JPH09181146A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウエハ上への成膜やドライエッチング、或いは
ウエハの加熱処理を行う、ウエハ保持具の昇降手段を備
えた半導体装置の製造装置に関し、成膜室やロードロッ
ク室を清浄に保ちつつ、ウエハ保持具の移動手段と成膜
室等とを仕切るベローズに加わる応力を抑制し、装置の
小型化を図る。 【解決手段】処理室２０と予備室２６との間で被処理体
を軸方向に行き来させる移動軸７２と、被処理体を保持
して処理室２０に挿入したときに開口５６を塞ぐ、移動
軸７２に固定された被処理体の保持具３０及び３９と、
軸方向に伸縮するように移動軸７２の周りに取り付けら
れ、その内側に圧力調整可能な移動軸の設置部３５を形
成する伸縮手段３３と、移動軸７２及び伸縮手段３３が
収納され、かつ移動軸７２と保持具３０及び３９が接続
した箇所で予備室２６とつながる圧力調整可能な収納室
３４とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
装置に関し、より詳しくは、ウエハ上への成膜やドライ
エッチング、或いはウエハの加熱処理を行う、ウエハ保
持具の昇降手段を備えた半導体装置の製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図５（ａ）及び（ｂ）は、従来例に係る
ウエハ保持具の昇降手段を備えた成膜装置について示す
側面図である。図５（ａ）に示すように、ウエハ保持具
１１を出し入れするための開口２を有する成膜室１と、
この成膜室１の開口２を介して成膜室１と連接されたロ
ードロック室６とを有する。成膜室１及びロードロック
室６は不図示の排気装置と接続され、減圧可能となって
いる。

【０００３】更に、成膜室１とロードロック室６との間
には接続部３が介在し、接続部３の側面には成膜室１へ
の成膜ガスの導入口４と成膜室１から不要の反応ガスを
排出する排気口５とが設けられている。また、ウエハ保
持具１１を保持し、開口２を通して成膜室１内とロード
ロック室６内とを移動させるための昇降手段（移動手
段）を有する。昇降手段は、ウエハ保持具１１を載せる
アーム９と、このアーム９を支持し、移動させる移動軸
８と、図示しない移動軸８の駆動手段とからなる。移動
軸８の一部とアーム９は、図５（ｂ）に示すように、ロ
ードロック室６内に収納されている。更に、移動軸８は
ロードロック室６からＯリング１３ａ，１３ｂを通して
外界に出ており、移動軸８とＯリング１３ａ，１３ｂと
の接触によりロードロック室６内の密封が保たれてい
る。

【０００４】しかしながら、この成膜装置では、移動軸
８がＯリング１３ａ，１３ｂと接触しながら動くため、
これらの材料が擦り切れてロードロック室６内に取り込
まれてしまう恐れがある。図６（ａ）及び図７（ａ）は
このような汚染を防止するため、開発された成膜装置で
ある。ともに移動軸８ａ，８ｂの設置された外界と成膜
室１内及びロードロック室６ａ，６ｂ内とがベローズ１
３，１４により仕切られている。ベローズ１３，１４内
外で相互に気密性が保持される。

【０００５】上記成膜装置では、移動軸８ａ，８ｂは大
気中に設置されている。装置の動作時及び停止時に、ベ
ローズ１３，１４に対して移動軸８ａ，８ｂ側は大気圧
に保たれ、成膜室１及びロードロック室６ａ，６ｂ側は
大気圧以下に保たれる。そして、移動軸８ａ，８ｂの上
下方向の移動により、移動軸８ａ，８ｂに支えられたア
ーム９の上のウエハ保持具１１が成膜室１とロードロッ
ク室６ａ，６ｂとの間を行き来する。しかも、移動軸８
ａ，８ｂの上下移動に伴ってベローズ１３，１４が伸縮
し、ベローズ１３，１４の内外の圧力が保持される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
（ａ）及び図７（ａ）に示すベローズ１３，１４を備え
た成膜装置では、ベローズ１３，１４内外で圧力差が生
じるため、ベローズ１３，１４に応力がかかり、その寿
命が短くなるという問題がある。また、図６（ｂ）又は
図７（ｂ）に示すように、ベローズ１３，１４が折り畳
まれたとき、ベローズ１３，１４の山の数×側壁の肉厚
×２に相当するデッドスペースが必要となる。このデッ
ドスペースは移動軸８ａ，８ｂの移動距離の半分以上に
もなり、成膜装置はこの分だけ高さが高くなる。このた
め、成膜装置の設置場所の省スペースが図れないという
問題がある。

【０００７】更に、成膜室１で暖められた反応ガスが排
気口５近くで冷やされるため、ガス導入口４と比べて排
気口５には反応生成物が付着し易い。そこで、付着した
反応生成物を除去し、排気口５を清浄にするため、定期
的に装置を分解して清掃する必要がある。しかし、排気
口５のみを取り外すことが出来ないので、接続部３全体
を取り外している。接続部３の大きさが大きいため取り
扱いが容易でなくなるとともに、洗浄液に曝されるため
ガス導入口４も傷みが激しくなるという問題がある。

【０００８】本発明は、上記の従来例の問題点に鑑みて
創作されたものであり、成膜室やロードロック室を清浄
に保ちつつ、ウエハ保持具の移動手段と成膜室等とを仕
切るベローズに加わる応力を抑制し、装置の小型化を図
ることが可能な半導体装置の製造装置を提供することを
目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１の発明
である、開口を有する圧力調整可能な処理室と、前記処
理室の開口を介して前記処理室と連接する圧力調整可能
な予備室と、前記処理室と前記予備室との間で被処理体
を軸方向に行き来させる移動軸と、前記移動軸に固定さ
れて該移動軸とともに移動し、前記被処理体を保持して
前記処理室に挿入したときに前記開口を塞ぐ被処理体の
保持具と、前記移動軸の移動にともなって前記軸方向に
伸縮するように前記移動軸の周りに取り付けられ、その
内側に圧力調整可能な前記移動軸の設置部を形成する伸
縮手段と、前記移動軸及び前記伸縮手段が収納され、か
つ前記移動軸と前記保持具とが接続した箇所で前記予備
室とつながる圧力調整可能な収納室とを有することを特
徴とする半導体装置の製造装置によって達成され、第２
の発明である、前記移動軸は前記処理室及び前記予備室
の側方に設置され、かつ前記ウエハ保持具を前記処理室
に挿入したとき前記伸縮手段が縮んで前記予備室の側方
から前記処理室の側方にくるように取り付けられてなる
ことを特徴とする第１の発明に記載の半導体装置の製造
装置によって達成され、第３の発明である、前記処理室
と前記予備室との間に介在し、前記予備室側の第１の接
続部と前記処理室側の第２の接続部とが相互に分離でき
るように重ねられてなる接続部と、前記第１の接続部の
側面から前記第１の接続部の内部を通って前記処理室内
につながる反応ガス導入口と、前記処理室内から前記第
２の接続部の側面につながる排気口とを有することを特
徴とする第１又は第２の発明のいずれかに記載の半導体
装置の製造装置によって達成され、第４の発明である、
前記第１の接続部と前記第２の接続部との間に隙間が形
成され、前記第１の接続部の側面から前記第１の接続部
の内部を通って前記隙間にパージガス導入口がつながっ
ていることを特徴とする第３の発明に記載の半導体装置
の製造装置によって達成され、第５の発明である、前記
移動軸の設置部には雄螺子の溝が形成され、左右に回転
する支持軸が設置され、かつ前記移動軸には前記支持軸
に対して雌螺子となる溝が形成された係合体が固定され
ており、前記支持軸と前記係合体とが噛み合わされた状
態で前記支持軸が左右に回転することにより該支持軸に
沿って前記移動軸が移動することを特徴とする第１乃至
第４の発明のいずれかに記載の半導体装置の製造装置に
よって達成される。

【００１０】本発明によれば、処理室と予備室との間で
被処理体を軸方向に行き来させる移動軸を備え、移動軸
の設置部の内外が伸縮手段により仕切られているので、
可動部である移動軸の設置部から発生した塵が予備室及
び処理室に導入されるのを回避することができる。しか
も、伸縮手段の両側部の移動軸の設置部内及び移動軸と
伸縮手段の収納室内はそれぞれ別個に圧力調整可能とな
っており、また、収納室は保持部の移動箇所で予備室と
つながっているので、予備室内の圧力に応じて移動軸の
設置部内の圧力を調整することにより、伸縮手段の両側
部の圧力を等しくすることができる。これにより、伸縮
手段に加わる応力を抑制することができる。

【００１１】また、移動軸は処理室及び予備室の側方に
両室にまたがって設置され、かつ被処理体の保持具を処
理室内に挿入したとき伸縮手段が縮んで予備室の側方か
ら処理室の側方にくるように取り付けられている。従っ
て、伸縮手段が最も縮まったときに必要とされる、伸縮
手段の側壁が折れ重なることによって生ずるデッドスペ
ースが処理室の高さの範囲に十分に収まるため、そのデ
ッドスペースを実質的に装置の高さに加えなくてもよく
なる。これにより、装置の設置場所の省スペースを図る
ことができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 （第１の実施の形態）図１，図２（ａ），（ｂ）は、本
発明の第１の実施の形態に係る成膜装置を示す。図１は
成膜装置の全体構成を示す側面図である。また、図２
（ａ）は昇降手段（移動手段）の詳細を示す側面図であ
り、図２（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ線から上を見た平
面図である。なお、図１は昇降手段が最も伸びている状
態を示し、図２（ａ）は昇降手段が最も縮んでいる状態
を示す。

【００１３】図１において、２１は石英ガラス等からな
る円筒状の外管で、外管１３の上部は塞がれ、石英ガラ
ス等からなる円筒状の内管２２が外管２１内に同軸状に
置かれている。内管２２と外管２１の間に形成されたガ
ス流路５７は反応済の反応ガスの通流路となり、このガ
ス流路５７と排気口５４がつながっている。これによ
り、反応ガス導入口５３のある成膜室２０の下の方から
内管２２内に導入された反応ガスは上昇し、外管２１の
上部で方向を変えて内管２２と外管２１の間のガス流路
５７を通り、排気口５４から排気される。外管２１内が
成膜室（処理室）２０となる。

【００１４】２３は外管２１の周りに設置されたヒー
タ、２４はヒータ２３及び外管２１を囲むステンレスか
らなる覆いである。２６は成膜室２０の開口５６を介し
て成膜室２０と接続されたロードロック室（予備室）、
２９はロードロック室２６内を単独で排気し、ロードロ
ック室２６内を減圧するための不図示の排気装置が接続
される排気口である。また、２８はロードロック室２６
内を加圧等するためロードロック室２６内に不活性ガス
を導入するガス導入口である。

【００１５】また、成膜室２０とロードロック室２６と
の境界に介在する接続部である。接続部２５は相互に分
離可能な円環状の第１の接続板５１と第２の接続板５２
が下から順に重ねられてなる。第１の接続板５１と第２
の接続板５２の中央部にウエハ保持具３８を成膜室２０
から出し入れするための開口５６が形成されている。第
１の接続板５１には成膜室２０内に反応ガスを導入す
る、開口５６に通ずる反応ガス導入口５３と、第１の接
続板５１と第２の接続板５２の間の隙間に通じるパージ
ガス導入口５５が設けられている。また、第２の接続板
５２には外管２１と内管２２の間のガス流路５７に通じ
る排気口５４が設けられている。

【００１６】３４は、成膜室２０及びロードロック室２
６の側方に鉛直方向に沿って設けられた、昇降手段３２
の移動軸７２等の収納室である。収納室３４は仕切り壁
３１により外界と仕切られ、その下側領域でロードロッ
ク室２６とつながっている。その領域では、移動軸７２
の下端から横のロードロック室２６の方にアーム（被処
理体の保持具）３０が延びており、アーム３０はウエハ
保持具３８を載せて上下移動する。排気口／ガス導入口
３６により収納室３４内の圧力を調整することができる
ようになっている。収納室３４内には、昇降手段（移動
手段）３２を構成する支持軸７１とその支持軸７１にボ
ールネジ７３を介して係合した移動軸７２が収められて
いる。なお、昇降手段３２のうち、移動軸７２を移動さ
せるモータ（駆動手段）７６は収納室３４の外に設置さ
れている。

【００１７】支持軸７１及び移動軸７２は収納室３４に
沿って鉛直方向に置かれており、表面に雄螺子のネジ山
が形成された円柱状の支持軸７１が収納室３４の全体の
長さのうちほぼ上半分を占めている。即ち、成膜室２０
の側方の鉛直領域にほぼ納まっている。そして、支持軸
７１には雌螺子に相当するボールネジ（係合体）７３が
はめ込まれ、支持軸７１のネジ山とボールネジ７３のネ
ジ山がかみ合わされる。ボールネジ７３は移動軸７２に
固定されている。また、移動軸７２の下側先端部には、
横方向に延びてロードロック室２６内に張り出したアー
ムが取り付けられ、その上にステージ（被処理体の保持
具）３９を介してウエハ保持具３８が載置される。ステ
ージ３９にはウエハ保持具３８を固定する不図示の静電
チャックが設けられている。更に、ステージ３９は開口
５６の直径よりも大きい直径を有し、ウエハ保持具３８
が成膜室２０に収納されたとき開口５６を塞いで成膜室
２０内を密閉する。

【００１８】更に、７６は支持軸７１を軸の周りに左右
に回転させるモータ（駆動手段）である。支持軸７１が
軸の周りに左右に回転することにより支持軸７１のネジ
山に沿ってボールネジ７３が上下移動し、これにしたが
って移動軸７２も上下移動する。このような移動軸７２
の上下移動によりウエハ保持具３８が上下移動し、成膜
室２０とロードロック室２６の間を移動する。

【００１９】また、図２（ａ），（ｂ）に示すように、
移動軸７２は支持軸７１に沿って円筒状のステンレス鋼
からなる支持管７７の内部を移動する。移動軸７２は機
械的強度を増大させるためＨ型の断面を有し、支持管７
７の内壁に接触しながら移動する。ボールネジ７３はＨ
型を形成する横板の片面に固定され、横板の反対側の面
にはボールネジ７３の上下にあたるところにガイド体７
４，７５が固定されている。さらに移動軸７２の機械的
強度を増すため、移動軸７２は３つの補強体７８により
補強されている。支持管７７の外周面がほぼ１２０度の
間隔をおいて移動軸７２の移動方向に平坦な表面となる
ように削られており、補強体７８はその平坦な面に沿っ
て移動軸７２を支持しながら移動軸７２とともに移動す
る。このような構造とすることにより、支持管７７の内
部で移動軸７２の横ブレが防止され、移動軸７２の機械
的強度が増す。

【００２０】更に、円筒状の支持管７７の外側を囲むよ
うに支持軸７１の上部先端部分と移動軸７２の下部先端
部分にそれぞれ片端が固定された円筒状のステンレスや
ハステロイ等バネ材で形成されたベローズ（図１及び図
２（ａ），（ｂ）の二点鎖線で示す。）３３が設けられ
いてる。ベローズ（伸縮手段）３３は伸縮自在となるよ
うに、側壁が内外に交互に折れ曲がって蛇腹状となって
いる。従って、移動軸７２の下方への移動とともにベロ
ーズ３３は伸び、移動軸７２の上方への移動とともにベ
ローズ３３は縮む。このとき、ベローズ３３が縮んで側
壁が折れ重なることによって生ずるベローズ３３のデッ
ドスペースは上方の支持軸７１の長さの範囲に十分に収
まる。従って、移動軸７２の移動距離の２倍程度の装置
の高さがあればよいことになる。それ以上に装置の高さ
を高くする必要はない。

【００２１】また、移動軸７２等の設置部３５となって
いるベローズ３３の内側は気密性が保たれ、ベローズ３
３の内側と繋がった排気口／ガス導入口３７を通して排
気し、又は不活性ガスを導入することにより、移動軸７
２等の設置部３５を減圧し、又は加圧できるようになっ
ている。２つの排気口３６，３７によりそれぞれベロー
ズ３３の内部の移動軸７２の設置部３５とその外部の移
動軸７２の収納室３４を排気することができるため、ロ
ードロック室２６の圧力に応じてベローズ３３内外の圧
力が等しくなるように調整することができる。このた
め、ベローズ３３に加わる応力を抑制することができ
る。

【００２２】以上のように、第１の実施の形態によれ
ば、ウエハ保持具３８を保持して移動させる移動軸７２
の設置部３４の内外がベローズ３３により仕切られてい
るので、ロードロック室２６或いは成膜室２０への可動
部からの塵の導入が回避される。しかも、移動軸７２の
設置部３５内及び移動軸７２とベローズ３３が収納され
た収納室３４内はそれぞれ別個に圧力調整可能になって
おり、また収納室３４は移動軸７２のアーム３０の移動
箇所でロードロック室２６とつながっているので、ロー
ドロック室２６内の圧力に応じて移動軸７２の設置部３
５内の圧力を調整することにより、ベローズ３３の両側
部の圧力を等しくすることができる。これにより、ベロ
ーズ３３に加わる応力を抑制することができる。

【００２３】また、移動軸７２及びベローズ３３は成膜
室２０及びロードロック室２６の側方で両室２０，２６
にまたがって設置され、かつウエハ保持具３８を成膜室
２０に挿入したときベローズ３３が縮んでロードロック
室２６の側方から成膜室２０の側方にくるように取り付
けられている。従って、ベローズ３３が最も縮まったと
きに必要とされる、ベローズ３３の側壁が折れ重なるこ
とによるデッドスペースが成膜室２０の高さの範囲に十
分に収まるため、そのデッドスペースが実質的に装置の
高さに加わらなくなる。これにより、装置の設置場所の
省スペースを図ることができる。

【００２４】（第２の実施の形態）次に、図３（ａ），
（ｂ），図４を参照しながら、成膜室２０とロードロッ
ク室２６の境界に形成されたマニホールド部分（反応ガ
ス導入口及び排気口が形成された接続部）２５の装置構
成の詳細について説明する。図３（ａ）は側面図であ
り、図３（ｂ）はマニホールド部分２５の装置構成を示
す側面図である。また、図４は装置の外管，内管，反応
ガス導入口及び排気口等の着脱について示す側面図であ
る。

【００２５】図３（ａ），（ｂ）に示すように、５１は
側面に反応ガス導入口５３とパージガス導入口５５が設
けられ、ウエハ保持具３８の出し入れが可能な開口５６
が中央部に形成された円環状の第１の接続板で、反応ガ
ス導入口５５は第１の接続板５１の内部に形成された通
流孔５５ａを通って開口５６とつながっている。５２は
第１の接続板５１上に置かれる円環状の第２の接続板
で、第２の接続板５２の上面内側に内管２２が載せられ
る。また、第２の接続板５２の上面外側に外管２１を載
せたとき外管２１と内管２２との間に形成される隙間５
７とつながる排気口５４が第２の接続板５２の側面に形
成されている。反応ガスは外管２１と内管２２との間に
形成される隙間５７から排気通路５４ａを通って排気口
５４から成膜室２０の外に排気される。

【００２６】また、第１の接続板５１と第２の接続板５
２とを重ねたとき、内部の気密性を保持するため、Ｏリ
ング５９ｂを第２の接続板５２の下面周辺部に介在させ
る。また、第２の接続板５２の上に外管２１を載せたと
き、内部の気密性を保持するため、Ｏリング５９ａを第
２の接続板５２の上面周辺部に介在させる。ところで、
第１の接続板５１と第２の接続板５１を正常に重ねても
それらの間には僅かな隙間５８が生じる。反応ガス導入
口５３から反応ガスが導入されたとき、この隙間５８に
滞留するのを防止するため、この隙間５８にパージガス
を導いて流すようにしている。このため、第１の接続板
５１の内部に一端がパージガス導入口５５とつながり、
他端が第１の接続板５１の上面に繋がった通流孔５５ａ
が形成されている。これにより、隙間５８での反応ガス
の滞留を防止して反応生成物の付着を防止することがで
きる。なお、積極的に第１の接続板５１と第２の接続板
５２の間の隙間５８を広げてパージガスが流れやすくし
てもよい。

【００２７】次に、排気口５４の清浄化等を行うため、
成膜装置を分解した状態を図４に示す。図４に示すよう
に、外管２１を取り外した後、排気口５４が設けられた
第２の接続板５２のみを取り外す。次いで、第２の接続
板５２を洗浄液に浸して排気口５４に付着した反応生成
物を除去する。従って、排気口５４が設けられた第２の
接続板５２のみを取り外せばよいので、処理物の大きさ
が小さく、取り扱い易い。また、排気口５４のみ洗浄液
に曝せばよいので、反応ガス導入口５３を傷めない。

【００２８】なお、上記第１及び第２の実施の形態で
は、本発明を成膜装置に適用しているが、エッチング装
置や熱処理装置等にも適用することができる。 （第３の実施の形態）次に、第１の実施の形態の成膜装
置の使用方法について、図１，図２（ａ），（ｂ）を参
照しながら説明する。

【００２９】まず、図１に示すように、昇降手段３２の
移動軸７２を一番下まで引き下げた状態で、成膜室２
０、ロードロック室２６、移動軸の収納室３４及び移動
軸の設置部３５内がそれぞれほぼ等しい圧力となるよう
に各室／部を減圧する。次に、ロードロック室２６にウ
エハが載っているウエハ保持具３８を搬入し、移動軸７
２のアーム３０上にステージ３９を介してウエハ保持具
３８を載置する。そして、ステージ３９に設けられた静
電チャックにより固定する。

【００３０】次いで、移動軸７２を上方向に移動し、ウ
エハ保持具３８を成膜室２０に搬入するとともに、ウエ
ハ保持具３８が載っているステージ３９で成膜室２０に
通じる開口５６を塞ぐ。続いて、ロードロック室２６内
に不活性ガスを導入し、成膜室２０内よりも高圧にす
る。これにより、ステージ３９により成膜室２０に通じ
る開口５６がより一層完全に塞がれて、成膜室２０内の
気密性が保持される。このとき、移動軸７２の収納室３
４及び移動軸７２の設置部３５内へも不活性ガスを導入
し、それらの室３４／部３５内の圧力をロードロック室
２６内の圧力と等しくなるようにする。これにより、ベ
ローズ３３に加わる圧力差による応力が抑制される。

【００３１】次に、反応ガス、例えばＳｉＨ₄ ＋Ｏ₂ を
キャリアガス、例えばＮ₂ 又はＡｒ）とともに成膜室２
０内に導入し、ウエハ上にシリコン酸化膜を成膜する。
このとき、パージガス導入口５５からキャリアガスと同
じ種類のパージガスを導入し、接続部２５の隙間５８に
滞留する反応ガスを除去する。また、ロードロック室２
６内の圧力を監視し、成膜室２０内の圧力がロードロッ
ク室２６内の圧力よりも常に低くなるように調整する。
また、移動軸７２の収納室３４及び移動軸７２の設置部
３５内の圧力も監視し、それらの室３４／部３５内の圧
力がロードロック室２６内の圧力と等しくなるように調
整する。

【００３２】成膜が終了したら反応ガスのみを止め、キ
ャリアガスは流し続ける。そして、キャリアガスの流量
を増やして、成膜室２０内の圧力がロードロック室２６
内の圧力よりも高くなるようにする。続いて、移動軸７
２を下方に動かし、ウエハ保持具３８を成膜室２０から
ロードロック室２６に搬出する。このとき、成膜室２０
内の圧力がロードロック室２６内の圧力よりも高くなっ
ているので、ウエハ保持具３８の移動が容易である。

【００３３】その後、ウエハ保持具３８をロードロック
室２６から搬出し、次の製造工程に移る。以上のよう
に、第３の実施の形態においては、反応ガスを成膜室２
０に導入する際、接続部２５の隙間５８にパージガスを
流しているので、その隙間５８での反応ガスの滞留を防
止して反応生成物の付着を防止することができる。

【００３４】また、ウエハ保持具３８を成膜室２０内に
搬入したとき、ロードロック室２６内の圧力を成膜室２
０内の圧力よりも常に高くなるように調整しているの
で、ステージ３９により成膜室２０に通じる開口５６が
一層強固に塞がれるため、成膜室２０内の気密性が十分
に保持される。

【００３５】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、処理室
と予備室との間で被処理体を軸方向に行き来させる移動
軸を備え、移動軸の設置部の内外が伸縮手段により仕切
られているので、可動部である移動軸の設置部から発生
した塵が予備室及び処理室に導入されるのを回避するこ
とができるとともに、伸縮手段の両側部の移動軸の設置
部内及び移動軸と伸縮手段の収納室内はそれぞれ別個に
圧力調整可能となっているので、伸縮手段の両側部の圧
力を等しくし、伸縮手段に加わる応力を抑制することが
できる。

【００３６】また、移動軸は処理室及び予備室の側方に
両室にまたがって設置され、かつ被処理体の保持具を処
理室内に導入したとき伸縮手段が縮んで予備室の側方か
ら処理室の側方にくるように取り付けられている。従っ
て、伸縮手段が縮まったとき、その側壁が折れ重なるこ
とによって生ずるデッドスペースが処理室の高さの範囲
に十分に収まるため、そのデッドスペースを実質的に装
置の高さに加えなくてもよくなり、これにより、装置の
設置場所の省スペースを図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る成膜装置の全
体構成について示す側面図である。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係る成膜装置の昇
降手段の詳細について示す側面図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態に係る成膜装置のマ
ニホールド部分の詳細について示す側面図（その１）で
ある。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る成膜装置のマ
ニホールド部分の詳細について示す側面図（その２）で
ある。

【図５】従来例に係る成膜装置の全体構成について示す
側面図である。

【図６】従来例に係る成膜装置の全体構成について示す
側面図である。

【図７】従来例に係る成膜装置の全体構成について示す
側面図である。

【符号の説明】

２１ 外管、 ２２ 内管、 ２３ ヒータ、 ２４ 覆い、 ２５ 接続部、 ２６ ロードロック室（予備室）、 ２７，３１ 仕切り壁、 ２８ ガス導入口、 ２９，５４ 排気口、 ３０ アーム（被処理体の保持具）、 ３２ 昇降手段（移動手段）、 ３３ ベローズ（伸縮手段）、 ３４ 収納室、 ３５ 移動軸の設置部、 ３６，３７ 排気口／ガス導入口、 ３８ ウエハ保持具、 ３９ ステージ（被処理体の保持具）、 ５１ 第１の接続板（第１の接続部）、 ５２ 第２の接続板（第２の接続部）、 ５３ 反応ガス導入口、 ５３ａ，５４ａ，５５ａ 通流路、 ５５ パージガス導入口、 ５６ 開口、 ５７ ガス流路、 ５８ 隙間、 ５９ａ，５９ｂ Ｏリング、 ７１ 支持軸、 ７２ 移動軸、 ７３ ボールネジ（係合体）、 ７４，７５ ガイド体、 ７６ モータ（駆動手段）、 ７７ 支持管、 ７８ 補強体。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 開口を有する圧力調整可能な処理室と、 前記処理室の開口を介して前記処理室と連接する圧力調
   整可能な予備室と、 前記処理室と前記予備室との間で被処理体を軸方向に行
   き来させる移動軸と、 前記移動軸に固定されて該移動軸とともに移動し、前記
   被処理体を保持して前記処理室に挿入したときに前記開
   口を塞ぐ被処理体の保持具と、 前記移動軸の移動にともなって前記軸方向に伸縮するよ
   うに前記移動軸の周りに取り付けられ、その内側に圧力
   調整可能な前記移動軸の設置部を形成する伸縮手段と、 前記移動軸及び前記伸縮手段が収納され、かつ前記移動
   軸と前記保持具とが接続した箇所で前記予備室とつなが
   る圧力調整可能な収納室とを有することを特徴とする半
   導体装置の製造装置。
2. 【請求項２】 前記移動軸は前記処理室及び前記予備室
   の側方に設置され、かつ前記ウエハ保持具を前記処理室
   に挿入したとき前記伸縮手段が縮んで前記予備室の側方
   から前記処理室の側方にくるように取り付けられてなる
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造装
   置。
3. 【請求項３】 前記処理室と前記予備室との間に介在
   し、前記予備室側の第１の接続部と前記処理室側の第２
   の接続部とが相互に分離できるように重ねられてなる接
   続部と、前記第１の接続部の側面から前記第１の接続部
   の内部を通って前記処理室内につながる反応ガス導入口
   と、前記処理室内から前記第２の接続部の側面につなが
   る排気口とを有することを特徴とする請求項１又は請求
   項２のいずれかに記載の半導体装置の製造装置。
4. 【請求項４】 前記第１の接続部と前記第２の接続部と
   の間に隙間が形成され、前記第１の接続部の側面から前
   記第１の接続部の内部を通って前記隙間にパージガス導
   入口がつながっていることを特徴とする請求項３に記載
   の半導体装置の製造装置。
5. 【請求項５】 前記移動軸の設置部には雄螺子の溝が形
   成され、左右に回転する支持軸が設置され、かつ前記移
   動軸には前記支持軸に対して雌螺子となる溝が形成され
   た係合体が固定されており、前記支持軸と前記係合体と
   が噛み合わされた状態で前記支持軸が左右に回転するこ
   とにより該支持軸に沿って前記移動軸が移動することを
   特徴とする請求項１又は請求項４のいずれかに記載の半
   導体装置の製造装置。