JPH0917911A

JPH0917911A - 半導体装置およびその製法

Info

Publication number: JPH0917911A
Application number: JP7165928A
Authority: JP
Inventors: Toku Nagasawa; 徳長沢; Kazumasa Igarashi; 一雅五十嵐; Satoshi Tanigawa; 聡谷川; 信彦 ▲吉▼尾; Nobuhiko Yoshio; Hideyuki Usui; 英之薄井; Hisataka Itou; 久貴伊藤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 1995-06-30
Filing date: 1995-06-30
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】（修正有）【構成】補助配線板２の板面に、電極を備えた半導体チ
ップ１が、その電極側を対面させた状態で所定間隙を保
って搭載された半導体装置において、少なくとも半導体
チップ１と補助配線板２との間隙を、充填剤を含有する
エポキシ樹脂組成物であり、充填剤の比表面積が４０ｍ
²／ｇ以下であり、上記充填剤のなかの上記間隙厚み以
上の粒径の充填剤が、エポキシ樹脂組成物全体の１５重
量％以下の割合であるエポキシ樹脂組成物を用いて、ト
ランスファ成形により封止する。【効果】エポキシ樹脂組成物は、半導体チップ１と補助
配線板２との間隙への充填性に優れるものであるため、
トランスファ成形の適用が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップが補助配
線板の上に搭載され、少なくとも上記半導体チップと補
助配線板との間隙が樹脂組成物の硬化体で封止されてい
る半導体装置およびその製法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】パッケージタイプの半導体装置として、
リードフレームのダイパッドに半導体チップを搭載し、
半導体チップとリードフレームのインナーリードとをワ
イヤーボンディングし、アウターリードを除き半導体チ
ップをリードフレームとともに樹脂で封止した構造をと
るものが、一般的なものとして知られている。しかし、
このタイプの半導体装置では、半田付けの精度上、リー
ドフレームのアウターリードのピッチをかなり広くとる
必要があり、このためパッケージの大形化を避けること
ができず、高密度化実装に不利なものとなる。

【０００３】この問題を解決するために、リードフレー
ムに代えて、補助配線板を用い、この板面に、半導体チ
ップを、その電極側（回路形成面側）を対面させた状態
（いわゆるフェイスダウン）で搭載し、少なくとも上記
半導体チップと補助配線板との間隙を樹脂組成物の硬化
体で封止したタイプの半導体装置が、開発されており、
一部で実用化されている。上記補助配線板の内部には、
引回し導体が配設されており、この引回し導体の一端
は、上記補助配線板の半導体チップ搭載側の面から露出
する内側電極に形成され、上記引回し導体の他端は、上
記半導体チップ搭載側と反対側の面から露出する外側電
極に形成されている。そして、上記補助配線板の内側電
極は、半導体チップの電極と接合されており、この内側
電極と上記引回し導体と外部電極とを通じ、半導体チッ
プが外部と電気的に接続可能となっている。このタイプ
の半導体装置としては、例えば、ボールグリッドアレイ
（ＢＧＡ）タイプの半導体装置や、チップスケールパッ
ケージ（ＣＳＰ）タイプの半導体装置をあげることがで
きる。

【０００４】上記ＢＧＡタイプの半導体装置は、例え
ば、図８（イ）に示すように、補助配線板２′の板面
に、半導体チップ１′が、電極１１′側（回路形成面
側）を対面させた状態で搭載され、上記半導体チップ
１′が、封止樹脂４′により封止されたものである。同
図において、２２′は、外部電極を示す。

【０００５】一方、上記ＣＳＰタイプの半導体装置は、
パッケージの大きさが、半導体チップの大きさと略同じ
ものであり、半導体チップと補助配線板との間隙だけを
封止したものや、半導体チップ全体を封止したものがあ
る。半導体チップと補助配線板との間隙だけを封止した
ＣＳＰタイプの半導体装置の例としては、図８（ロ）に
示す半導体装置があげられる。図示のように、補助配線
板２′の板面に半導体チップ１′が搭載され、上記補助
配線板２′の面積が、半導体チップ１′の電極１１側の
面積と略同じであり、上記半導体チップ１′と補助配線
板２′との間隙だけが、樹脂組成物の硬化体で封止され
ている。

【０００６】また、図７に、半導体チップ全体が封止さ
れたＣＳＰタイプの半導体装置を示す。図示のように、
この半導体装置は、補助配線板２′の上に、半導体チッ
プ１′が、その電極１１′を対面させたフェイスダウン
で搭載されており、上記半導体チップ１′と補助配線板
２′との間隙だけでなく、上記半導体チップ全体が樹脂
組成物の硬化体４で封止されたものであるが、パッケー
ジサイズは、半導体チップのサイズと略同じとなってい
る。また、補助配線板２′は、絶縁支持板２５′を基材
としており、この絶縁支持板２５′の所定位置に、孔２
２１′が穿孔され、この内部に金属２２２′が充填され
ている。そして、この充填金属２２２′の一端は、絶縁
支持板２５′の半導体チップ１′の搭載側と反対側の面
から突出する金属バンプ２２３′に形成されて、外部電
極２２′となっている。また、上記絶縁支持板２５′の
半導体チップ搭載側の面の所定位置には、引回し導体２
４′が形成され、この一端は、上記充填金属２２２′の
他端に接合している。また、半導体チップ１′の電極１
１′は、その先端に、絶縁支持板２５′に対して突出す
る金属バンプ２１１′を備えたフリップチップであり、
この金属バンプ２１１′が、上記引回し導体２４′の他
端と接合している。

【０００７】このように、ＢＧＡタイプやＣＳＰタイプ
の半導体装置では、補助配線板に半導体チップをフェイ
スダウンで搭載し、上記補助配線板において、半導体チ
ップの電極位置に合わせて内部電極や引回し導体の一端
を配置し、また回路基板に合わせて外聞電極を形成し
て、この外部電極を上記引回し導体の他端と接続するこ
とができるものである。したがって、このような半導体
装置では、用いる半導体チップの電極の配置に拘束され
ることなく、所定の位置に実装用の外部電極を形成する
ことが可能となり、外部電極間の相互の間隔を充分に広
くとることができ、半田精度が向上するようになる。

【０００８】そして、前述のように、上記ＢＧＡタイプ
やＣＳＰタイプの半導体装置において、少なくとも半導
体チップと補助配線板との間隙が樹脂組成物の硬化体で
封止される。これは、半導体チップがフェイスダウンで
搭載されていることから、回路形成面および電気的接続
部の保護のためであり、例えば、冷熱サイクルテストの
ような温度変化条件に暴露された場合、熱応力による金
属接合部の破断等を防止するためである。通常、この間
隙の封止は、液状の封止材を上記間隙の端部から注入
し、ついでこれを硬化させることにより行われている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
状封止材を注入する方法は、封止材の注入量の調整や、
これを硬化させた場合の形状のコントロール、特に硬化
した封止材端部の形状コントロールが困難であるという
問題を有する。また、この液状封止材の注入による上記
間隙の封止は、煩雑な操作であり、半導体装置の製造効
率を低下させる要因の一つとなっている。

【００１０】また、半導体チップとして、フリップチッ
プを使用した場合、このフリップチップが高価であるこ
とから、半導体装置の高コスト化を招来することとな
る。

【００１１】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、製造効率に優れた半導体装置およびその製法の
提供をその目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、補助配線板の板面に、電極を備えた半導
体チップが、その電極側を対面させた状態で所定間隙を
保って搭載され、上記補助配線板の内部に引回し導体が
配設され、この引回し導体の一端が上記補助配線板の半
導体チップ搭載側の面から露出する内側電極に形成さ
れ、上記引回し導体の他端が上記補助配線板の半導体チ
ップ搭載側と反対側の面から露出する外側電極に形成さ
れ、上記内側電極と上記半導体チップの電極とが接合
し、少なくとも上記半導体チップと補助配線板との間隙
が、樹脂組成物の硬化体により封止されている半導体装
置であって、上記樹脂組成物の硬化体による封止がトラ
ンスファ成形による封止であり、上記樹脂組成物が、充
填剤を含有するエポキシ樹脂組成物であり、上記充填剤
の比表面積が４０ｍ²／ｇ以下であり、上記充填剤のな
かの上記半導体チップと補助配線板との間隙の厚み以上
の粒径を有する充填剤が、上記エポキシ樹脂組成物全体
の１５重量％以下の割合である半導体装置を第１の要旨
とする。

【００１３】また、本発明は、半導体チップを搭載する
補助配線板であり、その内部に引回し導体が配設され、
この引回し導体の一端が上記補助配線板の半導体チップ
搭載側の面から露出する内側電極に形成され、上記引回
し導体の他端が上記補助配線板の半導体チップ搭載側と
反対側の面から露出する外側電極に形成された補助配線
板と、電極を備えた半導体チップと、エポキシ樹脂組成
物とを準備する工程と、上記補助配線板の板面に、上記
半導体チップを、その電極側を対面させた状態で搭載す
る工程と、上記半導体チップと補助配線板との間隙にエ
ポキシ樹脂組成物を充填し、ついでこれを硬化させて上
記半導体チップと補助配線板との間隙を封止する工程
と、上記内側電極と半導体チップの電極とを接合させる
工程とを備えた半導体装置の製法であって、上記半導体
チップと補助配線板との間隙にエポキシ樹脂組成物を充
填し、ついでこれを硬化させて上記半導体チップと補助
配線板との間隙を封止する工程が、トランスファ成形に
よる工程であり、上記エポキシ樹脂組成物として、充填
剤を含有するエポキシ樹脂組成物であり、上記充填剤の
比表面積が４０ｍ²／ｇ以下であり、上記充填剤のなか
の上記半導体チップと補助配線板との間隙の厚み以上の
粒径を有する充填剤が、上記エポキシ樹脂組成物全体の
１５重量％以下の割合であるエポキシ樹脂組成物を使用
する半導体装置の製法を第２の要旨とする。

【００１４】

【作用】すなわち、本発明者らは、半導体チップと補助
配線板との間隙の封止法としてトランスファ成形の適用
およびこれに用いることが可能な樹脂組成物の開発を中
心課題として、一連の研究を重ねた。これは、トランス
ファ成形が、成型性および作業性に優れており、この適
用により、半導体装置の製造効率の向上を期待できるか
らである。しかし、上記間隙は、極めて狭く、従来から
半導体チップのパッケージに汎用されているエポキシ樹
脂組成物等を、そのまま用いることはできない。そこ
で、トランスファ成形に適用可能なエポキシ樹脂組成物
について、研究を重ねたところ、エポキシ樹脂組成物に
配合する充填剤を特定することにより、目的を達成する
ことができることを見出した。具体的には、充填剤の比
表面積を４０ｍ²／ｇ以下とし、また充填剤のなかの上
記間隙厚み以上の粒径を有する充填剤をエポキシ樹脂組
成物全体の１５重量％以下とすることである。すなわ
ち、比表面積を上記所定の割合にすることにより、エポ
シキ樹脂組成物の加熱溶融粘度が低下するようになり、
また、充填剤の粒度組成を特定することにより、極めて
狭い空間である上記間隙部への充填が可能となる。

【００１５】また、本発明では、半導体チップの高コス
トの問題は、補助配線板に形成する内側電極を、板面か
ら突出する金属バンプとすることにより、解決するもの
である。これにより、高価なフリップチップを使用する
必要がなくなる。

【００１６】つぎに、本発明について詳しく説明する。

【００１７】本発明の半導体装置は、補助配線板に、半
導体チップがフェイスダウンで搭載され、少なくとも上
記半導体チップと補助配線板との間隙が、トランスファ
成形により特殊なエポキシ樹脂組成物の硬化体で封止さ
れたものである。

【００１８】上記エポキシ樹脂組成物は、母材となるエ
ポキシ樹脂に、特定の充填剤を配合したものであり、こ
れに加え、必要に応じ、硬化剤，硬化促進剤等の添加剤
を配合したもである。

【００１９】上記充填剤の種類としては、特に制限する
ものではないが、電気特性に優れイオン性不純物の含有
量が低いという理由から、溶融性シリカ粉末が好まし
い。また、この溶融性シリカ粉末において、半導体チッ
プ表面へのダメージが少ないという理由から、球状のも
のが特に好ましい。また、この溶融性シリカ粉末の他
に、必要に応じ、結晶性シリカ，タルク，アルミナ，炭
酸カルシウム，カーボンブラック等を使用することも可
能である。

【００２０】そして、上記充填剤は、前述のように、以
下の２つの条件（Ａ）および（Ｂ）を同時に充足する必
要がある。すなわち、これらの条件の一方でも充足しな
いと、エポキシ樹脂組成物の上記間隙への充填が困難と
なり、本発明の所定の効果を得ることができなくなるか
らである。（Ａ）充填剤の比表面積が４０ｍ²／ｇ以下である。（Ｂ）充填剤のなかの上記間隙厚み以上の粒径の充填剤
がエポキシ樹脂組成物全体の１５重量％（以下「％」と
略す）以下の割合である。

【００２１】上記（Ａ）の条件において、充填剤の比表
面積とは、充填剤１ｇ当たりの表面積合計をいい、例え
ば、基体吸着法（ＢＥＴ法）により測定することができ
る。また、この比表面積は、４０ｍ²／ｇ以下である
が、好ましくは３０ｍ²／ｇ以下であり、特に好ましく
は２０ｍ²／ｇ以下ある。すなわち、充填剤の比表面積
が４０ｍ²／ｇを超えると、エポキシ樹脂組成物の溶融
粘度が高くなり、半導体チップと補助配線板との空隙へ
の充填が困難となるからである。

【００２２】また、上記条件（Ｂ）において、充填剤の
なかで、半導体チップと補助配線板との間隙厚み以上の
粒径を有する充填剤の割合が、エポキシ樹脂組成物全体
に対し１５％以下である必要があり、好ましくは１０％
以下、特に好ましくは５％以下である。すなわち、１５
％を超えると、エポキシ樹脂組成物の上記間隙への充填
が困難となるからである。

【００２３】上記エポキシ樹脂としては、例えば、ｏ−
クレゾールノボラックエポキシ樹脂、フェノールノボラ
ックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂あるいはそのノボラックタイプ、
エピクロルヒドリン−ビスフェノール縮合型エポキシ樹
脂、ナフタレン骨格エポキシ樹脂等の１分子内に２個以
上のエポキシ基を含有するエポキシ樹脂があげられる。

【００２４】また、上記エポキシ樹脂には、通常、硬化
剤が使用される。この硬化剤としては、得られる半導体
装置の信頼性が優れるようになるという理由から、フェ
ノール樹脂を用いることが好ましい。このフェノール樹
脂の具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレ
ゾールノボラック樹脂、レゾール型フェノール樹脂、パ
ラターシャルブチルフェノール等のアルキルフェノール
のノボラック樹脂およびフェノールアラルキル樹脂があ
げられる。

【００２５】また、本発明では、硬化剤として、フェノ
ール樹脂に限定するものではなく、この他に、酸無水物
やアミン系の硬化剤を用いることも可能である。上記酸
無水物としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン
酸およびこれらの誘導体あげられる。また、上記アミン
系の硬化剤としては、例えば、ジアミノジフェニルメタ
ン，ジアミノジフェニルスルホン等があげられる。そし
て、硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂に対し、通常、
０．５〜２．０当量、好ましくは０．７〜１．５当量、
特に好ましくは０．９〜１．１当量である。また、通
常、エポキシ樹脂と硬化剤とを併せた配合割合は、全配
合物中の１０〜９０重量％、好ましくは２０〜５０重量
％である。

【００２６】また、上記硬化剤に加え、硬化促進剤を使
用することもできる。例えば、フェノール樹脂を硬化剤
とする場合は、硬化促進剤として、第三級アミン，共役
系アミン，リン系触媒があげられる。また、イミダゾー
ル等を硬化触媒として使用する場合は、硬化剤なしで、
エポキシ樹脂単独で硬化反応を起こすことも可能であ
る。硬化促進剤の配合割合は、所望の硬化時間となるよ
うに配合される。

【００２７】また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、
上記成分に加え、必要に応じ、ブロム化化合物，アンチ
モン化合物等の難燃剤、カルナバワックス，ポリエチレ
ンワックス等の離型剤、カーボンブラック，顔料等の着
色剤、シランカップリング剤等の表面処理剤、シロキサ
ン系エラストマー，ブタジエン系エラストマー等の低応
力化剤を配合することも可能である。

【００２８】そして、本発明で用いるエポキシ樹脂組成
物は、上記材料を、所定の割合で配合し、これを加温し
て混練し、必要に応じて打錠するという一連の工程によ
り製造することができる。

【００２９】つぎに、図１に本発明の半導体装置の一例
を示す。

【００３０】同図（イ）は、半導体装置の構成を示す断
面図であり、同図（ロ）は、その一部切り欠き図であ
り、同一部分には同一符号を付している。図示のよう
に、この半導体装置は、ＣＳＰタイプのものであり、補
助配線板片２の板面に、半導体チップ１が、その電極１
１側（回路形成面側）を上記補助配線２板面に対面させ
た状態（フェイスダウン）で搭載されている。上記補助
配線板２は、絶縁層２４，２５を積層したものであり、
この絶縁層２４，２５には、ポリイミドフィルムを使用
することが、耐熱性の観点から好ましい。そして、上記
半導体チップ１の電極１１が、補助配線板２の内側電極
２１に接合されている。この内側電極２１は、絶縁層２
４の所定位置に穿孔された孔２１２に金属２１３が充填
され、この充填金属の一端は、半導体チップ１搭載面か
らバンプ状に突出（同図において上方）して金属バンプ
２１１に形成され構成されたものである。そして、上記
充填された金属２１３の他端は、補助配線板片２の内部
に配設された引き回し導体２３の一端と接続している。
また、この引回し導体２３の他端は、外側電極２２と接
続されている。この外側電極２２は、上記内側電極２１
と同様に、絶縁層２５の所定の位置に穿孔された孔２２
１に金属２２２が充填されており、この充填金属２２２
の一端が、上記引回し導体２３の一端と接続し、充填金
属２２２の他端は、半導体チップ１搭載側と反対側の面
からバンプ状に突出（同図において下方）して金属バン
プ２２３が形成され構成されたものである。このよう
に、補助配線板２の内側電極２１，引回し導体２３，外
側電極２２を通じて、半導体チップ１の外部に対する電
気的な接続がとれるのである。また、この半導体装置の
特徴としては、引回し導体２３を任意に形成することが
できることから、内側電極２１と外側電極２２の形成位
置を自由に選択できる点があげられる。これにより、半
導体チップの種類にかかわらず、半導体装置を標準化す
ることが可能となり、被実装回路基板への適用が広範囲
なものとなる。図１（イ′）には、上記同図（イ）に示
された半導体装置とは異なった電極位置を有する半導体
装置の一例を示す。同図において、図１（イ）と同一部
分には同一符号を付している。また、図１（イ′′）に
は、内側電極の略真下に対応する位置に外側電極が配置
された半導体装置を示す。同図において、図１（イ）と
同一部分には同一符号を付している。

【００３１】また、この半導体装置では、補助配線板の
内側電極が、突出する金属バンプに形成されているた
め、フリップチップではなく、一般的な半導体チップを
使用している。

【００３２】そして、この半導体装置では、半導体チッ
プ１全体が封止されている。すなわち、半導体チップ１
と補助配線板２との間隙は、上記エポキシ樹脂組成物の
硬化体３で封止され、この部分を除く半導体チップ１の
全体が、樹脂組成物の硬化体４で封止されている。上記
間隙の封止は、後述するように、トランスファ成形によ
り、エポキシ樹脂組成物を充填し、これを硬化させるこ
とにより行っている。このため、この硬化体２の封止形
状性も良好であり、また封止も充分なものである。した
がって、この半導体装置は、例えば、冷熱サイクルテス
ト等の温度変化条件に暴露されても、半導体チップ１と
補助配線板２との電気的接続部（金属接合部）の熱応力
による破断の発生が防止され、また半導体装置内への水
等の侵入も防止されるようになり、半導体装置の信頼性
が優れたものとなっている。他方、この部分以外の封止
に使用する樹脂組成物は、上記エポキシ樹脂組成物を用
いることが、製造工程の簡略化等の点から好ましい。し
かし、これに限定するものではなく、この他に、シート
状の熱可塑性樹脂組成物やシート状の熱硬化性樹脂組成
物等の樹脂組成物を使用することも可能である。

【００３３】また、補助配線板２の板面の面積は、半導
体チップ１の底面積（回路形成面の面積、通常３ｍｍ〜
２０ｍｍ角）に等しいか、これの２００％以下であるこ
とが好ましく、特に好ましくは１３０％以下である。こ
れは、補助配線板が、半導体チップに比べて大きいと、
パッケージ密度が低下し、ＣＳＰタイプの半導体装置の
利点が生かされないからである。

【００３４】上記外部電極２２の相互間隔は、被実装回
路基板への半田付けする際のブリッジを防止するため
に、可能な限り広くとることが好ましい。また、この外
部電極２２相互の間隔は、通常、等間隔とされる。

【００３５】つぎに、図２に、補助配線板２を３層構造
とした例を示す。同図において、１１０は、被実装回路
基板（図示せず）の電極を示し、これ以外は、図１と同
一部分には同一符号を付している。図示のように、上記
補助配線板２は、絶縁層が３つ積層されており、これら
の界面部分に引回し導体２３が配設されている。このよ
うに、補助配線板２を多層構造とすることにより、引回
し導体２３の埋設部分を多くとることが可能となり、高
集積回路を有する多電極半導体チップ１に適切に対応す
ることが可能となる。したがって、補助配線板２は、２
層や３層構造に限定されず、搭載する半導体チップの種
類により、層の数は適宜決定される。

【００３６】そして、本発明の半導体装置において、補
助配線板とエポキシ樹脂組成物の硬化体との界面接着力
を高めるために、上記補助配線板の半導体チップ搭載側
の面の少なくとも上記エポキシ樹脂組成物の硬化体と接
触する部分を、所定の表面張力の状態や所定の凹凸面に
することが好ましい。具体的には、上記表面張力は、通
常３５ｍＪ／ｍ²以上、好ましくは４０ｍＪ／ｍ²以上
である。また、上記凹凸面は、通常、０．００５〜０．
５μｍ径の凹凸面であり、好ましくは、０．０１〜０．
２μｍ径の凹凸面である。このような所定の条件にする
ことにより、上記界面の接着力を９０°剥離強度（室
温，乾燥状態）で、３００ｇ／ｃｍ以上、好ましくは、
５００ｇ／ｃｍ以上、特に好ましくは１０００ｇ／ｃｍ
以上にすることができ、この結果、導通不良の発生をさ
らに効果的に防止することが可能となる。このような、
所定の条件に補助配線板を加工する方法としては、酸，
アルカリ液処理、カップリング剤処理，グラフト処理等
の化学的方法や、コロナ放電処理、高周波プラズマ処
理、イオンエッチング処理等の物理的処理があげられ
る。

【００３７】つぎに、このような半導体装置は、上記エ
ポキシ樹脂組成物を用いたトランスファ成形により、例
えば、以下のようにして作製することができる。以下、
図３に基づき説明する。

【００３８】まず、同図（イ）に示すように、絶縁支持
フィルム（絶縁層）２４の片面に引回し導体２３を印刷
形成する。この印刷形成には、金属箔積層合成樹脂フィ
ルムの金属箔を所定の引回しパターンに化学エッチング
する方法を使用することが好ましい。この金属箔積層合
成樹脂フィルムとしては、合成樹脂フィルムに銅箔を融
着あるいはワニス溶液を塗工することにより得た二層基
材、銅箔を熱可塑性または熱硬化性接着剤で合成樹脂フ
ィルムに接着した三層基材等があげられる。また、合成
樹脂フィルムは、ワイヤーバンプ法で金属バンプを形成
する場合の耐熱性、メッキ法により金属バンプを形成す
る場合の耐薬品性を充足するものであれば、特に制限す
るものではない。例えば、合成樹脂フィルムとして、ポ
リイミドフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィル
ム，ポリエーテルイミドフィルム，ポリエーテルサルホ
ンフィルム，ポリフェニレンサルファイドフィルム，ポ
リエーテルエーテルケトンフィルム，ポリテトラフルオ
ルエチレン（テフロン）フィルム等があげられる。この
なかで、先に述べたように、耐熱性が良好なポリイミド
フィルムが好ましい。なお、この合成樹脂フィルムの厚
みは、通常、１０〜１５０μｍであり、好ましくは、１
２．５〜５０μｍである。

【００３９】そして、絶縁支持フィルム２４の片面に引
回し導体２３を形成した後、同図（ロ）に示すように、
上記絶縁支持フィルム２４の所定の位置に孔２１２を穿
設する。この穿設は、一般に、ドリル加工，レーザーエ
ッチング加工等が適用される。特に、絶縁支持フィルム
２４が、ポリイミドフィルムの場合は、アルカリエッチ
ング等の湿式穿孔法を適用することが可能である。また
二層基材のポリイミドフィルムの場合では、感光性ポリ
イミドを使用し、露光により穿孔することも可能であ
る。

【００４０】この孔２１２の穿孔後、同図（ハ）に示す
ように、孔２１２内において、絶縁支持フィルム２４を
メッキマスクとし、かつ導体２３を析出原点として、メ
ッキ処理を行い、金属２１３を充填する。この金属とし
ては、例えば、金，銀，ニッケル，銅，パラジウムがあ
げられる。

【００４１】そして、金属２１３の充填後、同図（ニ）
に示すように、充填金属２１３の露出端面（図において
上方の端面）の上に、金属バンプ２１１を形成する。こ
の金属バンプ２１１の形成には、ワイヤーボンダーを用
い、金線，銅線，半田線等の先端を溶融して球状にし、
この球状先端部を、上記金属２１３の露出端面に融着さ
せる方法があげられる。金線を使用する場合、銅製の引
回し導体２３と金との接触を防止するために、充填金属
２１３をニッケルとすることが好ましい。また、このワ
イヤーボンダーを用いる方法の他に、充填金属の端面上
に湿式メッキ法で金属を盛り上げて金属バンプ２１１を
形成することも可能である。上記ワイヤーボンダーを用
いて金属バンプ２１１を形成すると、孔２１２周辺が溶
融金属に対する濡れ性の低い合成樹脂面であることか
ら、溶融金属の孔２１２周辺への付着が防止され、充填
金属２１３の端面上に接触角の大きい球状の金属バンプ
２１１を整然と形成することが可能となる。また、メッ
キ法によっても、電解メッキ，無電解メッキの種類を問
わず、金属バンプ２１１を整然と形成することが可能で
ある。この金属バンプ２１３の形成により、内側電極２
１の形成が終了する。なお、この金属バンプの高さは、
通常、５〜１５０μｍであり、好ましくは１０〜１００
μｍである。

【００４２】この内側電極２１の形成後、同図（ホ）に
示すように、絶縁支持フィルム２４の引回し導体２３の
印刷形成面に樹脂をカバーコートしてカバーコート絶縁
層２５を形成し、ついで、同図（へ）に示すように、こ
のカバーコート絶縁層２５の所定位置に外側電極用の孔
２２１を穿設し、同図（ト）に示すように、この孔２２
１に金属（半田）２２２を充填する。これら一連の工程
は、上記内側電極２１の形成と同様にして行うことがで
きる。このようにして、補助配線板２を作製することが
できる。上記カバーコート絶縁層２の形成材料として
は、上記絶縁層２４と同様のものが使用でき、耐熱性の
観点から、ポリイミドフィルムが好ましく、特に好まし
くは、熱閉環性ポリイミドフィルムあるいは感光閉環性
ポリイミドフィルムである。

【００４３】そして、同図（チ）に示すように、補助配
線板２に半導体チップ１を搭載する。すなわち、補助配
線板２の内側電極１１側に、半導体チップ１を、その電
極１１と上記内側電極２１と一致するようにアライメン
トし、ホットバーやパルスヒート等の一括圧着接続ある
いはシングルポイントボンダーによる個別熱圧着接続で
半導体チップ１の電極１１と上記内側電極２１とを金属
接合する。この金属接合において、シングルポイントボ
ンダーによる個別の熱圧着接続を行う場合、超音波接合
を併用して熱圧着接合温度を低くすることが好ましい。

【００４４】なお、内側電極２１の金属バンプ２１１と
して半田バンプを使用し、この金属バンプ２１１と半導
体チップ１の電極１１との接合をリフロー法により行う
ことも可能である。この場合、半導体チップ１の電極１
１と補助配線板２の内側電極２１との位置あわせにおい
て多少のずれが生じても、溶融半田の表面張力により、
自ずと修正されるようになる。このため、後述するアラ
イメントのための措置が不要となる。

【００４５】また、同図（チ）に示す工程において、半
導体チップ１の電極１１と補助配線板２の内側電極２１
の金属２１１とをアライメントさせる方法としては、図
５に示すように、半導体チップ１にダミー電極１１ａを
設け、これにアライメント用のバンプ２１１ａを取り付
け、補助配線板２にアライメント用孔２１２ａを穿孔し
この孔２１２ａとアライメント用バンプ２１１ａとを接
合させる方法があげられる。上記アライメント用バンプ
２１１ａの高さは、内側電極２１の金属バンプ２１１よ
りもやや高くし、例えば、金属バンプ２１１の高さが２
０μｍの場合、アライメント用バンプ２１１ａの高さは
５０μｍに設定される。アライメント用バンプ２１１ａ
の材質については、このバンプ２１１ａが半導体チップ
１の電極１１と補助配線板２の金属バンプ２１１と接合
時に加圧される場合は、その接合温度で軟化するものが
使用され、加圧されない場合は、特に限定するものでは
ない。アライメント用孔２１２ａの孔径は、半導体チッ
プ１の電極１１と補助配線板２の金属バンプ２１１との
位置ずれを１０％以下に抑えるように設定することが好
ましい。

【００４６】つぎに、補助配線板２に半導体チップ１を
搭載した後、半導体チップ１の封止をトランスファ成形
により行う。

【００４７】すなわち、図４（イ）に示すように、上下
一組の成形型５ａ，５ｂを準備し、上記半導体チップ１
を搭載した補助配線板２を、その半導体チップ１が成形
空間（キャビティ−）５ｄ内に位置するように、上記成
形型５ａ，５ｂで挟む。そして、加熱溶融したエポキシ
樹脂組成物を、ゲート５ｃを通してキャビティ５ｄに圧
送する。この時、本発明のエポキシ樹脂組成物は、充填
剤の比表面積および粒度組成を特定していることから、
極めて狭い空間である上記半導体チップ１と補助配線板
との間隙に、充分に充填することができる。ついで、成
形型５ａ，５ｂを加熱し、エポキシ樹脂組成物を硬化さ
せる。このようにすると。図３（リ）に示すように、半
導体チップ１と補助配線板２との間隙を含む半導体チッ
プ１の全面が封止されるようになる。そして、トランス
ファ成形によるため、パッケージの形状、特に半導体チ
ップと補助配線板との間隙の封止形状が良好なものとな
る。なお、同図において、３および４は、ともにエポキ
シ樹脂組成物の硬化体である。

【００４８】また、図４（ロ）に示す成形型６ａ，６ｂ
を使用してもよい。同図において、図４（イ）と同一部
分には同一符号を付している。この成形型では、上型６
ａのゲート６ｃの吐出口が、半導体チップ１の側面側に
位置している。

【００４９】そして、図４（ハ）に示すように、半導体
チップ１の上面（回路形成面と反対側の面）を上型７ａ
のキャビティ壁面に密着させてトランスファ成形を行う
ことにより、図３（ヌ）に示すような、半導体チップ１
と補助配線板２との間隙だけをエポキシ樹脂組成物の硬
化体で封止することが可能となる。このように、半導体
チップと補助配線板との間隙の封止のみの半導体装置で
は、後述するように、放熱性が向上するという利点があ
る。なお、同図において、７ｂは、下型を示し、７ｃは
ゲートを示し、７ｄはキャビティを示し、その他の部分
は、図４（イ）と同一部分に同一符号を付している。

【００５０】そして、トランスファ成形による封止の
後、内側電極の金属バンプ２１１と同様にして、外側電
極２２の半田バンプ（図示せず）を形成することによ
り、半導体装置の製造が終了する。

【００５１】この半導体装置の回路基板への実装は、例
えば、リフロー法により行うことができ、この場合、外
部電極が半田バンプで構成されていることから、半導体
装置の外部電極と被実装回路基板との導体端子との位置
あわせに多少のずれがあっても、溶融した半田の表面張
力により、自ずと位置の修正がなされる。

【００５２】なお、上記半導体装置の製法において、上
記製造手順は限定されるものではない。例えば、カバー
コート絶縁層２５の形成後、外側電極の形成前に、半導
体チップ１を接合し、半導体チップ１と補助配線板２と
の間を樹脂封止し、しかるのち、カバーコート絶縁層２
５に外側電極を形成してもよい。

【００５３】また、帯状の合成樹脂フィルム２４に引回
し導体２３を長手方向に多数形成し、このフィルム２４
を走行させながら、フィルム・キャリア方式で上記工程
を順次行うという、連続方式を採用することも可能であ
る。

【００５４】つぎに、本発明の半導体装置において、半
導体チップの放熱性を高めるために、図６（イ）〜
（ニ）に示すような形態をとることも可能である。具体
的には、半導体チップ１の回路形成面と反対側の面を露
出させたり、放熱フィンを使用することである。なお、
同図において、図１と同一部分には同一符号を付してい
る。

【００５５】まず、同図（イ）に示す半導体装置では、
半導体チップ１の回路形成面と反対側の面を完全に露出
させており、同図（ロ）に示す半導体装置では、半導体
チップ１の回路形成面と反対側の面に、熱伝導性接着剤
３６により放熱フィン３５が取り付けられている。ま
た、同図（ハ）に示す半導体装置では、半導体チップ１
の回路形成面と反対側の面に封止樹脂３によりヒートス
プレッダ３５′が取り付けられている。そして、同図
（ニ）に示す半導体装置では、半導体チップ１の電極１
１には接触しない内側金属充填孔３７１と、この充填金
属３７１に熱的に接続された内部導体３７２（引き回し
導体とは異なる）と、この内部導体３７２に熱的に接続
された外側金属充填孔３７３ならびに金属バンプ３７４
を設け、これらが形成する熱伝達経路を通じて半導体チ
ップ１の発生熱を放熱するようにしている。また、同図
（ニ）において、図中の点線で示すように、引回し導体
２４と所定の絶縁ギャップを隔てて導体（銅箔）２４ａ
をできるだけ多く残存させて、この残存導体２４ａをヒ
ートスプレッダとして使用することや、放熱ダミーを設
けることと等が、半導体チップの放熱手段として有効で
ある。

【００５６】

【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置は、
トランスファ成形により、充填剤を含有するエポキシ樹
脂組成物の硬化体で少なくとも半導体チップと補助配線
板との間隙を封止したものである。そして、上記充填剤
において、上記充填剤の比表面積は４０ｍ²／ｇ以下で
あり、かつ充填剤のなかの上記間隙厚み以上の充填剤
が、エポキシ樹脂組成物全体に対し１５％以下である。
このように、充填剤の比表面積を特定していることか
ら、エポキシ樹脂組成物の溶融粘度がトランスファ成形
に適した範囲となり、また上記間隙厚み以上の粒径の充
填剤の割合を制限していることから、上記間隙へのエポ
キシ樹脂組成物の充填を充分に行うことが可能となる。
この結果、トランスファ成形の適用が可能となって、半
導体チップの封止工程が容易化され、かつ硬化体の封止
形状も良好なものとなる。すなわち、従来の液状封止剤
の注入において問題となっていた、封止材の注入量の調
整や、これを硬化させた場合の形状のコントロールの問
題が解決され、封止工程の効率を向上させることが可能
となる。この結果、本発明の半導体装置は、エポキシ樹
脂組成物の硬化体により、半導体チップ回路形成面およ
び電気的接続部が充分に保護されているため、信頼性が
優れたものとなる。

【００５７】また、本発明の半導体装置において、補助
配線板の内側電極を、突出する金属バンプとすれば、高
価なフリップチップを用いる必要がなくなり、安価な一
般の半導体チップを使用することが可能となって、半導
体装置の低コスト化を図ることが可能となる。

【００５８】そして、本発明の半導体装置において、補
助配線板の半導体チップ搭載側の面を所定の表面張力や
凹凸面にすれば、エポキシ樹脂組成物の硬化体との接着
性が極めて高くなり、この結果、半導体装置の信頼性も
極めて優れたものとなる。

【００５９】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。

【００６０】まず、実施例および比較例に先立ち、下記
の表１に示すエポキシ樹脂組成物の材料を準備した。な
お、同表において、比表面積は、前述のＢＥＴ法による
ものである。

【００６１】

【表１】

【００６２】

【実施例１〜７，実施例１１〜１６，比較例１〜４】前
述の方法により、半導体装置を作製した。すなわち、ポ
リイミドフィルム（支持フィルム）に、金バンプを形成
し補助配線板を作製した。そして、この補助配線板に、
信頼性評価用半導体チップ（１５ｍｍ×１５ｍｍ×厚み
０．３７５ｍｍ）を搭載し、３００℃の温度条件で電極
間を接合した。なお、この接合において、金バンプの高
さ、接合条件を適宜変えることにより、半導体チップと
補助配線板との間隙厚みを変えた。一方、下記の表２〜
表５に示す材料を用い、同表に示す割合でエポキシ樹脂
組成物を作製した。そして、このエポキシ樹脂組成物を
用い、図４（イ）に示すようにしてトランスファ成形を
行い、ＣＳＰタイプの半導体装置を作製した。上記トラ
ンスファ成形の条件は、金型温度１７５℃、注入圧力が
７０ｋｇ／ｃｍ²、硬化時間５分、後硬化１７５℃×１
０時間である。そして、得られた半導体装置のパッケー
ジの大きさは、１７ｍｍ×１７ｍｍ×厚み０．５５ｍｍ
である。

【００６３】

【実施例８〜１０】支持フィルムとして、ビスマレイミ
ドトリアジンをガラスクロスに含浸して基板形成した基
板（ＢＴ基板）を用い、この上にフリップチップを搭載
した。この他は、下記の表３に示す材料を同表に示す割
合で配合したエポキシ樹脂組成物を用い、実施例１〜７
と同様にしてトランスファ成形を行い、ＢＧＡタイプの
半導体装置を作製した。

【００６４】

【表２】

【００６５】

【表３】

【００６６】

【表４】

【００６７】

【表５】

【００６８】このようにして得られた実施例１〜１６，
比較例１〜４の半導体装置について、半導体チップと補
助配線板との間隙への充填性について評価した。この結
果を、下記の表６〜表９に示す。なお、上記特性の評価
は、以下の方法により行った。

【００６９】〔充填性〕補助配線板と半導体チップとを
熱剥離する方法により、半導体チップと補助配線板との
間隙の充填面積を調べた。そして、上記間隙の全部にお
いて充填されているものを○、充填面積が間隙部の面積
の７０％未満のものを×とした。

【００７０】

【表６】

【００７１】

【表７】

【００７２】

【表８】

【００７３】

【表９】

【００７４】上記表６〜表８から、所定の条件の充填剤
を含有するエポキシ樹脂組成物を用いた実施例の半導体
装置は、半導体チップと補助配線板との間隙が全て封止
されていたことがわかる。

【００７５】これに対し、上記表９から、充填剤の条件
が、所定の範囲からはずれたエポキシ樹脂組成物を用い
た比較例１〜４の半導体装置では、充填性が悪かった。

【００７６】

【実施例１７〜２１】種々の表面張力の補助配線板を準
備した。すなわち、下記の表１０に示すポリイミドフィ
ルム（ＰＩ），ポリエチレンテレフタレートフィルム
（ＰＥＴ），ポリプロピレンフィルム（ＰＰ），テフロ
ンフィルムをそのまま用いるか、またはアルカリ処理若
しくはプラズマ処理を施した。なお、フィルムの厚み
は、６０μｍである。これに、実施例１と同様にして、
半導体チップを搭載し、エポキシ樹脂組成物を用いて半
導体チップを封止して半導体装置を作製した。なお、上
記半導体チップと補助配線板との間隙厚みは、１０μｍ
である。また、上記アルカリ処理は、０．１ＮＫＯＨ水
溶液にフィルムを５時間浸漬して行い、またプラズマ処
理は、０．１ｔｏｒｒの酸素ガス雰囲気下で、１００
ｗ，１３．５６ＭＨｚ，３０秒間のグロー放電をフィル
ムに対して行った。

【００７７】そして、このようにして得られた半導体装
置について、接着力およびＰＣＴ不良率を測定した。そ
の結果も、下記の表１０に示す。なお、上記接着力およ
びＰＣＴ不良率の測定方法は、以下のとおりである。

【００７８】〔接着力〕９０度剥離試験により、半導体
チップと補助配線板との剥離力を測定し、これを接着力
（ｇ／ｃｍ）とした。

【００７９】〔ＰＣＴ不良率〕１２１℃の飽和水蒸気中
でのプレッシャークッカー試験（ＰＣＴ）２００時間後
の断線不良率（％）を調べた。

【００８０】

【表１０】

【００８１】上記表１０から、３５ｍＪ／ｍ²以上の表
面張力とした補助配線板を用いた半導体装置は、接着力
が極めて高く、ＰＣＴ不良率において、断線が発生しな
いか、発生しても５％という低い率であった。このこと
から、補助配線板の表面を所定の表面張力とすることに
より、エポキシ樹脂組成物の硬化体との接着性が向上
し、この結果、半導体装置の信頼性が優れるようになる
といえる。

【００８２】

【実施例２２〜２７】

【００８３】種々の凹凸面の補助配線板片を準備した。
すなわち、下記の表１１に示すポリイミドフィルム（Ｐ
Ｉ），ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥ
Ｔ），ポリプロピレンフィルム（ＰＰ），テフロンフィ
ルム，ポリメチルペテンフィルムをそのまま用いるか、
または同表に示す各種処理を施した。フィルムの厚み
は、６０μｍである。これに、実施例１と同様にして、
半導体チップを搭載し、エポキシ樹脂組成物を用いて半
導体チップを封止し、半導体装置を作製した。なお、上
記半導体チップと補助配線板との間隙厚みは、１０μｍ
である。上記アルカリ処理は、上記と同様にして行い、
イオンエッチング処理は、窒素ガス雰囲気中、３×１０
Ｅ−３ｔｏｒｒ，１３．５６ＭＨｚの高周波放電を２０
０ｗで５分間フィルムに対して行った。また。溶剤処理
は、熱キシレン（１３９℃）にフィルムを３時間浸漬し
て行い、紫外線処理は、１００ｗの紫外線をフィルムに
照射して行った。コロナ処理は、１２００ｋＨｚ、３３
ｗ，１分の低周波数のコロナ放電をフィルムに照射して
行った。

【００８４】そして、このようにして得られた半導体装
置について、ＰＣＴ不良率を測定した。その結果も、下
記の表１１に示す。なお、上記ＰＣＴ不良率の測定方法
は、上記と同様である。

【００８５】

【表１１】

【００８６】上記表１１から、所定の凹凸面の補助配線
板を用いた半導体装置は、ＰＣＴ不良率において、断線
が発生しないか、発生しても、５％という低い率であっ
た。このことから、補助配線板の表面を所定の凹凸面と
することにより、エポキシ樹脂組成物の硬化体との接着
性が向上し、この結果、半導体装置の信頼性が優れるよ
うになるといえる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（イ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示
す断面図であり、（イ′）は、本発明の半導体装置のそ
の他の実施例を示す断面図であり、（イ′′）は、本発
明の半導体装置のその他の実施例を示す断面図であり、
（ロ）は、上記本発明の半導体の一実施例の一部切り欠
き斜視図である。

【図２】補助配線板片が多層構造となった本発明の半導
体装置の一例を示す一部断面図である。

【図３】（イ）は絶縁層に引回し導体が形成された状態
を示す構成図であり、（ロ）は絶縁層に孔を穿孔した状
態を示す構成図であり、（ハ）は上記孔に金属を充填し
た状態を示す構成図であり、（ニ）は上記充填金属の端
面上に金属バンプを形成した状態を示す構成図であり、
（ホ）は絶縁層を積層した状態を示す構成図であり、
（へ）は絶縁層に孔を穿孔した状態を示す構成図であ
り、（ト）は上記孔に金属を充填した状態を示す構成図
であり、（チ）は、補助配線板片の板面に半導体チップ
を搭載した状態を示す構造図であり、（リ）は、半導体
チップ全体を封止した状態を示す構成図であり、（ヌ）
は、半導体チップと補助配線板との間隙だけを封止した
状態を示す構成図である。

【図４】（イ）は、トランスファ成形の一例を示す断面
図であり、（ロ）は、トランスファ成形のその他の例を
示す断面図であり、（ハ）は、トランスファ成形のその
他の例を示す断面図である。

【図５】アライメントの一例を示す構成図である。

【図６】（イ）は本発明の半導体装置の放熱手段の一例
を示す構成図であり、（ロ）は本発明の半導体装置の放
熱手段のその他の例を示す構成図であり、（ハ）は本発
明の半導体装置の放熱手段のその他の例を示す構成図で
あり、（ニ）は本発明の半導体装置の放熱手段のその他
の例を示す構成図である。

【図７】従来の半導体装置の一例の構成を示す構成図で
ある。

【図８】（イ）は、ＢＧＡタイプの半導体装置を示す構
成図であり、（ロ）は、ＣＳＰタイプの半導体装置を示
す構成図である。

【符号の説明】

１半導体チップ２補助配線板３エポキシ樹脂組成物の硬化体

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年１１月１４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】（イ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示
す断面図であり、（ロ）は、本発明の半導体装置のその
他の実施例を示す断面図であり、（ハ）は、本発明の半
導体装置のその他の実施例を示す断面図であり、（ニ）
は、上記本発明の半導体の一実施例の一部切り欠き斜視
図である。

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】 ─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成７年１１月１４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３０

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３０】同図（イ）は、半導体装置の構成を示す断
面図であり、同図（ニ）は、その一部切り欠き図であ
り、同一部分には同一符号を付している。図示のよう
に、この半導体装置は、ＣＳＰタイプのものであり、補
助配線板片２の板面に、半導体チップ１が、その電極１
１側（回路形成面側）を上記補助配線２板面に対面させ
た状態（フェイスダウン）で搭載されている。上記補助
配線板２は、絶縁層２４，２５を積層したものであり、
この絶縁層２４，２５には、ポリイミドフィルムを使用
することが、耐熱性の観点から好ましい。そして、上記
半導体チップ１の電極１１が、補助配線板２の内側電極
２１に接合されている。この内側電極２１は、絶縁層２
４の所定位置に穿孔された孔２１２に金属２１３が充填
され、この充填金属の一端は、半導体チップ１搭載面か
らバンプ状に突出（同図において上方）して金属バンプ
２１１に形成され構成されたものである。そして、上記
充填された金属２１３の他端は、補助配線板片２の内部
に配設された引き回し導体２３の一端と接続している。
また、この引回し導体２３の他端は、外側電極２２と接
続されている。この外側電極２２は、上記内側電極２１
と同様に、絶縁層２５の所定の位置に穿孔された孔２２
１に金属２２２が充填されており、この充填金属２２２
の一端が、上記引回し導体２３の一端と接続し、充填金
属２２２の他端は、半導体チップ１搭載側と反対側の面
からバンプ状に突出（同図において下方）して金属バン
プ２２３が形成され構成されたものである。このよう
に、補助配線板２の内側電極２１，引回し導体２３，外
側電極２２を通じて、半導体チップ１の外部に対する電
気的な接続がとれるのである。また、この半導体装置の
特徴としては、引回し導体２３を任意に形成することが
できることから、内側電極２１と外側電極２２の形成位
置を自由に選択できる点があげられる。これにより、半
導体チップの種類にかかわらず、半導体装置を標準化す
ることが可能となり、被実装回路基板への適用が広範囲
なものとなる。図１（ロ）には、上記同図（イ）に示さ
れた半導体装置とは異なった電極位置を有する半導体装
置の一例を示す。同図において、図１（イ）と同一部分
には同一符号を付している。また、図１（ハ）には、内
側電極の略真下に対応する位置に外側電極が配置された
半導体装置を示す。同図において、図１（イ）と同一部
分には同一符号を付している。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲吉▼尾信彦大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者薄井英之大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者伊藤久貴大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】補助配線板の板面に、電極を備えた半導
体チップが、その電極側を対面させた状態で所定間隙を
保って搭載され、上記補助配線板の内部に引回し導体が
配設され、この引回し導体の一端が上記補助配線板の半
導体チップ搭載側の面から露出する内側電極に形成さ
れ、上記引回し導体の他端が上記補助配線板の半導体チ
ップ搭載側と反対側の面から露出する外側電極に形成さ
れ、上記内側電極と上記半導体チップの電極とが接合
し、少なくとも上記半導体チップと補助配線板との間隙
が、樹脂組成物の硬化体により封止されている半導体装
置であって、上記樹脂組成物の硬化体による封止がトラ
ンスファ成形による封止であり、上記樹脂組成物が、充
填剤を含有するエポキシ樹脂組成物であり、上記充填剤
の比表面積が４０ｍ²／ｇ以下であり、上記充填剤のな
かの上記半導体チップと補助配線板との間隙の厚み以上
の粒径を有する充填剤が、上記エポキシ樹脂組成物全体
の１５重量％以下の割合であることを特徴とする半導体
装置。
【請求項２】上記補助配線板の内側電極が、上記補助
配線板の半導体チップ搭載側の面から突出する金属バン
プに形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】補助配線板の板面の面積が、半導体チッ
プの電極側の面積の２００％以下である請求項１または
２記載の半導体装置。
【請求項４】補助配線板の板面の面積が、半導体チッ
プの電極側の面積と同じである請求項１または２記載の
半導体装置。
【請求項５】補助配線板の少なくともエポキシ樹脂組
成物の硬化体と接する面が、表面張力３５ｍＪ／ｍ²以
上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装
置。
【請求項６】補助配線板の少なくともエポキシ樹脂組
成物の硬化体と接する面が、０．００５〜０．５μｍ径
の凹凸面である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半
導体装置。
【請求項７】半導体チップを搭載する補助配線板であ
り、その内部に引回し導体が配設され、この引回し導体
の一端が上記補助配線板の半導体チップ搭載側の面から
露出する内側電極に形成され、上記引回し導体の他端が
上記補助配線板の半導体チップ搭載側と反対側の面から
露出する外側電極に形成された補助配線板と、電極を備
えた半導体チップと、エポキシ樹脂組成物とを準備する
工程と、上記補助配線板の板面に、上記半導体チップ
を、その電極側を対面させた状態で搭載する工程と、上
記半導体チップと補助配線板との間隙にエポキシ樹脂組
成物を充填し、ついでこれを硬化させて上記半導体チッ
プと補助配線板との間隙を封止する工程と、上記内側電
極と半導体チップの電極とを接合させる工程とを備えた
半導体装置の製法であって、上記半導体チップと補助配
線板との間隙にエポキシ樹脂組成物を充填し、ついでこ
れを硬化させて上記半導体チップと補助配線板との間隙
を封止する工程が、トランスファ成形による工程であ
り、上記エポキシ樹脂組成物として、充填剤を含有する
エポキシ樹脂組成物であり、上記充填剤の比表面積が４
０ｍ²／ｇ以下であり、上記充填剤のなかの上記半導体
チップと補助配線板との間隙の厚み以上の粒径を有する
充填剤が、上記エポキシ樹脂組成物全体の１５重量％以
下の割合であるエポキシ樹脂組成物を使用することを特
徴とする半導体装置の製法。
【請求項８】上記補助配線板の内側電極が、上記補助
配線板の半導体チップ搭載側の面から突出する金属バン
プに形成されている請求項７記載の半導体装置の製法。
【請求項９】補助配線板の板面の面積が、半導体チッ
プの電極側の面積の２００％以下である請求項７または
８記載の半導体装置の製法。
【請求項１０】補助配線板の板面の面積が、半導体チ
ップの電極側の面積と同じである請求項７または８記載
の半導体装置の製法。
【請求項１１】補助配線板の少なくともエポキシ樹脂
組成物の硬化体と接する面が、表面張力３５ｍＪ／ｍ²
以上である請求項７〜１０のいずれか一項に記載の半導
体装置の製法。
【請求項１２】補助配線板の少なくともエポキシ樹脂
組成物の硬化体と接する面が、０．００５〜０．５μｍ
径の凹凸面である請求項７〜１１のいずれか一項に記載
の半導体装置の製法。