JP2009277995A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 178
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 13
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 98
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 11
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 229910000807 Ga alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N selane Chemical compound [SeH2] SPVXKVOXSXTJOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000058 selane Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】腐食性ガスを用いて基板50に処理を施す基板処理装置10において、処理室11と、処理室11内に配置され、基板50を収容可能な基板収容室13と、基板収容室13に腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構15と、を備えている。
【選択図】図1
Description
近時では、大型基板に太陽電池を形成することが求められている。大型基板にCIGS系太陽電池の光吸収層を形成する場合には、基板を配置する石英チューブを大型化する必要がある。しかしながら、石英チューブを大型化することは費用面などの問題から困難であるため、大型基板にCIGS系(CIS系)太陽電池を形成することができないという問題があった。
請求項1に記載した発明によれば、基板処理装置が処理室と基板収容室との二重構造で構成され、基板収容室にのみ腐食性ガスを供給するため、処理室の腐食を抑えることができ、処理室の長寿命化を図ることができる。また、腐食が進行して定期的な交換が必要になる基板収容室を安価な材料で形成することにより、多大な費用をかけずに装置を構成することができる。また、基板収容室の大きさを大型基板が収容可能な必要最小限度の大きさにすることで、大型基板を処理することができる。
請求項2に記載した発明によれば、基板収容室から腐食性ガス流通機構を取り外せば、処理室および基板収容室の内部を同時に排気することができる。
請求項3に記載した発明によれば、基板収容室内において腐食性ガスの濃度や温度を均一化することができる。
請求項4に記載した発明によれば、基板を加熱しつつ、腐食性ガスで処理することが可能になる。
請求項5に記載した発明によれば、処理室内を所定圧力のガスで満たすことが可能になり、基板収容室から処理室内への腐食性ガスの漏洩、および処理室から外部への腐食性ガスの漏洩を防止することができる。
請求項6に記載した発明によれば、基板処理にとって最適な濃度の腐食性ガスを流通させることができる。
請求項7に記載した発明によれば、基板処理装置が処理室と基板収容室との二重構造で構成され、基板収容室にのみ腐食性ガスを供給するため、処理室の腐食を抑えることができ、処理室の長寿命化を図ることができる。また、腐食が進行して定期的な交換が必要になる基板収容室を安価な材料で形成することにより、費用をかけずに装置を構成することができる。また、基板収容室に大型基板を収容できるようにすることで、大型基板を処理することができる。
請求項8に記載した発明によれば、基板収容室から処理室内への腐食性ガスの漏洩を防止することができる。
請求項9に記載した発明によれば、処理室から外部への腐食性ガスの漏洩を防止することができる。
請求項10に記載した発明によれば、排気工程に要する排気装置を処理室および基板収容室に個別に設ける必要がなくなり、装置の費用を抑制することができる。また、処理室および基板収容室を同時に排気することにより排気時間を短縮することができる。したがって、生産効率を向上することができる。
前記基板処理工程では、前記腐食性ガスとしてH2SeガスまたはSe蒸気、或いはH2SガスまたはS蒸気を流通させつつ、前記基板を加熱することにより、前記基板に太陽電池の光吸収層を形成することを特徴としている。
請求項11に記載した発明によれば、CIS系太陽電池に光吸収層を形成する際に、基板を基板収容室に収容し、基板収容室のみにH2SeガスまたはSe蒸気、或いはH2SガスまたはS蒸気が供給されるため、処理室の腐食を防止することができる。また、処理室には基板収容室を配置するとともに、基板収容室を加熱するためのヒータなどが配置される。したがって、処理室は大型化するが、H2SeガスまたはSe蒸気、或いはH2SガスまたはS蒸気は基板収容室のみに供給されるため、早期に腐食して交換をするのを基板収容室のみにすることができる。つまり、大型で高価な処理室の長寿命化を図ることができる。また、比較的安価な基板収容室を定期的に交換すればよい。そのため、基板収容室はニッケル含有鉄など石英チューブと比較して安価な材料で製造すればよく、また、大型基板を収容できるように形成することも容易であり、大型基板を処理することができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置について、図1〜図9に基づいて説明する。
図1は基板処理装置の概略構成図である。図1に示すように、基板処理装置10は、略直方体で形成された処理室11と、処理室11に対して搬出入可能に構成されたマッフル(基板収容室)13と、マッフル13に対して腐食性ガスを供給・循環させる腐食性ガス流通機構15と、を備えている。
また、処理室11の空間部21には、マッフル13を載置するための図示しないテーブルが設けられている。
搬送室41は、マッフル13を搬送するためのフォーク51が配置されている。フォーク51は水平方向および垂直方向へ移動できるように構成されている。また、搬送室41内は真空状態を保持できるように図示しない真空ポンプが設けられている。
次に、基板処理装置10を用いて、CIS系太陽電池の光吸収層を形成する場合について、図3〜図9に基づいて説明する。なお、図4〜図9はCIS系太陽電池の光吸収層を形成する工程の説明図である。
光吸収層103が形成されたら、テーブルを下降してマッフル13の貫通孔47と配管35,36とを離間させる。
したがって、基板処理装置10が処理室11とマッフル13との二重構造で構成され、基板処理時にはマッフル13のみに腐食性ガスが供給される。このことにより、処理室11が処理圧力の高腐食性のH2SeガスあるいはH2Sガスに触れることがなくなる。これに対して、従来は処理室11内で直接ガスを供給して高温アニールを実施していたため、処理室11にH2Seガスが長時間充満していた。したがって、本実施形態における基板処理装置10では処理室11がH2Seガスに触れる時間を短縮することができるため、処理室11の腐食速度を遅らせることができ、処理室11の長寿命化を図ることができる。また、腐食が早期に進行するマッフル13を定期的に交換するが、マッフル13を安価な材料で形成することにより、費用をかけずに装置を構成することができる。なお、処理室11にはヒータ29、循環ファン37および排気ポンプ39などが設けられており、さらに、構造も複雑であるため、マッフル13と比較して、高価である。したがって、構造も複雑でないマッフル13を腐食させるようにして定期的に交換するようにした方が、交換の頻度は多いがトータル的な費用は低減することができる。また、マッフル13は大型化することも容易であるため、大型基板を収容可能な必要最小限度の大きさにすることで、大型基板を処理することができる。
例えば、腐食性ガスを循環させる配管に、腐食性ガスの濃度を調整可能な濃度調整機構を設けてもよい。濃度調整機構とは、例えば、配管内の腐食性ガスの濃度を検出する濃度センサと、検出された濃度に応じて腐食性ガス供給装置のバルブ開度を調節する制御部とを設けたものである。このようにすることで、基板処理にとって最適な濃度の腐食性ガスを流通させることができる。
また、本実施形態では、腐食性ガス(H2SeガスまたはH2Sガス)を用いて基板に処理を施す基板処理装置を用いて説明したが、Se蒸気またはS蒸気などの金属蒸気を用いて基板に処理を施してもよい。
Claims (11)
- 腐食性ガスを用いて基板に処理を施す基板処理装置において、
処理室と、
処理室内に配置され、前記基板を収容可能な基板収容室と、
該基板収容室に前記腐食性ガスを流通させる腐食性ガス流通機構と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 前記腐食性ガス流通機構は、前記基板収容室から着脱可能に構成され、
前記基板収容室が、前記処理室に対して搬出入可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記腐食性ガス流通機構は、前記基板収容室内で前記腐食性ガスを循環させる循環装置を備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記処理室には、前記基板収容室の加熱機構が設けられていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理室は、該処理室内にガスを導入して所定圧力に制御する雰囲気制御機構を備えていることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記腐食性ガス流通機構に、前記腐食性ガスの濃度を調整可能な濃度調整機構が設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板が収容された基板収容室を、処理室内に搬入する基板収容室搬入工程と、
前記基板収容室に腐食性ガスを流通させて、前記基板を処理する基板処理工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。 - 前記基板処理工程の前に、前記処理室内にガスを供給するガス供給工程を有し、
前記基板処理工程では、前記処理室内に供給した前記ガスの圧力を、前記基板収容室内の腐食性ガスの圧力以上に保持することを特徴とする請求項7に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理工程の前に、前記処理室内にガスを供給するガス供給工程を有し、
前記基板処理工程では、前記処理室内に供給した前記ガスの圧力を、大気圧未満に保持することを特徴とする請求項7または8に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理工程の後に、前記処理室および前記基板収容室を同時に排気する排気工程を有することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記基板収容室搬入工程では、CuもしくはCu合金の単層、或いはその層を少なくとも1層以上含む積層が形成された前記基板を搬入し、
前記基板処理工程では、前記腐食性ガスとしてH2SeガスまたはSe蒸気、或いはH2SガスまたはS蒸気を流通させつつ、前記基板を加熱することにより、前記基板に太陽電池の光吸収層を形成することを特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の基板処理方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008129697A JP5214327B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2008129697A JP5214327B2 (ja) | 2008-05-16 | 2008-05-16 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009277995A true JP2009277995A (ja) | 2009-11-26 |
JP5214327B2 JP5214327B2 (ja) | 2013-06-19 |
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ID=41443129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5214327B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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JP5214327B2 (ja) | 2013-06-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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