JPH09172000A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPH09172000A JPH09172000A JP7332287A JP33228795A JPH09172000A JP H09172000 A JPH09172000 A JP H09172000A JP 7332287 A JP7332287 A JP 7332287A JP 33228795 A JP33228795 A JP 33228795A JP H09172000 A JPH09172000 A JP H09172000A
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- Japan
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- magnetic field
- microwave
- generating means
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で省電力型の半導体処理装置で大口径の
半導体基板の処理を効率的に行う。 【解決手段】 マイクロ波源４ａ，４ｂからのマイクロ
波を真空容器８の導入窓５より真空容器８内に放射する
アンテナ１と、アンテナ１の一面上に配置され各々が導
入窓５に対して垂直の磁場を発生させる複数の磁場発生
手段４２であって各磁場発生手段の発生する磁力線の向
きが隣接する磁場発生手段の磁力線の向きに対し逆方向
となるように配置された複数の磁場発生手段２４とを備
える半導体処理装置において、アンテナ１として、各磁
場発生手段４２の磁極と導入窓５との間の夫々に放射素
子を介在させたマイクロストリップアンテナを用いる。
更に好適には、各放射素子から放射されるマイクロ波
が、対応する磁極の磁力線の向きに対して右回り円偏波
となるようにする。
半導体基板の処理を効率的に行う。 【解決手段】 マイクロ波源４ａ，４ｂからのマイクロ
波を真空容器８の導入窓５より真空容器８内に放射する
アンテナ１と、アンテナ１の一面上に配置され各々が導
入窓５に対して垂直の磁場を発生させる複数の磁場発生
手段４２であって各磁場発生手段の発生する磁力線の向
きが隣接する磁場発生手段の磁力線の向きに対し逆方向
となるように配置された複数の磁場発生手段２４とを備
える半導体処理装置において、アンテナ１として、各磁
場発生手段４２の磁極と導入窓５との間の夫々に放射素
子を介在させたマイクロストリップアンテナを用いる。
更に好適には、各放射素子から放射されるマイクロ波
が、対応する磁極の磁力線の向きに対して右回り円偏波
となるようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波と磁場の
相互作用を利用して発生させたプラズマにより基板のエ
ッチングや薄膜形成等の表面処理を行う半導体処理装置
に係り、特に、小型化，低消費電力化を図るのに好適な
半導体処理装置に関する。
相互作用を利用して発生させたプラズマにより基板のエ
ッチングや薄膜形成等の表面処理を行う半導体処理装置
に係り、特に、小型化，低消費電力化を図るのに好適な
半導体処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波を用いてプラズマを生成し半
導体表面を処理する従来の半導体処理装置では、マイク
ロ波の吸収を良くするために、電磁石を用いてプラズマ
中に磁場を発生させている。２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を使用する場合、この磁場を８７５ガウスとすること
で電子サイクロトロン共鳴を利用でき、効率良くプラズ
マを生成できる。
導体表面を処理する従来の半導体処理装置では、マイク
ロ波の吸収を良くするために、電磁石を用いてプラズマ
中に磁場を発生させている。２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を使用する場合、この磁場を８７５ガウスとすること
で電子サイクロトロン共鳴を利用でき、効率良くプラズ
マを生成できる。
【０００３】しかし、従来の半導体処理装置は、電磁石
を用いるため、大型のコイルと大電力の直流電源が必要
となり、装置サイズが大きくなってしまうという問題が
ある。近年では、プラズマ処理する半導体基板が大口径
化し、これに伴ってプラズマも大口径なものが必要にな
ってきている。このため、電磁石を用いる半導体処理装
置は、更に巨大な電磁石と電源とが必須となり、実際の
半導体処理ラインに設置することが不可能になってきて
いる。
を用いるため、大型のコイルと大電力の直流電源が必要
となり、装置サイズが大きくなってしまうという問題が
ある。近年では、プラズマ処理する半導体基板が大口径
化し、これに伴ってプラズマも大口径なものが必要にな
ってきている。このため、電磁石を用いる半導体処理装
置は、更に巨大な電磁石と電源とが必須となり、実際の
半導体処理ラインに設置することが不可能になってきて
いる。
【０００４】そこで、電磁石の代わりに、特開平６−２
２４１５５号公報記載の様に、永久磁石を用いる半導体
処理装置が提案されている。この提案にかかる半導体処
理装置では、プラズマ生成室近傍に設けたプラズマ口径
程度の円板状または分岐状のアンテナからマイクロ波を
放射させ、そのマイクロ波の伝搬領域に多数の小型永久
磁石により磁場を発生させ、この磁場とマイクロ波とに
より電子サイクロトロン共鳴を起こさせることで、プラ
ズマを発生させている。
２４１５５号公報記載の様に、永久磁石を用いる半導体
処理装置が提案されている。この提案にかかる半導体処
理装置では、プラズマ生成室近傍に設けたプラズマ口径
程度の円板状または分岐状のアンテナからマイクロ波を
放射させ、そのマイクロ波の伝搬領域に多数の小型永久
磁石により磁場を発生させ、この磁場とマイクロ波とに
より電子サイクロトロン共鳴を起こさせることで、プラ
ズマを発生させている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平６−２
２４１５５号公報記載の従来技術は、巨大な電磁石や電
源が不要となるため、装置の小型化を達成することはで
きる。しかし、電子サイクロトロン共鳴を効率的に起こ
させることについて配慮がない。
２４１５５号公報記載の従来技術は、巨大な電磁石や電
源が不要となるため、装置の小型化を達成することはで
きる。しかし、電子サイクロトロン共鳴を効率的に起こ
させることについて配慮がない。
【０００６】本発明の目的は、電子サイクロトロン共鳴
を効率的に起こさせて更に一層の装置の小型化と低消費
電力化を図る一方、高密度のプラズマ生成を可能にする
半導体処理装置を提供することにある。
を効率的に起こさせて更に一層の装置の小型化と低消費
電力化を図る一方、高密度のプラズマ生成を可能にする
半導体処理装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、真空雰囲気
を提供する真空容器と、マイクロ波を発生するマイクロ
波源と、該マイクロ波源からのマイクロ波を前記真空容
器の導入窓より該真空容器内に放射するアンテナと、前
記真空容器内に中性ガスを供給するガス供給装置と、前
記真空容器内のガスを排気する排気装置と、処理対象基
板を前記真空容器内に置くホルダと、該ホルダに高周波
電界を印加する高周波電源と、一面上に配置され各々が
前記導入窓に対して垂直の磁場を発生させる複数の磁場
発生手段であって各磁場発生手段の発生する磁力線の向
きが隣接する磁場発生手段の磁力線の向きに対し逆方向
となるように配置された複数の磁場発生手段とを備える
半導体処理装置において、前記アンテナとして、前記各
磁場発生手段の磁極と前記導入窓との間の夫々に放射素
子を介在させたマイクロストリップアンテナを用いるこ
とで、達成される。
を提供する真空容器と、マイクロ波を発生するマイクロ
波源と、該マイクロ波源からのマイクロ波を前記真空容
器の導入窓より該真空容器内に放射するアンテナと、前
記真空容器内に中性ガスを供給するガス供給装置と、前
記真空容器内のガスを排気する排気装置と、処理対象基
板を前記真空容器内に置くホルダと、該ホルダに高周波
電界を印加する高周波電源と、一面上に配置され各々が
前記導入窓に対して垂直の磁場を発生させる複数の磁場
発生手段であって各磁場発生手段の発生する磁力線の向
きが隣接する磁場発生手段の磁力線の向きに対し逆方向
となるように配置された複数の磁場発生手段とを備える
半導体処理装置において、前記アンテナとして、前記各
磁場発生手段の磁極と前記導入窓との間の夫々に放射素
子を介在させたマイクロストリップアンテナを用いるこ
とで、達成される。
【０００８】上記目的は、好適には、各放射素子から放
射されるマイクロ波が円偏波でしかも対応する磁場発生
手段が前記真空容器内に発生させる磁力線の向きに対し
て右回りとなるようにすることで、達成される。
射されるマイクロ波が円偏波でしかも対応する磁場発生
手段が前記真空容器内に発生させる磁力線の向きに対し
て右回りとなるようにすることで、達成される。
【０００９】マイクロストリップアンテナの複数の放射
素子を小型の磁場発生手段毎に設け、各磁場発生手段に
よる複数の局所的な磁場領域のみに各放射素子からマイ
クロ波を放射する構成のため、装置の小型化を図ること
が可能となる。また、各放射素子から放射するマイクロ
波を各磁力線の向きに対して右回り円偏波とすること
で、電子サイクロトロン共鳴においてもっとも効率よく
プラズマ中の電子を加熱することができ、小型のアンテ
ナで高密度のプラズマ生成が可能となる。
素子を小型の磁場発生手段毎に設け、各磁場発生手段に
よる複数の局所的な磁場領域のみに各放射素子からマイ
クロ波を放射する構成のため、装置の小型化を図ること
が可能となる。また、各放射素子から放射するマイクロ
波を各磁力線の向きに対して右回り円偏波とすること
で、電子サイクロトロン共鳴においてもっとも効率よく
プラズマ中の電子を加熱することができ、小型のアンテ
ナで高密度のプラズマ生成が可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態
を示す半導体処理装置の構成図である。この実施形態に
係る半導体処理装置は、パワーの異なるマイクロ波源４
ａ，４ｂと、各マイクロ波源４ａ，４ｂから供給される
マイクロ波３ａ，３ｂを導入窓５から真空容器８内へ放
射するマイクロストリップアンテナ１（平面図を図２に
示す。）と、真空容器８内に中性ガス９を供給するガス
供給装置１０と、真空容器８内のガスを排気する排気装
置１１と、マイクロストリップアンテナ１上に配置され
真空容器内に磁場を発生させる複数の永久磁石４２と、
処理対象とする半導体基板１３を真空容器８内に置くた
めのホルダ１４と、ホルダ１４に高周波電界を印加する
ための高周波電源２４などから構成される。
面を参照して説明する。図１は、本発明の第１実施形態
を示す半導体処理装置の構成図である。この実施形態に
係る半導体処理装置は、パワーの異なるマイクロ波源４
ａ，４ｂと、各マイクロ波源４ａ，４ｂから供給される
マイクロ波３ａ，３ｂを導入窓５から真空容器８内へ放
射するマイクロストリップアンテナ１（平面図を図２に
示す。）と、真空容器８内に中性ガス９を供給するガス
供給装置１０と、真空容器８内のガスを排気する排気装
置１１と、マイクロストリップアンテナ１上に配置され
真空容器内に磁場を発生させる複数の永久磁石４２と、
処理対象とする半導体基板１３を真空容器８内に置くた
めのホルダ１４と、ホルダ１４に高周波電界を印加する
ための高周波電源２４などから構成される。
【００１１】図１の構成で、マグネトロンを使ったマイ
クロ波源４ａ，４ｂでマイクロ波を発生させ、このマイ
クロ波を導波管１５で伝搬させた後、導波管同軸変換器
１６を用いて同軸に変換し、同軸ケーブル１７を介して
マイクロストリップアンテナ１にマイクロ波を入力す
る。マイクロ波は、途中で、マイクロ波分配器２６によ
り分岐し、各放射素子に入力される。
クロ波源４ａ，４ｂでマイクロ波を発生させ、このマイ
クロ波を導波管１５で伝搬させた後、導波管同軸変換器
１６を用いて同軸に変換し、同軸ケーブル１７を介して
マイクロストリップアンテナ１にマイクロ波を入力す
る。マイクロ波は、途中で、マイクロ波分配器２６によ
り分岐し、各放射素子に入力される。
【００１２】マイクロストリップアンテナ１はマイクロ
波３を導入窓５側に放射し、導入窓５を通って真空容器
８中に伝搬したマイクロ波は、電子を加速して中性ガス
９を衝突電離させ、プラズマ６を発生させる。中性ガス
９は、ガス供給装置１０により真空容器８中に供給され
た後、排気装置１１により排気される。
波３を導入窓５側に放射し、導入窓５を通って真空容器
８中に伝搬したマイクロ波は、電子を加速して中性ガス
９を衝突電離させ、プラズマ６を発生させる。中性ガス
９は、ガス供給装置１０により真空容器８中に供給され
た後、排気装置１１により排気される。
【００１３】本実施形態に係る半導体処理装置では、マ
イクロ波で電子を加速する効率を高めるために、マイク
ロストリップアンテナ１の各放射素子上に、夫々永久磁
石４２を設置して磁場を発生させ、電子サイクロトロン
共鳴を効率的に起こさせている。電子サイクロトロン共
鳴の効果は、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い
た場合、約８７５ガウスの磁場があると最大となり、マ
イクロ波の吸収効率が最大となる。各永久磁石４２によ
り発生する磁力線４９は、Ｎ極からＳ極に進むが、真空
容器８中の領域５０ａ，５０ｂに、８７５ガウスの磁場
が生成されるようにする。
イクロ波で電子を加速する効率を高めるために、マイク
ロストリップアンテナ１の各放射素子上に、夫々永久磁
石４２を設置して磁場を発生させ、電子サイクロトロン
共鳴を効率的に起こさせている。電子サイクロトロン共
鳴の効果は、周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用い
た場合、約８７５ガウスの磁場があると最大となり、マ
イクロ波の吸収効率が最大となる。各永久磁石４２によ
り発生する磁力線４９は、Ｎ極からＳ極に進むが、真空
容器８中の領域５０ａ，５０ｂに、８７５ガウスの磁場
が生成されるようにする。
【００１４】図２は、マイクロストリップアンテナ１の
平面図である。本実施形態に係る半導体処理装置は、装
置の周方向にできるだけ均一なプラズマ分布を得るため
に、正方形の小型の１２個の放射素子２３を用い、その
うち４個を中心部の周方向に、残りの８個を周辺部の周
方向に並べている。各放射素子２３からは、１素子毎に
円偏波を放出する構成となっている。
平面図である。本実施形態に係る半導体処理装置は、装
置の周方向にできるだけ均一なプラズマ分布を得るため
に、正方形の小型の１２個の放射素子２３を用い、その
うち４個を中心部の周方向に、残りの８個を周辺部の周
方向に並べている。各放射素子２３からは、１素子毎に
円偏波を放出する構成となっている。
【００１５】図３は、各放射素子から円偏波を放出する
原理を説明する図である。給電部１９にマイクロ波が給
電されると、このマイクロ波は、マイクロストリップ線
路７を伝播し、放射素子２３に、２７ａと２７ｂの２点
から給電される。給電部１９と給電点２７ａとの距離
を、給電部１９と給電点２７ｂとの距離よりも、マイク
ロ波の波長の１／４分だけ短くすることで、給電点２７
ａに到達するマイクロ波の位相が給電点２７ｂに到達す
るマイクロ波の位相より９０度早くなる。給電点２７ａ
と給電点２７ｂは、正方形放射素子２３の９０度離れた
二辺に位置するため、この放射素子２３から円偏波が放
出される。
原理を説明する図である。給電部１９にマイクロ波が給
電されると、このマイクロ波は、マイクロストリップ線
路７を伝播し、放射素子２３に、２７ａと２７ｂの２点
から給電される。給電部１９と給電点２７ａとの距離
を、給電部１９と給電点２７ｂとの距離よりも、マイク
ロ波の波長の１／４分だけ短くすることで、給電点２７
ａに到達するマイクロ波の位相が給電点２７ｂに到達す
るマイクロ波の位相より９０度早くなる。給電点２７ａ
と給電点２７ｂは、正方形放射素子２３の９０度離れた
二辺に位置するため、この放射素子２３から円偏波が放
出される。
【００１６】各放射素子２３から放射されるマイクロ波
は、自身の上に設置された永久磁石４２が作る磁力線の
方向を考慮し、電子サイクロトロン共鳴において最も効
率良くプラズマ中の電子を加熱することができる右回り
円偏波となるように、図３に示す形状（どちらの給電点
２７ａ，２７ｂに供給するマイクロ波の位相を遅らせる
か）を考慮する。すなわち、図１において、永久磁石４
２のうち、導入窓５側がＮ極となる永久磁石の作る磁場
領域５０ａには、電界の回転方向がマイクロ波の進行方
向に対して右回りとなるようなマイクロ波３ａが放射さ
れるようにする。また、導入窓５側がＳ極となる永久磁
石の作る磁場領域５０ｂには、電界の回転方向がマイク
ロ波の進行方向に対して左回りとなるようなマイクロ波
３ｂが放射されるようにする。これにより、効率良くプ
ラズマ中の電子が加熱され、高密度のプラズマが生成さ
れる。
は、自身の上に設置された永久磁石４２が作る磁力線の
方向を考慮し、電子サイクロトロン共鳴において最も効
率良くプラズマ中の電子を加熱することができる右回り
円偏波となるように、図３に示す形状（どちらの給電点
２７ａ，２７ｂに供給するマイクロ波の位相を遅らせる
か）を考慮する。すなわち、図１において、永久磁石４
２のうち、導入窓５側がＮ極となる永久磁石の作る磁場
領域５０ａには、電界の回転方向がマイクロ波の進行方
向に対して右回りとなるようなマイクロ波３ａが放射さ
れるようにする。また、導入窓５側がＳ極となる永久磁
石の作る磁場領域５０ｂには、電界の回転方向がマイク
ロ波の進行方向に対して左回りとなるようなマイクロ波
３ｂが放射されるようにする。これにより、効率良くプ
ラズマ中の電子が加熱され、高密度のプラズマが生成さ
れる。
【００１７】図４は装置を上からみた図であり、永久磁
石４２の上部側の磁極を記している。永久磁石４２の磁
極の向きは、図４に示すように、隣接したもの同士の磁
極が逆方向となるようにしている。それは、各永久磁石
の磁極を同じ方向に並べてしまうと、各永久磁石の作る
磁場が打ち消し合って弱くなるためである。永久磁石を
配置する位置としては、図２に示すマイクロストリップ
アンテナの各放射素子２３の位置に対応するようにす
る。これにより、各永久磁石４２の作る局所的な磁場領
域に各放射素子のマイクロ波を放射でき、その磁場領域
に効率よく吸収させることができる。
石４２の上部側の磁極を記している。永久磁石４２の磁
極の向きは、図４に示すように、隣接したもの同士の磁
極が逆方向となるようにしている。それは、各永久磁石
の磁極を同じ方向に並べてしまうと、各永久磁石の作る
磁場が打ち消し合って弱くなるためである。永久磁石を
配置する位置としては、図２に示すマイクロストリップ
アンテナの各放射素子２３の位置に対応するようにす
る。これにより、各永久磁石４２の作る局所的な磁場領
域に各放射素子のマイクロ波を放射でき、その磁場領域
に効率よく吸収させることができる。
【００１８】図２に示したマイクロストリップアンテナ
では、放射素子２３を二重（中心部の４つの素子と、周
辺部の８つの素子）に配置し、内側の４つの放射素子２
３にはマイクロ波源４ａからマイクロ波を給電し、外側
の８つの放射素子２３にはマイクロ波源４ｂからマイク
ロ波を給電している。もし、各放射素子２３から均一の
マイクロ波を放射してプラズマを生成した場合、プラズ
マは中央に集中傾向がある。そこで本実施形態では、内
側の放射素子に給電するパワーを弱くし、外側の放射素
子に給電するマイクロ波のパワーを強くすることで、均
一なプラズマ分布を得るようにしている。尚、本実施形
態では放射素子を二重に配列しているが、更に装置を大
型化する場合には、三重や四重に配列することでマイク
ロ波分布を調整し、プラズマ分布を均一にすることがで
きることはいうまでもない。
では、放射素子２３を二重（中心部の４つの素子と、周
辺部の８つの素子）に配置し、内側の４つの放射素子２
３にはマイクロ波源４ａからマイクロ波を給電し、外側
の８つの放射素子２３にはマイクロ波源４ｂからマイク
ロ波を給電している。もし、各放射素子２３から均一の
マイクロ波を放射してプラズマを生成した場合、プラズ
マは中央に集中傾向がある。そこで本実施形態では、内
側の放射素子に給電するパワーを弱くし、外側の放射素
子に給電するマイクロ波のパワーを強くすることで、均
一なプラズマ分布を得るようにしている。尚、本実施形
態では放射素子を二重に配列しているが、更に装置を大
型化する場合には、三重や四重に配列することでマイク
ロ波分布を調整し、プラズマ分布を均一にすることがで
きることはいうまでもない。
【００１９】図５は、本発明の第２実施形態に係る半導
体処理装置の磁場発生手段構成図である。本実施形態の
基本的装置構成は第１実施形態と同じであり、磁場を発
生させる永久磁石の配置のみが異なっている。本実施形
態では、長い棒状の永久磁石４２の両端に位置するＮ極
とＳ極が、図２に示した各放射素子２３の上側に位置す
るようにしている。このようにしても、第１実施形態と
同様の効果を得ることができる。
体処理装置の磁場発生手段構成図である。本実施形態の
基本的装置構成は第１実施形態と同じであり、磁場を発
生させる永久磁石の配置のみが異なっている。本実施形
態では、長い棒状の永久磁石４２の両端に位置するＮ極
とＳ極が、図２に示した各放射素子２３の上側に位置す
るようにしている。このようにしても、第１実施形態と
同様の効果を得ることができる。
【００２０】図６，図７は、本発明の第３実施形態に係
る半導体処理装置の構成図である。本実施形態の基本的
装置構成も第１実施形態と同じであり、磁場発生手段と
して、永久磁石の代わりに小形電磁石４３を用いている
点のみ異なる。各電磁石４３に流す電流は、図７に矢印
で示す様に、隣接する電磁石同士で逆方向となるように
している。このようにすることで、第１実施形態と同様
の磁場を電磁石を用いて発生させることができ、しか
も、磁場を発生させる領域も小さくて済むため、従来の
ような大型の電磁石を用いる必要がない。
る半導体処理装置の構成図である。本実施形態の基本的
装置構成も第１実施形態と同じであり、磁場発生手段と
して、永久磁石の代わりに小形電磁石４３を用いている
点のみ異なる。各電磁石４３に流す電流は、図７に矢印
で示す様に、隣接する電磁石同士で逆方向となるように
している。このようにすることで、第１実施形態と同様
の磁場を電磁石を用いて発生させることができ、しか
も、磁場を発生させる領域も小さくて済むため、従来の
ような大型の電磁石を用いる必要がない。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、半導体処理装置のより
小型化，省電力化が可能となり、しかも、マイクロ波を
効率よくプラズマに吸収させて高密度のプラズマを生成
できるという効果を奏する。
小型化，省電力化が可能となり、しかも、マイクロ波を
効率よくプラズマに吸収させて高密度のプラズマを生成
できるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体処理装置の
構成図である。
構成図である。
【図２】図１に示すマイクロストリップアンテナの平面
図である。
図である。
【図３】図２に示す放射素子から円偏波を放射する原理
説明図である。
説明図である。
【図４】図１に示す半導体処理装置を上から見た図であ
る。
る。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体処理装置の
永久磁石の配置図である。
永久磁石の配置図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る半導体処理装置の
構成図である。
構成図である。
【図７】図６に示す半導体処理装置に用いた複数の小型
電磁石に流す電流の向きを示す図である。
電磁石に流す電流の向きを示す図である。
１…マイクロストリップアンテナ、３ａ，３ｂ…マイク
ロ波、４ａ，４ｂ…マイクロ波源、５…導入窓、６…プ
ラズマ、７…マイクロストリップ線路、８…真空容器、
９…中性ガス、１０…中性ガス供給装置、１１…排気装
置、１３…半導体基板、１４…ホルダ、１５…導波管、
１６…導波管同軸管変換器、１７…同軸ケーブル、２３
…放射素子、２４…高周波電源、２６…マイクロ波分配
器、２７ａ，２７ｂ…放射素子への給電点、４２…永久
磁石、４３…電磁石、４９…磁力線、５０ａ，５０ｂ…
８７５ガウスの磁場が発生する領域。
ロ波、４ａ，４ｂ…マイクロ波源、５…導入窓、６…プ
ラズマ、７…マイクロストリップ線路、８…真空容器、
９…中性ガス、１０…中性ガス供給装置、１１…排気装
置、１３…半導体基板、１４…ホルダ、１５…導波管、
１６…導波管同軸管変換器、１７…同軸ケーブル、２３
…放射素子、２４…高周波電源、２６…マイクロ波分配
器、２７ａ，２７ｂ…放射素子への給電点、４２…永久
磁石、４３…電磁石、４９…磁力線、５０ａ，５０ｂ…
８７５ガウスの磁場が発生する領域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｑ 13/08 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｃ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｇ０１Ｎ 24/14
Claims (5)
- 【請求項１】 真空雰囲気を提供する真空容器と、マイ
クロ波を発生するマイクロ波源と、該マイクロ波源から
のマイクロ波を前記真空容器の導入窓より該真空容器内
に放射するアンテナと、前記真空容器内に中性ガスを供
給するガス供給装置と、前記真空容器内のガスを排気す
る排気装置と、処理対象基板を前記真空容器内に置くホ
ルダと、該ホルダに高周波電界を印加する高周波電源
と、一面上に配置され各々が前記導入窓に対して垂直の
磁場を発生させる複数の磁場発生手段であって各磁場発
生手段の発生する磁力線の向きが隣接する磁場発生手段
の磁力線の向きに対し逆方向となるように配置された複
数の磁場発生手段とを備える半導体処理装置において、
前記アンテナとして、前記各磁場発生手段の磁極と前記
導入窓との間の夫々に放射素子を介在させたマイクロス
トリップアンテナを用いたことを特徴とする半導体処理
装置。 - 【請求項２】 請求項１において、マイクロストリップ
アンテナの各放射素子から放射されるマイクロ波が円偏
波でしかも対応する磁場発生手段が前記真空容器内に発
生させる磁力線の向きに対して右回りとなるようにした
ことを特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２において、マイ
クロストリップアンテナの周辺部の放射素子から放射す
るマイクロ波の電力を中心部の放射素子から放射するマ
イクロ波の電力より高くしたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、各磁場発生手段として複数の永久磁石を用いたこと
を特徴とする半導体処理装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至請求項３のいずれかにおい
て、各磁場発生手段として複数の小形電磁石を用いたこ
とを特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332287A JPH09172000A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7332287A JPH09172000A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09172000A true JPH09172000A (ja) | 1997-06-30 |
Family
ID=18253272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7332287A Pending JPH09172000A (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09172000A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8262844B2 (en) | 2007-03-08 | 2012-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP7332287A patent/JPH09172000A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8262844B2 (en) | 2007-03-08 | 2012-09-11 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, plasma processing method and storage medium |
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