JPH0917729A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0917729A JPH0917729A JP16372695A JP16372695A JPH0917729A JP H0917729 A JPH0917729 A JP H0917729A JP 16372695 A JP16372695 A JP 16372695A JP 16372695 A JP16372695 A JP 16372695A JP H0917729 A JPH0917729 A JP H0917729A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体薄膜と第２の絶縁膜との界面準位密度
を小さくすることができると共に、高電界効果移動度を
有するＴＦＴ等の半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性基板１の一方の主面１ａに、第１の絶
縁膜２、非晶質半導体薄膜３ａ及び第２の絶縁膜４を順
次成膜する半導体装置の製造方法において、全ての膜を
成膜する工程若しくは非晶質半導体薄膜３ａ及び第２の
絶縁膜４を成膜する工程を大気中に晒すことなく連続し
て行い、その後、レーザ光を絶縁性基板１の他方の主面
１ｂ側から照射して非晶質半導体薄膜３ａを結晶化させ
る。
を小さくすることができると共に、高電界効果移動度を
有するＴＦＴ等の半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 絶縁性基板１の一方の主面１ａに、第１の絶
縁膜２、非晶質半導体薄膜３ａ及び第２の絶縁膜４を順
次成膜する半導体装置の製造方法において、全ての膜を
成膜する工程若しくは非晶質半導体薄膜３ａ及び第２の
絶縁膜４を成膜する工程を大気中に晒すことなく連続し
て行い、その後、レーザ光を絶縁性基板１の他方の主面
１ｂ側から照射して非晶質半導体薄膜３ａを結晶化させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、結晶性半導体薄膜を用
いた半導体装置の製造方法に関し、特にアクティブマト
リクス型液晶表示装置等に使用される薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと言う）の製造方法に関するものであ
る。
いた半導体装置の製造方法に関し、特にアクティブマト
リクス型液晶表示装置等に使用される薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと言う）の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、薄型で軽量、かつ低消費電力であ
る利点を持つディスプレイとして液晶表示装置が注目を
集めている。その中でも大面積化、高解像度及び低コス
ト化等の要求から、安価な低融点ガラスの一方の主面に
多結晶シリコンを用いたＴＦＴを形成する技術に大きな
期待が寄せられている。
る利点を持つディスプレイとして液晶表示装置が注目を
集めている。その中でも大面積化、高解像度及び低コス
ト化等の要求から、安価な低融点ガラスの一方の主面に
多結晶シリコンを用いたＴＦＴを形成する技術に大きな
期待が寄せられている。
【０００３】上記ＴＦＴの活性領域となる半導体薄膜と
して多結晶シリコン薄膜を６００℃程度の低温で作製す
る技術としては、上記ガラスの一方の主面に非晶質シリ
コン薄膜を成膜した後、該非晶質シリコン薄膜を固相成
長法やアニール処理によるレーザ結晶化法等を用いて多
結晶化させる方法がある。その後、多結晶シリコン薄膜
を所定形状にパターニングして表面処理を施し、ゲート
絶縁膜を成膜する。低温でゲート絶縁膜を成膜する方法
としては、プラズマ化学気相成長法（ＰＣＶＤ法）、減
圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）、光化学気相成長
法、低温で熱酸化膜を成膜する方法等がある。
して多結晶シリコン薄膜を６００℃程度の低温で作製す
る技術としては、上記ガラスの一方の主面に非晶質シリ
コン薄膜を成膜した後、該非晶質シリコン薄膜を固相成
長法やアニール処理によるレーザ結晶化法等を用いて多
結晶化させる方法がある。その後、多結晶シリコン薄膜
を所定形状にパターニングして表面処理を施し、ゲート
絶縁膜を成膜する。低温でゲート絶縁膜を成膜する方法
としては、プラズマ化学気相成長法（ＰＣＶＤ法）、減
圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ法）、光化学気相成長
法、低温で熱酸化膜を成膜する方法等がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】低温でＴＦＴを作製す
る場合に問題となるのは、半導体薄膜とゲート絶縁膜と
の間の界面の特性と半導体薄膜の電気特性の関係であ
る。この問題を解決する作製方法としては、上記半導体
薄膜とゲート絶縁膜との間の界面準位密度を小さくして
ゲート絶縁膜を成膜する方法がある。このような方法
は、例えば、上記のように低温で熱酸化膜を成膜する方
法があるが、この成膜方法では、成膜速度が遅く、ゲー
ト絶縁膜として十分な膜厚を得ることができない。
る場合に問題となるのは、半導体薄膜とゲート絶縁膜と
の間の界面の特性と半導体薄膜の電気特性の関係であ
る。この問題を解決する作製方法としては、上記半導体
薄膜とゲート絶縁膜との間の界面準位密度を小さくして
ゲート絶縁膜を成膜する方法がある。このような方法
は、例えば、上記のように低温で熱酸化膜を成膜する方
法があるが、この成膜方法では、成膜速度が遅く、ゲー
ト絶縁膜として十分な膜厚を得ることができない。
【０００５】そこで、特開平３−１０８３１９公報に開
示された半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体薄
膜及びゲート絶縁膜を同一チャンバ内で成膜する方法で
ある。この場合、半導体薄膜の多結晶化は固相成長法に
よるものである。しかしながら、低温で固相成長させた
多結晶シリコン薄膜は、電界効果移動度が小さいという
課題を有している。また、高電界効果移動度の半導体装
置を得る方法としては、レーザアニールによるレーザ結
晶化法がある。このレーザ結晶化法は、レーザ光を絶縁
性基板の一方の主面側から照射して半導体薄膜の結晶化
が行われるため、レーザの光源に近い側の半導体薄膜の
表面にエネルギが集中し、半導体薄膜とゲート絶縁膜と
の界面温度が一番高くなり、レーザ結晶化法を停止した
ときには半導体薄膜の裏面側から固化される。そのた
め、絶縁膜の成分が半導体薄膜の表面側部分に偏析しや
すくなる。また、レーザアニールによる局所的加熱のた
め、水素の爆発的な気化等により半導体薄膜の表面に凹
凸が生じ、これがゲート絶縁膜との界面準位密度やＴＦ
Ｔ特性に大きく影響を及ぼすという問題点があった。
示された半導体装置の製造方法は、少なくとも半導体薄
膜及びゲート絶縁膜を同一チャンバ内で成膜する方法で
ある。この場合、半導体薄膜の多結晶化は固相成長法に
よるものである。しかしながら、低温で固相成長させた
多結晶シリコン薄膜は、電界効果移動度が小さいという
課題を有している。また、高電界効果移動度の半導体装
置を得る方法としては、レーザアニールによるレーザ結
晶化法がある。このレーザ結晶化法は、レーザ光を絶縁
性基板の一方の主面側から照射して半導体薄膜の結晶化
が行われるため、レーザの光源に近い側の半導体薄膜の
表面にエネルギが集中し、半導体薄膜とゲート絶縁膜と
の界面温度が一番高くなり、レーザ結晶化法を停止した
ときには半導体薄膜の裏面側から固化される。そのた
め、絶縁膜の成分が半導体薄膜の表面側部分に偏析しや
すくなる。また、レーザアニールによる局所的加熱のた
め、水素の爆発的な気化等により半導体薄膜の表面に凹
凸が生じ、これがゲート絶縁膜との界面準位密度やＴＦ
Ｔ特性に大きく影響を及ぼすという問題点があった。
【０００６】本発明の半導体装置の製造方法は上記のよ
うな問題点を解決したもので、半導体薄膜と第２の絶縁
膜との界面準位密度を小さくすることができると共に、
高電界効果移動度を有するＴＦＴ等の半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
うな問題点を解決したもので、半導体薄膜と第２の絶縁
膜との界面準位密度を小さくすることができると共に、
高電界効果移動度を有するＴＦＴ等の半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の請求項１記載の発明は、絶縁性基板の一方の主面に、
第１の絶縁膜、非晶質半導体薄膜及び第２の絶縁膜を順
次成膜する半導体装置の製造方法において、上記全ての
膜を成膜する工程若しくは上記非晶質半導体薄膜及び上
記第２の絶縁膜を成膜する工程を大気中に晒すことなく
連続して行い、レーザ光を上記絶縁性基板の他方の主面
側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化させる製
造方法である。
の請求項１記載の発明は、絶縁性基板の一方の主面に、
第１の絶縁膜、非晶質半導体薄膜及び第２の絶縁膜を順
次成膜する半導体装置の製造方法において、上記全ての
膜を成膜する工程若しくは上記非晶質半導体薄膜及び上
記第２の絶縁膜を成膜する工程を大気中に晒すことなく
連続して行い、レーザ光を上記絶縁性基板の他方の主面
側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化させる製
造方法である。
【０００８】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、上記レーザ光を上記絶縁性基板の他方
の主面側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化さ
せる工程は大気中に晒すことなく行う製造方法である。
の発明において、上記レーザ光を上記絶縁性基板の他方
の主面側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化さ
せる工程は大気中に晒すことなく行う製造方法である。
【０００９】請求項３記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の発明において、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜である。
２記載の発明において、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜である。
【００１０】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の発明において、上記第１の絶縁膜の膜厚を、上記絶縁
性基板と第１の絶縁膜との界面の反射率を極小になるよ
うに設定する。
の発明において、上記第１の絶縁膜の膜厚を、上記絶縁
性基板と第１の絶縁膜との界面の反射率を極小になるよ
うに設定する。
【００１１】請求項５記載の発明は、上記請求項４記載
の発明において、上記絶縁性基板の屈折率をｎ0、上記
第１の絶縁膜の屈折率をｎ1、上記非晶質半導体薄膜の
屈折率をｎ2、レーザ光の波長λとしたときに、上記第
１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／（２π）｝・ｔａｎ-1
｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜で表される値の略整数
倍で形成される。
の発明において、上記絶縁性基板の屈折率をｎ0、上記
第１の絶縁膜の屈折率をｎ1、上記非晶質半導体薄膜の
屈折率をｎ2、レーザ光の波長λとしたときに、上記第
１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／（２π）｝・ｔａｎ-1
｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜で表される値の略整数
倍で形成される。
【００１２】
【作用】以上のように、請求項１記載の発明は、絶縁性
基板の一方の主面に、第１の絶縁膜、非晶質半導体薄
膜、第２の絶縁膜の全て若しくは非晶質半導体薄膜、第
２の絶縁膜を大気中に晒すことなく連続して成膜するこ
とにより、大気中に含有する不純物にて少なくとも半導
体薄膜と第２の絶縁膜との界面が汚染されることがな
い。
基板の一方の主面に、第１の絶縁膜、非晶質半導体薄
膜、第２の絶縁膜の全て若しくは非晶質半導体薄膜、第
２の絶縁膜を大気中に晒すことなく連続して成膜するこ
とにより、大気中に含有する不純物にて少なくとも半導
体薄膜と第２の絶縁膜との界面が汚染されることがな
い。
【００１３】また、レーザ光を絶縁性基板の他方の主面
側から照射して非晶質半導体薄膜を結晶化させることに
より、レーザ光に近い側の半導体薄膜の裏面にエネルギ
が集中してその界面温度が一番高く、第１の絶縁膜の成
分が半導体薄膜の裏面側部分には偏析しやすくなるが、
レーザ照射を停止したときには半導体薄膜の表面側から
固化されるので、第２の絶縁膜の成分が半導体薄膜の表
面側部分に偏析することや水素の爆発的な気化等による
半導体薄膜の表面に生じる凹凸を低減させる。
側から照射して非晶質半導体薄膜を結晶化させることに
より、レーザ光に近い側の半導体薄膜の裏面にエネルギ
が集中してその界面温度が一番高く、第１の絶縁膜の成
分が半導体薄膜の裏面側部分には偏析しやすくなるが、
レーザ照射を停止したときには半導体薄膜の表面側から
固化されるので、第２の絶縁膜の成分が半導体薄膜の表
面側部分に偏析することや水素の爆発的な気化等による
半導体薄膜の表面に生じる凹凸を低減させる。
【００１４】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、絶縁性基板の一方の主面に、第１の絶
縁膜、非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜の全て若しくは
非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜を大気中に晒すことな
く成膜し、引き続き大気中に晒すことなく上記レーザ光
を絶縁性基板の他方の主面側から照射して非晶質半導体
薄膜を結晶化させることにより、第１の絶縁膜、非晶質
半導体薄膜、第２の絶縁膜を成膜した絶縁性基板を成膜
装置のチャンバから取り出す等の作業が省略できる。
の発明において、絶縁性基板の一方の主面に、第１の絶
縁膜、非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜の全て若しくは
非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜を大気中に晒すことな
く成膜し、引き続き大気中に晒すことなく上記レーザ光
を絶縁性基板の他方の主面側から照射して非晶質半導体
薄膜を結晶化させることにより、第１の絶縁膜、非晶質
半導体薄膜、第２の絶縁膜を成膜した絶縁性基板を成膜
装置のチャンバから取り出す等の作業が省略できる。
【００１５】請求項３記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の発明において、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜であるので、絶縁性基板の他方の主面側
から照射したレーザ光は第１の絶縁膜を透過して非晶質
半導体薄膜に照射される。
２記載の発明において、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜であるので、絶縁性基板の他方の主面側
から照射したレーザ光は第１の絶縁膜を透過して非晶質
半導体薄膜に照射される。
【００１６】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の発明において、上記第１の絶縁膜と絶縁性基板との界
面の反射率を極小にすることにより、略すべてのレーザ
光が第１の絶縁基板を透過して非晶質半導体薄膜に照射
される。
の発明において、上記第１の絶縁膜と絶縁性基板との界
面の反射率を極小にすることにより、略すべてのレーザ
光が第１の絶縁基板を透過して非晶質半導体薄膜に照射
される。
【００１７】請求項５記載の発明は、上記請求項４記載
の発明において、第１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／
（２π）｝・ｔａｎ-1｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜
で表される値の略整数倍で形成されることにより、略す
べてのレーザ光が第１の絶縁膜を透過して非晶質半導体
薄膜に照射される。
の発明において、第１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／
（２π）｝・ｔａｎ-1｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜
で表される値の略整数倍で形成されることにより、略す
べてのレーザ光が第１の絶縁膜を透過して非晶質半導体
薄膜に照射される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法の実施
例を図１と共に詳細に説明する。本実施例では非晶質半
導体膜の例として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜を用
い、絶縁膜の例として二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）膜を用
いて説明する。プロセス温度は石英基板であれば１２０
０℃の高温プロセスにも耐えられるが、ガラス基板を用
いた場合には歪点が低いため約６００℃程度の低温に制
限される。
例を図１と共に詳細に説明する。本実施例では非晶質半
導体膜の例として非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜を用
い、絶縁膜の例として二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）膜を用
いて説明する。プロセス温度は石英基板であれば１２０
０℃の高温プロセスにも耐えられるが、ガラス基板を用
いた場合には歪点が低いため約６００℃程度の低温に制
限される。
【００１９】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施
例を示す半導体装置の製造工程図であり、図１（ａ）に
おいて、石英あるいはガラス等の絶縁性基板１の一方の
主面１ａに減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等により
ＳｉＯ2膜の第１の絶縁膜２を成膜する。該第１の絶縁
膜２上に減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等によりノ
ンドープａ−Ｓｉ薄膜の非晶質半導体薄膜３ａを例えば
膜厚約１００ｎｍ成膜する。該非晶質半導体薄膜３ａ上
に減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯ2
膜の第２の絶縁膜４を成膜する。
例を示す半導体装置の製造工程図であり、図１（ａ）に
おいて、石英あるいはガラス等の絶縁性基板１の一方の
主面１ａに減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等により
ＳｉＯ2膜の第１の絶縁膜２を成膜する。該第１の絶縁
膜２上に減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等によりノ
ンドープａ−Ｓｉ薄膜の非晶質半導体薄膜３ａを例えば
膜厚約１００ｎｍ成膜する。該非晶質半導体薄膜３ａ上
に減圧ＣＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法等によりＳｉＯ2
膜の第２の絶縁膜４を成膜する。
【００２０】以上の工程を大気中に晒すことなく連続し
て行い、第１の絶縁膜２／非晶質半導体薄膜３ａ／第２
の絶縁膜４の３層積層構造を形成する。この工程におい
て、予め別の成膜装置で絶縁性基板１の一方の主面１ａ
に第１の絶縁膜２を成膜した後、非晶質半導体薄膜３ａ
と第２の絶縁膜４を大気中に晒されることなく連続して
成膜する方法を用いても差し支えない。
て行い、第１の絶縁膜２／非晶質半導体薄膜３ａ／第２
の絶縁膜４の３層積層構造を形成する。この工程におい
て、予め別の成膜装置で絶縁性基板１の一方の主面１ａ
に第１の絶縁膜２を成膜した後、非晶質半導体薄膜３ａ
と第２の絶縁膜４を大気中に晒されることなく連続して
成膜する方法を用いても差し支えない。
【００２１】また、第１の絶縁膜２／非晶質半導体薄膜
３ａ／第２の絶縁膜４の３層積層構造を成膜する各工程
間、即ち第１の絶縁膜２を成膜する工程、非晶質半導体
薄膜３ａを成膜する工程、第２の絶縁膜４を成膜する工
程の間に熱処理等の工程が追加されても全く問題はな
い。例えば絶縁性基板１の一方の主面１ａに第１の絶縁
膜２を成膜した後、該第１の絶縁膜２の膜質を向上させ
るために熱処理等を施し、その後、非晶質半導体薄膜３
ａを成膜しても良い。本実施例においては、少なくとも
非晶質半導体薄膜３ａと第２の絶縁膜４を成膜する工程
を大気中に晒すことなく行うものであり、第１の絶縁膜
２、非晶質半導体薄膜３ａ、第２の絶縁膜４を成膜した
絶縁性基板１を成膜装置から取り出して大気中に晒さな
いのであれば、成膜工程間に他の工程を追加しても大気
中に含有する不純物にて少なくとも半導体薄膜と第２の
絶縁膜との界面が汚染されることがない。
３ａ／第２の絶縁膜４の３層積層構造を成膜する各工程
間、即ち第１の絶縁膜２を成膜する工程、非晶質半導体
薄膜３ａを成膜する工程、第２の絶縁膜４を成膜する工
程の間に熱処理等の工程が追加されても全く問題はな
い。例えば絶縁性基板１の一方の主面１ａに第１の絶縁
膜２を成膜した後、該第１の絶縁膜２の膜質を向上させ
るために熱処理等を施し、その後、非晶質半導体薄膜３
ａを成膜しても良い。本実施例においては、少なくとも
非晶質半導体薄膜３ａと第２の絶縁膜４を成膜する工程
を大気中に晒すことなく行うものであり、第１の絶縁膜
２、非晶質半導体薄膜３ａ、第２の絶縁膜４を成膜した
絶縁性基板１を成膜装置から取り出して大気中に晒さな
いのであれば、成膜工程間に他の工程を追加しても大気
中に含有する不純物にて少なくとも半導体薄膜と第２の
絶縁膜との界面が汚染されることがない。
【００２２】その後、第１の絶縁膜２、非晶質半導体膜
３ａ、第２の絶縁膜４を成膜した絶縁性基板１をチャン
バより取り出し、図１（ｂ）に示すように、レーザ光を
絶縁性基板１の他方の主面１ｂ側から矢印方向に照射し
て非晶質半導体薄膜３ａを結晶化させる。該レーザとし
ては、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザ（波長１９３ｎｍ）、ＸｅＦ（波長３５３ｎ
ｍ）等を用いることができる。レーザ光のエネルギ密度
は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2、本実施例では例えば２
２０〜２５０ｍＪ／ｃｍ2とした。レーザ光照射時には
第１の絶縁膜２、非晶質半導体薄膜３ａ、第２の絶縁膜
４を成膜した絶縁性基板１を２００〜３００℃或いは４
００℃、本実施例では例えば４００℃に加熱した。
３ａ、第２の絶縁膜４を成膜した絶縁性基板１をチャン
バより取り出し、図１（ｂ）に示すように、レーザ光を
絶縁性基板１の他方の主面１ｂ側から矢印方向に照射し
て非晶質半導体薄膜３ａを結晶化させる。該レーザとし
ては、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシ
マレーザ（波長１９３ｎｍ）、ＸｅＦ（波長３５３ｎ
ｍ）等を用いることができる。レーザ光のエネルギ密度
は２００〜４００ｍＪ／ｃｍ2、本実施例では例えば２
２０〜２５０ｍＪ／ｃｍ2とした。レーザ光照射時には
第１の絶縁膜２、非晶質半導体薄膜３ａ、第２の絶縁膜
４を成膜した絶縁性基板１を２００〜３００℃或いは４
００℃、本実施例では例えば４００℃に加熱した。
【００２３】レーザ光を絶縁性基板１の一方の主面１ａ
側から照射すると、レーザの光源に近い側の非晶質半導
体薄膜３ａの表面にエネルギが集中し、該非晶質半導体
薄膜３ａと第２の絶縁膜４との界面温度が一番高くな
り、レーザ結晶化法を停止すると、半導体薄膜の裏面側
部分から固化される。そのため、第２の絶縁膜４の成分
が半導体薄膜の表面部分に偏析しやすくなり、水素の爆
発的な気化等により半導体薄膜の表面に凹凸が発生する
等、レーザ光の影響を受けやすく、特にトップゲート型
ＴＦＴは、半導体薄膜の表面側に電流が流れるため、オ
ン・オフ電流等に大きく影響を及ぼし、ＴＦＴ特性が悪
くなる。そのため本実施例では、レーザ光を絶縁性基板
１の他方の主面１ｂ側から照射している。レーザ光は非
晶質半導体薄膜３ａの裏面で吸収され、熱伝導により非
晶質半導体薄膜３ａの内部に伝わり、その薄膜の内部を
熔融して再結晶化させる。その結果、第２の絶縁膜４と
の界面付近の非晶質半導体薄膜３ａは良好な表面状態で
結晶化されることになる。
側から照射すると、レーザの光源に近い側の非晶質半導
体薄膜３ａの表面にエネルギが集中し、該非晶質半導体
薄膜３ａと第２の絶縁膜４との界面温度が一番高くな
り、レーザ結晶化法を停止すると、半導体薄膜の裏面側
部分から固化される。そのため、第２の絶縁膜４の成分
が半導体薄膜の表面部分に偏析しやすくなり、水素の爆
発的な気化等により半導体薄膜の表面に凹凸が発生する
等、レーザ光の影響を受けやすく、特にトップゲート型
ＴＦＴは、半導体薄膜の表面側に電流が流れるため、オ
ン・オフ電流等に大きく影響を及ぼし、ＴＦＴ特性が悪
くなる。そのため本実施例では、レーザ光を絶縁性基板
１の他方の主面１ｂ側から照射している。レーザ光は非
晶質半導体薄膜３ａの裏面で吸収され、熱伝導により非
晶質半導体薄膜３ａの内部に伝わり、その薄膜の内部を
熔融して再結晶化させる。その結果、第２の絶縁膜４と
の界面付近の非晶質半導体薄膜３ａは良好な表面状態で
結晶化されることになる。
【００２４】上記レーザ光を照射する工程は、絶縁性基
板１の一方の主面１ａに、第１の絶縁膜２、非晶質半導
体薄膜３ａ、第２の絶縁膜４を連続成膜した後、大気中
に晒すことなく引き続きチャンバ内で行うようにしても
良い。この場合、第１の絶縁膜２、非晶質半導体薄膜３
ａ、第２の絶縁膜４を成膜した絶縁性基板１を成膜装置
のチャンバから取り出す等の作業が省略できるため、半
導体装置の製造工程を短縮することができ、スループッ
トが向上する。
板１の一方の主面１ａに、第１の絶縁膜２、非晶質半導
体薄膜３ａ、第２の絶縁膜４を連続成膜した後、大気中
に晒すことなく引き続きチャンバ内で行うようにしても
良い。この場合、第１の絶縁膜２、非晶質半導体薄膜３
ａ、第２の絶縁膜４を成膜した絶縁性基板１を成膜装置
のチャンバから取り出す等の作業が省略できるため、半
導体装置の製造工程を短縮することができ、スループッ
トが向上する。
【００２５】次に図１（ｃ）に示すように、ゲート絶縁
膜となる第２の絶縁膜４及びレーザ光の照射により結晶
化された多結晶半導体（ｐ−Ｓｉ）薄膜３を島状にパタ
ーニングし、第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜４との露出
全面にアルミニウム（以下、Ａｌと言う）等の金属膜を
成膜し、図１（ｃ）に示すように、該金属膜を上記島状
構造にパターニングした第２の絶縁膜４及び多結晶半導
体薄膜３上の略中央に残るようにパターニングしてゲー
ト電極５を形成する。その後、図１（ｃ）に示すよう
に、イオン注入法、レーザードーピング法或いはプラズ
マドーピング法等を用いてＮチャネルトランジスタを作
製するときにはリン（Ｐ+）、Ｐチャネルトランジスタ
を作製するときにはボロン（Ｂ+）を矢印方向から島状
構造に形成した多結晶半導体薄膜３のソース・ドレイン
領域６、７にドーピングする。
膜となる第２の絶縁膜４及びレーザ光の照射により結晶
化された多結晶半導体（ｐ−Ｓｉ）薄膜３を島状にパタ
ーニングし、第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜４との露出
全面にアルミニウム（以下、Ａｌと言う）等の金属膜を
成膜し、図１（ｃ）に示すように、該金属膜を上記島状
構造にパターニングした第２の絶縁膜４及び多結晶半導
体薄膜３上の略中央に残るようにパターニングしてゲー
ト電極５を形成する。その後、図１（ｃ）に示すよう
に、イオン注入法、レーザードーピング法或いはプラズ
マドーピング法等を用いてＮチャネルトランジスタを作
製するときにはリン（Ｐ+）、Ｐチャネルトランジスタ
を作製するときにはボロン（Ｂ+）を矢印方向から島状
構造に形成した多結晶半導体薄膜３のソース・ドレイン
領域６、７にドーピングする。
【００２６】その後、レーザーアニール法等により上記
ソース・ドレイン領域６、７の不純物の活性化を行い、
第１の絶縁膜２、島状構造に形成した多結晶半導体薄膜
３、島状構造に形成した第２の絶縁膜４、ゲート電極５
の露出全面に層間絶縁膜８を成膜する。該層間絶縁膜８
には段差被覆性の良い有機シランを材料としたプラズマ
ＣＶＤ法等によるＳｉＯ2膜を膜厚数百ｎｍ〜数μｍ成
膜するのが一般的である。またこの他にも窒化シリコン
（ＳｉＮX）膜を用いることも可能である。
ソース・ドレイン領域６、７の不純物の活性化を行い、
第１の絶縁膜２、島状構造に形成した多結晶半導体薄膜
３、島状構造に形成した第２の絶縁膜４、ゲート電極５
の露出全面に層間絶縁膜８を成膜する。該層間絶縁膜８
には段差被覆性の良い有機シランを材料としたプラズマ
ＣＶＤ法等によるＳｉＯ2膜を膜厚数百ｎｍ〜数μｍ成
膜するのが一般的である。またこの他にも窒化シリコン
（ＳｉＮX）膜を用いることも可能である。
【００２７】最後に図１（ｄ）に示すように、上記ソー
ス・ドレイン領域６、７上の層間絶縁膜８及びゲート絶
縁膜４にコンタクトホールを開口し、該コンタクトホー
ルにＡｌ等の金属材料で形成したソース・ドレイン電極
９、１０を形成する。
ス・ドレイン領域６、７上の層間絶縁膜８及びゲート絶
縁膜４にコンタクトホールを開口し、該コンタクトホー
ルにＡｌ等の金属材料で形成したソース・ドレイン電極
９、１０を形成する。
【００２８】尚、本実施例では、石英基板あるいはガラ
ス基板のような非晶質基板を例に取って説明したが、基
板はサファイア、ＣａＦ2等の結晶性基板でも良い。ま
た、第２の絶縁膜４を形成した後のＴＦＴの製造方法は
その一例を示したものであり、ＴＦＴの製造方法はこれ
に限定されるものではない。
ス基板のような非晶質基板を例に取って説明したが、基
板はサファイア、ＣａＦ2等の結晶性基板でも良い。ま
た、第２の絶縁膜４を形成した後のＴＦＴの製造方法は
その一例を示したものであり、ＴＦＴの製造方法はこれ
に限定されるものではない。
【００２９】次に本発明の半導体装置の製造方法の第２
の実施例を図面と共に詳細に説明するが、図面は上記第
１の実施例で用いた図１（ａ）〜（ｄ）の製造工程図と
同じものであるので省略し、図１を用いて第２の実施例
を説明する。尚、第２の実施例において、上記第１の実
施例と同一部分は同一符号を付し、その説明は省略す
る。
の実施例を図面と共に詳細に説明するが、図面は上記第
１の実施例で用いた図１（ａ）〜（ｄ）の製造工程図と
同じものであるので省略し、図１を用いて第２の実施例
を説明する。尚、第２の実施例において、上記第１の実
施例と同一部分は同一符号を付し、その説明は省略す
る。
【００３０】上記第１の実施例においては、レーザ光を
絶縁性基板１の他方の主面１ｂ側から照射して非晶質半
導体薄膜３ａの結晶化を行う際、レーザ光は第１の絶縁
膜２を介して非晶質半導体薄膜３ａに照射する。そのた
め、第１の絶縁膜２がレーザ光を透過しにくい膜であれ
ば、レーザ光が非晶質半導体薄膜３ａに十分に到達せず
に、非晶質半導体薄膜３ａの結晶化が十分に行うことが
できない。第２の実施例では、レーザ光を透過する材料
で形成した第１の絶縁膜２を用い、かつその膜厚をレー
ザ光が透過する際の妨げとならないように設定すること
により、レーザ光が効率良く非晶質半導体薄膜３ａに到
達するため、良好な非晶質半導体薄膜３ａの結晶化が行
われる。
絶縁性基板１の他方の主面１ｂ側から照射して非晶質半
導体薄膜３ａの結晶化を行う際、レーザ光は第１の絶縁
膜２を介して非晶質半導体薄膜３ａに照射する。そのた
め、第１の絶縁膜２がレーザ光を透過しにくい膜であれ
ば、レーザ光が非晶質半導体薄膜３ａに十分に到達せず
に、非晶質半導体薄膜３ａの結晶化が十分に行うことが
できない。第２の実施例では、レーザ光を透過する材料
で形成した第１の絶縁膜２を用い、かつその膜厚をレー
ザ光が透過する際の妨げとならないように設定すること
により、レーザ光が効率良く非晶質半導体薄膜３ａに到
達するため、良好な非晶質半導体薄膜３ａの結晶化が行
われる。
【００３１】上記第１の実施例と同様に、レーザの光源
に近い側の非晶質半導体薄膜３ａの表面には凹凸が発生
しやすく、特にトップゲート型ＴＦＴは、これが第２の
絶縁膜と界面準位密度やＴＦＴ特性に大きく影響を及ぼ
す。そのため、レーザ光を絶縁性基板１の一方の主面１
ａ側から照射することは好ましくない。また、非晶質半
導体薄膜３ａ上に形成された第２の絶縁膜４は、ＴＦＴ
のゲート絶縁膜に用いられるため、ゲート絶縁膜に要求
される絶縁耐圧等の特性を満足させるためにはその膜厚
はある程度限定される。仮にレーザ光を絶縁性基板１の
一方の主面１ａ側から照射するとしても、第２の絶縁膜
４の膜厚を透過膜になるように任意に設定することは困
難である。
に近い側の非晶質半導体薄膜３ａの表面には凹凸が発生
しやすく、特にトップゲート型ＴＦＴは、これが第２の
絶縁膜と界面準位密度やＴＦＴ特性に大きく影響を及ぼ
す。そのため、レーザ光を絶縁性基板１の一方の主面１
ａ側から照射することは好ましくない。また、非晶質半
導体薄膜３ａ上に形成された第２の絶縁膜４は、ＴＦＴ
のゲート絶縁膜に用いられるため、ゲート絶縁膜に要求
される絶縁耐圧等の特性を満足させるためにはその膜厚
はある程度限定される。仮にレーザ光を絶縁性基板１の
一方の主面１ａ側から照射するとしても、第２の絶縁膜
４の膜厚を透過膜になるように任意に設定することは困
難である。
【００３２】一方、第１の絶縁膜２はベースコート膜に
用いられるため、その膜厚を増減しても第２の絶縁膜に
比べてＴＦＴ特性に与える影響は少なく、ベースコート
膜として機能する膜厚の範囲内で比較的任意に設定する
ことが可能である。本実施例では第１の絶縁膜２と非晶
質半導体薄膜３ａとの界面でのレーザ光の反射率が極小
となるように第１の絶縁膜２の膜厚を設定する。
用いられるため、その膜厚を増減しても第２の絶縁膜に
比べてＴＦＴ特性に与える影響は少なく、ベースコート
膜として機能する膜厚の範囲内で比較的任意に設定する
ことが可能である。本実施例では第１の絶縁膜２と非晶
質半導体薄膜３ａとの界面でのレーザ光の反射率が極小
となるように第１の絶縁膜２の膜厚を設定する。
【００３３】次に本発明の半導体装置の製造方法の第３
の実施例を図面と共に詳細に説明するが、図面は上記第
１の実施例で用いた図１（ａ）〜（ｄ）の製造工程図と
同じものであるので省略し、図１を用いて第３の実施例
を説明する。尚、第３の実施例において、上記第２の実
施例と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
の実施例を図面と共に詳細に説明するが、図面は上記第
１の実施例で用いた図１（ａ）〜（ｄ）の製造工程図と
同じものであるので省略し、図１を用いて第３の実施例
を説明する。尚、第３の実施例において、上記第２の実
施例と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略す
る。
【００３４】上記第２の実施例のように、第１の絶縁膜
２を透明膜として用いる場合の膜厚を次のように決定す
る。レーザ光に波長λ＝３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマ
レーザを用いる場合を例に取って説明する。絶縁性基板
１となるガラス基板の屈折率をｎ0（＝１．５２６）、
透過膜となるＳｉＯ2膜の第１の絶縁膜２の屈折率をｎ1
（＝１．４５）、第１の絶縁膜２の膜厚をｄ0ｎｍ、多
結晶化する非晶質半導体薄膜３ａの屈折率をｎ2（＝
３．８）とする。そして、上記絶縁性基板１のガラス基
板と第１の絶縁膜２のＳｉＯ2膜との界面での反射率を
Ｒとすると、
２を透明膜として用いる場合の膜厚を次のように決定す
る。レーザ光に波長λ＝３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマ
レーザを用いる場合を例に取って説明する。絶縁性基板
１となるガラス基板の屈折率をｎ0（＝１．５２６）、
透過膜となるＳｉＯ2膜の第１の絶縁膜２の屈折率をｎ1
（＝１．４５）、第１の絶縁膜２の膜厚をｄ0ｎｍ、多
結晶化する非晶質半導体薄膜３ａの屈折率をｎ2（＝
３．８）とする。そして、上記絶縁性基板１のガラス基
板と第１の絶縁膜２のＳｉＯ2膜との界面での反射率を
Ｒとすると、
【００３５】
【数１】
【００３６】となる。ここで、ＳｉＯ2膜の第１の絶縁
膜２が透過膜として働くためにはＲ＝０となれば良いの
で、
膜２が透過膜として働くためにはＲ＝０となれば良いの
で、
【００３７】
【数２】
【００３８】として定めることができる。上記の式に値
を代入して第１の絶縁膜２の膜厚を求めると、ｄ0＝２
１９ｎｍとなる。また、必要に応じて第１の絶縁膜２の
膜厚が整数倍となるように設定することができる。第２
の実施例において、反射率Ｒは０となるのが理想である
が、これは計算上の値であり、実際には成膜装置の性能
や成膜条件等により第１の絶縁膜２の膜厚が数％から十
数％程度ばらつき場合が十分に考えられ、反射率Ｒを完
全に０にすることは極めて困難である。しかし、上記の
始期の値を代入して求めた膜厚を目標値として第１の絶
縁膜２を成膜すれば、仮にある程度の膜厚分布が生じた
としても成膜された第１の絶縁膜２は透過膜として十分
に働くため、図１に示すように、レーザ光を矢印方向か
ら非晶質半導体薄膜３ａに照射した際、第１の絶縁膜２
がレーザ光を反射することを極限に抑えているので、効
率良く非晶質半導体膜３ａを多結晶化することができ
る。
を代入して第１の絶縁膜２の膜厚を求めると、ｄ0＝２
１９ｎｍとなる。また、必要に応じて第１の絶縁膜２の
膜厚が整数倍となるように設定することができる。第２
の実施例において、反射率Ｒは０となるのが理想である
が、これは計算上の値であり、実際には成膜装置の性能
や成膜条件等により第１の絶縁膜２の膜厚が数％から十
数％程度ばらつき場合が十分に考えられ、反射率Ｒを完
全に０にすることは極めて困難である。しかし、上記の
始期の値を代入して求めた膜厚を目標値として第１の絶
縁膜２を成膜すれば、仮にある程度の膜厚分布が生じた
としても成膜された第１の絶縁膜２は透過膜として十分
に働くため、図１に示すように、レーザ光を矢印方向か
ら非晶質半導体薄膜３ａに照射した際、第１の絶縁膜２
がレーザ光を反射することを極限に抑えているので、効
率良く非晶質半導体膜３ａを多結晶化することができ
る。
【００３９】
【発明の効果】本発明の半導体装置は上記のような製造
方法であるから、請求項１記載の発明は、絶縁性基板の
一方の主面に、第１の絶縁膜、非晶質半導体薄膜、第２
の絶縁膜の全て若しくは非晶質半導体薄膜、第２の絶縁
膜を大気中に晒すことなく連続して成膜することによ
り、大気中に含有する不純物にて少なくとも半導体薄膜
と第２の絶縁膜との界面が汚染されることがない。
方法であるから、請求項１記載の発明は、絶縁性基板の
一方の主面に、第１の絶縁膜、非晶質半導体薄膜、第２
の絶縁膜の全て若しくは非晶質半導体薄膜、第２の絶縁
膜を大気中に晒すことなく連続して成膜することによ
り、大気中に含有する不純物にて少なくとも半導体薄膜
と第２の絶縁膜との界面が汚染されることがない。
【００４０】また、レーザ光を絶縁性基板の他方の主面
側から照射して非晶質半導体薄膜を結晶化させることに
より、レーザ光に近い側の半導体薄膜の裏面にエネルギ
が集中してその界面温度が一番高く、第１の絶縁膜の成
分が半導体薄膜の裏面側部分には偏析しやすくなるが、
レーザ照射を停止したときには半導体薄膜の表面側から
固化されるので、第２の絶縁膜の成分が半導体薄膜の表
面側部分に偏析することや水素の爆発的な気化等による
半導体薄膜の表面に生じる凹凸が低減されると共に、半
導体薄膜と第２の絶縁膜との界面準位密度を小さくする
ことができる。
側から照射して非晶質半導体薄膜を結晶化させることに
より、レーザ光に近い側の半導体薄膜の裏面にエネルギ
が集中してその界面温度が一番高く、第１の絶縁膜の成
分が半導体薄膜の裏面側部分には偏析しやすくなるが、
レーザ照射を停止したときには半導体薄膜の表面側から
固化されるので、第２の絶縁膜の成分が半導体薄膜の表
面側部分に偏析することや水素の爆発的な気化等による
半導体薄膜の表面に生じる凹凸が低減されると共に、半
導体薄膜と第２の絶縁膜との界面準位密度を小さくする
ことができる。
【００４１】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の効果に加えて、絶縁性基板の一方の主面に、第１の絶
縁膜、非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜の全て若しくは
非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜を大気中に晒すことな
く成膜し、引き続き大気中に晒すことなく上記レーザ光
を絶縁性基板の他方の主面側から照射して非晶質半導体
薄膜を結晶化させることにより、第１の絶縁膜、非晶質
半導体薄膜、第２の絶縁膜を成膜した絶縁性基板を成膜
装置のチャンバから取り出す等の作業が省略できるた
め、半導体装置の製造工程を短縮することができ、スル
ープットを向上させることができる。
の効果に加えて、絶縁性基板の一方の主面に、第１の絶
縁膜、非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜の全て若しくは
非晶質半導体薄膜、第２の絶縁膜を大気中に晒すことな
く成膜し、引き続き大気中に晒すことなく上記レーザ光
を絶縁性基板の他方の主面側から照射して非晶質半導体
薄膜を結晶化させることにより、第１の絶縁膜、非晶質
半導体薄膜、第２の絶縁膜を成膜した絶縁性基板を成膜
装置のチャンバから取り出す等の作業が省略できるた
め、半導体装置の製造工程を短縮することができ、スル
ープットを向上させることができる。
【００４２】請求項３記載の発明は、上記請求項１又は
２記載の効果に加えて、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜であるので、絶縁性基板の他方の主面側
から照射したレーザ光は第１の絶縁膜を透過して非晶質
半導体薄膜に照射されるため、非晶質半導体薄膜を結晶
化させることができる。
２記載の効果に加えて、上記第１の絶縁膜は上記レーザ
光を透過する膜であるので、絶縁性基板の他方の主面側
から照射したレーザ光は第１の絶縁膜を透過して非晶質
半導体薄膜に照射されるため、非晶質半導体薄膜を結晶
化させることができる。
【００４３】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の効果に加えて、上記第１の絶縁膜と絶縁性基板との界
面の反射率を極小にすることにより、略すべてのレーザ
光が第１の絶縁基板を透過して非晶質半導体薄膜に照射
されるので、効率良く非晶質半導体薄膜を結晶化させる
ことができる。
の効果に加えて、上記第１の絶縁膜と絶縁性基板との界
面の反射率を極小にすることにより、略すべてのレーザ
光が第１の絶縁基板を透過して非晶質半導体薄膜に照射
されるので、効率良く非晶質半導体薄膜を結晶化させる
ことができる。
【００４４】請求項５記載の発明は、上記請求項４記載
の効果に加えて、第１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／
（２π）｝・ｔａｎ-1｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜
で表される値の略整数倍で形成されることにより、略す
べてのレーザ光が第１の絶縁膜を透過して非晶質半導体
薄膜に照射されるので、請求項４記載と同様の効果を奏
する。
の効果に加えて、第１の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／
（２π）｝・ｔａｎ-1｜（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜
で表される値の略整数倍で形成されることにより、略す
べてのレーザ光が第１の絶縁膜を透過して非晶質半導体
薄膜に照射されるので、請求項４記載と同様の効果を奏
する。
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す製造工程図である。
法の実施例を示す製造工程図である。
１ 絶縁性基板 １ａ 絶縁性基板の一方の主面 １ｂ 絶縁性基板の他方の主面 ２ 第１の絶縁膜 ３ａ 非晶質半導体薄膜 ３ 多結晶半導体薄膜 ４ 第２の絶縁膜 ５ ゲート電極 ６ 半導体薄膜のソース領域 ７ 半導体薄膜のドレイン領域 ８ 層間絶縁膜 ９ ソース電極 １０ ドレイン電極
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性基板の一方の主面に、第１の絶縁
膜、非晶質半導体薄膜及び第２の絶縁膜を順次成膜する
半導体装置の製造方法において、 上記全ての膜を成膜する工程若しくは上記非晶質半導体
薄膜及び上記第２の絶縁膜を成膜する工程を大気中に晒
すことなく連続して行い、レーザ光を上記絶縁性基板の
他方の主面側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶
化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記レーザ光を上記絶縁性基板の他方の
主面側から照射して上記非晶質半導体薄膜を結晶化させ
る工程は大気中に晒すことなく行うことを特徴とする請
求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記第１の絶縁膜は上記レーザ光を透過
する膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の半
導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記第１の絶縁膜の膜厚を、上記絶縁性
基板と第１の絶縁膜との界面の反射率を極小になるよう
に設定することを特徴とする請求項３記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項５】 上記絶縁性基板の屈折率をｎ0、上記第
１の絶縁膜の屈折率をｎ1、上記非晶質半導体薄膜の屈
折率をｎ2、レーザ光の波長λとしたときに、上記第１
の絶縁膜の膜厚ｄ0が｛ｎ1λ／（２π）｝・ｔａｎ-1｜
（ｎ0−ｎ2）／（ｎ0−ｎ1）｜で表される値の略整数倍
で形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16372695A JPH0917729A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16372695A JPH0917729A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0917729A true JPH0917729A (ja) | 1997-01-17 |
Family
ID=15779504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16372695A Pending JPH0917729A (ja) | 1995-06-29 | 1995-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0917729A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003031497A (ja) * | 2001-07-18 | 2003-01-31 | Advanced Lcd Technologies Development Center Co Ltd | 薄膜半導体装置及びその基板ならびにその製造方法 |
| US6642091B1 (en) | 1999-07-15 | 2003-11-04 | Nec Corporation | Thin-film semiconductor device and apparatus for fabricating thin-film semiconductor device |
| US6861614B1 (en) | 1999-07-08 | 2005-03-01 | Nec Corporation | S system for the formation of a silicon thin film and a semiconductor-insulating film interface |
| US6863733B1 (en) | 1999-07-15 | 2005-03-08 | Nec Corporation | Apparatus for fabricating thin-film semiconductor device |
| US6989300B1 (en) | 1999-07-13 | 2006-01-24 | Nec Corporation | Method for forming semiconductor films at desired positions on a substrate |
| JP2006237621A (ja) * | 1999-03-23 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| KR100700011B1 (ko) * | 2004-11-24 | 2007-03-26 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된박막트랜지스터를 구비하는 평판표시장치 |
| KR100719919B1 (ko) * | 2004-09-08 | 2007-05-18 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 다결정실리콘 박막트랜지스터 형성방법 |
| US7821071B2 (en) | 1999-03-23 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-06-29 JP JP16372695A patent/JPH0917729A/ja active Pending
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