JPH09292728A - 感光体及びそれを備えた空間光変調素子 - Google Patents
感光体及びそれを備えた空間光変調素子Info
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- JPH09292728A JPH09292728A JP8105706A JP10570696A JPH09292728A JP H09292728 A JPH09292728 A JP H09292728A JP 8105706 A JP8105706 A JP 8105706A JP 10570696 A JP10570696 A JP 10570696A JP H09292728 A JPH09292728 A JP H09292728A
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- film formation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上の透明電極層との結合強度が高く、残
留応力が小さく且つ電気特性が損なわれない非晶質水素
化シリコンの感光体並びにそれを備えた空間光変調素子
を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ法による感光体（感光体層）の成
膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の成膜レート
に設定し、３０分間以上２時間以下の時間内に連続的に
又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、その後
所定の膜厚になるまで成膜を行う。透明電極層の上に結
合補助層を設ければ、感光体層の結合強度はさらに向上
する。
留応力が小さく且つ電気特性が損なわれない非晶質水素
化シリコンの感光体並びにそれを備えた空間光変調素子
を提供する。 【解決手段】 ＣＶＤ法による感光体（感光体層）の成
膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の成膜レート
に設定し、３０分間以上２時間以下の時間内に連続的に
又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、その後
所定の膜厚になるまで成膜を行う。透明電極層の上に結
合補助層を設ければ、感光体層の結合強度はさらに向上
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質水素化シリ
コンの感光体及びそれを備えた空間光変調素子（Spatia
l Light Modulator ：以下、ＳＬＭと略称する）に関す
る。
コンの感光体及びそれを備えた空間光変調素子（Spatia
l Light Modulator ：以下、ＳＬＭと略称する）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光書き込み型のＳＬＭは、インコヒー
レント光とコヒーレント光の相互変換、データの並列
処理や画像の直接演算処理、光強度増幅機能を利用し
たビデオプロジェクタの表示等への応用が可能である。
レント光とコヒーレント光の相互変換、データの並列
処理や画像の直接演算処理、光強度増幅機能を利用し
たビデオプロジェクタの表示等への応用が可能である。
【０００３】光書き込み型のＳＬＭはその構成の一部と
して感光体（感光体層）を有し、かかる感光体として例
えば、Ｂｉ12ＳｉＯ20（ＢＳＯ）単結晶や非晶質水素化
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）層が用いられ
ている。特に、ａ−Ｓｉ：Ｈ層は、基板上に設けられる
感光体層、或いは基板上の電極層の上に設けられる感光
体層として、ＳＬＭに限らず、太陽電池、撮像管、複写
機の感光ドラム等に広く用いられており、その成膜方法
としてはプラズマＣＶＤが一般的である。
して感光体（感光体層）を有し、かかる感光体として例
えば、Ｂｉ12ＳｉＯ20（ＢＳＯ）単結晶や非晶質水素化
シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称する）層が用いられ
ている。特に、ａ−Ｓｉ：Ｈ層は、基板上に設けられる
感光体層、或いは基板上の電極層の上に設けられる感光
体層として、ＳＬＭに限らず、太陽電池、撮像管、複写
機の感光ドラム等に広く用いられており、その成膜方法
としてはプラズマＣＶＤが一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ａ−Ｓｉ：Ｈ
層は成膜後に応力が残留して、基板又は基板上の電極層
からの剥離が発生しやすいという問題点を有する。そこ
で、基板（又は基板上の電極層）とａ−Ｓｉ：Ｈ層との
結合を強固にするための対策としては、基板（又は基板
上の電極層）とａ−Ｓｉ：Ｈ層との間に結合補助層とし
て、例えば、ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 を形成することが最
もよく行われている。ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 からなる結
合補助層は基板（又は基板上の電極層）のいずれとも結
合強度が比較的高く、しかもその形成にはａ−Ｓｉ：Ｈ
層の原料ガス、例えばモノシラン（ＳＨ4 ）をそのまま
流用できるという利点を有する。しかし、このような結
合補助層を設けてもａ−Ｓｉ：Ｈ層の残留応力が存在す
る限りは依然として層間剥離が生じやすい状態にあり、
根本的な解決とはならない。
層は成膜後に応力が残留して、基板又は基板上の電極層
からの剥離が発生しやすいという問題点を有する。そこ
で、基板（又は基板上の電極層）とａ−Ｓｉ：Ｈ層との
結合を強固にするための対策としては、基板（又は基板
上の電極層）とａ−Ｓｉ：Ｈ層との間に結合補助層とし
て、例えば、ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 を形成することが最
もよく行われている。ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 からなる結
合補助層は基板（又は基板上の電極層）のいずれとも結
合強度が比較的高く、しかもその形成にはａ−Ｓｉ：Ｈ
層の原料ガス、例えばモノシラン（ＳＨ4 ）をそのまま
流用できるという利点を有する。しかし、このような結
合補助層を設けてもａ−Ｓｉ：Ｈ層の残留応力が存在す
る限りは依然として層間剥離が生じやすい状態にあり、
根本的な解決とはならない。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、ａ−Ｓｉ：Ｈ層の残留応力を少なくし且つ
光学特性、電気特性を損なうことのない感光体並びにそ
れを備えたＳＬＭを提供することを目的とする。
ものであり、ａ−Ｓｉ：Ｈ層の残留応力を少なくし且つ
光学特性、電気特性を損なうことのない感光体並びにそ
れを備えたＳＬＭを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に、「基板上の透明電極層の上にＣＶＤ法によって形成
された非晶質水素化シリコンの感光体において、ＣＶＤ
法による成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の
成膜レートに設定し、３０分間以上２時間以下の時間内
に連続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更
し、その後所定の膜厚になるまで成膜を行うことにより
形成されたことを特徴とする感光体（請求項１）」を提
供する。又、本発明は第二に、「基板上の透明電極層の
上に結合補助層を介して、ＣＶＤ法によって形成された
非晶質水素化シリコンの感光体において、ＣＶＤ法によ
る成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の成膜レ
ートに設定し、３０分間以上２時間以下の時間内に連続
的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、そ
の後所定の膜厚になるまで成膜を行うことにより形成さ
れたことを特徴とする感光体（請求項２）」を提供す
る。又、本発明は第三に、「少なくとも書き込み光に対
して透明な、第１透明電極層が形成された第１透明基板
と、少なくとも読み出し光に対して透明な、第２透明電
極層が形成された第２透明基板と、該第１及び第２透明
電極層の間に挟持された感光体層、遮光層および電気光
学効果層とを少なくとも備え、前記感光体層に書き込み
光を入射させ、該書き込み光による前記感光体層の特性
変化に応じて、前記電気光学効果層に入射する読み出し
光を変調してその変調光を出射する、光書き込み型空間
光変調素子において、前記感光体層が請求項１又は２に
記載の感光体であることを特徴とする空間光変調素子
（請求項３）」を提供する。
に、「基板上の透明電極層の上にＣＶＤ法によって形成
された非晶質水素化シリコンの感光体において、ＣＶＤ
法による成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の
成膜レートに設定し、３０分間以上２時間以下の時間内
に連続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更
し、その後所定の膜厚になるまで成膜を行うことにより
形成されたことを特徴とする感光体（請求項１）」を提
供する。又、本発明は第二に、「基板上の透明電極層の
上に結合補助層を介して、ＣＶＤ法によって形成された
非晶質水素化シリコンの感光体において、ＣＶＤ法によ
る成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec以下の成膜レ
ートに設定し、３０分間以上２時間以下の時間内に連続
的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、そ
の後所定の膜厚になるまで成膜を行うことにより形成さ
れたことを特徴とする感光体（請求項２）」を提供す
る。又、本発明は第三に、「少なくとも書き込み光に対
して透明な、第１透明電極層が形成された第１透明基板
と、少なくとも読み出し光に対して透明な、第２透明電
極層が形成された第２透明基板と、該第１及び第２透明
電極層の間に挟持された感光体層、遮光層および電気光
学効果層とを少なくとも備え、前記感光体層に書き込み
光を入射させ、該書き込み光による前記感光体層の特性
変化に応じて、前記電気光学効果層に入射する読み出し
光を変調してその変調光を出射する、光書き込み型空間
光変調素子において、前記感光体層が請求項１又は２に
記載の感光体であることを特徴とする空間光変調素子
（請求項３）」を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明者は、鋭意研究の結果、プ
ラズマＣＶＤ法における成膜レートが0.25nm/sec以下に
なるような条件下で成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ層は、これ
よりも成膜レートが速い条件下で成膜したものに比べ透
明電極層あるいは結合補助層との結合力が極めて高くな
ることを見出した。しかし、10μm 以上の厚い膜を形成
するには時間がかかりすぎるという欠点もあった。そこ
で、本発明に係る感光体を、基板上の透明電極層の上に
直接に、或いは結合補助層を介して形成するときに、成
膜開始時の成膜条件を成膜レートが0.25nm/sec以下にな
るように設定し、３０分間以上２時間以内の時間内に連
続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、
その後所定の膜厚になるまで成膜した。これにより、ａ
−Ｓｉ：Ｈ層は、残留応力を増大させることなく、透明
電極層或いは結合補助層と強く結合させることができ
た。その上、成膜途中で成膜条件をよりレートの速い条
件に変更することによって、トータルの成膜時間はほと
んど増加せずに、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成することができ
た。
ラズマＣＶＤ法における成膜レートが0.25nm/sec以下に
なるような条件下で成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ層は、これ
よりも成膜レートが速い条件下で成膜したものに比べ透
明電極層あるいは結合補助層との結合力が極めて高くな
ることを見出した。しかし、10μm 以上の厚い膜を形成
するには時間がかかりすぎるという欠点もあった。そこ
で、本発明に係る感光体を、基板上の透明電極層の上に
直接に、或いは結合補助層を介して形成するときに、成
膜開始時の成膜条件を成膜レートが0.25nm/sec以下にな
るように設定し、３０分間以上２時間以内の時間内に連
続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るまで変更し、
その後所定の膜厚になるまで成膜した。これにより、ａ
−Ｓｉ：Ｈ層は、残留応力を増大させることなく、透明
電極層或いは結合補助層と強く結合させることができ
た。その上、成膜途中で成膜条件をよりレートの速い条
件に変更することによって、トータルの成膜時間はほと
んど増加せずに、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成することができ
た。
【０００８】従って、本発明の請求項１又は２の感光体
によれば、感光体（感光体層）が透明電極層又は結合補
助層との高い結合強度を有するので、内部応力の比較的
高い感光体でも使用可能である。その結果、より厚い感
光体層の作製が可能となるので感光体層の設計の自由度
が増大する。又、成膜開始時の成膜レートが0.25nm/sec
以下になるような条件下で成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ層
は、透明電極層との強い結合力を有するので、結合補助
層、例えば、ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 を介在させなくても
強い結合が得られるが、更に強い結合を実現させるため
にかかる結合補助層を設ける場合でも、結合補助層の膜
厚を薄くすることができる。従って、結合補助層を設け
る場合でも、その膜厚増大化に伴う比抵抗やインピーダ
ンスの上昇による感光体層の電気特性低下を抑制するこ
とができる。尚、感光体層と透明電極層或いは結合補助
層との結合強度は両者の界面の結合力で決まるため、成
膜開始時の条件で成膜する時間（第１ステップの時間）
はごく短くてよく、膜の応力低下を図る上でも、長くと
も20分以下、できれば10分以下とすることが望ましい。
本発明の請求項１又は２の感光体によれば、十分な電気
特性、光学特性及び耐剥離性を有するので、これを光書
き込み型ＳＬＭの感光体層として用いると、光書き込み
型ＳＬＭとしての十分な特性を発揮させるとともに、そ
の耐久性を向上させることができる。
によれば、感光体（感光体層）が透明電極層又は結合補
助層との高い結合強度を有するので、内部応力の比較的
高い感光体でも使用可能である。その結果、より厚い感
光体層の作製が可能となるので感光体層の設計の自由度
が増大する。又、成膜開始時の成膜レートが0.25nm/sec
以下になるような条件下で成膜されたａ−Ｓｉ：Ｈ層
は、透明電極層との強い結合力を有するので、結合補助
層、例えば、ＳｉＯ2 やＳｉ3Ｎ4 を介在させなくても
強い結合が得られるが、更に強い結合を実現させるため
にかかる結合補助層を設ける場合でも、結合補助層の膜
厚を薄くすることができる。従って、結合補助層を設け
る場合でも、その膜厚増大化に伴う比抵抗やインピーダ
ンスの上昇による感光体層の電気特性低下を抑制するこ
とができる。尚、感光体層と透明電極層或いは結合補助
層との結合強度は両者の界面の結合力で決まるため、成
膜開始時の条件で成膜する時間（第１ステップの時間）
はごく短くてよく、膜の応力低下を図る上でも、長くと
も20分以下、できれば10分以下とすることが望ましい。
本発明の請求項１又は２の感光体によれば、十分な電気
特性、光学特性及び耐剥離性を有するので、これを光書
き込み型ＳＬＭの感光体層として用いると、光書き込み
型ＳＬＭとしての十分な特性を発揮させるとともに、そ
の耐久性を向上させることができる。
【０００９】以下、本発明を実施例により更に詳細に説
明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
い。
明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではな
い。
【００１０】
（実施例１）図１は、本実施例の感光体（感光体層）を
備えたＳＬＭの概略断面図である。又、表１は、感光体
であるａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜開始から終了までの成膜条
件を成膜時間毎に示した表である。
備えたＳＬＭの概略断面図である。又、表１は、感光体
であるａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜開始から終了までの成膜条
件を成膜時間毎に示した表である。
【００１１】
【表１】
【００１２】以下、本実施例の感光体を備えたＳＬＭの
作製手順を示す。まず、ガラスの第１透明基板１の片面
に、高周波スパッタリング法により厚さ0.1 μm のＩＴ
Ｏ（インジウム・スズの酸化物）の透明電極層２を形成
した。次いで、ＩＴＯ透明電極層２上に、プラズマＣＶ
Ｄ法により感光体層として厚さ30μm のａ−Ｓｉ：Ｈ層
３を形成した。このａ−Ｓｉ：Ｈ層３の成膜には、モノ
シラン（ＳｉＨ4 ）を原料ガスとし、グロー放電安定の
ためのガスとしてヘリウムを用いた。成膜開始時の成膜
条件として成膜レートが0.14nm/secとなる条件を選定し
た。該条件で10分間成膜した後に、ＲＦパワー、基板温
度、チャンバー内の圧力及びガス流量の諸条件を表１の
通り変更し、以後10分おきに条件を表１の通り変更して
いった。成膜開始から60分後にＲＦパワーを 250Ｗ、基
板温度を200℃、チャンバー内圧を650mTorr、ＳｉＨ4
流量を48sccm、Ｈｅ流量を72sccmとし、これを定常状態
として成膜開始より１２時間成膜し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を
形成した。
作製手順を示す。まず、ガラスの第１透明基板１の片面
に、高周波スパッタリング法により厚さ0.1 μm のＩＴ
Ｏ（インジウム・スズの酸化物）の透明電極層２を形成
した。次いで、ＩＴＯ透明電極層２上に、プラズマＣＶ
Ｄ法により感光体層として厚さ30μm のａ−Ｓｉ：Ｈ層
３を形成した。このａ−Ｓｉ：Ｈ層３の成膜には、モノ
シラン（ＳｉＨ4 ）を原料ガスとし、グロー放電安定の
ためのガスとしてヘリウムを用いた。成膜開始時の成膜
条件として成膜レートが0.14nm/secとなる条件を選定し
た。該条件で10分間成膜した後に、ＲＦパワー、基板温
度、チャンバー内の圧力及びガス流量の諸条件を表１の
通り変更し、以後10分おきに条件を表１の通り変更して
いった。成膜開始から60分後にＲＦパワーを 250Ｗ、基
板温度を200℃、チャンバー内圧を650mTorr、ＳｉＨ4
流量を48sccm、Ｈｅ流量を72sccmとし、これを定常状態
として成膜開始より１２時間成膜し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を
形成した。
【００１３】前述のａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜過程では、成
膜条件を10分毎に段階的に変更したが、例えば、50分を
かけて定常状態まで連続的に変更するような成膜条件を
採用してもよい。次に、作製したａ−Ｓｉ：Ｈ層３上
に、高周波スパッタリング法により厚さ2.5μm のＳｉ
Ｏ2-Ｃｕのサーメット膜からなる遮光層４を形成した。
さらに、遮光層４の上に電子ビーム蒸着法により、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＴｉＯ2 膜を交互に四分の一波長づつ計１３層
積層して、全体の膜厚が約１μm の交互多層膜からなる
誘電体ミラー層５（光学的反射率：９９％以上）を形成
した。又、別に、ガラスの第２透明基板１０の片面に、
高周波スパッタリング法により厚さ 0.1μm のＩＴＯの
透明電極層９を形成した。次に、前記誘電体ミラー層５
及び透明電極層９の上に、珪素酸化物を斜め蒸着するこ
とにより液晶配向層６及び８をそれぞれ形成した。そし
て、形成された液晶配向層６及び８の表面にラビング処
理を施した。続いて、一方の液晶配向層の外周に液晶注
入口を残して、エポキシ樹脂（接着剤）７をスクリーン
印刷し、その後エポキシ樹脂７により囲まれた液晶配向
層の表面に、直径４μm の球状樹脂又は球状シリカガラ
スを均一に散布してスペーサー１２を形成した。上記の
工程を経た、第１透明基板１と第２透明基板１０とを液
晶配向層６、８が対向するように張り合わせ、80℃で加
熱することによりエポキシ樹脂を硬化させてセルを作製
した。このセルとＴＮ液晶（メルク社製ZLI-2248）の液
晶溜を真空チャンバーに設置した。チャンバー内を真空
ポンプにより十分に排気した後、セルに予め設けられて
いた液晶注入口を液晶溜に浸漬して液晶をセル内に充填
させることにより液晶層１１を形成した。チャンバー内
を常圧に戻してからセルを取り出し、液晶注入口を接着
剤により封止した。このセルをオーブンに入れて、液晶
のクリアーリング温度である85℃で加熱処理することに
より、本実施例のＳＬＭを作製した。以上の工程で作製
されたＳＬＭは、次のようなメカニズムにて動作する。
駆動用電源１３により透明電極層２及び９との間に交流
電界を印加した状態で、書き込み光が感光体層３に入射
すると、その部分の感光体層のインピーダンス変化に対
応して液晶層１１にかかる電圧が増加する。それによっ
て、その部分の液晶分子が電界方向に配列を変えること
により、直線偏光たる読み出し光が変調される。
膜条件を10分毎に段階的に変更したが、例えば、50分を
かけて定常状態まで連続的に変更するような成膜条件を
採用してもよい。次に、作製したａ−Ｓｉ：Ｈ層３上
に、高周波スパッタリング法により厚さ2.5μm のＳｉ
Ｏ2-Ｃｕのサーメット膜からなる遮光層４を形成した。
さらに、遮光層４の上に電子ビーム蒸着法により、Ｓｉ
Ｏ2 膜とＴｉＯ2 膜を交互に四分の一波長づつ計１３層
積層して、全体の膜厚が約１μm の交互多層膜からなる
誘電体ミラー層５（光学的反射率：９９％以上）を形成
した。又、別に、ガラスの第２透明基板１０の片面に、
高周波スパッタリング法により厚さ 0.1μm のＩＴＯの
透明電極層９を形成した。次に、前記誘電体ミラー層５
及び透明電極層９の上に、珪素酸化物を斜め蒸着するこ
とにより液晶配向層６及び８をそれぞれ形成した。そし
て、形成された液晶配向層６及び８の表面にラビング処
理を施した。続いて、一方の液晶配向層の外周に液晶注
入口を残して、エポキシ樹脂（接着剤）７をスクリーン
印刷し、その後エポキシ樹脂７により囲まれた液晶配向
層の表面に、直径４μm の球状樹脂又は球状シリカガラ
スを均一に散布してスペーサー１２を形成した。上記の
工程を経た、第１透明基板１と第２透明基板１０とを液
晶配向層６、８が対向するように張り合わせ、80℃で加
熱することによりエポキシ樹脂を硬化させてセルを作製
した。このセルとＴＮ液晶（メルク社製ZLI-2248）の液
晶溜を真空チャンバーに設置した。チャンバー内を真空
ポンプにより十分に排気した後、セルに予め設けられて
いた液晶注入口を液晶溜に浸漬して液晶をセル内に充填
させることにより液晶層１１を形成した。チャンバー内
を常圧に戻してからセルを取り出し、液晶注入口を接着
剤により封止した。このセルをオーブンに入れて、液晶
のクリアーリング温度である85℃で加熱処理することに
より、本実施例のＳＬＭを作製した。以上の工程で作製
されたＳＬＭは、次のようなメカニズムにて動作する。
駆動用電源１３により透明電極層２及び９との間に交流
電界を印加した状態で、書き込み光が感光体層３に入射
すると、その部分の感光体層のインピーダンス変化に対
応して液晶層１１にかかる電圧が増加する。それによっ
て、その部分の液晶分子が電界方向に配列を変えること
により、直線偏光たる読み出し光が変調される。
【００１４】（実施例２）図２は、本実施例の感光体
（感光体層）を備えたＳＬＭの概略断面図である。又、
表２は、感光体であるａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜開始から終
了までの成膜条件を成膜時間毎に示した表である。
（感光体層）を備えたＳＬＭの概略断面図である。又、
表２は、感光体であるａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜開始から終
了までの成膜条件を成膜時間毎に示した表である。
【００１５】
【表２】
【００１６】図２のＳＬＭの概略断面図が図１のＳＬＭ
の概略断面図に比して異なる点は、結合補助層１４が加
えてある点である。従って、図２の各構成部分におい
て、図１の構成部分と重複するものは同一の符号を付
し、又、以下に説明する本実施例によるＳＬＭの作製手
順において、前記実施例１の説明と重複する点は省略す
る場合がある。
の概略断面図に比して異なる点は、結合補助層１４が加
えてある点である。従って、図２の各構成部分におい
て、図１の構成部分と重複するものは同一の符号を付
し、又、以下に説明する本実施例によるＳＬＭの作製手
順において、前記実施例１の説明と重複する点は省略す
る場合がある。
【００１７】本実施例においては、まず、ガラスの第１
透明基板１の片面に、高周波スパッタリング法により厚
さ 0.1μm のＩＴＯの透明電極層２を形成した後で、透
明電極層２の上に、高周波スパッタリング法によりＳｉ
Ｏ2 膜からなる厚さ50nmの結合補助層１４を形成した。
次いで、結合補助層１４の上に、プラズマＣＶＤ法によ
り感光体層として厚さ42μm のａ−Ｓｉ：Ｈ層３を形成
した。このａ−Ｓｉ：Ｈ層３の成膜にはモノシランを原
料ガスとし、グロー放電安定のためのガスとしてヘリウ
ムを用いた。成膜開始時の成膜条件として成膜レートが
0.14nm/secとなる条件を選定した。該条件で10分間成膜
した後で、ＲＦパワー、基板温度、チャンバー内の圧力
及びガス流量の諸条件を表２の通り変更し、以後10分お
きに条件を表２の通り変更していき、成膜開始から60分
後に、ＲＦパワーを 200Ｗ、基板温度を 200℃、チャン
バー内圧を650mTorr、ＳｉＨ4 流量を48sccm、Ｈｅ流量
を72sccmとし、これを定常状態として成膜開始より１７
時間成膜し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成した。
透明基板１の片面に、高周波スパッタリング法により厚
さ 0.1μm のＩＴＯの透明電極層２を形成した後で、透
明電極層２の上に、高周波スパッタリング法によりＳｉ
Ｏ2 膜からなる厚さ50nmの結合補助層１４を形成した。
次いで、結合補助層１４の上に、プラズマＣＶＤ法によ
り感光体層として厚さ42μm のａ−Ｓｉ：Ｈ層３を形成
した。このａ−Ｓｉ：Ｈ層３の成膜にはモノシランを原
料ガスとし、グロー放電安定のためのガスとしてヘリウ
ムを用いた。成膜開始時の成膜条件として成膜レートが
0.14nm/secとなる条件を選定した。該条件で10分間成膜
した後で、ＲＦパワー、基板温度、チャンバー内の圧力
及びガス流量の諸条件を表２の通り変更し、以後10分お
きに条件を表２の通り変更していき、成膜開始から60分
後に、ＲＦパワーを 200Ｗ、基板温度を 200℃、チャン
バー内圧を650mTorr、ＳｉＨ4 流量を48sccm、Ｈｅ流量
を72sccmとし、これを定常状態として成膜開始より１７
時間成膜し、ａ−Ｓｉ：Ｈ層を形成した。
【００１８】前述のａ−Ｓｉ：Ｈ層の成膜過程では、成
膜条件を10分毎に段階的に変更したが、例えば、50分を
かけて定常状態まで連続的に変更するような成膜条件を
採用してもよい。以降の一連の工程、すなわち、遮光層
４及び誘電体ミラー層５の形成、第２透明基板１０への
ＩＴＯ透明電極層９の形成、液晶配向層６及び８の形
成、セルの作製と液晶の封入等は、前記実施例１と同様
であるので、説明を省略する。
膜条件を10分毎に段階的に変更したが、例えば、50分を
かけて定常状態まで連続的に変更するような成膜条件を
採用してもよい。以降の一連の工程、すなわち、遮光層
４及び誘電体ミラー層５の形成、第２透明基板１０への
ＩＴＯ透明電極層９の形成、液晶配向層６及び８の形
成、セルの作製と液晶の封入等は、前記実施例１と同様
であるので、説明を省略する。
【００１９】以上の工程で作製されたＳＬＭは、透明電
極層２及び９との間に駆動用電源１３による交流電界が
印加される。
極層２及び９との間に駆動用電源１３による交流電界が
印加される。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明（請求項１又
は２）の感光体によれば、透明電極層又は結合補助層と
の高い結合強度を有し、残留応力も少ないので、感光体
層の剥離が防止できる。さらに、感光体の膜厚等に起因
する内部応力が高くとも使用できるので、感光体層の設
計の自由度が増大する。又、結合補助層を設けることに
よって、より一層高い結合強度を有するが、この場合、
結合補助層の膜厚を薄くすることができるので、その膜
厚増大化に伴う比抵抗やインピーダンスの上昇による感
光体層の電気特性低下を抑制することができる。従っ
て、本発明（請求項１又は２）の感光体を光書き込み型
ＳＬＭの感光体層として用いると、ＳＬＭの電気的光学
的特性を劣化させることなく、耐久性（耐剥離性）を向
上させることができる。
は２）の感光体によれば、透明電極層又は結合補助層と
の高い結合強度を有し、残留応力も少ないので、感光体
層の剥離が防止できる。さらに、感光体の膜厚等に起因
する内部応力が高くとも使用できるので、感光体層の設
計の自由度が増大する。又、結合補助層を設けることに
よって、より一層高い結合強度を有するが、この場合、
結合補助層の膜厚を薄くすることができるので、その膜
厚増大化に伴う比抵抗やインピーダンスの上昇による感
光体層の電気特性低下を抑制することができる。従っ
て、本発明（請求項１又は２）の感光体を光書き込み型
ＳＬＭの感光体層として用いると、ＳＬＭの電気的光学
的特性を劣化させることなく、耐久性（耐剥離性）を向
上させることができる。
【図１】本発明の実施例１に係る、感光体（感光体層）
を備えたＳＬＭの概略断面図。
を備えたＳＬＭの概略断面図。
【図２】本発明の実施例２に係る、感光体（感光体層）
を備えたＳＬＭの概略断面図。
を備えたＳＬＭの概略断面図。
１、１０・・・・透明基板 ２、９・・・・・透明電極層 ３・・・・・・・感光体層 ４・・・・・・・遮光層 ５・・・・・・・誘電体ミラー層 ６、８・・・・・液晶配向層 ７・・・・・・・エポキシ樹脂 １１・・・・・・液晶層 １２・・・・・・スペーサー １３・・・・・・駆動用電源 １４・・・・・・結合補助層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上の透明電極層の上にＣＶＤ法によ
って形成された非晶質水素化シリコンの感光体におい
て、 ＣＶＤ法による成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec
以下の成膜レートに設定し、３０分間以上２時間以下の
時間内に連続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るま
で変更し、その後所定の膜厚になるまで成膜を行うこと
により形成されたことを特徴とする感光体。 - 【請求項２】 基板上の透明電極層の上に結合補助層を
介して、ＣＶＤ法によって形成された非晶質水素化シリ
コンの感光体において、 ＣＶＤ法による成膜条件を、成膜開始時には0.25nm/sec
以下の成膜レートに設定し、３０分間以上２時間以下の
時間内に連続的に又は段階的に所定の成膜条件に到るま
で変更し、その後所定の膜厚になるまで成膜を行うこと
により形成されたことを特徴とする感光体。 - 【請求項３】 少なくとも書き込み光に対して透明な、
第１透明電極層が形成された第１透明基板と、少なくと
も読み出し光に対して透明な、第２透明電極層が形成さ
れた第２透明基板と、該第１及び第２透明電極層の間に
挟持された感光体層、遮光層および電気光学効果層とを
少なくとも備え、前記感光体層に書き込み光を入射さ
せ、該書き込み光による前記感光体層の特性変化に応じ
て、前記電気光学効果層に入射する読み出し光を変調し
てその変調光を出射する、光書き込み型空間光変調素子
において、 前記感光体層が請求項１又は２に記載の感光体であるこ
とを特徴とする空間光変調素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8105706A JPH09292728A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 感光体及びそれを備えた空間光変調素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8105706A JPH09292728A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 感光体及びそれを備えた空間光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09292728A true JPH09292728A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14414800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8105706A Pending JPH09292728A (ja) | 1996-04-25 | 1996-04-25 | 感光体及びそれを備えた空間光変調素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09292728A (ja) |
-
1996
- 1996-04-25 JP JP8105706A patent/JPH09292728A/ja active Pending
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