JPH0917025A

JPH0917025A - 情報記録媒体及び初期化方法

Info

Publication number: JPH0917025A
Application number: JP7163391A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Kobayashi; 忠小林
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1995-06-29
Filing date: 1995-06-29
Publication date: 1997-01-17

Abstract

(57)【要約】【目的】高反射率における適応に十分対応し得る情報
記録媒体を得る【構成】記録膜の相変化に伴う媒体の反射率変化量を
情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射
率で５％以下、かつ反射率を絶対反射率で５０％以上と
するか、あるいは反射率変化量を絶対反射率で１０％以
下、かつ記録膜の相変化に伴う媒体の位相変化量を再生
用光波長における位相変化量の絶対値で１２０度以上と
した媒体を得るか、または再生用光波長における光の位
相のバラツキが媒体の記録トラックで±４５°以内とな
るよう初期化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、相変化型記録膜を有す
る情報記録媒体に関する。また、本発明は、相変化型記
録膜を有する情報記録媒体の初期化方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、情報の記録再生で用いられる
相変化型記録膜を用いた光ディスクとしては、カルコゲ
ナイド系材料を記録膜に用いた光ディスクが検討されて
いる。相変化型記録膜を用いた光ディスクを略して以
下、相変化光ディスクと称する。

【０００３】相変化光ディスクの従来技術については、
「書換え可能光ディスク材料」奥田昌宏著、株式会社工
業調査会発行、１９８９年５月２０日初版発行に、詳し
くのべられている。相変化光ディスクは、カルコゲナイ
ド系記録膜の結晶相、非晶質相の相変化を利用して情報
の記録再生を行なう。従来の相変化光ディスクの動作は
次のように行なわれている。

【０００４】１）スパッタ、蒸着などで成膜された記録
膜は非晶質であるので、加熱アニール処理または光ビー
ム照射などで、記録膜を結晶相とする。これを初期（結
晶）化という。

【０００５】２）短パルス、高パワーの記録パルスで結
晶相の記録膜を溶融、急冷し非晶質化して記録マークと
する。３）長パルス、低パワーの消去パルスで非晶質相の記録
マークを結晶化し、記録マークを消去する。

【０００６】また、消去パワーに記録パワーを重畳させ
て、オーバーライトを行なうことも検討されている。相
変化光ディスクの層構成としては、光ディスク基板上
に、誘電体保護膜、相変化記録膜、誘電体保護膜、金属
または合金反射膜を積層したものが、この分野で一般に
用いられている。

【０００７】近年、コンピュータのソフト配布用に再生
専用のＣＤ−ＲＯＭが普及してきており、ＣＤ−ＲＯＭ
と互換をとりながら、さらに情報の記録再生が可能な光
ディスクの開発も盛んである。ＣＤ−ＲＯＭは媒体の反
射率が６０％以上であり、ＣＤ−ＲＯＭと互換をとるた
めには、高反射率の光ディスクが要求されている。

【０００８】相変化光ディスクを用いて、高反射率の光
ディスクを実現しようという試みは、川西ら「ＩｎＳｅ
系相変化ＣＤの記録再生消去特性」第４回相変化記録研
究会シンポジウム講演予稿集１９９２年に報告されてい
る。この文献には、高反射率化をめざして、記録膜にＩ
ｎＳｅ材料を用いたものが記載されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の相変化光ディス
クは、その記録膜の反射率変化を利用するものであった
ので、これを高反射率で適用したときに、十分な反射率
変化を得ることが難しかった。

【００１０】ＣＤ−ＲＯＭと互換をとれる計算機の補助
記憶装置のため、高反射率における適応に十分対応し得
る情報記録媒体の出現が待望されている。本発明は、上
記事情に鑑みてなされたもので、高反射率における適応
に十分対応し得る情報記録媒体を得ることを目的とす
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
れば、基板と、該基板上に設けられ、光ビームを照射
し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する
相変化型記録膜とを含む情報記録媒体において、前記記
録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量
は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対
反射率で５％以下であり、かつ前記情報記録媒体の反射
率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶
対反射率で５０％以上であることを特徴とする情報記録
媒体が提供される。

【００１２】本発明の第２の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜とを
含む情報記録媒体において、前記記録膜の相変化に伴う
前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の再生で用い
る光ビームの光波長における絶対反射率で５％以下であ
り、前記情報記録媒体の反射率は、情報の再生で用いる
光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上であ
り、かつ前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の
位相変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長に
おける位相変化量の絶対値で４５度以下であることを特
徴とする情報記録媒体が提供される。

【００１３】本発明の第３の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜とを
含む情報記録媒体において、前記記録膜の相変化に伴う
前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の再生で用い
る光ビームの光波長における絶対反射率で１０％以下で
あり、且つ前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体
の位相変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長
における位相変化量の絶対値で１２０度以上であること
を特徴とする情報記録媒体が提供される。

【００１４】本発明の第４の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜とを
含む情報記録媒体の初期化方法であって、情報の再生で
用いる光ビームの光波長における光の位相のバラツキが
前記情報記録媒体の記録トラックで±４５°以内となる
ように前記記録膜に位相初期化光ビームを照射して、初
期化することを特徴とする情報記録媒体の初期化方法が
提供される。

【００１５】本発明の第５の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と、
誘電体保護膜とを含む情報記録媒体において、前記記録
膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量は、
情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射
率で５％以下であり、前記情報記録媒体の反射率は、情
報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率
で５０％以上であることを特徴とする情報記録媒体が提
供される。

【００１６】本発明の第６の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と、
誘電体保護膜と、反射層とを含む情報記録媒体におい
て、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射
率変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長にお
ける絶対反射率で５％以下であり、前記情報記録媒体の
反射率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長におけ
る絶対反射率で５０％以上であることを特徴とする情報
記録媒体が提供される。

【００１７】本発明の第７の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられた、第１の誘電体保護膜と、該第１の
誘電体保護膜上に設けられ、光ビームを照射し、照射部
分に状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記
録膜と、該相変化型記録膜上に設けられた第２の誘電体
保護膜と、該第２の誘電体保護膜上に設けられた反射層
とを含む情報記録媒体において、前記記録膜の相変化に
伴う前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の再生で
用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５％以下
であり、前記情報記録媒体の反射率は、情報の再生で用
いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上
であることを特徴とする情報記録媒体が提供される。

【００１８】本発明の第８の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と、
誘電体保護膜とを含む情報記録媒体において、前記記録
膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量は、
情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射
率で５％以下であり、前記情報記録媒体の反射率は、情
報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率
で５０％以上であり、前記記録膜の相変化に伴う前記情
報記録媒体の位相変化量は、情報の再生で用いる光ビー
ムの光波長における位相変化量の絶対値で１２０度以上
であることを特徴とする情報記録媒体が提供される。

【００１９】本発明の第９の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と、
反射層とを含む情報記録媒体において、前記記録膜の相
変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の
再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５
％以下であり、前記情報記録媒体の反射率は、情報の再
生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０
％以上であり、かつ前記記録膜の相変化に伴う前記情報
記録媒体の位相変化量は、情報の再生で用いる光ビーム
の光波長における位相変化量の絶対値で１２０度以上で
あることを特徴とする情報記録媒体が提供される。

【００２０】本発明の第１０の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられた、第１の誘電体保護膜と、該第１
の誘電体保護膜上に設けられ、光ビームを照射し、照射
部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型
記録膜と、該相変化型記録膜上に設けられた第２の誘電
体保護膜と、該第２の誘電体保護膜上に設けられた反射
層とを含む情報記録媒体において、前記記録膜の相変化
に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の再生
で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５％以
下であり、前記情報記録媒体の反射率は、情報の再生で
用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以
上であり、かつ前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録
媒体の位相変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光
波長における位相変化量の絶対値で１２０度以上である
ことを特徴とする情報記録媒体が提供される。

【００２１】本発明の第１１の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状
態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と
を含む情報記録媒体の初期化方法において、前記記録膜
の状態が相変化のどちらの状態においても、前記情報記
録媒体の反射率が、情報の再生で用いる光ビームの光波
長における絶対反射率で５０％以上となるように、前記
記録膜に位相初期化光ビームを照射して、前記記録膜の
状態を相変化のどちらかの状態に初期化することを特徴
とする初期化方法が提供される。

【００２２】本発明の第１２の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状
態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜
と、誘電体保護膜とを含む情報記録媒体の初期化方法に
おいて、前記記録膜の状態が相変化のどちらの状態にお
いても、前記情報記録媒体の反射率が、情報の再生で用
いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上
となるように、前記記録膜に位相初期化光ビームを照射
して、前記記録膜の状態を相変化のどちらかの状態に初
期化することを特徴とする初期化方法が提供される。

【００２３】本発明の第１３の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状
態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜
と、誘電体保護膜とを含む情報記録媒体の初期化方法に
おいて、前記記録膜の状態が相変化のどちらの状態にお
いても、前記情報記録媒体の反射率が、情報の再生で用
いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上
となるように、前記記録膜に位相初期化光ビームを照射
して、前記記録膜の状態を相変化のどちらかの状態に初
期化することを特徴とする初期化方法が提供される。

【００２４】本発明の第１４の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられた、第１の誘電体保護膜と、該第１
の誘電体保護膜上に設けられ、光ビームを照射し、照射
部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型
記録膜と、該相変化型記録膜上に設けられた第２の誘電
体保護膜と、該第２の誘電体保護膜上に設けられた反射
層とを含む情報記録媒体の初期化方法において、前記記
録膜の状態が相変化のどちらの状態においても、前記情
報記録媒体の反射率が、情報の再生で用いる光ビームの
光波長における絶対反射率で５０％以上となるように、
前記記録膜に位相初期化光ビームを照射して、前記記録
膜の状態を相変化のどちらかの状態に初期化することを
特徴とする初期化方法が提供される。

【００２５】本発明の第１５の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状
態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜
と、誘電体保護膜とを含む情報記録媒体の初期化方法で
あって、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
光の位相のバラツキが前記情報記録媒体の記録トラック
で±４５°以内となるように前記記録膜に位相初期化光
ビームを照射して初期化することを特徴とする情報記録
媒体の初期化方法が提供される。

【００２６】本発明の１６の態様によれば、基板と、該
基板上に設けられ、光ビームを照射し、照射部分に状態
の変化を生じさせて情報を記録する相変化型記録膜と、
誘電体保護膜と、反射層とを含む情報記録媒体の初期化
方法であって、情報の再生で用いる光ビームの光波長に
おける光の位相のバラツキが前記情報記録媒体の記録ト
ラックで±４５°以内となるように前記記録膜に位相初
期化光ビームを照射して初期化することを特徴とする情
報記録媒体の初期化方法が提供される。

【００２７】本発明の第１７の態様によれば、基板と、
該基板上に設けられた、第１の誘電体保護膜と、該第１
の誘電体保護膜上に設けられ、光ビームを照射し、照射
部分に状態の変化を生じさせて情報を記録する相変化型
記録膜と、該相変化型記録膜上に設けられた第２の誘電
体保護膜と、該第２の誘電体保護膜上に設けられた反射
層とを含む情報記録媒体の初期化方法であって、情報の
再生で用いる光ビームの光波長における光の位相のバラ
ツキが前記情報記録媒体の記録トラックで±４５°以内
となるように前記記録膜に位相初期化光ビームを照射し
て初期化することを特徴とする情報記録媒体の初期化方
法が提供される。

【００２８】

【作用】本発明の第１、第５ないし第７の態様によれ
ば、記録膜の相変化に伴う情報記録媒体の反射率変化量
を、情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対
反射率で５％以下に、かつ情報記録媒体の反射率を、情
報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率
で５０％以上に調整することによって高反射率の媒体を
実現できる。

【００２９】本発明の第１の態様にかかる情報記録媒体
は、第５ないし第７の態様に示すように、好ましくは基
板と、相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを有し、さら
に好ましくは加えて反射膜を有するもので、好ましくは
誘電体保護膜の膜厚ｄは、該光ビームの波長をＬ、誘電
体保護膜の該光波長における屈折率をｎとしたときｄ＝（ｍＬ）／（２ｎ）±Ｌ／（８ｎ）（ここでｍは１以上の整数である）で定められる膜厚に
設定され得る。

【００３０】本発明の第２の態様によれば、記録膜の相
変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量を、情報の
再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５
％以下に、情報記録媒体の反射率を、情報の再生で用い
る光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上
に、かつ記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の位相
変化量を、情報の再生で用いる光ビームの光波長におけ
る位相変化量の絶対値で４５度以下に調整することによ
り、高反射率、且つ相変化に伴う反射率変化量が少な
く、またそのときの相変化に伴う位相変化量も少ない媒
体を提供することができる。

【００３１】本発明の第２の態様において、情報記録媒
体は、好ましくは基板と、相変化型記録膜と、誘電体保
護膜とを有し、さらに好ましくは加えて反射膜を有する
もので、誘電体保護膜の膜厚ｄは、該光ビームの波長を
Ｌ、誘電体保護膜の該光波長における屈折率をｎとした
ときｄ＝（ｍＬ）／（２ｎ）±Ｌ／（８ｎ）（ここでｍは１以上の整数である）で定められる膜厚に
設定され得る。

【００３２】本発明の第３の態様によれば、記録膜の相
変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変化量を、情報の
再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で１
０％以下に、且つ前記記録膜の相変化に伴う前記情報記
録媒体の位相変化量を、情報の再生で用いる光ビームの
光波長における位相変化量の絶対値で１２０度以上に調
整することにより、少なくとも、そのときの相変化に伴
う位相変化量が大きい媒体を提供することができる。

【００３３】本発明の第３の態様において、情報記録媒
体は、好ましくは基板と、相変化型記録膜と、誘電体保
護膜とを有し、さらに好ましくは加えて反射膜を有する
もので、好ましくは情報の再生で用いる光ビームの波長
をＬ、該光波長での保護膜２の屈折率をｎ、誘電体保護
膜の膜厚をｄとすると保護膜２の膜厚をｄ＝（２ｙ＋１）Ｌ／（４ｎ）±Ｌ／（８ｎ）（ここでｙは０以上の整数である）、で定められる膜厚
に誘電体保護膜の膜厚が設定される。

【００３４】本発明の第３の態様においてはまた、情報
記録媒体は、好ましくは基板と、相変化型記録膜と、誘
電体保護膜とを有し、さらに好ましくは加えて反射膜を
有するもので、好ましくは情報の再生で用いる光ビーム
の波長をＬ、該光波長での保護膜２の屈折率をｎ、位相
差変化量が極大となる保護膜２の最小の膜厚をｔｐ、保
護膜２の膜厚をｄとすると、誘電体保護膜の膜厚がｄ＝ｔｐ＋ｘＬ／（２ｎ）±Ｌ／（８ｎ）（ここでｘは０以上の整数である）で定められる膜厚に
設定され得る。

【００３５】本発明の第４、及び第１５ないし１７の態
様によれば、記録膜に位相初期化光ビームを照射するこ
とにより、記録膜の結晶状態を均一にさせ、情報記録媒
体の位相のばらつきを±４５°以内に揃えて初期化を行
うことができる。

【００３６】本発明の第４の態様は、本発明の第１５な
いし１７の態様に示すように、好ましくは基板と、相変
化型記録膜と、誘電体保護膜とを有するもので、好まし
くは情報の再生で用いる光ビームの波長をＬ、情報記録
媒体の光透過性のある光干渉層を形成する各膜の屈折率
をそれぞれｎｘとすると、各膜の膜厚変動をそれぞれ±
Ｌ／（１６ｎｘ）以下とし、さらに好ましくは該記録膜
に光ビームを照射することで、記録膜の結晶状態を均一
にさせ、結晶粒の大きさをＬ／（８ｎｃ）（ここでｎｃは記録膜の結晶状態の屈折率である）以下
とし得る。

【００３７】本発明の第８ないし第１０の態様によれ
ば、記録膜の相変化に伴う情報記録媒体の反射率変化量
を、情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対
反射率で５％以下、情報記録媒体の反射率を、情報の再
生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０
％以上、かつ記録膜の相変化に伴う情報記録媒体の位相
変化量を、情報の再生で用いる光ビームの光波長におけ
る位相変化量の絶対値で１２０度以上とすることによ
り、少なくとも、そのときの相変化に伴う位相変化量が
大きい媒体を提供することができる。

【００３８】本発明の第１１ないし第１４の態様によれ
ば、記録膜の状態が相変化のどちらの状態においても、
情報記録媒体の反射率が、情報の再生で用いる光ビーム
の光波長における絶対反射率で５０％以上となるよう
に、記録膜に位相初期化光ビームを照射して、前記記録
膜の状態を相変化のどちらかの状態に初期化することに
より、高反射率の情報記録媒体の初期化を行なうことが
できる。

【００３９】

【実施例】

実施例１以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。図１に本発明にかかる相変化光ディスクの層構成の
１例を模式的に示す。図示するように、相変化光ディス
クは、光ディスク基板６、保護膜３、記録膜１、保護膜
２、反射膜４、及び保護膜５を順次積層した構成を有す
る。

【００４０】この層構成は単板の場合の例であるが、記
録膜１のある面を内側にしてこの単板光ディスク２枚を
貼り合わせ両面使用の光ディスクとすることもまた可能
である。

【００４１】また、用途に応じて、保護膜３及び保護膜
５はそれぞれ省略することも可能である。光ディスク基
板６は、透明で経時変化が少ない材料、例えばポリメチ
ルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、スチレン樹脂、
またはガラス等で形成される。基板６には、記録フォー
マットに応じて連続溝、サンプルサーボマーク、プリフ
ォーマットマーク等が形成される。

【００４２】記録膜１は、光ビームが照射されることに
より状態が変化する材料で形成されている。このような
相変化型材料としては、ＧｅＴｅ系、ＴｅＳｅ系、Ｇｅ
ＳｂＳｅ系、ＴｅＯｘ系、ＩｎＳｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系
等のカルコゲナイド系アモルファス半導体材料やＩｎＳ
ｂ系、ＧａＳｂ系、ＩｎＳｂＴｅ系等の化合物半導体材
料などを用いることができる。この記録膜１は、真空蒸
着法やスパッタリング法等で形成することができる。こ
の記録膜１の膜厚としては、実用上数ｎｍ〜数μｍの範
囲であることが好ましい。

【００４３】保護膜２，３は、記録膜１を挟むように配
設されており、記録ビームの照射により記録膜１が、飛
散したり、穴があいてしまうことを防止する役割を有し
ている。また、記録のときの記録膜の加熱、冷却の熱拡
散を制御する役割もある。この保護膜２，３は、ＳｉＯ
₂ ，ＳｉＯ，ＡｌＮ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＺｒＯ₂ ，ＴｉＯ
₂ ，Ｔａ₂ Ｏ₃ ，ＺｎＳ，Ｓｉ，Ｇｅ，またはこれらの
混合物等を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成す
ることができる。保護膜２，３の膜厚は実用上数ｎｍ〜
数μｍであることが好ましい。

【００４４】反射膜４は、記録膜の光学的変化を光学的
にエンハンスして再生信号を増大させる効果と記録膜の
冷却効果がある。この反射膜４は、Ａｕ，Ａｌ，Ｃｕ，
Ｎｉ−Ｃｒ、またはこれらを主成分とした合金等の金属
膜を真空蒸着法やスパッタリング法などで形成すること
ができる。反射膜の膜厚は、実用上数ｎｍ〜数ｍである
ことが好ましい。

【００４５】保護膜５は、相変化光ディスクを取り扱う
上での傷、ほこり等を防止するために配設されるもので
あり、通常、紫外線硬化樹脂などにより形成される。こ
の保護膜５は、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法
により反射膜４の表面に塗布し、紫外線を照射して硬化
させて形成する。この保護膜５の膜厚としては、実用上
数μｍ〜数百μｍの範囲であることが好ましい。

【００４６】本発明においては、保護膜３、記録膜１、
保護膜２、反射膜４の各膜厚を調整することによって高
反射率の媒体を実現できる。特に、記録膜１と反射膜４
との間の保護膜２の膜厚を調整することが重要である。
情報の再生で用いる光ビームの波長をＬ、保護膜２の屈
折率をｎ、保護膜２の膜厚をｄとする。保護膜２の膜厚
ｄをｄ＝（ｍＬ）／（２ｎ）（ここでｍは１以上の整数である）、で定められる膜厚
付近に設定することがポイントである。

【００４７】このときの膜厚の範囲は±Ｌ／（８ｎ）以
下であることが望ましい。図２に保護膜２の膜厚による
媒体の反射率変化の光学計算の例を表わすグラフ図を示
す。

【００４８】保護膜３としてＺｎＳ系膜２７０ｎｍ、記
録膜１としてＧｅＳｂＴｅ系膜１０ｎｍ、反射膜４とし
てＡｌ系合金膜１００ｎｍを用い、そのときの保護膜２
の膜厚を変化させたものである。保護膜２はＺｎＳ系膜
を用いている。

【００４９】光の波長は６９０ｎｍで、その光波長での
保護膜２の屈折率は２．０として光学計算を行った。２
１は記録膜１が結晶状態の反射率を表わすグラフ、２２
は記録膜１が非晶質状態の反射率を表わすグラフ、２３
はそのときの相変化に伴う反射率変化量を示す。

【００５０】保護膜２の膜厚が１７０ｎｍ，３４０ｎ
ｍ，５１０ｎｍ付近の範囲で相変化に伴う反射率変化量
が５％以下で、かつそのときの結晶状態の反射率が５０
％以上となっている。

【００５１】今、Ｌ＝６９０ｎｍ，ｎ＝２．０であるの
で、ｍ＝１のときｄ＝１７２．５ｎｍｍ＝２のときｄ＝３４５．０ｎｍｍ＝３のときｄ＝５１７．５ｎｍとなる。

【００５２】本発明で許容できる誤差範囲を考えると、
±Ｌ／（８ｎ）＝４３．１ｎｍとなるので、図２の結果
は、本発明の要件を満足していることになる。尚、この
誤差の原因は記録膜１、反射膜４、保護膜３などの他の
光干渉層の影響によるものである。

【００５３】これは、薄膜の光干渉によって、ｄ＝Ｌ／
（２ｎ）のときは光を反射する条件となり、逆にｄ＝Ｌ
／（４ｎ）のときは反射防止条件となることによる。本
発明は、この反射条件を用いて高反射率の相変化媒体を
実現するものである。

【００５４】従って、各膜を構成する材料の膜厚を適当
に設計することによって相変化に伴う反射率変化量が５
％以下で、かつそのときの結晶状態の反射率が５０％以
上とすることが可能である。

【００５５】本発明の層構成とすることで、高反射率の
相変化ディスクを提供できる。実施例２以下に本発明の第２の態様にかかる情報記録媒体の一例
を図面を参照して詳細に説明する。

【００５６】本発明の実施例による相変化光ディスクの
層構成の１例として前述の図１に示したと同様な層構成
のディスクを用いた場合について説明する。本発明にお
いては、保護膜３、記録膜１、保護膜２、反射膜４の各
膜厚を調整することによって高反射率で、且つ相変化に
伴う反射率変化量が少なく、またそのときの相変化に伴
う位相変化量も少ない媒体を提供するものである。相変
化に伴う位相変化が大きいと再生信号の大きさに対して
影響が出てしまうためである。本発明においては特に
図１の記録膜１と反射膜４との間の保護膜２の膜厚を調
整することが重要である。

【００５７】情報の再生で用いる光ビームの波長をＬ、
保護膜２の屈折率をｎ、保護膜２の膜厚をｄとする。保
護膜２の膜厚ｄをｄ＝（ｍＬ）／（２ｎ）（ここでｍは１以上の整数である）、で定められる膜厚
付近に設定することがポイントである。

【００５８】このときの膜厚の範囲は±Ｌ／（８ｎ）以
下であることが望ましい。図３に保護膜２の膜厚による
媒体の位相差変化の光学計算の例を示す。保護膜３とし
てＺｎＳ系膜２７０ｎｍ、記録膜１としてＧｅＳｂＴｅ
系膜１０ｎｍ、反射膜４としてＡｌ系合金膜１００ｎｍ
を用い、そのときの保護膜２の膜厚を変化させたもので
ある。保護膜２はＺｎＳ系膜を用いている。

【００５９】光の波長は６９０ｎｍで、その光波長での
保護膜２の屈折率は２．０として光学計算を行った。２
１が記録膜１が結晶状態の反射率、２２が記録膜１が非
晶質状態の反射率、３３がそのときの相変化に伴う位相
差変化量を示す。

【００６０】保護膜２の膜厚が１７０ｎｍ，３４０ｎ
ｍ，５１０ｎｍ付近の範囲で相変化に伴う反射率変化量
が５％以下で、かつそのときの結晶状態の反射率が５０
％以上となっており、且つそのときの位相差変化量がほ
とんどゼロに近くなっている。

【００６１】今、Ｌ＝６９０ｎｍ，ｎ＝２．０であるの
で、ｍ＝１のときｄ＝１７２．５ｎｍｍ＝２のときｄ＝３４５．０ｎｍｍ＝３のときｄ＝５１７．５ｎｍとなる。

【００６２】本発明で許容できる誤差範囲を考えると、
±Ｌ／（８ｎ）＝４３．１ｎｍとなるので、図３の結果
は、本発明の要件を満足していることになる。このとき
の位相差の誤差範囲は±４５度以下となっている。

【００６３】尚、この誤差の原因は記録膜１、反射膜
４、保護膜３などの他の光干渉膜の影響によるものであ
る。これは、反射率については薄膜の光干渉によって、
ｄ＝Ｌ／（２ｎ）のときは光を反射する条件となり、逆
にｄ＝Ｌ／（４ｎ）のときは反射防止条件となることに
よる。位相についてもそのときに同時に変化するので、
反射条件のとき位相変化量も少なくなると考えられる。

【００６４】本発明は、この反射条件を用いて高反射率
で且つ位相変化の少ない相変化媒体を実現するものであ
る。実施例３以下に，本発明の第３の態様にかかる情報記録媒体の一
例を図面を参照して詳細に説明する。

【００６５】本発明の実施例による相変化光ディスクの
層構成の１例として前述の第１図に示したと同様な層構
成のディスクを用いた場合について説明する。本発明に
おいては、保護膜３、記録膜１、保護膜２、反射膜４の
各膜厚を調整することによって相変化に伴う反射率変化
量が少なくとも、そのときの相変化に伴う位相変化量が
大きい媒体を提供するものである。相変化に伴う位相変
化が大きいと再生信号の大きさに対して大きく影響し、
位相変化によって情報を再生することが可能である。

【００６６】本発明においては特に図１の記録膜１と反
射膜４との間の保護膜２の膜厚を調整することが重要で
ある。情報の再生で用いる光ビームの波長をＬ、保護膜
２の屈折率をｎ、保護膜２の膜厚をｄとする。保護膜２
の膜厚ｄをｄ＝（２ｙ＋１）Ｌ／（４ｎ）（ここでｙは０以上の整数である）、で定められる膜厚
付近に設定することがポイントである。

【００６７】このときの膜厚の範囲は±Ｌ／（８ｎ）以
下であることが望ましい。前述の図３に保護膜２の膜厚
による媒体の位相差変化の光学計算の例を示した。

【００６８】保護膜３としてＺｎＳ系膜２７０ｎｍ、記
録膜１としてＧｅＳｂＴｅ系膜１０ｎｍ、反射膜４とし
てＡｌ系合金膜１００ｎｍを用い、そのときの保護膜２
の膜厚を変化させたものである。保護膜２はＺｎＳ系膜
を用いている。

【００６９】光の波長は６９０ｎｍで、その光波長での
保護膜２の屈折率は２．０として光学計算を行った。２
１が記録膜１が結晶状態の反射率、２２が記録膜１が非
晶質状態の反射率、３３がそのときの相変化に伴う位相
差変化量を示す。

【００７０】保護膜２の膜厚が６０ｎｍ，２４０ｎｍ，
４１０ｎｍ付近の範囲で相変化に伴う反射率変化量が１
０％以下で、且つそのときの位相差変化量が１８０度に
近くなっている。

【００７１】今、Ｌ＝６９０ｎｍ，ｎ＝２．０であるの
で、ｙ＝０のときｄ＝８６．３ｎｍｙ＝１のときｄ＝２５８．８ｎｍｙ＝２のときｄ＝４３１．３ｎｍとなる。

【００７２】本発明で許容できる誤差範囲を考えると、
±Ｌ／（８ｎ）＝４３．１ｎｍとなるので、この誤差範
囲で位相差変化量が１８０度に近くなっている。位相差
を用いて再生を行うためには、位相差変化量としては１
２０度以上は必要である。保護膜２の膜厚を上記条件に
よって最適に設定することで位相差変化量を１２０度以
上とすることが可能である。実施例４前述の実施例３についてまた別の見方ができる。

【００７３】記録膜の結晶状態の反射率が極小となる保
護膜２の膜厚ｔ１と、記録膜の非晶質状態の反射率が極
小となる保護膜２の膜厚ｔ２との間で相変化に伴う位相
差変化量が１８０度に近くなっている。図３の計算結果
から位相差変化量が極大となる保護膜２の最小の膜厚を
ｔｐとするとｄ＝ｔｐ＋ｘＬ／（２ｎ）ここでｘは０以上の整数である、を満足する保護膜２の
膜厚ｄのとき、位相差変化量が極大となる。

【００７４】従って、位相差変化量が大きくなる層構成
とするためには、この式を満足する保護膜２の膜厚とす
ればよい。尚、このときの誤差範囲も±Ｌ／（８ｎ）で
あればよい。この誤差の原因は記録膜１、反射膜４、保
護膜３などの他の光干渉層の影響によるものである。

【００７５】これは、反射率については薄膜の光干渉に
よって、ｄ＝Ｌ／（２ｎ）のときは光を反射する条件と
なり、逆にｄ＝Ｌ／（４ｎ）のときは反射防止条件とな
る。位相についてもそのときに同時に変化するのが、反
射防止条件のとき位相変化量も大きくなると考えられ
る。

【００７６】本発明は、この反射防止条件を用いて位相
変化の大きい相変化媒体を実現するものである。従っ
て、各膜を構成する材料の膜厚を適当に設計することに
よって相変化に伴う反射率変化量が１０％以下で、且つ
そのときの相変化に伴う位相差変化量を１２０度以上と
することが可能である。

【００７７】本発明の層構成とすることで、反射率変化
量が小さくとも位相変化の大きい相変化ディスクを提供
できる。実施例５以下に本発明の第４の態様にかかる初期化方法につい
て、図面を参照して詳細に説明する。

【００７８】前述の実施例２から実施例４では、相変化
ディスクの位相差が記録情報の再生に係わっている。従
来では、スパッタ、蒸着などで成膜された記録膜は非晶
質であるので、加熱アニール処理または光ビーム照射な
どで、記録膜を結晶相とし、ディスクを初期（結晶）化
していた。

【００７９】本発明では、ディスクの位相を揃えること
によって初期化を行うものである。ディスクの位相の変
動要因としては、各膜の膜厚の変化と記録膜の結晶構造
がある。

【００８０】例えば前述の図３においては、保護膜２の
膜厚によって位相差が大きく変化している。実際のディ
スクの使用にあたっては、ディスクの情報の記録再生に
用いる内周から外周の全面に渡って位相差の変動が少な
くなければならない。

【００８１】ディスクの内周から外周における各膜の膜
厚変動は、位相差に影響しない範囲であることが必要で
ある。膜厚の変動量としてＬ／（８ｎ）の変動量がある
と再生信号に影響が出てくるので、各膜の膜厚に対して
それぞれ少なくとも±Ｌ／（１６ｎｘ）以下の膜厚変動
に抑える必要がある。ここで、ｎｘは相変化ディスクの
光透過性のある光干渉層を形成する各膜の屈折率であ
る。

【００８２】例えば、前述の図１に示された層構成にお
いて光の波長はＬのときの保護膜２の屈折率をｎ２、保
護膜３の屈折率をｎ３、記録膜１の屈折率をｎ１、反射
膜４の屈折率をｎ４とすると記録再生で使用する相変化
ディスクの各半径位置で、保護膜２の膜厚変動は±Ｌ／（１６ｎ２）以下保護膜３の膜厚変動は±Ｌ／（１６ｎ３）以下記録膜１の膜厚変動は±Ｌ／（１６ｎ１）以下反射膜４の膜厚変動は±Ｌ／（１６ｎ４）以下でなければならない。

【００８３】また記録膜１は相変化により結晶状態と非
晶質状態をとるので、記録膜１が結晶状態のときの屈折
率をｎ１ｃ、非晶質状態のときの屈折率をｎ１ａとする
と記録膜１が結晶状態のときの膜厚変動は±Ｌ／（１６ｎ
１ｃ）以下記録膜１が非晶質状態のときの膜厚変動は±Ｌ／（１６
ｎ１ａ）以下でなければならない。

【００８４】各膜の膜厚変動を上記の範囲に抑えるため
には、スパッタリング法あるいは真空蒸着法などで成膜
するときに記録再生で使用する相変化ディスクの各半径
位置で各膜厚が上記範囲内となるように成膜条件を設定
する必要がある。

【００８５】例えば、スパッタリング法では、ターゲッ
ト材の上にマスク板を設けてディスク基板半径方向の成
膜レートを一定にしたり、ディスク基板をターゲット材
に対して公転あるいは自転させたり、ディスク基板とタ
ーゲット材との間の距離を調整することによって各膜厚
を上記範囲内に抑えることが可能である。

【００８６】各膜の膜厚を上記の膜厚変動の範囲内に納
めて、該ディスクに所定のオーバーコート、貼り合わせ
などの処理後、記録膜に光ビームを照射して記録膜の結
晶状態を均一とすることによって相変化ディスクの位相
を揃えることができる。このときの光ビームの照射条件
はディスクの内周から外周まで記録膜の結晶粒の大きさ
が均一となることが望ましい。このときの結晶粒の大き
さがＬ／（８ｎｃ）以上となると結晶粒の配向のばらつ
きが位相にも影響する。以上のように、各膜の膜厚、記
録膜の結晶状態のばらつきを抑えることで記録トラック
での位相のばらつきを±４５°以内にすることができ
る。

【００８７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
反射率の相変化型記録膜を用いた情報記録媒体を提供す
ることができる。また、この本発明では相変化型記録膜
を用いた情報記録媒体の初期の位相のばらつきを所定の
範囲に揃えることにより、再生信号のノイズレベルを低
くすることができる。さらに、本発明によれば、相変化
型記録膜の相変化に伴う位相差を記録情報の再生に利用
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる相変化型記録膜を有する情報
記録媒体の層構成の１例を模式的に示す図

【図２】情報記録媒体の保護膜の膜厚と反射率変化の
光学計算値をプロットしたグラフ図

【図３】情報記録媒体の保護膜の膜厚と位相差変化の
光学計算値をプロットしたグラフ図

【符号の説明】

１…記録膜２，３，５…保護膜４…反射膜６…基板２１…記録膜が結晶状態の反射率２２…記録膜が非晶質状態の反射率２３…相変化に伴う反射率変化量３３…相変化に伴う位相差変化量

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜とを含む情報記録媒体において、
前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変
化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
絶対反射率で５％以下であり、かつ前記情報記録媒体の
反射率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長におけ
る絶対反射率で５０％以上であることを特徴とする情報
記録媒体。
【請求項２】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜とを含む情報記録媒体において、
前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変
化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
絶対反射率で５％以下であり、前記情報記録媒体の反射
率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における絶
対反射率で５０％以上であり、かつ前記記録膜の相変化
に伴う前記情報記録媒体の位相変化量は、情報の再生で
用いる光ビームの光波長における位相変化量の絶対値で
４５度以下であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項３】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜とを含む情報記録媒体において、
前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射率変
化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
絶対反射率で１０％以下であり、且つ前記記録膜の相変
化に伴う前記情報記録媒体の位相変化量は、情報の再生
で用いる光ビームの光波長における位相変化量の絶対値
で１２０度以上であることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項４】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜とを含む情報記録媒体の初期化方
法であって、情報の再生で用いる光ビームの光波長にお
ける光の位相のバラツキが前記情報記録媒体の記録トラ
ックで±４５°以内となるように前記記録膜に位相初期
化光ビームを照射して初期化することを特徴とする情報
記録媒体の初期化方法。
【請求項５】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを含む情報記
録媒体において、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記
録媒体の反射率変化量は、情報の再生で用いる光ビーム
の光波長における絶対反射率で５％以下であり、前記情
報記録媒体の反射率は、情報の再生で用いる光ビームの
光波長における絶対反射率で５０％以上であることを特
徴とする情報記録媒体。
【請求項６】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜と、反射層とを
含む情報記録媒体において、前記記録膜の相変化に伴う
前記情報記録媒体の反射率変化量は、情報の再生で用い
る光ビームの光波長における絶対反射率で５％以下であ
り、前記情報記録媒体の反射率は、情報の再生で用いる
光ビームの光波長における絶対反射率で５０％以上であ
ることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項７】基板と、該基板上に設けられた、第１の
誘電体保護膜と、該第１の誘電体保護膜上に設けられ、
光ビームを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて
情報を記録する相変化型記録膜と、該相変化型記録膜上
に設けられた第２の誘電体保護膜と、該第２の誘電体保
護膜上に設けられた反射層とを含む情報記録媒体におい
て、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の反射
率変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長にお
ける絶対反射率で５％以下であり、前記情報記録媒体の
反射率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長におけ
る絶対反射率で５０％以上であることを特徴とする情報
記録媒体。
【請求項８】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを含む情報記
録媒体において、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記
録媒体の反射率変化量は、情報の再生で用いる光ビーム
の光波長における絶対反射率で５％以下であり、前記情
報記録媒体の反射率は、情報の再生で用いる光ビームの
光波長における絶対反射率で５０％以上であり、前記記
録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の位相変化量は、
情報の再生で用いる光ビームの光波長における位相変化
量の絶対値で１２０度以上であることを特徴とする情報
記録媒体。
【請求項９】基板と、該基板上に設けられ、光ビーム
を照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を記
録する相変化型記録膜と、反射層とを含む情報記録媒体
において、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体
の反射率変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波
長における絶対反射率で５％以下であり、前記情報記録
媒体の反射率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長
における絶対反射率で５０％以上であり、かつ前記記録
膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の位相変化量は、情
報の再生で用いる光ビームの光波長における位相変化量
の絶対値で１２０度以上であることを特徴とする情報記
録媒体。
【請求項１０】基板と、該基板上に設けられた、第１
の誘電体保護膜と、該第１の誘電体保護膜上に設けら
れ、光ビームを照射し、照射部分に状態の変化を生じさ
せて情報を記録する相変化型記録膜と、該相変化型記録
膜上に設けられた第２の誘電体保護膜と、該第２の誘電
体保護膜上に設けられた反射層とを含む情報記録媒体に
おいて、前記記録膜の相変化に伴う前記情報記録媒体の
反射率変化量は、情報の再生で用いる光ビームの光波長
における絶対反射率で５％以下であり、前記情報記録媒
体の反射率は、情報の再生で用いる光ビームの光波長に
おける絶対反射率で５０％以上であり、かつ前記記録膜
の相変化に伴う前記情報記録媒体の位相変化量は、情報
の再生で用いる光ビームの光波長における位相変化量の
絶対値で１２０度以上であることを特徴とする情報記録
媒体。
【請求項１１】基板と、該基板上に設けられ、光ビー
ムを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を
記録する相変化型記録膜とを含む情報記録媒体の初期化
方法において、前記記録膜の状態が相変化のどちらの状
態においても、前記情報記録媒体の反射率が、情報の再
生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率で５０
％以上となるように、前記記録膜に位相初期化光ビーム
を照射して、前記記録膜の状態を相変化のどちらかの状
態に初期化することを特徴とする初期化方法。
【請求項１２】基板と、該基板上に設けられ、光ビー
ムを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を
記録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを含む情報
記録媒体の初期化方法において、前記記録膜の状態が相
変化のどちらの状態においても、前記情報記録媒体の反
射率が、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
絶対反射率で５０％以上となるように、前記記録膜に位
相初期化光ビームを照射して、前記記録膜の状態を相変
化のどちらかの状態に初期化することを特徴とする初期
化方法。
【請求項１３】基板と、該基板上に設けられ、光ビー
ムを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を
記録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを含む情報
記録媒体の初期化方法において、前記記録膜の状態が相
変化のどちらの状態においても、前記情報記録媒体の反
射率が、情報の再生で用いる光ビームの光波長における
絶対反射率で５０％以上となるように、前記記録膜に位
相初期化光ビームを照射して、前記記録膜の状態を相変
化のどちらかの状態に初期化することを特徴とする初期
化方法。
【請求項１４】基板と、該基板上に設けられた、第１
の誘電体保護膜と、該第１の誘電体保護膜上に設けら
れ、光ビームを照射し、照射部分に状態の変化を生じさ
せて情報を記録する相変化型記録膜と、該相変化型記録
膜上に設けられた第２の誘電体保護膜と、該第２の誘電
体保護膜上に設けられた反射層とを含む情報記録媒体の
初期化方法において、前記記録膜の状態が相変化のどち
らの状態においても、前記情報記録媒体の反射率が、情
報の再生で用いる光ビームの光波長における絶対反射率
で５０％以上となるように、前記記録膜に位相初期化光
ビームを照射して、前記記録膜の状態を相変化のどちら
かの状態に初期化することを特徴とする初期化方法。
【請求項１５】基板と、該基板上に設けられ、光ビー
ムを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を
記録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜とを含む情報
記録媒体の初期化方法であって、情報の再生で用いる光
ビームの光波長における光の位相のバラツキが前記情報
記録媒体の記録トラックで±４５°以内となるように前
記記録膜に位相初期化光ビームを照射して初期化するこ
とを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項１６】基板と、該基板上に設けられ、光ビー
ムを照射し、照射部分に状態の変化を生じさせて情報を
記録する相変化型記録膜と、誘電体保護膜と、反射層と
を含む情報記録媒体の初期化方法であって、情報の再生
で用いる光ビームの光波長における光の位相のバラツキ
が前記情報記録媒体の記録トラックで±４５°以内とな
るように前記記録膜に位相初期化光ビームを照射して初
期化することを特徴とする情報記録媒体の初期化方法。
【請求項１７】基板と、該基板上に設けられた、第１
の誘電体保護膜と、該第１の誘電体保護膜上に設けら
れ、光ビームを照射し、照射部分に状態の変化を生じさ
せて情報を記録する相変化型記録膜と、該相変化型記録
膜上に設けられた第２の誘電体保護膜と、該第２の誘電
体保護膜上に設けられた反射層とを含む情報記録媒体の
初期化方法であって、情報の再生で用いる光ビームの光
波長における光の位相のバラツキが前記情報記録媒体の
記録トラックで±４５°以内となるように前記記録膜に
位相初期化光ビームを照射して初期化することを特徴と
する情報記録媒体の初期化方法。