JPH09185063A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH09185063A JPH09185063A JP34331195A JP34331195A JPH09185063A JP H09185063 A JPH09185063 A JP H09185063A JP 34331195 A JP34331195 A JP 34331195A JP 34331195 A JP34331195 A JP 34331195A JP H09185063 A JPH09185063 A JP H09185063A
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- crystal display
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価で、密着性、配向性に優れた配向膜材料
を利用した液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 基板４と、この基板４の表面上にある透
明電極膜３と、基板表面上に形成された液晶配向膜１と
を含んでなる液晶表示素子において、液晶配向膜１とし
て、下記の一般式（Ｉ）で示されるポリカルボジイミド
化合物、あるいは、該ポリカルボジイミド化合物のカル
ボジイミド結合の全部または一部を一般式（II）または
一般式（III)で示される化合物により、付加あるいは架
橋せしめたポリマーを使用する。 【化１】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） Ｒ2 −ＸＨ （II） ＨＸ−Ｒ4 −ＸＨ （III) （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表し、Ｒ2 は一価の有機基を表
し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ 3 は水
素または一価の炭化水素基を表し、Ｒ4 は二価の有機基
を表す。）
を利用した液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 基板４と、この基板４の表面上にある透
明電極膜３と、基板表面上に形成された液晶配向膜１と
を含んでなる液晶表示素子において、液晶配向膜１とし
て、下記の一般式（Ｉ）で示されるポリカルボジイミド
化合物、あるいは、該ポリカルボジイミド化合物のカル
ボジイミド結合の全部または一部を一般式（II）または
一般式（III)で示される化合物により、付加あるいは架
橋せしめたポリマーを使用する。 【化１】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） Ｒ2 −ＸＨ （II） ＨＸ−Ｒ4 −ＸＨ （III) （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表し、Ｒ2 は一価の有機基を表
し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ 3 は水
素または一価の炭化水素基を表し、Ｒ4 は二価の有機基
を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示素子に関
し、特に、透明電極のパターンが形成された基板表面
に、ポリカルボジイミド化合物、またはその付加化合
物、またはこれらの化合物から加熱により誘導される架
橋物の膜を有する液晶表示素子に関する。
し、特に、透明電極のパターンが形成された基板表面
に、ポリカルボジイミド化合物、またはその付加化合
物、またはこれらの化合物から加熱により誘導される架
橋物の膜を有する液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶配向膜を設けた透明電極間に液晶を
配し、この液晶の分子が電極間で連続的に捩れた構造を
持つようにしたＴＮ液晶型の表示素子が実用化されてい
る。このＴＮ液晶型の表示素子に用いられる配向膜は、
紙や布等により材料をある一方向にラビングし、２つの
膜をそのラビング方向が互いに直交するように配設して
表示機能を発揮させるものである。
配し、この液晶の分子が電極間で連続的に捩れた構造を
持つようにしたＴＮ液晶型の表示素子が実用化されてい
る。このＴＮ液晶型の表示素子に用いられる配向膜は、
紙や布等により材料をある一方向にラビングし、２つの
膜をそのラビング方向が互いに直交するように配設して
表示機能を発揮させるものである。
【０００３】配向膜としては、その配向性能の良好な点
と液晶表示素子製造過程での耐熱性の面とから、ポリイ
ミドが使用されてきた。しかしながら、エンジニアリン
グプラスチックを目的とした全芳香族環型ポリイミドが
溶媒に不溶であることや、前駆体であるポリアミック酸
からの脱水によるイミド化反応の温度が高く、長時間を
要することなどの理由により、脂肪族環構造の導入へと
転換し、溶剤可溶型で容易にイミド化することの出来る
ポリイミドが開発されて配向膜用に使用されてきた。従
って、これらのポリイミドに用いられているモノマー
は、特異な構造を持つために、出発原料として入手が容
易ではなく、極めて高価であるという点で不利がある。
また、これらポリイミドは、基板あるいは導電膜との密
着性に劣るという欠点を有し、官能性シラン化合物やチ
タネート化合物の使用により、密着性を高める必要があ
る。
と液晶表示素子製造過程での耐熱性の面とから、ポリイ
ミドが使用されてきた。しかしながら、エンジニアリン
グプラスチックを目的とした全芳香族環型ポリイミドが
溶媒に不溶であることや、前駆体であるポリアミック酸
からの脱水によるイミド化反応の温度が高く、長時間を
要することなどの理由により、脂肪族環構造の導入へと
転換し、溶剤可溶型で容易にイミド化することの出来る
ポリイミドが開発されて配向膜用に使用されてきた。従
って、これらのポリイミドに用いられているモノマー
は、特異な構造を持つために、出発原料として入手が容
易ではなく、極めて高価であるという点で不利がある。
また、これらポリイミドは、基板あるいは導電膜との密
着性に劣るという欠点を有し、官能性シラン化合物やチ
タネート化合物の使用により、密着性を高める必要があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来技術の有する欠点に鑑み、安価で、密着性、配向
性に優れた配向膜材料を利用した液晶表示素子を提供す
ることを目的とする。
な従来技術の有する欠点に鑑み、安価で、密着性、配向
性に優れた配向膜材料を利用した液晶表示素子を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明者らは、下
記の一般式（Ｉ）で示されるポリカルボジイミド化合
物、あるいは、該ポリカルボジイミド化合物のカルボジ
イミド結合の全部または一部を下記の一般式（II）また
は一般式（III)で示される化合物により、付加あるいは
架橋せしめたポリマー、あるいは、前記のポリカルボジ
イミド化合物またはポリマーを熱架橋して得られた物質
が、透明電極を有する基板上に配設する配向膜として有
効であることを知見し、本発明の液晶表示素子を完成し
た。
記の一般式（Ｉ）で示されるポリカルボジイミド化合
物、あるいは、該ポリカルボジイミド化合物のカルボジ
イミド結合の全部または一部を下記の一般式（II）また
は一般式（III)で示される化合物により、付加あるいは
架橋せしめたポリマー、あるいは、前記のポリカルボジ
イミド化合物またはポリマーを熱架橋して得られた物質
が、透明電極を有する基板上に配設する配向膜として有
効であることを知見し、本発明の液晶表示素子を完成し
た。
【化８】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表す。）
または置換炭化水素基を表す。）
【化９】Ｒ2 −ＸＨ （II） （但し、Ｒ2 は一価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ3 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）
−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ3 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）
【化１０】ＨＸ−Ｒ4 −ＸＨ （III) （但し、Ｒ4 は二価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ5 −を表し、Ｒ5 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）
−，−ＮＲ5 −を表し、Ｒ5 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明を以下に詳細に説明する。ポリカルボジイミド化合物 本発明に使用されるポリカルボジイミド化合物は、耐熱
性高分子として有用であることが開示されている（J.Or
g.Chem.,28,2069(1963) 、米国特許第2,941,966号）。
ポリカルボジイミド化合物は、適切な溶媒中でカルボジ
イミド化触媒の存在下、ジイソシアネートの脱炭酸縮合
により製造されるが、一般に不溶性の架橋生成物を与え
るため、基板への塗布が困難であるなどの障害があっ
た。
性高分子として有用であることが開示されている（J.Or
g.Chem.,28,2069(1963) 、米国特許第2,941,966号）。
ポリカルボジイミド化合物は、適切な溶媒中でカルボジ
イミド化触媒の存在下、ジイソシアネートの脱炭酸縮合
により製造されるが、一般に不溶性の架橋生成物を与え
るため、基板への塗布が困難であるなどの障害があっ
た。
【０００７】本発明者らが特願平第７−１４０１４４号
に開示した方法のように、反応温度、反応時間等を制御
して分子量を調整する方法や、特開平第２−２９２３１
６号公報、特開平４−２７９６１８号公報に開示されて
いるテトラクロロエチレンなどのハロゲン化脂肪族炭化
水素系溶剤や、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテ
ル系溶剤を用いる方法によれば、ポリカルボジイミドが
安定な溶液として得られるので、本発明に採用される出
発物質として望ましい。本発明者らが特願平第７−１４
０１４５号に開示したハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
や、特願平第７−２０８６８９号に開示した芳香族カル
ボン酸エステル系溶剤も同様の理由により本発明におけ
る出発物質として採用できる。もちろん、本発明におい
て用いられるポリカルボジイミドは、これらの製造方法
により得られたものに制限されるものではなく、他の方
法によって得られる溶液状態のカルボジイミド結合を有
する化合物を使用することができる。
に開示した方法のように、反応温度、反応時間等を制御
して分子量を調整する方法や、特開平第２−２９２３１
６号公報、特開平４−２７９６１８号公報に開示されて
いるテトラクロロエチレンなどのハロゲン化脂肪族炭化
水素系溶剤や、テトラヒドロフランなどの脂環式エーテ
ル系溶剤を用いる方法によれば、ポリカルボジイミドが
安定な溶液として得られるので、本発明に採用される出
発物質として望ましい。本発明者らが特願平第７−１４
０１４５号に開示したハロゲン化芳香族炭化水素系溶剤
や、特願平第７−２０８６８９号に開示した芳香族カル
ボン酸エステル系溶剤も同様の理由により本発明におけ
る出発物質として採用できる。もちろん、本発明におい
て用いられるポリカルボジイミドは、これらの製造方法
により得られたものに制限されるものではなく、他の方
法によって得られる溶液状態のカルボジイミド結合を有
する化合物を使用することができる。
【０００８】本発明において用いられる有機ジイソシア
ネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネ
ート、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシ
アネート、メチレンビス（４−フェニルイソシアネー
ト）、ナフチレンジイソシアネート等が挙げられる。所
望の分子量に調整する目的と、後述する熱架橋における
発泡を防止する目的で、高分子末端の封止のためのモノ
イソシアネートを添加することも可能である。ここに用
いられるモノイソシアネートとしては、フェニルイソシ
アネート、トリルイソシアネート等が好適である。
ネートとしては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネ
ート、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシ
アネート、メチレンビス（４−フェニルイソシアネー
ト）、ナフチレンジイソシアネート等が挙げられる。所
望の分子量に調整する目的と、後述する熱架橋における
発泡を防止する目的で、高分子末端の封止のためのモノ
イソシアネートを添加することも可能である。ここに用
いられるモノイソシアネートとしては、フェニルイソシ
アネート、トリルイソシアネート等が好適である。
【０００９】本発明において使用し得るポリカルボジイ
ミドとしては、分子内にカルボジイミド結合を２以上有
するものであり、好ましくは３以上有するものが良く、
塗布性能を考慮した場合、より好ましくは５以上のもの
が良い。この重合度の上限は特にない。
ミドとしては、分子内にカルボジイミド結合を２以上有
するものであり、好ましくは３以上有するものが良く、
塗布性能を考慮した場合、より好ましくは５以上のもの
が良い。この重合度の上限は特にない。
【００１０】付加または架橋ポリカルボジイミド化合物 ポリカルボジイミドに一般式（II）で表される化合物を
付加する反応では、一般式（II）の化合物が水酸基また
はメルカプト基を有する化合物である場合、適当な溶媒
に溶解した状態で上記化合物に加えて、触媒としてアル
カリ金属またはアルカリ土類金属アルコラートが必要で
ある。しかし、一般式（II）で表される化合物がアミン
類である場合には、触媒を必要としない。
付加する反応では、一般式（II）の化合物が水酸基また
はメルカプト基を有する化合物である場合、適当な溶媒
に溶解した状態で上記化合物に加えて、触媒としてアル
カリ金属またはアルカリ土類金属アルコラートが必要で
ある。しかし、一般式（II）で表される化合物がアミン
類である場合には、触媒を必要としない。
【００１１】アルカリ金属またはアルカリ土類金属のア
ルコラートの添加量としては、極微量の触媒量で良く、
カルボジイミド結合のモル数に対して、０．１から２０
ｍｏｌ％、より好ましくは０．５から１０ｍｏｌ％の添
加量が好ましい。本発明におけるアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属のアルコラートとしては、カリウムメト
キシド、カリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カルシウムジメトキシド、マグ
ネシウムジメトキシド等が挙げられる。
ルコラートの添加量としては、極微量の触媒量で良く、
カルボジイミド結合のモル数に対して、０．１から２０
ｍｏｌ％、より好ましくは０．５から１０ｍｏｌ％の添
加量が好ましい。本発明におけるアルカリ金属またはア
ルカリ土類金属のアルコラートとしては、カリウムメト
キシド、カリウムエトキシド、ナトリウムメトキシド、
ナトリウムエトキシド、カルシウムジメトキシド、マグ
ネシウムジメトキシド等が挙げられる。
【００１２】これらの付加反応は室温程度でも短時間で
進行する。しかも、加えた水酸基、メルカプト基または
アミノ基を有する化合物は、ほぼ定量的に反応する。よ
り反応速度を高めたい場合は、溶媒の沸点までの加熱が
有効である。
進行する。しかも、加えた水酸基、メルカプト基または
アミノ基を有する化合物は、ほぼ定量的に反応する。よ
り反応速度を高めたい場合は、溶媒の沸点までの加熱が
有効である。
【００１３】従って、一般式（II）で表わされる化合物
の添加量は、目的によってカルボジイミド結合の全量、
またはその一部に付加するように調節することが可能
で、添加量によって、任意の割合で容易に制御すること
ができる。カルボジイミド結合を残存させた場合、更に
別の置換基の導入や、後述する自己架橋反応に利用する
こともでき、広い選択性を有している。
の添加量は、目的によってカルボジイミド結合の全量、
またはその一部に付加するように調節することが可能
で、添加量によって、任意の割合で容易に制御すること
ができる。カルボジイミド結合を残存させた場合、更に
別の置換基の導入や、後述する自己架橋反応に利用する
こともでき、広い選択性を有している。
【００１４】本発明において用いる、水酸基またはメル
カプト基を有する化合物としては、アルコール類、シラ
ノール類、チオール類、アミン類などが挙げられる。例
えば、アルコール類としては、メタノール、エタノー
ル、オクタノール、ベンジルアルコール、シラノール類
としては、トリメチルシラノール、トリエチルシラノー
ル、ジフェニルメチルシラノールなどがある。チオール
類としては、エタンチオール、チオベンジルアルコール
などがある。アミン類としては、ブチルアミン、アニリ
ン、シクロヘキシルアミン、α−アミノプロピルポリオ
キシエチレン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、α−アミノプロピルポリシロキサンなどがある。
カプト基を有する化合物としては、アルコール類、シラ
ノール類、チオール類、アミン類などが挙げられる。例
えば、アルコール類としては、メタノール、エタノー
ル、オクタノール、ベンジルアルコール、シラノール類
としては、トリメチルシラノール、トリエチルシラノー
ル、ジフェニルメチルシラノールなどがある。チオール
類としては、エタンチオール、チオベンジルアルコール
などがある。アミン類としては、ブチルアミン、アニリ
ン、シクロヘキシルアミン、α−アミノプロピルポリオ
キシエチレン、３−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、α−アミノプロピルポリシロキサンなどがある。
【００１５】架橋反応は、付加反応と同様に行うことが
出来る。本発明では基板上への塗布性能を阻害すること
を避けるべく、ジオール、ジチオールまたはジアミンの
添加量、即ち、架橋度は低く抑えることが必要であり、
カルボジイミド結合に対するジオール、ジチオールまた
はジアミンの添加量は、当量比で０．５以下、好ましく
は０．２〜０．０００１、より好ましくは０．１〜０．
００１である。
出来る。本発明では基板上への塗布性能を阻害すること
を避けるべく、ジオール、ジチオールまたはジアミンの
添加量、即ち、架橋度は低く抑えることが必要であり、
カルボジイミド結合に対するジオール、ジチオールまた
はジアミンの添加量は、当量比で０．５以下、好ましく
は０．２〜０．０００１、より好ましくは０．１〜０．
００１である。
【００１６】本発明において用いられる水酸基またはメ
ルカプト基を有する化合物としては、アルコール類、シ
ラノール類、チオール類、アミン類などが挙げられる。
例えば、アルコール類としては、ブタンジオール、デカ
ンジオール、ノボラック樹脂がある。シラノール類とし
ては、ジフェニルシランジオール、両末端水酸基を有す
るポリシロキサンがある。チオール類としては、エタン
ジチオール、デカンジチオールなどがある。アミン類と
しては、ブチレンジアミン、フェニレンジアミン、デシ
レンジアミン、α，ω−ビス（アミノプロピル）ポリオ
キシエチレン、α，ω−ビス（アミノプロピル）ポリシ
ロキサンなどがある。
ルカプト基を有する化合物としては、アルコール類、シ
ラノール類、チオール類、アミン類などが挙げられる。
例えば、アルコール類としては、ブタンジオール、デカ
ンジオール、ノボラック樹脂がある。シラノール類とし
ては、ジフェニルシランジオール、両末端水酸基を有す
るポリシロキサンがある。チオール類としては、エタン
ジチオール、デカンジチオールなどがある。アミン類と
しては、ブチレンジアミン、フェニレンジアミン、デシ
レンジアミン、α，ω−ビス（アミノプロピル）ポリオ
キシエチレン、α，ω−ビス（アミノプロピル）ポリシ
ロキサンなどがある。
【００１７】熱架橋 加熱により、カルボジイミド結合同士が反応して四員環
または六員環構造を形成して、線状高分子であるポリカ
ルボジイミド化合物の自己架橋が達成される。従って、
一般式（Ｉ）の繰り返し単位からなるポリカルボジイミ
ド化合物は勿論、一般式（II）または（III)で示される
化合物による付加または架橋を行ったポリマーについて
も、一般式（II）または（III)で示される化合物の添加
量を制限した場合には、カルボジイミド結合の加熱によ
る自己架橋が可能である。この熱架橋の目的は、架橋に
よる機械的強度と耐熱性の向上に加えて、基板との密着
性の増大にある。この架橋のための熱処理の温度範囲
は、５０〜３００℃、好ましくは１００〜２００℃、更
に好ましくは１５０〜２００℃であり、この温度範囲に
１〜３０分間程度保持するだけで良い。なお、この熱処
理は、基板に塗布した後に行うことができる。
または六員環構造を形成して、線状高分子であるポリカ
ルボジイミド化合物の自己架橋が達成される。従って、
一般式（Ｉ）の繰り返し単位からなるポリカルボジイミ
ド化合物は勿論、一般式（II）または（III)で示される
化合物による付加または架橋を行ったポリマーについて
も、一般式（II）または（III)で示される化合物の添加
量を制限した場合には、カルボジイミド結合の加熱によ
る自己架橋が可能である。この熱架橋の目的は、架橋に
よる機械的強度と耐熱性の向上に加えて、基板との密着
性の増大にある。この架橋のための熱処理の温度範囲
は、５０〜３００℃、好ましくは１００〜２００℃、更
に好ましくは１５０〜２００℃であり、この温度範囲に
１〜３０分間程度保持するだけで良い。なお、この熱処
理は、基板に塗布した後に行うことができる。
【００１８】塗布 本発明に用いられるポリカルボジイミド化合物、付加体
または架橋体は、溶剤を用いて、固形分濃度０．１〜２
０重量％、好ましくは０．５〜１５重量％の濃度の溶液
に調製して用いられる。ここで用いられる溶剤は、トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤や、テトラ
クロロエチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化
水素系溶剤、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンな
どの脂環式エーテル、さらに、ケトンや、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、ベンゾニトリル、安息香酸エステ
ルなどの芳香族ケトン、ニトリル、カルボン酸エステル
などが使用できる。調製された溶液は、ロールコーター
法、スピンナー法、印刷法などにより塗布される。次い
で、常法により乾燥し、使用に供することができる。塗
布の厚みは、０．０１〜１０μｍ、特に０．０１〜１μ
ｍが好ましい。
または架橋体は、溶剤を用いて、固形分濃度０．１〜２
０重量％、好ましくは０．５〜１５重量％の濃度の溶液
に調製して用いられる。ここで用いられる溶剤は、トル
エン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤や、テトラ
クロロエチレン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化
水素系溶剤、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノンな
どの脂環式エーテル、さらに、ケトンや、ベンゾフェノ
ン、アセトフェノン、ベンゾニトリル、安息香酸エステ
ルなどの芳香族ケトン、ニトリル、カルボン酸エステル
などが使用できる。調製された溶液は、ロールコーター
法、スピンナー法、印刷法などにより塗布される。次い
で、常法により乾燥し、使用に供することができる。塗
布の厚みは、０．０１〜１０μｍ、特に０．０１〜１μ
ｍが好ましい。
【００１９】このようにして得た薄膜は、更に熱処理に
よって機械的強度や、密着性、耐熱性を増大させること
ができる。この熱処理の加熱温度範囲は、５０〜３００
℃、好ましくは１００〜２００℃、更に好ましくは１５
０〜２００℃であり、この温度範囲に１〜３０分間程度
保持するだけで良い。この薄膜にラビング処理を施して
配向膜を得、配向方向が直交するように二つの配向膜を
対向させる。適宜封止を施し、液晶の封入と封入口の密
封を行い、偏向板を配して液晶表示素子を製造すること
が出来る。
よって機械的強度や、密着性、耐熱性を増大させること
ができる。この熱処理の加熱温度範囲は、５０〜３００
℃、好ましくは１００〜２００℃、更に好ましくは１５
０〜２００℃であり、この温度範囲に１〜３０分間程度
保持するだけで良い。この薄膜にラビング処理を施して
配向膜を得、配向方向が直交するように二つの配向膜を
対向させる。適宜封止を施し、液晶の封入と封入口の密
封を行い、偏向板を配して液晶表示素子を製造すること
が出来る。
【００２０】
【実施例】合成例１ ２，４−トリレンジイソシアネートからのポリカルボジ
イミドの合成 市販の２，４−トリレンジイソシアネートを５．４０
ｇ、フェニルイソシアネートを９０ｍｇ、３−メチル−
１−フェニル−３−ホスホレン−１−オキシドを１２．
０ｍｇ、反応溶媒としてクロロベンゼンを５０ｍｌを加
え、窒素雰囲気下で攪拌しながら４時間還流することに
よりポリカルボジイミド溶液を得た。
イミドの合成 市販の２，４−トリレンジイソシアネートを５．４０
ｇ、フェニルイソシアネートを９０ｍｇ、３−メチル−
１−フェニル−３−ホスホレン−１−オキシドを１２．
０ｍｇ、反応溶媒としてクロロベンゼンを５０ｍｌを加
え、窒素雰囲気下で攪拌しながら４時間還流することに
よりポリカルボジイミド溶液を得た。
【００２１】合成例２ α，ω−ビス（アミンプロピル）ポリシロキサンによる
架橋 合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．６１
５ｇ（カルボジイミド結合は４．６５ｍｍｏｌ）を溶解
したクロロベンゼン７．５ｍｌの溶液に、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均
分子量：８４０）３９ｍｇ（カルボジイミド結合に対し
てアミノ基２ｍｏｌ％相当）を溶解したクロロベンゼン
２２．５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＧＰＣによる分子量の測定により、Ｍｎ＝５８３０（Ｍ
ｗ／Ｍｎ＝２．２１）からＭｎ＝９７９２（Ｍｗ／Ｍｎ
＝２．２３）へと分子量の増加が認められた。
架橋 合成例１の方法で得られたポリカルボジイミド０．６１
５ｇ（カルボジイミド結合は４．６５ｍｍｏｌ）を溶解
したクロロベンゼン７．５ｍｌの溶液に、α，ω−ビス
（３−アミノプロピル）ポリジメチルシロキサン（平均
分子量：８４０）３９ｍｇ（カルボジイミド結合に対し
てアミノ基２ｍｏｌ％相当）を溶解したクロロベンゼン
２２．５ｍｌを加え、室温で１時間攪拌した。反応液の
ＧＰＣによる分子量の測定により、Ｍｎ＝５８３０（Ｍ
ｗ／Ｍｎ＝２．２１）からＭｎ＝９７９２（Ｍｗ／Ｍｎ
＝２．２３）へと分子量の増加が認められた。
【００２２】実施例１ 合成例２で得られた溶液を、所定のＩＴＯ透明電極をパ
ターン形成したガラス基板の上にスピンナーによりスピ
ンコートした。塗布後、４０℃のオーブンに入れ、真空
下で３０分間乾燥させ、０．３μｍ厚の塗膜を得た。こ
の透過率は３００〜７００ｎｍの波長範囲で９５％以上
であった。
ターン形成したガラス基板の上にスピンナーによりスピ
ンコートした。塗布後、４０℃のオーブンに入れ、真空
下で３０分間乾燥させ、０．３μｍ厚の塗膜を得た。こ
の透過率は３００〜７００ｎｍの波長範囲で９５％以上
であった。
【００２３】次いで、この一対の基板の塗布面を一方向
に布でラビングし、配向方向が直交するようにセルを組
み立てた。次に、エポキシ樹脂とタルク、硬化剤、１０
μｍの酸化アルミニウムスペーサーの混合物でこのセル
を封止し、フェニルシクロヘキサン系液晶を注入、封口
した。セルの外側に偏向方向が配向膜のラビング方向に
一致させるように偏向板を貼り合わせ、本実施例にかか
る液晶表示素子を完成させた。得られた素子の配向状態
を調べたが、良好な配向状態を示した。また、８０℃、
２００時間の高温環境試験を行なったが、素子の表示特
性に何らの変化も認められなかった。図１に本発明に係
る液晶表示素子の一例の断面を示す。透明電極３を設け
た基板４の上に配向膜１を載せ、配向処理を施す。２枚
の基板４を対向させたものに、偏向板５とシール部６と
を取り付け、液晶組成物２を封入する。
に布でラビングし、配向方向が直交するようにセルを組
み立てた。次に、エポキシ樹脂とタルク、硬化剤、１０
μｍの酸化アルミニウムスペーサーの混合物でこのセル
を封止し、フェニルシクロヘキサン系液晶を注入、封口
した。セルの外側に偏向方向が配向膜のラビング方向に
一致させるように偏向板を貼り合わせ、本実施例にかか
る液晶表示素子を完成させた。得られた素子の配向状態
を調べたが、良好な配向状態を示した。また、８０℃、
２００時間の高温環境試験を行なったが、素子の表示特
性に何らの変化も認められなかった。図１に本発明に係
る液晶表示素子の一例の断面を示す。透明電極３を設け
た基板４の上に配向膜１を載せ、配向処理を施す。２枚
の基板４を対向させたものに、偏向板５とシール部６と
を取り付け、液晶組成物２を封入する。
【００２４】実施例２ 実施例１と同様に合成例２で得られた溶液を塗布し、乾
燥させた後、２００℃のオーブンで１５分間加熱して架
橋を行い、配向膜を得た。配向膜に基盤目試験を行った
が、剥がれる部分は全く見られなかった。また、沸騰水
中に３時間浸漬した耐水試験、並びにトルエン沸騰中に
３時間浸漬した耐溶剤試験においても、配向膜が剥離す
ることはなかった。更に別途、同様な配向膜を形成し、
実施例１と同様にして液晶表示素子を作成し、素子の配
向状態を調べた。この液晶表示素子は、良好な配向状態
を示した。この素子に対して、８０℃、２００時間の高
温環境試験を行なったが、素子の表示特性に何らの変化
も認められなかった。
燥させた後、２００℃のオーブンで１５分間加熱して架
橋を行い、配向膜を得た。配向膜に基盤目試験を行った
が、剥がれる部分は全く見られなかった。また、沸騰水
中に３時間浸漬した耐水試験、並びにトルエン沸騰中に
３時間浸漬した耐溶剤試験においても、配向膜が剥離す
ることはなかった。更に別途、同様な配向膜を形成し、
実施例１と同様にして液晶表示素子を作成し、素子の配
向状態を調べた。この液晶表示素子は、良好な配向状態
を示した。この素子に対して、８０℃、２００時間の高
温環境試験を行なったが、素子の表示特性に何らの変化
も認められなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、安価かつ機械的強度、
密着性、耐熱性に優れ、かつ配向性に優れた配向膜を製
造することができる。さらに、この配向膜を用いること
により、液晶表示素子に優れた耐久性と信頼性を賦与す
ることが可能となる。
密着性、耐熱性に優れ、かつ配向性に優れた配向膜を製
造することができる。さらに、この配向膜を用いること
により、液晶表示素子に優れた耐久性と信頼性を賦与す
ることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る液晶表示素子の断面を
示す。
示す。
１ 配向膜 ２ 液晶組成物 ３ 透明電極 ４ 基板 ５ 偏光板 ６ シール部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 八幡 健 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内 (72)発明者 三好 洋 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内 (72)発明者 河本 泰良 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コーポレートリサ ーチセンター内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、下
記の一般式（Ｉ） 【化１】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表す。）で示される繰り返し単
位からなるポリマーからなることを特徴とする液晶表示
素子。 - 【請求項２】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、請
求項１の一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からなる
ポリマーを５０〜３００℃の温度範囲に加熱することに
より架橋させたものからなることを特徴とする液晶表示
素子。 - 【請求項３】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、請
求項１における一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位か
らなるポリマーに、下記の一般式（II） 【化２】Ｒ2 −ＸＨ （II） （但し、Ｒ2 は一価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ3 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）で表される化合物を付加反応させて得ら
れるポリマーからなることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項４】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、下
記の一般式（Ｉ） 【化３】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表す。）で示される繰り返し単
位からなるポリマーに、下記の一般式（II） 【化４】Ｒ2 −ＸＨ （II） （但し、Ｒ2 は一価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ3 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）で表される化合物を部分的に付加反応さ
せて得られるポリマーを、更に５０〜３００℃の温度範
囲に加熱することにより架橋させたポリマーからなるこ
とを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項５】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、請
求項１の一般式（Ｉ）で示される繰り返し単位からなる
ポリマーに、下記の一般式（III) 【化５】ＨＸ−Ｒ4 −ＸＨ （III) （但し、Ｒ4 は二価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ5 −を表し、Ｒ5 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）を付加して、架橋させて得られる架橋ポ
リマーからなることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項６】 基板と、該基板上の透明電極膜と、該透
明電極膜を有する基板表面に形成された液晶配向膜とを
含んでなる液晶表示素子において、該液晶配向膜が、下
記の一般式（Ｉ） 【化６】−Ｒ1 −Ｎ＝Ｃ＝Ｎ− （Ｉ） （但し、Ｒ1 は、炭素数１から２０の二価の炭化水素基
または置換炭化水素基を表す。）で示される繰り返し単
位からなるポリマーに、下記の一般式（II） 【化７】Ｒ2 −ＸＨ （II） （但し、Ｒ2 は一価の有機基を表し、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ
−，−ＮＲ3 −を表し、Ｒ3 は水素または一価の炭化水
素基を表す。）で表される化合物を部分的に付加して、
架橋させて得られる架橋ポリマーを、更に５０〜３００
℃の温度範囲に加熱することにより架橋させたポリマー
からなることを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34331195A JPH09185063A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34331195A JPH09185063A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09185063A true JPH09185063A (ja) | 1997-07-15 |
Family
ID=18360544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34331195A Pending JPH09185063A (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09185063A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440057B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US10982147B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-04-20 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment film using same, and liquid crystal alignment film using same |
| US11209699B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-12-28 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment film using same, and liquid crystal alignment film using same |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34331195A patent/JPH09185063A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7440057B2 (en) | 2002-07-19 | 2008-10-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| US10982147B2 (en) | 2017-09-07 | 2021-04-20 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment film using same, and liquid crystal alignment film using same |
| US11209699B2 (en) | 2017-09-08 | 2021-12-28 | Lg Chem, Ltd. | Liquid crystal aligning agent composition, method for preparing liquid crystal alignment film using same, and liquid crystal alignment film using same |
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