JPH09178916A - ウォラストンプリズムの製造方法 - Google Patents
ウォラストンプリズムの製造方法Info
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- JPH09178916A JPH09178916A JP34041595A JP34041595A JPH09178916A JP H09178916 A JPH09178916 A JP H09178916A JP 34041595 A JP34041595 A JP 34041595A JP 34041595 A JP34041595 A JP 34041595A JP H09178916 A JPH09178916 A JP H09178916A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 屈折率が２．０以上の複屈折結晶体からなる
プリズムを接着剤を用いることなく接合してウォラスト
ンプリズムを作製する。 【解決手段】 屈折率が２．０以上の複屈折結晶体から
なる一方のプリズム１の接合面１Ｂに金属又は／及び金
属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄膜４を形成
し、屈折率が２．０以上の複屈折結晶体からなる他方の
プリズム２の接合面２Ｂに陽イオンを含有する屈折率
１．７８以上の光学結晶の薄膜６を形成した後、双方の
プリズムの接合面を重ね合わせ、加熱下で非接合面から
直流電圧を印加して接合する。加熱下での直流電圧の印
加で光学結晶内の陽イオンが移動し、薄膜との間に空間
電荷層ができ、静電引力によってプリズムが相互に接合
する。
プリズムを接着剤を用いることなく接合してウォラスト
ンプリズムを作製する。 【解決手段】 屈折率が２．０以上の複屈折結晶体から
なる一方のプリズム１の接合面１Ｂに金属又は／及び金
属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄膜４を形成
し、屈折率が２．０以上の複屈折結晶体からなる他方の
プリズム２の接合面２Ｂに陽イオンを含有する屈折率
１．７８以上の光学結晶の薄膜６を形成した後、双方の
プリズムの接合面を重ね合わせ、加熱下で非接合面から
直流電圧を印加して接合する。加熱下での直流電圧の印
加で光学結晶内の陽イオンが移動し、薄膜との間に空間
電荷層ができ、静電引力によってプリズムが相互に接合
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬｉＮｂＯ3 、Ｌ
ｉＴａＯ3 等の複屈折結晶体からなり、光学素子として
使用されるウォラストンプリズムの製造方法に関する。
ｉＴａＯ3 等の複屈折結晶体からなり、光学素子として
使用されるウォラストンプリズムの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウォラストンプリズムは複屈折結晶体か
らなる複数のプリズムを接合することによって構成され
ている。このウォラストンプリズムは、偏光膜や偏光板
と共に用いることで偏光プリズムとして利用されてい
る。ウォラストンプリズムは特開平５−１８１０１６号
公報、特開平６−５１１０９号公報に記載されているよ
うに、複屈折結晶体として人工水晶が用いられ、この人
工水晶が接合されることで製造されている。これに対し
て、近年では、人工水晶よりも屈折率の高い複屈折結晶
体からなるプリズムが有望視されており、この複屈折結
晶体としては、ＬｉＮｂＯ3 （以下、ＬＮ）やＬｉＴａ
Ｏ3 （以下、ＬＴ）等が使用されている。
らなる複数のプリズムを接合することによって構成され
ている。このウォラストンプリズムは、偏光膜や偏光板
と共に用いることで偏光プリズムとして利用されてい
る。ウォラストンプリズムは特開平５−１８１０１６号
公報、特開平６−５１１０９号公報に記載されているよ
うに、複屈折結晶体として人工水晶が用いられ、この人
工水晶が接合されることで製造されている。これに対し
て、近年では、人工水晶よりも屈折率の高い複屈折結晶
体からなるプリズムが有望視されており、この複屈折結
晶体としては、ＬｉＮｂＯ3 （以下、ＬＮ）やＬｉＴａ
Ｏ3 （以下、ＬＴ）等が使用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】人工水晶を用いたウォ
ラストンプリズムの製造では、人工水晶と接合に使用さ
れる接着剤との屈折率がほぼ等しいため、界面の反射は
ほとんどなく、また接着剤の屈折率が人工水晶と多少異
なっていても、人工水晶の接合面に反射防止膜を設ける
ことで、界面の反射を減らすことが可能である。
ラストンプリズムの製造では、人工水晶と接合に使用さ
れる接着剤との屈折率がほぼ等しいため、界面の反射は
ほとんどなく、また接着剤の屈折率が人工水晶と多少異
なっていても、人工水晶の接合面に反射防止膜を設ける
ことで、界面の反射を減らすことが可能である。
【０００４】しかし、上述したＬＮ及びＬＴは、屈折率
が２．０以上（例えば、ＬＮの屈折率は２．２４）のた
め、接着剤との屈折率が大きく異なり、それぞれの界面
での反射を無視することはできない。またこのような場
合、反射防止膜を設けることで垂直方向の入射光の反射
は防げても、傾斜方向からの入射光の反射は防ぐことが
できず全反射する。このような全反射を防ぐためには入
射角にもよるが、屈折率で１．７８から１．８以上の接
着剤が必要であるが、通常の接着剤はこのような大きな
屈折率を有していない。また、接着剤は硬化収縮や着
色、あるいは硬化後の気泡の発生等があり、これによっ
て光学系に悪影響を与える問題を有している。
が２．０以上（例えば、ＬＮの屈折率は２．２４）のた
め、接着剤との屈折率が大きく異なり、それぞれの界面
での反射を無視することはできない。またこのような場
合、反射防止膜を設けることで垂直方向の入射光の反射
は防げても、傾斜方向からの入射光の反射は防ぐことが
できず全反射する。このような全反射を防ぐためには入
射角にもよるが、屈折率で１．７８から１．８以上の接
着剤が必要であるが、通常の接着剤はこのような大きな
屈折率を有していない。また、接着剤は硬化収縮や着
色、あるいは硬化後の気泡の発生等があり、これによっ
て光学系に悪影響を与える問題を有している。
【０００５】本発明は、このような従来の問題点を考慮
してなされたものであり、高屈折率の複屈折結晶体を用
いても反射を防止することができるウォラストンプリズ
ムの製造方法を提供することを目的とする。
してなされたものであり、高屈折率の複屈折結晶体を用
いても反射を防止することができるウォラストンプリズ
ムの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、屈折率が２．０以上の複屈折結
晶体からなる二つのプリズムのそれぞれの接合面に金属
又は／及び金属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄
膜を形成し、一方のプリズムの接合面における薄膜に陽
イオンを含有する屈折率１．７８以上の光学結晶の薄膜
を形成した後、双方のプリズムの接合面を重ね合わせ、
加熱下で非接合面から直流電圧を印加して接合すること
を特徴とする。
め、請求項１の発明は、屈折率が２．０以上の複屈折結
晶体からなる二つのプリズムのそれぞれの接合面に金属
又は／及び金属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄
膜を形成し、一方のプリズムの接合面における薄膜に陽
イオンを含有する屈折率１．７８以上の光学結晶の薄膜
を形成した後、双方のプリズムの接合面を重ね合わせ、
加熱下で非接合面から直流電圧を印加して接合すること
を特徴とする。
【０００７】上述したプリズムの接合面の薄膜に使用さ
れる金属又は／及び金属酸化物としては、金属単体、合
金、半導体等を用いることができ、例えばＴａ、Ｔｉ、
Ｍｏ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｓｂ等を選択することができる。
れる金属又は／及び金属酸化物としては、金属単体、合
金、半導体等を用いることができ、例えばＴａ、Ｔｉ、
Ｍｏ、Ｇｅ、Ｂｉ、Ｓｂ等を選択することができる。
【０００８】他方のプリズムの接合面の薄膜上に使用さ
れる光学結晶としては、非晶質体の無機材料、例えば金
属酸化物、複酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物、
リン化物、砒化物、ヨウ素酸塩、金属酸素酸塩、光学ガ
ラスのうちの少なくとも一種を使用することができる。
この光学結晶に含有される陽イオンとしては、アルカリ
金属イオン又は／及びアルカリ土類金属イオンが望まし
く、特にＮａ+ イオンを含んでいることが望ましい。か
かる光学結晶は屈折率が１．７８以上であり、陽イオン
は少なくとも一種以上を含有するものであれば特に限定
されるものではない。この光学結晶からなる薄膜の形成
は真空蒸着法、陰極スパッタリング法等によって行うこ
とができる。
れる光学結晶としては、非晶質体の無機材料、例えば金
属酸化物、複酸化物、ハロゲン化物、カルコゲン化物、
リン化物、砒化物、ヨウ素酸塩、金属酸素酸塩、光学ガ
ラスのうちの少なくとも一種を使用することができる。
この光学結晶に含有される陽イオンとしては、アルカリ
金属イオン又は／及びアルカリ土類金属イオンが望まし
く、特にＮａ+ イオンを含んでいることが望ましい。か
かる光学結晶は屈折率が１．７８以上であり、陽イオン
は少なくとも一種以上を含有するものであれば特に限定
されるものではない。この光学結晶からなる薄膜の形成
は真空蒸着法、陰極スパッタリング法等によって行うこ
とができる。
【０００９】上述した方法における２つのプリズムを重
ね合わせた状態に対する加熱下での直流電圧の印加で
は、光学結晶に含まれる陽イオンが移動し、金属又は／
及び金属酸化物のうち少なくとも一種類からなる薄膜と
の界面に空間電荷層が成形され、これにより薄膜と大き
な静電引力が生じて界面に化学的な結合が発生する。こ
のためプリズムを接合することができる。
ね合わせた状態に対する加熱下での直流電圧の印加で
は、光学結晶に含まれる陽イオンが移動し、金属又は／
及び金属酸化物のうち少なくとも一種類からなる薄膜と
の界面に空間電荷層が成形され、これにより薄膜と大き
な静電引力が生じて界面に化学的な結合が発生する。こ
のためプリズムを接合することができる。
【００１０】請求項２の発明は、屈折率が２．０以上の
複屈折結晶体からなる二つのプリズムのそれぞれの接合
面に金属又は／及び金属酸化物の内の少なくとも１種か
らなる薄膜を形成し、一方のプリズムの接合面における
薄膜に陽イオンを注入した後、双方のプリズムの接合面
を重ね合わせ、加熱下で非接合面から直流電圧を印加し
て接合することを特徴とする。
複屈折結晶体からなる二つのプリズムのそれぞれの接合
面に金属又は／及び金属酸化物の内の少なくとも１種か
らなる薄膜を形成し、一方のプリズムの接合面における
薄膜に陽イオンを注入した後、双方のプリズムの接合面
を重ね合わせ、加熱下で非接合面から直流電圧を印加し
て接合することを特徴とする。
【００１１】この構成において、薄膜に使用する金属又
は／及び金属酸化物としては、請求項１と同様なものを
選択することができる。また、一方のプリズムの薄膜上
に注入する陽イオンとしては、アルカリ金属イオン又は
／及びアルカリ土類金属イオンが望ましく、特にＮａ+
イオンが望ましい。これらの陽イオンは、単独であって
も２種類以上を注入してもよい。
は／及び金属酸化物としては、請求項１と同様なものを
選択することができる。また、一方のプリズムの薄膜上
に注入する陽イオンとしては、アルカリ金属イオン又は
／及びアルカリ土類金属イオンが望ましく、特にＮａ+
イオンが望ましい。これらの陽イオンは、単独であって
も２種類以上を注入してもよい。
【００１２】この構成における加熱下での直流電圧の印
加により、一方のプリズムの接合面の薄膜に注入された
陽イオンが移動し、他方のプリズムの接合面に設けられ
た金属又は／及び金属酸化物のうち少なくとも一種類か
らなる薄膜との界面に空間電荷層が形成され、これによ
り他方のプリズムの薄膜と大きな静電引力が生じて界面
に化学的な結合が発生する。このためプリズムを接合す
ることができる。
加により、一方のプリズムの接合面の薄膜に注入された
陽イオンが移動し、他方のプリズムの接合面に設けられ
た金属又は／及び金属酸化物のうち少なくとも一種類か
らなる薄膜との界面に空間電荷層が形成され、これによ
り他方のプリズムの薄膜と大きな静電引力が生じて界面
に化学的な結合が発生する。このためプリズムを接合す
ることができる。
【００１３】以上の本発明のいずれの方法においては、
プリズムの接合に無機材料を用いているため、接着剤で
の接合時に発生する硬化収縮、変色あるいは及び接合後
に発生する気泡がなくなる。本発明ではプリズムの接合
に直流電圧を印加するが、この方法では、ガラスの軟化
点よりも低い温度で接合でき、しかも接合強度は一般的
な接合方法の場合と同等であると共に、接合時に液層が
存在することもないため、プリズムの接合面外周を封止
する必要もない。
プリズムの接合に無機材料を用いているため、接着剤で
の接合時に発生する硬化収縮、変色あるいは及び接合後
に発生する気泡がなくなる。本発明ではプリズムの接合
に直流電圧を印加するが、この方法では、ガラスの軟化
点よりも低い温度で接合でき、しかも接合強度は一般的
な接合方法の場合と同等であると共に、接合時に液層が
存在することもないため、プリズムの接合面外周を封止
する必要もない。
【００１４】
（実施の形態１）図１は実施の形態１の斜視図、図２は
図１のＡ矢視図、図３はプリズム接合時の断面図であ
る。図１において、１及び２は屈折率（ｎｄ）２．２４
のＬＮ製のプリズムである。
図１のＡ矢視図、図３はプリズム接合時の断面図であ
る。図１において、１及び２は屈折率（ｎｄ）２．２４
のＬＮ製のプリズムである。
【００１５】これらの図において、プリズム１の一方の
外面１Ａには偏光膜３が設けられている。又、プリズム
１の接合面１Ｂ及びプリズム２の接合面２Ｂには反射防
止膜４が設けられている。さらに、プリズム１の外面１
Ａと対向するプリズム２の一方の外面２Ａには反射防止
膜５が設けられている。表１は偏光膜３の構成を、表２
は反射防止膜５の構成を、表３は反射防止膜４の構成を
それぞれ示す。
外面１Ａには偏光膜３が設けられている。又、プリズム
１の接合面１Ｂ及びプリズム２の接合面２Ｂには反射防
止膜４が設けられている。さらに、プリズム１の外面１
Ａと対向するプリズム２の一方の外面２Ａには反射防止
膜５が設けられている。表１は偏光膜３の構成を、表２
は反射防止膜５の構成を、表３は反射防止膜４の構成を
それぞれ示す。
【００１６】プリズム１の接合面１Ｂに設けられた反射
防止膜４上には、屈折率（ｎｄ）１．８０の硝材ＳＦ６
からなる光学ガラスの薄膜６が真空蒸着法により１００
ｎｍの膜厚で積層されている。
防止膜４上には、屈折率（ｎｄ）１．８０の硝材ＳＦ６
からなる光学ガラスの薄膜６が真空蒸着法により１００
ｎｍの膜厚で積層されている。
【００１７】次に、この構造のプリズムの製造方法を説
明する。まず、反射防止膜４を設けたプリズム１の接合
面１Ｂに対して、真空蒸着法により膜厚１００ｎｍの光
学ガラスの薄膜６を形成する。続いて、反射防止膜４を
設けたプリズム２の接合面２Ｂに対して、真空蒸着法に
より膜厚５．０ｎｍのＴｉ薄膜７を形成する。
明する。まず、反射防止膜４を設けたプリズム１の接合
面１Ｂに対して、真空蒸着法により膜厚１００ｎｍの光
学ガラスの薄膜６を形成する。続いて、反射防止膜４を
設けたプリズム２の接合面２Ｂに対して、真空蒸着法に
より膜厚５．０ｎｍのＴｉ薄膜７を形成する。
【００１８】これらの薄膜を形成したプリズム１の接合
面１Ｂと、プリズム２の接合面２Ｂとを図１のように重
ね合わせ、この重ね合わせ状態のまま接合面が水平にな
るように保持し、プリズム２の外面２Ａを図３に示すよ
うに、ヒーター８に接触させる。この後、図３のよう
に、プリズム１の偏光膜３に陰極の電極を、ヒーター８
に陽極の電極を接続し、４２０℃の加熱環境下で８００
Ｖの直流電圧を４時間印加した後、系全体を冷却する。
面１Ｂと、プリズム２の接合面２Ｂとを図１のように重
ね合わせ、この重ね合わせ状態のまま接合面が水平にな
るように保持し、プリズム２の外面２Ａを図３に示すよ
うに、ヒーター８に接触させる。この後、図３のよう
に、プリズム１の偏光膜３に陰極の電極を、ヒーター８
に陽極の電極を接続し、４２０℃の加熱環境下で８００
Ｖの直流電圧を４時間印加した後、系全体を冷却する。
【００１９】上述した加熱下で直流電圧をプリズム１、
２に印加することにより、光学ガラスの薄膜６中のＮａ
+ が陰極側に移動する。これによりＴｉ薄膜７との界面
近傍に空間電荷層が形成され静電引力が生じ、その結
果、Ｏ- が陽極側に移動し薄膜６及び７の界面で化学的
にＴｉＯ2 （ｎｄ＝２．２５）が形成される。これによ
り、双方のプリズム１、２が強固に接合される。
２に印加することにより、光学ガラスの薄膜６中のＮａ
+ が陰極側に移動する。これによりＴｉ薄膜７との界面
近傍に空間電荷層が形成され静電引力が生じ、その結
果、Ｏ- が陽極側に移動し薄膜６及び７の界面で化学的
にＴｉＯ2 （ｎｄ＝２．２５）が形成される。これによ
り、双方のプリズム１、２が強固に接合される。
【００２０】このような実施の形態では、接着剤による
プリズムの接合ではなく、高屈折率光学ガラスである硝
材ＳＦ６による接合であるため、接着剤に起因する硬化
収縮による歪み、ボイド、変色等がない。また、接合面
に酸化物層ＴｉＯ2 （ｎｄ＝２．２５）が形成されてい
るが、屈折率が１．７８以上であるため、反射の対して
は問題ない。さらに、ガラスの軟化点より低い温度で接
合できるため、プリズム材質のＬＮのキューリー点１１
２４℃まで加熱する必要がなく、プリズム光学系を変化
させることもない。
プリズムの接合ではなく、高屈折率光学ガラスである硝
材ＳＦ６による接合であるため、接着剤に起因する硬化
収縮による歪み、ボイド、変色等がない。また、接合面
に酸化物層ＴｉＯ2 （ｎｄ＝２．２５）が形成されてい
るが、屈折率が１．７８以上であるため、反射の対して
は問題ない。さらに、ガラスの軟化点より低い温度で接
合できるため、プリズム材質のＬＮのキューリー点１１
２４℃まで加熱する必要がなく、プリズム光学系を変化
させることもない。
【００２１】（実施の形態２）図４は実施の形態２のプ
リズムの斜視図、図５は図４のＢ矢視図、図６は、プリ
ズム接合時の断面図である。図４において、９及び１０
はＬＮ（ｎｄ＝２．２４）製のプリズムである。
リズムの斜視図、図５は図４のＢ矢視図、図６は、プリ
ズム接合時の断面図である。図４において、９及び１０
はＬＮ（ｎｄ＝２．２４）製のプリズムである。
【００２２】プリズム１０の一方の外面１０Ａには実施
の形態１と同一の偏光膜３が、又、これと対向するプリ
ズム９の一方の外面９Ａには実施の形態１と同一の反射
防止膜５が設けられている。さらに、各プリズム９、１
０の接合面９Ｂ、１０Ｂには、反射防止膜１１が設けら
れている。偏光膜３は表１に、反射防止膜５は表２に、
反射防止膜１１は表３にその構成がそれぞれ記載されて
いる。
の形態１と同一の偏光膜３が、又、これと対向するプリ
ズム９の一方の外面９Ａには実施の形態１と同一の反射
防止膜５が設けられている。さらに、各プリズム９、１
０の接合面９Ｂ、１０Ｂには、反射防止膜１１が設けら
れている。偏光膜３は表１に、反射防止膜５は表２に、
反射防止膜１１は表３にその構成がそれぞれ記載されて
いる。
【００２３】このプリズムの製造は、まず、反射防止膜
１１を設けたプリズム９の接合面９Ｂに対して、真空蒸
着法により光学的膜厚８ｎｍのＴｉ薄膜１２を形成す
る。その後、プリズム１０の接合面１０Ｂに設けた反射
防止膜１１に対し、加速電圧５０ＫｅＶ、注入量１×１
０17ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の条件でＮａ+ を注入する。
１１を設けたプリズム９の接合面９Ｂに対して、真空蒸
着法により光学的膜厚８ｎｍのＴｉ薄膜１２を形成す
る。その後、プリズム１０の接合面１０Ｂに設けた反射
防止膜１１に対し、加速電圧５０ＫｅＶ、注入量１×１
０17ｉｏｎｓ／ｃｍ2 の条件でＮａ+ を注入する。
【００２４】そして、Ｔｉ薄膜１２を形成したプリズム
９の接合面９Ｂとプリズム１０の接合面１０Ｂを図４の
ように重ね合わせ、この重ね合わせ状態のまま接合面が
水平になるように保持し、図６で示すように、プリズム
９の面９Ａ側をヒーター１３に接触させる。この後、プ
リズム１０の偏光膜３に陰極の電極を、ヒーター１３に
陽極の電極を接続し、３８０℃の加熱環境下で５０Ｖの
直流電圧を１５分間印加した後、系全体を冷却する。
９の接合面９Ｂとプリズム１０の接合面１０Ｂを図４の
ように重ね合わせ、この重ね合わせ状態のまま接合面が
水平になるように保持し、図６で示すように、プリズム
９の面９Ａ側をヒーター１３に接触させる。この後、プ
リズム１０の偏光膜３に陰極の電極を、ヒーター１３に
陽極の電極を接続し、３８０℃の加熱環境下で５０Ｖの
直流電圧を１５分間印加した後、系全体を冷却する。
【００２５】上述した加熱下で直流電圧をプリズム９、
１０に印加することにより、プリズム１０の接合面１０
Ｂの反射防止膜１１中に注入されたＮａ+ が陰極側に移
動する。これにより、Ｔｉ薄膜１２との界面近傍に空間
電荷層が形成され静電引力が生じ、この結果、薄膜１２
及び接合面１０Ｂ上の反射防止膜１１との界面で、化学
的にＴｉＯ2 が形成される。これにより双方のプリズム
９、１０が強固に接合される。
１０に印加することにより、プリズム１０の接合面１０
Ｂの反射防止膜１１中に注入されたＮａ+ が陰極側に移
動する。これにより、Ｔｉ薄膜１２との界面近傍に空間
電荷層が形成され静電引力が生じ、この結果、薄膜１２
及び接合面１０Ｂ上の反射防止膜１１との界面で、化学
的にＴｉＯ2 が形成される。これにより双方のプリズム
９、１０が強固に接合される。
【００２６】（実施の形態３）この実施の形態では、二
つのプリズム１、２の材質がＬＴとしたこと及び電極の
陰極側に接続されるプリズム１の反射防止膜４上にＭｏ
からなる薄膜６を真空蒸着法により形成した以外は、実
施の形態１と同様である。この実施の形態においても、
実施の形態１と同様の作用により、反射防止膜とＭｏ薄
膜の界面において化学的にＭｏＯ3 （ｎｄ＝２．００）
が形成されるため、強固にプリズムを接合できる。
つのプリズム１、２の材質がＬＴとしたこと及び電極の
陰極側に接続されるプリズム１の反射防止膜４上にＭｏ
からなる薄膜６を真空蒸着法により形成した以外は、実
施の形態１と同様である。この実施の形態においても、
実施の形態１と同様の作用により、反射防止膜とＭｏ薄
膜の界面において化学的にＭｏＯ3 （ｎｄ＝２．００）
が形成されるため、強固にプリズムを接合できる。
【００２７】（実施の形態４）この実施の形態では、二
つのプリズム１、２の材質がＬＴとしたこと及び電極の
陰極側に接続されるプリズム１の反射防止膜４上にＳｂ
からなる薄膜６を真空蒸着法により形成した以外は、実
施の形態１と同様である。この実施の形態においても、
実施の形態１と同様の作用により、反射防止膜とＳｂ薄
膜の界面において化学的にＳｂ2 Ｏ3 （ｎｄ＝２．１
０）が形成されるため、強固にプリズムを接合できる。
本実施の形態のプリズム構成は、プリズム材質がＬＴ製
になること、及び電極の陰極側に接続するプリズムの接
合面に設けられた反射防止膜上に、真空蒸着法により形
成される薄膜がＳｂであること以外は、実施の形態１と
同様である。
つのプリズム１、２の材質がＬＴとしたこと及び電極の
陰極側に接続されるプリズム１の反射防止膜４上にＳｂ
からなる薄膜６を真空蒸着法により形成した以外は、実
施の形態１と同様である。この実施の形態においても、
実施の形態１と同様の作用により、反射防止膜とＳｂ薄
膜の界面において化学的にＳｂ2 Ｏ3 （ｎｄ＝２．１
０）が形成されるため、強固にプリズムを接合できる。
本実施の形態のプリズム構成は、プリズム材質がＬＴ製
になること、及び電極の陰極側に接続するプリズムの接
合面に設けられた反射防止膜上に、真空蒸着法により形
成される薄膜がＳｂであること以外は、実施の形態１と
同様である。
【００２８】この実施の形態は実施の形態１と同様な効
果を有する。又、この実施の形態記載のプリズム材質
と、金属あるいは及び金属酸化物からなる薄膜材質とは
プリズム材質と薄膜材質の組み合わせが適宜選択可能で
あることを示す一例であって、これに限定されるもので
はなく、これらは実施の形態１〜３においても同様であ
る。
果を有する。又、この実施の形態記載のプリズム材質
と、金属あるいは及び金属酸化物からなる薄膜材質とは
プリズム材質と薄膜材質の組み合わせが適宜選択可能で
あることを示す一例であって、これに限定されるもので
はなく、これらは実施の形態１〜３においても同様であ
る。
【００２９】一方、実施の形態１〜４における接合時の
温度、印加する直流電圧及び印加時間についても本発明
を限定するものではなく、接合時の温度は２００〜８０
０℃、一般的には３００〜５００℃、印加電圧は３０Ｖ
〜１０００Ｖ、直流電圧の印加時間は数分間から数時間
の各範囲において種々の条件選択が可能である。
温度、印加する直流電圧及び印加時間についても本発明
を限定するものではなく、接合時の温度は２００〜８０
０℃、一般的には３００〜５００℃、印加電圧は３０Ｖ
〜１０００Ｖ、直流電圧の印加時間は数分間から数時間
の各範囲において種々の条件選択が可能である。
【００３０】また、陽イオンを注入する条件についても
実施の形態の条件に限定されるものではなく、さらに
は、硝材中を最も効率よく移動できるイオンを選択して
注入することにより、ＬＮ、ＬＴ以外の硝材においても
適用することができる。
実施の形態の条件に限定されるものではなく、さらに
は、硝材中を最も効率よく移動できるイオンを選択して
注入することにより、ＬＮ、ＬＴ以外の硝材においても
適用することができる。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明は、接着剤によるプ
リズムの接合ではないため、接着剤に起因する硬化収縮
による歪み、ボイド、変色等がない。また、ガラスの軟
化点より低い温度で接合できるため、プリズム材質のキ
ューリー点まで加熱する必要がなく、プリズム光学系を
変化させることもない。以上により、接合部分での入射
光の全反射を低減させることが可能なウォラストンプリ
ズムを製造することができる。
リズムの接合ではないため、接着剤に起因する硬化収縮
による歪み、ボイド、変色等がない。また、ガラスの軟
化点より低い温度で接合できるため、プリズム材質のキ
ューリー点まで加熱する必要がなく、プリズム光学系を
変化させることもない。以上により、接合部分での入射
光の全反射を低減させることが可能なウォラストンプリ
ズムを製造することができる。
【図１】実施の形態１の斜視図である。
【図２】図１のＡ矢視方向の平面図である。
【図３】接合時の断面図である。
【図４】実施の形態１の斜視図である。
【図５】図１のＢ矢視方向の平面図である。
【図６】接合時の断面図である。
１ プリズム １Ｂ 接合面 ２ プリズム ２Ｂ 接合面 ３ 偏光膜 ４ 薄膜 ５ 反射防止膜 ６ 薄膜 ７ Ｔｉ薄膜
フロントページの続き (72)発明者 松尾 大介 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 屈折率が２．０以上の複屈折結晶体から
なる二つのプリズムのそれぞれの接合面に金属又は／及
び金属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄膜を形成
し、一方のプリズムの接合面における薄膜に陽イオンを
含有する屈折率１．７８以上の光学結晶の薄膜を形成し
た後、双方のプリズムの接合面を重ね合わせ、加熱下で
非接合面から直流電圧を印加して接合することを特徴と
するウォラストンプリズムの製造方法。 - 【請求項２】 屈折率が２．０以上の複屈折結晶体から
なる二つのプリズムのそれぞれの接合面に金属又は／及
び金属酸化物の内の少なくとも１種からなる薄膜を形成
し、一方のプリズムの接合面における薄膜に陽イオンを
注入した後、双方のプリズムの接合面を重ね合わせ、加
熱下で非接合面から直流電圧を印加して接合することを
特徴とするウォラストンプリズムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34041595A JPH09178916A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | ウォラストンプリズムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34041595A JPH09178916A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | ウォラストンプリズムの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09178916A true JPH09178916A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18336736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34041595A Withdrawn JPH09178916A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | ウォラストンプリズムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09178916A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497508B1 (ko) * | 1997-02-10 | 2005-10-28 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 광학소자및그제조방법 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34041595A patent/JPH09178916A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100497508B1 (ko) * | 1997-02-10 | 2005-10-28 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 광학소자및그제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030304 |