生じる動圧を利用して、磁気記
録媒体との間に微小な空気ベアリングによる間隙を保っ
て浮上する薄膜磁気ヘッドが用いられている。その基本
的な構成は、磁気記録媒体と対向する面側に浮上面を有
するスライダの空気流出端部側に薄膜磁気変換素子を備
える構造となっている。図７は米国特許第4,856,181号
等で知られたこの種の薄膜磁気ヘッドの基本的な構造を
示し、セラミック構造体でなるスライダ１の媒体対向面
側に、間隔をおいて２本のレール部１０１、１０２を突
設し、レール部１０１、１０２の表面を高度の平面度を
有する浮上面１０３、１０４とすると共に、レール部１
０１、１０２の空気流出方向ａの端部のそれぞれに薄膜
磁気変換素子２Ａ、２Ｂを設けてある。

【０００３】４１Ａ、４２Ａは薄膜磁気変換素子２Ａの
取出電極、４１Ｂ、４２Ｂは薄膜磁気変換素子２Ｂの取
出電極であり、薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを設けた端
面と同一の端面１０５において、厚み方向に縦並びに配
置されている。取出電極（４１Ａ、４２Ａ)、（４１Ｂ、
４２Ｂ）は薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂのコイル（図示
しない）に導通接続されていて、磁気ディスク装置のリ
ード導体が接続固定される。

【０００４】磁気ディスク装置に装着して使用する場
合、２つの薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂが同時に使用さ
れる訳ではなく、何れか一方だけが使用される。薄膜磁
気変換素子２Ａ、２Ｂのどちらを使用するかは、主とし
て、磁気ディスク装置側の要求によって定まる。例えば
磁気ディスクの両面側で記録再生を行なう場合、表側の
記録再生時には薄膜磁気変換素子２Ａを使用し、裏側の
記録再生には薄膜磁気変換素子２Ｂを使用する。そこ
で、薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂが何れが要求された場
合でも対応できるように、レール部１０１、１０２の両
者に薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを設けてある。

【０００５】薄膜磁気変換素子２Ａ、２ＢはＩＣ製造テ
クノロジと同様のプロセスにしたがって形成された薄膜
素子である。

【０００６】この種の薄膜磁気ヘッドは、磁気記録の高
密度化及び高速化に対応するため、ますます、小型化さ
れる傾向にある。小型化のメリットに関しては、特開昭
６４ー２１７１３号公報に詳しく述べられており、高密
度記録を達成するのに必要な浮上量減少及びスペーシン
グロス低下に有効であること、ジンバルとの組合せにお
いて、共振周波数を高め、クラッシュ防止及び耐久性向
上に効果があること、動圧と支持バネ圧との間の適正な
バランスを保ち、フライト姿勢を良好に保ち、安定な浮
上特性が得られること、小型化によるヘッドの質量減少
はアームのアクセス運動の高速化をもたらすこと等の種
々のメリットが得られる。

【０００７】更に、薄膜磁気ヘッドの小型化のうちで
も、薄型化は、磁気ディスク装置のヘッドディスクアセ
ンブリにおいて、薄膜磁気ヘッドの配置される磁気ディ
スク間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数を増大さ
せ、記憶容量を増大させるのに有効である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図７に示した
薄膜磁気ヘッドには、次のような問題点があった。（Ａ）薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを有する端面１０５
上において、取出電極（４１Ａ、４２Ａ)、（４１Ｂ、４
２Ｂ）を厚み方向に縦並びに配置してあったため、スラ
イダ１をある厚み以下には薄くすることができない。こ
のため、小型化及び薄型化に限界を生じていた。（Ｂ）小型化を図った場合、取出電極（４１Ａ、４２
Ａ)、（４１Ｂ、４２Ｂ）の面積も小さくなるのは当然で
ある。このため、ヘッド支持装置と組合せて薄膜磁気ヘ
ッド装置を構成する場合、磁気ディスク装置に導かれる
リード導体を接続するための面積が小さくなり、リード
導体接続作業がしにくくなると共に、取出電極間の距離
が短くなり、半田ブリッジ等を生じ易くなる。（Ｃ）磁気ディスク装置に装着して使用する場合、２つ
の薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂの何れか一方だけが使用
される。それにも拘わらず、２つの薄膜磁気変換素子２
Ａ、２Ｂを備えているため、薄膜磁気変換素子に起因す
るトラブル発生の確率が高くなる。例えば、浮上面１０
３、１０４の平面度を出すための研磨工程における割
れ、クラック等の発生確率は薄膜磁気変換素子の数が多
い程、高くなる。これらの欠陥は歩留りを低下させ、浮
上特性及び読み書き動作に悪影響を与えることがある。（Ｄ）１個の薄膜磁気変換素子があればよいのに、２個
の薄膜磁気変換素子２Ａ、２Ｂを備え、薄膜磁気変換素
子２Ａ、２Ｂ毎に引出端子導体（４１Ａ、４２Ａ)、（４
１Ｂ、４２Ｂ）を形成していたため、引出端子導体（４
１Ａ、４２Ａ)、（４１Ｂ、４２Ｂ）を形成するのに必要
な面積以下には小型化できない。このため、高密度記録
対応の小型の磁気ヘッドを得ることが困難になってい
る。

【０００９】別の従来技術として、特開昭６２ー８３０
７号公報には、スライダの浮上面とは反対側の面を部分
的に削除して質量を小さくし、磁気ディスクの面ぶれに
対する追従性を向上させる技術が開示されている。しか
し、この従来技術では、スライダの形状が複雑化するた
め、薄膜磁気ヘッドに対するヘッド支持装置の取付けが
不安定になり易い。また、薄膜磁気変換素子の取出電極
を厚み方向に縦並びに配置してあったので、上記した問
題点を解決することができない。

【００１０】別の従来技術として、実開平１ー１７７４
０８号公報は、磁気ヘッドを構成する素子を、２本のレ
ール部の一方にのみ備えた磁気ヘッドを開示している。
この先行技術によれば、１個の素子に必要なスペースま
で小型化できる。しかし、磁気ヘッドにおいて、比較的
大きな面積を占める取出電極（ボンディングパッド）に
関しては、従来の配置構造を踏襲するに留り、小型化に
有効な配置構造を開示していない。

【００１１】本発明の課題は、１個の薄膜磁気変換素子
に必要なスペースまで小型化でき、高密度記録及び高速
化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。

【００１２】本発明のもう一つの課題は、薄膜磁気変換
素子に起因するトラブル発生の確率を低下させ、歩留り
を向上させた薄膜磁気ヘッドを提供することである。

【００１３】本発明の更にもう一つの課題は、スライダ
の厚みを、１つの取出電極の幅に対応した厚みまで薄型
化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大化に極
めて有効な小型、かつ、薄型の薄膜磁気ヘッドを提供す
ることである。

【００１４】本発明の更にもう一つの課題は、スライダ
の厚み方向で見た取出電極の縦幅を増大させ、取出電極
に対する外部のリード導体接続を容易化した薄膜磁気ヘ
ッドを提供することである。

【００１５】本発明の更にもう一つの課題は、スライダ
の幅方向で見た取出電極の横幅を増大させ、取出電極に
対する外部リード導体接続を容易化した薄膜磁気ヘッド
を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上述する課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、レール部を有する
スライダと、前記スライダに備えられた薄膜磁気変換素
子とを有する。

【００１７】前記レール部は、少なくとも２本であっ
て、それぞれは前記スライダの厚さ方向の一面に設けら
れ、前記スライダの幅方向に互いに間隔を隔てて対向
し、前記スライダの長さ方向に延び、少なくとも一つは
前記スライダの幅方向の一端縁に沿って備えられてい
る。

【００１８】前記薄膜磁気変換素子は、前記長さ方向に
位置する前記スライダの一端面において、前記レール部
のうち、前記スライダの幅方向の一端縁に沿って備えら
れた前記レール部の一方にのみ備えられている。

【００１９】前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、少な
くとも２つであって、前記薄膜磁気変換素子から見て、
近い位置と遠い位置の２つの配置位置を生じる関係で、
前記スライダの前記一端面上において、前記幅方向に横
並びに配置されている。

【００２０】そして、最も近い位置の取出電極は、前記
薄膜磁気変換素子までの距離が、電極横幅以下となる位
置に配置されており、最も遠い位置の取出電極は、前記
スライダの幅方向の遠位端までの距離が、電極横幅以下
となる位置に配置されている。

【００２１】更に好ましくは、前記取出電極のうち、隣
接する取出電極は、相互間の距離が、前記電極横幅より
も小さくなる位置に配置されている。

【００２２】スライダに設けられる２本のレール部の一
方にのみ、薄膜磁気変換素子を備えるので、１個の薄膜
磁気変換素子に必要なスペースまで小型化でき、高密度
記録及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。また、薄膜磁気変換素子が従来の２個から１個に
なるので、薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の
確率が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上
特性及び磁気記録再生特性が得られる。

【００２３】更に、薄膜磁気変換素子の取出電極は、レ
ール部の長さ方向と直交する幅方向に横並びに配置され
ているので、スライダが１つの取出電極の幅に対応した
厚みまで薄型化できる。このため、一層小型で、高密度
記録及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。

【００２４】また、薄型になるため、磁気ディスク装置
のヘッドディスクアセンブリにおいて、薄膜磁気ヘッド
の配置される磁気ディスク間の間隔を小さくし、磁気デ
ィスクの枚数を増大させ、記憶容量を増大させることが
できる。

【００２５】しかも、取出電極を横並びに配置してある
ので、スライダの厚み方向に一致する取出電極の縦幅を
増大できる。このため、取出電極に対する外部のリード
導体接続が容易になる。

【００２６】更に、最も近い位置の取出電極は、薄膜磁
気変換素子までの距離が、電極横幅以下となる位置に配
置されており、最も遠い位置の取出電極は、スライダの
幅方向の遠位端までの距離が、電極横幅以下となる位置
に配置されている。この取出電極の配置によれば、スラ
イダの端面の幅を最大限利用し、スライダの幅方向で見
た取出電極の横幅を増大させ、取出電極に対する外部リ
ード導体接続を容易化することができる。また、２つ以
上の取出電極数が必要になった場合も、スライダの端面
の幅を最大限利用し、容易に対応することができる。

【００２７】少なくとも２つ備えられる取出電極のう
ち、隣接する取出電極は、相互間の距離が、前記電極幅
よりも小さくなる位置に配置されている場合は、スライ
ダの端面の幅の利用効率を一層高めることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの斜視図である。図７と同一の参照符号は同一性ある
構成部分を示している。スライダ１は、Al₂O₃ ・TiC等で
構成される基体部分１１０に、Al₂O₃ 等でなる絶縁膜１
２０をスパッタ等の手段によって付着させた構造となっ
ていて、絶縁膜１２０の上に薄膜磁気変換素子２を設け
てある。

【００２９】スライダ１に形成された２本のレール部１
０１、１０２のうち、レール部１０１の空気流出端部に
のみ薄膜磁気変換素子２を備えさせ、レール部１０２に
は薄膜磁気変換素子は備えない。図示とは逆に、レール
部１０２にのみ、薄膜磁気変換素子２を備えさせ、レー
ル部１０１には薄膜磁気変換素子２を備えない構成であ
ってもよい。レール部１０１、１０２のどちらに薄膜磁
気変換素子２を設けるかは、前述したように、磁気ディ
スク装置の要求によって定まる。

【００３０】上述のように、薄膜磁気変換素子２は、レ
ール部１０１、１０２の長さ方向に位置するスライダ１
の一端面１０５において、２本のレール部１０１、１０
２の一方にのみ備えられているので、スライダ１の端面
１０５の面積を、１個の薄膜磁気変換素子２に必要なス
ペースまで小型化でき、高密度記録及び高速化に対応し
た小型の薄膜磁気ヘッドが得られる。また、薄膜磁気変
換素子２が従来の２個から１個になるので、薄膜磁気変
換素子２に起因するトラブル発生の確率が低下し、歩留
りが向上すると共に、安定した浮上特性及び磁気記録再
生特性が得られる。

【００３１】薄膜磁気変換素子２の取出電極４１、４２
は、薄膜磁気変換素子２から見て、近い位置と遠い位置
の２つの配置位置を生じる関係で、スライダ１の長さ方
向の一端面において、レール部１０１、１０２の長さ方
向と直交する幅方向に横並びに配置されている。スライ
ダ１の厚みＴは、１つの取出電極４１または４２の縦幅
Ｗに応じた厚みまで薄型化できる。このため、一層小型
で、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜磁気ヘ
ッドが得られる。また、薄くなるため、磁気ディスク装
置のヘッドディスクアセンブリにおいて、磁気ディスク
間の間隔を小さくし、磁気ディスクの枚数を増大させ、
記憶容量を増大させることができる。

【００３２】しかも、取出電極４１、４２を横並びに配
置してあるので、スライダ１の厚み方向に一致する取出
電極の縦幅Ｗを増大できる。このため、取出電極４１、
４２に対する外部のリード導体接続が容易になる。

【００３３】取出電極４１、４２のうち、薄膜磁気変換
素子２に最も近い位置の取出電極４１は、薄膜磁気変換
素子２までの距離Ｄ１が、電極横幅Ｂ１よりも小さくな
る位置に配置されている。なお、電極横幅Ｂ１はスライ
ダ１の幅方向で見た寸法である。

【００３４】また、最も遠い位置の取出電極４２は、ス
ライダ１の幅方向の遠位端Ｅまでの距離が、電極横幅Ｂ
２よりも小さくなる位置に配置されている。遠位端Ｅ
は、薄膜磁気変換素子２を基準にしてみたときの端部で
ある。

【００３５】この取出電極４１、４２の配置によれば、
スライダ１の端面の幅Ｂｏを最大限利用し、スライダ１
の幅方向で見た取出電極４１、４２の横幅Ｂ１、Ｂ２を
増大させ、取出電極４１、４２に対する外部リード導体
接続を容易化することができる。また、２つ以上の取出
電極数が必要になった場合も、スライダ１の端面の幅Ｂ
ｏを最大限利用し、容易に対応することができる。図示
はされていないが、取出電極の個数が３〜４個になった
場合も、最も近い取出電極及び最も遠い取出電極に関し
ては、本発明による配置を適用することができる。

【００３６】取出電極４１、４２は、取出電極４１及び
取出電極４２の相互間の距離Ｄ３が、電極横幅Ｂ１、Ｂ
２よりも小さくなる位置に配置されている。この配置に
よれば、スライダ１の端面の幅Ｂｏの利用効率を一層高
めることができる。

【００３７】図２は面内記録再生用の薄膜磁気変換素子
２の付近の拡大斜視図、図３は同じく拡大断面図、図４
は取出電極付近の拡大断面図である。スライダ１は、ア
ルティック等で構成される基体部分１１０に、Al₂O₃ 等
でなる絶縁膜１２０をスパッタ等の手段によって付着さ
せた構造となっていて、絶縁膜１２０の上に薄膜磁気変
換素子２を設けてある。

【００３８】２１はパーマロイ等でなる下部磁性膜、２
２はAl₂O₃ 等で形成されたギャップ膜、２３はコイル
膜、２４１〜２４３はフォトレジスト等で形成された層
間絶縁膜、２５はパーマロイ等でなる上部磁性膜であ
る。２６はAl₂O₃ 等の保護膜、２７、２８はリード導体
である。

【００３９】下部磁性膜２１及び上部磁性膜２５は、先
端部がギャップ膜２２を介して対向するポール部２１
１、２５１となっていて、ポール部２１１、ギャップ膜
２２及びポール部２５１により、変換ギャップを構成し
ている。ポール部２１１、２５１にはヨーク部２１２、
２５２が連続しており、ヨーク部２１２、２５２は後方
の結合部２１３、２５３において磁気回路を完成するよ
うに互いに結合されている。コイル膜２３は結合部２１
３、２５３のまわりを渦巻状にまわるように形成されて
いる。コイル膜２３の両端はリード導体２７、２８に接
続されている。

【００４０】リード導体２７、２８は取出電極４１、４
２を形成する領域まで導出され、その端部に取出電極４
１、４２が形成されている。リード導体２７、２８は、
具体的には、パーマロイ／銅／チタンのメッキ膜として
形成する。

【００４１】取出電極４１、４２は、通常は、銅メッキ
膜等として構成され、図４に示すように、その表面には
金等の保護膜４３が付着される。銅メッキ膜の代りに半
田メッキ膜として設けられることもある。また、取出電
極４１、４２の周りは薄膜磁気変換素子２の全体を保護
する保護膜２６によって覆われている。

【００４２】図５は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に
別の実施例における要部の斜視図、図６は同じく取出電
極付近の拡大断面図を示している。この実施例の特徴
は、取出電極４１は、リード導体２７から立ち上がり、
上部がリード導体２７の外側に突出していて、リード導
体２７を支持する面との間に間隔Ｇ１を生じさせてお
り、リード導体２８は、取出電極４１の下に存在する間
隔を通って導かれていることである。このような構造で
あると、更に小型化、薄型化が可能になると共に、取出
電極４１、４２の面積拡大が可能になる。図５及び図６
に示す構造の取出電極４１、４２は、メッキ組成浴に添
加されるレベリング剤の量をコントロールすることによ
って、容易に得ることができる。

【００４３】図示は省略するが、本発明は垂直記録再生
用の薄膜磁気ヘッドにも適用が可能である。

【００４４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。（ａ）１個の薄膜磁気変換素子に必要なスペースまで小
型化でき、高密度記録及び高速化に対応した小型の薄膜
磁気ヘッドを提供できる。（ｂ）薄膜磁気変換素子に起因するトラブル発生の確率
が低下し、歩留りが向上すると共に、安定した浮上特性
及び磁気記録再生特性を有する薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。（ｃ）スライダが１つの取出電極の幅に対応した厚みま
で薄型化でき、高密度記録、高速化及び記憶容量の増大
化に極めて有効な小型、かつ、薄型の薄膜磁気ヘッドを
提供できる。（ｄ）スライダの厚み方向で見た取出電極の縦幅を増大
し、取出電極に対する外部のリード導体接続の容易な薄
膜磁気ヘッドを提供できる。（ｅ）スライダの幅方向で見た取出電極の横幅を増大さ
せ、取出電極に対する外部リード導体接続を容易化した
薄膜磁気ヘッドを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【図２】面内記録再生用の薄膜磁気変換素子の付近の拡
大斜視図である。

【図３】面内記録再生用の薄膜磁気変換素子の付近の拡
大断面図である。

【図４】取出電極付近の拡大断面図である。

【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例
における要部の斜視図である。

【図６】図５に示した実施例の取出電極付近の拡大断面
図である。

【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの斜視図である。

【符号の説明】

１スライダ２薄膜磁気変換素子１０１、１０２レール部４１、４２取出電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レール部を有するスライダと、前記スラ
イダに備えられた薄膜磁気変換素子とを有する薄膜磁気
ヘッドであって、前記レール部は、少なくとも２本であって、それぞれは
前記スライダの厚さ方向の一面に設けられ、前記スライ
ダの幅方向に互いに間隔を隔てて対向し、前記スライダ
の長さ方向に延び、少なくとも一つは前記スライダの幅
方向の一端縁に沿って備えられており、前記薄膜磁気変換素子は、前記長さ方向に位置する前記
スライダの一端面において、前記レール部のうち、前記
スライダの幅方向の一端縁に沿って備えられた前記レー
ル部の一方にのみ備えられており、前記薄膜磁気変換素子の取出電極は、少なくとも２つで
あって、前記薄膜磁気変換素子から見て、近い位置と遠
い位置の配置位置を生じる関係で、前記スライダの前記
一端面上において、前記幅方向に横並びに配置されてお
り、最も近い位置の取出電極は、前記薄膜磁気変換素子まで
の距離が、電極横幅以下となる位置に配置されており、最も遠い位置の取出電極は、前記スライダの幅方向の遠
位端までの距離が、電極横幅以下となる位置に配置され
ている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】請求項１に記載された薄膜磁気ヘッドで
あって、前記取出電極のうち、隣接する取出電極は、相互間の距
離が、前記電極横幅よりも小さくなる位置に配置されて
いる薄膜磁気ヘッド。